JP2011077543A - 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理装置1の制御部100は、反応室内を、水が液膜として存在し得る温度、例えば、室温に維持する。また、制御部100は、反応室内を53200Paに設定する。反応管2内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部100は、処理ガス導入管17からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管2内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、装置内部を高温に加熱することなく、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、装置内部の部品の劣化を抑制しつつ、装置内部に付着した蒸気圧の低い化合物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
水が液膜として存在し得る温度に設定した反応室内に、フッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程と、
前記付着物を除去した反応室内のガスを排気するパージ工程とを備え、
前記パージ工程では、前記反応室を水が除去可能な温度に加熱し、前記反応室内のガスを排気するとともに前記反応室内の水を除去する、ことを特徴とする。
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
水が液膜として存在し得る温度に設定した反応室内に、フッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程を備え、
前記洗浄工程では、前記装置内部に付着したAl2O3、HfSiOx、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、BSTO、STO、または、AlHfOを除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する、ことを特徴とする。
前記洗浄工程では前記反応室内にフッ化水素ガスと希釈ガスとから構成されたクリーニングガスを供給することが好ましい。
前記洗浄工程では前記反応室内を13300Pa〜大気圧に設定することが好ましい。
被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成し、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記付着物を除去した反応室内のガスを排気する排気手段と、
薄膜形成装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を水が液膜として存在し得る温度に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して前記付着物を除去することにより装置内部を洗浄するように前記クリーニングガス供給手段を制御し、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を当該反応室内の水を除去可能な温度に加熱した状態で、前記反応室内のガスを排気するとともに前記反応室内の水を除去するように前記排気手段を制御する、ことを特徴とする。
被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成し、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
薄膜形成装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記加熱手段を制御して前記反応室内を水が液膜として存在し得る温度に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して前記付着物を除去することにより装置内部を洗浄するように前記クリーニングガス供給手段を制御し、
前記装置内部に付着した付着物は、Al2O3、HfSiOx、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、BSTO、STO、または、AlHfOである、ことを特徴とする。
前記クリーニングガス供給手段は、前記反応室内にフッ化水素ガスと希釈ガスとから構成されたクリーニングガスを供給することが好ましい。
前記制御手段は、前記反応室内の圧力を設定する圧力設定手段を制御して当該反応室内を13300Pa〜大気圧に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給するように前記クリーニングガス供給手段を制御することが好ましい。
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法を実行させるためのプログラムであって、
コンピュータに、
水が液膜として存在し得る温度に設定した反応室内に、フッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄手順、
前記付着物を除去した反応室内のガスを排気するパージ手順、
を実行させ、
前記パージ手順では、前記反応室を水が除去可能な温度に加熱し、前記反応室内のガスを排気するとともに前記反応室内の水を除去する、ことを特徴とする。
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法を実行させるためのプログラムであって、
コンピュータに、
水が液膜として存在し得る温度に設定した反応室内に、フッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄手順を実行させ、
前記洗浄手順では、前記装置内部に付着したAl2O3、HfSiOx、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、BSTO、STO、または、AlHfOを除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する、ことを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管5内の各部の圧力を測定し、測定値を制御部100に通知する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (12)
- 薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
水が液膜として存在し得る温度に設定した反応室内に、フッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程と、
前記付着物を除去した反応室内のガスを排気するパージ工程とを備え、
前記パージ工程では、前記反応室を水が除去可能な温度に加熱し、前記反応室内のガスを排気するとともに前記反応室内の水を除去する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
水が液膜として存在し得る温度に設定した反応室内に、フッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程を備え、
前記洗浄工程では、前記装置内部に付着したAl2O3、HfSiOx、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、BSTO、STO、または、AlHfOを除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記洗浄工程では前記反応室内を室温に設定する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記洗浄工程では前記反応室内にフッ化水素ガスと希釈ガスとから構成されたクリーニングガスを供給する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記洗浄工程では前記反応室内を13300Pa〜大気圧に設定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成し、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記付着物を除去した反応室内のガスを排気する排気手段と、
薄膜形成装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を水が液膜として存在し得る温度に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して前記付着物を除去することにより装置内部を洗浄するように前記クリーニングガス供給手段を制御し、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を当該反応室内の水を除去可能な温度に加熱した状態で、前記反応室内のガスを排気するとともに前記反応室内の水を除去するように前記排気手段を制御する、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成し、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
薄膜形成装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記加熱手段を制御して前記反応室内を水が液膜として存在し得る温度に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して前記付着物を除去することにより装置内部を洗浄するように前記クリーニングガス供給手段を制御し、
前記装置内部に付着した付着物は、Al2O3、HfSiOx、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、BSTO、STO、または、AlHfOである、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記制御手段は、前記加熱手段を制御して反応室内を室温に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給するように前記クリーニングガス供給手段を制御する、ことを特徴とする請求項6または7に記載の薄膜形成装置。
- 前記クリーニングガス供給手段は、前記反応室内にフッ化水素ガスと希釈ガスとから構成されたクリーニングガスを供給する、ことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 前記制御手段は、前記反応室内の圧力を設定する圧力設定手段を制御して当該反応室内を13300Pa〜大気圧に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給するように前記クリーニングガス供給手段を制御する、ことを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法を実行させるためのプログラムであって、
コンピュータに、
水が液膜として存在し得る温度に設定した反応室内に、フッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄手順、
前記付着物を除去した反応室内のガスを排気するパージ手順、
を実行させ、
前記パージ手順では、前記反応室を水が除去可能な温度に加熱し、前記反応室内のガスを排気するとともに前記反応室内の水を除去する、ことを特徴とするプログラム。 - 薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法を実行させるためのプログラムであって、
コンピュータに、
水が液膜として存在し得る温度に設定した反応室内に、フッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄手順を実行させ、
前記洗浄手順では、前記装置内部に付着したAl2O3、HfSiOx、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、BSTO、STO、または、AlHfOを除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する、ことを特徴とするプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010276936A JP5661444B2 (ja) | 2004-04-23 | 2010-12-13 | 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004127570 | 2004-04-23 | ||
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JP2010276936A JP5661444B2 (ja) | 2004-04-23 | 2010-12-13 | 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム |
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011077543A true JP2011077543A (ja) | 2011-04-14 |
JP5661444B2 JP5661444B2 (ja) | 2015-01-28 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5661444B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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