JP2008285735A - Substrate-treating apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に関し、特に、ガス供給部におけるノズル構造に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)が作り込まれる基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に絶縁膜や金属膜および半導体膜を形成したり、酸化や拡散やアニールおよびリフロー等の熱処理(thermal treatment )を施すのに使用して有効なものに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a nozzle structure in a gas supply unit. For example, the present invention relates to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate on which a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC) is fabricated. The present invention relates to an effective film used for forming an insulating film, a metal film, and a semiconductor film, and performing thermal treatment such as oxidation, diffusion, annealing, and reflow.
ICの製造方法において、ウエハに窒化シリコンやポリシリコン等のCVD膜を形成するのに、バッチ式縦型ホットウオール形減圧CVD装置が広く使用されている。 In an IC manufacturing method, a batch type vertical hot wall type low pressure CVD apparatus is widely used to form a CVD film such as silicon nitride or polysilicon on a wafer.
バッチ式縦型ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが搬入される処理室を形成するインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦型に設置されたプロセスチューブと、インナチューブ内に原料ガスを供給するガス供給管と、プロセスチューブ内を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えている。
そして、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入され、インナチューブ内に原料ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータによってプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされる。
A batch type vertical hot wall type reduced pressure CVD apparatus (hereinafter referred to as a CVD apparatus) is a process that is configured by an inner tube that forms a processing chamber into which a wafer is loaded and an outer tube that surrounds the inner tube, and is installed vertically. A tube, a gas supply pipe that supplies a raw material gas into the inner tube, an exhaust pipe that evacuates the process tube, and a heater that is laid outside the process tube and heats the process tube.
Then, a plurality of wafers are carried from the bottom furnace port into the inner tube in a state in which the wafers are vertically aligned and held by the boat, and the source gas is supplied from the gas supply pipe into the inner tube, and by the heater As the inside of the process tube is heated, a CVD film is deposited on the wafer.
従来のこの種のCVD装置として、複数個の噴出口がボート上の隣り合うウエハ間に対向するように穿たれたノズルがガス供給管に接続されており、原料ガスを複数個の噴出口からウエハ間にそれぞれ流すことにより、ウエハ面内の成膜均一性や成膜速度を向上させるように構成されているものがある。 As a conventional CVD apparatus of this type, a nozzle in which a plurality of nozzles are formed so as to face each other between adjacent wafers on a boat is connected to a gas supply pipe, and a source gas is supplied from the plurality of nozzles. Some are configured to improve film formation uniformity and film formation speed within the wafer surface by flowing between wafers.
しかしながら、このような複数個の噴出口を有するノズルを備えたCVD装置においては、ノズルにおけるボート上下方向(ウエハ積層方向)のガスの均等供給を達成することができていないために、ウエハ相互間の成膜均一性が低下するという問題点がある。 However, in such a CVD apparatus provided with a nozzle having a plurality of jet nozzles, it is not possible to achieve an even supply of gas in the boat vertical direction (wafer stacking direction) at the nozzle, and therefore, between the wafers. However, there is a problem that the film formation uniformity is reduced.
本発明の目的は、 基板相互間の処理状況の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the uniformity of processing conditions between substrates.
前記課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を処理する処理室と、
前記処理室内を排気する排気管と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、
前記ガス供給管にバッファを介して接続された複数個の噴出口を有するノズルと、
を有する基板処理装置。
(2)前記バッファおよびノズルは、前記処理室の周方向に隣り合うことを特徴とする(1)に記載の基板処理装置。
Typical means for solving the above problems are as follows.
(1) a processing chamber for processing a substrate;
An exhaust pipe for exhausting the processing chamber;
A gas supply pipe for supplying gas into the processing chamber;
A nozzle having a plurality of jets connected to the gas supply pipe via a buffer;
A substrate processing apparatus.
(2) The substrate processing apparatus according to (1), wherein the buffer and the nozzle are adjacent to each other in a circumferential direction of the processing chamber.
前記手段によれば、バッファに供給されたガスはバッファ内で拡散してノズルに流れ込み、ノズルの複数個の噴出口からそれぞれ噴出することができるので、各噴出口からの噴出流量はノズルの全長にわたって均等になる。 According to the above means, the gas supplied to the buffer diffuses in the buffer and flows into the nozzle, and can be ejected from each of the plurality of nozzle outlets. Across the board.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、CVD装置(バッチ式縦型ホットウオール形減圧CVD装置)として構成されている。
図1および図2に示されているように、本実施の形態に係るCVD装置10においては、被処理基板であるウエハ1を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、FOUP(以下、ポッドという。)2が使用されている。
本実施の形態に係るCVD装置10は筐体11を備えている。
筐体11の正面壁11aの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口12が開設され、この正面メンテナンス口12を開閉する正面メンテナンス扉13、13がそれぞれ建て付けられている。
筐体11の正面壁11aにはポッド搬入搬出口14が筐体11の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口14はフロントシャッタ15によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口14の正面前方側にはロードポート16が設置されており、ロードポート16はポッド2を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド2はロードポート16上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート16上から搬出されるようになっている。
In the present embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention is configured as a CVD apparatus (batch type vertical hot wall type reduced pressure CVD apparatus).
