JP2006216754A - Circuit board and method of manufacturing the same - Google Patents

Circuit board and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2006216754A
JP2006216754A JP2005027521A JP2005027521A JP2006216754A JP 2006216754 A JP2006216754 A JP 2006216754A JP 2005027521 A JP2005027521 A JP 2005027521A JP 2005027521 A JP2005027521 A JP 2005027521A JP 2006216754 A JP2006216754 A JP 2006216754A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base material
circuit board
plasma
gas
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005027521A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayoshi Kondo
正芳 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2005027521A priority Critical patent/JP2006216754A/en
Publication of JP2006216754A publication Critical patent/JP2006216754A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board which is superior in adhesion of a base material to an adhesive layer, and to provide the method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The method of electrically bonding a first base material and a second base material, together through the intermediary of an adhesive layer into the circuit board, comprises a first plasma treating process of previously subjecting the surface of the first base material that is bonded to the adhesive layer to plasma processing, by the use of first gas comprising one or more gases, selected from among hydrogen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton, and helium; and a second plasma treatment process of subjecting the surface of first base material to plasma processing, by the use of a second gas that is different from the first gas used in the first plasma treatment process. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。   The present invention relates to a circuit board manufacturing method and a circuit board.

近年、電子機器の高密度化に伴い、これに用いる回路基板の多層化、回路基板に形成される回路の細線化が要求されている。このような、細線化された回路を有する多層基板を形成する方法の一つにバンプめっきによる接合方式があり、例えば次のような方法で形成される。   In recent years, with the increase in the density of electronic devices, it has been required to increase the number of circuit boards used for the electronic devices and to make the circuits formed on the circuit boards thinner. One of the methods for forming a multilayer substrate having such a thinned circuit is a bonding method by bump plating. For example, it is formed by the following method.

銅と金属、または銅と合金とで構成される導体２層ポストを有する基版と、前記導体２層ポストと接続するためのランドを有する基板とを用意する。そして、層間接着剤を介して、前記導体２層ポストを有する基板と、前記ランドを有する基板とを接合して多層基板を得ている。   A base plate having a conductor two-layer post composed of copper and metal, or copper and an alloy, and a substrate having a land for connecting to the conductor two-layer post are prepared. And the board | substrate which has the said conductor 2 layer post | mailbox, and the board | substrate which has the said land are joined via the interlayer adhesive agent, and the multilayer board | substrate is obtained.

この多層基板において、層間の密着性を向上させることが非常に重要になってくる。層間の密着性が乏しい場合には、多層基板を高温多湿下で処理した際に基板と層間接着剤との間に水分が侵入し、半田耐熱性試験（ＪＩＳ Ｃ５０１６）で層間が剥離し、膨れ等が発生する場合がある。   In this multilayer substrate, it is very important to improve the adhesion between the layers. If the adhesion between the layers is poor, when the multilayer substrate is processed under high temperature and high humidity, moisture enters between the substrate and the interlayer adhesive, and the layers are peeled off in the solder heat resistance test (JIS C5016). Etc. may occur.

そこで、層間の密着性を向上させるために、被着物の表面を粗面化する方法がある（例えば、特許文献１参照）。この方法では、基板、ランド、回路等を粗面化する。しかし、高周波の信号を伝搬させると、表皮効果により信号が祖化された回路の表面部分のみを伝搬するため、その表面の凹凸に起因して信号にノイズが発生してしまう場合があった。そこで、層間の密着性を粗面化することなく密着性を向上させることが必要となっていた。   In order to improve the adhesion between the layers, there is a method of roughening the surface of the adherend (see, for example, Patent Document 1). In this method, the substrate, land, circuit, etc. are roughened. However, when a high-frequency signal is propagated, it propagates only on the surface portion of the circuit where the signal is derived by the skin effect, and thus noise may occur in the signal due to the unevenness of the surface. Therefore, it has been necessary to improve the adhesion without roughening the adhesion between the layers.

特開２００３−１６３４５４号公報JP 2003-163454 A

本発明の目的は、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供することにある。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of a circuit board excellent in the adhesiveness of an adhesive bond layer and a base material, and a circuit board.

このような目的は、下記（１）〜（５）に記載の本発明により達成される。
（１）第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする回路基板の製造方法。
（２）前記第２基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有しているものである上記（１）に記載の回路基板の製造方法。
（３）前記第１プラズマ処理工程は、酸素を用いるものである上記（１）または（２）に記載の回路基板の製造方法。
（４）前記第２プラズマ処理工程は、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第２気体を用いるものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（５）上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の回路基板の製造方法で得られることを特徴とする回路基板。 Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (5).
(1) A method for manufacturing a circuit board obtained by electrically joining a first base material and a second base material via an adhesive layer, wherein the first base material and the second base material are joined to the adhesive layer of the first base material. A first plasma treatment step in which the surface to be treated is preliminarily plasma treated with one or more first gases selected from oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton, and helium;
A method of manufacturing a circuit board, further comprising: a second plasma processing step of performing plasma processing on the bonding surface with a second gas different from the first gas used in the first plasma processing step.
(2) The surface of the second base material to be bonded to the adhesive layer is previously plasma with one or more first gases selected from oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton, and helium. The first plasma processing step for processing, and the second plasma processing step for plasma processing the bonding surface with a second gas different from the first gas used in the first plasma processing step (above) A method for producing a circuit board according to 1).
(3) The circuit board manufacturing method according to (1) or (2), wherein the first plasma processing step uses oxygen.
(4) The circuit according to any one of (1) to (3), wherein the second plasma treatment step uses one or more second gases selected from argon, neon, krypton, and helium. A method for manufacturing a substrate.
(5) A circuit board obtained by the method for manufacturing a circuit board according to any one of (1) to (4).

