JP2006269761A - ウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 単結晶インゴットをスライスしてウェハ10を得るスライス工程(S110)と,ウェハ10の第1の面10aに硬化性材料15を塗布する塗布工程(S120)と,塗布された硬化性材料15を平坦に加工する硬化性材料表面加工工程(S130)と,硬化性材料15が硬化した後,ウェハ10を硬化性材料15の平坦面がウェハ保持手段に接するように載置して,第2の面10bを研削する第1の研削工程(S140)と,硬化性材料15を除去する硬化性材料除去工程(S150)と,ウェハ10を研削された第2の面10bがウェハ保持手段に接するように載置して,第1の面10aを研削する第2の研削工程(S160)とを含む。塗布工程(S120)で塗布する硬化性材料15の厚さは,40μm以上300μm未満である。
【選択図】 図1
Description
まず,図1〜4に基づいて,本発明の第1の実施形態にかかるウェハの製造方法について説明する。ここで,図1は,本実施形態にかかるウェハの製造方法を示すフローチャートである。また,図2は,本実施形態にかかる塗布工程を説明するための説明図である。さらに,図3は,第1の研削工程を説明するための説明図である。また,図4は,第2の研削工程を説明するための説明図である。
15 硬化性材料
20 基台
27 ガラス板
32 チャックテーブル
46 研削砥石
Claims (2)
- 単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と;
前記ウェハの第1の面に硬化性材料を塗布する塗布工程と;
前記ウェハの第1の面に塗布された前記硬化性材料を平坦に加工する硬化性材料表面加工工程と;
前記硬化性材料が硬化した後,前記硬化性材料の平坦面がウェハ保持手段に接するように,前記ウェハを前記ウェハ保持手段に載置して,前記第1の面とは他側の第2の面を研削する第1の研削工程と;
前記硬化性材料を除去する硬化性材料除去工程と;
研削された前記第2の面が前記ウェハ保持手段に接するように,前記ウェハを前記ウェハ保持手段に載置して,前記第1の面を研削する第2の研削工程と;
を含み,
前記塗布工程で塗布する前記硬化性材料の厚さは,40μm以上300μm未満であることを特徴とする,ウェハの製造方法。 - 単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と;
前記ウェハの第1の面に硬化性材料を塗布する塗布工程と;
前記ウェハの第1の面に塗布された前記硬化性材料を平坦に加工する硬化性材料表面加工工程と;
前記硬化性材料が硬化した後,前記硬化性材料の平坦面がウェハ保持手段に接するように,前記ウェハを前記ウェハ保持手段に載置して,前記第1の面とは他側の第2の面を研削する第1の研削工程と;
研削された前記第2の面が前記ウェハ保持手段に接するように,前記ウェハを前記ウェハ保持手段に載置して,前記硬化性材料を研削除去すると共に,前記第1の面を研削する第2の研削工程と;
を含み,
前記塗布工程で塗布する前記硬化性材料の厚さは,40μm以上300μm未満であることを特徴とする,ウェハの製造方法。
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009148866A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 樹脂被覆方法および装置 |
JP2009272557A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物 |
JP2009291909A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Bridgestone Corp | 単結晶の研磨方法 |
CN101770936A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 株式会社迪思科 | 树脂覆盖方法和树脂覆盖装置 |
JP2011103379A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Sumco Corp | ウェーハの平坦化加工方法 |
JP2014037035A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
JP2015008247A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-15 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの加工プロセス |
KR101506854B1 (ko) | 2013-12-27 | 2015-03-31 | 경기대학교 산학협력단 | Uv 마운팅 장치 |
JPWO2014129304A1 (ja) * | 2013-02-19 | 2017-02-02 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの加工方法 |
WO2017134925A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法およびウェーハ |
KR20180064518A (ko) | 2015-10-20 | 2018-06-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 반도체 웨이퍼의 가공 방법 |
KR20190058667A (ko) | 2016-10-31 | 2019-05-29 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼 |
WO2019163017A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法 |
KR20190108151A (ko) | 2017-01-23 | 2019-09-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 기판의 처리 방법 및 반도체 기판의 처리 장치 |
WO2020039802A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
CN111941266A (zh) * | 2019-05-14 | 2020-11-17 | 信越半导体株式会社 | 覆盖物的厚度测量方法及研磨方法 |
WO2021235067A1 (ja) | 2020-05-21 | 2021-11-25 | 信越半導体株式会社 | 基板ウェーハの製造方法、及び基板ウェーハ |
CN114290132A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-08 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 碳化硅晶片的表面处理方法 |
JP7072180B1 (ja) | 2021-12-20 | 2022-05-20 | 有限会社サクセス | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07237066A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Seiko Seiki Co Ltd | 加工装置のチャック装置 |
JPH0866850A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワークの平面研削方法及び装置 |
JPH10286750A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研磨方法 |
JPH1110532A (ja) * | 1997-05-30 | 1999-01-19 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | ウェーハホルダおよび半導体ウェーハの製造方法 |
JPH11111653A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2000005982A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-11 | Enya System:Kk | スライスドウエ−ハの基準面形成方法 |