As shown in FIGS. 1 and 2, in
The
A
A pod loading /
A
The
筐体11内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚17が設置されており、回転式ポッド棚17は複数個のポッド2を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚17は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱18と、支柱18に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板19とを備えており、複数枚の棚板19はポッド2を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
A
That is, the
筐体11内におけるロードポート16と回転式ポッド棚17との間には、ポッド搬送装置20が設置されている。ポッド搬送装置20はポッド2を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ20aとポッド搬送機構20bとで構成されている。
ポッド搬送装置20はポッドエレベータ20aとポッド搬送機構20bとの連続動作により、ロードポート16と回転式ポッド棚17とポッドオープナ21との間でポッド2を搬送するように構成されている。
A
The
ポッドオープナ21はポッド2を載置する載置台22、22と、ポッド2のキャップを着脱するキャップ着脱機構23、23とを備えている。ポッドオープナ21は載置台22に載置されたポッド2のキャップをキャップ着脱機構23によって着脱することにより、ポッド2のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
The
筐体11内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体24が後端にわたって構築されている。サブ筐体24の正面壁24aにはウエハ1をサブ筐体24内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口25が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口25、25には一対のポッドオープナ21、21がそれぞれ設置されている。
A
サブ筐体24はポッド搬送装置20や回転式ポッド棚17の設置空間から流体的に隔絶された移載室26を構成している。移載室26の前側領域にはウエハ移載機構27が設置されている。
ウエハ移載機構27はウエハ1を水平面内において回転ないし直動可能なウエハ移載装置27aと、ウエハ移載装置27aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ27bとで構成されている。
図1に想像線で示されているように、ウエハ移載装置エレベータ27bは筐体11の右側端部とサブ筐体24の移載室26の前方領域右端部との間に設置されている。
ウエハ移載装置エレベータ27bおよびウエハ移載装置27aの連続動作により、ウエハ移載装置27aのツィーザ27cをウエハ1の載置部として後記するボートに対してウエハ1を装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
The
The wafer transfer mechanism 27 includes a wafer transfer device 27a that can rotate or linearly move the
As indicated by an imaginary line in FIG. 1, the wafer
By the continuous operation of the wafer
移載室26の後側領域にはボートを収容して待機させる待機部28が構成されている。待機部28の天井面には炉口シャッタ29が設けられており、炉口シャッタ29は後記する処理炉の炉口を開閉するように構成されている。
In the rear area of the
図1に想像線で示されているように、筐体11の右側端部とサブ筐体24の待機部28の右端部との間には、ボートエレベータ30が設置されている。ボートエレベータ30の昇降台に連結された連結具としてのアーム31には蓋体としてのシールキャップ32が水平に据え付けられている。
As indicated by an imaginary line in FIG. 1, a
移載室26のウエハ移載装置エレベータ27b側およびボートエレベータ30側と反対側である左側端部には、図1に示されているように、供給ファンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット33が設置されている。クリーンユニット33は清浄化した雰囲気(空気)もしくは不活性ガスであるクリーンエア(清浄気体)34を供給するように構成されている。
図示はしないが、ウエハ移載装置27aとクリーンユニット33との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させるノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット33から吹き出されたクリーンエア34は、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置27a、待機部28にあるボートに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体11の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット33の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再び、クリーンユニット33によって、移載室26内に吹き出される。
At the left end of the
Although not shown, a notch aligner for aligning the circumferential position of the wafer is installed between the wafer transfer device 27a and the
The
本実施の形態に係るCVD装置は、図3に示された処理炉40を備えている。
図1に示されているように、処理炉40は加熱機構としてのヒータ41を有する。
ヒータ41は円筒形状であり、支持板としてのヒータベース42に支持されることにより垂直に据え付けられている。
The CVD apparatus according to the present embodiment includes a
As shown in FIG. 1, the
The
ヒータ41の内側には反応管としてのプロセスチューブ43が、ヒータ41と同心円状に配設されている。プロセスチューブ43は外部反応管としてのアウタチューブ44と、その内側に設けられた内部反応管としてのインナチューブ45とから構成されている。
アウタチューブ44は、例えば石英(SiO2 )または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、内径がインナチューブ45の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ45と同心円状に設けられている。
インナチューブ45は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ45の筒中空部には処理室46が形成されており、基板としてのウエハ1を後述するボートによって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウタチューブ44とインナチューブ45との隙間によって筒状空間47が形成されている。
A
The
The
A
アウタチューブ44の下方にはマニホールド49が、アウタチューブ44と同心円状に配設されている。マニホールド49は例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。
マニホールド49はインナチューブ45とアウタチューブ44とに係合しており、これらを支持するように設けられている。マニホールド49がヒータベース42に支持されることにより、プロセスチューブ43は垂直に据え付けられた状態となっている。
プロセスチューブ43とマニホールド49により反応容器が形成される。
なお、マニホールド49とアウタチューブ44との間には、シール部材としてのOリング48が設けられている。
A manifold 49 is disposed below the
The manifold 49 is engaged with the
A reaction vessel is formed by the
An O-
ボートエレベータ30のアーム31に支持されたシールキャップ32は、マニホールド49の下端に垂直方向下側から当接するようになっており、マニホールド49の下端開口を気密に閉塞する炉口蓋体として構成されている。
シールキャップ32は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ32の上面には、マニホールド49の下端と当接するシール部材としてのOリング32aが設けられている。
シールキャップ32はボートエレベータ30によって垂直方向に昇降されることにより基板保持具としてのボート50を処理室46に対し搬入搬出するようになっている。
The
The
The
ボート50は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる上下の端板51、52や複数本の保持柱53が使用されて、全体的に見ると長い円筒形状になるように構築されており、保持柱53には多数条のスロット(保持溝)54が長手方向(垂直方向)に等間隔に配列されている。
ウエハ1の周縁部が同一段の複数個のスロット54に同時に挿入されることにより、ボート50は複数枚のウエハ1を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。
なお、ボート50の下部には、断熱部材としての断熱板55が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板55は例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料が使用されて、円板形状に形成されており、ヒータ41からの熱がマニホールド49側に伝わり難くなるように構成されている。
The
By inserting the peripheral edge of the
Note that a plurality of
シールキャップ32の処理室46と反対側には、ボートを回転させる回転機構56が設置されている。回転機構56の回転軸57はシールキャップ32を貫通して、ボート50に接続されており、ボート50を回転させることでウエハ1を回転させるように構成されている。
回転機構56およびボートエレベータ30には、駆動制御部58が電気配線Aによって電気的に接続されており、所望の動作をさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
A
A drive control unit 58 is electrically connected to the
プロセスチューブ43内には温度検出器としての温度センサ60が設置されている。
ヒータ41と温度センサ60とには温度制御部61が、それぞれ電気配線Dによって電気的に接続されている。
温度制御部61は温度センサ60により検出された温度情報に基づきヒータ41への通電具合を調整することにより、処理室46内の温度を所望の温度分布とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
A
A
The
マニホールド49には処理室46内を排気する排気ポート62が開設されており、排気ポート62には処理室46内の雰囲気を排気する排気管63の一端が接続されている。排気管63はインナチューブ45とアウタチューブ44との隙間によって形成される筒状空間47の下端部に配置されており、筒状空間47に連通している。
排気管63のマニホールド49との接続側と反対側である下流側には、メインバルブ(可変コンダクタンスバルブ)64を介して真空ポンプ65が接続されており、処理室46内の圧力を所定の圧力(真空度)させるべく真空排気し得るように構成されている。
排気管63には排気管63内の圧力を測定する圧力計66が流体的に接続されており、圧力計66には圧力制御部67が電気配線Bによって電気的に接続されている。
圧力制御部67は圧力計66によって検出された圧力に基づいてメインバルブ64を、所定のタイミングをもって制御するように構成されている。
An
A
A
The
マニホールド49の下端部にはガス供給管70が処理室46内に貫通するように接続されており、ガス供給管70の外側端部には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)71を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。
MFC71にはガス流量制御部72が電気配線Cによって電気的に接続されている。
ガス流量制御部72は供給するガスの流量を所望の量とさせるべく所望のタイミングにて、MFC71を制御するように構成されている。
A
A gas flow
The gas flow
ガス供給管70の内側端部には、インナチューブ45と略等しい長さの細長い円形(図4参照)管形状に形成されたバッファ管73の下端部が接続されており、バッファ管73はインナチューブ45の内周面に沿うように垂直に立ち上げられている。バッファ管73の筒中空部はガスを均等に拡散させるバッファ74を形成している。
バッファ管73にはノズル77が近接して平行に配置されており、バッファ管73とノズル77とは複数本の連結管75によって連結されている。
図4に示されているように、連結管75の中空部によって形成された連絡路76はバッファ管73のバッファ74とノズル77の中空部78とを連絡している。
図3に示されているように、ノズル77には複数個の噴出口79が長さ方向に等間隔に配置されて穿たれている。複数の噴出口79はボート50に整列されて上下で隣り合うウエハ1、1間に対向するように配列されている。すなわち、噴出口79から噴出したガスはウエハ1とウエハ1との間に流れ込むように設定されている。
便宜上、図3においてはバッファ管73とノズル77とが径方向で隣り合うように配置されているが、実際上は、図4に示されているように、周方向で隣り合うように配置されている。バッファ管73とノズル77とを周方向で隣り合うように配置することにより、インナチューブ45とボート50との僅かな隙間にバッファ管73とノズル77とを合理的に配置することができる。
つまり、バッファ管73とノズル77とを周方向に配置することにより、径方向に配置するよりも、処理室中心方向(径方向)にスペースが形成され、その結果、処理室のスペースを広く取ることができ、処理室スペースの効率化に結び付けることができる。
The inner end of the
A
As shown in FIG. 4, the
As shown in FIG. 3, the
For convenience, in FIG. 3, the
That is, by arranging the
駆動制御部58、温度制御部61、圧力制御部67およびガス流量制御部72は、操作部や入出力部をも構成しており、CVD装置全体を制御する主制御部80に電気的に接続されている。
駆動制御部58、温度制御部61、圧力制御部67、ガス流量制御部72および主制御部80はコントローラ81として構成されている。
The drive control unit 58, the
The drive control unit 58, the
次に、以上の構成に係る処理炉40を用いて、CVD法によりウエハ1の上に薄膜を形成する方法について説明する。
なお、以下の説明において、CVD装置を構成する各部の動作はコントローラ81により制御される。
Next, a method of forming a thin film on the
In the following description, the operation of each part constituting the CVD apparatus is controlled by the
複数枚のウエハ1がボート50に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ1を保持したボート50は、ボートエレベータ30によって持ち上げられて処理室46に搬入(ボートローディング)される。
この状態で、シールキャップ32はOリング32aを介してマニホールド49の下端をシールした状態となる。
When a plurality of
In this state, the
処理室46内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ65によって真空排気される。この際、排気管63内の圧力は圧力計66で測定され、この測定された圧力に基づき、メインバルブ64がフィードバック制御される。
The
また、処理室46内が所望の温度となるようにヒータ41によって加熱される。
この際、処理室46内が所望の温度分布となるように温度センサ60が検出した温度情報に基づきヒータ41への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構56によってボート50が回転されることにより、ウエハ1が回転される。
Further, the inside of the
At this time, the power supply to the
Subsequently, the
次いで、処理ガス供給源から供給される。MFC71にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管70を流通してバッファ管73のバッファ74に供給される。バッファ74に供給されたガスはバッファ74において上方に良好に拡散し、複数本の連結管75の連絡路76を経由してノズル77の中空部78にそれぞれ流れ込み、複数個の噴出口79から上下方向において均等に噴出する。
すなわち、図5(a)に示されているように、上下方向に等間隔に配置された各噴出口79からそれぞれ噴出するガスの質量流量m[kg/s]は、バッファ74によって良好に拡散されたガスがノズル77の中空部78に複数箇所の連結管75の連絡路76によってそれぞれ供給されるために、図5(b)上下方向の全長にわたって均一になる。
なお、連結管75の連絡路76の高さ位置は、連絡路76と向かい合う噴出孔79の高さ位置と異なることが望ましい。
連絡路76からノズル77へ供給されたガスがノズル77の壁に当たり、これによりガスが拡散し、ガスノズル77の中のガスがより均一になるからである。
Next, the gas is supplied from a processing gas supply source. The gas controlled to have a desired flow rate by the
That is, as shown in FIG. 5A, the mass flow rate m [kg / s] of the gas ejected from each
Note that the height position of the connecting
This is because the gas supplied from the
各噴出口79から噴出したガスは上下で隣り合うウエハ1、1の隙間にそれぞれ流れ込んで水平に流れる。
ウエハ1、1の間を流れたガスは処理室46内を上昇し、インナチューブ45の上端開口から筒状空間47に流出して排気管63から排気される。
ガスがウエハ1の表面に接触することにより、熱CVD反応によってウエハ1の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。
The gas ejected from each
The gas flowing between the
When the gas contacts the surface of the
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室46内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室46内の圧力が常圧に復帰される。この際も、排気管63内の圧力は圧力計66で測定され、この測定された圧力に基づき、メインバルブ64がフィードバック制御される。
When a preset processing time has passed, an inert gas is supplied from an inert gas supply source, the inside of the
その後、ボートエレベータ30によりシールキャップ32が下降されて、マニホールド49の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ1がボート50に保持された状態でマニホールド49の下端からプロセスチューブ43の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
その後、処理済ウエハ1はボート50より取り出される(ウエハディスチャージ)。
Thereafter, the
Thereafter, the processed
ところで、図6(a)に示されているように、バッファ管を介さずにガス供給管70に直結された従来例のノズル90の場合には、上下方向に等間隔に配置された各噴出口91から噴出するガスの質量流量m[kg/s]は、図6(b)に示されているように、トップ側で大きくボトム側で小さくなる傾向をもって上下方向で不均一になる。
すなわち、図6(a)に示されているように、直径φaの複数の噴出口91を持ったノズル90において、総流量M[kg/s]の処理ガスをノズル90に流した場合に、 直径φaの噴出口91毎に噴出するガスの質量流量m[kg/s]の高さ方向の分布のシミュレーション結果を示すと、図6(b)の通りとなる。
ここで、総流量Mと質量流量mとの関係は、 噴出口91の総個数をn個とすると、M=n×m、である。
処理室46内の圧力をPoとし、 ノズル90にガスを流したときの局所的なノズル90内の圧力をPlとすると、 ガスは噴出口91を介してPlとPoとの圧力差により処理室46内へ噴出する。
ガスの流量が比較的多い場合においては、PoはPlに比べて充分に圧力が低いため、 噴出口91におけるガス流速はチョーク流に達する。 したがって、 ボトムからトップにかけて噴出口91を通るガスの速度は、音速近傍で略一定となる。
ガス速度が一定であるとすると、 噴出口91を通るガスの質量流量mが上下間で均一であれば、 均等供給が達成可能である。
Incidentally, as shown in FIG. 6A, in the case of the
That is, as shown in FIG. 6A, when a processing gas having a total flow rate M [kg / s] is caused to flow through the
Here, the relationship between the total flow rate M and the mass flow rate m is M = n × m, where n is the total number of the
Assuming that the pressure in the
When the gas flow rate is relatively large, Po has a sufficiently lower pressure than Pl, so that the gas flow velocity at the
If the gas velocity is constant, uniform supply can be achieved if the mass flow rate m of the gas passing through the
ここで、 噴出口91一個当たりの質量流量m[kg/s]は、 噴出口91一個の断面積をA[m2 ]とし、 噴出口91近傍におけるノズル90管内の局所ガス密度をρ[kg/m3 ]、噴出口91を通るガス速度をV[m/s]とすれば、m=ρAV[kg/s]となる。
今、噴出口91の断面積Aは高さ方向で一定であるから、各噴出口91のガス質量流量mは、ノズル90管内の局所ガス密度ρ[kg/m3 ]に比例することが判る。
さて、図6(b)の計算結果のグラフによると、 ノズル90の最下段に位置する噴出口91を通るガスの質量流量mが、 最上段の噴出口91から噴出するガスの質量流量mよりも30%程度大きくなっていることが判る。
この理由は、噴出口91を通るガス速度が上下方向でチョーク速度に達しており一定である一方、ノズル90管内の局所ガス密度ρが上段に比べ下段のほうが30%程度大きくなっていることに起因する。
ノズル90管内の局所ガス密度ρはノズル90管内の局所圧力Plに比例するため、 この局所圧力Plが高さ方向で一定であれば、必然的に、mは一定となる。
しかし、 ノズル90にはボトムからトップに向けてガスが流れており、ノズル90の管壁による圧力損失は常に存在するため、 ノズル90管内における局所圧力を一定にすることは不可能であり、各噴出口91の上下間の質量流量mには、必ず差が生じる。
Here, the mass flow rate m [kg / s] per
Now, since the cross-sectional area A of the
According to the graph of the calculation result in FIG. 6B, the mass flow rate m of the gas passing through the
The reason for this is that the gas velocity passing through the
Since the local gas density ρ in the
However, since gas flows from the bottom to the top of the
この問題を解決する手段としては、図7(a)に示されたノズル構造が考えられる。
図7(a)に示されたノズル92には、ボトムからトップに少しずつ大きくなる小中大の口径(φb<φc<φd)を有する噴出口93が、3種類の口径毎の三つの領域に分けられて配列されている。
この異なる口径の噴出口93を有するノズル92は、ノズル92管内の局所圧力Plすなわち局所ガス密度ρをコントロールすることが困難であるので、 代わりに、噴出口93の断面積Aを変化させることにより、ガス質量流量mを高さ方向でコントロールしたものである。この断面積Aと噴出ガス質量流量mの関係は、前述の通りである。
図7(b)は、噴出口93の口径が上下方向で異なるノズル92に対するシミュレーション結果を示している。
図7(b)によれば、質量流量mの値は上下間で全体的に平坦になりつつあるが、 噴出口93の断面積が変化する位置で噴出ガスの質量流量mの不連続点が生じている。
この質量流量mの変化する場所の上下に位置するウエハ1、1相互間では、成膜の性質が異なる懸念が考えられ、 噴出口93の口径が上下方向で異なるノズル92では、完全に均一なガス供給を成し遂げているとは云えない。
As a means for solving this problem, the nozzle structure shown in FIG.
In the nozzle 92 shown in FIG. 7A, there are three regions for each of three types of nozzles 93 having small, medium, and large diameters (φb <φc <φd) that gradually increase from the bottom to the top. It is divided and arranged.
