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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 90
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 29
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 115
- 230000006870 function Effects 0.000 description 112
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 44
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
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- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
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Abstract
【解決手段】画素領域のゲート信号線に対応して信号処理回路を複数段設け、該信号処理回路においてゲート信号線の電位を制御する第1トランジスタに、ゲート信号線のアクティブ状態(選択信号が出力される状態)、非アクティブ状態(選択信号が出力されない状態、又は非選択信号が出力され続ける状態)を制御する信号が入力され、次の段へのスタート信号及び前の段へのリセット信号を出力する第2トランジスタにクロック信号が入力されるように構成することで、装置の動作に必要な配線の本数を削減する。
【選択図】図19
Description
特定のゲート信号線を選択するための信号処理回路部は、第1の端子にアクティブ状態と非アクティブ状態を制御する信号が入力され、第2の端子がゲート信号線に接続する第1トランジスタと、第1の端子にクロック信号が入力され、第2の端子は次段の信号処理回路部へのスタート信号及び前段の信号処理回路部へのリセット信号を出力する第2トランジスタとによって構成されるものが含まれる。さらに第1トランジスタ及び第2トランジスタのゲート電位を制御する回路部が含まれる。
信号処理回路部を複数段設け、上記構成により順次信号処理回路部が選択されると共に、ゲート信号線に出力する信号又は電位を選択可能とすることで、特定のゲート信号線に画素を駆動する信号を供給するように動作させることができる。
第n段(1<n<m)の信号処理回路部は、第1の端子が第2配線に接続し、第2の端子が第n番目のゲート信号線に接続する第1トランジスタと、第1の端子が第1配線に接続し、第2の端子は第n−1段の信号処理回路部のリセット信号入力端子及び第n+1段の信号処理回路部へスタート信号入力端子と接続する第2トランジスタと、第1トランジスタ及び第2トランジスタのゲート電位を制御する回路部とを設ける。
第n+1段(1<n<m)の信号処理回路部は、第1の端子が第4配線に接続し、第2の端子が第n+1番目のゲート信号線に接続する第3トランジスタと、第1の端子が第3配線に接続し、第2の端子は第n段の信号処理回路部のリセット信号入力端子及び第n+2段の信号処理回路部へスタート信号入力端子と接続する第4トランジスタと、第3トランジスタ及び第4トランジスタのゲート電位を制御する回路部とを設ける。
信号処理回路部をm段設けた場合において、第1乃至第4の配線が伝送する信号により、順次信号処理回路部が選択されると共に、ゲート信号線に出力する信号又は電位を選択可能とすることで、特定のゲート信号線に画素を駆動する信号を供給するように動作させることができる。
第n段(1<n<m)の信号処理回路部の第1トランジスタは、クロック信号が入力されるアクティブ状態と一定電位が入力される非アクティブ状態とを選択する信号が入力される第1の端子と、第n番目のゲート信号線に信号を出力する第2の端子とを備えている。第2トランジスタは、クロック信号が入力される第1の端子と、第n−1段の信号処理回路部のリセット信号及び第n+1段の信号処理回路部へスタート信号を出力する第2の端子とを備えている。
第n+1段(1<n<m)の信号処理回路部の第3トランジスタは、クロック信号と同期して、逆位相のクロック信号が入力されるアクティブ状態と一定電位が入力される非アクティブ状態とを選択する信号が入力される第1の端子と、第n+1番目のゲート信号線に信号を出力する第2の端子とを備えている。第4トランジスタは、クロック信号と逆位相のクロック信号が入力される第1の端子と、第n段の信号処理回路部のリセット信号及び第n+2段の信号処理回路部へスタート信号を出力する第2の端子とを備えている。
第1トランジスタ及び第3トランジスタが、ゲート信号線のアクティブ状態(選択信号が出力される状態)又は非アクティブ状態(選択信号が出力されない状態、又は非選択信号が出力され続ける状態)を制御するように動作し、第2トランジスタ及び第4トランジスタが、前段及び後段の信号処理回路部の動作を制御することで、特定のゲート信号線に画素を駆動する信号を供給するように動作させることができる。
図1(A)にトランジスタ101とトランジスタ102によって入力信号に対する出力信号が制御される回路の一構成例を示す。
図6は、図1(A)で示す回路構成を含む他の回路の一例を示す。図6は、表示装置におけるゲート信号線駆動回路、ソース信号線(ビデオ信号線)駆動回路などに用いることができる信号処理回路の一例である。
図19は、シフトレジスタ回路の一例を示す。このシフトレジスタ回路は図6で示す信号処理回路を含んで構成される。なお、図6で示す信号処理回路に代えて、図13乃至図16で示す信号処理回路を適用することもできる。
図21(A)は、上記シフトレジスタ回路が用いられる表示装置の一例を示す。図21(A)に示す表示装置は、回路5501(例えばタイミングコントローラ)と、回路5502(例えば駆動回路)と、画素部5503とを有する。回路5502は、回路5504(例えばソースドライバ回路)と、回路5505(例えばゲートドライバ回路)とを有する。画素部5503には、回路5504から複数の配線5507(例えば信号線、ソース信号線、ビデオ信号線)が延伸して配置され、回路5505から複数の配線5508(例えば信号線、ゲート信号線又は走査線)が延伸して配置される。複数の配線5507と、複数の配線5508との交差領域には、各々、画素5506がマトリクス状に配置される。そして、画素5506は、配線5507と配線5508と接続される。なお、回路5501は、回路5504と回路5505と接続される。
図22(A)は、液晶素子を有する画素の回路構成を示す。図22(A)に示す画素は、トランジスタ801、容量素子802及び液晶素子803を有する。トランジスタ801の第1の端子は、配線811と接続される。トランジスタ801の第2の端子は、容量素子802の一方の電極及び液晶素子803の一方の電極(例えば画素電極)と接続される。トランジスタ801のゲートは、配線812と接続される。容量素子802の他方の電極は、配線813と接続される。液晶素子803の他方の電極は、コモン電極814(共通電極、陰極、対向電極ともいう)と接続される。ただし、本実施の形態の画素は、図22(A)に示す構成に限定されず、他にも様々な構成とすることが可能である。
図23(A)は、上記表示装置に適用可能な画素の回路図の一例を示す。画素5450は、トランジスタ5451、容量素子5452及び表示素子5453を有する。トランジスタ5451の第1の端子は、配線5461と接続される。トランジスタ5451の第2の端子は、容量素子5452の一方の電極及び表示素子5453の一方の電極(画素電極ともいう)と接続される。トランジスタ5451のゲートは、配線5462と接続される。容量素子5452の他方の電極は、配線5463と接続される。表示素子5453の他方の電極は、電極5454(コモン電極、共通電極、対向電極、カソード電極ともいう)と接続される。なお、表示素子5453の一方の電極を、電極5455と示す。
図26(A)は、上記画素の構成として、トップゲート型のトランジスタの一例と、その上に形成される表示素子の一例とを示す。図26(A)に示すトランジスタの構造について以下に説明する。図26(A)に示すトランジスタは、基板5260と、絶縁層5261(例えば下地膜)と、半導体層5262と、絶縁層5263(例えばゲート絶縁膜)と、導電層5264(例えばゲート電極又は配線など)と、開口部を有する絶縁層5265(例えば層間膜又は平坦化膜など)と、導電層5266(例えばトランジスタのソース電極、トランジスタのドレイン電極、容量素子の電極、又は配線など)とを有する。絶縁層5261は、基板5260の上に形成される。半導体層5262は、絶縁層5261の上に形成される。絶縁層5263は、半導体層5262を覆うように形成される。導電層5264は、半導体層5262の上及び絶縁層5263の上に形成される。絶縁層5265は、絶縁層5263の上及び導電層5264の上に形成される。導電層5266は、絶縁層5265の上及び絶縁層5265の開口部に形成される。
図27(A)乃至図27(H)、図28(A)乃至図28(D)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体5000、表示部5001、スピーカ5003、LEDランプ5004、操作キー5005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子5006、センサ5007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン5008、等を有することができる。
11 トランジスタ
12 液晶素子
13 容量素子
21 配線
22 配線
23 配線
31 トランジスタ
32 配線
33 配線
101 トランジスタ
102 トランジスタ
111 配線
112 配線
113 配線
114 配線
115 配線
116 配線
117 配線
118 配線
119 配線
121 容量素子
122 容量素子
130 保護回路
131 トランジスタ
141 配線
201 トランジスタ
202 トランジスタ
203 トランジスタ
204 トランジスタ
205 トランジスタ
221 トランジスタ
222 トランジスタ
223 トランジスタ
224 トランジスタ
225 トランジスタ
226 トランジスタ
227 トランジスタ
228 トランジスタ
229 トランジスタ
300 回路
301 インバータ回路
302 トランジスタ
303 トランジスタ
304 抵抗素子
305 トランジスタ
306 トランジスタ
307 トランジスタ
308 トランジスタ
311 トランジスタ
312 トランジスタ
313 トランジスタ
314 トランジスタ
315 トランジスタ
316 トランジスタ
401 回路
402 回路
411 配線
412 配線
413 配線
414 配線
415 配線
416 配線
417 配線
418 配線
419 配線
420 配線
801 トランジスタ
802 容量素子
803 液晶素子
811 配線
812 配線
813 配線
814 コモン電極
901 トランジスタ
902 トランジスタ
903 容量素子
904 発光素子
911 配線
912 配線
913 配線
914 共通電極
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 支持台
5019 外部接続ポート
5020 ポインティングデバイス
5021 リーダ/ライタ
5022 筐体
5023 表示部
5024 リモコン装置
5025 スピーカ
5026 表示パネル
5027 ユニットバス
5028 表示パネル
5029 車体
5030 天井
5031 表示パネル
5032 ヒンジ部
5033 光源
5034 投射レンズ
5260 基板
5261 絶縁層
5262 半導体層
5263 絶縁層
5264 導電層
5265 絶縁層
5266 導電層
5267 絶縁層
5268 導電層
5269 絶縁層
5270 発光層
5271 導電層
5280 基板
5281 導電層
5282 絶縁層
5283 半導体層
5284 半導体層
5285 導電層
5286 絶縁層
5287 導電層
5288 液晶層
5289 導電層
5450 画素
5451 トランジスタ
5452 容量素子
5453 表示素子
5454 電極
5455 電極
5456 隔壁
5457 粉流体