JP2001110765A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高精度ウェーハとその製造方法 |
JP2003347254A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Jsr Corp | ウェハ固定化用組成物およびこれを用いたウェハの加工法 |
JP2005262327A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 平面研削方法 |
-
2005
- 2005-03-24 JP JP2005085932A patent/JP4728023B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07237066A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Seiko Seiki Co Ltd | 加工装置のチャック装置 |
JPH0866850A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワークの平面研削方法及び装置 |
JPH10286750A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研磨方法 |
JPH1110532A (ja) * | 1997-05-30 | 1999-01-19 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | ウェーハホルダおよび半導体ウェーハの製造方法 |
JPH11111653A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2000005982A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-11 | Enya System:Kk | スライスドウエ−ハの基準面形成方法 |
JP2001110765A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高精度ウェーハとその製造方法 |
JP2003347254A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Jsr Corp | ウェハ固定化用組成物およびこれを用いたウェハの加工法 |
JP2005262327A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 平面研削方法 |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009148866A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 樹脂被覆方法および装置 |
CN101465292B (zh) * | 2007-12-21 | 2013-04-03 | 株式会社迪思科 | 树脂覆盖方法和装置 |
JP2009272557A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物 |
KR101456724B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2014-10-31 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 제조 방법 및 제조 장치와, 경화성 수지 조성물 |
JP2009291909A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Bridgestone Corp | 単結晶の研磨方法 |
CN101770936A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 株式会社迪思科 | 树脂覆盖方法和树脂覆盖装置 |
JP2011103379A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Sumco Corp | ウェーハの平坦化加工方法 |
JP2014037035A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
JPWO2014129304A1 (ja) * | 2013-02-19 | 2017-02-02 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの加工方法 |
US9881783B2 (en) | 2013-02-19 | 2018-01-30 | Sumco Corporation | Method for processing semiconductor wafer |
US9324558B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-04-26 | Sumco Corporation | Machining process for semiconductor wafer |
KR101624151B1 (ko) * | 2013-06-26 | 2016-05-25 | 가부시키가이샤 사무코 | 반도체 웨이퍼의 가공 프로세스 |
JP2015008247A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-15 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの加工プロセス |
KR101506854B1 (ko) | 2013-12-27 | 2015-03-31 | 경기대학교 산학협력단 | Uv 마운팅 장치 |
KR20180064518A (ko) | 2015-10-20 | 2018-06-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 반도체 웨이퍼의 가공 방법 |
WO2017134925A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法およびウェーハ |
KR20190058667A (ko) | 2016-10-31 | 2019-05-29 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼 |
DE112017005478T5 (de) | 2016-10-31 | 2019-08-08 | Sumco Corporation | Waferherstellungsverfahren und wafer |
KR20190108151A (ko) | 2017-01-23 | 2019-09-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 기판의 처리 방법 및 반도체 기판의 처리 장치 |
WO2019163017A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法 |
CN111758152A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-09 | 胜高股份有限公司 | 晶片的制造方法 |
JPWO2019163017A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2021-02-04 | 株式会社Sumco | ウェーハの製造方法 |
US11948789B2 (en) | 2018-02-21 | 2024-04-02 | Sumco Corporation | Wafer production method |
CN111758152B (zh) * | 2018-02-21 | 2023-10-31 | 胜高股份有限公司 | 晶片的制造方法 |
JP7080330B2 (ja) | 2018-08-23 | 2022-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
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