Since it is difficult to control the local pressure Pl in the nozzle 92 pipe, that is, the local gas density ρ, the nozzle 92 having the different diameter nozzles 93 can be changed by changing the cross-sectional area A of the nozzle 93 instead. The gas mass flow rate m is controlled in the height direction. The relationship between the cross-sectional area A and the ejection gas mass flow rate m is as described above.
FIG. 7B shows a simulation result for nozzles 92 in which the diameter of the ejection port 93 is different in the vertical direction.
According to FIG.7 (b), although the value of the mass flow rate m is becoming flat generally between upper and lower sides, the discontinuous point of the mass flow rate m of the ejection gas is in the position where the cross-sectional area of the ejection port 93 changes. Has occurred.
There is a concern that the properties of film formation may be different between the
これに対して、図3〜図5に示された本発明の前記実施の形態に係るノズル構造によれば、ウエハ1群の積層方向(ボート50の上下方向)に対して均一なガス供給を達成することができる。
すなわち、図3〜図5に示されたノズル構造においては、複数個の噴出口79を有するノズル77の直径φaの中空部78には、バッファ管73の直径φDのバッファ74が連結管75の直径φeの連絡路76によって流体的に接続されている。
また、 連絡路76の数は噴出口79の数に対し少なくてよい。例えば、噴出口79の複数個に対し、連絡路76が1個程度でよい。
図4(b)に示されているように、バッファ管73のバッファ74に供給されたガスは、複数個の連絡路76を通りノズル77の中空部78内に入り、 複数個の噴出口79からウエハ1、1間にそれぞれ噴出する。
ここで、連絡路76を通るガスの質量流量mを考えると、バッファ管73をガスが通るときの圧力損失は必ず存在するため、 バッファ管73内の局所ガス密度に分布が生じ、 前述のメカニズムの通り、ガス質量流量mの上下差は生じる。
しかし、各連絡路76を通るガスの質量流量mの上下差は、非常に小さくなる。
On the other hand, according to the nozzle structure according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 3 to 5, uniform gas supply can be performed in the stacking direction of
That is, in the nozzle structure shown in FIGS. 3 to 5, the
Further, the number of connecting
As shown in FIG. 4 (b), the gas supplied to the
Here, considering the mass flow rate m of the gas passing through the
However, the vertical difference in the mass flow rate m of the gas passing through each connecting
この理由を、図6に示されたノズル(以下、従来ノズルという。)90の場合と比較して以下に述べる。
ここで、 一般的な管の圧力損失の式を考える。
管の直径D、 管摩擦係数λ、長さL、 ガス密度ρ、ガス速度Vのときの長さL当たりの圧力損失ΔPは、ΔP=4λ×L/D×ρV2 /2、である。
ここで、管摩擦係数λ、管直径D、 長さLは全て共通であると考え、 比例定数αに置き換えると、△P=αρV2 と書ける。
ここでは、説明を簡単にするために、噴出口からの質量流量損失を省略して考える。
従来ノズル90のガス供給入口におけるガス密度をρorg 、入口ガス速度をVorg とし、 本実施の形態に係るバッファ管73のガス供給入口ガス密度をρnew 、入口ガス速度をVnew とする。
シミュレーション結果によると、
ρnew =3.11ρorg ・・・(1)、
Vnew =Vorg /3.372・・・(2)、
であることが判った。
従来ノズル90における圧力損失を△Porg =αρorg Vorg 2 、
バッファ管73における圧力損失をΔPnew =αρnew ×Vnew 2 、
として、
(1)と(2)を代入すると、
ΔPnew =3.11/3.3722 ×△Porg ≒0.27△Porg ・・・(3)
となり、本実施の形態の場合の方が、従来ノズル90よりも圧力損失の値が小さくなることが判る。
ここで、 従来ノズル90のガス供給入口における圧力をPorg 、 バッファ管73のガス供給入口における圧力をPnew とする。
シミュレーション結果によると、 Porg =700Paに対し、ノズル長さ当たりの圧力損失は198Paであり、 Pnew =2250Paに対しバッファ管73の長さ当たりの圧力損失は56Paであった。
これは(3)式の関係に略合致している。
The reason for this will be described below in comparison with the nozzle 90 (hereinafter referred to as a conventional nozzle) 90 shown in FIG.
Here we consider the general pressure loss equation for pipes.
The diameter D of the tube, pipe friction coefficient lambda, length pressure loss [Delta] P per L when the length L, the gas density [rho, gas velocity V, ΔP = 4λ × L /
Here, it is considered that the pipe friction coefficient λ, the pipe diameter D, and the length L are all common, and can be written as ΔP = αρV 2 when replaced with a proportional constant α.
Here, in order to simplify the explanation, the mass flow loss from the jet outlet is omitted.
The gas density at the gas supply inlet of the
According to the simulation results
ρnew = 3.11ρorg (1),
Vnew = Vorg / 3.372 (2),
It turned out that.
The pressure loss in the
The pressure loss in the
As
Substituting (1) and (2),
ΔPnew = 3.11 / 3.372 2 × ΔPorg≈0.27ΔPorg (3)
Thus, it can be seen that the pressure loss value is smaller in the case of the present embodiment than in the
Here, the pressure at the gas supply inlet of the
According to the simulation result, the pressure loss per nozzle length was 198 Pa for Porg = 700 Pa, and the pressure loss per length of the
This substantially agrees with the relationship of the expression (3).
また、 バッファ管73の入口圧力Pnew が2250Paと高い圧力になった理由は、 従来ノズル90と比較してノズル77における流動抵抗が増加したからと考えられる。
ガス密度はガス圧力に比例すると考えると、 バッファ管73のガス供給入口におけるガス密度と、 ノズル77のトップにおけるガス密度の比は、(2250−56)/2250=0.975となり、上下で約2.5%程度のガス密度差に収まることになる。
以上のことから、 バッファ管73内の局所ガス密度は、 従来ノズル90の管内の局所ガス密度と比較して格段に密度差が小さくなり、それに伴い、連絡路76を通るガス質量流量の上下差も均等なものとなり、結果的に、噴出口79から炉内へ噴出するガスの質量流量mも、図5(b)に示されているように、上下差の均等な分布になる。
このとき、 ノズル77の中空部78において上下方向のガスの密度差を平坦化する効果も含まれるため、 バッファ管73内でついた密度差が多少大きくとも、噴出口79から噴出するガスは比較的平坦な分布となる。
The reason why the inlet pressure Pnew of the
Assuming that the gas density is proportional to the gas pressure, the ratio of the gas density at the gas supply inlet of the
From the above, the local gas density in the
At this time, the effect of flattening the gas density difference in the vertical direction in the
ノズル77の寸法は、バッファ管73の直径と同程度とすることが望ましい。
この理由は、 ノズル77の直径が小さい場合は、 バッファ管73でついたガスの密度差を平坦化する効果が小さくなることが懸念されるからである。
It is desirable that the size of the
This is because when the diameter of the
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
1) バッファに供給されたガスをバッファ内で拡散してノズルに流入させ、ノズルの複数個の噴出口からそれぞれ噴出させることにより、各噴出口からの質量流量をノズルの全長にわたって均等化させることができるので、ボートの上部と下部とに配置されたウエハ相互間の成膜均一性を向上させることができる。 1) The gas supplied to the buffer diffuses in the buffer, flows into the nozzle, and is ejected from the plurality of nozzle outlets to equalize the mass flow rate from each nozzle over the entire length of the nozzle. Therefore, it is possible to improve the film formation uniformity between the wafers arranged on the upper and lower parts of the boat.
2) 既存のCVD装置に改造を加えることなく、 数十sccmから数slmの広範囲のガス流量で、 高さ方向において均等なガス供給を確保することができるので、コスト増を招くことなく成膜均一性を向上させることができる。 2) Even without modifying the existing CVD equipment, it is possible to ensure a uniform gas supply in the height direction with a wide range of gas flow rates from several tens of sccm to several slms, so film formation is not incurred. Uniformity can be improved.
3) ガス流量が数十sccmから数slmの広範囲の流量に渡り適用可能であるばかりでなく、入口圧力条件が凝縮圧力条件に到達しないガス種であればどのガスにおいても適用することができる。 3) Not only can the gas flow rate be applied over a wide range of flow rates from several tens of sccm to several slm, but it can be applied to any gas as long as the inlet pressure condition does not reach the condensing pressure condition.
図8は本発明の他の実施の形態であるCVD装置の主要部を示している。 FIG. 8 shows a main part of a CVD apparatus according to another embodiment of the present invention.
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、バッファ管73Aとノズル77Aとが所謂ダルマ形状に構成されている点である。
すなわち、断面が真円形に形成されたバッファ管73Aに筒壁の一部を長さ方向で切り欠いた断面円弧形状のノズル77Aが密接して連結されており、ノズル77A内においてバッファ管73Aの筒壁にバッファ74Aと中空部78Aとを連絡する連絡路76Aが複数個、間隔を置いて穿たれている。
連絡路76Aの高さ位置は、連絡路76Aと向かい合う噴出孔79の高さ位置と異なることが望ましい。
連絡路76Aからノズル77Aへ供給されたガスがノズル77Aの壁に当たり、これによりガスが拡散し、ガスノズル77の中のガスがより均一になるからである。
This embodiment is different from the above embodiment in that the
In other words, a
It is desirable that the height position of the
This is because the gas supplied from the connecting
本実施の形態においては、前記実施の形態と同様の作用効果が奏されるとともに、次の効果を得ることができる。
1) バッファ管73Aとノズル77Aとが全長にわたって接触されて連結されているので、製造がし易いばかりでなく、優れた機械的強度を得ることができる。
2) バッファ管73Aとノズル77Aとは一部が重なり合って連結されていることにより、幅方向の寸法が減少するので、インナチューブ45とボート50との僅かな隙間にバッファ管73Aとノズル77Aとをより一層合理的に配置することができる。
In the present embodiment, the same effects as the above-described embodiment can be obtained, and the following effects can be obtained.