5458 粉流体
5461 配線
5462 配線
5463 配線
5480 マイクロカプセル
5481 樹脂
5483 液体
5486 ツイストボール
5487 粒子
5488 キャビティ
5491 マイクロカップ
5492 誘電性溶媒
5493 帯電色素粒子
5494 封止層
5495 粘着層
5501 回路
5502 回路
5503 画素部
5504 回路
5505 回路
5506 画素
5507 配線
5508 配線
5509 基板
5262a 領域
5262b 領域
5262c 領域
5504a 回路
5504b 回路
Claims (6)
- 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ及び第1の回路部を有する第1の信号処理回路と、
第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、第6のトランジスタ及び第2の回路部を有する第2の信号処理回路と、
第7のトランジスタ及び第2の回路部を有する第3の信号処理回路と、を有し、
前記第1の回路部の第1の出力端子は、前記第1のトランジスタのゲート及び前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の回路部の第2の出力端子は、前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の回路部の第1の入力端子は、前記第4のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第2の回路部の第1の出力端子は、前記第4のトランジスタのゲート及び前記第5のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2の回路部の第2の出力端子は、前記第6のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2の回路部の第1の入力端子は、前記第1のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第2の回路部の第2の入力端子は、前記第7のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第3の回路部の第1の出力端子は、前記第7のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3の回路部の第1の入力端子は、前記第4のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第7のトランジスタの第2の端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第6のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子及び前記第3のトランジスタの第2の端子は、第1のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第1の端子及び前記第6のトランジスタの第2の端子は、第2のゲート信号線と電気的に接続されるものである表示装置。 - 請求項1において、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、第1のクロック信号が入力される第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、第2のクロック信号又は第1の電圧が選択的に入力される第2の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの第2の端子は、第3のクロック信号が入力される第3の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の端子は、第4のクロック信号又は第2の電圧が選択的に入力される第4の配線と電気的に接続されるものである表示装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第2のトランジスタのチャネル幅は、前記第1のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
前記第5のトランジスタのチャネル幅は、前記第4のトランジスタのチャネル幅よりも大きいものである表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1乃至第7のトランジスタは、同じ導電型であるであることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1乃至第7のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項5において、
前記第2の回路部は、第8のトランジスタと、第9のトランジスタと、第10のトランジスタと、インバータ回路と、を有し、
前記第2の回路部の第1の出力端子は、前記インバータ回路の入力端子、前記第8のトランジスタの第1の端子、前記第9のトランジスタの第1の端子、及び前記第10のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第2の回路部の第2の出力端子は、前記インバータ回路の出力端子、及び前記第8のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2の回路部の第1の入力端子は、前記第10のトランジスタの第2の端子、及び前記第10のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2の回路部の第2の入力端子は、前記第9のトランジスタのゲートと電気的に接続されるものである表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011022678A JP5669601B2 (ja) | 2010-02-05 | 2011-02-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010024872 | 2010-02-05 | ||
