JP2009071026A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wの洗浄後、基板Wが回転する状態で、液供給ノズル650がリンス液を吐出しつつ基板Wの中心部上方から外方に向かって移動する。この場合、リンス液が存在しない乾燥領域R1が基板W上で拡大する。液供給ノズル650が基板Wの周縁部上方まで移動すると、基板Wの回転速度が下降する。液供給ノズル650の移動速度はそのままで維持される。その後、リンス液の吐出が停止されるとともに液供給ノズル650が基板Wの外方に移動する。それにより、乾燥領域R1が基板W上の全体に広がり、基板Wが乾燥される。
【選択図】図8
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図1ならびに後述する図2〜図4には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について図1〜図4を参照しながら説明する。
まず、インデクサブロック9〜レジストカバー膜除去ブロック14の動作について簡単に説明する。
次に、インターフェースブロック15の動作について詳細に説明する。
次に、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2について図面を用いて詳細に説明する。なお、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2は同様の構成のものを用いることができる。
図5は洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の構成を示す模式的側面図であり、図6は図5の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の模式的平面図である。図5および図6に示すように、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2は、基板Wを水平に保持するとともに、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック621を備える。
次に、上記構成を有する洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の各構成要素の動作は、図1のメインコントロ−ラ(制御部)30により制御される。
以下、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2における基板Wの乾燥処理について詳細に説明する。なお、本例で用いる基板Wの直径は例えば200〜300mmであるとする。
本実施の形態に係る基板処理装置500では、インターフェースブロック15の洗浄/乾燥処理ユニットSD2において、露光処理後の基板Wに乾燥処理が行われ、基板Wが確実に乾燥される。それにより、露光処理時に基板Wに付着した液体が、基板処理装置500内に落下することが防止される。したがって、基板処理装置500の電気系統の異常等の動作不良が防止される。
図10は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の他の構成を示す模式的側面図であり、図11は図10の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の模式的平面図である。以下、図10および図11に示す洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2が図5および図6に示した洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2と異なる点を説明する。
図13は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2のさらに他の構成を示す模式的側面図である。以下、図13に示す洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2が図5および図6に示した洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2と異なる点を説明する。
図14は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2のさらに他の構成を示す模式的側面図である。以下、図14に示す洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2が図13に示した洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2と異なる点を説明する。
レジストカバー膜用処理ブロック13は設けなくてもよい。この場合、洗浄/乾燥処理ユニットSD1における洗浄処理時に、レジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置16においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置16内の汚染を防止することができる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
が、本発明は下記の例に限定されない。
10 反射防止膜用処理ブロック
11 レジスト膜用処理ブロック
12 現像処理ブロック
13 レジストカバー膜用処理ブロック
14 レジストカバー膜除去ブロック
15 インターフェースブロック
16 露光装置
50 反射防止膜用塗布処理部
60 レジスト膜用塗布処理部
70 現像処理部
80 レジストカバー膜用塗布処理部
90 レジストカバー膜除去用処理部
500 基板処理装置
621 スピンチャック
625 回転軸
636 チャック回転駆動機構
650 液供給ノズル
660,671 モータ
670 ガス供給ノズル
680 流量調整弁
681 減圧弁
EEW エッジ露光部
BARC,RES,COV 塗布ユニット
DEV 現像処理ユニット
REM 除去ユニット
SD1,SD2 洗浄/乾燥処理ユニット
IFR インターフェース用搬送機構
P−CP 載置兼冷却ユニット
W 基板
PASS1〜PASS13 基板載置部
Claims (10)
- 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、
前記乾燥処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
前記基板保持手段により保持された基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液が供給されるように前記リンス液供給手段を移動させるリンス液供給移動手段とを含み、
前記回転駆動手段は、基板の中心部にリンス液が供給される状態で基板が第1の回転速度で回転し、基板の周縁部にリンス液が供給される状態で基板が前記第1の回転速度より低い第2の回転速度で回転するように基板の回転速度を段階的または連続的に変化させることを特徴とする基板処理装置。 - 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、
前記乾燥処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
前記基板保持手段により保持された基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液が供給されるように前記リンス液供給手段を移動させるリンス液供給移動手段とを含み、
前記リンス液供給手段は、第1の流量で基板の中心部にリンス液を供給し、前記第1の流量より少ない第2の流量で基板の周縁部にリンス液を供給するようにリンス液の流量を段階的または連続的に変化させることを特徴とする基板処理装置。 - 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、
前記乾燥処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
前記基板保持手段により保持された基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液が供給されるように前記リンス液供給手段を移動させるリンス液供給移動手段とを含み、
前記リンス液供給手段は、第1の供給圧で基板の中心部にリンス液を供給し、前記第1の供給圧より低い第2の供給圧で基板の周縁部にリンス液を供給するようにリンス液の供給圧を段階的または連続的に変化させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記リンス液供給移動手段は、基板の中心部から所定距離離れた位置にリンス液が供給される状態で前記リンス液供給手段の移動を一時的に停止させることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記乾燥処理ユニットは、前記リンス液供給手段により基板の中心から離れた位置にリンス液が供給される状態で、基板の中心部にガスを吹き出すガス供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記乾燥処理ユニットは、基板上におけるガスの供給位置が前記リンス液供給手段によるリンス液の供給位置よりも基板の中心部に近い位置において基板の中心部から基板の周縁部に移動するように前記ガス供給手段を移動させるガス供給移動手段をさらに含むことを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
- 前記処理部は、
基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
露光処理後の基板に現像処理を行う現像処理ユニットとをさらに含み、
前記乾燥処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後であって前記現像処理ユニットによる現像処理前に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。 - 露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理部により基板に露光前の処理を行う工程と、
前記処理部により処理された基板を前記受け渡し部により前記処理部から前記露光装置に受け渡す工程と、
前記露光装置による露光処理後の基板を前記受け渡し部により前記露光装置から前記処理部に受け渡す工程と、
前記処理部により基板に露光処理後の処理を行う工程と、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方において基板に乾燥処理を行う工程とを備え、
前記基板に乾燥処理を行う工程は、
基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させる工程と、
回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液を供給する工程とを含み、
前記基板を回転させる工程において、基板の中心部にリンス液が供給される期間に基板が第1の回転速度で回転し、基板の周縁部にリンス液が供給される期間に基板が前記第1の回転速度より低い第2の回転速度で回転するように基板の回転速度を段階的または連続的に変化させることを特徴とする基板処理方法。 - 露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理部により基板に露光前の処理を行う工程と、
前記処理部により処理された基板を前記受け渡し部により前記処理部から前記露光装置に受け渡す工程と、
前記露光装置による露光処理後の基板を前記受け渡し部により前記露光装置から前記処理部に受け渡す工程と、
前記処理部により基板に露光処理後の処理を行う工程と、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方において基板に乾燥処理を行う工程とを備え、
前記基板に乾燥処理を行う工程は、
基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させる工程と、
回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液を供給する工程とを含み、
前記リンス液を供給する工程において、基板の中心部に第1の流量でリンス液が供給され、基板の周縁部に前記第1の流量よりも少ない第2の流量でリンス液が供給されるようにリンス液の流量を段階的または連続的に変化させることを特徴とする基板処理方法。 - 露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理部により基板に露光前の処理を行う工程と、
前記処理部により処理された基板を前記受け渡し部により前記処理部から前記露光装置に受け渡す工程と、
前記露光装置による露光処理後の基板を前記受け渡し部により前記露光装置から前記処理部に受け渡す工程と、
前記処理部により基板に露光処理後の処理を行う工程と、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方において基板に乾燥処理を行う工程とを備え、
前記基板に乾燥処理を行う工程は、
基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させる工程と、
回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液を供給する工程とを含み、
前記リンス液を供給する工程において、基板の中心部に第1の供給圧でリンス液が供給され、基板の周縁部に前記第1の流量よりも低い第2の供給圧でリンス液が供給されるようにリンス液の供給圧を段階的または連続的に変化させることを特徴とする基板処理方法。
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