JP2011187445A - 誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置を提供する。
【解決手段】導電性母材（中空のステンレスパイプ）３６ｂ，３６Ｂを誘電体３６ａ，３６Ａで被覆した角柱型の誘電体被覆電極３６ｃ，３６Ｃであって、誘電体３６ａ，３６Ａの空隙率が１０体積％以下である。具体的には、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行う。ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。
【選択図】図８

Description

本発明は、誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置に関する。

近年、視認性向上のために反射防止層または防眩層を付与したディスプレイが多く使用されている。反射防止層や防眩層は用途に応じてさまざまな種類や性能の改良がなされ、これらの機能を有する種々の前面版を液晶ディスプレイの偏光子等に貼り合わせることで、ディスプレイに視認性向上のために反射防止機能または防眩機能等を付与する方法が用いられている。これら、前面版として用いる光学用フィルムには、塗布または、スパッタリング等で形成した反射防止層または防眩層が設けられている。

しかし、これらの光学用フィルムは、例えば偏光板等に張り合わせる工程が必要であり、その為に、接着性の改善を目的としたアルカリ液による表面のケン化処理や糊の塗布などの前処理工程が必須で、皺の発生やムラを生じ易かったり、反射防止層や防眩層もそれによりダメージを受け易い欠点を有していた。又、張り合わせ工程において、多数の面タッチローラーに触れたりすることで反射防止層または防眩層に傷が発生しやすいという欠点も有していた。

また、光学用フィルムの貼り合わせ工程やパネル作製時に、静電気等によるゴミの付着も起きやすく、欠陥の発生原因となっており改良が望まれていた。

また、視認性を改善するため、従来でも、表示装置の表面には防眩層あるいは反射防止層が設けられているが、表示装置のカラー化、高精細化に伴って、より視認性の優れた表示装置が求められている。

本発明の目的は、誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置を提供することである。

本発明の上記目的は下記の項目１〜１３によって達成された。

１．導電性母材を誘電体で被覆した角柱型の誘電体被覆電極であって、前記誘電体の空隙率が１０体積％以下であることを特徴とする誘電体被覆電極。

２．前記誘電体が、比誘電率６〜４５の無機材料であることを特徴とする前記１に記載の誘電体被覆電極。

３．前記誘電体は、セラミックスを溶射した後、無機材料で封孔処理されていることを特徴とする前記１または２に記載の誘電体被覆電極。

４．前記セラミックスがアルミナを含むことを特徴とする前記３に記載の誘電体被覆電極。

５．前記封孔処理の無機材料はゾルゲル反応により硬化されることを特徴とする前記３または４に記載の誘電体被覆電極。

６．前記ゾルゲル反応が熱もしくはＵＶにより促進されたことを特徴とする前記５に記載の誘電体被覆電極。

７．前記誘電体の表面が研磨仕上げされていることを特徴とする前記１〜６のいずれか１項に記載の誘電体被覆電極。

８．前記誘電体の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以下であることを特徴とする前記７に記載の誘電体被覆電極。

９．前記誘電体被覆電極が冷却水による冷却手段を有することを特徴とする前記１〜８のいずれか１項に記載の誘電体被覆電極。

１０．対向する２種の電極間に基材を位置させ、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、前記電極間に電圧を印加して放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、前記基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に薄膜を形成するプラズマ放電処理装置において、前記対向する２種の電極の少なくとも一方が、前記１〜９のいずれか１項に記載の誘電体被覆電極であることを特徴とするプラズマ放電処理装置。

１１．前記基材が長尺フィルムであって、少なくとも前記対向する２種の電極の一方が、前記長尺フィルムを巻回し、長尺フィルムの搬送方向に回転する一つのロール電極であり、前記一つのロール電極と対向する電極は、前記誘電体被覆電極を複数配置した電極群であることを特徴とする前記１０に記載のプラズマ放電処理装置。

１２．前記ロール電極が導電性母材を誘電体で被覆した誘電体被覆電極であることを特徴とする前記１１に記載のプラズマ放電処理装置。

１３．前記ロール電極の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以下であることを特徴とする前記１１にまたは１２に記載のプラズマ放電処理装置。

誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置を提供する。

本発明の防眩フィルムの一例を示す断面図である。 本発明の防眩フィルムの一例を示す断面図である。 本発明の防眩フィルムの一例を示す断面図である。 本発明に用いられるプラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。 本発明に用いられるプラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる円筒型のロール電極の一例を示す概略図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる固定型の円筒型電極の一例を示す概略図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる固定型の角柱型電極の一例を示す概略図である。 本発明に用いられるプラズマ放電処理装置の一例を示す概念図である。 本発明のセルロースエステルフィルムの製造装置の一例を示す工程図である。 本発明のセルロースエステルフィルムの製造方法で用いられるスリットダイの一例の断面図を示す。

以下、本発明を詳細に説明する。

上記の問題点について、鋭意検討を重ねた結果、少なくとも一方の面が、微粒子含有層を表層として有し、且つ、ヘイズが３％〜３０％未満であることを特徴とするセルロースエステルフィルムを用いることにより、良好な耐擦傷性を有し、且つ、優れた視認性を示すセルロースエステルフィルムを得ることが出来ることを見いだした。

本発明に記載の効果である視認性を更に高めるためには、前記のセルロースエステルフィルムの表層上に、直接または、他の層を介して活性線硬化樹脂層を設けた防眩フィルムを用いることが好ましく、更に好ましくは、前記の活性線硬化樹脂層に、粒子径の細かい微粒子を含ませ、より微細な凹凸を形成することであり、特に好ましくは、前記活性線硬化樹脂層上に、反射防止層を形成することにより、更に良好な視認性を得ることが出来ることを見いだした。

また、更に優れた耐擦傷性を得る観点から、前記反射防止層は、金属酸化物層を有することが好ましく、更に好ましくは、前記金属酸化物層が大気圧プラズマ処理によって形成されたものが好ましい。

ここで、本発明のセルロースエステルフィルム、それを用いた防眩フィルムの層構成を図１〜図３を用いて説明する。

本発明のセルロースエステルフィルムは、少なくとも一方の面の表層に微粒子を含有する層を設けたセルロースエステルフィルムであり、前記微粒子を含有する表層を設けることにより、表面に凹凸を有するセルロースエステルフィルムが得られる。ここで、表面に凹凸を有するセルロースエステルフィルムは、共流延製膜法により形成されたものが好ましい。

上記のセルロースエステルフィルムの表面に凹凸を有する面上に活性線硬化樹脂層（防眩層ともいう）を塗設することにより防眩性を示す防眩フィルムが作製される。前記活性線硬化樹脂層の中心線平均粗さＲａは、０．１μｍ〜０．５μｍであることが好ましい。

本発明の防眩フィルムには、更に反射防止層や活性線硬化樹脂層を設けることが出来る。

図１は、本発明の防眩フィルムの一例を示す概略断面図である。

一方の面に、微粒子含有層を表層として有するセルロースエステルフィルムの表層上に、活性線硬化樹脂層、反射防止層、更に防汚層が設けられ、他方の面には、ブロッキング防止を目的とした微粒子含有層を設けることが好ましい。他方の面上に設けられる、微粒子含有層は、共流延法により形成してもよく、塗布により形成しても良い。

図２は、本発明の防眩フィルムの他の一例を示す概略断面図である。

図２においては、セルロースエステルフィルムの一方の面に設けられた微粒子含有層において、図１の構成とは異なり、粒径の異なる粒子（ここで、粒径が異なる粒子とは、１次粒径が異なる場合、２次粒径が異なる場合のどちらでもよい）を用いることで、より微細な凹凸を有する表層を形成した例を示す。

図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の防眩フィルムの他の一例を示す概略断面図である。

図３（ａ）は、セルロースエステルフィルムに、凹凸の周期の大きな表層を形成し、更に、表層の上に形成する活性線硬化樹脂層にも微粒子を含有させて、前記セルロースエステルフィルム表層より周期の小さな凹凸を形成したものである。

このような構成をとることにより、より防眩性能に優れた防眩フィルムを得ることが出来る。更に反射防止層を設ける場合、金属酸化物微粒子を含む層を反射防止層として設けることが出来るが、後述する大気圧プラズマ法は、微細な凹凸を有する面の上にも膜厚が均一な反射防止層を形成することが出来るため、特に好ましく用いられる。

図３（ｂ）は、セルロースエステルフィルムに、凹凸の周期の大きな表層を形成し、更に、該表層の上に、活性線硬化樹脂層を２層設けた例であり、上側の活性線硬化樹脂層中に微粒子を加え、微細で、周期が小さい凹凸を形成したものである。

本発明に係る微粒子について説明する。

本発明のセルロースエステルフィルムは、少なくとも一方の面の表層に微粒子を含有することが必須要件である。前記表層と微粒子との好ましい構成は以下に示される様なものである。

本発明に係る微粒子の粒径としては、一次粒子の平均粒径が５ｎｍ〜１０μｍの範囲のものが好ましく、更に好ましくは、１０ｎｍ〜５μｍである。

前記微粒子を含有する表層の膜厚としては、１μｍ〜２０μｍが好ましく、更に好ましくは、３μｍ〜１５μｍであり、特に好ましくは５μｍ〜１０μｍである。

ここで、表層の平均膜厚に対して０．５〜１．５倍の一次粒子径もしくは、二次粒子（凝集物）が含まれていることが好ましく、表層の平均膜厚よりも大きな粒子径を有する粒子が含まれていることが好ましい。

本発明において、表層とは、フィルム表面から中心方向に深さ２０μｍまでの領域をさし、フィルムの内部（もしくは内部領域）とは前記表層を除く領域をさす。

また、本発明のセルロースエステルフィルムの膜厚は３０μｍ〜１０００μｍが好ましく、更に好ましくは、３５μｍ〜５００μｍであり、特に好ましくは４０μｍ〜３００μｍである。

本発明に係る表層は、高低差０．１μｍ以上の凹凸を有することが好ましく、この凹凸を設けるために、上記微粒子が用いられる。本発明に係る高低差としては、０．１μｍ〜１０μｍの高低差が好ましく、更に好ましくは、０．２μｍ〜５μｍであり、更に好ましくは、０．５μｍ〜２μｍである。また、表層の平均膜厚に対して、０．１μｍ〜１０μｍの凸部を有することが好ましい。

