JP2008150246A - ダイヤモンド製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上記の課題を解決するために、本発明は、炭素と水素と酸素を含む液体であって、炭素原子数と水素原子数の合計に対する水素原子数の割合が0.75以上0.82以下であり、炭素原子数と酸素原子数の合計に対する炭素原子数の割合が0.47以上0.58以下である液体に電磁波を照射し、液体中にプラズマを発生させてダイヤモンドを製造するものである。
【選択図】図1
Description
大塚直夫、日本表面科学学会編、ダイヤモンド薄膜、共立出版 Tsukawa,NEW DIAMONDO, Vol.73(2004),P16 豊田洋通、精密工学会誌、69巻、10号、(2003)、pp1444−1448
実施例1:メタノール90、エタノール10
実施例2:メタノール90、エタノール10、水2
実施例3:メタノール90、エタノール10、水5
さらに比較例として、次の液体を使用した。
比較例1:エタノールのみ
比較例2:メタノール90、エタノール10、水40
実施例1から実施例3の液体は、本発明の液体の条件範囲内のものであり、比較例1、比較例2は本発明の液体の条件範囲外である。それぞれの液体の構成については、図2においても表示している。
図3は実施例1に係る膜のラマンシフトのスペクトルを示すグラフである。1333cm-1の位置に明確なピークが表われており、生成された膜がダイヤモンド膜であることがわかる。実施例1で生成された膜については、弾性率および硬度の測定も行った。測定値にはバラつきがあったが、弾性率および硬度ともダイヤモンド状カーボン膜(DLC)の範囲をはるかに超えるデータが含まれていて、このような高い弾性率および硬度はダイヤモンド以外では考えられない。また、走査電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、1μm程度の大きさの粒子が観察され、ナノサイズの微細なダイヤモンドであることがわかった。
2.容器
3.液体
4.アンテナ
5.高周波供給装置
6.銅線
7.絶縁部材(アルミナ皮膜)
9.基板
10.基板保持部材
15.基板加熱装置(交流電源)
17.アスピレータ
Claims (4)
- 炭素と水素と酸素を含む液体であって、炭素原子数と水素原子数の合計に対する水素原子数の割合が0.75以上0.82以下であり、炭素原子数と酸素原子数の合計に対する炭素原子数の割合が0.47以上0.58以下である液体に電磁波を照射し、液体中にプラズマを発生させてダイヤモンドを製造するダイヤモンド製造方法。
- 前記液体がメタノールを含むものである請求項1に記載のダイヤモンド製造方法。
- 前記液体がエタノールを含むものである請求項2に記載のダイヤモンド製造方法。
- 前記液体が水を含むものである請求項2または請求項3に記載のダイヤモンド製造方法。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2010121193A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Univ Of Tokyo | ナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法 |
JP2010177002A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Ehime Univ | 液中プラズマ用電極、液中プラズマ発生装置および液中プラズマ発生方法 |
JP2011000504A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Toyota Industries Corp | 液中プラズマを用いた成膜方法および液中プラズマ成膜装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6321291A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Kyocera Corp | ダイヤモンド膜の製造方法 |
JPH02236280A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜形成方法 |
JP2004152523A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Techno Network Shikoku Co Ltd | 液中プラズマ発生装置および薄膜形成方法 |
JP2005230753A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Techno Network Shikoku Co Ltd | 液中プラズマ反応装置、液中プラズマによる反応方法および結晶合成方法 |
WO2006107002A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 非晶質炭素膜の製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6321291A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Kyocera Corp | ダイヤモンド膜の製造方法 |
JPH02236280A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜形成方法 |
JP2004152523A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Techno Network Shikoku Co Ltd | 液中プラズマ発生装置および薄膜形成方法 |
JP2005230753A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Techno Network Shikoku Co Ltd | 液中プラズマ反応装置、液中プラズマによる反応方法および結晶合成方法 |
WO2006107002A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 非晶質炭素膜の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010121193A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Univ Of Tokyo | ナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法 |
JP2010177002A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Ehime Univ | 液中プラズマ用電極、液中プラズマ発生装置および液中プラズマ発生方法 |
JP2011000504A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Toyota Industries Corp | 液中プラズマを用いた成膜方法および液中プラズマ成膜装置 |
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