JP2010219482A - 荷電粒子ビーム描画方法および装置 - Google Patents

Abstract

【課題】サブフィールドのサイズを大きくする。
【解決手段】荷電粒子銃10a1aから照射された荷電粒子ビーム10a1bが透過せしめられる開口10a1l'を有する第１成形アパーチャ10a1lと、第１成形アパーチャ10a1lの開口10a1l'を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bが透過せしめられる開口10a1m'を有する第２成形アパーチャ10a1mと、第２成形アパーチャ10a1mの開口10a1m'を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bによって描画データDに含まれる図形に対応するパターンが描画される試料Mが載置される可動ステージ10a2aとを具備する荷電粒子ビーム描画装置において、第２成形アパーチャ10a1mの開口10a1m'のうち、どの部分を透過せしめられた荷電粒子ビーム10a1bによって描画されるパターンに対応する図形であるかに基づいて、描画データDに含まれる図形の位置を描画データ上で移動させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに基づき、可動ステージに載置された試料上に荷電粒子ビームによってパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法および装置に関する。

従来から、荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに含まれる図形に対応するパターンが、第１成形アパーチャの開口を透過せしめられ、かつ、第２成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームによって、可動ステージに載置された試料上に描画される荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８）などに記載されたものがある。

特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子銃と、荷電粒子銃から照射された荷電粒子ビームが透過せしめられる開口を有する第１成形アパーチャと、第１成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームが透過せしめられる開口を有する第２成形アパーチャと、第２成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームによって、描画データに含まれる図形に対応するパターンが描画される試料が載置される可動ステージとが設けられている。

特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８

ところで、特許文献１に記載されたような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビームが第２成形アパーチャの開口を透過せしめられる位置に応じて生ずる試料上における荷電粒子ビームの位置ずれを相殺するために、副偏向器による振り戻し（オフセット）処理が実行されている。そのため、特許文献１に記載されたような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、サブフィールドのサイズを、限界領域（歪みなどが生じない程度に最大限に副偏向器によって荷電粒子ビームを偏向可能な領域）より小さい領域のサイズに対応させて設定せざるを得ない。その結果、特許文献１に記載されたような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、スループットを十分に向上させることができない。

上述した問題点に鑑み、本発明は、サブフィールドのサイズを大きくすることにより、スループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画方法および装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに含まれる図形に対応するパターンが、第１成形アパーチャの開口を透過せしめられ、かつ、第２成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームによって、可動ステージに載置された試料上に描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
第２成形アパーチャの開口のうち、どの部分を透過せしめられた荷電粒子ビームによって描画されるパターンに対応する図形であるかに基づいて、描画データに含まれる図形の位置を描画データ上で移動させる描画データ修正処理を実行することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。

好ましくは、第１サブフィールドと第２サブフィールドとの境界付近に位置し、描画データ修正処理の実行によって所属するサブフィールドが第１サブフィールドから第２サブフィールドに変更される可能性がある図形、および、第１サブフィールドと第２サブフィールドとの境界付近に位置し、描画データ修正処理の実行によって所属するサブフィールドが第２サブフィールドから第１サブフィールドに変更される可能性がある図形が、サブフィールド切り抜き部における処理の段階では、第１サブフィールドに関する描画データと、第２サブフィールドに関する描画データとに重複して含められ、次いで、所属判定部における処理の段階では、第１サブフィールドに関する描画データおよび第２サブフィールドに関する描画データのいずれか一方にのみ含められる。

また、好ましくは、第１サブフィールドに所属する図形に対応するパターンの描画データの処理が実行された後に第２サブフィールドに所属する図形に対応するパターンの描画データの処理が実行されるように描画データの処理順序が設定され、更に、描画データ修正処理の実行によって、第１サブフィールドと第２サブフィールドとの境界付近に位置する図形が所属するサブフィールドが第１サブフィールドから第２サブフィールドに変更される可能性があり、かつ、描画データ修正処理の実行によって、第１サブフィールドと第２サブフィールドとの境界付近に位置する図形が所属するサブフィールドが第２サブフィールドから第１サブフィールドに変更される可能性がないように、第２成形アパーチャの開口が配置される（つまり、第２成形アパーチャ上の基準点の位置が設定される）。

本発明の別の一態様によれば、荷電粒子銃と、
荷電粒子銃から照射された荷電粒子ビームが透過せしめられる開口を有する第１成形アパーチャと、
第１成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームが透過せしめられる開口を有する第２成形アパーチャと、
第２成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームによって、描画データに含まれる図形に対応するパターンが描画される試料が載置される可動ステージと、
第２成形アパーチャの開口のうち、どの部分を透過せしめられた荷電粒子ビームによって描画されるパターンに対応する図形であるかに基づいて、描画データに含まれる図形の位置を描画データ上で移動させる描画データ修正処理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

好ましくは、描画データ修正処理部による描画データ修正処理が実行された後に、荷電粒子ビームによる描画が行われる試料上の領域を複数のサブフィールドに仮想分割することにより、描画データ修正処理後の描画データに含まれる複数の図形を複数のサブフィールドのいずれかに所属させるサブフィールド切り抜き部が設けられている。

本発明によれば、サブフィールドのサイズを大きくすることにより、スループットを向上させることができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。 図１に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。 描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の試料Ｍ上において生じる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの位置ずれについて説明するための図である。 図７（Ｂ）に示すＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’，Δｘ２’，Δｘ３’，Δｘ４’およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’，Δｙ２’，Δｙ３’，Δｙ４’を相殺するために従来の荷電粒子ビーム描画装置において実行される振り戻し（オフセット）処理について説明するための図である。 荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを副偏向器１０ａ１ｆによって偏向することができる限界領域Ａａ，Ａｂ，Ａｃ，Ａｄ，Ａｅについて説明するための図である。 荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを副偏向器１０ａ１ｆによって偏向することができる限界領域Ａａ，Ａｂ，Ａｃ，Ａｄ，Ａｅについて説明するための図である。 荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを副偏向器１０ａ１ｆによって偏向することができる限界領域Ａａ，Ａｂ，Ａｃ，Ａｄ，Ａｅについて説明するための図である。 仮に限界領域Ａａｍの４隅に第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によってパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４を描画する場合を示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４を描画する一例を示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４を描画する一例を示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４を描画する一例を示した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４を描画する一例を示した図である。 図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細を示した図である。 １個のサブフィールドＳＦｍを９個の領域ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８，ｍ９に分割した図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０におけるサブフィールドＳＦｍなどのデータの処理方法を示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の試料Ｍ上において生じる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの位置ずれについて説明するための図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の試料Ｍ上において生じる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの位置ずれについて説明するための図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４を描画する一例を示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４を描画する一例を示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４を描画する一例を示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４を描画する一例を示した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４を描画する一例を示した図である。 １個のサブフィールドＳＦｍを４個の領域ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４に分割した図である。 第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０におけるサブフィールドＳＦｍなどのデータの処理方法を示した図である。 第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細を示した図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えばマスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、例えば試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１の左右方向）およびＹ方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、例えば荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのビーム照射時間を制御することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図２は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図２（Ａ）参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの全部または一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定のビーム照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図２（Ａ）参照）を試料Ｍ上に描画することができる。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２（Ａ）に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを制御することにより、例えば、図２（Ｂ）に示すような最大サイズの概略正方形のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも小さい図２（Ｃ）、図２（Ｄ）および図２（Ｅ）に示すような概略矩形（正方形または長方形）のパターンＰ、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも小さい図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２（Ｈ）および図２（Ｉ）に示すような概略三角形のパターンＰなどを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。

図１に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を他のフォーマットに変換しようとすると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、描画データＤのデータ量の圧縮化が図られている。

図３は図１に示す描画データＤの一例を概略的に示した図である。図３に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１参照）が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。

詳細には、図３に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）のチップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、描画データＤのフレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、描画データＤのフレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、描画データＤのブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，ＢＬ１０，ＢＬ２０，ＢＬ３０，ＢＬ４０，ＢＬ５０，ＢＬ０１，ＢＬ１１，ＢＬ２１，ＢＬ３１，ＢＬ４１，ＢＬ５１，ＢＬ０２，ＢＬ１２，ＢＬ２２，ＢＬ３２，ＢＬ４２，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、描画データＤのブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、描画データＤのセル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，・・に対応している。また、例えば、描画データＤのセル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、描画データＤの図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形階層ＦＧ（図３参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）に対応するパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。

図４は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図４に示す例では、例えば、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３と呼ばれる帯状の仮想領域が試料Ｍに設定されている。

図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ１内をＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ２内をＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ３内をＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって走査され、描画データＤ（図１参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３内に描画される。

詳細には、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２（図４参照）内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａがＹ軸のプラス側（図４の上側）からマイナス側（図４の下側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

次いで、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａがＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３（図４参照）内にパターンが描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａがＹ軸のプラス側（図４の上側）からマイナス側（図４の下側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

次いで、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａがＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって移動するように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

図５は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・に対応するパターンＰ１，Ｐ２，・・が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。

図５に示す例では、例えば、試料Ｍ（図４参照）のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３（図４参照）内の領域が、サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図５に示す例では、例えば、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ内に照射されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ２が描画されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ２を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｎ内のすべてのパターンＰ１，Ｐ２，・・の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがサブフィールドＳＦｎ＋１内に照射されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１１が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１１を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによるパターンＰ１１の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってパターンＰ１２が描画されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、図５に示す例では、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１２を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

図６は描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を示した図である。詳細には、図６は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において描画データＤに含まれる図形ＦＧ１に対応するパターンＰ１を荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上に描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショット数の一例を説明するための図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１（図５参照）が、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、図６に示すように、複数回の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが行われる。換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１（図５参照）が、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）よりも大きい場合などに、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）において、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）が、パターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅ，Ｐ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉに対応する複数の小さい図形（図示せず）に描画データ上で分割される。この分割処理が、一般に、「ショット分割」、「図形分割」などと呼ばれている。

詳細には、図６に示す例では、例えば、まず最初に、図６（Ａ）に示すように、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ａが試料Ｍ上に描画される。