また、上記の高低差は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される最大高さ（Ｒｍａｘ）で表され、測定は、光学干渉式表面粗さ計ＲＳＴ／ＰＬＵＳ（ＷＹＫＯ社製）を使用して行うことが出来る。

本発明にかかわる微粒子としては、例えば、無機粒子及び有機粒子が挙げられる。無機粒子としては、二酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化錫、炭酸カルシウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、焼成ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム等が挙げられる。

二酸化珪素の微粒子としては、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）、或いは、２５０、２５０Ｎ、２５６、２５６Ｎ、３１０、３２０、３５０、３５８、４３０、４３１、４４０、４５０、４７０、４３５、４４５、４３６、４４６、４５６、５３０、５４０、５５０、７３０、７４０、７７０（以上、富士シリシア（株）製）等の商品名を有する市販品が使用できる。

本発明に係る酸化ジルコニウムの微粒子としては、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）等の商品名で市販されているものが使用できる。

有機粒子としては、ポリ（メタ）アクリレート系樹脂、シリコン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリルスチレン系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、メラミン系樹脂、更にポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリ弗化エチレン系樹脂等が使用できる。

これらのうちでも、本発明の目的の一つである視認性を達成するには、シリカなどの酸化珪素が特に好ましく用いられる。ここで好ましく用いられる酸化珪素粒子は、合成非晶質シリカのなかでも湿式法によって作られる超微粉含水珪酸が光沢度を下げる効果が大きく好ましい。湿式法とは珪酸ソーダと鉱酸及び塩類を水溶液中で反応させる方法で、例えば富士シリシア化学（株）製のサイリシアや日本シリカ（株）製のＮｉｐｓｉｌ Ｅなどがある。

本発明に係る微粒子の分散液を調製する方法としては、例えば以下に示すような３種類が挙げられるが特にこれらに限定されるものではない。

（調製方法Ａ）
溶剤と微粒子を撹拌混合した後、分散機で分散を行う。これを微粒子分散液とする。微粒子分散液をドープ液に加えて撹拌する。

（調製方法Ｂ）
溶剤と微粒子を撹拌混合した後、分散機で分散を行う。これを微粒子分散液とする。別に溶剤に少量の樹脂を加え、撹拌溶解する。これに前記微粒子分散液を加えて撹拌する。これを微粒子添加液とする。微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する。

（調製方法Ｃ）
溶剤に少量の樹脂を加え、撹拌溶解する。これに微粒子を加えて分散機で分散を行う。これを微粒子添加液とする。微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する。

調製方法Ａは微粒子の分散性に優れ、調製方法Ｃは微粒子が再凝集しにくい点に優れている。調製方法Ｂは微粒子の分散性と、微粒子が再凝集しにくい等、両方に優れているため好ましい調製方法である。

（分散方法）
微粒子を溶剤などと混合して分散するときの微粒子の濃度は５質量％〜３０質量％が好ましく、１０質量％〜２５質量％がさらに好ましく、１５質量％〜２０質量％が最も好ましい。

使用される溶剤は、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、或いは酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、アルコール類が用いられ、特に低級アルコール類が好ましく、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられるが特にこれらに限定されるものではない。

分散機は通常の分散機が使用できる。分散機は大きく分けてメディア分散機とメディアレス分散機に分けられる。

メディア分散機としてはボールミル、サンドミル、ダイノミルなどがあげられる。

メディアレス分散機としては超音波型、遠心型、高圧型などがある。高圧分散装置は、微粒子と溶媒を混合した組成物を、細管中に高速通過させることで、高剪断や高圧状態など特殊な条件を作りだす装置である。高圧分散装置で処理する場合、例えば、管径１〜２０００μｍの細管中で装置内部の最大圧力条件が１０ＭＰａ以上であることが好ましい。更に好ましくは２０ＭＰａ以上である。またその際、最高到達速度が１００ｍ／秒以上に達するもの、伝熱速度が４１８ｋＪ／時間以上に達するものが好ましい。

上記のような高圧分散装置にはＭｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製超高圧ホモジナイザ（商品名マイクロフルイダイザ）あるいはナノマイザ社製ナノマイザがあり、他にもマントンゴーリン型高圧分散装置、例えばイズミフードマシナリ製ホモジナイザ、三和機械（株）社製ＵＨＮ〜０１等が挙げられる。

本発明に係るヘイズについて説明する。

本発明に記載の効果（視認性向上）を得る為に、本発明のセルロースエステルフィルムのヘイズは、３％〜３０％未満であることが必須要件である。

ここで、ヘイズの測定は、詳細は実施例に記載するが、ＡＳＴＭ−Ｄ１００３−５２に準じて測定することができる。

本発明のセルロースエステルフィルムを上記記載のヘイズ値の範囲に調整する為の手段としては、上記記載の有機微粒子及び／または、無機微粒子をセルロースエステルフィルムの表面層に含有させることが好ましいが、中でも、二酸化ケイ素がフィルムのヘイズを小さく出来るので好ましい。

また、二酸化ケイ素のような微粒子を有機物により表面処理したものは、フィルムのヘイズを上記の範囲に調整するために好ましく用いられる。

本発明に係る活性線硬化樹脂層について説明する。

本発明に係る活性線硬化樹脂層は、バインダーとして活性線硬化性樹脂を含有し、更に好ましくは、塗布後活性線照射により前記酸化珪素粒子や酸化珪素微粒子含有活性線硬化樹脂層を形成させることが好ましい。

本発明で用いられる活性線硬化性樹脂とは紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応などを経て硬化する樹脂として定義される。

活性線硬化性樹脂としては、紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代表的具体例として挙げられるが、紫外線や電子線以外の活性線照射によって硬化する樹脂であってもよい。

紫外線硬化性樹脂の例としては、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化性アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化性アクリル酸エステル系樹脂、紫外線硬化性メタクリル酸エステル系樹脂、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート系樹脂及び紫外線硬化性ポリオールアクリレート系樹脂などが挙げられる。

紫外線硬化性ポリオールアクリレート系樹脂としてはトリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタエリスリトール等の光重合モノマーオリゴマーである。これらのポリオールアクリレート系樹脂は高架橋性で硬化性が大きい、硬度が大きい、硬化収縮が小さい、又低臭気性で低毒性であり安全性も比較的高いので好ましく用いられる。

上記の紫外線硬化性ポリオールアクリレート系樹脂には、その効果を損なわない範囲で他の紫外線硬化性樹脂、例えば紫外線硬化性エポキシ系樹脂を含有して使用してもよい。アクリレート系樹脂は厚膜塗布した硬化塗膜は、硬化収縮によりカーリングが強くなり、取り扱い作業上支障をきたす場合がある。エポキシ系樹脂はアクリレート系樹脂と比べて一般に硬化収縮が小さく硬化塗膜のカーリングも小さい。ここで言う紫外線硬化性エポキシ系樹脂とはエポキシ基を分子内に２個以上含む化合物で、カチオン重合開始剤を含有し、紫外線を照射することにより架橋反応するエポキシ樹脂である。

電子線硬化性樹脂の例としては、好ましくは、アクリレート系の官能基を有するもの、例えば、比較的低分子量のポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリチオールポリエン樹脂などが挙げられる。

本発明の効果を顕著に、また簡易に発揮するためには、紫外線硬化性樹脂を用いることが好ましい。

アクリル基またはメタクリル基を有する上記活性エネルギー線硬化性樹脂としては、紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂等を挙げることが出来る。

紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタクリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させることによって容易に得ることが出来る（例えば特開昭５９−１５１１１０号公報）。

紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂は、一般にポリエステル末端の水酸基やカルボキシル基に２−ヒドロキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレート、アクリル酸のようなのモノマーを反応させることによって容易に得ることが出来る（例えば、特開昭５９−１５１１１２号公報）。

紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂は、エポキシ樹脂の末端の水酸基にアクリル酸、アクリル酸クロライド、グリシジルアクリレートのようなモノマーを反応させて得られる。

紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂としては、エチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタエリスリトール等を挙げることが出来る。

本発明に使用される上記活性エネルギー線反応性化合物を光重合あるいは光架橋反応を開始させるには、上記活性エネルギー線反応性化合物のみでも開始するが、重合の誘導期が長かったり、重合開始が遅かったりするため、光増感剤や光開始剤を用いることが好ましく、それにより重合を早めることが出来る。これらの光増感剤や光開始剤は公知のものを使用し得る。具体的には、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーケトン、α−アミロキシムエステル、テトラメチルウラムモノサルファイド、チオキサントン等及びこれらの誘導体を挙げることが出来る。

また、エポキシアクリレート基を有する活性エネルギー線反応性化合物の場合は、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増感剤を用いることが出来る。この活性エネルギー線反応性化合物に用いられる光反応開始剤または光増感剤は紫外線反応性化合物の１００質量部に対して０．１〜１５質量部で光反応を開始するには十分であり、好ましくは１〜１０質量部である。この増感剤は近紫外線領域から可視光線領域に吸収極大のあるものが好ましい。

本発明には活性エネルギー線反応性エポキシ樹脂も好ましく用いられる。活性エネルギー線反応性エポキシ樹脂としては、芳香族エポキシ化合物（多価フェノールのポリグリシジルエーテル）、例えば、水素添加ビスフェノールＡまたはビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応物のグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、脂肪族エポキシ樹脂としては、脂肪族多価アルコールまたはそのアルキレンオキサイド付加物のポリグリシジルエーテル、脂肪族長鎖多塩基酸のポリグリシジルエステル、グリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレートのホモポリマー、コポリマーなどがあり、その代表例としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ノナプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ジグリセロールトリグリシジルエーテル、ジグリセロールテトラグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールトリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールのポリグリシジルエーテル、脂環式エポキシ化合物、例えば、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３′，４′−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３′，４′−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル−３′，４′−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサン）ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのジグリシジルエーテル、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリグリシジルエーテル、ポリグリシジルアクリレート、ポリグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートと他のモノマーとの共重合物、ポリ−２−グリシジルオキシエチルアクリレート、ポリ−２−グリシジルオキシエチルメタクリレート、２−グリシジルオキシエチルアクリレート、２−グリシジルオキシエチルアクリレートまたは２−グリシジルオキシエチルメタクリレートと他のモノマーとの共重合物、ビス−２，２−ヒドロキシシクロヘキシルプロパンジグリシジルエーテル等を挙げることが出来、または単独または２種以上組み合わせた付加重合物を挙げることが出来る。本発明は、これらの化合物に限定せず、これらから類推される化合物も含むものである。

