JP2010232533A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機半導体からなる薄膜28が形成されている基板26に中性粒子ビームを照射することによってエッチングを行なうエッチング方法であり、中性粒子ビームは酸素からなることが好ましく、有機半導体はアセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレンまたはフラーレン誘導体のいずれかであることが好ましい。
【選択図】図1
Description
有機薄膜28は、例えば、真空蒸着により基板に有機半導体層を形成する方法、適当な溶媒中に有機半導体を溶解させた溶液を基板に塗布して有機半導体層を形成する方法等で形成することができる。基板としては、ガラス板やシリコンウェハなどを用いることができる。
ガス導入後の真空度としては、0.01〜10Paの範囲が好ましく、0.05〜2Paの範囲がより好ましい。また、ガスとしては、エッチングの効率性の観点からO2ガスが好ましい。
なお、実際には、当該薄膜状には所定パターンを有するマスクが設けられており、そのマスクを介してエッチングが行なわれる。
基板として、酸化膜絶縁層(厚さ300nm)を有するシリコンウェハを以下の工程(1)〜(5)を順次経て洗浄し、酸化膜絶縁層表面の有機物を除去したものを用いた。
(1)アセトンを用いての超音波洗浄(10分間)
(2)イソプロパノールを用いての超音波洗浄(10分間)
(3)イソプロパノールで煮沸洗浄(10分間)
(4)窒素ブローによる乾燥
(5)紫外線オゾン処理
プラズマガス圧.:0.1Pa
基板温度:6℃
プラズマ出力:1000W
中性粒子ビームのエネルギー:10eV
薄膜表面とメッシュ電極間の距離:30mm
なお、図2及び図3中、円形部分及び長方形部分がエッチングされた箇所である。
白色光源(浜松ホトニクス社製、E7536)から得られた光を分光器(浜松ホトニクス社製 A10080−01)を介して波長337nmの単色光とし、ファイバーを通し、積分球(Labsphere Co.社製、「IS−C060」)内の試料に照射した。この光を励起光とし得られたすべての発光をマルチチャンネル分光器で集光・検出し、発光強度を測定した。得られた発光強度を用いて、以下の式から蛍光量子効率(ηPL)を算出した。百分率で表した蛍光量子効率(Q.E)を表1に示す。
プラズマガス圧を変えて、中性粒子ビームのエネルギーを下記表1の通りとした以外は、実施例1と同様にしてBSB−Czの薄膜を形成した。プラズマガス圧が0.43Paの時、中性粒子ビームのエネルギーが2.5eV、プラズマガス圧が0.53Paの時、中性粒子ビームのエネルギーが1eVである。これらについて実施例1と同様な評価を行ったところ、マスクのパターン形状によらず、当該パターン通りにエッチングされていることが確認できた。また、蛍光量子効率は下記表1の通りであった。
なお、実施例4,5は照射方法をパルスとしたが、当該パルスの周波数は共に、10kHzとした。
中性粒子ビームによる処理の代わりに下記条件での酸素プラズマ処理を行なったところ、有機物がアッシングしてしまい、BSB−Czの表面に所定のエッチングパターンを形成することはできなかった。
プラズマガス圧:0.1Pa
プラズマ出力:1kW
プラズマ処理時間:1分間
12・・・ビーム生成室
14・・・処理室
16・・・コイル
18A・・・電極
18B・・・メッシュ電極
20・・・ガス導入口
22・・・孔
24・・・被処理物
26・・・基板
28・・・有機薄膜
Claims (3)
- 有機半導体からなる薄膜に中性粒子ビームを照射することによってエッチングを行なうエッチング方法。
- 前記中性粒子ビームが酸素からなる請求項1に記載のエッチング方法。
- 有機半導体が、アセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレンまたはフラーレン誘導体のいずれかである請求項1又は2に記載のエッチング方法。
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WO2020039708A1 (ja) | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Citations (2)
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JP2002289585A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Ebara Corp | 中性粒子ビーム処理装置 |
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- 2009-03-27 JP JP2009080209A patent/JP2010232533A/ja active Pending
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