更に詳細には、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）をサブフィールドＳＦｎ（図５参照）に位置決めするための主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると（主偏向器１０ａ１ｅのセトリング時間が経過すると）、１回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ａ（図６（Ａ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ａを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｂ）に示すように、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｂが試料Ｍ上に描画される。

詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ａ（図６（Ａ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、２回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｂ（図６（Ｂ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｂ（図６（Ｂ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｂを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ｂ（図６（Ｂ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｃ）に示すように、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｃが試料Ｍ上に描画される。

詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｂ（図６（Ｂ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、３回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｃ（図６（Ｃ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｃ（図６（Ｃ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｃを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ｃ（図６（Ｃ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｄ）に示すように、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｄが試料Ｍ上に描画される。

詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｃ（図６（Ｃ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、４回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｄ（図６（Ｄ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｄ（図６（Ｄ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｄを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ｄ（図６（Ｄ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｅ）に示すように、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）と同一形状のパターンＰ１ｅが試料Ｍ上に描画される。

詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｄ（図６（Ｄ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、５回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｅ（図６（Ｅ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｅ（図６（Ｅ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｅを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ｅ（図６（Ｅ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｆ）に示すように、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｆが試料Ｍ上に描画される。

詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｅ（図６（Ｅ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、６回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｆ（図６（Ｆ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｆ（図６（Ｆ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｆを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ｆ（図６（Ｆ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｇ）に示すように、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｇが試料Ｍ上に描画される。

詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｆ（図６（Ｆ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、７回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｇ（図６（Ｇ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｇ（図６（Ｇ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｇを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ｇ（図６（Ｇ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｈ）に示すように、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｈが試料Ｍ上に描画される。

詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｇ（図６（Ｇ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、８回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｈ（図６（Ｈ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｈ（図６（Ｈ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｈを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ｈ（図６（Ｈ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

次いで、図６に示す例では、例えば、図６（Ｉ）に示すように、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットにより、最大サイズのパターンＰ（図２（Ｂ）参照）より小さいパターンＰ１ｉが試料Ｍ上に描画される。

詳細には、図６に示す例では、例えば、パターンＰ１ｈ（図６（Ｈ）参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の照射を停止させるためのブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）の制御が完了すると、９回目の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットによってパターンＰ１ｉ（図６（Ｉ）参照）が描画されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｉ（図６（Ｉ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のショットが開始されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。また、例えば、副偏向器１０ａ１ｆの制御が完了した時（副偏向器１０ａ１ｆのセトリング時間が経過した時）にパターンＰ１ｉを描画するための水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが照射されるように、描画データＤに基づき制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御される。

次いで、例えば、パターンＰ１ｉ（図６（Ｉ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）のビーム照射時間が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射が停止されるように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。

その結果、図６に示す例では、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図６（Ａ）〜図６（Ｉ）に示すように、描画データＤ（図１参照）に含まれる図形ＦＧ１（図３参照）に対応するパターンＰ１が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。

更に詳細には、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内に例えばパターンＰ１（図５および図６参照）などの多数のパターンが描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のプラス側（図４の右側）からマイナス側（図４の左側）に向かって等速で移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。他の例では、ストライプＳＴＲ２内のうち、パターンの密度が高い部分における描画が実行されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１を参照）を低速で移動させ、パターンの密度が低い部分における描画が実行されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１を参照）を高速で移動させることも可能である。

また、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に多数のパターン（図示せず）が描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって等速で移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。同様に、他の例では、ストライプＳＴＲ１内のうち、パターンの密度が高い部分における描画が実行されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１を参照）を低速で移動させ、パターンの密度が低い部分における描画が実行されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１を参照）を高速で移動させることも可能である。

更に、図４に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３内に多数のパターン（図示せず）が描画されている期間中、例えば、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）がＸ軸のマイナス側（図４の左側）からプラス側（図４の右側）に向かって等速で移動するように、描画データＤ（図１参照）に基づき制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。同様に、他の例では、ストライプＳＴＲ３内のうち、パターンの密度が高い部分における描画が実行されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１を参照）を低速で移動させ、パターンの密度が低い部分における描画が実行されている時に可動ステージ１０ａ２ａ（図１を参照）を高速で移動させることも可能である。

図７は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の試料Ｍ上において生じる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの位置ずれについて説明するための図である。図７に示す例では、例えば、図７（Ａ）に点Ｏで示す位置に基準点が設定されている。つまり、図７に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向されない場合に、概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１によって、試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上の図７（Ｂ）に示す位置に概略正方形のパターンＰａが描画される。実際には、試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に矩形（正方形および長方形）のパターン（図示せず）を描画する場合には、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左下部分１０ａ１ｍ３’（図７（Ａ）参照）の左下端部を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が用いられる。

更に、図７に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図７（Ａ）の右側）にΔｘ１だけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図７（Ａ）の上側）にΔｙ１だけ偏向される場合に、概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右上部分１０ａ１ｍ１’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’の右上部分１０ａ１ｍ１’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２によって、試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上のうち、パターンＰａ（図７（Ｂ）参照）をＸ軸のプラス側（図７（Ｂ）の右側）にΔｘ１’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のプラス側（図７（Ｂ）の上側）にΔｙ１’だけ位置ずれした位置に概略三角形のパターンＰｂ（図７（Ｂ）参照）が描画される。

つまり、図７に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右上部分１０ａ１ｍ１’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画されるパターンＰｂ（図７（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’の基準点Ｏ（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ上に描画されるパターンＰａ（図７（Ｂ）参照）に対してＸ軸のプラス側（図７（Ｂ）の右側）かつＹ軸のプラス側（図７（Ｂ）の上側）にずれた位置に配置されることになる。

また、図７に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図７（Ａ）の左側）にΔｘ２だけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図７（Ａ）の上側）にΔｙ２だけ偏向される場合に、概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左上部分１０ａ１ｍ２’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’の左上部分１０ａ１ｍ２’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３によって、試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上のうち、パターンＰａ（図７（Ｂ）参照）をＸ軸のマイナス側（図７（Ｂ）の左側）にΔｘ２’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のプラス側（図７（Ｂ）の上側）にΔｙ２’だけ位置ずれした位置に概略三角形のパターンＰｃ（図７（Ｂ）参照）が描画される。

つまり、図７に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左上部分１０ａ１ｍ２’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画されるパターンＰｃ（図７（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の基準点Ｏ（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画されるパターンＰａ（図７（Ｂ）参照）に対してＸ軸のマイナス側（図７（Ｂ）の左側）かつＹ軸のプラス側（図７（Ｂ）の上側）にずれた位置に配置されることになる。

更に、図７に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図７（Ａ）の左側）にΔｘ３だけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図７（Ａ）の下側）にΔｙ３だけ偏向される場合に、概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左下部分１０ａ１ｍ３’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’の左下部分１０ａ１ｍ３’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４によって、試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上のうち、パターンＰａ（図７（Ｂ）参照）をＸ軸のマイナス側（図７（Ｂ）の左側）にΔｘ３’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のマイナス側（図７（Ｂ）の下側）にΔｙ３’だけ位置ずれした位置に概略三角形のパターンＰｄ（図７（Ｂ）参照）が描画される。

つまり、図７に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左下部分１０ａ１ｍ３’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画されるパターンＰｄ（図７（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の基準点Ｏ（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画されるパターンＰａ（図７（Ｂ）参照）に対してＸ軸のマイナス側（図７（Ｂ）の左側）かつＹ軸のマイナス側（図７（Ｂ）の下側）にずれた位置に配置されることになる。

また、図７に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図７（Ａ）の右側）にΔｘ４だけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図７（Ａ）の下側）にΔｙ４だけ偏向される場合に、概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右下部分１０ａ１ｍ４’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’の右下部分１０ａ１ｍ４’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５によって、試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上のうち、パターンＰａ（図７（Ｂ）参照）をＸ軸のプラス側（図７（Ｂ）の右側）にΔｘ４’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のマイナス側（図７（Ｂ）の下側）にΔｙ４’だけ位置ずれした位置に概略三角形のパターンＰｅ（図７（Ｂ）参照）が描画される。

つまり、図７に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右下部分１０ａ１ｍ４’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画されるパターンＰｅ（図７（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の基準点Ｏ（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画されるパターンＰａ（図７（Ｂ）参照）に対してＸ軸のプラス側（図７（Ｂ）の右側）かつＹ軸のマイナス側（図７（Ｂ）の下側）にずれた位置に配置されることになる。

図８は図７（Ｂ）に示すＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’，Δｘ２’，Δｘ３’，Δｘ４’およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’，Δｙ２’，Δｙ３’，Δｙ４’を相殺するために従来の荷電粒子ビーム描画装置において実行される振り戻し（オフセット）処理について説明するための図である。

例えば特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右上部分１０ａ１ｍ１’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によってパターンＰｂ（図７（Ｂ）参照）を試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画する時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図７（Ｂ）参照）を相殺するために、図８（Ａ）に矢印で示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）が副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって、Ｘ軸のマイナス側（図８（Ａ）の左側）かつＹ軸のマイナス側（図８（Ａ）の下側）に偏向される。その結果、図８（Ａ）に示すように、試料Ｍ上の目標位置（位置ずれΔｘ１’，Δｙ１’が相殺された位置）にパターンＰｂ’が描画される。

また、例えば特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左上部分１０ａ１ｍ２’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によってパターンＰｃ（図７（Ｂ）参照）を試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画する時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図７（Ｂ）参照）を相殺するために、図８（Ｂ）に矢印で示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）が副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって、Ｘ軸のプラス側（図８（Ｂ）の右側）かつＹ軸のマイナス側（図８（Ｂ）の下側）に偏向される。その結果、図８（Ｂ）に示すように、試料Ｍ上の目標位置（位置ずれΔｘ２’，Δｙ２’が相殺された位置）にパターンＰｃ’が描画される。