1) Since the
2) Since the
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It cannot be overemphasized that it can change variously in the range which does not deviate from the summary.
例えば、バッファは円柱形状に形成するに限らず、テーパ(細長い円錐)形状に形成してもよいし、角柱形状や角錐形状に形成してもよい。 For example, the buffer is not limited to being formed in a cylindrical shape, but may be formed in a tapered (elongated cone) shape, a prismatic shape, or a pyramid shape.
バッファは一つに限らず、複数設けてもよい。 The number of buffers is not limited to one, and a plurality of buffers may be provided.
本発明はCVD装置に限らず、酸化膜形成装置や拡散装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。 The present invention is not limited to a CVD apparatus, and can be applied to all substrate processing apparatuses such as an oxide film forming apparatus, a diffusion apparatus, and an annealing apparatus.
基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。 The substrate is not limited to a wafer, but may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.
1…ウエハ(基板)、2…ポッド(ウエハキャリア、基板収納容器)、
10…CVD装置(基板処理装置)、11…筐体、12…正面メンテナンス口、13…正面メンテナンス扉、14…ポッド搬入搬出口、15…フロントシャッタ、16…ロードポート、17…回転式ポッド棚、18…支柱、19…棚板、
20…ポッド搬送装置、20a…ポッドエレベータ、20b…ポッド搬送機構、
21…ポッドオープナ、22…載置台、23…キャップ着脱機構、
24…サブ筐体、24a…正面壁、25…ウエハ搬入搬出口、26…移載室、27…ウエハ移載機構、27a…ウエハ移載装置、27b…ウエハ移載装置エレベータ、27c…ツィーザ、28…待機部、29…炉口シャッタ、
30…ボートエレベータ、31…アーム、32…シールキャップ(炉口蓋体)、32a…Oリング(シール部材)、33…クリーンユニット、34…クリーンエア、
40…処理炉、41…ヒータ(加熱機構)、42…ヒータベース、43…プロセスチューブ(反応管)、44…アウタチューブ(外部反応管)、45…インナチューブ(内部反応管)、46…処理室、47…筒状空間、48…Oリング(シール部材)、49…マニホールド、
50…ボート(基板保持具)、51、52…端板、53…保持柱、54…スロット(保持溝)、55…断熱板(断熱部材)、56…回転機構、57…回転軸、58…駆動制御部、
60…温度センサ(温度検出器)、61…温度制御部、62…排気ポート、63…排気管、64…メインバルブ、65…真空ポンプ、66…圧力計、67…圧力制御部、
70…ガス供給管、71…MFC(ガス流量制御器)、72…ガス流量制御部、
73…バッファ管、74…バッファ、75…連結管、76…連絡路、77…ノズル、78…中空部、79…噴出口、
80…主制御部、81…コントローラ、
73A…バッファ管、74A…バッファ、76A…連絡路、77A…ノズル、78A…中空部。
1 ... wafer (substrate), 2 ... pod (wafer carrier, substrate storage container),
DESCRIPTION OF
20 ... Pod conveying device, 20a ... Pod elevator, 20b ... Pod conveying mechanism,
21 ... Pod opener, 22 ... Mounting table, 23 ... Cap attaching / detaching mechanism,
24 ... Sub housing, 24a ... Front wall, 25 ... Wafer loading / unloading port, 26 ... Transfer chamber, 27 ... Wafer transfer mechanism, 27a ... Wafer transfer device, 27b ... Wafer transfer device elevator, 27c ... Tweezer, 28 ... standby part, 29 ... furnace port shutter,
30 ... Boat elevator, 31 ... Arm, 32 ... Seal cap (furnace lid), 32a ... O-ring (seal member), 33 ... Clean unit, 34 ... Clean air,
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
70 ... gas supply pipe, 71 ... MFC (gas flow controller), 72 ... gas flow controller,
73 ... Buffer pipe, 74 ... Buffer, 75 ... Connecting pipe, 76 ... Communication channel, 77 ... Nozzle, 78 ... Hollow part, 79 ... Jet,
80 ... main control unit, 81 ... controller,
73A ... buffer tube, 74A ... buffer, 76A ... communication path, 77A ... nozzle, 78A ... hollow part.
Claims (2)
前記処理室内を排気する排気管と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、
前記ガス供給管にバッファを介して接続された複数個の噴出口を有するノズルと、
を有する基板処理装置。 A processing chamber for processing the substrate;
An exhaust pipe for exhausting the processing chamber;
A gas supply pipe for supplying gas into the processing chamber;
A nozzle having a plurality of jets connected to the gas supply pipe via a buffer;
A substrate processing apparatus.
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