本発明によれば、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板を得ることができる。
また、第１プラズマ処理工程で酸素を用いた場合、特に基材表面の有機物を効率良く除去できる。
また、第２プラズマ処理でアルゴンを用いた場合、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the circuit board excellent in the adhesiveness of an adhesive bond layer and a base material can be obtained.
In addition, when oxygen is used in the first plasma treatment step, organic substances on the surface of the substrate can be removed particularly efficiently.
In addition, when argon is used in the second plasma treatment, it is possible to remove organic substances and inorganic substances that are firmly attached and cannot be removed in the first plasma treatment step. Thereby, a highly pure surface can be obtained. Furthermore, the wettability of the surface can be improved.

以下、本発明の回路基板の製造方法および回路基板について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の回路基板の製造方法は、第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ工程に用いる気体と異なる気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする。
本発明の回路基板は、上述の回路基板の製造方法で得られることを特徴とするものである。 Hereinafter, a circuit board manufacturing method and a circuit board according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
The circuit board manufacturing method of the present invention is a circuit board manufacturing method obtained by electrically joining a first base material and a second base material via an adhesive layer, wherein the first base material is A surface to be bonded to the adhesive layer is preliminarily plasma-treated with one or more gases selected from oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton and helium; And a second plasma processing step of plasma processing the bonding surface with a gas different from the gas used in the first plasma step.
The circuit board of the present invention is obtained by the above-described method for manufacturing a circuit board.

図１は、第１基材の一例を示す断面図である。図２は、第２基材の一例を示す断面図である。図３は、本発明の回路基板の製造方法で用いるプラズマ装置を模式的に表す側面図である。図４は、回路基板の一例を示す断面図である。
まず、回路基板１００を構成する第１基材１および第２基材２について説明する。 FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a first base material. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of the second base material. FIG. 3 is a side view schematically showing a plasma apparatus used in the circuit board manufacturing method of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a circuit board.
First, the 1st base material 1 and the 2nd base material 2 which comprise the circuit board 100 are demonstrated.

図１に示すように、第１基材１は、フィルム１１と、フィルム１１の一方の面側（図１中上側）に設けられる導体回路１２と、導体回路１２と接続し、かつフィルム１１を貫通して設けられる導体ポスト（突起電極）１３と、導体ポスト１３の先端部を覆う被覆層１３１とで構成されている。   As shown in FIG. 1, the first base material 1 is connected to the film 11, the conductor circuit 12 provided on one surface side of the film 11 (upper side in FIG. 1), the conductor circuit 12, and the film 11. A conductive post (projection electrode) 13 provided so as to penetrate therethrough and a covering layer 131 covering the tip of the conductive post 13 are configured.

フィルム１１を構成する材料としては、例えばポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマー、シアネート樹脂等が挙げられる。フィルム１１の厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍが好ましく、特１２．５〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に屈曲性に優れる。   Examples of the material constituting the film 11 include polyimide, polyester, liquid crystal polymer, and cyanate resin. Although the thickness of the film 11 is not specifically limited, 5-50 micrometers is preferable and 12.5-25 micrometers is especially preferable. When the thickness is within the above range, the flexibility is particularly excellent.

導体回路１２を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、金等が挙げられる。
導体回路１２を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。 Although the material which comprises the conductor circuit 12 will not be specifically limited if it has electroconductivity, For example, copper, a copper-type alloy, gold | metal | money etc. are mentioned.
Examples of the method for forming the conductor circuit 12 include an etching method and a plating method.

導体ポスト１３を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、錫等が挙げられる。
導体ポスト１３を形成する方法としては、例えば上述の材料のペーストを埋め込む方法、メッキする方法等が挙げられる。 Although the material which comprises the conductor post 13 will not be specifically limited if it has electroconductivity, For example, copper, a copper-type alloy, tin etc. are mentioned.
Examples of the method for forming the conductor post 13 include a method of embedding the above-described material paste, a method of plating, and the like.

被覆層１３１を構成する材料は、導電性を有し、かつ導体ポスト１３と後述する導体パッドとの接続信頼性に優れるものであれば特に限定されないが、例えば金、銀、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン等の金属単体、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、銅から選ばれた２種以上の金属で構成される半田が挙げられる。より具体的には、錫―鉛系、錫―銀系、錫−亜鉛系、錫―ビスマス系、錫―アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系等の半田が挙げられる。
被覆層１３１を形成する方法としては、例えばメッキする方法、ペースト印刷する方法等が挙げられる。 The material constituting the covering layer 131 is not particularly limited as long as it has conductivity and is excellent in connection reliability between the conductor post 13 and a conductor pad described later. For example, gold, silver, nickel, tin, lead , Solder composed of two or more metals selected from simple metals such as zinc, bismuth and antimony, tin, lead, zinc, bismuth, antimony and copper. More specifically, solders such as tin-lead, tin-silver, tin-zinc, tin-bismuth, tin-antimony, tin-silver-bismuth, and tin-copper are listed.
Examples of the method for forming the coating layer 131 include a plating method and a paste printing method.

図２に示すように、第２基材２は、フィルム２１の一方の面側に形成された導体パッド２２と、導体回路２３と、フィルム２１の他方の面側に形成された導体回路２３とで構成されている。   As shown in FIG. 2, the second substrate 2 includes a conductor pad 22 formed on one surface side of the film 21, a conductor circuit 23, and a conductor circuit 23 formed on the other surface side of the film 21. It consists of

フィルム２１を構成する材料としては、例えばポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマー、シアネート樹脂等が挙げられる。フィルム２１の厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍが好ましく、特に１２．５〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に屈曲性に優れる。   Examples of the material constituting the film 21 include polyimide, polyester, liquid crystal polymer, and cyanate resin. Although the thickness of the film 21 is not specifically limited, 5-50 micrometers is preferable and 12.5-25 micrometers is especially preferable. When the thickness is within the above range, the flexibility is particularly excellent.

導体パッド２２を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、金等が挙げられる。
導体回路２２を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。 Although the material which comprises the conductor pad 22 will not be specifically limited if it has electroconductivity, For example, copper, a copper-type alloy, gold | metal | money etc. are mentioned.
Examples of the method for forming the conductor circuit 22 include an etching method and a plating method.