更に、例えば特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左下部分１０ａ１ｍ３’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によってパターンＰｄ（図７（Ｂ）参照）を試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画する時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図７（Ｂ）参照）を相殺するために、図８（Ｃ）に矢印で示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）が副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって、Ｘ軸のプラス側（図８（Ｃ）の右側）かつＹ軸のプラス側（図８（Ｃ）の上側）に偏向される。その結果、図８（Ｃ）に示すように、試料Ｍ上の目標位置（位置ずれΔｘ３’，Δｙ３’が相殺された位置）にパターンＰｄ’が描画される。

また、例えば特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右下部分１０ａ１ｍ４’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によってパターンＰｅ（図７（Ｂ）参照）を試料Ｍ（図７（Ｂ）参照）上に描画する時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図７（Ｂ）参照）を相殺するために、図８（Ｄ）に矢印で示すように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）が副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって、Ｘ軸のマイナス側（図８（Ｄ）の左側）かつＹ軸のプラス側（図８（Ｄ）の上側）に偏向される。その結果、図８（Ｄ）に示すように、試料Ｍ上の目標位置（位置ずれΔｘ４’，Δｙ４’が相殺された位置）にパターンＰｅ’が描画される。

図９〜図１１は荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを副偏向器１０ａ１ｆによって偏向することができる限界領域Ａａ，Ａｂ，Ａｃ，Ａｄ，Ａｅについて説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向されない場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ａ）参照）上の図９（Ａ）に示す位置に概略正方形のパターンＰａが描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、仮に、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図９（Ａ）の右側）に最大限に（パターンＰａ１（図９（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図９（Ａ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ａ）参照）上の図９（Ａ）に示す位置に概略正方形のパターンＰａ１が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、仮に、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図９（Ａ）の左側）に最大限に（パターンＰａ２（図９（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図９（Ａ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ａ）参照）上の図９（Ａ）に示す位置に概略正方形のパターンＰａ２が描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、仮に、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図９（Ａ）の左側）に最大限に（パターンＰａ３（図９（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図９（Ａ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ａ）参照）上の図９（Ａ）に示す位置に概略正方形のパターンＰａ３が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、仮に、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図９（Ａ）の右側）に最大限に（パターンＰａ４（図９（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図９（Ａ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ａ）参照）上の図９（Ａ）に示す位置に概略正方形のパターンＰａ４が描画される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）を副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向することができる限界領域が、図９（Ａ）に示す領域Ａａになる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向されない場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ｂ）参照）上の図９（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｂが描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図９（Ｂ）の右側）に最大限に（パターンＰｂ１（図９（Ｂ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図９（Ｂ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ｂ）参照）上の図９（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｂ１が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図９（Ｂ）の左側）に最大限に（パターンＰｂ２（図９（Ｂ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図９（Ｂ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ｂ）参照）上の図９（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｂ２が描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図９（Ｂ）の左側）に最大限に（パターンＰｂ３（図９（Ｂ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図９（Ｂ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ｂ）参照）上の図９（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｂ３が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図９（Ｂ）の右側）に最大限に（パターンＰｂ４（図９（Ｂ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図９（Ｂ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図９（Ｂ）参照）上の図９（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｂ４が描画される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）を副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向することができる限界領域が、図９（Ｂ）に示す領域Ａｂになる。

すなわち、従来の荷電粒子ビーム描画装置において実行される図８に示すような振り戻し処理では、パターンＰｂ（図９（Ｂ）参照）をパターンＰａ（図９（Ｂ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｂ１（図９（Ｂ）参照）をパターンＰａ１（図９（Ｂ）参照）の位置に振り戻したりすることはできるもの、パターンＰｂ２（図９（Ｂ）参照）をパターンＰａ２（図９（Ｂ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｂ３（図９（Ｂ）参照）をパターンＰａ３（図９（Ｂ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｂ４（図９（Ｂ）参照）をパターンＰａ４（図９（Ｂ）参照）の位置に振り戻したりすることはできない。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向されない場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ａ）参照）上の図１０（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｃが描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図１０（Ａ）の右側）に最大限に（パターンＰｃ１（図１０（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図１０（Ａ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ａ）参照）上の図１０（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｃ１が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図１０（Ａ）の左側）に最大限に（パターンＰｃ２（図１０（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図１０（Ａ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ａ）参照）上の図１０（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｃ２が描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図１０（Ａ）の左側）に最大限に（パターンＰｃ３（図１０（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図１０（Ａ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ａ）参照）上の図１０（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｃ３が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図１０（Ａ）の右側）に最大限に（パターンＰｃ４（図１０（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図１０（Ａ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ａ）参照）上の図１０（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｃ４が描画される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）を副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向することができる限界領域が、図１０（Ａ）に示す領域Ａｃになる。

すなわち、従来の荷電粒子ビーム描画装置において実行される図８に示すような振り戻し処理では、パターンＰｃ（図１０（Ａ）参照）をパターンＰａ（図１０（Ａ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｃ２（図１０（Ａ）参照）をパターンＰａ２（図１０（Ａ）参照）の位置に振り戻したりすることはできるもの、パターンＰｃ１（図１０（Ａ）参照）をパターンＰａ１（図１０（Ａ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｃ３（図１０（Ａ）参照）をパターンＰａ３（図１０（Ａ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｃ４（図１０（Ａ）参照）をパターンＰａ４（図１０（Ａ）参照）の位置に振り戻したりすることはできない。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向されない場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ｂ）参照）上の図１０（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｄが描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図１０（Ｂ）の右側）に最大限に（パターンＰｄ１（図１０（Ｂ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図１０（Ｂ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ｂ）参照）上の図１０（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｄ１が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図１０（Ｂ）の左側）に最大限に（パターンＰｄ２（図１０（Ｂ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図１０（Ｂ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ｂ）参照）上の図１０（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｄ２が描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図１０（Ｂ）の左側）に最大限に（パターンＰｄ３（図１０（Ｂ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図１０（Ｂ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ｂ）参照）上の図１０（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｄ３が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図１０（Ｂ）の右側）に最大限に（パターンＰｄ４（図１０（Ｂ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図１０（Ｂ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１０（Ｂ）参照）上の図１０（Ｂ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｄ４が描画される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）を副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向することができる限界領域が、図１０（Ｂ）に示す領域Ａｄになる。

すなわち、従来の荷電粒子ビーム描画装置において実行される図８に示すような振り戻し処理では、パターンＰｄ（図１０（Ｂ）参照）をパターンＰａ（図１０（Ｂ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｄ３（図１０（Ｂ）参照）をパターンＰａ３（図１０（Ｂ）参照）の位置に振り戻したりすることはできるもの、パターンＰｄ１（図１０（Ｂ）参照）をパターンＰａ１（図１０（Ｂ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｄ２（図１０（Ｂ）参照）をパターンＰａ２（図１０（Ｂ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｄ４（図１０（Ｂ）参照）をパターンＰａ４（図１０（Ｂ）参照）の位置に振り戻したりすることはできない。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向されない場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１１（Ａ）参照）上の図１１（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｅが描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図１１（Ａ）の右側）に最大限に（パターンＰｅ１（図１１（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図１１（Ａ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１１（Ａ）参照）上の図１１（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｅ１が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図１１（Ａ）の左側）に最大限に（パターンＰｅ２（図１１（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のプラス側（図１１（Ａ）の上側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１１（Ａ）参照）上の図１１（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｅ２が描画される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図１１（Ａ）の左側）に最大限に（パターンＰｅ３（図１１（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図１１（Ａ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１１（Ａ）参照）上の図１１（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｅ３が描画される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）が、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によってＸ軸のプラス側（図１１（Ａ）の右側）に最大限に（パターンＰｅ４（図１１（Ａ）参照）に歪みなどが生じない程度に最大限に）Δｘｍａｘだけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図１１（Ａ）の下側）に最大限にΔｙｍａｘだけ偏向される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１１（Ａ）参照）上の図１１（Ａ）に示す位置に概略三角形のパターンＰｅ４が描画される。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０および従来の荷電粒子ビーム描画装置では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）を副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって偏向することができる限界領域が、図１１（Ａ）に示す領域Ａｅになる。

すなわち、従来の荷電粒子ビーム描画装置において実行される図８に示すような振り戻し処理では、パターンＰｅ（図１１（Ａ）参照）をパターンＰａ（図１１（Ａ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｅ４（図１１（Ａ）参照）をパターンＰａ４（図１１（Ａ）参照）の位置に振り戻したりすることはできるもの、パターンＰｅ１（図１１（Ａ）参照）をパターンＰａ１（図１１（Ａ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｅ２（図１１（Ａ）参照）をパターンＰａ２（図１１（Ａ）参照）の位置に振り戻したり、パターンＰｅ３（図１１（Ａ）参照）をパターンＰａ３（図１１（Ａ）参照）の位置に振り戻したりすることはできない。

上述した点に鑑み、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、領域Ａａ（図１１（Ｂ）参照）のサイズに基づいてサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）のサイズが設定されるのではなく、領域Ａａ（図１１（Ｂ）参照）よりも小さい領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）のサイズに基づいてサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）のサイズが設定されている。詳細には、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）は、領域Ａａ（図１１（Ｂ）参照）と領域Ａｂ（図９（Ｂ）参照）と領域Ａｃ（図１０（Ａ）参照）と領域Ａｄ（図１０（Ｂ）参照）と領域Ａｅ（図１１（Ａ）参照）との重複領域によって構成されている。

すなわち、例えば特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図８に示すような振り戻し処理が実行されるため、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）によって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照））を最大限に偏向することができる限界領域Ａａ（図１１（Ｂ）参照）のサイズに基づいてサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）のサイズが設定されるのではなく、領域Ａａ（図１１（Ｂ）参照）よりも小さい領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）のサイズに基づいてサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）のサイズを設定せざるを得なかった。

その結果、例えば特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、個々のサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）のサイズが小さくなるのに伴って、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３（図４参照）に含まれるサブフィールドサブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）の数が多くなってしまう。そのため、例えば特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、試料Ｍ（図１参照）に対して荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によりパターンが描画されている時における主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）のセトリングの回数が多くなってしまい、スループットを十分に向上させることができなかった。

本発明は、この問題点に鑑みてなされたものであり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５参照）のサイズが、従来の荷電粒子ビーム描画装置のように限界領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）のサイズに基づいて設定されるのではなく、限界領域Ａａ（図１１（Ｂ）参照）のサイズに基づいて設定されている。

