JP2011066321A - 薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ - Google Patents
薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011066321A JP2011066321A JP2009217533A JP2009217533A JP2011066321A JP 2011066321 A JP2011066321 A JP 2011066321A JP 2009217533 A JP2009217533 A JP 2009217533A JP 2009217533 A JP2009217533 A JP 2009217533A JP 2011066321 A JP2011066321 A JP 2011066321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- thin film
- film element
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
- Moving Of The Head To Find And Align With The Track (AREA)
Abstract
【課題】 高性能化、高信頼性及び低コスト化が十分に実現可能な薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブを提供する。
【解決手段】 基板S1上に電極膜13、17含む積層体Kを形成する工程と、積層体Kを所定の形状に加工して基板S1上に薄膜素子部Mを形成する工程と、サポート基板S2が薄膜素子部Mを介して基板S1と対向するようにサポート基板S2を接着膜23で基板S1に貼り合わせる工程と、貼り合わせ工程後に、基板S1を除去する工程と、基板S1の除去工程後に、基板S1が除去された側の薄膜素子部M上に低剛性膜11を形成する工程と、低剛性膜11の形成工程後に、サポート基板S2及び接着膜23を除去する工程と、を備え、低剛性膜11の形成工程とサポート基板S2及び接着膜23の除去工程との間に、低剛性膜11上に基板を設けない。
【選択図】 図1
Description
まず、基板(第1基板)S1を用意する。そして、図2(a)に示すように、基板S1上にバッファ膜21と、第1電極膜13、圧電体膜15及び第2電極膜17からなる積層体Kとを順次に形成する。より具体的に説明すると、まず、基板S1上にバッファ膜21をエピタキシャル成長させる。バッファ膜21は、(100)方向、(010)方向または(001)方向に配向し、例えばその上面が{111}ファセット面を有するエピタキシャル成長膜を用いることができる。
次に、図2(b)に示すように、積層体Kを所望の形状に加工(パターニング)する。まず、フォトリソグラフィー及びエッチング技術を用いて、第2電極膜17上に第1領域1a及び第2領域1bに対応する形状のレジストパターン(図示せず)を形成する。その後、このレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、積層体Kのエッチングを行う。このエッチング工程では、上側がレジストパターンに覆われている部分の膜13、15及び17が除去されずに残り、積層体Lが形成される。
その後、電極5a、5b、7a及び7bを形成する。図3(a)は、この工程を説明するための模式図であり、図3(b)はIIIb-IIIb方向の断面構成を示す模式図である。この工程では、図3(a)及び(b)に示すように保護膜19上の第1領域1a及び第2領域1bそれぞれの根元領域3に駆動電圧を印加するための電極5a,7a及び電極5b,7bを形成する。電極5a、5b、7a及び7bの形成には、例えばエッチング法等を用いることができる。
引き続き、図4(a)に示すように、加工された薄膜素子部Mが形成された基板S1上に、薄膜素子部Mを覆うように接着膜23を形成する。接着膜23は、例えばスピンコート法により形成される。その後、サポート基板(第2基板)S2が薄膜素子部Mを介して基板S1と対向するようにサポート基板S2を接着膜23で基板S1に貼り合わせる。その後、基板S1及びバッファ膜21を順次に除去する。基板S1の除去には、基板S1としてSiの単結晶基板が用いられる本実施形態のような場合には、フッ硝酸によるウェットエッチング、または反応性イオンエッチング法(RIE法)等によるドライエッチングを用いることができる。なお、前段階の粗削りとして砥石研削(バーチカル)やコロイダルシリカ(CMP)によるポリッシングや、軟質金属定盤(ズズ定盤など)を使ったダイヤスラリーによるポリッシングにより除去をすることができる。また、バッファ膜21の除去には、RIE法によるエッチングを用いることができる。
次に、図5に示すように、薄膜素子1の第1電極膜13上に低剛性膜11を形成する。ただし、この際に低剛性膜11上に基板を設けない。低剛性膜11の形成には、例えばインクジェット法、ディスペンサ塗布法、スクリーン印刷法によるパターニング塗布を用いることができる。スピンコート法等を用いて低剛性膜11を構成する材料を第1電極膜13上に全面塗布した後、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることで低剛性膜11を形成する場合には、接着膜23上において低剛性膜11を構成する材料及び接着膜23が反応してしまう恐れがある。しかし、インクジェット法、ディスペンサ塗布法、スクリーン印刷法によるパターニング塗布の場合には、接着膜23上への塗布を回避することができ、上記の問題を回避することができる。なお、パターニング塗布の方法の中でも、いわゆる、ニードル式ディスペンサによる塗布がより好ましい。ニードル式ディスペンサ塗布によれば、粘度が1×10−3Pa・s〜3×102Pa・sの広い範囲内の樹脂を用いて例えば5μmの幅及び例えば1μmの厚みを有するパターンを形成することができる。また、バラツキも十分に抑えられる。
Claims (6)
- 第1基板上に2つ以上の電極膜を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体を所定の形状に加工して前記第1基板上に薄膜素子部を形成する工程と、
第2基板が前記薄膜素子部を介して前記第1基板と対向するように前記第2基板を接着膜で前記第1基板に貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせ工程後に、前記第1基板を除去する工程と、
前記第1基板の除去工程後に、前記第1基板が除去された側の前記薄膜素子部上に低剛性膜を形成する工程と、
前記低剛性膜の形成工程後に、前記第2基板及び前記接着膜を除去する工程と、
を備え、
前記低剛性膜の形成工程と前記第2基板及び前記接着膜の除去工程との間に、前記低剛性膜上に基板を設けない薄膜素子の製造方法。 - 前記低剛性膜の形成を、インクジェット法、ディスペンサ塗布法、又はスクリーン印刷法によるパターニング塗布によって行う請求項1に記載の製造方法。
- 低剛性膜と、
前記低剛性膜上に設けられており、且つ第1電極膜及び第2電極膜を含む薄膜素子部と、
を備え、
請求項1又は2に記載の製造方法により製造された薄膜素子。 - 前記薄膜素子部が、前記第1電極膜及び前記第2電極膜の間に電圧を印加することで伸縮変形駆動可能である請求項3に記載の薄膜素子。
- 記録媒体に対して記録又は再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダが搭載されたサスペンションと、
前記ヘッドスライダを前記サスペンションに対して相対的に変位させる薄膜素子と、
を備え、
前記薄膜素子が、請求項1又は2に記載の製造方法により製造された薄膜素子であるヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項5に記載のヘッドジンバルアセンブリを備えるハードディスクドライブ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009217533A JP5085623B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ |
CN2010102931156A CN102024460B (zh) | 2009-09-18 | 2010-09-20 | 薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009217533A JP5085623B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011066321A true JP2011066321A (ja) | 2011-03-31 |
JP5085623B2 JP5085623B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=43865672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009217533A Expired - Fee Related JP5085623B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5085623B2 (ja) |
CN (1) | CN102024460B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014225317A (ja) * | 2013-05-03 | 2014-12-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | マイクロアクチュエータおよびディスクドライブ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179282A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにこれを用いたアクチュエータ装置 |
JP2004260176A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Palo Alto Research Center Inc | テープおよびその製造方法 |
JP2004289143A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにアクチュエータ |
JP2005160180A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電アクチュエータ素子およびその製造方法 |
JP2005243174A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Tdk Corp | 薄膜圧電体素子の接着方法 |
JP2007048954A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Fujikura Ltd | 複合多層プリント配線板 |
JP2009177302A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 超音波探触子およびそれを用いる超音波診断装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6931700B2 (en) * | 2001-10-02 | 2005-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film piezoelectric elements |
JP2006295033A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイス及び電子機器 |
-
2009
- 2009-09-18 JP JP2009217533A patent/JP5085623B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-20 CN CN2010102931156A patent/CN102024460B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179282A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにこれを用いたアクチュエータ装置 |
JP2004260176A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Palo Alto Research Center Inc | テープおよびその製造方法 |
JP2004289143A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにアクチュエータ |
JP2005160180A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電アクチュエータ素子およびその製造方法 |
JP2005243174A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Tdk Corp | 薄膜圧電体素子の接着方法 |
JP2007048954A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Fujikura Ltd | 複合多層プリント配線板 |
JP2009177302A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 超音波探触子およびそれを用いる超音波診断装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014225317A (ja) * | 2013-05-03 | 2014-12-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | マイクロアクチュエータおよびディスクドライブ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102024460B (zh) | 2012-08-22 |
JP5085623B2 (ja) | 2012-11-28 |
CN102024460A (zh) | 2011-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4897767B2 (ja) | 薄膜圧電体素子及びその製造方法並びにそれを用いたヘッドジンバルアセンブリ、及びそのヘッドジンバルアセンブリを用いたハードディスクドライブ | |
US6362542B1 (en) | Piezoelectric microactuator for precise head positioning | |
JP3611198B2 (ja) | アクチュエータとこれを用いた情報記録再生装置 | |
US8264797B2 (en) | Head gimbal assembly having a radial rotary piezoelectric microactuator between a read head and a flexure tongue | |
JP3501758B2 (ja) | 記録/再生ヘッド支持機構および記録/再生装置 | |
US8089732B2 (en) | Thin film piezoelectric element and its manufacturing method, head gimbal assembly and disk drive unit with the same | |
US7183696B2 (en) | Thin film piezoelectric element, suspension assembly, and hard disk drive | |
US20050195531A1 (en) | Suspension assembly, hard disk drive, and method of manufacturing suspension assembly | |
US6931700B2 (en) | Method of manufacturing thin film piezoelectric elements | |
JP4904656B2 (ja) | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 | |
JP6387289B2 (ja) | 薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにそれを有するヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、インクジェットヘッド、可変焦点レンズおよびセンサ | |
US20040125508A1 (en) | Method and apparatus for forming a plurality of actuation devices on suspension structures for hard disk drive suspension | |
JP5085623B2 (ja) | 薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ | |
US8330330B2 (en) | Piezoelectric actuator and method of manufacturing the same | |
WO2000030081A1 (fr) | Mecanisme de support de tete d'enregistrement/lecture et appareil d'enregistrement/lecture | |
US20090080119A1 (en) | Head slider, and method for manufacturing head slider | |
JP5592289B2 (ja) | 圧電素子及びその製造方法並びにその圧電素子を搭載したヘッドジンバルアセンブリ | |
JP4071203B2 (ja) | 薄膜圧電体素子の接着方法 | |
JP4220162B2 (ja) | 薄膜圧電体素子とその製造方法およびハードディスクドライブ用薄膜圧電体素子 | |
JP2005160180A (ja) | 圧電アクチュエータ素子およびその製造方法 | |
JP3947488B2 (ja) | アクチュエータ、及びスライダユニット | |
JP4581447B2 (ja) | 薄膜圧電体素子の製造方法及びサスペンションの製造方法 | |
JP2009093777A (ja) | ヘッドスライダ、ヘッドスライダの製造方法、及び記憶装置 | |
JP2005149679A (ja) | アクチュエータ及びその製造方法 | |
JP2004047077A (ja) | 記録/再生ヘッド支持機構および記録/再生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120125 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120718 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |