JP2005244069A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 配線部の信頼性を向上させた信頼性の高い多層配線基板を形成することを可能とする、多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に第１の絶縁層１２を形成する工程と、前記第１の絶縁層１２上に第２の絶縁層１５を形成する工程と、前記第１の絶縁層１２と前記第２の絶縁層１５を貫通する第１の開口部ｈ１を形成する工程と、前記第２の絶縁層１５に第２の開口部ｈ２を形成する工程と、前記第１の開口部ｈ１と前記第２の開口部ｈ２に配線部１３，１４を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、前記第２の絶縁層１５は感光性樹脂からなることを特徴とする多層配線基板の製造方法を用いた。
【選択図】 図２

Description

本発明は多層配線基板の製造方法に係り、特にはビルドアップ法を用いた多層配線基板の製造方法に関する。

近年、情報通信産業の発達により、電子機器の高性能化の要求が著しく、そのため、電子機器に用いる半導体装置などを実装する配線基板にも高集積化が求められている。

このような高集積化を実現する配線基板としては、基板上に多層配線構造が形成される多層配線基板が普及してきており、多層配線基板の形成方法としては、配線層が形成されたコア基板上に、配線部と絶縁層を交互に積層することで多層配線基板を形成する、いわゆるビルドアップ法が提案されている。

図１は、ビルドアップ法を用いて多層配線基板を形成する方法を模式的に示した断面図である。

図１を参照するに、例えば両面銅張り基板の銅箔部分をエッチングして形成された配線層１０１が形成されたコア基板１００上には、絶縁層１０２が形成されている。前記絶縁層１０２に形成されたビアホールには、メッキ法により、Ｃｕからなるビアプラグ配線部１０３が形成されている。

また、前記絶縁層１０２上には、メッキ法により、パターニングされたＣｕからなるトレンチ配線部１０４が形成されており、一部の当該トレンチ配線部１０４は、前記ビアプラグ配線部１０３に電気的に接続するように形成されている。

このようにして、形成された絶縁層と配線部を、さらに積層するようにして形成することにより、ビルドアップ法による多層配線基板が形成される。
特開２０００−２６１１４７号公報 特開平６−２６０７６３号公報

しかし、図１に示した製造方法により製造された多層配線基板は、以下に説明するように、配線部の信頼性に問題が生じる場合があった。

前記ビアプラグ配線部１０３から、当該ビアプラグ配線部１０３に接続される前記トレンチ配線部１０４にかけては、メッキ法により同時に形成されるが、この場合、メッキの均一性に問題が生じる場合があった。

例えば、前記トレンチ配線部１０４から前記ビアプラグ配線部１０３にかけてボイドＶが発生してしまう場合があった。また、前記ボイドＶの発生に伴い、前記ビアプラグ配線部１０３から前記トレンチ配線部１０４につながる角部Ｃでの配線の厚さが薄くなってしまい、断線や抵抗値の増加などにより配線の信頼性が低下してしまう可能性が生じていた。

また、前記トレンチ配線部１０４をメッキ法にて形成した場合には、前記絶縁層１０２上の面内で、形成されるトレンチ配線部１０４の高さにばらつきが生じる場合があった。例えば、トレンチ配線部が形成される密度が高い領域Ａにおけるトレンチ配線部の配線高さＤＡと、トレンチ配線部が形成される密度が低い領域Ｂにおけるトレンチ配線部の配線高さＤＢに差が生じてしまう場合があった。

特に、メッキレジストを用いてトレンチ配線部のパターニングを行う、いわゆるパターンメッキ法によってトレンチ配線部を形成する場合、トレンチ配線部の高さのばらつきが大きくなる傾向にある。

この場合、前記配線高さＤＢが、前記配線高さＤＡより高くなり、このようにトレンチ配線部が形成される密度により、配線高さにばらつきが生じるために配線の抵抗値のばらつきなどが発生して、配線の信頼性を低下させてしまう場合があり、またトレンチ配線部の上層の配線構造を形成する場合に問題となる場合があった。

また、メッキ法によって形成される配線部は、絶縁層との密着性が弱く、そのために剥離などの不具合が生じる場合があった。さらに、図１に示す製造方法においては、メッキ法により形成されたために密着力の弱い配線部が微細な形状で剥き出しのまま曝されて、次に当該配線部上に絶縁膜を形成する工程が実施されるため、配線部が絶縁層から剥離してしまう可能性がさらに増大し、配線部の信頼性が低下してしまう問題が懸念されていた。

そこで、本実施例では上記の問題を解決した、新規で有用な、多層配線基板の製造方法を提供することを目的としている。

本発明の具体的な課題は、配線部の信頼性を向上させた多層配線基板を形成することを可能とする、多層配線基板の製造方法を提供することである。

本発明では、上記の課題を、基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層を貫通する第１の開口部を形成する工程と、前記第２の絶縁層に第２の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部と前記第２の開口部に配線部を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、前記第２の絶縁層は感光性樹脂からなることを特徴とする多層配線基板の製造方法により、解決する。

本発明によれば、第１の絶縁層と、感光性樹脂からなる第２の絶縁層を積層して用いたために、当該第１の絶縁層上に形成される、第２の絶縁層の開口部に形成される配線部の高さを、当該第２の絶縁層の厚さによって制御することが可能となり、当該第１の絶縁層上に形成される配線部の高さのばらつきを抑制することが可能となる。

また、前記配線部は導電性ペーストにより形成すると、当該配線部と、前記第１の絶縁層または前記第２の絶縁層との密着性が向上する効果を奏する。

また、前記第１の絶縁層は熱硬化性樹脂からなると、当該第１の絶縁層の硬度が良好となり、当該第１の絶縁層の信頼性が向上する。

また、前記第１の開口部はレーザーにより形成されると、微細な形状を速やかに加工することが可能となり、好適である。

また、前記第２の開口部を形成する工程は、前記第２の絶縁層の露光工程と、前記第２の絶縁層の現像工程とを含むようにすると、前記第１の絶縁層と当該第２の絶縁層のうち、当該第２の絶縁層のみを選択的にパターニングすることが可能となり、好適である。

また、前記第２の開口部が前記第１の開口部上に形成されるようにすると、当該第１の開口部から当該第２の開口部にかけて、前記配線部を同時に形成することが可能となり、好適である。

また、前記配線部は、ビアプラグ配線部とトレンチ配線部からなり、前記第１の絶縁層にはビアプラグ配線部が、前記第２の絶縁層にはトレンチ配線部がそれぞれ形成されると、当該ビアプラグ配線部と当該トレンチ配線部を同時に形成することが可能となり、好適である。

また、前記第１の絶縁層は、前記基板上にパターニングされた配線層上に形成してもよい。

本発明によれば、配線部の信頼性を向上させた多層配線基板を形成することを可能とする、多層配線基板の製造方法を提供することが可能となる。

次に、本発明の実施の形態に関して図面に基づき、以下に説明する。

まず、本実施例による多層配線基板の製造方法の概略を説明する。図２は、本発明の実施例１による多層配線基板の、製造方法の製造工程における多層配線基板の概略を、模式的に示した断面図である。

図２を参照するに、本実施例で示す製造方法は、例えばガラスエポキシ樹脂材料からなる基板１０上に、Ｃｕからなる配線層１１が形成されてなるコア基板Ｓ上に、絶縁層と配線部を多層に形成するものである。

本実施例では、前記コア基板Ｓ上には、第１の絶縁層１２が形成され、当該第１の基板１２上に積層されるように第２の絶縁層１５が形成されている。前記第１の絶縁層１２に形成された第１の開口部ｈ１には、導電性ペーストにより、ビアプラグ配線部１３が形成され、前記第２の絶縁層１５に形成された第２の開口部ｈ２には、同様に導電性ペーストにより、トレンチ配線部１４が形成されており、一部の当該トレンチ配線部１４は、前記ビアプラグ配線部１３に電気的に接続するように形成されている。

本実施例による製造方法では、前記第２の絶縁層に、感光性樹脂を用いている。そのため、マスクを用いて当該第２の絶縁層の露光を行い、さらに現像を行うことで、第２の絶縁層に、前記トレンチ配線部１４が形成されるための前記第２の開口部ｈ２を、前記第１の絶縁層上に形成することが可能となる。前記トレンチ配線部１４は、前記第２の開口部に埋設されるように形成される。

そのため、前記トレンチ配線部１４の高さＤは、前記第２の絶縁層１５の厚さに略依存するようになり、当該高さＤを当該第２の絶縁層１５の厚さによって制御することが可能となる効果を奏する。

従来、絶縁層上にメッキ法を用いてトレンチ配線部を形成する場合には、トレンチ配線部の高さにばらつきが生じる場合があり、特にパターンメッキを行う場合には当該ばらつきが大きくなる傾向にあった。また、メッキ法では、トレンチ配線部が形成される密度の変化に応じて配線高さが変化する傾向にあり、様々な配線パターンを有する配線基板において、配線高さのばらつきを抑制するのは困難であった。

本実施例では、前記第１の絶縁層１２上に形成する前記第２の絶縁層１５の厚さによってトレンチ配線部の高さを制御することが可能であるため、トレンチ配線部の高さのばらつきを抑制することが可能となり、さらに様々な配線密度をもって形成される様々な配線パターンを有する配線基板において、配線高さのばらつきを抑制することが可能となり、配線抵抗などのばらつきを抑制して配線の信頼性を向上させることが可能となる。

例えば、配線密度の大きい領域ａと、配線密度の小さい領域ｂにおいて、トレンチ配線部の配線高さを略同一とすることが可能となる。そのため、例えば、前記トレンチ配線部１４の上層に形成される配線構造を形成する場合に、配線高さの違いによる影響を与えることがない。

また、本実施例では、前記ビアプラグ配線部１３および前記トレンチ配線部１４を導電性ペーストにより形成している。導電性ペーストにより配線部を、開口部に埋設するように形成するため、メッキ法に比べて配線部にボイドなどが発生する場合が少なく、さらにトレンチ配線部の高さのばらつきを抑制して配線部を形成することが可能となる。

また、従来、メッキ法で形成された配線部は絶縁層との密着性が弱いという問題があったが、導電性ペーストを用いた場合には配線部と、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層との密着性が良好となる効果を奏する。

次に、本実施例による多層配線基板の製造方法について、図３（Ａ）〜（Ｃ）、図４（Ｄ）〜（Ｆ）および図５（Ｇ）を用いて、手順を追って説明する。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、一部説明を省略する。

まず、図３（Ａ）に示す工程では、樹脂材料からなる基板１０上にパターニングされた、Ｃｕからなる配線層１１が形成されたコア基板Ｓを用意する。

前記樹脂材料としては、例えばガラスエポキシなどの織布や不織布に樹脂を含浸させた樹脂材料を用いることが可能である。また、前記配線層１１を形成する方法としては、アディティブ法、またはサブトラクティブ法を用いて形成することが可能である。

また、コア基板としては、配線層が形成された複数の基板を接着して多層構造としたものを用いてもよい。

次に、図３（Ｂ）に示す工程で、前記コア基板Ｓ上に、前記配線層１１を覆うように、熱硬化性樹脂からなる絶縁フィルムをラミネートすることで第１の絶縁層１２を形成する。また、前記絶縁層１２は、ラミネートにより形成する以外にも、例えばコーティングなど様々な方法により形成することも可能である。また、前記第１の絶縁層には、熱硬化性樹脂以外も用いることが可能であるが、熱硬化性樹脂を用いた場合には、当該第１の絶縁層の硬度が良好となり、好適である。

次に、図３（Ｃ）に示す工程において、前記第１の絶縁層１２上に、感光性樹脂からなる第２の絶縁層１５を形成する。

前記感光性樹脂の形態としては、液状のものやフィルム状のものがあり、前記第２の絶縁層を形成する場合には、液状のものを塗布する方法や、フィルム状のものをラミネートするなどの方法で形成することができる。