活性エネルギー線反応性化合物エポキシ樹脂は、エポキシ基を分子内に２つ以上有するもの以外に、モノエポキサイドも所望の性能に応じて配合して使用することが出来る。

活性エネルギー線反応性化合物エポキシ樹脂は、ラジカル重合によるのではなく、カチオン重合により重合、架橋構造または網目構造を形成する。ラジカル重合と異なり反応系中の酸素に影響を受けないため好ましい活性エネルギー線反応性樹脂である。

エチルスルホン酸銀、ポリ硼素酸銀等も好ましく用いることが出来る。

有用な活性エネルギー線反応性エポキシ樹脂は、活性エネルギー線照射によりカチオン重合を開始させる物質を放出する化合物を、光重合開始剤または光増感剤により重合する。照射によりカチオン重合させるルイス酸を放出するオニウム塩での複塩の一群が特に好ましい。

例えば、下記一般式（III）で表される化合物が一例として挙げられる。

一般式（III）
〔（Ｒ^１）_ａ（Ｒ^２）_ｂ（Ｒ^３）_ｃ（Ｒ^４）_ｄＺ〕^＋ｗ〔ＭｅＸ_ｖ〕^−ｗ
式中、カチオンはオニウムであり、ＺはＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、ハロゲン（例えばＩ、Ｂｒ、Ｃｌ）、またはＮ＝Ｎ（ジアゾ）であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は同一であっても異なっていてもよい有機の基である。ａ、ｂ、ｃ、ｄはそれぞれ０〜３の整数であって、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄはＺの価数に等しい。Ｍｅはハロゲン化物錯体の中心原子である金属または半金属（ｍｅｔａｌｌｏｉｄ）であり、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ等である。Ｘはハロゲンであり、ｗはハロゲン化錯体イオンの正味の電荷であり、ｖはハロゲン化錯体イオン中のハロゲン原子の数である。ｖから中心原子Ｍｅの価数を減じたものがｗである。

上記一般式の陰イオン〔ＭｅＸ_ｖ〕^−ｗの具体例としては、テトラフルオロボレート（ＢＦ_４ ⁻）、ヘキサフルオロホスフェート（ＰＦ_４ ⁻）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ_４ ⁻）、ヘキサフルオロアルセネート（ＡｓＦ_４ ⁻）、ヘキサクロロアンチモネート（ＳｂＣｌ_４ ⁻）等を挙げることが出来る。

更に一般式ＭｅＸ_ｖ（ＯＨ）⁻の陰イオンも用いることが出来る。また、その他の陰イオンとしては過塩素酸イオン（ＣｌＯ_４ ⁻）、トリフルオロメチル亜硫酸イオン（ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻）、フルオロスルホン酸イオン（ＦＳＯ_３ ⁻）、トルエンスルホン酸イオン、トリニトロベンゼン酸陰イオン等を挙げることが出来る。

このようなオニウム塩の中でも特に芳香族オニウム塩をカチオン重合開始剤として使用するのが、特に有効であり、中でも特開昭５０−１５１９９６号、同５０−１５８６８０号公報等に記載の芳香族ハロニウム塩、特開昭５０−１５１９９７号、同５２−３０８９９号、同５９−５５４２０号、同５５−１２５１０５号公報等に記載のVIＡ族芳香族オニウム塩、特開昭５６−８４２８号、同５６−１４９４０２号、同５７−１９２４２９号公報等に記載のオキソスルホキソニウム塩、特公昭４９−１７０４０号公報等に記載の芳香族ジアゾニウム塩、米国特許第４，１３９，６５５号明細書等に記載のチオピリリュム塩等が好ましい。また、アルミニウム錯体や光分解性ケイ素化合物系重合開始剤等を挙げることが出来る。上記カチオン重合開始剤と、ベンゾフェノン、ベンゾインイソプロピルエーテル、チオキサントンなどの光増感剤を併用することが出来る。

本発明に有用な活性エネルギー線硬化樹脂組成物において、重合開始剤は、一般的には、活性エネルギー線硬化性エポキシ樹脂（プレポリマー）１００質量部に対して好ましくは０．１〜１５質量部、より好ましくは１〜１０質量部の範囲で添加される。またエポキシ樹脂を上記ウレタンアクリレート型樹脂、ポリエーテルアクリレート型樹脂等とも併用することも出来、この場合、活性エネルギー線ラジカル重合開始剤と活性エネルギー線カチオン重合開始剤を併用することが好ましい。

本発明に用いる活性エネルギー線硬化樹脂含有層には、公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂あるいはゼラチンなどの親水性樹脂等のバインダーを上記活性エネルギー線硬化樹脂に混合して使用することが出来る。これら樹脂にはその分子中に極性基を持っていることが好ましく、極性基としては、−ＣＯＯＭ、−ＯＨ、−ＮＲ_２、−ＮＲ_３Ｘ、−ＳＯ_３Ｍ、−ＯＳＯ_３Ｍ、−ＰＯ_３Ｍ_２、−ＯＰＯ_３Ｍ（ここで、Ｍは水素原子、アルカリ金属またはアンモニウム基を、Ｘはアミン塩を形成する酸を、Ｒは水素原子、アルキル基を表す）等を挙げることが出来る。

本発明に係る活性線硬化性樹脂の硬化は、電子線または紫外線のような活性線照射によって硬化することができる。例えば、電子線硬化の場合にはコックロフトワルトン型、バンデグラフ型、共振変圧型、絶縁コア変圧器型、直線型、ダイナミトロン型、高周波型等の各種電子線加速器から放出される５０〜１０００ＫｅＶ、好ましくは１００〜３００ＫｅＶのエネルギーを有する電子線等が使用され、紫外線硬化の場合には超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、メタルハライドランプ等の光線から発する紫外線等が利用できる。

また、活性線照射時に付与されるエネルギー量としては、５０ｍＪ／ｃｍ^２〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、更に好ましくは、１００ｍＪ／ｃｍ^２〜５００ｍＪ／ｃｍ^２である。

活性線硬化樹脂層の膜厚としては、０．３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは、０．５μｍ以上５μｍ以下である。

また、活性線硬化樹脂層の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される、中心線平均粗さ（Ｒａ）が、０．１μｍ〜０．５μｍであることが好ましく、更に好ましくは、０．２μｍ〜０．４μｍである。

本発明に係る反射防止層について説明する。

本発明においては、活性線硬化樹脂層を有する防眩フィルムの活性線硬化樹脂層上に反射防止層が設けられることが好ましい。反射防止層としては、通常ＳｉＯ_２やＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３等の屈折率の異なる金属酸化物の薄膜や有機高分子薄膜等を３〜４層積層した構成が好ましいが、単層で屈折率が１．２５以下の低屈折率皮膜も好ましく用いられる。反射防止層は、複数層で構成されていても良く、その場合、各層の屈折率や膜厚が最適な値に調整される。

反射防止層の膜厚は、通常１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であり、各層の屈折率に応じて、適切な膜厚が選択される。

反射防止層の構成としては、単層、多層の各種知られているが、多層のものとしては高屈折率層、低屈折率層を交互に積層した構造のものを用いても良い。

構成の例としては、高屈折率層／低屈折率層の２層の順のものや、屈折率の異なる３層を、中屈折率層（透明基材あるいはハードコート層よりも屈折率が高く、高屈折率層よりも屈折率の低い層）／高屈折率層／低屈折率層の順に積層されているもの等があり、更に多くの反射防止層を積層してもよい。

上記の活性線硬化樹脂層上に、反射防止層として高屈折率層／中屈折率層／低屈折率層（基材フィルムよりも屈折率が低い層）の順に塗布することも出来る。

屈折率はそこに含まれる金属あるいは化合物によってほぼ決まり、例えばＴｉやＺｒは高く、Ｓｉは低く、Ｆを含有する化合物は更に低く、このような組み合わせによって屈折率が設定される。

反射防止層は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｓｎ等の金属酸化物微粒子、または、これらの金属アルコキシドまたは、その加水分解物、Ｆを含む有機物微粒子、重合性含フッ素化合物等を有する塗布膜を用いて各屈折率層を塗設して設けることが出来る。

本発明の防眩フィルムの活性線硬化樹脂層上に設けられる反射防止層は、４５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける平均反射率が１％以下であることが好ましく、特に好ましくは０．５％以下である。

本発明に係る反射防止層は、プラズマ処理により形成することが好ましく、特に好ましいのは、大気圧プラズマ法による金属酸化物層或いは含フッ素化合物層を有する反射防止層を形成することである。

大気圧プラズマ法による金属酸化物層の形成においては、対向する電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ、１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力を供給し、反応性ガスを励起してプラズマを発生させることが好ましい。

このようなハイパワーの電界を印加することによって、緻密で、膜厚均一性の高い金属酸化物層を生産効率高く得ることが可能である。

本発明において、電極間に印加する高周波電圧の周波数は、好ましくは１５０ＭＨｚ以下である。

また、高周波電圧の周波数としては、好ましくは２００ｋＨｚ以上、さらに好ましくは８００ｋＨｚ以上である。

また、電極間に供給する電力は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは２０Ｗ／ｃｍ^２以下である。尚、電極における電圧の印加面積（／ｃｍ^２）は、放電が起こる範囲の面積のことを指す。

また、電極間に印加する高周波電圧は、断続的なパルス波であっても、連続したサイン波であっても構わないが、本発明の効果を高く得るためには、連続したサイン波であることが好ましい。

本発明では、このようなハイパワーの電圧を印加して、均一なグロー放電状態を保つことができる電極をプラズマ放電処理装置に用いることが好ましい。

このような電極としては、金属母材上に誘電体を被覆したものであることが好ましい。少なくとも対向する印加電極とアース電極の片側に誘電体を被覆すること、更に好ましくは、対向する印加電極とアース電極の両方に誘電体を被覆することである。誘電体としては、比誘電率が６〜４５の無機物であることが好ましく、このような誘電体としては、アルミナ、窒化珪素等のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス等のガラスライニング材等がある。

また、基材を電極間に載置あるいは電極間を搬送してプラズマに晒す場合には、基材を片方の電極に接して搬送出来るロール電極仕様にすることが好ましく、更に、電極の誘電体表面を研磨仕上げし、電極の表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１により規定される）を１０μｍ以下にすることで、誘電体の厚み及び電極間のギャップを一定に保つことができ、放電状態を安定化できること、更に熱収縮差や残留応力による歪やひび割れを無くし、かつポーラスで無い高精度の無機誘電体を被覆することで大きく耐久性を向上させることができる。

また、高温下での金属母材に対する誘電体被覆による電極製作において、少なくとも基材と接する側の誘電体を研磨仕上げすること、更に電極の金属母材と誘電体間の熱膨張の差をなるべく小さくすることが必要であり、そのため、母材表面に、応力を吸収出来る層として泡混入量をコントロールして無機質の材料をライニングすることが好ましく、特に材質としては琺瑯等で知られる溶融法により得られるガラスであることが良く、更に導電性金属母材に接する最下層の泡混入量を２０〜３０体積％とし、次層以降を５体積％以下とすることで、緻密でかつひび割れ等が発生しない良好な電極が出来る。

また、電極の母材に誘電体を被覆する別の方法として、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行うことであり、ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。

このような電極を用いたプラズマ放電処理装置について、図４〜９を参照しながら説明する。図４、５及び９で示されるプラズマ放電処理装置は、アースされたロール電極２５と、対向する位置に配置された印加電極である固定電極２６または３６との間で放電させ、当該電極間に反応性ガスを給気口５２より導入してプラズマ状態とし、前記ロール電極に巻回された長尺フィルム状の基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、基材の表面に薄膜を形成するものであるが、本発明の薄膜形成方法を実施する装置としてはこれに限定されるものではなく、グロー放電を安定に維持し、薄膜を形成するために反応性ガスを励起してプラズマ状態とするものであればよい。

他の方式としては、基材を電極間ではない電極近傍に載置あるいは搬送させ、発生したプラズマを当該基材上に吹き付けて薄膜形成を行うジェット方式等がある。

図４は、本発明の薄膜形成方法に用いられるプラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。

図４において、長尺フィルム状の基材Ｆは搬送方向（図中、時計回り）に回転するロール電極２５に巻回されながら搬送される。固定されている電極２６は複数の円筒から構成され、ロール電極２５に対向させて設置される。ロール電極２５に巻回された基材Ｆは、ニップローラ６５、６６で押圧され、ガイドローラ６４で規制されてプラズマ放電処理容器３１によって確保された放電処理空間に搬送され、放電プラズマ処理され、次いで、ガイドローラ６７を介して次工程に搬送される。

また、仕切板５４は前記ニップローラ６５、６６に近接して配置され、基材Ｆに同伴する空気がプラズマ放電処理容器３１内に進入するのを抑制する。

この同伴される空気は、プラズマ放電処理容器３１内の気体の全体積に対し、１体積％以下に抑えることが好ましく、０．１体積％以下に抑えることがより好ましい。前記ニップローラ６５および６６により、それを達成することが可能である。

尚、放電プラズマ処理に用いられる混合ガス（不活性ガスと、反応性ガスである有機フッ素化合物、チタン化合物または珪素化合物等を含有する有機ガス等）は、給気口５２からプラズマ放電処理容器３１に導入され、処理後のガスは排気口５３から排気される。

図５は、図４と同様に、本発明の製造方法に用いられるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の一例を示す概略図であるが、図４においては、ロール電極２５に対向する固定されている電極２６は円柱型の電極が用いられているのに対し、角柱型電極３６に変更した例を示している。

図４に示した円柱型の電極２６に比べて、図５に示した角柱型の電極３６は、放電範囲を広げる効果があり、金属酸化物層形成に好ましく用いられる。

図６（ａ）、（ｂ）は各々、上述の円筒型のロール電極の一例を示す概略図、図７（ａ）、（ｂ）は各々、円筒型で固定されている電極の一例を示す概略図、図８（ａ）、（ｂ）は各々、角柱型で固定されている電極の一例を示す概略図である。

図６（ａ）及び図６（ｂ）において、アース電極であるロール電極２５ｃは、金属等の導電性母材２５ａに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２５ｂを被覆した組み合わせで構成されているものである。セラミック被覆処理誘電体を片肉で１ｍｍ被覆し、ロール径を被覆後７５０ｍｍとなるように製作し、アースに接地してある。または、金属等の導電性母材２５Ａへライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２５Ｂを被覆した組み合わせ、ロール電極２５Ｃで構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。金属等の導電性母材２５ａ、２５Ａとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスが好ましい。また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。

図７（ａ）、（ｂ）および図８（ａ）、（ｂ）は、印加電極である固定の電極２６ｃ、電極２６Ｃ、電極３６ｃ、電極３６Ｃであり、上記記載のロール電極２５ｃ、ロール電極２５Ｃと同様な組み合わせで構成されている。すなわち、中空のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を被覆し、放電中は冷却水による冷却が行えるようになっている。尚、セラミック被覆処理誘電体の被覆後１２φまたは１５φとなるように製作され、当該電極の数は、上記ロール電極の円周上に沿って１４本設置している。

印加電極に電圧を印加する電源としては、特に限定はないが、パール工業製高周波電源（２００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（８００ｋＨｚ）、日本電子製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（１５０ＭＨｚ）等が使用できる。

図９は、本発明に用いられるプラズマ放電処理装置の一例を示す概念図である。図９において、プラズマ放電処理容器３１の部分は図５の記載と同様であるが、更に、ガス発生装置５１、電源４１、電極冷却ユニット６０等が装置構成として示されている。電極冷却ユニット６０の冷却剤としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が用いられる。

図９に記載の電極２５、３６は、図６、７、８等に示したものと同様であり、対向する電極間のギャップは、例えば、１ｍｍ〜２ｍｍ程度に設定される。

上記電極間の距離は、電極の母材に設置した固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定される。上記電極の一方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体と電極の最短距離、上記電極の双方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体同士の距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から０．５ｍｍ〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは１ｍｍ±０．５ｍｍである。

前記プラズマ放電処理容器３１内にロール電極２５、固定されている電極３６を所定位置に配置し、ガス発生装置５１で発生させた混合ガスを流量制御して、給気口５２よりプラズマ放電処理容器３１内に入れ、前記プラズマ放電処理容器３１内をプラズマ処理に用いる混合ガスで充填し排気口５３より排気する。

特に、基材Ｆの幅手方向で混合ガスの濃度、流量、流速にムラが発生しないように均一に供給することが好ましい。次に、電源４１により電極３６に電圧を印加し、ロール電極２５はアースに接地し、放電プラズマを発生させる。ここでロール状の元巻き基材６１より基材Ｆを供給し、ガイドローラ６４を介して、プラズマ放電処理容器３１内の電極間を片面接触（ロール電極２５に接触している）の状態で搬送され、基材Ｆは搬送中に放電プラズマにより表面が放電処理され、その後にガイドローラ６７を介して、次工程に搬送される。ここで、基材Ｆはロール電極２５に接触していない面のみ放電処理がなされる。

電源４１より固定されている電極３６に印加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が０．５〜１０ｋＶ程度で、電源周波数は１００ｋＨｚを越えて１５０ＭＨｚ以下に調整される。ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても良いが連続モードの方がより緻密で良質な膜が得られる。

プラズマ放電処理容器３１はパイレックス（登録商標）ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウムまたは、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとっても良い。

また、放電プラズマ処理時の基材への影響を最小限に抑制するために、放電プラズマ処理時の基材の温度を常温（１５℃〜２５℃）〜２００℃未満の温度に調整することが好ましく、更に好ましくは常温〜１２０℃に調整することである。上記の温度範囲に調整する為、必要に応じて電極、基材は冷却手段で冷却しながら放電プラズマ処理される。

本発明に係る大気圧プラズマ処理においては、放電プラズマ処理が大気圧または大気圧近傍で行われるが、ここで大気圧近傍とは、２０ｋＰａ〜２００ｋＰａの圧力を表すが、本発明に記載の効果を好ましく得るためには、９０ｋＰａ〜１１０ｋＰａが好ましく、特に好ましくは、９３ｋＰａ〜１０７ｋＰａである。

また、金属酸化物層の形成に係る放電用電極においては、電極の少なくとも基材と接する側のＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整されることが好ましいが、更に好ましくは、表面粗さの最大値が８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下に調整することが好ましい。

本発明に係る金属酸化物層の形成に係る混合ガスについて説明する。

金属酸化物層を形成するにあたり、使用するガスは、不活性ガスと、薄膜を形成するための反応性ガスの混合ガスであることが好ましく、反応性ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。金属酸化物層の膜厚としては、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の薄膜が好ましく得られる。

上記不活性ガスとは、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。

反応性ガスとして有機金属化合物を添加する場合、例えば、有機金属化合物としてＬｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される金属を含むことができる。より好ましくは、これらの有機金属化合物が金属アルコキシド、アルキル化金属、金属錯体から選ばれるものが好ましい。

上記または上記以外の反応性ガスを適宜選択して、反射防止層に用いる金属酸化物層の形成に使用することにより様々な高機能性の金属酸化物層を得ることができる。その一例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。

電極膜 Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｓｉ
誘電体保護膜 ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３
透明導電膜 Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２
エレクトロクロミック膜 ＷＯ_３、ＩｒＯ_２、ＭｏＯ_３、Ｖ_２Ｏ_５
蛍光膜 ＺｎＳ、ＺｎＳ＋ＺｎＳｅ、ＺｎＳ＋ＣｄＳ
磁気記録膜 Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、γ−Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｃｏ、Ｆｅ_３Ｏ_４、Ｃｒ、ＳｉＯ_２、ＡｌＯ_３
超導電膜 Ｎｂ、Ｎｂ−Ｇｅ、ＮｂＮ
太陽電池膜 ａ−Ｓｉ、Ｓｉ
反射膜 Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ
選択性吸収膜 ＺｒＣ−Ｚｒ
選択性透過膜 Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２
反射防止膜 ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２
シャドーマスク Ｃｒ
耐摩耗性膜 Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、ＴｉＣ、ＴｉＮ
耐食性膜 Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ
耐熱膜 Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
潤滑膜 ＭｏＳ_２
装飾膜 Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＴｉＣ、Ｃｕ
例えば、反応性ガスとしてジンクアセチルアセトナート、トリエチルインジウム、トリメチルインジウム、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、エトラエチル錫、エトラメチル錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル錫、テトラブチル錫、テトラオクチル錫などから選択された少なくとも１つの有機金属化合物を含む反応性ガスを用いて、導電性膜あるいは帯電防止膜、あるいは反射防止膜の中屈折率層として有用な金属酸化物層を形成することができる。

また、有機フッ素化合物、珪素化合物またはチタン化合物を含有する反応性ガスを用いることにより、反射防止膜の低屈折率層または高屈折率層を設けることが出来る。本発明では、反射防止層の上に防汚層を設けることが好ましい。

また、フッ素含有化合物ガスを用いることによって、基材表面にフッ素含有基を形成させて表面エネルギーを低くし、撥水性表面を得る撥水膜を得ることが出来る。

有機フッ素化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましく用いられる。フッ化炭素ガスとしては、４フッ化炭素、６フッ化炭素、具体的には、４フッ化メタン、４フッ化エチレン、６フッ化プロピレン（ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２）、８フッ化シクロブタン、Ｃ_４Ｆ_８等が挙げられる。前記のフッ化炭化水素ガスとしては、２フッ化メタン、４フッ化エタン、４フッ化プロピレン、３フッ化プロピレン等が挙げられる。

更に、１塩化３フッ化メタン、１塩化２フッ化メタン、２塩化４フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を用いることが出来るがこれらに限定されない。また、これらの化合物が分子内にエチレン性不飽和基を有していても良い。前記の化合物は単独でも混合して用いても良い。

混合ガス中に上記記載の有機フッ素化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の有機フッ素化合物の含有率は、０．１体積％〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１体積％〜５体積％である。

また、本発明に係る有機フッ素化合物が常温、常圧で気体である場合は、混合ガスの構成成分として、そのまま使用できるので最も容易に本発明の方法を遂行することができる。しかし、有機フッ素化合物が常温・常圧で液体又は固体である場合には、加熱、減圧等の方法により気化して使用すればよく、また、又、適切な溶剤に溶解して用いてもよい。

また、分子内に親水性基と重合性不飽和結合を有するモノマーの雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより、親水性の重合膜を堆積させることもできる。上記親水性基としては、水酸基、スルホン酸基、スルホン酸塩基、１級若しくは２級又は３級アミノ基、アミド基、４級アンモニウム塩基、カルボン酸基、カルボン酸塩基等の親水性基等が挙げられる。又、ポリエチレングリコール鎖を有するモノマーを用いても同様に親水性重合膜を堆積が可能である。

上記モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリル酸ナトリウム、メタクリル酸ナトリウム、アクリル酸カリウム、メタクリル酸カリウム、スチレンスルホン酸ナトリウム、アリルアルコール、アリルアミン、ポリエチレングリコールジメタクリル酸エステル、ポリエチレングリコールジアクリル酸エステルなどが挙げられ、これらの少なくとも１種が使用できる。

混合ガス中に上記記載のチタン化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中のチタン化合物の含有率は、０．１体積％〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１体積％〜５体積％である。

また、上記記載の混合ガス中に水素ガスを０．１体積％〜１０体積％含有させることにより薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。

上記記載の珪素化合物、チタン化合物としては、取り扱い上の観点から金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。

また、上記記載の珪素化合物、チタン化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。珪素化合物、チタン化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタンなど、常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。尚、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において、分子状、原子状に分解される為、基材上への薄膜の形成、薄膜の組成などに対する影響は殆ど無視することが出来る。

上記記載の珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二塩化シラン、三塩化シランなどの金属ハロゲン化合物、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジエトキシシランなどのアルコキシシラン、オルガノシランなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用いることが出来る。

混合ガス中に上記記載の珪素化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の珪素化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。

上記記載のチタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。

また、混合ガス中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選択される成分を０．０１体積％〜５体積％含有させることにより、反応促進され、且つ、緻密で良質な薄膜を形成することができる。

本発明において、反射防止層（金属酸化物層そのものでもよい）の高屈折率層及び低屈折率層の炭素含有率は、ともに０．２質量％〜５質量％であることが下層との密着性と膜の柔軟性のために好ましく、更に好ましくは、０．３質量％〜３質量％である。すなわち、プラズマ処理によって形成された層は有機物（炭素原子）を含んでいるため、その範囲が膜に柔軟性を与えるため、膜の密着性を向上するため好ましい。大気圧プラズマ処理は、特に微細な凹凸を有する本発明の防眩フィルム上に均一な膜厚を有する薄膜を形成することが出来るため好ましく用いることが出来る。

本発明のセルロースエステルフィルムの製造に用いられるセルロースエステルについて説明する。

本発明に係るセルロースエステルとしては、セルロースエステルが低級脂肪酸エステルであることが好ましい。セルロースエステルの低級脂肪酸エステルにおける低級脂肪酸とは、炭素原子数が６以下の脂肪酸を意味し、例えば、セルロースアセテート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート等がセルロースの低級脂肪酸エステルの好ましい例として挙げられる。

また、上記以外にも、特開平１０−４５８０４号、同０８−２３１７６１号、米国特許第２，３１９，０５２号等に記載のセルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート等の混合脂肪酸エステルを用いることが出来る。

上記記載の中で、特に好ましく用いられるセルロースの低級脂肪酸エステルはセルローストリアセテートである。

更に、ベース強度の観点から、特に重合度２５０〜４００、結合酢酸量が５４〜６２．５％が好ましく用いられ、更に好ましいのは、結合酢酸量が５８〜６２．５％のセルローストリアセテートである。

本発明に係るセルローストリアセテートは、綿花リンターから合成されたセルローストリアセテートと木材パルプから合成されたセルローストリアセテートのどちらかを単独あるいは混合して用いることができる。ベルトやドラムからの剥離性がもし問題になれば、ベルトやドラムからの剥離性が良い綿花リンターから合成されたセルローストリアセテートを多く使用すれば生産性が高く好ましい。

木材パルプから合成されたセルローストリアセテートを混合し用いた場合、綿花リンターから合成されたセルローストリアセテートの比率が４０質量％以上で、剥離性の効果が顕著になるため好ましく、６０質量％以上がさらに好ましく、単独で使用することが最も好ましい。

樹脂の性質によって、溶液流延法によって製膜する方法とエクストルーダ等による溶融押出し成型にて溶融状態で樹脂を押し出し製膜する方法が可能であるが、光学異方性が少ないフィルムを得るためや、高い膜厚精度、面品質を得るには溶液流延法によって製膜することがより好ましい。

本発明のセルロースエステルフィルムは、可塑剤を含有するのが好ましい。

可塑剤としては特に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを好ましく用いることが出来る。リン酸エステル系では、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等、フタル酸エステル系では、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート等、トリメリット酸系可塑剤として、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテート等、ピロメリット酸エステル系可塑剤として、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロメリテート等、グリコール酸エステル系では、トリアセチン、トリブチリン、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等、クエン酸エステル系可塑剤として、トリエチルシトレート、トリ−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリエチルシトレート、アセチルトリ−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリ−ｎ−（２−エチルヘキシル）シトレート等を好ましく用いることができる。

その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。

ポリエステル系可塑剤として脂肪族二塩基酸、脂環式二塩基酸、芳香族二塩基酸等の二塩基酸とグリコールの共重合体を用いることが出来る。脂肪族二塩基酸としては特に限定されないが、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、テレフタル酸、１，４−シクロヘキシルジカルボン酸などを用いることが出来る。グリコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，４−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、１，２−ブチレングリコールなどを用いることが出来る。これらの二塩基酸及びグリコールはそれぞれ単独で用いても良いし、二種以上混合して用いても良い。

これらの可塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜２０質量％であることが好ましい。

また、本発明のセルロースエステルフィルムは、紫外線吸収剤を含有することが好ましい。

紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましく用いられる。好ましく用いられる紫外線吸収剤の具体例としては、例えばオキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、トリアジン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、これらに限定されない。又、特開平６−１４８４３０号記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。

又、本発明の支持体に用いることのできる紫外線吸収剤は特願平１１−２９５２０９号に記載されている分配係数が９．２以上の紫外線吸収剤を含むことが、プラズマ処理工程の汚染が少なく、また、各種塗布層の塗布性にも優れる為好ましく、特に分配係数が１０．１以上の紫外線吸収剤を用いることが好ましい。

可塑剤や紫外線吸収剤吸収剤を含むセルロースエステルフィルムを基材として用いた場合、これらがブリードアウトするなどによって、プラズマ処理部に付着するなどして工程を汚染し、これがフィルムに付着する可能性が考えられる。この問題を解決するためには、支持体がセルロースエステルと可塑剤を有し、８０℃、９０％ＲＨで４８時間処理した前後の質量変化が±２質量％未満である支持体を用いることが好ましい（保留性）。このようなセルロースエステルフィルムは特願２０００−３３８８８３号記載のセルロースエステルフィルム等が好ましく用いられる。又、この目的のために特開平６−１４８４３０号、特願２０００−１５６０３９号記載の高分子紫外線吸収剤（または紫外線吸収性ポリマー）が好ましく用いることができる。高分子紫外線吸収剤としては、ＰＵＶＡ−３０Ｍ（大塚化学（株）製）などが市販されている。特開平６−１４８４３０号の一般式（１）あるいは一般式（２）あるいは特願２０００−１５６０３９の一般式（３）（６）（７）記載の高分子紫外線吸収剤が特に好ましく用いられる。

本発明のセルロースエステルフィルムの光学特性としては、面内リターデーションＲ_０は０〜１０００ｎｍのものが好ましく用いられ、厚味方向のリターデーションＲ_ｔは０〜３００ｎｍのものが用途に応じて好ましく用いられる。又、波長分散特性としてはＲ_０（６００）／Ｒ_０（４５０）は０．７〜１．３であることが好ましく、特に１．０〜１．３であること好ましい。

ここで、Ｒ_０（４５０）は波長４５０ｎｍの光による３次元屈折率測定に基づいた面内リターデーション、Ｒ_０（６００）は波長６００ｎｍの光による３次元屈折率測定に基づいた面内リターデーションを表す。

本発明のセルロースエステルフィルムの製造方法について説明する。

少なくとも２種以上のドープを使用し、該ドープを支持体上に同時または、逐次流延した後、剥離後乾燥させて、ヘイズが３％〜３０％未満のフィルムを作製するには、流延する支持体側（Ｂ面側）に用いられるドープＢと空気側（Ａ面側）に用いられるドープＡの少なくとも一方に微粒子を添加することが必要であり、ドープＡまたはドープＢ中の前記微粒子の含有量が固形分当たり、０．５質量％を超え７０質量％以下になるように調整することが好ましく、更に好ましくは１質量％を超え、５０質量以下である。

