JP2008166840A - 絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ケイ素を主成分とするウエハWを処理容器内に収容し、処理ガス雰囲気下で、処理容器の上部を塞ぐ誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナ部材RLSAを介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いてウエハW表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して絶縁膜2を形成する。
【選択図】図7
Description
以下に実施例を示す。
本発明の絶縁膜形成方法により、素子分離形成を行ったn型シリコン基板上に図2に示したような装置を用いてRLSAプラズマを用いて図2中32の処理ユニットで2nmのSiON膜を形成した。合計の絶縁膜の膜厚は3nm(酸化膜換算膜厚)である。SiON成膜条件については、Xe/N2 /H2 /O2 流量=500sccm/25sccm/15sccm/1sccmで圧力は100mTorr、マイクロ波パワーは2.0KWで、温度は400℃であった。
60…RLSA(平面アンテナ部材)
21…第一の絶縁膜
22…第二の絶縁膜
32…プラズマ処理ユニット(プロセスチャンバ)
33…CVD処理ユニット(プロセスチャンバ)
Claims (12)
- ケイ素を主成分とする被処理基体を処理容器内に収容し、処理ガス雰囲気下で、前記処理容器の上部を塞ぐ誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することによりArガスと、酸素ガス、又は窒素ガス、又は酸素ガスと窒素ガスとを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記被処理基体表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜形成方法。
- 請求項1記載の絶縁膜形成方法であって、前記処理ガスが、N2又はN2O又はNO又はNH3を含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。
- ケイ素を主成分とする被処理基体を処理容器内に収容し、処理ガス雰囲気下で、前記処理容器の上部を塞ぐ誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することによりArガスと、酸素ガス、又は窒素ガス、又は酸素ガスと窒素ガスとを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記被処理基体表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする絶縁膜形成方法。 - 請求項3記載の絶縁膜形成方法であって、前記第1の絶縁膜は、SiON膜であり、前記第2の絶縁膜は、窒化ケイ素膜であることを特徴とする絶縁膜形成方法。
- 請求項3又は4記載の絶縁膜形成方法であって、前記第2の絶縁膜を形成する工程が、CVD法により行われる工程であることを特徴とする絶縁膜形成方法。
- 請求項3又は4記載の絶縁膜形成方法であって、前記第2の絶縁膜を形成する工程が、プラズマ照射により行われる工程であることを特徴とする絶縁膜形成方法。
- 請求項6記載の絶縁膜形成方法であって、前記プラズマ照射が、複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介して行われることを特徴とする絶縁膜形成方法。
- ケイ素を主成分とする基板表面にプラズマを晒し、該基板表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成装置であって、
前記基板を搬送する搬送手段を有する搬送室と、
前記搬送室に接続され、前記基板をプラズマ処理する少なくとも1つのプラズマ処理ユニットと、
前記搬送室に接続され、前記搬送室内に前記基板を搬入するロードロックユニットと、
前記基板を収容するカセットが配置されるカセットステージと、
前記カセットステージより前記ロードロックユニットへ前記基板を出し入れするローダー部と、
を備え、
前記プラズマユニットは、
前記基板を処理する処理容器と、
前記処理容器の上部を塞ぐ誘電体と、
前記誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナと、
前記平面アンテナにマイクロ波を導入するマイクロ波電源部と、
前記処理容器内に酸素、窒素又は酸素と窒素とを含む処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理容器内を減圧する真空排気機構と
を備え、
前記プラズマ処理ユニットを用いて、前記処理ガスの雰囲気下で、前記誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナを介してマイクロ波を照射することにより、Arガスと、酸素ガス、又は窒素ガス、又は酸素ガスと窒素ガスとを含む処理ガスのプラズマを生成し、該プラズマにより前記基板の表面に直接に酸化、窒化又は酸窒化を施して該基板表面に絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜形成装置。 - 請求項8記載の絶縁膜形成装置であって、
更に加熱ユニットを具備することを特徴とする絶縁膜形成装置。 - 請求項8又は9記載の絶縁膜形成装置であって、
ゲート絶縁膜を並列的に形成できるように、前記プラズマ処理ユニットが、二つ又はそれ以上配設されていることを特徴とする絶縁膜形成装置。 - 請求項8〜10いずれか1項記載の絶縁膜形成装置であって、
前記プラズマ処理ユニットとは異なるCVD処理ユニットを更に具備したことを特徴とする絶縁膜形成装置。 - ケイ素を主成分とする基板表面にプラズマを晒し、該基板表面に絶縁膜を形成するプラズマ処理ユニットであって、
前記基板を処理する処理容器と、
前記処理容器の上部を塞ぐ誘電体と、
前記誘誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナと、
前記平面アンテナにマイクロ波を導入するマイクロ波電源部と、
前記処理容器内に酸素、窒素又は酸素と窒素とを含む処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理容器内を減圧する真空排気機構と
を備え、
前記処理ガスの雰囲気下で、前記誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナを介してマイクロ波を照射することにより、Arガスと、酸素ガス、又は窒素ガス、又は酸素ガスと窒素ガスとを含む処理ガスのプラズマを生成し、該プラズマにより前記基板の表面に直接に酸化、窒化又は酸窒化を施して該基板表面に絶縁膜を形成することを特徴とするプラズマ処理ユニット。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011033987A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、半導体素子の製造方法、絶縁膜および半導体素子 |
KR101729312B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2017-05-02 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
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2008
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