導体回路２３を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、錫等が挙げられる。
導体回路２３を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。 Although the material which comprises the conductor circuit 23 will not be specifically limited if it has electroconductivity, For example, copper, a copper-type alloy, tin etc. are mentioned.
Examples of the method for forming the conductor circuit 23 include an etching method and a plating method.

本発明の回路基板の製造方法では、上述したような第１基材１および第２基材２を、後述するプラズマ処理することを特徴とするが、次に本発明で用いるプラズマ装置について説明する。
図３に示すように、プラズマ装置３は、チャンバー３１と、チャンバー３１の上部（図３中上側）に設けられるガス供給部３２と、チャンバー３１の左側（図３中左側）に設けられる真空ポンプ３３とを有している。チャンバー３１の内部には、平行平板式の電極が設けられており、チャンバー３１内部の上側（図３中上側）に上部電極３４と、その下側に下部電極３５とを有している。 The circuit board manufacturing method of the present invention is characterized in that the first base material 1 and the second base material 2 as described above are subjected to the plasma treatment described later. Next, the plasma apparatus used in the present invention will be described. .
As shown in FIG. 3, the plasma apparatus 3 includes a chamber 31, a gas supply unit 32 provided on the upper portion of the chamber 31 (upper side in FIG. 3), and a vacuum pump provided on the left side of the chamber 31 (left side in FIG. 3). 33. A parallel plate type electrode is provided inside the chamber 31, and has an upper electrode 34 on the upper side (upper side in FIG. 3) inside the chamber 31 and a lower electrode 35 on the lower side.

ここで、ガス供給部３２は、反応ガスを供給するために設けられており、図示しないマスフローコントローラーが設置されている。
また、真空ポンプ３３は、チャンバー３１内を真空に保つために設けられている。
ここで、基板は、上部電極３４と下部電極３５との間に挿入されることになる。
このプラズマ装置３は、低圧および常圧タイプのどちらの装置を用いても良い。 Here, the gas supply part 32 is provided in order to supply reaction gas, and the mass flow controller which is not shown in figure is installed.
The vacuum pump 33 is provided to keep the inside of the chamber 31 in a vacuum.
Here, the substrate is inserted between the upper electrode 34 and the lower electrode 35.
The plasma device 3 may be either a low pressure type or a normal pressure type device.

次に、プラズマ処理について説明する。
本発明でプラズマ処理は、第１基材１の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする。前記第１プラズマ処理工程では、表面に付着する有機物を除去することができる。また、前記第２プラズマ処理工程では、前記第１プラズマ処理工程で除去が困難なように強固に付着している有機物または無機物を除去することができる。 Next, plasma processing will be described.
In the present invention, the plasma treatment is performed by using one or more first selected from oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton, and helium on the surface to be bonded to the adhesive layer of the first substrate 1. A first plasma processing step of performing plasma processing in advance with a gas; and a second plasma processing step of performing plasma processing on the bonding surface with a second gas different from the first gas used in the first plasma processing step. It is characterized by. In the first plasma treatment step, organic substances adhering to the surface can be removed. Further, in the second plasma treatment step, it is possible to remove organic substances or inorganic substances that are firmly attached so as to be difficult to remove in the first plasma treatment step.

まず、第１基板１のプラズマ処理について説明する。
＜第１プラズマ処理工程＞
第１基板１をプラズマ装置３のチャンバー３１内にある下部電極３５の上に配置する。この際、第１基板１の導体ポスト１３の被覆層１３１が上側（図３中上側）となるように配置する（すなわち、導体回路１２が下側となる）。これにより、導体ポスト１３１側の面がプラズマ処理されることになる。なお、下部電極３５と、第１基板１との間に隙間（例えば、第１基板の撓み等により）が存在すると、その隙間にプラズマが集中する異常放電現象が生じる可能性がある。そのため、異常放電現象を防止するために、専用の冶具または粘着テープ等で固定することが好ましい。 First, plasma processing of the first substrate 1 will be described.
<First plasma treatment process>
The first substrate 1 is disposed on the lower electrode 35 in the chamber 31 of the plasma apparatus 3. At this time, the conductor layer 13 of the first substrate 1 is disposed so that the covering layer 131 is on the upper side (upper side in FIG. 3) (that is, the conductor circuit 12 is on the lower side). Thereby, the surface on the conductor post 131 side is subjected to plasma treatment. If there is a gap (for example, due to bending of the first substrate) between the lower electrode 35 and the first substrate 1, an abnormal discharge phenomenon in which plasma concentrates in the gap may occur. Therefore, in order to prevent an abnormal discharge phenomenon, it is preferable to fix with an exclusive jig or an adhesive tape.

次に、チャンバー３１を閉じて、真空ポンプ３３を稼動させ、チャンバー３１内の真空引きを開始する。真空度は、特に限定されないが、１００Ｐａ以下が好ましく、特に１〜１０Ｐａが好ましい。真空度が前記範囲内であると、特にプラズマを安定に発生することができ、均一な処理を行なうことができる。   Next, the chamber 31 is closed, the vacuum pump 33 is operated, and evacuation in the chamber 31 is started. Although a vacuum degree is not specifically limited, 100 Pa or less is preferable and 1-10 Pa is especially preferable. When the degree of vacuum is within the above range, plasma can be generated particularly stably, and uniform processing can be performed.

チャンバー３１内が所定の真空度に到達したらガス供給部３２より、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体（特に好ましくは、酸素）を所定量供給する。前記第１気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。   When the inside of the chamber 31 reaches a predetermined degree of vacuum, from the gas supply unit 32, at least one first gas selected from oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton and helium (particularly preferably, A predetermined amount of oxygen) is supplied. After supplying the first gas for several seconds, a voltage is applied to the lower electrode 35 to perform plasma treatment. Thereby, the plasma processing is started from a stable state, and variations in each processing can be reduced.

