JP2010155297A - Method and apparatus for coating with resin - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for resin coating, with which waviness and warp of a workpiece is appropriately removed and the ground workpiece is formed to be strictly flat as the gravity is taken into consideration. <P>SOLUTION: A surface 1a of a wafer 1 is sucked to a sucking surface 24a of a suction part 24 of a pressing pad 23, and deformation of the wafer 1 is corrected. Then, the corrected wafer 1 is mounted on a liquefied resin P1 and pressed. Next the resin P1 is hardened after the pressing pad 23 is released from the wafer 1 to cause deformation for restoring the warp or the like on the wafer 1. A strictly flat state is obtained after grinding without permitting the deformation due to the gravity, by causing the resin P1 to deform from the corrected condition. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の薄板状のワークを平面に研削するにあたり、ワークの片面を樹脂で被覆し、樹脂側の面を、ワークを研削する際の基準面として形成する方法に関する。   The present invention relates to a method of forming one surface of a workpiece with a resin and grinding the surface of the workpiece as a reference surface for grinding the workpiece when a thin plate-like workpiece such as a semiconductor wafer is ground to a flat surface.

半導体や電子部品の材料となる半導体ウェーハは、例えばシリコンなどの単結晶材料からなるものや、複数の元素を有する化合物からなるものなどがある。これらウェーハは、円柱状のインゴットに成形されてからワイヤソーなどによって基板状にスライスされ、さらに、ラッピング、エッチング等を施すことによりスライス時に発生したうねりや反りが除去され平坦かつ薄く加工されている。   Semiconductor wafers used as materials for semiconductors and electronic components include those made of a single crystal material such as silicon and those made of a compound having a plurality of elements. These wafers are formed into a cylindrical ingot and then sliced into a substrate by a wire saw or the like, and further, lapping, etching, etc. are applied to remove waviness and warpage generated during slicing, and the wafer is processed flat and thin.

ところが、上記エッチングを行うためには、ウェーハの周囲に反応ガスを供給、滞留させ、この反応ガスに高電圧を付加することでプラズマ化するといった大掛かりな設備が必要になる。また、ウェーハに用いられるシリコンをエッチングすることが可能なガスとして、例えばＳＦ６などのフッ化ガスがあるが、この種のガスは温暖化ガスであるとともに高価なものである。したがってエッチングを行うためには、大掛かりな設備と高価なガスを用いることになり多額の費用がかかるといった欠点がある。 However, in order to perform the above etching, a large facility is required in which a reactive gas is supplied and retained around the wafer, and plasma is generated by applying a high voltage to the reactive gas. Further, as a gas capable of etching silicon used for a wafer, there is a fluoride gas such as SF 6 , for example. This kind of gas is a warming gas and is expensive. Therefore, in order to perform the etching, there is a drawback that a large amount of equipment and expensive gas are used, and a large amount of cost is required.

そこで、ウェーハの片面に、樹脂やワックス等を塗布し硬化させて被覆物を形成してから、ウェーハを研削することで、ウェーハのうねりや反りを除去する方法が提案されている（特許文献１、２参照）。これらの方法では、塗布された樹脂を硬化させて表面が平坦な被覆物を形成し、この被覆物の表面を基準面としてウェーハを研削することで、ウェーハのうねりや反りが除去され、ウェーハが平坦に加工される。   Therefore, a method has been proposed in which swell and warpage of a wafer are removed by applying a resin, wax or the like to one side of the wafer and curing it to form a coating, and then grinding the wafer (Patent Document 1). 2). In these methods, the applied resin is cured to form a coating with a flat surface, and the wafer is ground using the surface of the coating as a reference surface, thereby removing the waviness and warpage of the wafer. Processed flat.

特開平８−６６８５０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 8-66850 特開２００６−２６９７６１号公報JP 2006-269761 A

しかしながら、上記特許文献１の方法では、ウェーハの片面に形成された被覆物の厚さによって次のような問題が生じることがある。例えば、ウェーハに塗布する被覆物の厚さが薄い場合では、被覆物によってうねりや反りを十分に吸収することができない。また、ウェーハに塗布する被覆物の厚さが大きい場合では、一般的な研削装置を用い、回転させた研削砥石をウェーハに押し当ててウェーハを研削した時に、被覆物の弾性作用によって研削砥石からウェーハが逃げてしまい、うねりや反りが除去できてもウェーハを均一な厚さに研削することが難しいといった問題が生じる。   However, in the method of Patent Document 1, the following problem may occur depending on the thickness of the coating formed on one surface of the wafer. For example, when the thickness of the coating applied to the wafer is thin, the coating cannot sufficiently absorb swell and warpage. In addition, when the thickness of the coating applied to the wafer is large, when the wafer is ground by pressing the rotated grinding wheel against the wafer using a general grinding device, the grinding stone is removed from the grinding wheel by the elastic action of the coating. The wafer escapes, and there arises a problem that it is difficult to grind the wafer to a uniform thickness even if waviness and warpage can be removed.

一方、上記特許文献２の方法では被覆物を適切な膜厚に制御することができるため、うねりや反りを効果的に除去することができる。しかしながら、ウェーハに内部応力が残留した状態で樹脂等を硬化させているため、ウェーハの研削後に被覆物を除去するとウェーハ内に残留している内部応力によって再びうねりや反りが復帰するといったスプリングバックが生じる場合があり、必ずしも満足し得るものではない。   On the other hand, in the method of Patent Document 2, since the coating can be controlled to an appropriate film thickness, undulation and warpage can be effectively removed. However, since the resin or the like is cured with the internal stress remaining on the wafer, if the coating is removed after the wafer is ground, the spring back such that waviness and warpage are restored again due to the internal stress remaining in the wafer. It may occur and is not always satisfactory.

また、重力環境下におけるウェーハの形状は、うねりや反りに加えて「たわみ」の影響も受けた結果の形状だと考えられる。「たわみ」とは重力による変形であり、たわみの影響を考慮した厳密な平坦さに関しては、上記いずれの文献でも言及はされていない。   In addition, the shape of the wafer in a gravitational environment is considered to be the result of being affected by “deflection” in addition to waviness and warpage. “Deflection” is deformation due to gravity, and no exact flatness considering the influence of deflection is mentioned in any of the above documents.

よって本発明は、うねりや反りやたわみ等の変形要素を含む上記ウェーハ等の薄板状ワークを研削して平坦に加工するためにワークの片面に樹脂を被覆するにあたり、ワークのうねりや反りが適切に除去され、無重力下においてうねりや反りが抑制されたワークを得ることができる樹脂被覆方法および装置の提供を目的としている。   Therefore, in the present invention, when a thin plate-like workpiece such as a wafer including deformation elements such as waviness, warpage, and deflection is ground and processed flatly, when the resin is coated on one side of the workpiece, the waviness or warpage of the workpiece is appropriate. It is an object of the present invention to provide a resin coating method and apparatus capable of obtaining a workpiece that is removed and is capable of obtaining a work in which undulation and warpage are suppressed under zero gravity.

本発明の樹脂被覆方法は、うねりや反り等の変形要素を含む薄板状ワークの一の面を研削して平坦に加工するために該ワークの他の面に樹脂を被覆する樹脂被覆方法であって、平坦面に、ワークの一の面を密着させた状態で該ワークを保持し、変形要素を矯正して該ワークを平坦とするワーク矯正工程と、外的刺激によって硬化する硬化性樹脂上に、矯正工程で矯正された状態のワークを、他の面が該樹脂に密着する状態に載置するワーク載置工程と、ワークの一の面から平坦面を離反させる平坦面離反工程と、外的刺激付与手段によって硬化性樹脂に刺激を付与して該樹脂を硬化させる樹脂硬化工程とを少なくとも備えることを特徴としている。   The resin coating method of the present invention is a resin coating method in which one surface of a thin plate workpiece including deformation elements such as waviness and warpage is ground and processed to be flat so that the other surface of the workpiece is coated with resin. A workpiece correction step of holding the workpiece in a state where one surface of the workpiece is in close contact with the flat surface and correcting the deformation element to flatten the workpiece, and a curable resin that is cured by an external stimulus. In addition, a workpiece placement step of placing the workpiece corrected in the correction step in a state where the other surface is in close contact with the resin, a flat surface separation step of separating the flat surface from one surface of the workpiece, It comprises at least a resin curing step of applying a stimulus to the curable resin by an external stimulus applying means to cure the resin.