図１２は仮に限界領域Ａａｍの４隅に第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によってパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４を描画する場合を示した図である。図１３〜図１６は図７に示すＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’，Δｘ２’，Δｘ３’，Δｘ４’およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’，Δｙ２’，Δｙ３’，Δｙ４’を第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって相殺する手法を説明するための図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、試料Ｍ（図１２（Ａ）参照）上の領域Ａａｍ（図１２（Ａ）参照）のサイズに対応するサイズを有するサブフィールドＳＦｍ（図１２（Ｂ）参照）が制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって描画データ上で設定される。同様に、試料Ｍ（図１２（Ａ）参照）上の領域Ａａｌ−１，Ａａｌ，Ａａｌ＋１，・・，Ａａｍ−１，Ａａｍ＋１，・・，Ａａｎ−１，Ａａｎ，Ａａｎ＋１，・・（図１２（Ａ）参照）のサイズに対応するサイズを有するサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図１２（Ｂ）参照）が制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって描画データ上で設定される。

更に、図１２に示す例では、サブフィールドＳＦｍ（図１２（Ｂ）参照）内の図形ＦＧａ１，ＦＧａ２，ＦＧａ３，ＦＧａ４（図１２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４（図１２（Ａ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって、試料Ｍ（図１２（Ａ）参照）の限界領域Ａａｍ（図１２（Ａ）参照）の４隅に描画される。

図７に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰａ（図７（Ｂ）参照）には位置ずれが生じないため、図１２に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４（図１２（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理は必要ない。上述したように、実際には、矩形（正方形および長方形）のパターンを描画する場合には、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左下部分１０ａ１ｍ３’（図７（Ａ）参照）の左下端部を透過せしめられた矩形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが利用され、位置ずれを相殺する処理が実行される。

図１３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４を描画する一例を示した図である。

図７に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｂ（図７（Ｂ）参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図７（Ｂ）参照）が生じる。そのため、図１３に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４（図１３（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図１３（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右上部分１０ａ１ｍ１’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｂ（図７（Ｂ）参照）に対応していると判断される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターンＰｂ（図７（Ｂ）参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図７（Ｂ）参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図１３（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図７（Ｂ）参照）に相当する分だけＸ軸のマイナス側（図１３（Ｂ）の左側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図７（Ｂ）参照）に相当する分だけＹ軸のマイナス側（図１３（Ｂ）の下側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ１’，ＦＧｂ２’，ＦＧｂ３’，ＦＧｂ４’（図１３（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ１’，ＦＧｂ２’，ＦＧｂ３’，ＦＧｂ４’（図１３（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右上部分１０ａ１ｍ１’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によってパターンが描画される。その時に、図１３（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図７（Ｂ）参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図１３（Ａ）参照）の４隅にパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４（図１３（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ１’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ１（図１３（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１３（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰｂ１（図１３（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ２’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ２（図１３（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｌ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ２’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ２（図１３（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１３（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰｂ２（図１３（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ３’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ３（図１３（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ３’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ３（図１３（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１３（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰｂ３（図１３（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ４’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ４（図１３（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ４’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ４（図１３（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１３（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰｂ４（図１３（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

図１４は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４を描画する一例を示した図である。

図７に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｃ（図７（Ｂ）参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図７（Ｂ）参照）が生じる。そのため、図１４に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４（図１４（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図１４（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｃ１，ＦＧｃ２，ＦＧｃ３，ＦＧｃ４（図１４（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左上部分１０ａ１ｍ２’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｃ（図７（Ｂ）参照）に対応していると判断される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターンＰｃ（図７（Ｂ）参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図７（Ｂ）参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図１４（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｃ１，ＦＧｃ２，ＦＧｃ３，ＦＧｃ４（図１４（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図７（Ｂ）参照）に相当する分だけＸ軸のプラス側（図１４（Ｂ）の右側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図７（Ｂ）参照）に相当する分だけＹ軸のマイナス側（図１４（Ｂ）の下側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ１’，ＦＧｃ２’，ＦＧｃ３’，ＦＧｃ４’（図１４（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ１’，ＦＧｃ２’，ＦＧｃ３’，ＦＧｃ４’（図１４（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左上部分１０ａ１ｍ２’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によってパターンが描画される。その時に、図１４（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図７（Ｂ）参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図１４（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図１４（Ａ）参照）の４隅にパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４（図１４（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ１’（図１４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ１（図１４（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ（図１４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ１’（図１４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ１（図１４（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１４（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰｃ１（図１４（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ２’（図１４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ２（図１４（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１４（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰｃ２（図１４（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ３’（図１４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ３（図１４（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ−１（図１４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ３’（図１４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ３（図１４（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１４（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰｃ３（図１４（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ４’（図１４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ４（図１４（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ−１（図１４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ４’（図１４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ４（図１４（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１４（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰｃ４（図１４（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

図１５は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４を描画する一例を示した図である。

図７に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｄ（図７（Ｂ）参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図７（Ｂ）参照）が生じる。そのため、図１５に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４（図１５（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図１５（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｄ１，ＦＧｄ２，ＦＧｄ３，ＦＧｄ４（図１５（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左下部分１０ａ１ｍ３’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｄ（図７（Ｂ）参照）に対応していると判断される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターンＰｄ（図７（Ｂ）参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図７（Ｂ）参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図１５（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｄ１，ＦＧｄ２，ＦＧｄ３，ＦＧｄ４（図１５（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図７（Ｂ）参照）に相当する分だけＸ軸のプラス側（図１５（Ｂ）の右側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図７（Ｂ）参照）に相当する分だけＹ軸のプラス側（図１５（Ｂ）の上側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ１’，ＦＧｄ２’，ＦＧｄ３’，ＦＧｄ４’（図１５（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ１’，ＦＧｄ２’，ＦＧｄ３’，ＦＧｄ４’（図１５（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左下部分１０ａ１ｍ３’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によってパターンが描画される。その時に、図１５（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図７（Ｂ）参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図１５（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図１５（Ａ）参照）の４隅にパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４（図１５（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ１’（図１５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ１（図１５（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ１’（図１５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ１（図１５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１５（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰｄ１（図１５（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ２’（図１５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ２（図１５（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ２’（図１５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ２（図１５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１５（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰｄ２（図１５（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ３’（図１５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ３（図１５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１５（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰｄ３（図１５（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ４’（図１５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ４（図１５（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ（図１５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ４’（図１５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ４（図１５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１５（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰｄ４（図１５（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

図１６は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４を描画する一例を示した図である。

図７に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｅ（図７（Ｂ）参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図７（Ｂ）参照）が生じる。そのため、図１６に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４（図１６（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図１６（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｅ１，ＦＧｅ２，ＦＧｅ３，ＦＧｅ４（図１６（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右下部分１０ａ１ｍ４’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｅ（図７（Ｂ）参照）に対応していると判断される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターンＰｅ（図７（Ｂ）参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図７（Ｂ）参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図１６（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｅ１，ＦＧｅ２，ＦＧｅ３，ＦＧｅ４（図１６（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図７（Ｂ）参照）に相当する分だけＸ軸のマイナス側（図１６（Ｂ）の左側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図７（Ｂ）参照）に相当する分だけＹ軸のプラス側（図１６（Ｂ）の上側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ１’，ＦＧｅ２’，ＦＧｅ３’，ＦＧｅ４’（図１６（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ１’，ＦＧｅ２’，ＦＧｅ３’，ＦＧｅ４’（図１６（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の右下部分１０ａ１ｍ４’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によってパターンが描画される。その時に、図１６（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図７（Ｂ）参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図７（Ｂ）参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図１６（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図１６（Ａ）参照）の４隅にパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４（図１６（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ１’（図１６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ１（図１６（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ１’（図１６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ１（図１６（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１６（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰｅ１（図１６（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ２’（図１６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ２（図１６（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ２’（図１６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ２（図１６（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１６（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰｅ２（図１６（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ３’（図１６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ３（図１６（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｌ（図１６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ３’（図１６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ３（図１６（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１６（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰｅ３（図１６（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図１６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ４’（図１６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ４（図１５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図１６（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰｅ４（図１６（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画することができる。

上述したように、例えば特開２００７−３２４２２９号公報の図７および図８に記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、図７（Ｂ）に示すＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’，Δｘ２’，Δｘ３’，Δｘ４’およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’，Δｙ２’，Δｙ３’，Δｙ４’を相殺するために、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）による振り戻し処理が実行されていた。その結果、サブフィールドのサイズを、限界領域Ａａ（図１１（Ｂ）参照）より小さい領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）のサイズに対応させて設定せざるを得なかった。

それに対し、本発明の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図７（Ｂ）に示すＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’，Δｘ２’，Δｘ３’，Δｘ４’およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’，Δｙ２’，Δｙ３’，Δｙ４’を相殺するために、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）による振り戻し処理が実行されない。代わりに、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）のうち、どの部分１０ａ１ｍ１’，１０ａ１ｍ２’，１０ａ１ｍ３’，１０ａ１ｍ４’（図７（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２，１０ａ１ｂ３，１０ａ１ｂ４，１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターンＰｂ，Ｐｃ，Ｐｄ，Ｐｅ（図７（Ｂ）参照）に対応する図形であるかに基づいて、図１３（Ｂ）、図１４（Ｂ）、図１５（Ｂ）および図１６（Ｂ）に示すように描画データに含まれる図形の位置を描画データ上で移動させる描画データ修正処理が実行される。そのため、本発明の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、サブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図１２（Ｂ）、図１３（Ｂ）、図１４（Ｂ）、図１５（Ｂ）および図１６（Ｂ）参照）のサイズを、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａ（図１１（Ｂ）参照）のサイズに対応させて設定することができる。

図１７は図１に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細を示した図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、まず最初に、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）によって、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）による描画が行われる試料Ｍ（図１参照）上の領域が複数のサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５および図１６（Ｂ）参照）に仮想分割され、描画データＤ（図１７参照）に含まれる複数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）が、複数のサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５および図１６（Ｂ）参照）のいずれかに所属せしめられる。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ショット分割部１０ｂ１ｂ（図１７参照）によって、描画データＤ（図１７参照）に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の１回のショットによって描画可能なパターン（例えばパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅＰ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉ（図６参照））に対応する複数の図形（例えば、図形ＦＧａ１，ＦＧａ２，ＦＧａ３，ＦＧａ４（図１２（Ｂ）参照）、図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図１３（Ｂ）参照）等）に分割される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）によって、ショット分割された図形（例えば、図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図１３（Ｂ）参照））の位置を描画データ上で移動させる描画データ修正処理が実行される。詳細には、例えば図１３（Ｂ）に示す例では、図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４の位置が、描画データ修正処理によって、図形ＦＧｂ１’，ＦＧｂ２’，ＦＧｂ３’，ＦＧｂ４’の位置まで描画データ上で移動せしめられる。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）によって、描画データ修正処理後の描画データに含まれる図形（例えば、図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図１３（Ｂ）参照））がどのサブフィールドに所属するかの判定が実行される。詳細には、例えば図１３（Ｂ）に示す例では、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ１’がサブフィールドＳＦｍに所属すると判定され、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ２’がサブフィールドＳＦｌに所属すると判定され、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ３’がサブフィールドＳＦｌ−１に所属すると判定され、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ４’がサブフィールドＳＦｍ−１に所属すると判定される。

次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図１７参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御され、ビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図１７参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御され、主偏向制御部１０ｂ１ｇ（図１７参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御され、副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図１７参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図１７参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可変ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が制御される。その結果、描画データに含まれる図形に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。

詳細には、例えば図１３に示す例では、まず最初に、サブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。更に詳細には、サブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンの描画中に、サブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧｂ３’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ３（図１３（Ａ）参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画データ修正処理の実行によって所属するサブフィールドがサブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）からサブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に変更された図形ＦＧｂ３（ＦＧｂ３’）（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ３（図１３（Ａ）参照）の描画が、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に所属する図形に対応するパターンの描画時に実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に所属する図形に対応するパターンの描画時に実行される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｌ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。詳細には、サブフィールドＳＦｌ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンの描画中に、サブフィールドＳＦｌ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧｂ２’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ２（図１３（Ａ）参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｍ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンの描画中に、サブフィールドＳＦｍ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧｂ４’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ４（図１３（Ａ）参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンの描画中に、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧｂ１’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ１（図１３（Ａ）参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。次いで、例えば、サブフィールドＳＦｎ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。次いで、例えば、サブフィールドＳＦｎ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。次いで、例えば、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）によって、描画データＤ（図１７参照）に含まれる複数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）が、複数のサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５および図１６（Ｂ）参照）のいずれかに所属せしめられた段階で、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による描画データ修正処理がまだ実行されていない。そのため、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）によって複数のサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５および図１６（Ｂ）参照）のいずれかに所属せしめられた図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による描画データ修正処理後に異なるサブフィールドに移動せしめられる可能性がある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、後述するような処理が実行される。

図１８は１個のサブフィールドＳＦｍを９個の領域ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８，ｍ９に分割した図である。図１９は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０におけるサブフィールドＳＦｍなどのデータの処理方法を示した図である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の基準点Ｏ（つまり、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向されない荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１が通る点）が、例えば図７（Ａ）に示す位置に設定されている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮に、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）の領域ｍ２（図１８参照）に含まれる図形が、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターン（例えばパターンＰｂ１（図１３（Ａ）参照））に対応する図形（例えば図形ＦＧｂ１（図１３（Ｂ）参照））である場合には、その図形の位置が、描画データ修正処理によって、Ｘ軸のマイナス側（図１３（Ｂ）の左側）であってＹ軸のマイナス側（図１３（Ｂ）の下側）の位置（例えば図１３（Ｂ）の図形ＦＧｂ１’の位置）に変更される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮に、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）の領域ｍ２（図１８参照）に含まれる図形が、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターン（例えばパターンＰｃ１（図１４（Ａ）参照）に対応する図形（例えば図形ＦＧｃ１（図１４（Ｂ）参照））である場合には、その図形の位置が、描画データ修正処理によって、Ｘ軸のプラス側（図１４（Ｂ）の右側）であってＹ軸のマイナス側（図１４（Ｂ）の下側）の位置（例えば図１４（Ｂ）の図形ＦＧｃ１’の位置）に変更される。つまり、この場合には、描画データ修正処理前にサブフィールドＳＦｍ（図１８参照）に所属していた図形が、描画データ修正処理後にサブフィールドＳＦｎ（図１８参照）に所属することになる。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ２（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ２（図１８参照）に含まれ、その図形の位置が、描画データ修正処理によって、Ｘ軸のプラス側であってＹ軸のマイナス側の位置に変更される図形は、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータのみに含められる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮に、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）の領域ｍ２（図１８参照）に含まれる図形が、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターン（例えばパターンＰｄ１（図１５（Ａ）参照））に対応する図形（例えば図形ＦＧｄ１（図１５（Ｂ）参照））である場合には、その図形の位置が、描画データ修正処理によって、Ｘ軸のプラス側（図１５（Ｂ）の右側）であってＹ軸のプラス側（図１５（Ｂ）の上側）の位置（例えば図１５（Ｂ）の図形ＦＧｄ１’の位置）に変更される。つまり、この場合には、描画データ修正処理前にサブフィールドＳＦｍ（図１８参照）に所属していた図形が、描画データ修正処理後にサブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）に所属することになる。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ２（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ２（図１８参照）に含まれ、その図形の位置が、描画データ修正処理によって、Ｘ軸のプラス側であってＹ軸のプラス側の位置に変更される図形はサブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）のデータのみに含められる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、仮に、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）の領域ｍ２（図１８参照）に含まれる図形が、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図７（Ａ）参照）によって描画されるパターン（例えばパターンＰｅ１（図１６（Ａ）参照））に対応する図形（例えば図形ＦＧｅ１（図１６（Ｂ）参照））である場合には、その図形の位置が、描画データ修正処理によって、Ｘ軸のマイナス側（図１６（Ｂ）の左側）であってＹ軸のプラス側（図１６（Ｂ）の上側）の位置（例えば図１６（Ｂ）の図形ＦＧｅ１’の位置）に変更される。つまり、この場合には、描画データ修正処理前にサブフィールドＳＦｍ（図１８参照）に所属していた図形が、描画データ修正処理後にサブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）に所属することになる。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ２（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ２（図１８参照）に含まれ、その図形の位置が、描画データ修正処理によって、Ｘ軸のマイナス側であってＹ軸のプラス側の位置に変更される図形は、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータのみに含められる。

同様に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ３（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ３（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータのいずれか一方のみに含められる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，ＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ４（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，ＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，ＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ４（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、ＳＦｌ＋１（図１８参照）のデータ、および、ＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータのいずれかにのみ含められる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ５（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ５（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータのいずれか一方のみに含められる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｍ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ６（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｍ−１（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｍ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ６（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ−１（図１８参照）のデータ、ＳＦｌ（図１８参照）のデータ、および、ＳＦｍ−１（図１８参照）のデータのいずれかにのみ含められる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ７（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ７（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータのいずれか一方のみに含められる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ−１，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ８（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ−１，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ−１，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ８（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、ＳＦｎ−１（図１８参照）のデータ、および、ＳＦｎ（図１８参照）のデータのいずれかにのみ含められる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ９（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータに含められると共に、図１９（Ｂ）に示すように、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ９（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータのいずれか一方のみに含められる。

同様の考え方に基づき、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｌ−１（図１８参照）の領域ｌ２’（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｌ２’（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｌ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）の領域ｌ２（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｌ２（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）の領域ｌ８（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｌ８（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｌ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）の領域ｌ９（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｌ９（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータのいずれか一方のみに含められる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１８参照）の領域ｌ８”（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｌ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｌ８”（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）の領域ｍ２’（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｎ−１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ２’（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｎ−１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）の領域ｍ３’（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ３’（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータのいずれか一方のみに含められる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）の領域ｍ４’（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ４’（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｌ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）の領域ｍ６”（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ６”（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｌ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）の領域ｍ７”（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ７”（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータのいずれか一方のみに含められる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）の領域ｍ８”（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）にも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｍ８”（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｎ−１（図１８参照）の領域ｎ４’（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ−１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｎ４’（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｎ−１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）の領域ｎ４（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｎ４（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）の領域ｎ５（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｎ５（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータのいずれか一方のみに含められる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）の領域ｎ６（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｎ６（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ−１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｎ−１（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理後の段階で、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）の領域ｎ６”（図１８参照）に含まれる図形が、図１９（Ａ）に示すように、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータにも重複して含められている。続いて、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理後の段階では、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）とサブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）との境界付近に位置する領域ｎ６”（図１８参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１８参照）のデータ、サブフィールドＳＦｎ（図１８参照）のデータ、および、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１８参照）のデータのいずれかのみに含められる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様に構成されている。従って、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２０および図２１は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の試料Ｍ上において生じる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの位置ずれについて説明するための図である。図２０および図２１に示す例では、例えば、図２０に点Ｏで示す位置に基準点が設定されている。つまり、図２０および図２１に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向されない場合に、概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ０（図２０参照）となり、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）に遮られる。

更に、図２０および図２１に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図２０の左側）にΔｘ１だけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２０の下側）にΔｙ１だけ偏向される場合に、概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１によって、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）上の基準点Ｏ（図２０参照）に対応する試料Ｍ（図２１参照）上の基準点Ｏ’（図２１参照）からＸ軸のマイナス側（図２１の左側）にΔｘ１’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２１の下側）にΔｙ１’だけ位置ずれした位置に概略正方形のパターンＰａ（図２１参照）が描画される。

更に、図２０および図２１に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図２０の左側）にΔｘ２だけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２０の下側）にΔｙ２だけ偏向される場合に、概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２によって、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）上の基準点Ｏ（図２０参照）に対応する試料Ｍ（図２１参照）上の基準点Ｏ’（図２１参照）からＸ軸のマイナス側（図２１の左側）にΔｘ２’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２１の左側）にΔｙ２’だけ位置ずれした位置に概略三角形のパターンＰｂ（図２１参照）が描画される。

また、図２０および図２１に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図２０の左側）にΔｘ３だけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２０の下側）にΔｙ３だけ偏向される場合に、概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３によって、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）上の基準点Ｏ（図２０参照）に対応する試料Ｍ（図２１参照）上の基準点Ｏ’（図２１参照）からＸ軸のマイナス側（図２１の左側）にΔｘ３’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２１の下側）にΔｙ３’だけ位置ずれした位置に概略三角形のパターンＰｃ（図２１参照）が描画される。

更に、図２０および図２１に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図２０の左側）にΔｘ４だけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２０の下側）にΔｙ４だけ偏向される場合に、概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４によって、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）上の基準点Ｏ（図２０参照）に対応する試料Ｍ（図２１参照）上の基準点Ｏ’（図２１参照）からＸ軸のマイナス側（図２１の左側）にΔｘ４’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２１の下側）にΔｙ４’だけ位置ずれした位置に概略三角形のパターンＰｄ（図２１参照）が描画される。

また、図２０および図２１に示す例では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌ（図２（Ａ）参照）の正方形の開口１０ａ１ｌ’（図２（Ａ）参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によってＸ軸のマイナス側（図２０の左側）にΔｘ５だけ偏向されると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２０の下側）にΔｙ５だけ偏向される場合に、概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）となって第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられる。その結果、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５によって、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）上の基準点Ｏ（図２０参照）に対応する試料Ｍ（図２１参照）上の基準点Ｏ’（図２１参照）からＸ軸のマイナス側（図２１の左側）にΔｘ５’だけ位置ずれすると共に、Ｙ軸のマイナス側（図２１の下側）にΔｙ５’だけ位置ずれした位置に概略三角形のパターンＰｅ（図２１参照）が描画される。

図２２〜図２６は図２１に示すＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’，Δｘ２’，Δｘ３’，Δｘ４’，Δｘ５’およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’，Δｙ２’，Δｙ３’，Δｙ４’，Δｙ５’を第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって相殺する手法を説明するための図である。

詳細には、図２２は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４を描画する一例を示した図である。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、試料Ｍ（図２２（Ａ）参照）上の領域Ａａｍ（図２２（Ａ）参照）のサイズに対応するサイズを有するサブフィールドＳＦｍ（図２２（Ｂ）参照）が制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって描画データ上で設定される。同様に、試料Ｍ（図２２（Ａ）参照）上の領域Ａａｌ−１，Ａａｌ，Ａａｌ＋１，・・，Ａａｍ−１，Ａａｍ＋１，・・，Ａａｎ−１，Ａａｎ，Ａａｎ＋１，・・（図２２（Ａ）参照）のサイズに対応するサイズを有するサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図２２（Ｂ）参照）が制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１参照）によって描画データ上で設定される。

図２２に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２２（Ｂ）参照）内の図形ＦＧａ１，ＦＧａ２，ＦＧａ３，ＦＧａ４（図２２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４（図２２（Ａ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によって、試料Ｍ（図２２（Ａ）参照）の限界領域Ａａｍ（図２２（Ａ）参照）の４隅に描画される。
上述したように、実際には、矩形（正方形および長方形）のパターンを描画する場合には、図２２に示すやり方ではなく、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図７（Ａ）参照）の開口１０ａ１ｍ’（図７（Ａ）参照）の左下部分１０ａ１ｍ３’（図７（Ａ）参照）の左下端部を透過せしめられた矩形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが利用され、位置ずれを相殺する処理が実行される。

図２０および図２１に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によって描画されるパターンＰａ（図２１参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図２１参照）が生じる。そのため、図２２に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によって描画されるパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４（図２２（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、図２２に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２２（Ｂ）参照）内の図形ＦＧａ１，ＦＧａ２，ＦＧａ３，ＦＧａ４（図２２（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によって描画されるパターンＰａ（図２１参照）に対応していると判断される。

また、図２２に示す例では、例えば、パターンＰａ（図２１参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図２１参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図２２（Ｂ）参照）内の図形ＦＧａ１，ＦＧａ２，ＦＧａ３，ＦＧａ４（図２２（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図２１参照）に相当する分だけＸ軸のプラス側（図２２（Ｂ）の右側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図２１参照）に相当する分だけＹ軸のプラス側（図２２（Ｂ）の上側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧａ１’，ＦＧａ２’，ＦＧａ３’，ＦＧａ４’（図２２（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、図２２に示す例では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧａ１’，ＦＧａ２’，ＦＧａ３’，ＦＧａ４’（図２２（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略正方形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によってパターンが描画される。その時に、図２２（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ１’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ１’（図２１参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図２２（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図２２（Ａ）参照）の４隅にパターンＰａ１，Ｐａ２，Ｐａ３，Ｐａ４（図２２（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、図２２に示す例では、サブフィールドＳＦｍ（図２２（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧａ１’（図２２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ１（図２２（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ＋１（図２２（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧａ１’（図２２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ１（図２２（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、図２２に示す例では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２２（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰａ１（図２２（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によって描画することができる。

更に、図２２に示す例では、サブフィールドＳＦｍ（図２２（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧａ２’（図２２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ２（図２２（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１（図２２（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧａ２’（図２２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ２（図２２（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、図２２に示す例では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２２（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰａ２（図２２（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によって描画することができる。

また、図２２に示す例では、サブフィールドＳＦｍ（図２２（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧａ３’（図２２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ３（図２２（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、図２２に示す例では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２２（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰａ３（図２２（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によって描画することができる。

更に、図２２に示す例では、サブフィールドＳＦｍ（図２２（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧａ４’（図２２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ４（図２２（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ（図２２（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧａ４’（図２２（Ｂ）参照）に対応するパターンＰａ４（図２２（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、図２２に示す例では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２２（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰａ４（図２２（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ１（図２０参照）によって描画することができる。

図２３は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４を描画する一例を示した図である。

第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２３（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図２３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４（図２３（Ａ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によって、試料Ｍ（図２３（Ａ）参照）の限界領域Ａａｍ（図２３（Ａ）参照）の４隅に描画される。

図２０および図２１に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によって描画されるパターンＰｂ（図２１参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図２１参照）が生じる。そのため、図２３に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によって描画されるパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４（図２３（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２３（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図２３（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によって描画されるパターンＰｂ（図２１参照）に対応していると判断される。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターンＰｂ（図２１参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図２１参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図２３（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図２３（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図２１参照）に相当する分だけＸ軸のプラス側（図２３（Ｂ）の右側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図２１参照）に相当する分だけＹ軸のプラス側（図２３（Ｂ）の上側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ１’，ＦＧｂ２’，ＦＧｂ３’，ＦＧｂ４’（図２３（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ１’，ＦＧｂ２’，ＦＧｂ３’，ＦＧｂ４’（図２３（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によってパターンが描画される。その時に、図２３（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ２’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ２’（図２１参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図２３（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図２３（Ａ）参照）の４隅にパターンＰｂ１，Ｐｂ２，Ｐｂ３，Ｐｂ４（図２３（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ１’（図２３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ１（図２３（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ＋１（図２３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ１’（図２３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ１（図２３（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２３（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰｂ１（図２３（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によって描画することができる。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ２’（図２３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ２（図２３（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１（図２３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ２’（図２３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ２（図２３（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２３（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰｂ２（図２３（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によって描画することができる。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ３’（図２３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ３（図２３（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２３（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰｂ３（図２３（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によって描画することができる。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ４’（図２３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ４（図２３（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ（図２３（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｂ４’（図２３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ４（図２３（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２３（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰｂ４（図２３（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図２０参照）によって描画することができる。

図２４は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４を描画する一例を示した図である。

第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２４（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｃ１，ＦＧｃ２，ＦＧｃ３，ＦＧｃ４（図２４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４（図２４（Ａ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によって、試料Ｍ（図２４（Ａ）参照）の限界領域Ａａｍ（図２４（Ａ）参照）の４隅に描画される。

図２０および図２１に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によって描画されるパターンＰｃ（図２１参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図２１参照）が生じる。そのため、図２４に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によって描画されるパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４（図２４（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２４（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｃ１，ＦＧｃ２，ＦＧｃ３，ＦＧｃ４（図２４（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によって描画されるパターンＰｃ（図２１参照）に対応していると判断される。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターンＰｃ（図２１参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図２１参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図２４（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｃ１，ＦＧｃ２，ＦＧｃ３，ＦＧｃ４（図２４（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図２１参照）に相当する分だけＸ軸のプラス側（図２４（Ｂ）の右側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図２１参照）に相当する分だけＹ軸のプラス側（図２４（Ｂ）の上側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ１’，ＦＧｃ２’，ＦＧｃ３’，ＦＧｃ４’（図２４（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ１’，ＦＧｃ２’，ＦＧｃ３’，ＦＧｃ４’（図２４（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によってパターンが描画される。その時に、図２４（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ３’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ３’（図２１参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図２４（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図２４（Ａ）参照）の４隅にパターンＰｃ１，Ｐｃ２，Ｐｃ３，Ｐｃ４（図２４（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ１’（図２４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ１（図２４（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ＋１（図２４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ１’（図２４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ１（図２４（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２４（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰｃ１（図２４（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によって描画することができる。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ２’（図２４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ２（図２４（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１（図２４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ２’（図２４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ２（図２４（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２４（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰｃ２（図２４（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によって描画することができる。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ３’（図２４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ３（図２４（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２４（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰｃ３（図２４（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によって描画することができる。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ４’（図２４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ４（図２４（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ（図２４（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｃ４’（図２４（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｃ４（図２４（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２４（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰｃ４（図２４（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ３（図２０参照）によって描画することができる。

図２５は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４を描画する一例を示した図である。

第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２５（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｄ１，ＦＧｄ２，ＦＧｄ３，ＦＧｄ４（図２５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４（図２５（Ａ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によって、試料Ｍ（図２５（Ａ）参照）の限界領域Ａａｍ（図２５（Ａ）参照）の４隅に描画される。

図２０および図２１に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によって描画されるパターンＰｄ（図２１参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図２１参照）が生じる。そのため、図２５に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によって描画されるパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４（図２５（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２５（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｄ１，ＦＧｄ２，ＦＧｄ３，ＦＧｄ４（図２５（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によって描画されるパターンＰｄ（図２１参照）に対応していると判断される。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターンＰｄ（図２１参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図２１参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図２５（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｄ１，ＦＧｄ２，ＦＧｄ３，ＦＧｄ４（図２５（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図２１参照）に相当する分だけＸ軸のプラス側（図２５（Ｂ）の右側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図２１参照）に相当する分だけＹ軸のプラス側（図２５（Ｂ）の上側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ１’，ＦＧｄ２’，ＦＧｄ３’，ＦＧｄ４’（図２５（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ１’，ＦＧｄ２’，ＦＧｄ３’，ＦＧｄ４’（図２５（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によってパターンが描画される。その時に、図２５（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ４’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ４’（図２１参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図２５（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図２５（Ａ）参照）の４隅にパターンＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４（図２５（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ１’（図２５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ１（図２５（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ＋１（図２５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ１’（図２５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ１（図２５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２５（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰｄ１（図２５（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によって描画することができる。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ２’（図２５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ２（図２５（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１（図２５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ２’（図２５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ２（図２５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２５（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰｄ２（図２５（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によって描画することができる。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ３’（図２５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ３（図２５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２５（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰｄ３（図２５（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によって描画することができる。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ４’（図２５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ４（図２５（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ（図２５（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｄ４’（図２５（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｄ４（図２５（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２５（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰｄ４（図２５（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ４（図２０参照）によって描画することができる。

図２６は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によって限界領域Ａａｍの４隅にパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４を描画する一例を示した図である。

第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２６（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｅ１，ＦＧｅ２，ＦＧｅ３，ＦＧｅ４（図２６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４（図２６（Ａ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によって、試料Ｍ（図２６（Ａ）参照）の限界領域Ａａｍ（図２６（Ａ）参照）の４隅に描画される。

図２０および図２１に示すように、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によって描画されるパターンＰｅ（図２１参照）にはＸ軸方向の位置ずれΔｘ５’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ５’（図２１参照）が生じる。そのため、図２６に示す例では、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によって描画されるパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４（図２６（Ａ）参照）に対し、位置ずれを相殺する処理が行われる。

具体的には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図２６（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｅ１，ＦＧｅ２，ＦＧｅ３，ＦＧｅ４（図２６（Ｂ）参照）が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によって描画されるパターンＰｅ（図２１参照）に対応していると判断される。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、パターンＰｅ（図２１参照）の描画時に生じるＸ軸方向の位置ずれΔｘ５’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ５’（図２１参照）を相殺するための描画データ修正処理が実行される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図２６（Ｂ）参照）内の図形ＦＧｅ１，ＦＧｅ２，ＦＧｅ３，ＦＧｅ４（図２６（Ｂ）参照）が、描画データ上で、Ｘ軸方向の位置ずれΔｘ５’（図２１参照）に相当する分だけＸ軸のプラス側（図２６（Ｂ）の右側）に移動せしめられると共に、Ｙ軸方向の位置ずれΔｙ５’（図２１参照）に相当する分だけＹ軸のプラス側（図２６（Ｂ）の上側）に移動せしめられる。その結果、描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ１’，ＦＧｅ２’，ＦＧｅ３’，ＦＧｅ４’（図２６（Ｂ）参照）が描画データ上で作成される。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ１’，ＦＧｅ２’，ＦＧｅ３’，ＦＧｅ４’（図２６（Ｂ）参照）に基づいて、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍ（図２０参照）の開口１０ａ１ｍ’（図２０参照）を透過せしめられた概略三角形の水平断面形状を有する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によってパターンが描画される。その時に、図２６（Ａ）に矢印で示すようなＸ軸方向の位置ずれΔｘ５’（図２１参照）およびＹ軸方向の位置ずれΔｙ５’（図２１参照）が生じる。その結果、試料Ｍ（図２６（Ａ）参照）上の限界領域Ａａｍ（図２６（Ａ）参照）の４隅にパターンＰｅ１，Ｐｅ２，Ｐｅ３，Ｐｅ４（図２６（Ａ）参照）を描画することができる。

詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ１’（図２６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ１（図２６（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ＋１（図２６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ１’（図２６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ１（図２６（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２６（Ａ）参照）の右上隅に位置するパターンＰｅ１（図２６（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によって描画することができる。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ２’（図２６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ２（図２６（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１（図２６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ２’（図２６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ２（図２６（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２６（Ａ）参照）の左上隅に位置するパターンＰｅ２（図２６（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によって描画することができる。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に、描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ３’（図２６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ３（図２６（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２６（Ａ）参照）の左下隅に位置するパターンＰｅ３（図２６（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によって描画することができる。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ４’（図２６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ４（図２６（Ａ）参照）の描画が実行されるのではなく、サブフィールドＳＦｎ（図２６（Ｂ）参照）に含まれる図形に対応するパターンの描画が実行される時に描画データ修正処理後の図形ＦＧｅ４’（図２６（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｅ４（図２６（Ａ）参照）の描画が実行される。その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、歪みなどを生じさせることなく、領域Ａｆ（図１１（Ｂ）参照）より大きい限界領域Ａａｍ（図２６（Ａ）参照）の右下隅に位置するパターンＰｅ４（図２６（Ａ）参照）を、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ５（図２０参照）によって描画することができる。

第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）によって、描画データＤ（図１７参照）に含まれる複数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）が、複数のサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５および図２６（Ｂ）参照）のいずれかに所属せしめられた段階で、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による描画データ修正処理がまだ実行されていない。そのため、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）によって複数のサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図５および図２６（Ｂ）参照）のいずれかに所属せしめられた図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による描画データ修正処理後に異なるサブフィールドに移動せしめられる可能性がある。この点に鑑み、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、後述するような処理が実行される。

図２７は１個のサブフィールドＳＦｍを４個の領域ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４に分割した図である。図２８は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０におけるサブフィールドＳＦｍなどのデータの処理方法を示した図である。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の基準点Ｏ（つまり、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向されない荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）が第２成形アパーチャ１０ａ１ｍに到達する点）が、例えば図２０に示す位置に設定されている。

そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１（図２７参照）との境界付近に位置する領域ｍ２（図２７参照）に含まれる図形が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理後に、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に所属するのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１（図２７参照）のいずれかに所属する可能性がある。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階で、例えば領域ｍ２（図１９参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１９参照）のデータに含められると共に、サブフィールドＳＦｍ＋１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１（図１９参照）のデータにも重複して含められるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階で、例えば領域ｍ２（図２７参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図２７および図２８（Ａ）参照）のデータに含められるが、サブフィールドＳＦｍ＋１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１（図２７参照）のデータには含められない。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）の領域ｍ２（図２７参照）に含まれる図形が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理によって移動せしめられ、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ＋１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１（図２７参照）のいずれかに所属する場合には、その移動せしめられた図形に関するデータが、新たに所属するサブフィールドＳＦｍ＋１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１（図２７参照）のデータに振り分けられる。詳細には、その移動せしめられた図形に関するデータが、はみ出し分を処理するバッファｍ２ａ（図２８（Ａ）参照）に含められ（つまり、メモリによって確保され）、そのバッファｍ２ａに含められた状態で所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）よりも後段の処理部に転送される（図２８（Ｂ）参照）。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）とサブフィールドＳＦｍ＋１（図２７参照）との境界付近に位置する領域ｍ３（図２７参照）に含まれる図形が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理後に、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に所属するのではなく、サブフィールドＳＦｍ＋１（図２７参照）に所属する可能性がある。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階で、例えば領域ｍ３（図１９参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１９参照）のデータに含められると共に、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１９参照）のデータにも重複して含められるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階で、例えば領域ｍ３（図２７参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図２７および図２８（Ａ）参照）のデータに含められるが、サブフィールドＳＦｍ＋１（図２７参照）のデータには含められない。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）の領域ｍ３（図２７参照）に含まれる図形が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理によって移動せしめられ、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ＋１（図２７参照）に所属する場合には、その移動せしめられた図形に関するデータが、新たに所属するサブフィールドＳＦｍ＋１（図２７参照）のデータに振り分けられる。詳細には、その移動せしめられた図形に関するデータが、はみ出し分を処理するバッファｍ３ａ（図２８（Ａ）参照）に含められ（つまり、メモリによって確保され）、そのバッファｍ３ａに含められた状態で所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）よりも後段の処理部に転送される（図２８（Ｂ）参照）。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）とサブフィールドＳＦｎ（図２７参照）との境界付近に位置する領域ｍ４（図２７参照）に含まれる図形が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理後に、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に所属するのではなく、サブフィールドＳＦｎ（図２７参照）に所属する可能性がある。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階で、例えば領域ｍ４（図１９参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図１９参照）のデータに含められると共に、サブフィールドＳＦｎ（図１９参照）のデータにも重複して含められるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階で、例えば領域ｍ４（図２７参照）に含まれる図形が、サブフィールドＳＦｍ（図２７および図２８（Ａ）参照）のデータに含められるが、サブフィールドＳＦｎ（図２７参照）のデータには含められない。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールドＳＦｍ（図２７参照）の領域ｍ４（図２７参照）に含まれる図形が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理によって移動せしめられ、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｎ（図２７参照）に所属する場合には、その移動せしめられた図形に関するデータが、新たに所属するサブフィールドＳＦｎ（図２７参照）のデータに振り分けられる。詳細には、その移動せしめられた図形に関するデータが、はみ出し分を処理するバッファｍ４ａ（図２８（Ａ）参照）に含められ（つまり、メモリによって確保され）、そのバッファｍ４ａに含められた状態で所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）よりも後段の処理部に転送される（図２８（Ｂ）参照）。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｌ−１（図２７参照）の領域ｌ２’（図２７参照）に含まれている図形のうち、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理によって移動せしめられ、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に所属する図形に関するデータが、新たに所属するサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）のデータに振り分けられる。詳細には、その移動せしめられた図形に関するデータが、はみ出し分を処理するバッファ（図示せず）に含められ、そのバッファに含められた状態で所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）よりも後段の処理部に転送される。
更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｌ（図２７参照）の領域ｌ２，ｌ４（図２７参照）に含まれている図形のうち、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理によって移動せしめられ、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に所属する図形に関するデータが、新たに所属するサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）のデータに振り分けられる。詳細には、その移動せしめられた図形に関するデータが、はみ出し分を処理するバッファ（図示せず）に含められ、そのバッファに含められた状態で所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）よりも後段の処理部に転送される。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ−１（図２７参照）の領域ｍ２’，ｍ３’（図２７参照）に含まれている図形のうち、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）による処理によって移動せしめられ、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に所属する図形に関するデータが、新たに所属するサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）のデータに振り分けられる。詳細には、その移動せしめられた図形に関するデータが、はみ出し分を処理するバッファ（図示せず）に含められ、そのバッファに含められた状態で所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）よりも後段の処理部に転送される。

更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、Ｘ軸方向に生じる位置ずれΔｘ１’，Δｘ２’，Δｘ３’，Δｘ４’，Δｘ５’（図２１参照）がすべてマイナス側（図２１の左側）になり、かつ、Ｙ軸方向に生じる位置ずれΔｙ１’，Δｙ２’，Δｙ３’，Δｙ４’，Δｙ５’（図２１参照）がすべてマイナス側（図２１の下側）になるように、基準点Ｏ（図２０参照）が設定されている。そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、はみ出し分を処理するバッファｍ２ａ，ｍ３ａ，ｍ４ａ，・・（図２８参照）の容量を低減することができる。

また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に所属する図形が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）によって移動せしめられ、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）とは異なるサブフィールドに所属する場合、必ず、描画順序がサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）よりも後のサブフィールドＳＦｍ＋１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１に所属することになる。つまり、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に所属する図形が、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）によって移動せしめられ、所属判定部１０ｂ１ｄ（図１７参照）による処理の段階でサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）とは異なるサブフィールドに所属する場合に、描画順序がサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）よりも前のサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，ＳＦｍ−１（図２７参照）に所属することがない。換言すれば、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画データ修正処理前にサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）に含まれている図形が、描画データ修正処理後にサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，ＳＦｍ−１（図２７参照）内に移動せしめられるということがあり得ない。そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、例えば、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図１７参照）によるサブフィールドＳＦｍ（図２７参照）のデータの描画データ修正処理が終了する前の段階で、サブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，ＳＦｍ−１（図２７参照）のデータに基づく描画を完了させることができる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様に構成されている。従って、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２９は第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細を示した図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１７に示すように、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａによるサブフィールド切り抜き処理が実行され、ショット分割部１０ｂ１ｂによるショット分割が実行され、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃによる描画データ修正処理が実行され、所属判定部１０ｂ１ｄによる所属判定が実行される。それに対し、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２９に示すように、ショット分割部１０ｂ１ｂによるショット分割が実行され、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃによる描画データ修正処理が実行され、所属判定部１０ｂ１ｄによって、描画データＤ（図２９参照）に含まれる図形が、所属するサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図２７参照）に割り振られる。換言すれば、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２９に示すように、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃによる描画データ修正処理が実行される前には、描画データＤ（図２９参照）に含まれる図形が、所属するサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図２７参照）に割り振られない。そのため、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃによる描画データ修正処理の前後で図形が所属するサブフィールドが変更されるという事態が生じない。そのため、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、サブフィールド切り抜き部１０ｂ１ａ（図１７参照）によるサブフィールド切り抜き処理の実行を省略することができる。

詳細には、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、まず最初に、ショット分割部１０ｂ１ｂ（図２９参照）によって、描画データＤ（図１７参照）に含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，・・（図３参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図２（Ａ）参照）の１回のショットによって描画可能なパターン（例えばパターンＰ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ１ｃ，Ｐ１ｄ，Ｐ１ｅＰ１ｆ，Ｐ１ｇ，Ｐ１ｈ，Ｐ１ｉ（図６参照））に対応する複数の図形（例えば、図形ＦＧａ１，ＦＧａ２，ＦＧａ３，ＦＧａ４（図１２（Ｂ）参照）、図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図１３（Ｂ）参照）等）に分割される。

次いで、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データ修正処理部１０ｂ１ｃ（図２９参照）によって、ショット分割された図形（例えば、図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４（図１３（Ｂ）参照））の位置を描画データ上で移動させる描画データ修正処理が実行される。詳細には、例えば図１３（Ｂ）に示す例では、図形ＦＧｂ１，ＦＧｂ２，ＦＧｂ３，ＦＧｂ４の位置が、描画データ修正処理によって、図形ＦＧｂ１’，ＦＧｂ２’，ＦＧｂ３’，ＦＧｂ４’の位置まで描画データ上で移動せしめられる。

次いで、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、所属判定部１０ｂ１ｄ（図２９参照）によって、描画データＤ（図１７参照）に含まれる複数の図形ＦＧｂ１’，ＦＧｂ２’，ＦＧｂ３’，ＦＧｂ４’，・・（図１３（Ｂ）参照）が、複数のサブフィールドＳＦｌ−１，ＳＦｌ，ＳＦｌ＋１，・・，ＳＦｍ−１，ＳＦｍ，ＳＦｍ＋１，・・，ＳＦｎ−１，ＳＦｎ，ＳＦｎ＋１，・・（図１３（Ｂ）参照）のいずれかに所属せしめられる。詳細には、図１３（Ｂ）に示す例では、図形ＦＧｂ１’がサブフィールドＳＦｍに所属せしめられ、図形ＦＧｂ２’がサブフィールドＳＦｌに所属せしめられ、図形ＦＧｂ３’がサブフィールドＳＦｌ−１に所属せしめられ、図形ＦＧｂ４’がサブフィールドＳＦｍ−１に所属せしめられる。

次いで、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ブランキング偏向制御部１０ｂ１ｅ（図２９参照）によって偏向制御回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御され、ビーム寸法可変偏向制御部１０ｂ１ｆ（図２９参照）によって偏向制御回路１０ｂ３（図１参照）を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）が制御され、主偏向制御部１０ｂ１ｇ（図２９参照）によって偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御され、副偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２９参照）によって偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２９参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可変ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が制御される。その結果、描画データに含まれる図形に対応するパターンが荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１参照）上に描画される。

詳細には、例えば図１３に示す例では、まず最初に、サブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。更に詳細には、サブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンの描画中に、サブフィールドＳＦｌ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧｂ３’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ３（図１３（Ａ）参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｌ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。詳細には、サブフィールドＳＦｌ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンの描画中に、サブフィールドＳＦｌ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧｂ２’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ２（図１３（Ａ）参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｌ＋１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｍ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンの描画中に、サブフィールドＳＦｍ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧｂ４’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ４（図１３（Ａ）参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。詳細には、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンの描画中に、サブフィールドＳＦｍ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる図形ＦＧｂ１’（図１３（Ｂ）参照）に対応するパターンＰｂ１（図１３（Ａ）参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ２（図７（Ａ）参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

次いで、図１３に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦｍ＋１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。次いで、例えば、サブフィールドＳＦｎ−１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。次いで、例えば、サブフィールドＳＦｎ（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。次いで、例えば、サブフィールドＳＦｎ＋１（図１３（Ｂ）参照）に含まれる複数の図形に対応する複数のパターンが、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１３（Ａ）参照）上に描画される。

第５の実施形態では、上述した第１から第４の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ａ 荷電粒子銃
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ａ１ｃ 偏向器
１０ａ１ｄ 偏向器
１０ａ１ｅ 偏向器
１０ａ１ｆ 偏向器
１０ａ１ｌ 第１成形アパーチャ
１０ａ１ｌ’ 開口
１０ａ１ｍ 第２成形アパーチャ
１０ａ１ｍ’ 開口
１０ａ２ａ ステージ
１０ｂ 制御部
１０ｂ１ 制御計算機
１０ｂ１ｃ 描画データ修正処理部
Ｄ 描画データ
Ｍ 試料

Claims (5)

1. 荷電粒子ビーム描画装置に入力された描画データに含まれる図形に対応するパターンが、第１成形アパーチャの開口を透過せしめられ、かつ、第２成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームによって、可動ステージに載置された試料上に描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
   第２成形アパーチャの開口のうち、どの部分を透過せしめられた荷電粒子ビームによって描画されるパターンに対応する図形であるかに基づいて、描画データに含まれる図形の位置を描画データ上で移動させる描画データ修正処理を実行することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
2. 荷電粒子ビームによる描画が行われる試料上の領域を複数のサブフィールドに仮想分割することにより、描画データに含まれる複数の図形を複数のサブフィールドのいずれかに所属させ、次いで
   描画データ修正処理を実行し、次いで
   描画データ修正処理後の描画データに含まれる複数の図形がどのサブフィールドに所属するかの判定を実行し、次いで
   描画データ修正処理の実行によって所属するサブフィールドが第１サブフィールドから第２サブフィールドに変更された図形に対応するパターンの描画を、第２サブフィールドに所属する図形に対応するパターンの描画時に実行することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
3. 描画データ修正処理を実行し、次いで
   荷電粒子ビームによる描画が行われる試料上の領域を複数のサブフィールドに仮想分割することにより、描画データ修正処理後の描画データに含まれる複数の図形を複数のサブフィールドのいずれかに所属させることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
4. 荷電粒子銃と、
   前記荷電粒子銃から照射された荷電粒子ビームが透過せしめられる開口を有する第１成形アパーチャと、
   前記第１成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームが透過せしめられる開口を有する第２成形アパーチャと、
   前記第２成形アパーチャの開口を透過せしめられた荷電粒子ビームによって、描画データに含まれる図形に対応するパターンが描画される試料が載置される可動ステージと、
   前記第２成形アパーチャの開口のうち、どの部分を透過せしめられた荷電粒子ビームによって描画されるパターンに対応する図形であるかに基づいて、描画データに含まれる図形の位置を描画データ上で移動させる描画データ修正処理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
5. 前記描画データ修正処理部による描画データ修正処理が実行される前に、荷電粒子ビームによる描画が行われる試料上の領域を複数のサブフィールドに仮想分割することにより、描画データに含まれる複数の図形を複数のサブフィールドのいずれかに所属させるサブフィールド切り抜き部と、
   前記描画データ修正処理部による描画データ修正処理が実行された後の描画データに含まれる複数の図形がどのサブフィールドに所属するかの判定を実行する所属判定部とを具備することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画装置。

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