ここで、特に前記第１気体として酸素を用いた場合の反応について説明する。
前記第１気体として酸素を用いた場合に第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
酸素原子はイオン（Ｏ+）と、電子と、ラジカル（Ｏ*）とに電離する。ラジカル（Ｏ*）は、第１基板１の表面に吸着し、揮発性物質を形成する化学的反応を行なう。イオン（Ｏ+）は、電圧がかかることにより直進し、付着している炭素／水素／酸素で構成されている有機物に物理的に作用し、この有機物の表面解離または表面解離を誘発する。この表面解離した、または表面解離が誘発された有機物と、ラジカル（Ｏ*）が反応し、二酸化炭素や水となり、有機物が効率良く除去される。 Here, the reaction when oxygen is used as the first gas will be described.
When oxygen is used as the first gas, it is considered that the following reaction occurs on the surface of the first substrate 1 (the surface on the coating layer 131 side).
Oxygen atoms are ionized into ions (O + ), electrons, and radicals (O * ). The radical (O * ) is adsorbed on the surface of the first substrate 1 and undergoes a chemical reaction that forms a volatile substance. The ions (O + ) go straight when a voltage is applied, physically act on the organic substance composed of adhering carbon / hydrogen / oxygen, and induce surface dissociation or surface dissociation of the organic substance. The organic substance that has undergone surface dissociation or the surface dissociation has been reacted with radicals (O * ) to form carbon dioxide or water, and the organic substance is efficiently removed.

＜第２プラズマ処理工程＞
続いて、第２プラズマ処理工程を行なう。第２プラズマ処理工程は、前記第１プラズマ処理工程の第１気体の供給を停止し、所定の真空度まで真空引きを行なう。所定の真空度に到達したら、前記第１気体と異なる前記第２気体を所定量供給する。前記第２気体は、前記第１気体と異なる気体であれば特に限定されないが、例えばアルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム等の不活性ガスを用いることが好ましい。これらの中でも入手が容易、安価、かつ反応性が高いアルゴンガスが好ましい。
前記第１プラズマ処理工程の場合と同様に、前記第２気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。 <Second plasma treatment process>
Subsequently, a second plasma processing step is performed. In the second plasma processing step, the supply of the first gas in the first plasma processing step is stopped, and evacuation is performed to a predetermined degree of vacuum. When a predetermined degree of vacuum is reached, a predetermined amount of the second gas different from the first gas is supplied. The second gas is not particularly limited as long as it is a gas different from the first gas. For example, it is preferable to use an inert gas such as argon, neon, krypton, or helium. Among these, argon gas which is easily available, inexpensive and highly reactive is preferable.
As in the case of the first plasma processing step, after the second gas is supplied for several seconds, a voltage is applied to the lower electrode 35 to perform plasma processing. Thereby, the plasma processing is started from a stable state, and variations in each processing can be reduced.

ここで、特に前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合の反応について説明する。
前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合に第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
アルゴンガスはイオン（Ａｒ+）と、電子とに分離する。アルゴンガスは、前述したような酸素ガスと異なり、反応によって有機物を除去するのではなく、イオン（Ａｒ+）による強力な物理的効果により、付着している有機物、無機物をスパッタリングで除去する。これにより、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。 Here, the reaction when argon gas is used as the second gas will be described.
When argon gas is used as the second gas, it is considered that the following reaction is performed on the surface of the first substrate 1 (the surface on the coating layer 131 side).
Argon gas is separated into ions (Ar + ) and electrons. Unlike the oxygen gas as described above, the argon gas does not remove the organic substance by reaction, but removes the adhering organic substance and inorganic substance by sputtering due to a strong physical effect by ions (Ar + ). Thereby, in the first plasma treatment step, it is possible to remove organic substances and inorganic substances that are firmly attached and could not be removed. Thereby, a highly pure surface can be obtained. Furthermore, the wettability of the surface can be improved.

このような、上記第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程により、第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）と、接着剤層との密着性を向上することができる。さらに、第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）の濡れ性を向上することができ、それによって第１基板１の被覆層１３１と、第２基板２の導体パッド２２との間の半田溶融接合を安定化することができる。   By such a first plasma treatment step and a second plasma treatment step, the adhesion between the surface of the first substrate 1 (the surface on the coating layer 131 side) and the adhesive layer can be improved. Furthermore, the wettability of the surface of the first substrate 1 (the surface on the coating layer 131 side) can be improved, whereby the space between the coating layer 131 of the first substrate 1 and the conductor pad 22 of the second substrate 2 is improved. Solder fusion bonding can be stabilized.

次に、第２基板２のプラズマ処理について説明する。
＜第１プラズマ処理工程＞
第２基板２をプラズマ装置３のチャンバー３１内にある下部電極３５の上に配置する。この際、第２基板２の導体パッド２２が上側（図３中上側）となるように配置する（すなわち、導体回路２３が下側となる）。これにより、導体パッド２２側の面がプラズマ処理されることになる。なお、下部電極３５と、第２基板２との間に隙間（例えば、第２基板の撓み等により）が存在すると、その隙間にプラズマが集中する異常放電現象が生じる可能性がある。そのため、異常放電現象を防止するために、専用の冶具または粘着テープ等で固定することが好ましい。 Next, plasma processing of the second substrate 2 will be described.
<First plasma treatment process>
The second substrate 2 is disposed on the lower electrode 35 in the chamber 31 of the plasma apparatus 3. At this time, the conductor pads 22 of the second substrate 2 are arranged on the upper side (upper side in FIG. 3) (that is, the conductor circuit 23 is on the lower side). Thereby, the surface on the conductor pad 22 side is subjected to plasma treatment. If there is a gap (for example, due to bending of the second substrate) between the lower electrode 35 and the second substrate 2, an abnormal discharge phenomenon in which plasma concentrates in the gap may occur. Therefore, in order to prevent an abnormal discharge phenomenon, it is preferable to fix with an exclusive jig or an adhesive tape.

次に、チャンバー３１を閉じて、真空ポンプ３３を稼動させ、チャンバー３１内の真空引きを開始する。真空度は、特に限定されないが、１００Ｐａ以下が好ましく、特に１〜１０Ｐａが好ましい。真空度が前記範囲内であると、特にプラズマを安定に発生することができ、均一な処理を行なうことができる。   Next, the chamber 31 is closed, the vacuum pump 33 is operated, and evacuation in the chamber 31 is started. Although a vacuum degree is not specifically limited, 100 Pa or less is preferable and 1-10 Pa is especially preferable. When the degree of vacuum is within the above range, plasma can be generated particularly stably, and uniform processing can be performed.

チャンバー３１内が所定の真空度に到達したらガス供給部３２より、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体（特に好ましくは、酸素）を所定量供給する。前記第１気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。   When the inside of the chamber 31 reaches a predetermined degree of vacuum, from the gas supply unit 32, at least one first gas selected from oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton and helium (particularly preferably, A predetermined amount of oxygen) is supplied. After supplying the first gas for several seconds, a voltage is applied to the lower electrode 35 to perform plasma treatment. Thereby, the plasma processing is started from a stable state, and variations in each processing can be reduced.

ここで、特に前記第１気体として酸素を用いた場合の反応について説明する。
前記第１気体として酸素を用いた場合に第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
酸素原子はイオン（Ｏ+）と、電子と、ラジカル（Ｏ*）とに電離する。ラジカル（Ｏ*）は、第２基板２の表面に吸着し、揮発性物質を形成する化学的反応を行なう。イオン（Ｏ+）は、電圧がかかることにより直進し、付着している炭素／水素／酸素で構成されている有機物に物理的に作用し、この有機物の表面解離または表面解離を誘発する。この表面解離した、または表面解離が誘発された有機物と、ラジカル（Ｏ*）が反応し、二酸化炭素や水となり、有機物が除去される。 Here, the reaction when oxygen is used as the first gas will be described.
When oxygen is used as the first gas, it is considered that the following reaction is performed on the surface of the second substrate 2 (surface on the conductor pad 22 side).
Oxygen atoms are ionized into ions (O + ), electrons, and radicals (O * ). The radical (O * ) is adsorbed on the surface of the second substrate 2 and undergoes a chemical reaction that forms a volatile substance. The ions (O + ) go straight when a voltage is applied, physically act on the organic substance composed of adhering carbon / hydrogen / oxygen, and induce surface dissociation or surface dissociation of the organic substance. The organic substance that has undergone surface dissociation or has been induced to react with the radical (O * ) is converted into carbon dioxide or water, and the organic substance is removed.

＜第２プラズマ処理工程＞
続いて、第２プラズマ処理工程を行なう。第２プラズマ処理工程は、前記第１プラズマ処理工程の第１気体の供給を停止し、所定の真空度まで真空引きを行なう。所定の真空度に到達したら、前記第１気体と異なる前記第２気体を所定量供給する。前記第２気体は、前記第１気体と異なる気体であれば特に限定されないが、例えばアルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム等の不活性ガスを用いることが好ましい。これらの中でも入手が容易、安価、かつ反応性が高いアルゴンガスが好ましい。
前記第１プラズマ処理工程の場合と同様に、前記第２気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。 <Second plasma treatment process>
Subsequently, a second plasma processing step is performed. In the second plasma processing step, the supply of the first gas in the first plasma processing step is stopped, and evacuation is performed to a predetermined degree of vacuum. When a predetermined degree of vacuum is reached, a predetermined amount of the second gas different from the first gas is supplied. The second gas is not particularly limited as long as it is a gas different from the first gas. For example, it is preferable to use an inert gas such as argon, neon, krypton, or helium. Among these, argon gas which is easily available, inexpensive and highly reactive is preferable.
As in the case of the first plasma processing step, after the second gas is supplied for several seconds, a voltage is applied to the lower electrode 35 to perform plasma processing. Thereby, the plasma processing is started from a stable state, and variations in each processing can be reduced.

ここで、特に前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合の反応について説明する。
前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合に第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
アルゴンガスはイオン（Ａｒ+）と、電子とに分離する。アルゴンガスは、前述したような酸素ガスと異なり、反応によって有機物を除去するのではなく、イオン（Ａｒ+）による強力な物理的効果により、付着している有機物、無機物をスパッタリングで除去する。これにより、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。 Here, the reaction when argon gas is used as the second gas will be described.
When argon gas is used as the second gas, it is considered that the following reaction is performed on the surface of the second substrate 2 (surface on the conductor pad 22 side).
Argon gas is separated into ions (Ar + ) and electrons. Unlike the oxygen gas as described above, the argon gas does not remove the organic substance by reaction, but removes the adhering organic substance and inorganic substance by sputtering due to a strong physical effect by ions (Ar + ). Thereby, in the first plasma treatment step, it is possible to remove organic substances and inorganic substances that are firmly attached and could not be removed. Thereby, a highly pure surface can be obtained. Furthermore, the wettability of the surface can be improved.

このような、上記第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程により、第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）と、接着剤層との密着性を向上することができる。さらに、第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）の濡れ性を向上することができ、それによって第２基板２の導体パッド２２と、第１基板１の被覆層１２１との間の半田溶融接合を安定化することができる。   By such a 1st plasma processing process and a 2nd plasma processing process, the adhesiveness of the surface (surface by the side of the conductor pad 22) of the 2nd board | substrate 2 and an adhesive bond layer can be improved. Furthermore, the wettability of the surface of the second substrate 2 (surface on the side of the conductor pad 22) can be improved, whereby the space between the conductor pad 22 of the second substrate 2 and the coating layer 121 of the first substrate 1 is improved. Solder fusion bonding can be stabilized.

なお、第１基板１と第２基板２との前記プラズマ処理は、上述のような順番でも先に第２基板２のプラズマ処理を行なった後に、第１基板１のプラズマ処理を行なっても良い。   Note that the plasma treatment of the first substrate 1 and the second substrate 2 may be performed on the first substrate 1 after the plasma treatment of the second substrate 2 is performed in the above-described order. .

このようにプラズマ処理した第１基板１および第２基板２を用いて、図５に示すような回路基板１００を得る。
まず、プラズマ処理した第１基板１の被覆層１３１面側を覆うように、接着剤４を形成する（図４）。
接着剤４を形成する方法としては、例えば印刷により塗布する方法、シート状の接着剤をラミネートする方法等が挙げられる。これらの中でもラミネートする方法が好ましい。これにより、作業工数を低下することができる。 A circuit board 100 as shown in FIG. 5 is obtained by using the first substrate 1 and the second substrate 2 subjected to the plasma treatment in this way.
First, the adhesive 4 is formed so as to cover the surface of the first substrate 1 subjected to the plasma treatment on the surface of the coating layer 131 (FIG. 4).
Examples of the method for forming the adhesive 4 include a method of applying by printing, a method of laminating a sheet-like adhesive, and the like. Among these, the laminating method is preferable. Thereby, work man-hours can be reduced.

接着剤４を構成する材料としては、例えばエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。   Examples of the material constituting the adhesive 4 include an epoxy resin and an acrylic resin.

次に、第１基板１と、第２基板２とを積層して、位置決めを行なう。この際、導体ポスト１３と、導体パッド２２とが接合できるように位置決めを行なう。その後、被覆層１３１が溶融可能な温度に加熱して、導体ポスト１３と、導体パッド２２とを接合する。次に、接着剤４が熱硬化型の樹脂で構成されている場合は、加熱して硬化させる。これにより、導体ポスト１３と、導体パッド２２とが電気的に接続された回路基板１００を得ることができる。   Next, the first substrate 1 and the second substrate 2 are stacked and positioned. At this time, positioning is performed so that the conductor post 13 and the conductor pad 22 can be joined. Thereafter, the conductor post 13 and the conductor pad 22 are joined by heating to a temperature at which the coating layer 131 can be melted. Next, when the adhesive 4 is made of a thermosetting resin, it is cured by heating. Thereby, the circuit board 100 in which the conductor post 13 and the conductor pad 22 are electrically connected can be obtained.

以上のように本発明の回路基板の製造方法および回路基板について好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、第３基材、第４基材等を有する多層構造であっても良い。
また、プラズマ処理工程においても、第１プラズマ処理工程を第１基材および第２基材それぞれについて実施した後、第２プラズマ処理工程を実施しても良い。 As described above, the method for manufacturing a circuit board and the circuit board of the present invention have been described based on preferred embodiments, but the present invention is not limited to this. For example, a multilayer structure having a third base material, a fourth base material, or the like may be used.
In the plasma processing step, the second plasma processing step may be performed after the first plasma processing step is performed on each of the first base material and the second base material.

次に本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
１．第１基材
第１基材として、厚さ１２μｍの銅箔を有するポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）で構成されている２層片面回路基板（宇部興産社製、ＳＥ１３１０）を用いた。この第１基材に、ポリイミドフィルム側から開口部を形成し、該開口部に電解銅メッキを施して銅ポストを形成した後、半田メッキを施し導体２層ポストを形成した。 EXAMPLES Next, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.
Example 1
1. First base material As the first base material, a two-layer single-sided circuit board (SE1310, manufactured by Ube Industries, Ltd.) composed of a polyimide film (thickness 25 μm) having a copper foil having a thickness of 12 μm was used. An opening was formed in the first base material from the polyimide film side, electrolytic copper plating was performed on the opening to form a copper post, and then solder plating was performed to form a conductor two-layer post.

２．第１基材の第１プラズマ処理工程
上述の第１基材をプラズマ装置のチャンバー内に挿入し、下部電極の上にポリイミドフィルム面が上側となるように配置した。そして、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった後、酸素を２００ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、１分間保持しながらプラズマ処理を行なった。 2. First Plasma Processing Step of First Base Material The first base material described above was inserted into the chamber of the plasma device, and was placed on the lower electrode so that the polyimide film surface was on the upper side. Then, the chamber was evacuated to 5 Pa with a vacuum pump, oxygen was introduced at 200 sccm, pressure was applied between the electrodes to 2,500 W, and plasma treatment was performed while maintaining for 1 minute.

３．第１基材の第２プラズマ処理工程
第１プラズマ処理終了後に、酸素の供給を止めて、もう一度、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった。次に、アルゴンを６０ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、２分間保持しながらプラズマ処理を行なった。 3. Second Plasma Treatment Step for First Base Material After the first plasma treatment was completed, the supply of oxygen was stopped, and the inside of the chamber was evacuated again to 5 Pa with a vacuum pump. Next, 60 sccm of argon was introduced, pressure was applied between the electrodes to 2500 W, and plasma treatment was performed while maintaining for 2 minutes.

４．第２基材
第２基材として、厚さ１２μｍの銅箔を有するポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）で構成されている２層両面回路基板（三井化学社製、ＮＦＸ２ＡＢＥＰＦＥ（２５Ｔ））を用いた。この第２基材に、回路エッチングによりランド（導体パッド）を形成した。 4). 2nd base material As the 2nd base material, the 2 layer double-sided circuit board (the Mitsui Chemicals make, NFX2ABEPFE (25T)) comprised by the polyimide film (25 micrometers in thickness) which has a 12-micrometer-thick copper foil was used. A land (conductor pad) was formed on the second base material by circuit etching.

５．第２基材の第１プラズマ処理工程
上述の第２基材をプラズマ装置のチャンバー内に挿入し、下部電極の上にランドを形成した面が上側となるように配置した。そして、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった後、酸素を２００ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、１分間保持しながらプラズマ処理を行なった。 5. First Plasma Processing Step of Second Base Material The above-described second base material was inserted into the chamber of the plasma device, and was arranged so that the surface on which the land was formed on the lower electrode was on the upper side. Then, the chamber was evacuated to 5 Pa with a vacuum pump, oxygen was introduced at 200 sccm, pressure was applied between the electrodes to 2,500 W, and plasma treatment was performed while maintaining for 1 minute.

６．第２基材の第２プラズマ処理工程
第１プラズマ処理終了後に、酸素の供給を止めて、もう一度、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった。次に、アルゴンを６０ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、２分間保持しながらプラズマ処理を行なった。 6). Second Plasma Treatment Step for Second Substrate After the completion of the first plasma treatment, the supply of oxygen was stopped, and the inside of the chamber was again evacuated to 5 Pa with a vacuum pump. Next, 60 sccm of argon was introduced, pressure was applied between the electrodes to 2500 W, and plasma treatment was performed while maintaining for 2 minutes.

７．回路基板の製造
プラズマ処理を施した第１基材に熱硬化性の接着シート（住友ベークライト社製、層間シートＤＢＦ、厚さ２２μｍ）をラミネートした。次に、接着シートを有する第１基材と、プラズマ処理を施した第２基材とを、位置合わせ用のピンガイド付き冶具を用いて接着シートとランド側の面が接するように積層し、真空プレスで２６０℃、０．３ＭＰａで５分間プレスした。これにより、導体２層ポストとランドとが半田溶融接合される。次に、温度１８０℃、６０分間加熱し、接着シートを硬化させて最終的に回路基板を得た。 7). Production of Circuit Board A thermosetting adhesive sheet (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., interlayer sheet DBF, thickness 22 μm) was laminated on the first base material subjected to plasma treatment. Next, the first base material having the adhesive sheet and the second base material subjected to the plasma treatment are laminated using a jig with a pin guide for alignment so that the adhesive sheet and the land side surface are in contact with each other, Pressed at 260 ° C. and 0.3 MPa for 5 minutes by a vacuum press. As a result, the conductor two-layer post and the land are solder-bonded. Next, heating was performed at a temperature of 180 ° C. for 60 minutes to cure the adhesive sheet, and finally a circuit board was obtained.

（実施例２）
第１プラズマ処理において酸素の代わりに窒素を用いた以外は、実施例１と同様にした。 (Example 2)
Example 1 was performed except that nitrogen was used instead of oxygen in the first plasma treatment.

（比較例１）
プラズマ処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様にした。 (Comparative Example 1)
The procedure was the same as Example 1 except that the plasma treatment was not performed.

（比較例２）
第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程を共に、同じアルゴンで行なった以外は、実施例１と同様にした。 (Comparative Example 2)
Example 1 was the same as Example 1 except that both the first plasma treatment step and the second plasma treatment step were performed with the same argon.

各実施例および各比較例で得られた回路基板について、以下の評価を行なった。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．密着性
密着性は、第１基材と、第２基材との９０度引き剥がし強度（ＪＩＳ−Ｃ５０１２ ８．１）で評価した。 The circuit board obtained in each example and each comparative example was evaluated as follows. The evaluation items are shown together with the contents. The obtained results are shown in Table 1.
1. Adhesiveness Adhesiveness was evaluated by 90 degree peeling strength (JIS-C5012 8.1) between the first base material and the second base material.

２．半田耐熱性試験
半田耐熱性試験は、４０℃、９０％の高温高湿槽で９６時間処理した後、２６０℃、１分間の半田耐熱試験（ＪＩＳ Ｃ５０１６）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：外観に膨れ、剥がれ等の異常なし。
○：一部の外観に膨れ、剥がれ等の異常あるが、実用上問題なし。
△：一部の外観に膨れ、剥がれ等の異常あり、実用不可。
×：外観に膨れ、剥がれ等の異常あり。 2. Solder heat resistance test The solder heat resistance test was evaluated in a solder heat resistance test (JIS C5016) at 260 ° C for 1 minute after treatment in a high-temperature and high-humidity bath at 40 ° C and 90% for 96 hours. Each code is as follows.
A: There is no abnormality such as swelling and peeling on the appearance.
○: Some appearances are abnormal, such as swelling and peeling, but there is no practical problem.
Δ: Abnormalities such as swelling and peeling in some appearances, impractical.
X: Abnormalities such as swelling and peeling in appearance.

Figure 2006216754
Figure 2006216754

表１から明らかなように、実施例１および実施例２は、基材と接着剤との密着性に優れていた。
また、実施例１および２は、半田耐熱性にも優れていた。 As is clear from Table 1, Example 1 and Example 2 were excellent in adhesion between the substrate and the adhesive.
Examples 1 and 2 were also excellent in solder heat resistance.

本発明によれば、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板の製造方法および回路基板を得ることができる。本発明の回路基板の製造方法は、回路基板の中でもフレキシブル回路基板の製造に用いることが好ましく、特に多層フレキシブル回路基板の製造方法に用いることが好ましいものである。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method and circuit board of a circuit board excellent in the adhesiveness of an adhesive bond layer and a base material can be obtained. The circuit board manufacturing method of the present invention is preferably used for manufacturing a flexible circuit board among circuit boards, and particularly preferably used for a method for manufacturing a multilayer flexible circuit board.

第１基材の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a 1st base material. 第２基材の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a 2nd base material. プラズマ装置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of a plasma apparatus. 第１基材に接着剤が形成されている状態の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example in the state in which the adhesive agent is formed in the 1st base material. 回路基板の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of a circuit board.

符号の説明Explanation of symbols

１ 第１基材
１１ フィルム
１２ 導体回路
１３ 導体ポスト
１３１ 被覆層
２ 第２基材
２１ フィルム
２２ 導体パッド
２３ 導体回路
３ プラズマ装置
３１ チャンバー
３２ ガス供給部
３３ 真空ポンプ
３４ 上部電極
３５ 下部電極
４ 接着剤
１００ 回路基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st base material 11 Film 12 Conductor circuit 13 Conductor post 131 Coating layer 2 2nd base material 21 Film 22 Conductor pad 23 Conductor circuit 3 Plasma apparatus 31 Chamber 32 Gas supply part 33 Vacuum pump 34 Upper electrode 35 Lower electrode 4 Adhesive 100 circuit board

Claims (5)

第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、
前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする回路基板の製造方法。 A method of manufacturing a circuit board obtained by electrically joining a first base material and a second base material via an adhesive layer,
The surface of the first base material to be bonded to the adhesive layer is preliminarily plasma treated with one or more first gases selected from oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton, and helium. 1 plasma treatment process;
A method of manufacturing a circuit board, further comprising: a second plasma processing step of performing plasma processing on the bonding surface with a second gas different from the first gas used in the first plasma processing step. 前記第２基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有しているものである請求項１に記載の回路基板の製造方法。 The surface of the second base material to be bonded to the adhesive layer is preliminarily plasma treated with one or more first gases selected from oxygen, nitrogen, carbon tetrafluoride, argon, neon, krypton and helium. 1 plasma treatment process;
2. The method of manufacturing a circuit board according to claim 1, further comprising a second plasma processing step of performing plasma processing on the bonding surface with a second gas different from the first gas used in the first plasma processing step. . 前記第１プラズマ処理工程は、酸素を用いるものである請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein the first plasma treatment step uses oxygen. 前記第２プラズマ処理工程は、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第２気体を用いるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。   4. The method of manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein the second plasma treatment step uses one or more second gases selected from argon, neon, krypton, and helium. 5. 請求項１ないし４のいずれかに記載の回路基板の製造方法で得られることを特徴とする回路基板。   A circuit board obtained by the method for manufacturing a circuit board according to claim 1.
JP2005027521A 2005-02-03 2005-02-03 Circuit board and method of manufacturing the same Pending JP2006216754A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005027521A JP2006216754A (en) 2005-02-03 2005-02-03 Circuit board and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005027521A JP2006216754A (en) 2005-02-03 2005-02-03 Circuit board and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006216754A true JP2006216754A (en) 2006-08-17

Family

ID=36979712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005027521A Pending JP2006216754A (en) 2005-02-03 2005-02-03 Circuit board and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006216754A (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152138A (en) * 1992-11-11 1994-05-31 Hitachi Chem Co Ltd Multilayer wiring board
JP2000040881A (en) * 1998-07-23 2000-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Smear remover of multilayer board, and smear removal method
JP2000133933A (en) * 1998-10-27 2000-05-12 Ibiden Co Ltd Manufacture of printed wiring board
JP2001072781A (en) * 1998-11-05 2001-03-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Polyimide film and substrate for electric and electronic apparatus using same
JP2004172257A (en) * 2002-11-19 2004-06-17 Toppan Printing Co Ltd Method for manufacturing multilayer wiring board and the multilayer wiring board
JP2004228189A (en) * 2003-01-21 2004-08-12 Toppan Printing Co Ltd Method for manufacturing multi-layer circuit wiring board
JP2005005560A (en) * 2003-06-13 2005-01-06 Toppan Printing Co Ltd Multilayer wiring board

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152138A (en) * 1992-11-11 1994-05-31 Hitachi Chem Co Ltd Multilayer wiring board
JP2000040881A (en) * 1998-07-23 2000-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Smear remover of multilayer board, and smear removal method
JP2000133933A (en) * 1998-10-27 2000-05-12 Ibiden Co Ltd Manufacture of printed wiring board
JP2001072781A (en) * 1998-11-05 2001-03-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Polyimide film and substrate for electric and electronic apparatus using same
JP2004172257A (en) * 2002-11-19 2004-06-17 Toppan Printing Co Ltd Method for manufacturing multilayer wiring board and the multilayer wiring board
JP2004228189A (en) * 2003-01-21 2004-08-12 Toppan Printing Co Ltd Method for manufacturing multi-layer circuit wiring board
JP2005005560A (en) * 2003-06-13 2005-01-06 Toppan Printing Co Ltd Multilayer wiring board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9756735B2 (en) Method for manufacturing printed wiring board
JP4081052B2 (en) Manufacturing method of printed circuit board
US20070101571A1 (en) Printed wiring board, its manufacturing method and circuit device
JPWO2003056889A1 (en) Connection board, multilayer wiring board using the connection board, substrate for semiconductor package, semiconductor package, and manufacturing method thereof
US6831235B1 (en) Printed-circuit board, multilayer printed-circuit board and method of manufacture thereof
JP2002076621A (en) Multilayer circuit board and its manufacturing method
JP2006216754A (en) Circuit board and method of manufacturing the same
JP5176500B2 (en) Component built-in wiring board, method of manufacturing component built-in wiring board
JP2004356319A (en) Ultrasonic jointing copper material
JP4349882B2 (en) Wiring board and semiconductor device
JP2003243837A (en) Multilayer wiring board
JP2004241427A (en) Method of manufacturing wiring board
JP4691850B2 (en) WIRING BOARD FOR MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD, MULTILAYER WIRING BOARD, AND METHOD FOR PRODUCING THEM
JP2005324466A (en) Low thermal expansion laminated material and part using it
JP3996049B2 (en) WIRING BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MULTILAYER WIRING BOARD
JP5034885B2 (en) Electronic device and method of manufacturing the same
JP2004152869A (en) Wiring board
JP4492071B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP5846407B2 (en) Manufacturing method of package substrate for mounting semiconductor device
JP2003236679A (en) Method of manufacturing resistance layer laminated member and method of manufacturing component using resistance layer laminated member
JP2006049434A (en) Adhesive sheet and method for manufacturing the same, and printed circuit board using the same
JP4738430B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP2011202222A (en) Laminate and method for producing the laminate
JP2004172257A (en) Method for manufacturing multilayer wiring board and the multilayer wiring board
JP2003031949A (en) Multilayer board, manufacturing method and bonding structure thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100520

A521 Written amendment

Effective date: 20100714

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100810

A02 Decision of refusal

Effective date: 20101221

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02