本発明の樹脂被覆方法では、矯正工程で変形を矯正された状態のワークを、ワーク載置工程で硬化性樹脂上に載置し、次いで平坦面離反工程で、一の面に密着させてワークを矯正していた平坦面を該一の面から離反させる。この段階でワークは硬化前の樹脂上に、矯正が解除され、かつ、他の面が樹脂に密着して載置された状態となる。   In the resin coating method of the present invention, a workpiece in which the deformation has been corrected in the straightening step is placed on the curable resin in the workpiece placing step, and then the workpiece is brought into close contact with one surface in the flat surface separation step. The flat surface that has corrected is separated from the one surface. At this stage, the workpiece is in a state in which the correction is released and the other surface is placed in close contact with the resin before being cured.

矯正が解除されたワークは、元の変形した状態（うねりや反りやたわみがある状態）に戻ろうとするが、本発明では、上記平坦面離反工程において、矯正が解除されて硬化前の樹脂上に載置されたワークは、内部応力による変形は樹脂を流動させながら生じるものの、重力による変形は樹脂で支持されることにより抑えられる。すなわち、ワークを、重力の影響を受けずに内部応力のみで変形した形状、もしくはそれに近似した形状にすることができる。そして、平坦面離反工程の後に樹脂を硬化させることにより、ワークはほぼ内部応力のみで変形した形状に保持される。   The workpiece whose straightening has been released tries to return to the original deformed state (there is a state of waviness, warpage or deflection). However, in the present invention, in the flat surface separation step, the straightening is canceled and the resin before curing is removed. Although the workpiece placed on the plate is deformed by internal stress while flowing the resin, the deformation caused by gravity is suppressed by being supported by the resin. That is, the workpiece can be deformed only by internal stress without being affected by gravity, or a shape approximated thereto. Then, by hardening the resin after the flat surface separation step, the work is held in a deformed shape by only the internal stress.

本発明の樹脂被覆方法は、ステージのワーク載置面に上記硬化性樹脂を供給する樹脂供給工程を有し、該樹脂供給工程の後に上記ワーク載置工程を行い、ワーク載置工程と上記平坦面離反工程との間に、上記矯正工程で矯正された状態のワークを、押圧手段によって一の面側からワーク載置面に供給された硬化性樹脂に向かって押圧するワーク押圧工程を含む。   The resin coating method of the present invention includes a resin supply step of supplying the curable resin to a workpiece mounting surface of a stage, and the workpiece mounting step is performed after the resin supply step. Between the surface separation step, a workpiece pressing step of pressing the workpiece corrected in the correction step from the one surface side toward the curable resin supplied to the workpiece mounting surface by the pressing means is included.

この形態を採用すると、ステージのワーク載置面に供給した硬化性樹脂がワークで押し広げられ、ワークの他の面全面に樹脂を均一に行き渡らせることができる。特に本発明では、変形を矯正して平坦に近い状態のワークを樹脂に押圧するので、樹脂がより均一に広がりやすく、かつ、短い押圧距離で樹脂を均一に広げることができる。さらに、ワークと樹脂との間に気泡が入りにくくなるといった利点もある。   If this form is adopted, the curable resin supplied to the workpiece placement surface of the stage is spread by the workpiece, and the resin can be uniformly distributed over the entire other surface of the workpiece. In particular, in the present invention, since the deformation is corrected and the workpiece in a nearly flat state is pressed against the resin, the resin is more easily spread more uniformly, and the resin can be spread evenly with a short pressing distance. Furthermore, there is an advantage that bubbles are less likely to enter between the workpiece and the resin.

また、本発明の樹脂被覆方法は、上記ワーク押圧工程と上記平坦面離反工程との間に、上記平坦面にワークの一の面を保持した状態で、該平坦面を、該ワークの他の面から一の面に向かう方向に移動させる平坦面移動工程を含む。   In the resin coating method of the present invention, the flat surface is held in a state where one surface of the work is held on the flat surface between the work pressing step and the flat surface separation step. A flat surface moving step of moving in a direction from the surface toward one surface is included.

この形態を採用すると、ワーク押圧工程で広がった樹脂の厚さを大きくすることができる。樹脂の厚さを大きくすることは、例えば、ワーク押圧工程で樹脂を均一に広げるために要した押圧距離が長くて平坦面離反工程後にワークが内部応力により変形するために必要な樹脂の厚さを得られなかった場合、樹脂の厚さを確保するために行われる。すなわち樹脂厚さが薄いとワークがステージのワーク載置面に当接してそれ以上の変形が不可能となってしまうおそれがあるが、樹脂の厚さを確保することでワークを十分に変形させることができ、押圧前の変形状態を再現することができる。言い換えると、この平坦面移動工程での平坦面の移動量は、矯正されていたワークが内部応力の影響によって元の形状に戻る程度でよい。   If this form is adopted, the thickness of the resin spread in the work pressing process can be increased. Increasing the thickness of the resin is, for example, the thickness of the resin required for the workpiece to deform due to internal stress after the flat surface separation step because the pressing distance required to uniformly spread the resin in the workpiece pressing step is long. If it is not obtained, it is carried out to ensure the thickness of the resin. In other words, if the resin thickness is thin, the workpiece may come into contact with the workpiece mounting surface of the stage and further deformation may not be possible. However, ensuring the resin thickness sufficiently deforms the workpiece. The deformation state before pressing can be reproduced. In other words, the amount of movement of the flat surface in this flat surface movement step may be such that the corrected workpiece returns to its original shape due to the influence of internal stress.

本発明の樹脂被覆方法で用いる上記硬化性樹脂としては、紫外線照射により硬化する紫外線硬化樹脂が挙げられ、この場合の上記外的刺激付与手段は、紫外線を照射する紫外線照射手段とされる。   Examples of the curable resin used in the resin coating method of the present invention include an ultraviolet curable resin that is cured by ultraviolet irradiation. In this case, the external stimulus imparting unit is an ultraviolet irradiation unit that irradiates ultraviolet rays.

この他の硬化性樹脂としては、加熱されることにより硬化する熱硬化樹脂や、加熱されることにより液化し、冷却されることにより硬化する熱可塑性樹脂が挙げられる。熱硬化樹脂の場合の外的刺激付与手段は加熱を行う加熱手段とされ、熱可塑性樹脂の場合の外的刺激付与手段は冷却を行う冷却手段とされる。   Examples of the other curable resin include a thermosetting resin that is cured by being heated, and a thermoplastic resin that is liquefied by being heated and is cured by being cooled. The external stimulus applying means in the case of a thermosetting resin is a heating means for heating, and the external stimulus applying means in the case of a thermoplastic resin is a cooling means for cooling.

次に、本発明の樹脂被覆装置は、上記本発明の樹脂被覆方法を好適に実施し得るものであって、ワークを、一の面が密着する状態に着脱自在に保持する平坦面を有し、該平坦面に該ワークを保持した時において変形要素を矯正して該ワークを平坦とするワーク矯正手段と、ワーク載置面を有し、該ワーク載置面に硬化性樹脂が供給されるステージと、ワーク矯正手段で矯正された状態のワークを、該ワーク載置面に供給された硬化性樹脂に載置するワーク載置手段と、ステージのワーク載置面に供給された硬化性樹脂に外的刺激を付与する外的刺激付与手段とを少なくとも備えることを特徴としている。   Next, the resin coating apparatus of the present invention can suitably carry out the resin coating method of the present invention, and has a flat surface that detachably holds a workpiece in a state where one surface is in close contact. And a workpiece correction means for correcting the deformation element when the workpiece is held on the flat surface to flatten the workpiece, and a workpiece placement surface, and a curable resin is supplied to the workpiece placement surface. A stage, a workpiece placement means for placing the workpiece corrected by the workpiece correction means on the curable resin supplied to the workpiece placement surface, and a curable resin supplied to the workpiece placement surface of the stage It is characterized by comprising at least an external stimulus applying means for applying an external stimulus.

本発明の樹脂被覆装置は、上記ワーク矯正手段を上記ステージの上記ワーク載置面に対向配置させるとともに、該ワーク矯正手段を該ワーク載置面に対し進退自在に移動させ、進出時に、硬化性樹脂に載置されたワークを該樹脂に向かって押圧する押圧手段を有する形態を含む。この形態では、上記本発明方法のワーク押圧工程を行うことができる。   In the resin coating apparatus of the present invention, the work correction means is disposed opposite to the work placement surface of the stage, and the work correction means is movably moved relative to the work placement surface, and is hardened when advanced. It includes a form having pressing means for pressing the workpiece placed on the resin toward the resin. In this embodiment, the work pressing step of the method of the present invention can be performed.

なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンやガリウム砒素等からなる半導体ウェーハや、サファイア（酸化アルミニウム）等の無機化合物からなるウェーハ等が挙げられる。   In addition, although the workpiece | work said by this invention is not specifically limited, For example, the semiconductor wafer which consists of silicon, gallium arsenide, etc., the wafer which consists of inorganic compounds, such as sapphire (aluminum oxide), etc. are mentioned.

本発明によれば、変形を矯正した状態のワークを硬化前の樹脂に載置してから矯正を解除し、この後、樹脂を硬化させるといった手順でワークに樹脂を被覆させることにより、研削後のワークは、重力影響による変形が緩和された状態で研削されるため、無重力下において反りやうねりが抑制されたワークを得ることができるといった効果を奏する。   According to the present invention, the workpiece in a state in which the deformation is corrected is placed on the resin before curing, then the correction is released, and then the workpiece is coated with the resin in a procedure of curing the resin, after grinding. Since the workpiece is ground in a state where the deformation due to the influence of gravity is relaxed, there is an effect that a workpiece in which warpage and undulation are suppressed under zero gravity can be obtained.

以下、図面を参照して本発明に係る一実施形態を説明する。
［１］半導体ウェーハ
図１（ａ）の符号１は、一実施形態でのワークである半導体ウェーハ（以下、ウェーハ）を示している。このウェーハ１は、シリコン等からなる円柱状の材料インゴットをワイヤソーにより所定の厚さにスライスして得られた素材段階のものである。 Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[1] Semiconductor Wafer Reference numeral 1 in FIG. 1A indicates a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) which is a work in one embodiment. The wafer 1 is in a material stage obtained by slicing a cylindrical material ingot made of silicon or the like to a predetermined thickness with a wire saw.

図１（ａ）では、重力下で、ウェーハ1の中心を下から支持した時の状態を示している。このウェーハ１は内部応力によりＡ方向に反りを生じており、表面には一部拡大図に示すようにうねりが生じている。ここで、反りに対して横断する方向をＡ方向と、反りの峰が延びる方向をＢ方向と呼ぶ。ウェーハ1は重力下で中心が支持された状態であるので、図１（ｂ）に示すように、「重力ありのＡ方向のウェーハ形状」は、「重力なしのＡ方向のウェーハ形状」に比べて、重力の影響を受けて押し下げられた状態になっている。   FIG. 1A shows a state where the center of the wafer 1 is supported from below under gravity. The wafer 1 is warped in the direction A due to internal stress, and the surface is wavy as shown in a partially enlarged view. Here, the direction crossing the warp is referred to as the A direction, and the direction in which the warp ridge extends is referred to as the B direction. Since the center of the wafer 1 is supported under gravity, as shown in FIG. 1B, the “wafer shape in the A direction with gravity” is compared with the “wafer shape in the A direction without gravity”. And pushed down due to the influence of gravity.

すなわち図１（ａ）のＡ方向におけるウェーハの形状は内部応力と重力によって変形した図１（ｂ）の「重力ありのＡ方向のウェーハ形状」と考えられる。同じく図１（ｂ）のように「重力ありのＢ方向のウェーハ形状」は「重力なしのＢ方向のウェーハ形状」に比べて、ウェーハの端が重力の影響を受けて下がった状態になっている。すなわち図１（ａ）のＡ方向におけるウェーハの形状は重力によって変形した図１（ｂ）の「重力ありのＢ方向のウェーハ形状」と考えられる。このウェーハ１は、裏面１ｂに紫外線硬化型の樹脂が塗布されて硬化してから、表面１ａが研削され、次いで裏面１ｂが研削されて平坦に加工された後、研削された表面に、電子回路を有する複数のデバイスからなるパターンが形成される。   In other words, the shape of the wafer in the A direction in FIG. 1A is considered to be “the wafer shape in the A direction with gravity” in FIG. 1B deformed by internal stress and gravity. Similarly, as shown in FIG. 1B, the “wafer shape in the B direction with gravity” is lower than the “wafer shape in the B direction without gravity” in which the edge of the wafer is lowered due to the influence of gravity. Yes. That is, the shape of the wafer in the A direction in FIG. 1A is considered to be “the wafer shape in the B direction with gravity” in FIG. The wafer 1 is coated with an ultraviolet curable resin on the back surface 1b and cured, and then the front surface 1a is ground, and then the back surface 1b is ground and flattened, and then the electronic circuit is applied to the ground surface. A pattern composed of a plurality of devices having the above is formed.

［２］樹脂被覆装置の構成
図２は、ウェーハ１の裏面１ｂに樹脂を供給して硬化させる一実施形態の樹脂塗布装置１０を示している。図２で符号１１は中空の基台であり、この基台１１の上部には、上面が平坦、かつ水平なワーク載置面１２ａとされた矩形板状のステージ１２が配設されている。ステージ１２は、紫外線が透過するホウ珪酸ガラスや石英ガラス等からなるもので、ステージ１２の下面は基台１１内の中空に面している。 [2] Configuration of Resin Coating Apparatus FIG. 2 shows a resin coating apparatus 10 according to an embodiment that supplies a resin to the back surface 1b of the wafer 1 and cures the resin. In FIG. 2, reference numeral 11 denotes a hollow base, and a rectangular plate-like stage 12 having a flat upper surface and a horizontal workpiece placement surface 12 a is disposed on the base 11. The stage 12 is made of borosilicate glass, quartz glass, or the like that transmits ultraviolet rays, and the lower surface of the stage 12 faces the hollow inside the base 11.

基台１１内の底部には、上方のステージ１２に向けて紫外線（紫外光）を照射する複数のＵＶランプ１３が配設されている。また、基台１１には、シリンダ１４によってＵＶランプ１３の上方に対して進退し、進出時にＵＶランプ１３の上方への紫外線照射光路を遮断する矩形板状のシャッタ１５が設けられている。シャッタ１５は、図２では１つしか示していないが、図３に示すように左右一対のものであり、各シャッタ１５にシリンダ１４が接続されている。   A plurality of UV lamps 13 for irradiating ultraviolet rays (ultraviolet light) toward the upper stage 12 are disposed at the bottom of the base 11. Further, the base 11 is provided with a rectangular plate-like shutter 15 that moves forward and backward with respect to the upper side of the UV lamp 13 by the cylinder 14 and blocks the ultraviolet irradiation light path to the upper side of the UV lamp 13 at the time of advancement. Although only one shutter 15 is shown in FIG. 2, there is a pair of left and right shutters as shown in FIG. 3, and a cylinder 14 is connected to each shutter 15.

シリンダ１４は、基台１１方向に水平に伸縮するピストンロッド１４ａを有し、ピストンロッド１４ａの先端にシャッタ１５が水平な状態で固定されている。ピストンロッド１４ａが伸びると、図３に示すように、左右のシャッタ１５はＵＶランプ１３の上方に進出し、先端が互いに当接して閉状態となり、ＵＶランプ１３からの上方への紫外線照射が遮断される。また、ピストンロッド１４ａが縮小すると、図５（ｂ）に示すように、各シャッタ１５はＵＶランプ１３の上方から退避して開状態となり、ＵＶランプ１３からステージ１２に向けて紫外線が照射される。   The cylinder 14 has a piston rod 14a that expands and contracts horizontally in the direction of the base 11, and a shutter 15 is fixed to the tip of the piston rod 14a in a horizontal state. When the piston rod 14a extends, as shown in FIG. 3, the left and right shutters 15 advance above the UV lamps 13, the tips abut against each other and close, and UV irradiation from the UV lamps 13 is blocked. Is done. Further, when the piston rod 14a is contracted, as shown in FIG. 5B, each shutter 15 is retracted from the upper side of the UV lamp 13 to be in an open state, and ultraviolet rays are irradiated from the UV lamp 13 toward the stage 12. .

図３に示すように、基台１１内のシャッタ１５の上方には、紫外線以外の光を遮断する矩形板状のフィルタ１６が配設されている。このフィルタ１６により、基台１１内の空間は上下に仕切られている。図２に示すように、基台１１の側壁部１１ａには、基台１１内の、フィルタ１６の上方空間に連通する円筒状のダクト１７が設けられている。このダクト１７には、基台１１内の空気を吸引して排出する図示せぬ排気手段が接続されている。   As shown in FIG. 3, a rectangular plate-like filter 16 that blocks light other than ultraviolet rays is disposed above the shutter 15 in the base 11. By this filter 16, the space in the base 11 is partitioned up and down. As shown in FIG. 2, a cylindrical duct 17 that communicates with the space above the filter 16 in the base 11 is provided on the side wall 11 a of the base 11. The duct 17 is connected to an exhaust means (not shown) for sucking and discharging the air in the base 11.

基台１１内は、ＵＶランプ１３から照射される紫外線によって温度が上昇するため、ステージ１２が熱膨張してステージ１２のワーク載置面１２ａの平坦度が低下するおそれがある。そのため、ステージ１２の下面側の空気をダクト１７から外部に排出することで、ステージ１２の温度上昇が抑えられ、ワーク載置面１２ａの平坦度が維持されるようになっている。また、フィルタ１６により必要のない光成分が遮断され、これによってもワーク載置面１２ａの平坦度が維持される。   Since the temperature inside the base 11 rises due to the ultraviolet rays emitted from the UV lamp 13, the stage 12 may thermally expand, and the flatness of the work placement surface 12a of the stage 12 may be lowered. Therefore, by discharging the air on the lower surface side of the stage 12 from the duct 17, the temperature rise of the stage 12 is suppressed and the flatness of the workpiece placement surface 12a is maintained. Further, unnecessary light components are blocked by the filter 16, and this also maintains the flatness of the work placement surface 12a.

図２に示すように、基台１１におけるステージ１２の奥側には背板部１８が立設しており、さらにこの背板部１８の上端部には、ステージ１２の上方に延びる庇部１９が形成されている。そして庇部１９には、ウェーハ１を水平に吸着して保持し、かつ、保持したウェーハ１を下方に移動させるウェーハ保持手段２０が設けられている。   As shown in FIG. 2, a back plate portion 18 is erected on the back side of the stage 12 in the base 11, and a collar portion 19 extending above the stage 12 is provided at the upper end portion of the back plate portion 18. Is formed. The flange portion 19 is provided with wafer holding means 20 for horizontally holding and holding the wafer 1 and moving the held wafer 1 downward.

ウェーハ保持手段２０は、庇部１９のほぼ中心から、下方のステージ１２と庇部１９との間の空間に延びるメインロッド２１と、このメインロッド２１の周囲に配設された複数（この場合４本）のサブロッド２２と、これらロッド２１，２２の下端に水平に固定された円板状の押圧パッド２３とを備えている。互いに平行に配設された各ロッド２１，２２は、上端部に駆動部２１Ａ，２２Ａを備えており、これら駆動部２１Ａ，２２Ａが庇部１９に固定されている。駆動部２１Ａ，２２Ａがそれぞれ運転されると、各ロッド２１，２２は下方に伸びたり上方に縮小したりするよう作動し、各ロッド２１，２２の伸縮に伴って押圧パッド２３が昇降する。   The wafer holding means 20 includes a main rod 21 extending from a substantially center of the flange portion 19 to a space between the lower stage 12 and the flange portion 19, and a plurality of (in this case, 4) disposed around the main rod 21. And a disc-shaped pressing pad 23 that is horizontally fixed to the lower ends of the rods 21 and 22. The rods 21 and 22 arranged in parallel with each other are provided with drive portions 21A and 22A at the upper end portions, and these drive portions 21A and 22A are fixed to the flange portion 19. When the drive units 21A and 22A are respectively operated, the rods 21 and 22 operate so as to extend downward or contract upward, and the pressing pad 23 moves up and down as the rods 21 and 22 expand and contract.

図３に示すように、押圧パッド２３の下面の大部分には吸着部２４が設けられている。この吸着部２４は、多孔質材料によって円板状に形成されたもので、接続された図示せぬ空気吸引源を運転すると吸着部２４の平坦な下面である吸着面２４ａに負圧が発生し、その吸着面２４ａにウェーハ１が吸着して保持されるようになっている。図３（ｃ）に示すように、うねりや反りを含むウェーハ１が吸着部２４に吸着されると、ウェーハ１は吸着面２４ａに密着し、うねりや反りやたわみ等の変形が矯正されてほぼ平らになる。   As shown in FIG. 3, a suction portion 24 is provided on most of the lower surface of the pressing pad 23. The suction part 24 is formed in a disk shape by a porous material, and when a connected air suction source (not shown) is operated, a negative pressure is generated on the suction surface 24a which is a flat lower surface of the suction part 24. The wafer 1 is sucked and held on the suction surface 24a. As shown in FIG. 3C, when the wafer 1 including waviness and warpage is adsorbed by the adsorbing portion 24, the wafer 1 comes into close contact with the adsorbing surface 24a, and deformation such as waviness, warpage and deflection is corrected. Flattened.

［３］樹脂被覆装置の動作
次に、上記樹脂被覆装置１０の動作を説明する。この動作中に、本発明の樹脂被覆方法が含まれている。 [3] Operation of Resin Coating Device Next, the operation of the resin coating device 10 will be described. During this operation, the resin coating method of the present invention is included.

初期の状態として、図３（ａ）に示すように、ＵＶランプ１３は常にＯＮの状態で紫外線を照射しているが、シャッタ１５が閉じてステージ１２には紫外線が照射されてはいない。また、押圧パッド２３は上方の待機位置に位置付けられている。   As an initial state, as shown in FIG. 3A, the UV lamp 13 is always on and irradiates ultraviolet rays, but the shutter 15 is closed and the stage 12 is not irradiated with ultraviolet rays. The pressing pad 23 is positioned at the upper standby position.

この状態から、図３（ｂ）に示すように、ステージ１２のワーク載置面１２ａの中央に、液状の樹脂Ｐ１を、塊状の状態で所定量供給する（樹脂供給工程）。供給する樹脂Ｐ１は、紫外線の照射を受けることにより硬化する紫外線硬化型が用いられ、粘度は、例えば５０〜３００００ｍＰａ程度のものが選択される。次に、押圧パッド２３の吸着部２４に負圧を発生させ、図３（ｃ）に示すように、吸着部２４の吸着面２４ａにウェーハ１の表面１ａを吸着させる。うねりや反りを含んで変形していたウェーハ１は吸着面２４ａに密着して変形が矯正される（ワーク矯正工程）。   From this state, as shown in FIG. 3B, a predetermined amount of liquid resin P1 is supplied in the form of a lump to the center of the work placement surface 12a of the stage 12 (resin supply step). As the resin P1 to be supplied, an ultraviolet curable type that is cured by being irradiated with ultraviolet rays is used, and a viscosity of, for example, about 50 to 30000 mPa is selected. Next, a negative pressure is generated at the suction portion 24 of the pressing pad 23, and the surface 1a of the wafer 1 is sucked onto the suction surface 24a of the suction portion 24 as shown in FIG. The wafer 1 that has been deformed including waviness and warpage is brought into close contact with the suction surface 24a and the deformation is corrected (work correction process).

続いて、駆動部２１Ａ，２２Ａを運転して各ロッド２１，２２を下方に伸ばして押圧パッド２３を下降させ、ウェーハ１の裏面１ｂを樹脂Ｐ１に押し付ける。これにより、変形が矯正されているウェーハ１の裏面１ｂが樹脂Ｐ１に密着し、ウェーハ１は樹脂Ｐ１に載置された状態となる（ワーク載置工程）。続いて、さらに押圧パッド２３を下降させてウェーハ１を樹脂Ｐ１に向けて押圧する。すると、図４（ａ）に示すように、樹脂Ｐ１が押し広げられてウェーハ１の裏面からはみ出る状態となり、裏面１ｂ全面に樹脂Ｐ１が均一に行き渡った状態が確保される（ワーク押圧工程）。   Subsequently, the driving units 21A and 22A are operated to extend the rods 21 and 22 downward to lower the pressing pad 23, thereby pressing the back surface 1b of the wafer 1 against the resin P1. As a result, the back surface 1b of the wafer 1 whose deformation has been corrected comes into close contact with the resin P1, and the wafer 1 is placed on the resin P1 (work placement step). Subsequently, the pressing pad 23 is further lowered to press the wafer 1 toward the resin P1. As a result, as shown in FIG. 4A, the resin P1 is spread and protrudes from the back surface of the wafer 1, and a state in which the resin P1 uniformly spreads over the entire back surface 1b is ensured (work pressing step).

樹脂Ｐ１がウェーハ１の裏面１ｂ全面に塗布されたら、駆動部２１Ａ，２２Ａの運転を停止するか、または運転によって樹脂Ｐ１に付与されていた圧力を弱める。すると、押圧パッド２３によりウェーハ１を樹脂Ｐ１に押圧している荷重が抜け、樹脂Ｐ１の反発力を受けて図４（ｂ）に示すように押圧パッド２３が僅かに上昇し、これにより樹脂Ｐ１の厚さが若干大きくなる（平坦面移動工程）。   When the resin P1 is applied to the entire back surface 1b of the wafer 1, the operation of the drive units 21A and 22A is stopped, or the pressure applied to the resin P1 by the operation is reduced. Then, the load pressing the wafer 1 against the resin P1 by the pressing pad 23 is released, and the pressing pad 23 slightly rises as shown in FIG. 4B due to the repulsive force of the resin P1, thereby the resin P1. Is slightly increased (flat surface moving step).

次に、押圧パッド２３の負圧運転を停止してから、図５（ａ）に示すように、押圧パッド２３を上昇させて待機位置に戻し、ウェーハ１の表面１ａから吸着面２４ａを離反させる（平坦面離反工程）。ウェーハ１から押圧パッド２３を離反させると、変形が矯正されていた力が解除され、ウェーハ１は平坦な状態から元の状態に戻ろうとして変形する。   Next, after the negative pressure operation of the pressing pad 23 is stopped, as shown in FIG. 5A, the pressing pad 23 is raised and returned to the standby position, and the suction surface 24 a is separated from the surface 1 a of the wafer 1. (Flat surface separation process). When the pressing pad 23 is separated from the wafer 1, the force that has been corrected for deformation is released, and the wafer 1 is deformed so as to return from the flat state to the original state.

図６は、矯正されたウェーハ１が樹脂Ｐ１上に載置されている状態（矯正あり）と、矯正が解除されたウェーハ１が樹脂Ｐ１上に載置されている状態（矯正なし）において、図１（ａ）で示したＡ方向とＢ方向から見た場合の形状を比較した表である。ここで、Ａ方向でのウェーハ１は、重力によってかかる下向きの力をウェーハ１の下面全体から樹脂Ｐ１によって支えられるため、ウェーハ１は重力の影響を受けて押し下げられた「矯正なしの破線の形状（図１（ｂ）に示す重力ありのＡ方向のウェーハ形状）」にはならず、反りが主に反映した「矯正なしの実線の形状」のようになる。   FIG. 6 shows a state in which the corrected wafer 1 is placed on the resin P1 (with correction) and a state in which the corrected wafer 1 is placed on the resin P1 (without correction). It is the table | surface which compared the shape at the time of seeing from the A direction and B direction which were shown in Fig.1 (a). Here, since the wafer 1 in the direction A is supported by the resin P1 from the entire lower surface of the wafer 1 due to the downward force applied by gravity, the wafer 1 is pushed down under the influence of gravity. (Wafer shape in the A direction with gravity shown in FIG. 1B) "does not become" the shape of the solid line without correction "mainly reflecting the warpage.

一方、Ｂ方向では重力によってかかる下向きの力が樹脂Ｐ１によって支えられるので、図６の「矯正なしの破線の形状（図１（ｂ）に示す重力ありのＢ方向のウェーハ形状）」のようにウェーハ１の端は垂れ下がることなく維持されて「矯正なしの実線の形状」のようになる。つまり、図６で示した矯正無しのＡ方向とＢ方向から見た場合の形状はたわみによる形状変化が抑制された状態の形状になる。この時のウェーハ１の変形は、樹脂Ｐ１がまだ硬化処理されていないため可能であって、変形は樹脂Ｐ１を流動させながら生じる。   On the other hand, since the downward force applied by gravity is supported by the resin P1 in the B direction, as shown in “the shape of the broken line without correction (the wafer shape in the B direction with gravity shown in FIG. 1B)” in FIG. The edge of the wafer 1 is maintained without sagging and becomes a “solid line shape without correction”. That is, the shape when viewed from the A direction and the B direction without correction shown in FIG. 6 is a shape in which the shape change due to deflection is suppressed. The deformation of the wafer 1 at this time is possible because the resin P1 has not been cured yet, and the deformation occurs while the resin P1 is flowing.

次に、図５（ｂ）に示すようにシャッタ１５を開く。すると、ＵＶランプ１３から発せられる紫外線がフィルタ１６を通して樹脂Ｐ１に照射される（樹脂硬化工程）。紫外線が照射された樹脂Ｐ１は硬化し、ウェーハ１の裏面１ｂには、裏面１ｂに密着した樹脂膜Ｐ２が形成され、ワーク載置面１２ａからウェーハ１を取り出すことができる状態となる。樹脂膜Ｐ２の、ワーク載置面１２ａに密着する表面（下面）は、平坦なワーク載置面１２ａが転写されることにより平坦に形成される。   Next, the shutter 15 is opened as shown in FIG. Then, the ultraviolet rays emitted from the UV lamp 13 are applied to the resin P1 through the filter 16 (resin curing step). The resin P1 irradiated with ultraviolet rays is cured, and a resin film P2 in close contact with the back surface 1b is formed on the back surface 1b of the wafer 1, so that the wafer 1 can be taken out from the work placement surface 12a. The surface (lower surface) of the resin film P2 that is in close contact with the workpiece placement surface 12a is formed flat by transferring the flat workpiece placement surface 12a.

［４］ウェーハの研削による平坦加工
以上のようにして裏面１ａに樹脂膜Ｐ２が被覆されたウェーハ１は、両面が研削される平坦加工工程に移される。図７は、ウェーハ１を研削するための研削スピンドル３０およびチャックテーブル４０を示している。 [4] Flattening by grinding the wafer The wafer 1 having the back surface 1a coated with the resin film P2 as described above is transferred to a flattening process in which both surfaces are ground. FIG. 7 shows a grinding spindle 30 and a chuck table 40 for grinding the wafer 1.

研削スピンドル３０は、円筒状のハウジング３１内に、モータ３２によって回転するスピンドルシャフト３３が内蔵され、スピンドルシャフト３３に、フランジ３４を介して砥石ホイール３５が固定された構成である。研削スピンドル３０は、スピンドルシャフト３３の軸方向が上下方向に沿った状態に設置され、図示せぬ昇降機構で昇降可能とされている。砥石ホイール３５は、環状のフレーム３６の下面に複数の砥石チップ３７が環状に配列されて固着されたものである。   The grinding spindle 30 has a configuration in which a spindle shaft 33 rotated by a motor 32 is built in a cylindrical housing 31, and a grindstone wheel 35 is fixed to the spindle shaft 33 via a flange 34. The grinding spindle 30 is installed in a state where the axial direction of the spindle shaft 33 is along the vertical direction, and can be moved up and down by a lifting mechanism (not shown). The grindstone wheel 35 has a plurality of grindstone chips 37 arranged in an annular shape and fixed to the lower surface of an annular frame 36.

チャックテーブル４０は、研削スピンドル３０の下方に、砥石ホイール３５と対向するように配設されている。チャックテーブル４０の水平な上面は、負圧の作用によってワークを吸着して保持する吸着部４１によって構成されている。この吸着部４１は、上記樹脂被覆装置１０の押圧パッド２３の吸着部２４と同様ものもので、多孔質材料によって円板状に形成されており、上面が吸着面４１ａとなっている。チャックテーブル４０は、図示せぬ回転駆動手段によって回転するようになっている。   The chuck table 40 is disposed below the grinding spindle 30 so as to face the grinding wheel 35. The horizontal upper surface of the chuck table 40 is constituted by an adsorption portion 41 that adsorbs and holds a workpiece by the action of negative pressure. The suction portion 41 is the same as the suction portion 24 of the pressing pad 23 of the resin coating apparatus 10, is formed in a disk shape with a porous material, and has an upper surface serving as a suction surface 41a. The chuck table 40 is rotated by a rotation driving means (not shown).

ウェーハ１の研削は、まず、図７に示すように樹脂膜Ｐ２を吸着部２４の吸着面２４ａに吸着させ、表面１ａが露出する状態にウェーハ１をチャックテーブル４０に保持する。そして、チャックテーブル４０を回転させ、一方、研削スピンドル３０を下降させながら回転する砥石３７をウェーハ１の表面に押し付ける。これによってウェーハ１の表面１ａが研削される。なお、この場合は、回転する砥石ホイール３５の外周部が回転しているウェーハ１の中心を通過することによりウェーハ１の表面全面が研削され、表面が平坦に加工される。   For grinding the wafer 1, first, as shown in FIG. 7, the resin film P2 is adsorbed on the adsorption surface 24a of the adsorption unit 24, and the wafer 1 is held on the chuck table 40 in a state where the surface 1a is exposed. Then, the chuck table 40 is rotated, while the grinding wheel 37 that rotates while the grinding spindle 30 is lowered is pressed against the surface of the wafer 1. Thereby, the surface 1a of the wafer 1 is ground. In this case, the entire outer surface of the rotating grinding wheel 35 passes through the center of the rotating wafer 1, whereby the entire surface of the wafer 1 is ground and the surface is processed to be flat.

図８（ａ）に示すように、ウェーハ１の表面１ａが平坦に加工されたら、次いで、図８（ｂ）に示すように、樹脂膜Ｐ２をウェーハ１の裏面１ｂから剥離して除去する。そして研削された表面１ａを吸着面２４ａに吸着させて、裏面１ｂが露出する状態にウェーハ１をチャックテーブル４０に保持する。次いでチャックテーブル４０を回転させながら研削スピンドル３０によって裏面１ｂを研削し、図８（ｃ）に示すように裏面１ｂを平坦に加工する。以上で、図８（ｄ）に示すように、表面１ａおよび裏面１ｂが平坦に、かつ、互い平行に加工され、厚さが均一となったウェーハ１を得る。   As shown in FIG. 8A, after the surface 1a of the wafer 1 is processed to be flat, the resin film P2 is then peeled off from the back surface 1b of the wafer 1 and removed as shown in FIG. 8B. Then, the ground surface 1a is attracted to the attracting surface 24a, and the wafer 1 is held on the chuck table 40 so that the back surface 1b is exposed. Next, the back surface 1b is ground by the grinding spindle 30 while rotating the chuck table 40, and the back surface 1b is processed to be flat as shown in FIG. As described above, as shown in FIG. 8D, the front surface 1a and the back surface 1b are processed flat and parallel to each other, and the wafer 1 having a uniform thickness is obtained.

［５］実施形態の作用効果
上記のようにして樹脂被覆装置１０によりウェーハ１の裏面１ｂに樹脂膜Ｐ２を被覆する実施形態においては、押圧パッド２３に吸着して変形を矯正したウェーハ１を、硬化前の樹脂Ｐ１の上に載置して押圧してから、この時点ではまだ樹脂Ｐ１を硬化させず、一旦ウェーハ１から押圧パッド２３を離反させて矯正を解除した後に、樹脂Ｐ１を硬化するといった手順をポイントとしている。 [5] Effect of Embodiment In the embodiment in which the resin film P2 is coated on the back surface 1b of the wafer 1 by the resin coating apparatus 10 as described above, the wafer 1 that has been adsorbed by the pressing pad 23 and corrected for deformation is obtained. After placing and pressing on the uncured resin P1, the resin P1 is not yet cured at this point, and the press pad 23 is once separated from the wafer 1 to cancel the correction, and then the resin P1 is cured. This is the point.

従来は、たわみによるウェーハの変形を考慮せず、例えば図１の状態のまま樹脂上にウェーハを載置し、たわみによる変形を含んだ形状でウェーハは樹脂上で固定され、研削されていた。したがって、従来のウェーハはたわみによる内部応力を含んだものとなり、無重力環境下においてはたわみによる内部応力により新たな反りが発生していた。しかしながら前述の手順により、矯正が解除されたウェーハ１は、重力の影響が緩和されて主に反りによって変形した形状で固定されるため、得られたウェーハ１はたわみによる内部応力を含まないか、もしくはそれに近い状態となる。このため、無重力下においてもより平坦に近い形状のウェーハとなる。   Conventionally, without considering the deformation of the wafer due to deflection, for example, the wafer was placed on the resin in the state shown in FIG. 1, and the wafer was fixed on the resin and ground in a shape including the deformation due to deflection. Therefore, the conventional wafer includes an internal stress due to the deflection, and a new warp is generated due to the internal stress due to the deflection in a weightless environment. However, the wafer 1 whose correction has been canceled by the above-described procedure is fixed in a shape that is mainly deformed by warping because the influence of gravity is relaxed, so that the obtained wafer 1 does not include internal stress due to deflection, Or it becomes a state close to it. For this reason, the wafer has a shape that is closer to flat even under zero gravity.

なお、使用する樹脂としては、適切な粘度および厚さが、ウェーハ１の素材や構造、形状、さらには元来ある内部応力などの様々な要素を考慮して選定されることで、本発明の効果をより顕著に得ることが可能となる。すなわち、適切な粘度および厚さとは、矯正を解除した後のウェーハの、反りによる変形は許容し、かつ、たわみによる変形は抑えることができるものと考えられる。言い換えると、重力によってウェーハに発生する力をほぼ同等の力で押し返す様な樹脂であると言える。   In addition, as a resin to be used, an appropriate viscosity and thickness are selected in consideration of various factors such as the material, structure, and shape of the wafer 1 as well as an internal stress inherent in the present invention. The effect can be obtained more remarkably. In other words, the appropriate viscosity and thickness are considered to allow the deformation of the wafer after the correction is canceled due to warpage and suppress the deformation due to deflection. In other words, it can be said that the resin pushes back the force generated on the wafer by gravity with almost the same force.

本実施形態では、ウェーハ１の裏面１ｂに樹脂Ｐ１が付着してから、さらに図４（ｂ）に示したようにウェーハ１で樹脂Ｐ１を押圧することにより、樹脂Ｐ１が押し広げられて裏面１ｂ全面に樹脂Ｐ１を均一に行き渡らせることができる。特に本実施形態では、変形を矯正して平坦に近い状態のウェーハ１を樹脂Ｐ１に押圧するので、樹脂Ｐ１がより均一に広がりやすく、かつ、短い押圧距離で樹脂Ｐ１を均一に広げることができる。さらに、ウェーハ１と樹脂Ｐ１との間に気泡が入りにくくなるといった利点もある。   In this embodiment, after the resin P1 adheres to the back surface 1b of the wafer 1, the resin P1 is further spread by pressing the resin P1 with the wafer 1 as shown in FIG. The resin P1 can be uniformly distributed over the entire surface. In particular, in the present embodiment, since the wafer 1 in a state in which the deformation is corrected and is almost flat is pressed against the resin P1, the resin P1 can be spread more uniformly, and the resin P1 can be spread uniformly at a short pressing distance. . Further, there is an advantage that bubbles are less likely to enter between the wafer 1 and the resin P1.

また、本実施形態では、ステージ１２のワーク載置面１２ａに塊状の樹脂Ｐ１を供給し、この樹脂Ｐ１をウェーハ１で押圧することによりウェーハ１の裏面１ｂに樹脂Ｐ１を塗布する形態である。この形態では、用いる樹脂Ｐ１の量を、ウェーハ１の裏面１ｂに塗布され得る最低限の量にすることが可能であり、結果として樹脂使用量が抑えられてコスト低減が図られる。また、使用直前に樹脂Ｐ１を供給することが可能であるから、粘度が低い樹脂でも使用が可能であり、粘度の選択肢が広がってウェーハ１をより平坦に近付けることが可能となる。   In the present embodiment, a block-shaped resin P1 is supplied to the workpiece placement surface 12a of the stage 12, and the resin P1 is applied to the back surface 1b of the wafer 1 by pressing the resin P1 with the wafer 1. In this embodiment, the amount of the resin P1 to be used can be set to the minimum amount that can be applied to the back surface 1b of the wafer 1, and as a result, the amount of resin used can be suppressed and the cost can be reduced. Further, since the resin P1 can be supplied immediately before use, it is possible to use even a resin having a low viscosity, and the options of the viscosity are widened so that the wafer 1 can be brought closer to flatness.

また、本実施形態では、図４（ｂ）に示したように樹脂Ｐ１を押圧した後、すぐに押圧パッド２３をウェーハ１から離反させず、ウェーハ１を吸着して保持したまま（すなわち平坦に矯正したまま）、一旦押圧パッド２３を僅かに上昇させて樹脂Ｐ１の厚さを押圧状態から大きくしている。   Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 4B, after pressing the resin P1, the pressing pad 23 is not immediately separated from the wafer 1, but the wafer 1 is sucked and held (that is, flat). With the correction, the pressure pad 23 is once raised slightly to increase the thickness of the resin P1 from the pressed state.

この動作をさせることにより、押圧パッド２３をウェーハ１から離反させた時、内部応力によってウェーハ１が樹脂Ｐ１内で十分に変形することができ、元の変形状態を再現させることができる。このため、研削による平坦加工工程において樹脂膜Ｐ２をウェーハ１から剥離した際に、ウェーハ１の内部応力による変形が生じにくく、厳密な平坦状態か、あるいは平坦に近い状態を得ることができる。なお、押圧後にウェーハ１を吸着、保持したまま押圧パッド２３を上昇させる量は、上昇後の樹脂Ｐ１の厚さ内で、ウェーハ１が変形する程度とされる。   By performing this operation, when the pressing pad 23 is moved away from the wafer 1, the wafer 1 can be sufficiently deformed in the resin P1 by the internal stress, and the original deformation state can be reproduced. For this reason, when the resin film P2 is peeled from the wafer 1 in the flat processing step by grinding, deformation due to internal stress of the wafer 1 hardly occurs, and a strict flat state or a nearly flat state can be obtained. The amount by which the pressure pad 23 is raised while the wafer 1 is attracted and held after pressing is such that the wafer 1 is deformed within the thickness of the resin P1 after the rise.

なお、上記実施形態では、ステージ１２のワーク載置面１２ａへの樹脂Ｐ１の供給は、必要な量の樹脂Ｐ１を直接ワーク載置面１２ａに供給しているが、本発明方法はこの供給方式に限られない。例えば、予め樹脂が塗布されたフィルムの樹脂が塗布された面を上側にしてステージ１２のワーク載置面１２ａ上に供給し、このフィルムの上面の樹脂の上に、押圧パッド２３に吸着させたウェーハを密着して押圧することにより、ウェーハの裏面に樹脂を塗布する方式を採ってもよい。   In the above embodiment, the resin P1 is supplied to the workpiece placement surface 12a of the stage 12 by supplying a necessary amount of the resin P1 directly to the workpiece placement surface 12a. Not limited to. For example, the surface of the film on which the resin has been applied in advance is supplied on the work placement surface 12a of the stage 12 with the surface on which the resin is applied facing upward, and is adsorbed on the pressing pad 23 on the resin on the upper surface of the film. A method of applying a resin to the back surface of the wafer by pressing the wafer in close contact may be adopted.

また、ウェーハ１が反りを含む形状である場合には、反りの凸側の面を押圧パッド２３の吸着部２４に吸着させる方が、矯正解除後に樹脂Ｐ１を流動させながら反りが戻る挙動が起きやすいので好ましい。   Further, when the wafer 1 has a shape including warpage, the behavior of returning the warp while causing the resin P1 to flow after the correction is released occurs when the convex side of the warp is attracted to the suction portion 24 of the pressing pad 23. It is preferable because it is easy.

以下、本発明の実施例を説明する。
［実施例］
単結晶シリコンからなる円柱状の材料インゴットをワイヤソーでスライスし、直径φ３００ｍｍ、厚さ９００μｍのウェーハを得た。続いてこのウェーハの反りを測定した。 Examples of the present invention will be described below.
[Example]
A cylindrical material ingot made of single crystal silicon was sliced with a wire saw to obtain a wafer having a diameter of 300 mm and a thickness of 900 μm. Subsequently, the warpage of the wafer was measured.

次いでこのウェーハを、図２と同様の樹脂被覆装置の押圧パッドに吸着して変形を矯正した。一方、ステージ（石英ガラス製）上に、片面に紫外線硬化型の樹脂が塗布されたフィルムを樹脂を上側にして供給し、このフィルムの上面の樹脂の上に、押圧パッドを下降させて矯正したウェーハの裏面を密着させ、さらにウェーハを樹脂に押圧した。次いで、押圧パッドによる吸着、すなわち矯正を解除してから押圧パッドを上昇させてウェーハから離反させ、この後、樹脂を硬化させてウェーハの裏面に樹脂膜を形成した。   Next, this wafer was adsorbed to a pressing pad of a resin coating apparatus similar to that shown in FIG. On the other hand, on the stage (made of quartz glass), a film coated with an ultraviolet curable resin on one side was supplied with the resin facing up, and the pressure pad was lowered onto the resin on the top surface of the film to correct it. The back surface of the wafer was brought into close contact, and the wafer was further pressed against the resin. Next, after releasing the adsorption by the pressing pad, that is, the correction, the pressing pad was raised and separated from the wafer, and then the resin was cured to form a resin film on the back surface of the wafer.

次に、図７〜図８に示した要領で、樹脂膜の表面を基準面にウェーハの表面を研削し、次いで樹脂膜をウェーハの裏面から除去した後、表面を基準面として裏面を研削して、両面が研削されて平坦加工されたウェーハを得た。   Next, in the manner shown in FIGS. 7 to 8, the surface of the wafer is ground with the surface of the resin film as a reference surface, and then the resin film is removed from the back surface of the wafer and then the back surface is ground with the surface as the reference surface. Thus, a wafer whose both surfaces were ground and flattened was obtained.

［比較例］
ウェーハをフィルムの樹脂の上に載置するにあたり、押圧パッドにウェーハを吸着して変形を矯正することはせず、単にウェーハをフィルムの樹脂上に載置してから、このウェーハを押圧パッドで押圧し、次いで、押圧パッドをウェーハから離間させるといった方法を採った。これ以外の工程は上記実施例と同様にして、両面が研削されて平坦加工されたウェーハを得た。 [Comparative example]
When placing the wafer on the film resin, the wafer is not adsorbed on the pressure pad to correct the deformation. A method of pressing and then separating the pressing pad from the wafer was adopted. Other processes were the same as in the above example, and a wafer having both surfaces ground and flattened was obtained.

［反りの測定値の比較］
平坦加工後の上記実施例と比較例のウェーハのＷＡＲＰ（反り）を（株）コベルト科研の「ウェーハBOW/WARP測定装置SBW-331M」で測定した。その結果を、樹脂被覆前の反りの測定値と合わせて表１に示す。なお、当該測定装置「SBW-331M」の測定結果は、たわみによる形状の変形量を打ち消す数値補正が反映されるため、無重力下における測定結果とみなすことができる。 [Comparison of measured values of warpage]
The WARP (warpage) of the wafers of the above examples and comparative examples after the flat processing was measured with “Wafer BOW / WARP measuring device SBW-331M” of Cobelt Research Institute. The results are shown in Table 1 together with the measured values of warpage before resin coating. The measurement result of the measurement apparatus “SBW-331M” can be regarded as a measurement result under weightlessness because it reflects a numerical correction that cancels out the deformation amount of the shape due to deflection.

Figure 2010155297
Figure 2010155297

表１で明らかなように、変形を矯正しないままウェーハを樹脂に押圧してから押圧する力を解除して樹脂を硬化させた比較例では、平坦加工後における反りが樹脂被覆前とそれほど変わらず、反りが除去されていない。これに対し、変形を矯正した状態のウェーハを樹脂に載置する本発明方法によれば、平坦加工後の反りが著しく低減し、平坦に近いウェーハを得ることができており、本発明の効果が実証された。   As is apparent from Table 1, in the comparative example in which the resin was cured by pressing the wafer against the resin without correcting the deformation, the warpage after the flat processing was not so different from that before the resin coating. The warping has not been removed. On the other hand, according to the method of the present invention in which the wafer with the deformation corrected is placed on the resin, the warpage after the flat processing is remarkably reduced, and a wafer that is nearly flat can be obtained. Has been demonstrated.

（ａ）は本発明の一実施形態で片面に樹脂が被覆されるウェーハが重力下で床に載置されている状態の斜視図、（ｂ）は重力ありと重力なしの下でのウェーハを図１（ａ）で示したＡ方向とＢ方向から見た場合の形状を比較した表である。(A) is a perspective view of a state in which a wafer whose resin is coated on one side is placed on the floor under gravity in one embodiment of the present invention, and (b) is a wafer under gravity and without gravity. It is the table | surface which compared the shape at the time of seeing from the A direction and B direction which were shown in Fig.1 (a). 本発明の一実施形態に係る樹脂被覆装置の斜視図である。It is a perspective view of the resin coating apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 一実施形態の樹脂被覆工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the resin coating process of one Embodiment. 一実施形態の樹脂被覆工程（図３の続き）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the resin coating process (continuation of FIG. 3) of one Embodiment. 一実施形態の樹脂被覆工程（図４の続き）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the resin coating process (continuation of FIG. 4) of one Embodiment. 矯正されたウェーハが樹脂上に載置されている状態（矯正あり）と、矯正が解除されたウェーハが樹脂上に載置されている状態（矯正なし）において、図１（ａ）で示したＡ方向とＢ方向から見た場合の形状を比較した表である。FIG. 1A shows a state in which the corrected wafer is placed on the resin (with correction) and a state in which the corrected wafer is placed on the resin (without correction). It is the table | surface which compared the shape at the time of seeing from A direction and B direction. ウェーハを研削する一実施形態の研削装置（研削スピンドル）を示す側面図である。It is a side view showing a grinding device (grinding spindle) of one embodiment which grinds a wafer. 研削工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a grinding process.

符号の説明Explanation of symbols

１…ウェーハ（ワーク）、１ａ…ウェーハの表面（一の面）、１ｂ…ウェーハの裏面（他の面）、１０…樹脂被覆装置、ステージ１２、ワーク載置面１２ａ、１３…ＵＶランプ（外的刺激付与手段）、２０…ウェーハ保持手段（ワーク矯正手段、ワーク載置手段、押圧手段、平坦面移動手段）、２３…押圧パッド、２４ａ…吸着面（平坦面）。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (workpiece), 1a ... Wafer surface (one surface), 1b ... Wafer back surface (other surface), 10 ... Resin coating apparatus, stage 12, workpiece mounting surface 12a, 13 ... UV lamp (outside 20) Wafer holding means (work correction means, work placing means, pressing means, flat surface moving means), 23 ... pressing pad, 24a ... suction surface (flat surface).

Claims (8)

うねりや反り等の変形要素を含む薄板状ワークの一の面を研削して平坦に加工するために該ワークの他の面に樹脂を被覆する樹脂被覆方法であって、
平坦面に、前記ワークの前記一の面を密着させた状態で該ワークを保持し、前記変形要素を矯正して該ワークを平坦とするワーク矯正工程と、
外的刺激によって硬化する硬化性樹脂上に、前記矯正工程で矯正された状態の前記ワークを、前記他の面が該樹脂に密着する状態に載置するワーク載置工程と、
前記ワークの前記一の面から前記平坦面を離反させる平坦面離反工程と、
外的刺激付与手段によって前記硬化性樹脂に刺激を付与して該樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、を少なくとも備えることを特徴とする樹脂被覆方法。 A resin coating method for coating a resin on the other surface of the workpiece in order to grind and flatten one surface of a thin plate-shaped workpiece including deformation elements such as waviness and warpage,
A workpiece correction step of holding the workpiece in a state in which the one surface of the workpiece is in close contact with a flat surface, and correcting the deformation element to flatten the workpiece;
On the curable resin that is cured by an external stimulus, the workpiece placed in a state where the other surface is in close contact with the resin, the workpiece placed in a state of being corrected in the correction step,
A flat surface separation step of separating the flat surface from the one surface of the workpiece;
A resin coating method comprising at least a resin curing step of curing the resin by applying a stimulus to the curable resin by an external stimulus applying means. ステージのワーク載置面に前記硬化性樹脂を供給する樹脂供給工程を有し、該樹脂供給工程の後に前記ワーク載置工程を行い、前記ワーク載置工程と前記平坦面離反工程との間に、前記矯正工程で矯正された状態の前記ワークを、押圧手段によって前記一の面側から前記ワーク載置面に供給された前記硬化性樹脂に向かって押圧するワーク押圧工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の樹脂被覆方法。   A resin supply step of supplying the curable resin to the workpiece mounting surface of the stage, the workpiece mounting step is performed after the resin supply step, and between the workpiece mounting step and the flat surface separation step And a workpiece pressing step of pressing the workpiece in a state corrected in the correction step from the one surface side toward the curable resin supplied to the workpiece mounting surface by a pressing unit. The resin coating method according to claim 1. 前記ワーク押圧工程と前記平坦面離反工程との間に、前記平坦面に前記ワークの前記一の面を保持した状態で、該平坦面を、該ワークの前記他の面から前記一の面に向かう方向に移動させる平坦面移動工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の樹脂被覆方法。   In a state where the one surface of the workpiece is held on the flat surface between the workpiece pressing step and the flat surface separation step, the flat surface is changed from the other surface of the workpiece to the one surface. The resin coating method according to claim 2, further comprising a flat surface moving step of moving in a moving direction. 前記硬化性樹脂は、紫外線照射により硬化する紫外線硬化樹脂であり、
前記外的刺激付与手段は、紫外線を照射する紫外線照射手段であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂被覆方法。 The curable resin is an ultraviolet curable resin that is cured by ultraviolet irradiation,
The resin coating method according to claim 1, wherein the external stimulus applying unit is an ultraviolet irradiation unit that irradiates ultraviolet rays. 前記硬化性樹脂は、加熱されることにより硬化する熱硬化樹脂であり、
前記外的刺激付与手段は、加熱を行う加熱手段であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂被覆方法。 The curable resin is a thermosetting resin that cures when heated.
The resin coating method according to claim 1, wherein the external stimulus imparting unit is a heating unit that performs heating. 前記硬化性樹脂は、加熱されることにより液化し、冷却されることにより硬化する熱可塑性樹脂であり、
前記外的刺激付与手段は、冷却を行う冷却手段であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂被覆方法。 The curable resin is a thermoplastic resin that liquefies when heated and cures when cooled.
The resin coating method according to claim 1, wherein the external stimulus applying unit is a cooling unit that performs cooling. うねりや反り等の変形要素を含む薄板状ワークの一の面を研削して平坦に加工するために該ワークの他の面に樹脂を被覆する樹脂被覆装置であって、
前記ワークを、前記一の面が密着する状態に着脱自在に保持する平坦面を有し、該平坦面に該ワークを保持した時において前記変形要素を矯正して該ワークを平坦とするワーク矯正手段と、
ワーク載置面を有し、該ワーク載置面に硬化性樹脂が供給されるステージと、
前記ワーク矯正手段で矯正された状態の前記ワークを、該ワーク載置面に供給された前記硬化性樹脂に載置するワーク載置手段と、
前記ステージの前記ワーク載置面に供給された硬化性樹脂に外的刺激を付与する外的刺激付与手段と、を少なくとも備えることを特徴とする樹脂被覆装置。 A resin coating apparatus for coating a resin on the other surface of the workpiece in order to grind and flatten one surface of a thin plate-shaped workpiece including deformation elements such as undulation and warpage,
A workpiece correction that has a flat surface that detachably holds the workpiece in a state where the one surface is in close contact, and corrects the deformation element when the workpiece is held on the flat surface to flatten the workpiece. Means,
A stage having a workpiece placement surface, and a curable resin is supplied to the workpiece placement surface;
A workpiece placement means for placing the workpiece in a state corrected by the workpiece correction means on the curable resin supplied to the workpiece placement surface;
A resin coating apparatus comprising at least an external stimulus applying means for applying an external stimulus to the curable resin supplied to the work placement surface of the stage. 前記ワーク矯正手段を前記ステージの前記ワーク載置面に対向配置させるとともに、該ワーク矯正手段を該ワーク載置面に対し進退自在に移動させ、進出時に、前記硬化性樹脂に載置された前記ワークを該樹脂に向かって押圧する押圧手段を有することを特徴とする請求項７に記載の樹脂被覆装置。   The work correction means is disposed opposite to the work placement surface of the stage, and the work correction means is moved forward and backward with respect to the work placement surface, and is placed on the curable resin when advanced. The resin coating apparatus according to claim 7, further comprising a pressing unit that presses the workpiece toward the resin.
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