JP2006127776A - 回路接続材料並びに回路端子の接続構造体及び接続方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 相対向する回路電極1a,2a間に介在され、相対向する回路電極1a,2aを加熱加圧し、加圧方向の電極1a,2a間のみを電気的に接続する回路接続材料4であって、下記(1)〜(4)の成分を含有する回路接続材料4。
(1)ラジカル重合性物質
(2)加熱により遊離ラジカルを発生する重合開始剤
(3)エポキシ樹脂
(4)カチオン重合性開始剤
【選択図】 図5
Description
中でも一液型エポキシ樹脂系接着剤は、主剤と硬化剤との混合が不必要であり使用が簡便なことから、フィルム状、ペースト状、粉体状の形態で使用されている。
しかしながら、エポキシ樹脂系接着剤を用いて、半導体チップをガラス基板に接続するとき、ガラス基板が反るという問題があった。
本発明によれば、以下の回路接続材料等が提供される。
1.相対向する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加熱加圧し、加圧方向の電極間のみを電気的に接続する回路接続材料であって、下記(1)〜(4)の成分を含有する回路接続材料。
(1)ラジカル重合性物質
(2)加熱により遊離ラジカルを発生する重合開始剤
(3)エポキシ樹脂
(4)カチオン重合性開始剤
2.0℃から300℃の範囲のDSC測定において、発熱曲線の頂点の温度が200℃以上となるピークを除いた残りのピークの発熱量が、全体の発熱量の60%以上である1記載の回路接続材料。
3.0℃から300℃の範囲のDSC測定において、発熱曲線の頂点の温度が200℃以上となるピークを除いた残りのピークの発熱開始温度が60℃以上、かつそのピークの発熱終了温度が180℃以下である1又は2記載の回路接続材料。
4.前記ラジカル重合性物質(1)が(メタ)アクリレート化合物であり、この(メタ)アクリレート化合物の(メタ)アクリレート当量が、前記エポキシ樹脂(3)のエポキシ当量よりも大きい1〜3のいずれか記載の回路接続材料。
5.前記(メタ)アクリレート化合物が、骨格にエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイドを6以上含有し、かつ(メタ)アクリロイル基を2個以上有する4記載の回路接続材料。
6.第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とが、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置されており、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に1〜5のいずれか記載の回路接続材料が介在されており、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子のみが電気的に接続されている回路端子の接続構造体。
7.第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に1〜5のいずれか記載の回路接続材料を介在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子のみを電気的に接続させる回路端子の接続方法。
本発明の回路接続材料は、例えば160℃10秒の低温接続において、従来のカチオン/エポキシ硬化系よりも反り量が少ない。
これらは単独又は併用して用いることができ、必要によっては、ハイドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類等の重合禁止剤を適宜用いてもよい。
また、ジシクロペンテニル基及び/又はトリシクロデカニル基及び/又はトリアジン環を有する場合は、耐熱性が向上するので好ましい。
接続時間を10秒以下とした場合、硬化剤の配合量は十分な反応率を得るためにラジカル重合性物質100重量部に対し0.5〜40重量部程度とするのが好ましく、1.0〜40重量部がより好ましい。
具体的には、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイドから選定され、高反応性が得られるパーオキシエステルから選定されることがより好ましい。
ハイドロパーオキサイドとしては、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等が使用できる。
これらの遊離ラジカルを発生する硬化剤は単独又は混合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよい。
これらポリマーの分子量は10000以上が好ましいが1000000以上になると混合性が悪くなる傾向にある。
フェノキシ樹脂は、二官能フェノール類とエピハロヒドリンを高分子量まで反応させるか、又は二官能エポキシ樹脂と二官能フェノール類を重付加反応させることにより得られる。
カップリング剤としては、ビニル基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基、及びイソシアネート基含有物が、接着性の向上の点から好ましい。
導電性粒子としては、Au、Ag、Ni、Cu、はんだ等の金属粒子やカーボン等があり、十分なポットライフを得るためには、表層はNi、Cu等の遷移金属類ではなくAu、Ag、白金族の貴金属類が好ましくAuがより好ましい。
また、Ni等の遷移金属類の表面をAu等の貴金属類で被覆したものでもよい。また、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等に前記した導通層を被覆等により形成し、最外層を貴金属類プラスチックを核とした場合や、熱溶融金属粒子の場合、加熱加圧により変形性を有するので接続時に電極との接触面積が増加し信頼性が向上するので好ましい。
DSCは、測定温度範囲内で、発熱、吸熱の無い標準試料との温度差をたえず打ち消すように熱量を供給又は除去するゼロ位法を測定原理とするものであり、測定装置が市販されておりそれを用いて測定できる。
図1〜4に示すように、発熱曲線は、縦軸に単位時間当たりに供給された熱量(熱流束)dq/dtをとり、横軸に温度をとって求める。図1〜4は、0℃〜300℃の範囲において、200℃以下にピークA、200℃以上にピークBがある場合を示している。
接着剤の反応は発熱反応であり、一定の昇温速度で試料を昇温していくと、試料が反応し熱量が発生する。その熱量をチャートに出力し、ベースラインを基準として発熱曲線とベースラインで囲まれた面積を求め、これを発熱量とする。0℃から300℃まで10℃/分の昇温速度で測定し、上記した発熱量を求める。これは、市販の装置を用いて全自動で測定できる。
DSCの頂点が200℃以上となるピークを除いた残りのピーク(残ピークPrと呼ぶ)の発熱量のDSCピーク全体に対する比率は、これらの面積比から求めることができる。残ピークPrは、図1〜4において、斜線で示している。残ピークPrの発熱量(面積)比率(%)={A/(A+B)}×100となる。
残ピークPrの発熱開始温度、発熱終了温度については、図1〜4に示すように、前述したベースラインと残ピークPrの発熱曲線が交わる温度をTa(発熱開始温度)、Te(発熱終了温度)とする。
図4に示す算出例4のように発熱曲線がベースラインと交わらず、いわゆる肩をつくる場合がある。この場合は、200℃以上に頂点を有するピークとそれと隣り合う低温側のピークとの間の発熱曲線において最小の熱流束を有する部分の温度をTe(発熱終了温度)とする。また算出例4における発熱量(面積)は、Teから発熱曲線に伸ばした直線と残ピークPrの発熱曲線とベースラインによって囲まれる部分の面積によって求めることができる。
また、残ピークPrの発熱開始温度が60℃以上、かつ残ピークPrの発熱終了温度が180℃以下であることが好ましい。発熱開始温度が60℃より低いと、ポットライフ性に劣り好ましくない。また、発熱終了温度が180℃を超えると回路接続に必要な硬化反応を終了させるために高温が必要となるため、接続回路へのダメージ等の面から好ましくない。
このような回路部材としては半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品、プリント基板等の基板等が用いられる。回路部材には接続端子が通常は多数(場合によっては単数でもよい)設けられている。
図5(a)において、1は第一の基板(第一の回路部材)を、2は第二の基板(第二の回路部材)を、1aは第一の回路電極(第一の接続端子)を、2aは第二の回路電極(第二の接続端子)を、3は接着剤を、4は導電性粒子を、5は加熱加圧ヘッドを、それぞれ示している。接着剤3と導電性粒子4から本発明の回路接続材料が構成される。
回路電極1aは基板1の表面に銅箔で設けたもので、金の表面層が形成されている。回路電極2aは基板2の表面に銅箔で設けたもので、錫の表面層が形成されている。
回路電極を設けた基板は接続時の加熱による揮発成分による接続への影響をなくすために、回路接続材料による接続工程の前に予め加熱処理することが好ましい。
図5(b)に示すように、仮接続の後に、基板1の回路電極1aと基板2の回路電極2aを位置合わせし、基板2上方より加熱加圧ヘッド5にて所定時間の加熱加圧を行い本接続を完了する。
ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂(Mw:65,000)60gを酢酸エチル140gに溶解し、30重量%溶液を得た。重量比で、ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂60g、ジ−t−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート2.5g、ポリエチレングリコールジアクリレート(平均EO数:23)10g、芳香族スルホニウム塩(三新化学工業製、SI−60LA)2.5g、アクリルゴム微粒子分散型エポキシ樹脂(BPA328)30g、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン製、SH−6040)2.0gを配合し、ポリスチレン系核体(直径:4μm)の表面にAu層を形成した導電粒子を10体積%分散してフィルム塗工溶液を得た。ついでこの溶液を50μmの片面を表面処理したPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに塗工装置を用いて塗布し、70℃10分の熱風乾燥により、接着剤層の厚みが25μmのフィルム状接着剤を得た。
このフィルム状接着剤(2×20mm)をITO回路付きガラス基板に80℃、1MPaで貼り付けた後、セパレータを剥離し、チップのバンプとITO回路つきガラス基板の位置合わせを行なった。ついで、160℃、40g/バンプ、10秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本圧着を行なった。このフィルム状接着剤を用いた、圧着による反りは3.0〜6.0μmであった。また、接続抵抗は、1バンプ当たり最高で150mΩ、平均で70mΩ、この圧着体は恒温恒湿処理60℃、90%RH、300時間処理後に最高で20Ω以下、平均で5Ω以下であった。
ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂(Mw:65,000)60gを酢酸エチル140gに溶解し、30重量%溶液を得た。重量比で、フェノキシ樹脂60g、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン3.5g、エトキシ化グリセリントリアクリレート(平均EO数:20)10g、芳香族スルホニウム塩(三新化学工業製、SI−60LA)2.5g、アクリルゴム微粒子分散型エポキシ樹脂(BPA328)30g、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン製、SH−6040)2.0gを配合し、ポリスチレン系核体(直径:4μm)の表面にAu層を形成した導電粒子を10体積%分散してフィルム塗工溶液を得た。以下実施例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
このフィルム状接着剤(2×20mm)をITO回路付きガラス基板に80℃、1MPaで貼り付けた後、セパレータを剥離し、チップのバンプとITO回路つきガラス基板の位置合わせを行なった。ついで、160℃、40g/バンプ、10秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本圧着を行なった。このフィルム状接着剤を用いた、圧着による反りは3.5〜6.5μmであった。また、接続抵抗は、1バンプ当たり最高で110mΩ、平均で60mΩ、この圧着体は恒温恒湿処理60℃、90%RH、300時間処理後に最高で20Ω以下、平均で5Ω以下であった。
ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂(Mw:65,000)60gを酢酸エチル140gに溶解し、30重量%溶液を得た。重量比で、ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂60g、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン3.5g、ポリエチレングリコールジアクリレート(平均EO数:4)10g、芳香族スルホニウム塩(三新化学工業製、SI−60LA)2.5g、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量:180−190)30g、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン製、SH−6040)2.0gを配合し、ポリスチレン系核体(直径:4μm)の表面にAu層を形成した導電粒子を10体積%分散してフィルム塗工溶液を得た。以下実施例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
このフィルム状接着剤(2×20mm)をITO回路付きガラス基板に80℃、1MPaで貼り付けた後、セパレータを剥離し、チップのバンプとITO回路つきガラス基板の位置合わせを行なった。ついで、160℃、40g/バンプ、10秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本圧着を行なった。このフィルム状接着剤を用いた、圧着による反りは4.5〜6.5μmであった。また、接続抵抗は、1バンプ当たり最高で110mΩ、平均で60mΩ、この圧着体は恒温恒湿処理60℃、90%RH、300時間処理後に最高で20Ω以下、平均で5Ω以下であった。
ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂(Mw:65,000)90gを酢酸エチル210gに溶解し、30重量%溶液を得た。重量比で、ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂(Mw:65,000)67g、芳香族スルホニウム塩(三新化学工業製、SI−60LA)2.5g、アクリルゴム微粒子分散型エポキシ樹脂(BPA328)33g、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン製、SH−6040)2.0gを配合し、ポリスチレン系核体(直径:4μm)の表面にAu層を形成した導電粒子を10体積%分散してフィルム塗工溶液を得た。以下実施例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
このフィルム状接着剤(2×20mm)をITO回路付きガラス基板に80℃、1MPaで貼り付けた後、セパレータを剥離し、チップのバンプとITO回路つきガラス基板の位置合わせを行なった。ついで、160℃、40g/バンプ、10秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本圧着を行なった。このフィルム状接着剤を用いた、圧着による反りは7.5〜10.5μmであった。この圧着体は恒温恒湿処理60℃、90%RH、300時間処理後に最高で15Ω以下、平均で4Ω以下であった。
ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(Mw:45,000)40gを酢酸エチル93.3gに溶解し、30重量%溶液を得た。重量比で、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂60g、芳香族スルホニウム塩(三新化学工業製、SI−60LA)2.0g、アクリルゴム微粒子分散型エポキシ樹脂(BPA328)40g、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン製、SH−6040)2.0gを配合し、ポリスチレン系核体(直径:4μm)の表面にAu層を形成した導電粒子を10体積%分散してフィルム塗工溶液を得た。以下実施例1と同様にしてフィルム状接着剤を得た。
このフィルム状接着剤(2×20mm)をITO回路付きガラス基板に80℃、1MPaで貼り付けた後、セパレータを剥離し、チップのバンプとITO回路つきガラス基板の位置合わせを行なった。ついで、160℃、40g/バンプ、10秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本圧着を行なった。このフィルム状接着剤を用いた、圧着による反りは3.0〜6.0μmであった。また、接続抵抗は、1バンプ当たり最高で110mΩ、平均で60mΩ、この圧着体は恒温恒湿処理60℃、90%RH、300時間処理後に導通不良が発生した。
1a 第一の回路電極
2 第二の基板
2a 第二の回路電極
3 接着剤
4 導電性粒子
5 加熱加圧ヘッド
Claims (7)
- 相対向する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加熱加圧し、加圧方向の電極間のみを電気的に接続する回路接続材料であって、下記(1)〜(4)の成分を含有する回路接続材料。
(1)ラジカル重合性物質
(2)加熱により遊離ラジカルを発生する重合開始剤
(3)エポキシ樹脂
(4)カチオン重合性開始剤 - 0℃から300℃の範囲のDSC測定において、発熱曲線の頂点の温度が200℃以上となるピークを除いた残りのピークの発熱量が、全体の発熱量の60%以上である請求項1記載の回路接続材料。
- 0℃から300℃の範囲のDSC測定において、発熱曲線の頂点の温度が200℃以上となるピークを除いた残りのピークの発熱開始温度が60℃以上、かつそのピークの発熱終了温度が180℃以下である請求項1又は2記載の回路接続材料。
- 前記ラジカル重合性物質(1)が(メタ)アクリレート化合物であり、この(メタ)アクリレート化合物の(メタ)アクリレート当量が、前記エポキシ樹脂(3)のエポキシ当量よりも大きい請求項1〜3のいずれか一項記載の回路接続材料。
- 前記(メタ)アクリレート化合物が、骨格にエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイドを6以上含有し、かつ(メタ)アクリロイル基を2個以上有する請求項4記載の回路接続材料。
- 第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とが、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置されており、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に請求項1〜5のいずれか一項記載の回路接続材料が介在されており、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子のみが電気的に接続されている回路端子の接続構造体。
- 第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に請求項1〜5のいずれか一項記載の回路接続材料を介在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子のみを電気的に接続させる回路端子の接続方法。
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