本発明のセルロースエステルフィルムの製造方法を図１０及び図１１で示される工程図を参照しながら、説明する。

図１０は、本発明のセルロースエステルフィルムの製造装置の一例を示す工程図であり、図１１は、図１０のスリットダイ６の断面図を示す。

セルロースエステルドープ液を調液するドープ液タンク１には、ドープ液１ａが投入されており、微粒子添加液タンク２、２’には、微粒子添加液２ａ、２ａ’が各々、投入されている。（ここで、微粒子添加液２ａ、２ａ’は同一組成でもよく、異なる組成でもよい）。

ドープ液１ａは送液ポンプ４ｂ、４ｃ、４ｅにより、インラインミキサー５ａ、５ｂ５ｃまで送られ、微粒子添加液２ａはポンプ４ａによってインラインミキサー５ａに、微粒子添加液２ａ’は、ポンプ４ｆによってインラインミキサー５ｃに各々、送られる。インラインミキサー５ａでドープ液１ａと微粒子添加液２ａは充分混合され、スリットダイ６のスリットａに送られる。また、インラインミキサー５ｃでドープ液１ａと微粒子添加液２ａ’は充分に混合され、スリットダイ６のスリットｃに送られる。

同様に、インラインミキサー５ｂで、ドープ液１ａと紫外線吸収剤添加液３ａは充分混合され、スリットダイ６のスリットｂに送られる。

スリットダイ６により、真ん中の層は、ドープ液１ａと微粒子添加液２ａの混合液で構成され、上下表面の層は、ドープ液１ａと微粒子添加液２ａの混合液、ドープ液１ａと微粒子添加液２ａ’の混合液と混合された状態で流延口１１から共流延され、ドラム７より連続的に移動する流延ベルト８上に流延される。流延された３層からなるセルロースエステルドープ層は、乾燥後、セルロースエステルフィルム１０として、ローラ９により流延ベルトから、剥離される。

本発明において、樹脂が溶解しているドープ液とは、セルロースエステル等の樹脂が溶剤（溶媒）に溶解している状態であり、前記ドープ液には、可塑剤等の添加剤を加えることが望ましく、勿論、必要によりこの他の添加剤を加えることも出来る。ドープ液中の樹脂の濃度としては、１０質量％〜３０質量％が好ましく、更に好ましくは、１５質量％〜２５質量％である。

本発明で用いられる溶剤は、単独でも併用でもよいが、良溶剤と貧溶剤を混合して使用することが、生産効率の点で好ましく、更に好ましくは、良溶剤と貧溶剤の混合比率は良溶剤が７０質量％〜９５質量％であり、貧溶剤が３０〜５質量％である。

本発明に用いられる良溶剤、貧溶剤とは、使用する樹脂を単独で溶解するものを良溶剤、単独で膨潤するかまたは溶解しないものを貧溶剤と定義している。そのため、セルロースエステルの置換度によっては、良溶剤、貧溶剤が変わり、例えばアセトンを溶剤として用いるときには、セルロースアセテートの場合の酢化度５５％では良溶剤になり、酢化度６０％では貧溶剤となってしまう。

本発明に用いられる良溶剤としては、メチレンクロライド等の有機ハロゲン化合物や、酢酸メチル、アセトン、ジオキソラン類が挙げられる。

また、本発明に用いられる貧溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−ブタノール、シクロヘキサン等が好ましく用いられる。

上記記載のドープ液を調製する時の、セルロースエステルの溶解方法としては、一般的な方法を用いることができるが、好ましい方法としては、セルロースエステルを貧溶剤と混合し、湿潤あるいは膨潤させ、さらに良溶剤と混合する方法が好ましく用いられる。このとき加圧下で、溶剤の常温での沸点以上でかつ溶剤が沸騰しない範囲の温度で加熱し、攪拌しながら溶解する方法が、ゲルやママコと呼ばれる塊状未溶解物の発生を防止するため、より好ましい。

キャスト工程における支持体はベルト状もしくはドラム状のステンレスを鏡面仕上げした支持体が好ましく用いられる。キャスト工程の支持体の温度は一般的な温度範囲０℃〜溶剤の沸点未満の温度で、流延することができるが、０℃〜３０℃の支持体上に流延するほうが、ドープをゲル化させ剥離限界時間をあげられるため好ましく、５℃〜１５℃の支持体上に流延することがさらに好ましい。剥離限界時間とは透明で平面性の良好なフィルムを連続的に得られる流延速度の限界において、流延されたドープが支持体上にある時間をいう。剥離限界時間は短い方が生産性に優れていて好ましい。

流延（キャスト）される側の支持体の表面温度は、１０〜５５℃、溶液の温度は、２５〜６０℃、更に溶液の温度を支持体の温度より０℃以上高くするのが好ましく、５℃以上に設定するのが更に好ましい。溶液温度、支持体温度は、高いほど溶媒の乾燥速度が速くできるので好ましいが、あまり高すぎると発泡する、または、平面性が劣化する場合がある。

支持体の温度の更に好ましい範囲は、２０℃〜４０℃、溶液温度の更に好ましい範囲は、３５℃〜４５℃である。

また、剥離する際の支持体温度を１０℃〜４０℃、更に好ましくは、１５℃〜３０℃にすることでフィルムと支持体との密着力を低減できるので、好ましい。

製造時のセルロースエステルフィルムが良好な平面性を示すためには、支持体から剥離する際の残留溶媒量は、１０％〜１５０％が好ましく、更に好ましくは、２０％〜１２０％であり、特に好ましくは、３０％〜１１０％である。

本発明においては、残留溶媒量は下記式で定義される。

残留溶媒量＝（加熱処理前質量−加熱処理後の質量）／（加熱処理後質量）×１００％
尚、残留溶媒量を測定する最の、加熱処理とは、フィルムを１１５℃で１時間、加熱処理を行うことを表す。

支持体とフィルムを剥離する際の剥離張力は、通常２００Ｎ／ｍ〜２５０Ｎ／ｍ（Ｎｅｗｔｏｎ）／ｍ）で剥離が行われるが、セルロースエステルの単位質量あたりの紫外線吸収剤の含有量が多く、且つ、従来よりも薄膜化されている本発明のセルロースエステルフィルムは、剥離の際にシワが入りやすいため、剥離できる最低張力〜１７０Ｎ／ｍで剥離することが好ましく、更に好ましくは、最低張力〜１４０Ｎ／ｍで剥離することである。

また、セルロースエステルフィルムの乾燥工程においては、支持体より剥離したフィルムを更に乾燥し、残留溶媒量を３質量％以下にすることが好ましい、更に好ましくは、０．５質量％以下である。

フィルム乾燥工程では一般にロール懸垂方式か、ピンテンター方式でフィルムを搬送しながら乾燥する方式が採られる。液晶表示部材用としては、ピンテンター方式で幅を保持しながら乾燥させることが、寸法安定性を向上させるために好ましい。

特に支持体より剥離した直後の残留溶剤量の多いところで幅保持を行うことが、寸法安定性向上効果をより発揮するため特に好ましい。フィルムを乾燥させる手段は特に制限なく、一般的に熱風、赤外線、加熱ロール、マイクロ波等で行う。簡便さの点で熱風で行うのが好ましい。乾燥温度は４０℃〜１５０℃の範囲で３〜５段階の温度に分けて、段々高くしていくことが好ましく、８０℃〜１４０℃の範囲で行うことが寸法安定性を良くするためさらに好ましい。

流延する支持体側（Ｂ面側）に用いられるドープまたは、空気側（Ａ面側）に用いられるドープにも少量の微粒子を添加することができ、フィルム表面のすべり性を高める効果も期待される。すべり性は動摩擦係数によって表現されるが、動摩擦係数としてはフィルム表面と裏面間の動摩擦係数で、ＪＩＳ−Ｋ−７１２５（１９８７）に準じて測定した場合に、１．５以下であることがさらに好ましく、１．０以下であることがさらに好ましく、０．５以下であることがさらに好ましい。マット剤添加量を増やすことによって動摩擦係数は低くすることができる。

本発明のセルロースエステルフィルムの製造では流延後剥離した後にテンター等の手段によって横方向に延伸されることが好ましく、これにより高い平面性を維持させることができ、好ましい。これによって、長期に渡って反りが発生しない防眩フィルムを得ることができる。テンターは残留溶媒量が３質量％〜４０質量％の範囲でかけることが望ましい。更に好ましくは、１０質量％〜３５質量％である。残留溶媒量は前述した式により溶媒を含むフィルムを１１５℃で１時間処理した際の前後の質量変化と加熱処理後のフィルムの質量から求められる。

又、本発明の方法で製造されたセルロースエステルフィルムは光学的等方性にも優れ、膜厚方向のリターデーション（Ｒｔ）値で１００ｎｍ以下の光拡散フィルムが得られ、５０ｎｍ以下の光拡散フィルムも得ることができ、更に、０ｎｍ〜３０ｎｍの光拡散フィルムも得ることができる点で優れている。更に、本発明の方法は均一なリターデーションが得られる点でも優れている。

リターデーション（Ｒｔ）値は、以下の式で表される。

Ｒ_ｔ＝（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２−Ｎｚ）×ｄ
式中、Ｎｘはフィルムの製膜方向に平行な方向におけるフィルムの屈折率、Ｎｙは製膜方向に垂直な方向におけるフィルムの屈折率、Ｎｚは厚み方向におけるフィルムの屈折率、ｄはフィルムの厚み（ｎｍ）を各々表す。

例えば、リターデーションの測定は自動複屈折率計ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）を用いて、２３℃、５５％ＲＨの環境下で５９０ｎｍの波長において、３次元屈折率測定を行い、Ｎｘ、Ｎｙ、Ｎｚを測定し、これによりＲ_ｔ値を算出することができる。

本発明の偏光板及び偏光板の作製について説明する。

本発明の偏光板は、請求項１のセルロースエステルフィルム或いは、請求項２〜５のいずれか１項または請求項１３に記載の防眩フィルムを用いて作製される。まず、防眩フィルムを、水酸化ナトリウム水溶液を用いて表面鹸化処理を行う、ここで、防眩フィルムの反射防止層や防汚層が設けられている面は、再剥離出来る保護フィルム等を貼合する等の方法を用いてアルカリから保護することが好ましい。

別に用意した偏光膜を用意し、鹸化処理した防眩フィルム面（反射防止層や防汚層の反対側の面）に接着剤を用いて貼合し、偏光膜のもう一方の面にも、適宜、セルロースエステルフィルムを貼合し、本発明の偏光板を作製する。

尚、偏光板作製の詳細は、実施例に記載する。

以下、実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

実施例１
《ドープＦの調製》
まず、４ｋｇの酸化珪素微粒子（１次平均粒径１．０μｍ）、６ｋｇの酸化珪素微粒子（１次平均粒径２．５μｍ）をエタノール１０ｋｇに添加して分散し、微粒子分散液を調製した。次いで、微粒子分散液の調製に用いた残りのエタノールと酸化珪素微粒子以外の材料を密閉容器に投入し、加圧下で８０℃に保温し撹拌しながら完全に溶解した後、濾過し、ここに上記で調製した。微粒子分散液を添加して十分に混合した後、再度濾過を行ない、ドープＦを調製した。

《ドープＡ〜Ｅ、ドープＧ〜Ｉの調製》
ドープ調製に用いる材料を表１に記載のように変更した以外は、ドープＦの調製と同様にして、ドープＡ〜Ｅ、ドープＧ〜Ｉを各々、調製した。

得られたドープＡ〜Ｉの組成物を表１に示す。

《セルロースエステルフィルム１〜９の作製》
次に、各ドープＡ〜Ｉを各々、冷却して３３℃に保ち、表２に記載のように、３つのドープを組み合わせて、図１１に記載のダイを用いて、３層構成となるようにステンレスバンド上に均一に流延して形成したウェブを３３℃で５分間乾燥した。乾燥後の各層の膜厚（μｍ）は表２に示した。

ステンレスバンド上からウェブを剥離後、８０℃のロール搬送乾燥ゾーンで乾燥させた後、１００℃に維持されたテンターを用いて残留溶媒量が５質量％になるように調整し、且つ、幅方向に１．０６倍となるように延伸処理を施した。

更に、１２０℃で多数のロールで搬送させながら乾燥させ、表２に示すようにセルロースエステルフィルム１〜８を得た。また、ドープＩのみを用いて、単層構成となるようにした以外は同様にしてセルロースエステルフィルム９を得た。又、ヘイズはＡＳＴＭ−Ｄ１００３−５２に従って測定した。

《防眩フィルム１〜１２の作製》
上記で得られたセルロースエステルフィルム１〜９の各々のＢ面（流延の際にステンレスバンド側だった面をフィルムのＢ面とし、その反対側をＡ面とする）に、下記の塗布組成物（１）をウェット膜厚が１３μｍとなるように押し出しコートして乾燥温度８０℃で乾燥させてバックコート層を設け、次いで、表３に記載のように、Ａ面に、活性線硬化樹脂層を各々設け、更に、下記に記載の活性線硬化樹脂層の上に各々、下記に記載にように反射防止層を設けて、防眩フィルム１〜１２を得た。

塗布組成物（１）（バックコート層用塗布組成物）
アセトン ３０質量部
酢酸エチル ４５質量部
イソプロピルアルコール １０質量部
ジアセチルセルロース ０．５質量部
超微粒子シリカ２％アセトン分散液（アエロジル２００Ｖ：
日本アエロジル（株）製） ０．１１質量部
《活性線硬化樹脂層の塗設》
表３に記載の各々のセルロースエステルフィルム上への活性線硬化樹脂層の塗設は下記の記載のように行った。

（活性線硬化樹脂層１の作製）
セルロースエステルフィルムのＡ面側に下記の塗布組成物（２）を押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ^２で紫外線照射し、膜厚３μｍの活性線硬化樹脂層１を設けた。

塗布組成物（２）
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分
２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤 ４質量部
メチルエチルケトン ７５質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ７５質量部
（活性線硬化樹脂層２の塗設）
セルロースエステルフィルムのＡ面側に下記の塗布組成物（３）を押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ^２で紫外線照射し、膜厚２．５μｍの活性線硬化樹脂層２を設けた。

塗布組成物（３）
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分
２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤 ４質量部
メチルエチルケトン ７５質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ７５質量部
酸化珪素微粒子（アエロジルＲ９７２Ｖ：
日本アエロジル（株）製、１次平均粒径０．０１６μｍ） ３質量部
《反射防止層の形成：大気圧プラズマ放電処理により形成》
図９に記載のようなプラズマ放電処理装置（但し、図９ではプラズマ放電処理容器の設置は一つだが、本実施例では３つ使用する）を用い、下記に記載の反応性ガスを使用して大気圧プラズマ放電処理を行い、活性線硬化樹脂層上に反射防止層を形成した。

以下にプラズマ放電処理装置の具体的な設置条件を示す。

ロール電極２５として、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケットロール母材（冷却機能は図９には図示していない）に、セラミック溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させて封孔処理を行った誘電体を有するロール電極を製作しアース（接地）した。

一方、印加電極として用いる固定電極３６としては、中空角形のステンレスに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆し、対向する電極群とし、低屈折率層、高屈折率層共に必要な膜厚が各々得られるように調整した。

また、放電プラズマ発生に用いる使用電源は、パール工業製高周波電源（８００ｋＨｚ）とし、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力を供給した。但し、ロール電極は、ドライブを用いて基材の搬送に同期して回転させた。

《反応性ガス》
下記にプラズマ処理に用いた混合ガス（反応性ガス）の組成を以下に記す。

（酸化錫層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９８．７体積％）
反応ガス１：水素ガス（１体積％）
反応ガス２：テトラブチル錫蒸気（０．３体積％）
（酸化チタン層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９８．７体積％）
反応ガス１：水素ガス（１体積％）
反応ガス２：テトライソプロポキシチタン蒸気（０．３体積％）
（酸化珪素層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９８．７体積％）
反応ガス１：水素ガス（１体積％）
反応ガス２：テトラメトキシシラン蒸気（０．３体積％）
反射防止層としては、活性線硬化樹脂層の上に連続的に大気圧プラズマ処理して、順に、酸化錫層（屈折率１．７、膜厚６７ｎｍ、炭素含有量０．３質量％）、酸化チタン層（屈折率２．１４、膜厚１１０ｎｍ、炭素含有量０．４質量％）、酸化珪素層（屈折率１．４４、膜厚８７ｎｍ、炭素含有量０．２質量％）の３層を設けた。上記の炭素含有量は、下記のように測定した。

《炭素含有率の測定》
上記の反射防止層の構成層である、酸化錫層、酸化チタン層、酸化珪素層の各々の炭素含有率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）表面分析装置を用いてその値を測定した。ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）表面分析装置としては、特に限定なく、いかなる機種も使用することができるが、本発明では、ＶＧサイエンティフィックス社製ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒを用いた。

測定において、Ｘ線アノードにはＭｇを用い、出力６００Ｗ（加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流４０ｍＡ）で測定した。エネルギー分解能は、清浄なＡｇ３ｄ５／２ピークの半値幅で規定したとき、１．５ｅＶ〜１．７ｅＶとなるように設定した。

また、測定前に、汚染による影響を除くために、各防眩フィルム試料の膜厚の１０〜２０％の厚さに相当する表面層をエッチング除去した。

表面層の除去には、希ガスイオンを利用したイオン銃を用いることが好ましく、イオン種としては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒなどを適宜利用できるが、本測定では、Ａｒイオンエッチングを用いて表面層を除去した。

先ず、結合エネルギー０ｅＶから１１００ｅＶの範囲を、データ取り込み間隔１．０ｅＶで測定し、いかなる元素が検出されるかを求めた。

次に、検出された、エッチングイオン種を除く全ての元素について、データの取り込み間隔を０．２ｅＶとして、その最大強度を与える光電子ピークについてナロースキャンをおこない、各元素のスペクトルを測定した。

得られたスペクトルは、測定装置、あるいは、コンピューターの違いによる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするために、ＶＡＭＡＳ−ＳＣＡ−ＪＡＰＡＮ製のＣＯＭＭＯＮ ＤＡＴＡ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭ（Ｖｅｒ．２．３）上に転送した後、同ソフトで処理をおこない、炭素含有率の値を原子数濃度（ａｔｏｍｉｃ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）として求めた。

定量処理をおこなう前に、各元素についてＣｏｕｎｔ Ｓｃａｌｅのキャリブレーションをおこない、５ポイントのスムージング処理をおこなった。

定量処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強度（ｃｐｓ＊ｅＶ）を用いた。バックグラウンド処理には、Ｓｈｉｒｌｅｙによる方法を用いた。Ｓｈｉｒｌｅｙ法については、Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．，Ｂ５，４７０９（１９７２）を参考にすることができる。

《防眩フィルム１３〜１５の作製》
防汚層の作製に下記の反応性ガスを用い、全ての層で１１Ｗ／ｃｍ^２の電力を印加してプラズマ放電処理した以外は、上記の防眩フィルム１〜１２と同様にして、反射防止層上に防汚層を有する防眩フィルム１３〜１５を作製した。

ここで、大気圧プラズマ処理によって活性線硬化樹脂層の上に形成された、各層の屈折率、膜厚（μｍ）、炭素含有量は下記のように、順に、酸化錫層（屈折率１．７、膜厚６８ｎｍ、炭素含有量０．４質量％）、酸化チタン層（屈折率２．１４、膜厚１０６ｎｍ、炭素含有量０．５質量％）、酸化珪素層（屈折率１．４６、膜厚７５ｎｍ、炭素含有量０．４質量％）、防汚層（屈折率１．３３、膜厚１０ｎｍ）である。

《反応性ガス》
下記にプラズマ処理に用いた混合ガス（反応性ガス）の組成を以下に記す。

（酸化錫層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９８．７体積％）
反応ガス１：水素ガス（１体積％）
反応ガス２：テトラブチル錫蒸気（０．３体積％）
（酸化チタン層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９８．７体積％）
反応ガス１：水素ガス（１体積％）
反応ガス２：テトライソプロポキシチタン蒸気（０．３体積％）
（酸化珪素層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９８．７体積％）
反応ガス１：水素ガス（１体積％）
反応ガス２：テトラメトキシシラン蒸気（０．３体積％）
（防汚層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９８．７体積％）
反応ガス１：水素ガス（１体積％）
反応ガス２：６フッ化プロピレン（０．３体積％）
防汚層の形成は、セルロースエステルフィルム３または５のＡ面側（凹凸面を有する側）に設けた酸化珪素層の上に行った。使用電源として、日本電子製高周波電源を使用し、連続周波数を１３．５６ＭＨｚ、１５Ｗ／ｃｍ^２の電力を供給し、プラズマ処理に用いた混合ガス（反応ガス）の組成を上記のようにした以外は同様にして、防汚層を形成した。

《防眩フィルム１６の作製》
下記の酸化錫層形成用の反応性ガスを用い、大気圧プラズマ処理により、膜厚１００ｎｍの酸化錫層を帯電防止層として形成した。その上に活性線硬化樹脂層１を膜厚が２μｍになるように塗設した。更にその上に、順に酸化チタン層（屈折率２．２、膜厚１３ｎｍ、炭素含有量０．３質量％）、酸化珪素層（屈折率１．４６、膜厚３５ｎｍ、炭素含有量０．３質量％）、酸化チタン層（屈折率２．２、膜厚１２２ｎｍ、炭素含有量０．３質量％）、酸化珪素層（屈折率１．４６、膜厚８８ｎｍ、炭素含有量０．３質量％）の４層を設け、反射防止層とした。更にその上に膜厚１０ｎｍの防汚層を設け、防眩フィルム１６とした。このフィルムの表面の比抵抗は１０^１０Ω／ｃｍ^２であった。

（酸化錫層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９７．７質量％）
反応ガス１：酸素ガス（２質量％）
反応ガス２：テトラブチル錫蒸気（０．３質量％）
（酸化チタン層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９７．７質量％）
反応ガス１：酸素ガス（２質量％）
反応ガス２：テトライソプロポキシチタン蒸気（０．３質量％）
（酸化珪素層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９７．７質量％）
反応ガス１：酸素ガス（２質量％）
反応ガス２：テトラメトキシシラン蒸気（０．３質量％）
（防汚層形成用）
不活性ガス：アルゴン（９８．７質量％）
反応ガス１：水素ガス（１質量％）
反応ガス２：６フッ化プロピレン（０．３質量％）
《表面比抵抗》
防眩フィルム１６を２３℃、５５％ＲＨの条件のもとで、６時間調湿した後、同条件で塗膜の表面の表面比抵抗値を絶縁抵抗測定器（川口電気社製ＶＥ−３０型）を用いて測定した。

測定に用いた電極は、２本の電極（試料と接触する部分が１ｃｍ×５ｃｍ）を間隔を１ｃｍで平行に配置し、該電極に試料を接触させて測定し、測定値を５倍にした値を表面比抵抗値Ω／ｃｍ^２とした。

上記の防眩フィルム１〜１６について、下記のような評価を行った。

《ヘイズ（濁度）の測定》
フィルム試料１枚で、ＡＳＴＭ−Ｄ１００３−５２に従って測定した。

《反射率の測定》
分光反射率は分光光度計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、５度正反射の条件にて反射率の測定を行った。測定は、観察側の裏面を粗面化処理した後、黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、フィルム裏面での光の反射を防止して、反射率（４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長について）の測定を行った。また、４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの平均反射率を求めた。

《耐擦傷性の測定》
スチールウール＃０００を、２５０ｇ／ｃｍ^２の荷重をかけて押し付け１０回往復運動後、擦り傷の入る本数を測定し、下記のようにランク評価した。

Ａ：０〜３本
Ｂ：４〜１０本（実用可）
Ｃ：１１〜２０本
Ｄ：２１本以上
《中心線平均粗さ（Ｒａ）》：ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定の数値
光学干渉式表面粗さ計ＲＳＴ／ＰＬＵＳ（ＷＹＫＯ社製）を使用して、１．２ｍｍ×０．９ｍｍの面積に対して、活性線硬化樹脂層面の中心線平均粗さＲａを求めた。

《視認性評価》
防眩フィルムの視認性については、防眩フィルム１〜１６を用いて下記のようにして偏光板１〜１６を各々作製し、それらの偏光板を液晶表示パネルに組み込み、視認性を評価した。

（偏光板１の作製）
（ａ）厚さ１２０μｍのポリビニルアルコールフィルムをヨウ素１ｋｇ、ヨウ化カリウム２ｋｇ、ホウ酸４ｋｇを含む水溶液１００ｋｇに浸漬し５０℃で４倍に延伸し偏光膜を作製した。

（ｂ）長手方向３０ｃｍ、巾手方向１８ｃｍに切り取った防眩フィルム１及びセルロースエステルフィルム９の試料を２ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム溶液に６０℃で１分間浸漬し、さらに水洗、乾燥させた。防眩フィルムの反射防止層または、防汚層面はポリエステル製の保護フィルム（膜厚３０μｍ）を張り付けてアルカリから保護した。

（ｃ）防眩フィルムと同サイズの上記偏光膜を固形分２質量％のポリビニルアルコール接着剤槽中に１〜２秒間浸漬させた。

（ｄ）上記の偏光膜に付着した過剰の接着剤を軽く取り除き、上記の防眩フィルム試料の反射防止層の反対面にのせて、さらに、セルロースエステルフィルム９と接着剤とが接する様に積層し配置した。

（ｅ）ハンドローラで上記で積層された偏光膜と防眩フィルム、セルロースエステルフィルムとの積層物の端部から過剰の接着剤及び気泡を取り除きはり合わせる。ハンドローラの圧力は約０．２ＭＰａ〜０．３ＭＰａ、ローラスピードは約２ｍ／分とした。

（ｆ）８０℃の乾燥器中に（ｅ）で得た試料を２分間放置し、偏光板１を作製した。

防眩フィルム１を防眩フィルム２〜１６に変更した以外は同様にして、防眩フィルム２〜１６を用いた偏光板２〜１６を作製した。ここで、比較の偏光板は、防眩フィルム８、９（比較）を用いて作製した、偏光板８、９である。

得られた偏光板１〜１６を下記のように評価した。

ＭｕｌｔｉＳｙｎｃ ＬＣＤ１５２５Ｊ 型名 ＬＡ−１５２９ＨＭの最表面の偏光板を注意深く剥離し、ここに偏光方向を合わせた本発明の偏光板１〜１６を張り付けた。

それぞれの液晶表示パネルについて、目視にて観察した結果、本発明の偏光板を用いた液晶表示パネルは、比較例の偏光板８、９を用いた液晶表示パネルに対し反射光のむらもなく、下記のように細かい文字まで読みとりやすく、表示性能に優れていることが確認された。特に比較の偏光板８、９はぎらつきの為に文字の読み取りが困難であった。

（視認性評価方法）
画面上にワープロソフト（ＭＳ Ｗｏｒｄ（マイクロソフト社製））で文字フォントの大きさを変更して表示させて、画面の放線方向に対して横に５０°の角度から５０ｃｍ離れて文字の読みとりを行ない、下記のようにランク評価した。

Ａ：フォントのサイズ８まで鮮明に読みとれた
Ｂ：フォントのサイズ８でなんとか読みとれた
Ｃ：フォントのサイズ１０でなんとか読みとれた
Ｄ：フォントのサイズ１０で読みとれない文字があった
得られた結果を表３に示す。

表３から、本発明の試料は、耐擦傷性が良好であり、且つ、優れた視認性を示すことが明らかである。

１ ドープ液タンク
１ａ ドープ液
２、２’ 微粒子添加液タンク
２ａ、２ａ’ 微粒子添加液
３ タンク
３ａ 紫外線吸収剤添加液
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆ ポンプ
５ａ、５ｂ、５ｃ インラインミキサー
６ スリットダイ
７ ドラム
８ 流延ベルト
９ ローラ
１０ セルロースエステルフィルム
１１ 流延口
１２ スリット
１３ スリット
２５、２５ｃ、２５Ｃ ロール電極
２６、２６ｃ、２６Ｃ、３６、３６ｃ、３６Ｃ 電極
２５ａ、２５Ａ、２６ａ、２６Ａ、３６ａ、３６Ａ 金属等の導電性母材
２５ｂ、２６ｂ、３６ｂ セラミック被覆処理誘電体
２５Ｂ、２６Ｂ、３６Ｂ ライニング処理誘電体
３１ プラズマ放電処理容器
４１ 電源
５１ ガス発生装置
５２ 給気口
５３ 排気口
６０ 電極冷却ユニット
６１ 元巻き基材
６５、６６ ニップローラ
６４、６７ ガイドローラ

Claims (13)

1. 導電性母材を誘電体で被覆した角柱型の誘電体被覆電極であって、前記誘電体の空隙率が１０体積％以下であることを特徴とする誘電体被覆電極。
2. 前記誘電体が、比誘電率６〜４５の無機材料であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体被覆電極。
3. 前記誘電体は、セラミックスを溶射した後、無機材料で封孔処理されていることを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体被覆電極。
4. 前記セラミックスがアルミナを含むことを特徴とする請求項３に記載の誘電体被覆電極。
5. 前記封孔処理の無機材料はゾルゲル反応により硬化されることを特徴とする請求項３または４に記載の誘電体被覆電極。
6. 前記ゾルゲル反応が熱もしくはＵＶにより促進されたことを特徴とする請求項５に記載の誘電体被覆電極。
7. 前記誘電体の表面が研磨仕上げされていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の誘電体被覆電極。
8. 前記誘電体の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の誘電体被覆電極。
9. 前記誘電体被覆電極が冷却水による冷却手段を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の誘電体被覆電極。
10. 対向する２種の電極間に基材を位置させ、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、前記電極間に電圧を印加して放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、前記基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に薄膜を形成するプラズマ放電処理装置において、前記対向する２種の電極の少なくとも一方が、請求項１〜９のいずれか１項に記載の誘電体被覆電極であることを特徴とするプラズマ放電処理装置。
11. 前記基材が長尺フィルムであって、少なくとも前記対向する２種の電極の一方が、前記長尺フィルムを巻回し、長尺フィルムの搬送方向に回転する一つのロール電極であり、前記一つのロール電極と対向する電極は、前記誘電体被覆電極を複数配置した電極群であることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ放電処理装置。
12. 前記ロール電極が導電性母材を誘電体で被覆した誘電体被覆電極であることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ放電処理装置。
13. 前記ロール電極の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１１にまたは１２に記載のプラズマ放電処理装置。

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