JP2010024872 | 2010-02-05 | ||
JP2011022678A JP5669601B2 (ja) | 2010-02-05 | 2011-02-04 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014253801A Division JP5921659B2 (ja) | 2010-02-05 | 2014-12-16 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011180587A true JP2011180587A (ja) | 2011-09-15 |
JP2011180587A5 JP2011180587A5 (ja) | 2014-03-20 |
JP5669601B2 JP5669601B2 (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=44353342
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011022678A Active JP5669601B2 (ja) | 2010-02-05 | 2011-02-04 | 半導体装置 |
JP2014253801A Active JP5921659B2 (ja) | 2010-02-05 | 2014-12-16 | 半導体装置 |
JP2015239071A Withdrawn JP2016085782A (ja) | 2010-02-05 | 2015-12-08 | 半導体装置及び電子機器 |
JP2016006019A Active JP6133453B2 (ja) | 2010-02-05 | 2016-01-15 | 半導体装置 |
JP2017082514A Withdrawn JP2017168179A (ja) | 2010-02-05 | 2017-04-19 | 半導体装置 |
JP2018126089A Active JP6797154B2 (ja) | 2010-02-05 | 2018-07-02 | 表示装置 |
JP2020190757A Active JP7203073B2 (ja) | 2010-02-05 | 2020-11-17 | 表示装置 |
JP2022208379A Active JP7516497B2 (ja) | 2010-02-05 | 2022-12-26 | 表示装置 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014253801A Active JP5921659B2 (ja) | 2010-02-05 | 2014-12-16 | 半導体装置 |
JP2015239071A Withdrawn JP2016085782A (ja) | 2010-02-05 | 2015-12-08 | 半導体装置及び電子機器 |
JP2016006019A Active JP6133453B2 (ja) | 2010-02-05 | 2016-01-15 | 半導体装置 |
JP2017082514A Withdrawn JP2017168179A (ja) | 2010-02-05 | 2017-04-19 | 半導体装置 |
JP2018126089A Active JP6797154B2 (ja) | 2010-02-05 | 2018-07-02 | 表示装置 |
JP2020190757A Active JP7203073B2 (ja) | 2010-02-05 | 2020-11-17 | 表示装置 |
JP2022208379A Active JP7516497B2 (ja) | 2010-02-05 | 2022-12-26 | 表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8638322B2 (ja) |
JP (8) | JP5669601B2 (ja) |
TW (1) | TWI509590B (ja) |
WO (1) | WO2011096153A1 (ja) |
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US11676971B2 (en) | 2016-08-03 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US12027528B2 (en) | 2016-08-03 | 2024-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011096153A1 (en) | 2011-08-11 |
US9007351B2 (en) | 2015-04-14 |
US20140132577A1 (en) | 2014-05-15 |
US20110193836A1 (en) | 2011-08-11 |
JP6797154B2 (ja) | 2020-12-09 |
TW201142798A (en) | 2011-12-01 |
JP5669601B2 (ja) | 2015-02-12 |
JP2021043459A (ja) | 2021-03-18 |
JP6133453B2 (ja) | 2017-05-24 |
JP2015097138A (ja) | 2015-05-21 |
JP2018189971A (ja) | 2018-11-29 |
JP5921659B2 (ja) | 2016-05-24 |
JP7516497B2 (ja) | 2024-07-16 |
US8638322B2 (en) | 2014-01-28 |
TWI509590B (zh) | 2015-11-21 |
JP2016085782A (ja) | 2016-05-19 |
JP7203073B2 (ja) | 2023-01-12 |
JP2017168179A (ja) | 2017-09-21 |
JP2023056521A (ja) | 2023-04-19 |
JP2016105193A (ja) | 2016-06-09 |
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