JP2010096997A - ミラー装置及びミラー装置の製造方法 - Google Patents
ミラー装置及びミラー装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010096997A JP2010096997A JP2008267909A JP2008267909A JP2010096997A JP 2010096997 A JP2010096997 A JP 2010096997A JP 2008267909 A JP2008267909 A JP 2008267909A JP 2008267909 A JP2008267909 A JP 2008267909A JP 2010096997 A JP2010096997 A JP 2010096997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- substrate
- support
- fixed electrode
- suspension
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】ミラー装置30は、薄板状のミラー部31aと、ミラー部31aを懸架するサスペンション31bを有し、ミラー部31aの周縁の少なくとも一部を包囲し、かつサスペンション31bによりミラー部31aをその表面に垂直な方向へ移動可能に支持するベース部31cと、から成るミラー基板31と、ミラー基板31のベース部31cの表面に配設した支持基板32と、を備え、支持基板32が、ミラー基板31の周縁の内側に対向してミラー部31aの表面に当接する支持部32aと、支持部32aより外側でミラー部31aに対向して形成された固定電極部32bを有している。
【選択図】図7
Description
図15(A)は、従来のマイクロミラー装置70の構成例における非動作時の、(B)は動作時の、概略断面図である。
図15(A)において、マイクロミラー装置70は、マイクロミラー71と、マイクロミラー71の周縁を支持する固定部72と、マイクロミラー71の下部に配設される固定電極73と、から構成されている。マイクロミラー71の周縁は固定部72に対して支持されていると共に、その下方に間隔をあけて固定電極73が配置されている。マイクロミラー71は、薄膜の円板からなるシリコン窒化膜(Si3N4)等を用いて形成することができる。マイクロミラー71の周縁の固定部72に対する支持は、サスペンションなどによる部分的な支持や周縁を不動に固定保持(非特許文献3,4参照)することで行われる。
このように構成されたマイクロミラー装置70において、マイクロミラー71と固定電極73との間に電圧を印加すると、マイクロミラー71が静電引力によって変形する。具体的には、図15(B)に示すように、マイクロミラー71を静電引力によって下方に向かって放物面状に変形させて、焦点可変の放物面形状を有する反射面を形成することができる。
図16は、図15のマイクロミラー71の変形状態を示すグラフである。図16から明らかなように、マイクロミラー71においては、実際の変形形状は、符号Aで示すように、一様な近似放物面形状Bに対して各所で5%から100%以上のずれを生じてしまう。
図17は、従来のマイクロミラー71の周縁が固定部72に対して固定保持されている場合の変形状態を示すグラフである。実際のマイクロミラー71の変形形状Aは、一様な近似放物面形状Bから大きくずれてしまう。
しかしながら、従来のマイクロミラー装置70では、何れの場合も精度のよい一様な放物面形状のミラーが得られていないという課題がある。
好ましくは、ミラー基板は半導体層から構成され、ミラー基板のベース部が絶縁層を介して半導体基板上に形成される。好ましくは、支持基板はガラス基板または半導体基板から構成される。
固定電極部は、支持基板の表面に形成された凹陥部内に配置されてもよい。
ミラー部の支持部より内側の領域の静電引力による変形量は、好ましくは、電圧に対応して変化し、一様な近似放物面状に変形したミラー部の焦点距離が変更可能である。
第三の段階において、各支持部の上面に、ミラー部の表面への接合を阻止する金属層を形成してもよい。金属層が、固定電極部と同じ材料により固定電極部と同時に形成されてもよい。ミラー基板を半導体基板を用いて構成してもよく、支持基板をガラス基板または半導体基板を用いて構成してもよい。
(ミラー装置)
図1は本発明の第1の実施形態に係るミラー装置の構成を模式的に示す図で、(A)は斜視透視図、(B)は平面図であり、図2(A)は図1のミラー装置10の非動作時の、(B)が動作時の概略断面図である。
図1に示すように、ミラー装置10は、ミラー基板11と、ミラー基板11を支持する支持部12aと固定電極部12bとを備えた支持基板12と、を含んで構成されている。
ここで、サスペンション11bは、線状、ジグザグ線状等のバネ形状を有している。各サスペンション11bは、ミラー部11aの中心に関して等角度間隔に配置されることにより、ミラー部11aの各半径方向に関して一様な変形を妨げないようになっている。
これにより、ミラー駆動電源18からミラー部11aと固定電極部12bとの間に電圧が印加されると、固定電極部12bとミラー部11aの外側領域11dとの間に静電引力Pが作用する。この際、静電引力Pは、支持部12aによる支持点より距離Lだけ外側の位置で、ミラー部11aの外側領域11dに作用し、下方へ移動させる。従って、ミラー部11aは、支持部12aによる支持点より内側の内側領域11eが、支持点を中心とする一定の曲げモーメントM0を受けて、図2(B)に示すように、中心が上方に向かって移動するように変形する。
ここで、ミラー部11aの変形について考察する。
図3は、両端が固定された梁の荷重印加時の変位量を計算するための模式図である。
図3に示すように、先ず、両端が固定された梁20の両端に曲げモーメントMが作用したとき、梁20の長手方向の位置をx,高さをy,ヤング率をE,断面二次モーメントをIとすると、下記(1)式で表わされるたわみ曲線の微分方程式が成立する。
これに対して、曲げモーメントMが一定(M0)であれば、上記式(1)をyについて解くと、yは下記(2)式で表わされ、梁20のたわみが近似放物線となることが分かる。
図4は、環状の支持部に支持された円板21の荷重印加時の変形を計算するために用いるモデル図であって、(A)はミラー装置モデルの斜視図で、(B)は平面図、(C)は断面図である。
図4(A)に示すように、梁20の代わりに、円板21がその周縁21aの内側で環状の支持部22により支持され、周縁21aに下向きの荷重Pが印加される場合には、円板21の中心軸を通る任意の断面において、前述した梁20の場合と同様の曲げモーメントMが発生するので、円板21の支持部22より内側の領域が同様に一様な近似放物面形状に変形することになる。即ち、円板21において、円板中心を原点とし、光軸をz(下向きに正)、支点から作用点までの長さをL、作用点の変位をr(r2=x2+y2)とし、荷重分布をP(r)、曲げこわさをDとすると、この曲げこわさDは、板厚h、ポアソン比νとしたとき、下記(3)式で与えられる。
表1は、円形のミラー部11aのたわみ量に影響があるパラメータとバネ定数の関係を纏めた表である。円形のミラー部11aを備えたミラー装置10におけるミラー部11aの直径、支持部12aの円の直径、ミラー部11aのバネ定数及びサスペンション11bのバネ定数の設計例を示している。サスペンション11bの個数は4個とした。Siのヤング率が162GPa、ポアソン比が0.22、真空の誘電率が8.85×10−12F/m、ミラーの厚さが10μmとして算出した。サスペンション11bのバネ定数はミラー部11aのバネ定数の百分の一程度に設計した。
次に、本発明の第2の実施形態に係るミラー装置について説明する。
図5は本発明の第2の実施形態に係るミラー装置15の構成を模式的に示す図であり、(A)は斜視透視図、(B)は平面図である。
図5(A)に示すように、ミラー装置15は、ミラー基板11のミラー部11aを長方形とした点でミラー装置10と異なっている。
長方形の形状を有するミラー部11aの鏡の作用について説明する。
長方形ミラー部11aを梁に見立て、たわみ曲線の計算を行う。梁の場合の曲げモーメントM0は、下記(9)式で与えられる。
表2は、長方形のミラー部11aのたわみ量に影響があるパラメータとバネ定数の関係を纏めた表である。長方形のミラーのたわみ量に影響があるミラー部11aの長さ、支持部12aによる支持間隔、ミラー部11aのバネ定数及びサスペンション11bのバネ定数の計算例を示している。2辺を支持した長方形ミラーの幅(短辺b)はたわみに無関係であるから500μmとし、サスペンション11bの個数は4個とした。Siのヤング率、ポアソン比、真空の誘電率、ミラー部11aの厚さは、円形のミラー部11aと同じ値を用いた。サスペンション11bのバネ定数はミラーのバネ定数の百分の一程度に設計した。
次に、ミラー装置の具体的な構成例について説明する。
図6はミラー装置30の構成を示す平面図であり、図7は図6のX−X方向の断面図である。
図6及び図7に示すように、ミラー装置30は、図1及び図5に示したミラー装置10,15と同様に、ミラー基板31と支持基板32とから構成されている。ミラー基板31はSi基板等から構成されており、薄板状のミラー部31aと、ミラー部31aの周縁を包囲し且つサスペンション31bにより支持するベース部31cと、を含んでいる。ミラー基板31に用いるSi基板は、所謂SOI(Silicon On Insulator)ウェハを用いることができる。ミラー部31aは、例えば図6に示すように円形に形成されている。ミラー部31aの周縁とベース部31cとは、殆どの部分が空隙部31gによって分離され、ミラー部31aの周縁で空隙部31gによって分離されていない箇所が複数個のバネとなるサスペンション11bによってベース部31cと接続されている。図示の場合は、四個のサスペンション31bによりベース部31cに懸架され、上下方向に移動可能に支持されている。サスペンション31bは、図示するようにジグザグ線状や線状等のバネ形状を有している。
なお、ミラー装置30のミラー部31aの形状は円形に限らず長方形でもよい。ミラー部31aの形状を長方形とした場合には、固定電極部32bの形状は、図5に示す固定電極部12e,12fの形状と同様な形状とすればよい。
ミラー装置30の製造方法について説明する。ミラー装置30は、図6及び図7に示した構成として説明する。
最初に、ミラー基板31の製造について説明する。
図8は、図7に示したミラー基板31の製造方法を順次に示す模式的な断面図である。
ミラー基板31として、SOI構造を有する第1の基板40を用いる。第1の基板40においては、シリコン基板41上にSiO2から成る犠牲層42と上層Si層43が順に積層されている。具体的には、例えば、厚さが200μmのシリコン基板41の表面に、厚さ2μmのSiO2から成る犠牲層42を介して、厚さ10μmの上層Si層43が形成されている。
そして、図8(A)に示すように、この第1の基板40の下面に、例えばポジレジストのマスクパターン44を形成して、誘導結合プラズマによるイオンエッチング(ICP−RIE法と呼ぶ)等により、犠牲層42に達するエッチング45を行う。
これにより、ミラー部31aに対応するシリコン基板41の領域を、一部を残して除去する。
これにより、ミラー部31aはシリコン基板41から解放され、浮いた状態でサスペンション31bにより支持された状態となる。
以上で、ミラー基板31が作製される。
次に、支持基板32の製造について説明する。
図9は、図7に示した支持基板32の製造方法を順次に示す模式的な断面図である。
第2の基板、例えばガラス基板50を用意して、図9(A)に示すように、このガラス基板50の表面に、Cr膜51をスパッタリング等により形成する。このCr膜51は、例えば厚さ250〜300nm程度に選定されている。
そして、図9(B)に示すように、このCr膜51の表面に、例えばポジレジストのマスクパターン52を形成して、Crエッチング53を行う。この場合、Cr膜51をエッチングするエッチャントとして、例えばHCl04(70%)4.5gと、H2O89cm3と、硝酸二アンモニウムセリウム(II)20gとからなる混合溶液を使用することができる。
これにより、ガラス基板50の表面に、凹陥部32c,32d,32eが形成されると共に、凹陥部32c,32dの間に、支持部32aが画成されることになる。
ここで、Au膜56のガラス基板50への密着性が良くないため、Au膜56及びガラス基板50の双方に対する密着性の良好なCr膜55等を介在させて、間接的にAu膜56のガラス基板50への密着性を高めるようにしている。
なお、支持部32a上のCr膜55及びAu膜56もエッチングされずに残される。この場合、Au膜56をエッチングするエッチャントとして、I2を1.2gとNH4Iを8gとH2Oを40cm3とCH3OHを60cm3とからなる混合溶液を使用することができる。固定電極部32bを形成するためには、所謂リフトオフプロセス法等を利用してもよい。
以上で、支持基板32が作製される。
図10はミラー基板31及び支持基板32の陽極接合を示す模式的な断面図である。
図10に示すように、図8に示す方法によって作製されたミラー基板31が反転された状態で、図9に示す方法によって作製された支持基板32上に載置され、ヒータ57により加熱されると共に、電源58により電圧が印加されて陽極接合が行われる。陽極接合の条件は、例えば400℃,100Vである。これは、電圧を例えば200〜300V程度と高くすると、ミラー部31aがガラス基板50に引き込まれて接合してしまうので、このような接合を排除するためである。ミラー装置30では、接合面全体を気密性良く密着させる必要はないので、低電圧の陽極接合でも、接合が可能である。
ここで、ミラー部31aの直径を500μmとして、対応する支持部32bの円の直径を100μm及び200μmとした。ミラー部31aの直径を1000μmとした場合、対応する支持部の円直径を300μm及び400μmとした。ミラー部31aの直径を1500μmとした場合、対応する支持部32bの円の直径を600μmとした。支持間隔gは何れの場合も10μmとした。
ミラー装置30のミラー部31aと固定電極部32bとの間に正弦波(1Hz)を種々の電圧を印加して形状測定を行った。形状測定には白色光干渉計(ザイゴ社)を用いた。
図12は、実施例1のミラー部31aの断面形状における印加電圧依存性を示す図である。測定した円形ミラー部31aの直径は1000μmであり、支持部32bの円の直径が400μmである。図の横軸はミラー部31aの直径方向の寸法(mm)であり、図の縦軸はミラー部31aの変形量(μm)である。
図12から明らかなように、100V以下の印加電圧ではミラー部31aの支持への接触が弱く、形状が傾いていた。100V以上の印加電圧ではミラー部31aの支持への接触が強いので形状が安定であり、印加電圧の増大と共にミラー部31aの中央部が上方へ膨らむことが分かる。
図13から明らかなように、微細加工によってミラー基板31及び互いに平行な直線状の支持部32aを有する支持基板31が精度良く製作されていることが分かる。
図14は、実施例2のミラー部31aの断面形状における印加電圧依存性を示す図である。測定した長方形のミラー部の長辺の長さは1000μmである。図の横軸はミラー部31aの長辺方向の寸法(mm)であり、図の縦軸は、ミラー部31aの変形量(μm)である。
図14から明らかなように、印加電圧によってミラー部31aへの支持部32aの接触が強く、形状が安定であり、印加電圧を50Vから200Vまで50V毎に増加させると、印加電圧の増大と共に、ミラー部31aの中央部が上方へ膨らむことが分かる。
表6から明らかなように、印加電圧が0V〜200Vでは、原理的に一様な近似放物面になるミラー部31aの支持内部領域では、平均二乗偏差が安定して約1.1nm以下程度の非常に小さい誤差であった。ミラー部の全領域では、印加電圧が0V,50V,100V,150V,200Vの場合、平均二乗偏差が、それぞれ、2.58nm,4.53nm,10.7nm,23.3nm,51.1nmと小さかった。
さらに、実施例2のミラー装置30では、印加電圧を0V,50V,100V,150V,200Vと変化させたときに得られる焦点距離が、それぞれ、710mm,370mm,150mm,70mm,32mmと変動していることが分かった。
11,31:ミラー基板
11a,31a:ミラー基板のミラー部
11b,31b:ミラー基板のサスペンション
11c,31c:ミラー基板のベース部
11d,31f:ミラー基板の外側領域
11e:ミラー基板の内側領域
11g,31g:ミラー基板の空隙部
12,32:支持基板
12a,12c,12d,32a:支持基板の支持部
12b,12e,12f,32b:支持基板の固定電極部
18:ミラー駆動電源
20:梁
21:円板
21a:周縁
22:支持部
31d:犠牲層
31e:Si基板
32c,32d,32e:ミラー基板の凹陥部
40:第1の基板
41:シリコン基板
42:犠牲層
43:上層Si層
44,46,52:マスクパターン
45,47,53,54:エッチング
50:第2の基板(ガラス基板)
51,55:Cr膜
56:Au膜
57:ヒータ
58:電源
Claims (12)
- 薄板状のミラー部と、該ミラー部を懸架するサスペンションを有し該ミラー部の周縁の少なくとも一部を包囲しかつ上記サスペンションにより上記ミラー部をその表面に垂直な方向へ移動可能に支持するベース部と、から成るミラー基板と、
上記ミラー基板のベース部の表面に配設される支持基板と、
を備え、
上記支持基板が、上記ミラー基板の周縁の内側に対向してミラー部の表面に当接する支持部と、上記支持部より外側で上記ミラー部に対向して形成された固定電極部と、を有しており、
上記固定電極部と上記ミラー部との間に電圧を印加することにより、上記ミラー部の支持部より外側の領域を静電引力によって、対応する固定電極側に向かって変位させて、上記ミラー部の支持部より内側の領域を断面放物線状に変形させることを特徴とする、ミラー装置。 - 前記ミラー部が円形に形成されており、前記サスペンションが前記ミラー部の中心に関して等角度間隔に配置されていて、
前記支持部が前記ミラー部と同心の環状に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のミラー装置。 - 前記ミラー部が長方形に形成されており、前記サスペンションが前記ミラー部の互いに対向する端縁に関して配置されていて、
前記支持部が前記ミラー部の互いに対向する端縁の内側に沿って配置されていることを特徴とする、請求項1に記載のミラー装置。 - 前記ミラー基板が、半導体層から構成されており、
前記ミラー基板のベース部が、絶縁層を介して半導体基板上に形成されていることを特徴とする、請求項1〜3の何れかに記載のミラー装置。 - 前記支持基板が、ガラス基板または半導体基板から構成されていることを特徴とする、請求項1〜4の何れかに記載のミラー装置。
- 前記固定電極部が、前記支持基板の表面に形成された凹陥部内に配置されていることを特徴とする、請求項1〜5の何れかに記載のミラー装置。
- 前記ミラー部の支持部より内側の領域の静電引力による変形量が、前記電圧に対応して変化し、一様な近似放物面状に変形した前記ミラー部の焦点距離が変更可能であることを特徴とする、請求項6に記載のミラー装置。
- 犠牲層を介して上層を備えた第1の基板に対して、上層側から上記犠牲層に達するエッチングによりミラー部及びサスペンションを画成する溝部を形成すると共に、上記第1の基板側から上記犠牲層に達するエッチングにより、上記第1の基板の上記ミラー部に対応する領域を除去して、ミラー基板を作製する第一の段階と、
第2の基板の表面に対して支持部を形成する第二の段階と、
上記第2の基板の表面の上記支持部の外側に固定電極部を形成して支持基板を作製する第三の段階と、
上記第三の段階で作製された支持基板上に上記第一の段階で作製されたミラー基板を反転して上記ミラー基板の上層のベース部を上記支持基板の表面に対して陽極接合する第四の段階と、
を含んでいることを特徴とする、ミラー装置の製造方法。 - 前記第二の段階にて、前記支持基板の前記支持部となるべき表面領域の周囲に凹陥部を形成することにより各支持部を画成することを特徴とする、請求項8に記載のミラー装置の製造方法。
- 前記第三の段階にて、各支持部の上面に前記ミラー部の表面への接合を阻止する金属層を形成することを特徴とする、請求項8又は9に記載のミラー装置の製造方法。
- 前記金属層が、前記固定電極部と同じ材料により前記固定電極部と同時に形成されることを特徴とする、請求項10に記載のミラー装置の製造方法。
- 前記ミラー基板が半導体基板を用いて構成されており、前記支持基板がガラス基板または半導体基板を用いて構成されていることを特徴とする、請求項8〜11の何れかに記載のミラー装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008267909A JP5098059B2 (ja) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | ミラー装置及びミラー装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008267909A JP5098059B2 (ja) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | ミラー装置及びミラー装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010096997A true JP2010096997A (ja) | 2010-04-30 |
JP5098059B2 JP5098059B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=42258723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008267909A Expired - Fee Related JP5098059B2 (ja) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | ミラー装置及びミラー装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5098059B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110770625A (zh) * | 2017-07-06 | 2020-02-07 | 浜松光子学株式会社 | 反射镜组件和光模块 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002357774A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-12-13 | Olympus Optical Co Ltd | 可変焦点光学素子 |
JP2003156612A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Olympus Optical Co Ltd | 反射鏡 |
JP2007304254A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Sony Corp | 変形可能ミラー装置 |
-
2008
- 2008-10-16 JP JP2008267909A patent/JP5098059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002357774A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-12-13 | Olympus Optical Co Ltd | 可変焦点光学素子 |
JP2003156612A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Olympus Optical Co Ltd | 反射鏡 |
JP2007304254A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Sony Corp | 変形可能ミラー装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110770625A (zh) * | 2017-07-06 | 2020-02-07 | 浜松光子学株式会社 | 反射镜组件和光模块 |
US11054309B2 (en) | 2017-07-06 | 2021-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical module |
US11067380B2 (en) | 2017-07-06 | 2021-07-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical module |
CN113375797A (zh) * | 2017-07-06 | 2021-09-10 | 浜松光子学株式会社 | 反射镜组件和光模块 |
US11187579B2 (en) | 2017-07-06 | 2021-11-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical device |
US11209260B2 (en) | 2017-07-06 | 2021-12-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical module having high-accuracy spectral analysis |
US11624605B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
US11629946B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
US11629947B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical device |
US11635290B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical module |
US11879731B2 (en) | 2017-07-06 | 2024-01-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5098059B2 (ja) | 2012-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7369723B1 (en) | High speed piezoelectric optical system with tunable focal length | |
JP5951640B2 (ja) | マイクロメカニカルデバイス | |
US8269395B2 (en) | Translating and rotation micro mechanism | |
Vdovin et al. | Technology and applications of micromachined silicon adaptive mirrors | |
CN102576149B (zh) | 用于移动微型机械元件的致动器 | |
US8570637B2 (en) | Micromechanical element | |
TWI605013B (zh) | 微光學機電掃描裝置與製造其之方法 | |
US6710949B2 (en) | Tilting device for lens | |
US20060208608A1 (en) | Microfabricated vertical comb actuator using plastic deformation | |
JP2011191593A (ja) | マイクロ構造体及びその製造方法 | |
CN102471046B (zh) | 一种带有抗摩擦力凸块的可配置微型机械衍射元件 | |
Lemke et al. | Piezo-actuated adaptive prisms for continuously adjustable bi-axial scanning | |
TW202024676A (zh) | 體積可變的液體透鏡 | |
JP5098059B2 (ja) | ミラー装置及びミラー装置の製造方法 | |
WO2014154646A1 (en) | Steerable moems device comprising a micro mirror | |
US20190235230A1 (en) | Optical system with deformable mems optical element | |
WO2022176587A1 (ja) | 駆動素子および光偏向素子 | |
Zhang et al. | Alscn-Based Quasi-Static Multi-Degree-Of-Freedom Piezoelectric Mems Micromirror with Large Mirror Plate and High Fill Factor | |
Mescheder et al. | Active focusing device based on MOEMS technology | |
RU2559032C9 (ru) | Микромеханический элемент | |
Shao et al. | MEMS 3D scan mirror | |
Ghoname et al. | Omnidirectional optical MEMS scanner based on two degrees-of-freedom translation of acylindrical micromirrors | |
Rocha | Design, fabrication and characterization of high-stroke high-aspect ratio micro electro mechanical systems deformable mirrors for adaptive optics | |
Yen et al. | Design of deformable focusing micromirrors | |
Shao | MEMS 3-D scan mirror for an endoscopic confocal microscope |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110831 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120903 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5098059 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |