JP2005322925A - メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005322925A JP2005322925A JP2005134840A JP2005134840A JP2005322925A JP 2005322925 A JP2005322925 A JP 2005322925A JP 2005134840 A JP2005134840 A JP 2005134840A JP 2005134840 A JP2005134840 A JP 2005134840A JP 2005322925 A JP2005322925 A JP 2005322925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor
- metal
- metal oxide
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 117
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 30
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- -1 RuO 2 Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
- H01L28/91—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/65—Electrodes comprising a noble metal or a noble metal oxide, e.g. platinum (Pt), ruthenium (Ru), ruthenium dioxide (RuO2), iridium (Ir), iridium dioxide (IrO2)
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】 トランジスタ構造体の不純物領域22b上に形成され、金属電極36及び金属酸化物電極35を含む下部電極40と、下部電極40を取り囲んで形成された強誘電体層37と、強誘電体層37上に形成された上部電極38と、を含むトランジスタ構造体を含むメモリ素子のキャパシタである。
【選択図】図2A
Description
誘電体物質が同一な場合には、DRAM(Dynamic Random Access Memory)のようにキャパシタ面積を増加させて、キャパシタの容量を向上させなければならない。このことを、数式1を参照して説明すれば、次の通りである。
誘電膜の厚さを減少させ、有効面積を増加させれば、誘電率は増加するし、半導体素子の集積率が高くなるが、平面キャパシタの構造上、キャパシタの面積を増加させつつ集積化させることには、限界がある。特に、一つのトランジスタと一つのキャパシタとから形成されるメモリ構造では、キャパシタを製造するための平面空間が減り、平面空間が減少すれば、キャパシタの平面も減少し、結局、キャパシタの容量(C:capacitance)も小さくなる。そのため、キャパシタの容量を増加させ、かつ集積度を向上させるために、3次元構造のキャパシタに関する研究が進められている。
図1Aは、トレンチ型の強誘電体キャパシタを示したものである。トレンチ型の強誘電体キャパシタは、第3絶縁層(SiO2)3を第2絶縁層2上に蒸着し、それをエッチングして、凹形の開口5を形成する。凹形の開口5にRuまたはRu酸化膜6を蒸着した後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)で第3絶縁層3の上部の表面を露出させる。したがって、凹形の開口5の内部のみに、RuまたはRu酸化膜6が存在する。次いで、強誘電体薄膜7及び上部電極8を順次に蒸着して、3次元の強誘電体キャパシタを完成する。ここで、符号1は、第1絶縁層、符号4はRuプラグであり、9はポリシリコンプラグである。
スタック型のキャパシタの構造は、図1Aのようなトレンチ型のキャパシタの構造に比べ、下部金属電極の厚さによる強誘電体膜はステップカバレッジの影響を受けず、キャパシタの形成が容易であるという長所がある。しかし、図1Bのように、下部電極を形成した後にエッチングして製造したスタック型の構造では、実際の製造工程において、色々な問題点がある。これを詳細に説明すれば、次の通りである。
第1に、下部電極を、金属電極及び金属酸化物電極のハイブリッド形態の電極に形成して、メモリ素子の疲労特性を向上させたメモリ素子の3次元の強誘電体キャパシタを提供できる。
次に、図3Cに示すように、ALDなどの工程で、Pt、Ir、Ru、PdまたはRhなどのような金属、Pt、Ir、Ru、PdまたはRhなどのうち少なくとも2以上の金属からなる合金で金属電極36を蒸着する。そして、その上部に、RuO2、IrO2、SrRuOまたはCaRuOなどの金属酸化物で金属酸化物電極35を形成して、金属電極36と金属酸化物電極35を含むハイブリッド形態の下部電極40を形成する。
次に、図3Fに示すように、垂直形態(積層)の強誘電体層37及び上部電極38を除いた領域の強誘電物質及び金属物質を、パターニング及びエッチングにより除去すれば、本発明の第1実施形態によるメモリ素子のキャパシタを完成する。
図4Aに示すように、トランジスタ構造の第2不純物領域22bと電気的に連結された金属プラグ26が形成された下部構造体上に、酸化防止膜31を形成し、その上部に絶縁層32を塗布する。下部構造体は、従来技術によるトランジスタ構造体を利用して形成できるので、ここで、詳細な説明は省略する。
次に、図4Cに示すように、ALDなどの工程で、Pt、Ir、Ru、PdまたはRhなどのような金属、Pt、Ir、Ru、PdまたはRhのうち少なくとも2以上の金属からなる合金で金属電極36を蒸着する。そして、その上部に、RuO2、IrO2、SrRuOまたはCaRuOなどの金属酸化物で金属酸化物電極35を形成して、金属電極36と金属酸化物電極35を含むハイブリッド形態の下部電極40を形成する。これにより、トレンチまたはホール32´部位は、金属電極36と金属酸化物電極35により完全に埋め込まれる。
次に、図4Fに示すように、垂直形態(積層)の強誘電体層37及び上部電極38を除いた接触層33上の領域の強誘電物質及び金属物質を、パターニング及びエッチングにより除去すれば、本発明の第2実施形態によるメモリ素子のキャパシタを完成する。
22a 第1不純物領域
22b 第2不純物領域
23 ゲート絶縁層
24 ゲート電極層
25 ビットライン
26 金属プラグ
27 層間絶縁膜
28 ゲート構造体
31 酸化防止膜
35 金属酸化物電極
36 金属電極
37 強誘電体層
38 上部電極
40 下部電極
Claims (20)
- トランジスタ構造体を含むメモリ素子のキャパシタにおいて、
前記トランジスタ構造体の不純物領域上に形成され、金属電極及び金属酸化物電極を含む下部電極と、
前記下部電極の表面に形成された強誘電体層と、
前記強誘電体層上に形成された上部電極と、を含むことを特徴とするメモリ素子のキャパシタ。 - 前記下部電極は、
前記酸化防止膜に垂直方向に形成された金属電極と、
前記金属電極の内部に形成された金属酸化物電極と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子のキャパシタ。 - 前記金属電極は、Pt、Ir、Ru、PdまたはRhのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項2に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記金属酸化物電極は、RuO2、IrO2、SrRuOまたはCaRuOのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項2に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記下部電極は、シリンダー型で形成されたことを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記トランジスタ構造体と下部電極との間には、前記トランジスタ構造体の不純物領域と電気的に連結された酸化防止膜を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記酸化防止膜は、TiN及び/又はTiAlNを含んで形成されたことを特徴とする請求項6に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- トランジスタ構造体を含むメモリ素子のキャパシタにおいて、
前記トランジスタ構造体の不純物領域上に形成され、金属電極及び金属酸化物電極を含む下部電極と、
前記下部電極の下部を取り囲み、前記トランジスタ構造体上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された前記下部電極を固定する接合層と、
前記下部電極の露出された部分の表面に形成された強誘電体層と、
前記強誘電体層上に形成された上部電極と、
を含むことを特徴とするメモリ素子のキャパシタ。 - 前記下部電極は、
前記酸化防止膜に垂直方向に形成された金属電極と、
前記金属電極の内部に形成された金属酸化物電極と、
を含むことを特徴とする請求項8に記載のメモリ素子のキャパシタ。 - 前記金属電極は、Pt、Ir、Ru、PdまたはRhのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記金属酸化物電極は、RuO2、IrO2、SrRuOまたはCaRuOのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記下部電極は、シリンダー型で形成されたことを特徴とする請求項8に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記トランジスタ構造体と下部電極との間には、前記トランジスタ構造体の不純物領域と電気的に連結された酸化防止膜を含むことを特徴とする請求項8に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記酸化防止膜は、TiN及び/又はTiAlNを含んで形成されたことを特徴とする請求項13に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- 前記接合層は、Ti、TiN、TiO2またはTiAlNのうち少なくとも1つを含んで形成されたことを特徴とする請求項8に記載のメモリ素子のキャパシタ。
- トランジスタ構造体を含むメモリ素子のキャパシタの製造方法において、
(a)トランジスタ構造体の不純物領域と電気的に連結された部位に酸化防止膜を形成し、この酸化防止膜上に絶縁層を形成し、前記絶縁層をエッチングして、前記酸化防止膜を露出させトレンチを形成するステップと、
(b)前記トレンチ内に金属物質及び金属酸化物を塗布して、下部電極を形成し、前記トレンチの外部の金属物質、金属酸化物及び絶縁層を除去するステップと、
(c)前記下部電極上に強誘電体層及び上部電極を順次に形成させるステップと、を含むことを特徴とするメモリ素子のキャパシタの製造方法。 - 前記(b)ステップは、
前記トレンチ内に金属物質を塗布して金属電極を形成するステップと、
前記トレンチ内の金属電極上に金属酸化物を塗布して、前記トレンチを充填させ金属酸化物電極を形成するステップと、
前記絶縁層の上部の金属物質及び金属酸化物をCMP工程により除去するステップと、
前記絶縁層をエッチングにより除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項16に記載のメモリ素子のキャパシタの製造方法。 - トランジスタ構造体を含むメモリ素子のキャパシタの製造方法において、
(a)トランジスタ構造体の不純物領域と電気的に連結された部位に酸化防止膜、絶縁層、接合層及び第2絶縁層を順次に形成し、前記第2絶縁層、接合層及び絶縁層をエッチングして、前記酸化防止膜を露出させるトレンチを形成するステップと、
(b)前記トレンチ内に金属物質及び金属酸化物を塗布して、下部電極を形成し、前記トレンチの外部の金属物質、金属酸化物及び第2絶縁層を除去するステップと、
(c)前記接合層上に露出された下部電極上に、強誘電体層及び上部電極を順次に形成させるステップと、を含むことを特徴とするメモリ素子のキャパシタの製造方法。 - 前記(b)ステップは、
前記トレンチ内に金属物質を塗布して金属電極を形成するステップと、
前記トレンチ内の金属電極上に金属酸化物を塗布し、前記トレンチを充填して金属酸化物電極を形成するステップと、
前記第2絶縁層の上部の金属物質及び金属酸化物をCMP工程により除去するステップと、
前記第2絶縁層をエッチングにより除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項18に記載のメモリ素子のキャパシタの製造方法。 - 前記(c)ステップは、
前記接合層上に露出された下部電極の表面に強誘電物質を塗布して、強誘電体層を形成するステップと、
前記強誘電体層の表面に上部電極物質を塗布して、上部電極を形成するステップと、
前記接合層上の前記接合層と平行な方向に塗布された強誘電物質及び上部電極物質を除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項18に記載のメモリ素子のキャパシタの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040030928A KR100601953B1 (ko) | 2004-05-03 | 2004-05-03 | 메모리 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005322925A true JP2005322925A (ja) | 2005-11-17 |
Family
ID=35353140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005134840A Withdrawn JP2005322925A (ja) | 2004-05-03 | 2005-05-06 | メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7250649B2 (ja) |
JP (1) | JP2005322925A (ja) |
KR (1) | KR100601953B1 (ja) |
CN (1) | CN100463181C (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022525725A (ja) * | 2019-02-27 | 2022-05-19 | ケプラー コンピューティング インコーポレイテッド | 一方向のプレートライン及びビットライン並びにピラーキャパシタを有する高密度低電圧nvm |
US11659714B1 (en) | 2021-05-07 | 2023-05-23 | Kepler Computing Inc. | Ferroelectric device film stacks with texturing layer, and method of forming such |
US11765908B1 (en) | 2023-02-10 | 2023-09-19 | Kepler Computing Inc. | Memory device fabrication through wafer bonding |
US11810608B1 (en) | 2021-06-04 | 2023-11-07 | Kepler Computing Inc. | Manganese or scandium doped multi-element non-linear polar material gain memory bit-cell |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100742281B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20110012348A (ko) * | 2009-07-30 | 2011-02-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10515949B2 (en) | 2013-10-17 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit and manufacturing method thereof |
US20200212055A1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Intel Corporation | Integration scheme for ferroelectric memory with a deep trench structure |
US10998025B2 (en) | 2019-02-27 | 2021-05-04 | Kepler Computing, Inc. | High-density low voltage non-volatile differential memory bit-cell with shared plate-line |
US11621269B2 (en) * | 2019-03-11 | 2023-04-04 | Globalfoundries U.S. Inc. | Multi-level ferroelectric memory cell |
US11482528B2 (en) | 2019-12-27 | 2022-10-25 | Kepler Computing Inc. | Pillar capacitor and method of fabricating such |
US11430861B2 (en) | 2019-12-27 | 2022-08-30 | Kepler Computing Inc. | Ferroelectric capacitor and method of patterning such |
US11289497B2 (en) | 2019-12-27 | 2022-03-29 | Kepler Computing Inc. | Integration method of ferroelectric memory array |
US11450676B2 (en) | 2020-02-27 | 2022-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Ferroelectric random access memory device with a three-dimensional ferroelectric capacitor |
DE102020113099A1 (de) | 2020-02-27 | 2021-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ferroelektrische direktzugriffsspeichervorrichtung mit einem dreidimensionalen ferroelektrischen kondensator |
US11785782B1 (en) | 2021-06-11 | 2023-10-10 | Kepler Computing Inc. | Embedded memory with encapsulation layer adjacent to a memory stack |
US11832451B1 (en) | 2021-08-06 | 2023-11-28 | Kepler Computing Inc. | High density ferroelectric random access memory (FeRAM) devices and methods of fabrication |
US11942133B2 (en) | 2021-09-02 | 2024-03-26 | Kepler Computing Inc. | Pedestal-based pocket integration process for embedded memory |
US20230067612A1 (en) | 2021-09-02 | 2023-03-02 | Kepler Computing, Inc. | Pocket integration process for embedded memory |
US11869928B2 (en) | 2021-12-14 | 2024-01-09 | Kepler Computing Inc. | Dual hydrogen barrier layer for memory devices |
US11961877B1 (en) | 2021-12-14 | 2024-04-16 | Kepler Computing Inc. | Dual hydrogen barrier layer for trench capacitors integrated with low density film for logic structures |
US12041785B1 (en) | 2022-03-07 | 2024-07-16 | Kepler Computing Inc. | 1TnC memory bit-cell having stacked and folded non-planar capacitors |
US11741428B1 (en) | 2022-12-23 | 2023-08-29 | Kepler Computing Inc. | Iterative monetization of process development of non-linear polar material and devices |
CN118159126A (zh) * | 2024-05-10 | 2024-06-07 | 温州核芯智存科技有限公司 | 一种双面铁电电容器及其制备方法 |
Family Cites Families (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3710374A (en) * | 1970-03-16 | 1973-01-09 | Wester Instr Inc | Dual-slope and analog-to-digital converter wherein two analog input signals are selectively integrated with respect to time |
US3653387A (en) * | 1970-05-08 | 1972-04-04 | Cardiac Electronics Inc | Protector circuit for cardiac apparatus |
USRE30387E (en) * | 1972-03-17 | 1980-08-26 | Medtronic, Inc. | Automatic cardioverting circuit |
US4030509A (en) * | 1975-09-30 | 1977-06-21 | Mieczyslaw Mirowski | Implantable electrodes for accomplishing ventricular defibrillation and pacing and method of electrode implantation and utilization |
US4184493A (en) * | 1975-09-30 | 1980-01-22 | Mieczyslaw Mirowski | Circuit for monitoring a heart and for effecting cardioversion of a needy heart |
US4164946A (en) * | 1977-05-27 | 1979-08-21 | Mieczyslaw Mirowski | Fault detection circuit for permanently implanted cardioverter |
US4157720A (en) * | 1977-09-16 | 1979-06-12 | Greatbatch W | Cardiac pacemaker |
US4248237A (en) * | 1978-03-07 | 1981-02-03 | Needle Industries Limited | Cardiac pacemakers |
US4210149A (en) * | 1978-04-17 | 1980-07-01 | Mieczyslaw Mirowski | Implantable cardioverter with patient communication |
US4191942A (en) * | 1978-06-08 | 1980-03-04 | National Semiconductor Corporation | Single slope A/D converter with sample and hold |
US4314095A (en) * | 1979-04-30 | 1982-02-02 | Mieczyslaw Mirowski | Device and method for making electrical contact |
US4254775A (en) * | 1979-07-02 | 1981-03-10 | Mieczyslaw Mirowski | Implantable defibrillator and package therefor |
US4375817A (en) * | 1979-07-19 | 1983-03-08 | Medtronic, Inc. | Implantable cardioverter |
US4750494A (en) * | 1981-05-12 | 1988-06-14 | Medtronic, Inc. | Automatic implantable fibrillation preventer |
US4765341A (en) * | 1981-06-22 | 1988-08-23 | Mieczyslaw Mirowski | Cardiac electrode with attachment fin |
US4424818A (en) * | 1982-02-18 | 1984-01-10 | Medtronic, Inc. | Electrical lead and insertion tool |
US4450527A (en) * | 1982-06-29 | 1984-05-22 | Bomed Medical Mfg. Ltd. | Noninvasive continuous cardiac output monitor |
DE3300672A1 (de) * | 1983-01-11 | 1984-07-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Herzschrittmachersystem |
US4595009A (en) * | 1984-02-06 | 1986-06-17 | Medtronic, Inc. | Protection circuit for implantable cardioverter |
US4603705A (en) * | 1984-05-04 | 1986-08-05 | Mieczyslaw Mirowski | Intravascular multiple electrode unitary catheter |
US4567900A (en) * | 1984-06-04 | 1986-02-04 | Moore J Paul | Internal deployable defibrillator electrode |
US4727877A (en) * | 1984-12-18 | 1988-03-01 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus for low energy endocardial defibrillation |
US4800883A (en) * | 1986-04-02 | 1989-01-31 | Intermedics, Inc. | Apparatus for generating multiphasic defibrillation pulse waveform |
US4944300A (en) * | 1987-04-28 | 1990-07-31 | Sanjeev Saksena | Method for high energy defibrillation of ventricular fibrillation in humans without a thoracotomy |
US4830005A (en) * | 1987-07-23 | 1989-05-16 | Siemens-Pacesetter, Inc. | Disposable in-package load test element for pacemakers |
US5509923A (en) * | 1989-08-16 | 1996-04-23 | Raychem Corporation | Device for dissecting, grasping, or cutting an object |
US5215081A (en) * | 1989-12-28 | 1993-06-01 | Telectronics Pacing Systems, Inc. | Method and device for measuring subthreshold defibrillation electrode resistance and providing a constant energy shock delivery |
US5133353A (en) * | 1990-04-25 | 1992-07-28 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Implantable intravenous cardiac stimulation system with pulse generator housing serving as optional additional electrode |
US5713926A (en) * | 1990-04-25 | 1998-02-03 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Implantable intravenous cardiac stimulation system with pulse generator housing serving as optional additional electrode |
US5230337A (en) * | 1990-06-06 | 1993-07-27 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Process for implanting subcutaneous defibrillation electrodes |
US5203348A (en) * | 1990-06-06 | 1993-04-20 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Subcutaneous defibrillation electrodes |
US5105810A (en) * | 1990-07-24 | 1992-04-21 | Telectronics Pacing Systems, Inc. | Implantable automatic and haemodynamically responsive cardioverting/defibrillating pacemaker with means for minimizing bradycardia support pacing voltages |
US5109842A (en) * | 1990-09-24 | 1992-05-05 | Siemens Pacesetter, Inc. | Implantable tachyarrhythmia control system having a patch electrode with an integrated cardiac activity system |
US5105826A (en) * | 1990-10-26 | 1992-04-21 | Medtronic, Inc. | Implantable defibrillation electrode and method of manufacture |
US5531765A (en) * | 1990-12-18 | 1996-07-02 | Ventritex, Inc. | Method and apparatus for producing configurable biphasic defibrillation waveforms |
US5129392A (en) * | 1990-12-20 | 1992-07-14 | Medtronic, Inc. | Apparatus for automatically inducing fibrillation |
US5405363A (en) * | 1991-03-15 | 1995-04-11 | Angelon Corporation | Implantable cardioverter defibrillator having a smaller displacement volume |
JP2655204B2 (ja) * | 1991-04-05 | 1997-09-17 | メドトロニック インコーポレーテッド | 植え込み型の医療用装置 |
US5300106A (en) * | 1991-06-07 | 1994-04-05 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Insertion and tunneling tool for a subcutaneous wire patch electrode |
US5191901A (en) * | 1991-08-29 | 1993-03-09 | Mieczyslaw Mirowski | Controlled discharge defibrillation electrode |
US5423326A (en) * | 1991-09-12 | 1995-06-13 | Drexel University | Apparatus and method for measuring cardiac output |
US5184616A (en) * | 1991-10-21 | 1993-02-09 | Telectronics Pacing Systems, Inc. | Apparatus and method for generation of varying waveforms in arrhythmia control system |
US5313953A (en) * | 1992-01-14 | 1994-05-24 | Incontrol, Inc. | Implantable cardiac patient monitor |
US5306291A (en) * | 1992-02-26 | 1994-04-26 | Angeion Corporation | Optimal energy steering for an implantable defibrillator |
US5601607A (en) * | 1992-03-19 | 1997-02-11 | Angeion Corporation | Implantable cardioverter defibrillator housing plated electrode |
ATE176404T1 (de) * | 1992-09-30 | 1999-02-15 | Cardiac Pacemakers Inc | Klappbare kissenelektrode zur herzentflimmerung mit einem gebiet ohne leitern, welches als ein scharnier dient |
US5411547A (en) * | 1993-08-09 | 1995-05-02 | Pacesetter, Inc. | Implantable cardioversion-defibrillation patch electrodes having means for passive multiplexing of discharge pulses |
US5411539A (en) * | 1993-08-31 | 1995-05-02 | Medtronic, Inc. | Active can emulator and method of use |
US5439485A (en) * | 1993-09-24 | 1995-08-08 | Ventritex, Inc. | Flexible defibrillation electrode of improved construction |
US5431693A (en) * | 1993-12-10 | 1995-07-11 | Intermedics, Inc. | Method of verifying capture of the heart by a pacemaker |
US5527346A (en) * | 1993-12-13 | 1996-06-18 | Angeion Corporation | Implantable cardioverter defibrillator employing polymer thin film capacitors |
US5464447A (en) * | 1994-01-28 | 1995-11-07 | Sony Corporation | Implantable defibrillator electrodes |
US5620477A (en) * | 1994-03-31 | 1997-04-15 | Ventritex, Inc. | Pulse generator with case that can be active or inactive |
IT1272265B (it) * | 1994-06-06 | 1997-06-16 | Medtronic Inc Societa Del Minn | Perfezionamento nei sistemi stimolatori cardiaci |
US5645586A (en) * | 1994-07-08 | 1997-07-08 | Ventritex, Inc. | Conforming implantable defibrillator |
JP3139305B2 (ja) * | 1994-08-24 | 2001-02-26 | 株式会社村田製作所 | 容量型加速度センサ |
US5534022A (en) * | 1994-11-22 | 1996-07-09 | Ventritex, Inc. | Lead having an integrated defibrillation/sensing electrode |
US5534019A (en) * | 1994-12-09 | 1996-07-09 | Ventritex, Inc. | Cardiac defibrillator with case that can be electrically active or inactive |
US5531766A (en) * | 1995-01-23 | 1996-07-02 | Angeion Corporation | Implantable cardioverter defibrillator pulse generator kite-tail electrode system |
US5509928A (en) * | 1995-03-02 | 1996-04-23 | Pacesetter, Inc. | Internally supported self-sealing septum |
US5545186A (en) * | 1995-03-30 | 1996-08-13 | Medtronic, Inc. | Prioritized rule based method and apparatus for diagnosis and treatment of arrhythmias |
US5607455A (en) * | 1995-05-25 | 1997-03-04 | Intermedics, Inc. | Method and apparatus for automatic shock electrode enabling |
US5658321A (en) * | 1995-06-09 | 1997-08-19 | Ventritex, Inc. | Conductive housing for implantable cardiac device |
US5658317A (en) * | 1995-08-14 | 1997-08-19 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Threshold templating for digital AGC |
US5690685A (en) * | 1995-10-27 | 1997-11-25 | Angeion Corporation | Automatic battery-maintaining implantable cardioverter defibrillator and method for use |
US6014586A (en) * | 1995-11-20 | 2000-01-11 | Pacesetter, Inc. | Vertically integrated semiconductor package for an implantable medical device |
US5782774A (en) * | 1996-04-17 | 1998-07-21 | Imagyn Medical Technologies California, Inc. | Apparatus and method of bioelectrical impedance analysis of blood flow |
US5895414A (en) * | 1996-04-19 | 1999-04-20 | Sanchez-Zambrano; Sergio | Pacemaker housing |
US5919211A (en) * | 1996-06-27 | 1999-07-06 | Adams; Theodore P. | ICD power source using multiple single use batteries |
US5643328A (en) * | 1996-07-19 | 1997-07-01 | Sulzer Intermedics Inc. | Implantable cardiac stimulation device with warning system having elongated stimulation electrode |
US6058328A (en) * | 1996-08-06 | 2000-05-02 | Pacesetter, Inc. | Implantable stimulation device having means for operating in a preemptive pacing mode to prevent tachyarrhythmias and method thereof |
US5766226A (en) * | 1996-12-09 | 1998-06-16 | Angeion Corporation | Switched discharge pathways for ICD having multiple output capacitors |
US5749911A (en) * | 1997-01-24 | 1998-05-12 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Implantable tissue stimulator incorporating deposited multilayer capacitor |
US5776169A (en) * | 1997-04-28 | 1998-07-07 | Sulzer Intermedics Inc. | Implantable cardiac stimulator for minimally invasive implantation |
CN1259227A (zh) * | 1997-06-09 | 2000-07-05 | 特尔科迪亚技术股份有限公司 | 晶体钙钛矿铁电单元的退火和呈现阻挡层特性改善的单元 |
US6067471A (en) * | 1998-08-07 | 2000-05-23 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Atrial and ventricular implantable cardioverter-defibrillator and lead system |
US5941904A (en) * | 1997-09-12 | 1999-08-24 | Sulzer Intermedics Inc. | Electromagnetic acceleration transducer for implantable medical device |
US5925069A (en) * | 1997-11-07 | 1999-07-20 | Sulzer Intermedics Inc. | Method for preparing a high definition window in a conformally coated medical device |
US5919222A (en) * | 1998-01-06 | 1999-07-06 | Medtronic Inc. | Adjustable medical electrode lead |
US6345198B1 (en) * | 1998-01-23 | 2002-02-05 | Pacesetter, Inc. | Implantable stimulation system for providing dual bipolar sensing using an electrode positioned in proximity to the tricuspid valve and programmable polarity |
US6185450B1 (en) * | 1998-01-26 | 2001-02-06 | Physio-Control Manufacturing Corporation | Digital sliding pole fast-restore for an electrocardiograph display |
US6026325A (en) * | 1998-06-18 | 2000-02-15 | Pacesetter, Inc. | Implantable medical device having an improved packaging system and method for making electrical connections |
US6093173A (en) * | 1998-09-09 | 2000-07-25 | Embol-X, Inc. | Introducer/dilator with balloon protection and methods of use |
US6266554B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-07-24 | Cardiac Pacemakers, Inc. | System and method for classifying cardiac complexes |
US6421223B2 (en) * | 1999-03-01 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Thin film structure that may be used with an adhesion layer |
US6223078B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-04-24 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Discrimination of supraventricular tachycardia and ventricular tachycardia events |
US6377844B1 (en) * | 1999-03-13 | 2002-04-23 | Dave Graen | R-wave detector circuit for sensing cardiac signals |
US6266567B1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-07-24 | Ball Semiconductor, Inc. | Implantable epicardial electrode |
US6411844B1 (en) * | 1999-10-19 | 2002-06-25 | Pacesetter, Inc. | Fast recovery sensor amplifier circuit for implantable medical device |
US6516225B1 (en) * | 1999-12-28 | 2003-02-04 | Pacesetter, Inc. | System and method for distinguishing electrical events originating in the atria from far-field electrical events originating in the ventricles as detected by an implantable medical device |
US6567691B1 (en) * | 2000-03-22 | 2003-05-20 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus diagnosis and treatment of arrhythias |
JP2002083880A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6721597B1 (en) * | 2000-09-18 | 2004-04-13 | Cameron Health, Inc. | Subcutaneous only implantable cardioverter defibrillator and optional pacer |
US6754528B2 (en) * | 2001-11-21 | 2004-06-22 | Cameraon Health, Inc. | Apparatus and method of arrhythmia detection in a subcutaneous implantable cardioverter/defibrillator |
US6684100B1 (en) * | 2000-10-31 | 2004-01-27 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Curvature based method for selecting features from an electrophysiologic signals for purpose of complex identification and classification |
US6368910B1 (en) * | 2000-11-24 | 2002-04-09 | Winbond Electronics Corp. | Method of fabricating ruthenium-based contact plug for memory devices |
US6900498B2 (en) * | 2001-05-08 | 2005-05-31 | Advanced Technology Materials, Inc. | Barrier structures for integration of high K oxides with Cu and Al electrodes |
EP1280198A2 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor memory and method for fabricating the same |
TW508808B (en) * | 2001-09-14 | 2002-11-01 | Winbond Electronics Corp | Stacked type capacitor structure and its manufacturing method |
KR20030028044A (ko) * | 2001-09-27 | 2003-04-08 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US6708062B2 (en) * | 2001-10-30 | 2004-03-16 | Medtronic, Inc. | Pacemaker having adaptive arrhythmia detection windows |
EP1324392B1 (en) * | 2001-12-28 | 2009-12-09 | STMicroelectronics S.r.l. | Capacitor for semiconductor integrated devices |
KR20030060602A (ko) | 2002-01-10 | 2003-07-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터의 제조 방법 |
JP2003289134A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100481867B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 커패시터 및 그 제조 방법 |
US6885074B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Cladded conductor for use in a magnetoelectronics device and method for fabricating the same |
EP1434281A3 (en) * | 2002-12-26 | 2007-10-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit |
JP2005217189A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 容量素子及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-05-03 KR KR1020040030928A patent/KR100601953B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-05-03 US US11/120,184 patent/US7250649B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-06 JP JP2005134840A patent/JP2005322925A/ja not_active Withdrawn
- 2005-05-08 CN CNB2005100762580A patent/CN100463181C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-27 US US11/878,868 patent/US20080038846A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022525725A (ja) * | 2019-02-27 | 2022-05-19 | ケプラー コンピューティング インコーポレイテッド | 一方向のプレートライン及びビットライン並びにピラーキャパシタを有する高密度低電圧nvm |
JP7420822B2 (ja) | 2019-02-27 | 2024-01-23 | ケプラー コンピューティング インコーポレイテッド | 一方向のプレートライン及びビットライン並びにピラーキャパシタを有する高密度低電圧nvm |
US11659714B1 (en) | 2021-05-07 | 2023-05-23 | Kepler Computing Inc. | Ferroelectric device film stacks with texturing layer, and method of forming such |
US11716858B1 (en) | 2021-05-07 | 2023-08-01 | Kepler Computing Inc. | Ferroelectric device film stacks with texturing layer which is part of a bottom electrode and a barrier, and method of forming such |
US11744081B1 (en) | 2021-05-07 | 2023-08-29 | Kepler Computing Inc. | Ferroelectric device film stacks with texturing layer which is part of a bottom electrode, and method of forming such |
US11810608B1 (en) | 2021-06-04 | 2023-11-07 | Kepler Computing Inc. | Manganese or scandium doped multi-element non-linear polar material gain memory bit-cell |
US11765908B1 (en) | 2023-02-10 | 2023-09-19 | Kepler Computing Inc. | Memory device fabrication through wafer bonding |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050105695A (ko) | 2005-11-08 |
KR100601953B1 (ko) | 2006-07-14 |
US20080038846A1 (en) | 2008-02-14 |
CN1694256A (zh) | 2005-11-09 |
US20060001070A1 (en) | 2006-01-05 |
CN100463181C (zh) | 2009-02-18 |
US7250649B2 (en) | 2007-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005322925A (ja) | メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 | |
US7919385B2 (en) | Semiconductor device and method of forming the same | |
US7488628B2 (en) | Methods for fabricating ferroelectric memory devices with improved ferroelectric properties | |
JP3494852B2 (ja) | 半導体素子のコンタクト配線方法及びこれを利用したキャパシタの製造方法 | |
JP2001237401A (ja) | 高誘電キャパシタ誘電体を含む半導体デバイス及びその製造方法 | |
KR20040041329A (ko) | 강유전체 커패시터 및 그 제조 방법 | |
US8723244B2 (en) | Semiconductor device having storage electrode and manufacturing method thereof | |
US7732851B2 (en) | Method for fabricating a three-dimensional capacitor | |
KR20120051820A (ko) | 커패시터, 그 형성 방법, 이를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2009065089A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7781820B2 (en) | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same | |
JP4575616B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TWI295505B (en) | Ferroelectric memory device with merged-top-plate structure and method for fabricating the same | |
US7294876B2 (en) | FeRAM device and method for manufacturing the same | |
US20040089891A1 (en) | Semiconductor device including electrode or the like having opening closed and method of manufacturing the same | |
JPH10173148A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6501113B2 (en) | Semiconductor device with capacitor using high dielectric constant film or ferroelectric film | |
JP2007317742A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008147594A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW479353B (en) | Manufacturing method of MIM capacitor | |
JP3039425B2 (ja) | 容量素子及びその製造方法 | |
KR100597598B1 (ko) | 반도체 소자의 고유전체 캐패시터 형성방법 | |
TW554479B (en) | Manufacturing method of crown-shape capacitor | |
JP2005150262A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2011210943A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050906 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061102 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20061106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080314 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090525 |