次に、図４（Ｄ）に示す工程において、例えばＣＯ₂レーザーにより、前記第２の絶縁層１５および前記第１の絶縁層１２を貫通する、前記配線層１１に到達する略円筒状の第１の開口部ｈ１を形成する。当該第１の開口部ｈ１を形成する方法としては、レーザーに限定されるものではなく、様々な方法を用いることが可能であるが、レーザーを用いた場合には開口部を精度よく速やかに加工することが可能となるため、好適である。

次に、図４（Ｅ）に示す工程において、前記第２の絶縁層１５のパターニングを行ってトレンチ状の第２の開口部ｈ２を形成する。この場合、複数の前記第２の開口部ｈ２のうち、一部は前記第１の開口部ｈ１上に、すなわち当該第１の開口部ｈ１に連通するように開口される。

感光性樹脂からなる前記第２の絶縁層１５をパターニングする場合には、パターニングされたマスクを介して当該第２の絶縁層１５に、例えば紫外線を照射する露光工程と、さらに当該第２の絶縁層１５を、例えばアルカリ溶液に浸す現像工程を実施して、パターニングを行う。本実施例では、露光部が残存するネガ型、未露光部が残存するポジ型のいずれの感光性樹脂を用いることも可能である。

次に、図４（Ｆ）に示す工程において、前記第１の開口部および前記第２の開口部に、以下に示すように、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストにより配線部を形成する。前記第１の絶縁層１２に形成された前記第１の開口部ｈ１には、当該第１の開口部ｈ１が埋設されるように略円筒状のビアプラグ配線部１３が形成される。また、前記第２の絶縁層１５に形成された前記第２の開口部ｈ２には、当該第２の開口部ｈ２が埋設されるように、トレンチ状のトレンチ配線部１４が形成される。

そこで、前記ビアプラグ配線部１３は、前記配線層１１に電気的に接続され、前記トレンチ配線部１４の一部は前記ビアプラグ配線部１３を介して前記配線層１１に電気的に接続される。

本実施例では、前記ビアプラグ配線部１３および前記トレンチ配線部１４が導電性ペーストにより形成されるため、例えば配線部にボイドなどが形成される場合が少なく、配線部に局所的に抵抗値が高い部分が形成されにくいため、良好な形状で配線部を形成することができる。

また、前記したように、前記トレンチ配線部１４の高さＤは、前記第２の絶縁層１５の厚さに略依存し、当該トレンチ配線部の高さは、当該第２の絶縁層１５の厚さによって制御することが可能となる。

本実施例では、前記第１の絶縁層１２上に形成する前記第２の絶縁層１５の厚さによってトレンチ配線部の高さを制御することが可能であるため、トレンチ配線部の高さのばらつきを抑制することが可能となり、配線抵抗などのばらつきを抑制して配線の信頼性を向上させることが可能となっている。

また、導電性ペーストにより配線部を形成する場合は、例えばメッキ法により配線部を形成する場合にくらべて絶縁層との密着性が良好となる効果を奏する。本実施例においては、前記ビアプラグ配線部１３と前記第１の絶縁層１２の密着性、および前記トレンチ配線部１４と前記第１の絶縁層１２および前記第２の絶縁層１５の密着性が、いずれも良好となる効果を奏する。

また、従来は絶縁層と配線部の密着力を向上させる方法として、絶縁層の表面粗さを大きくする方法がとられる場合があったが、このように表面粗さを大きくした場合は配線部を微細化することが困難となる可能性が生じていた。一方、本実施例の場合には、絶縁層の表面粗さを大きくする加工を行う事無く、または表面粗さを従来にくらべて大きくする必要がないため、配線部を微細化する場合に有利である。

さらに、前記トレンチ配線部１４を形成する場合には、前記第２の絶縁層に形成された前記第２の開口部に形成されるため、当該トレンチ配線部１４は、形成された時点からその周囲を当該第２の絶縁層に保持された構造となる。

そのため、例えばメッキ法などにより、絶縁層上に配線パターンが剥き出して形成される場合に比べて、多層配線基板の製造工程において、トレンチ配線部が剥離・変形などする可能性が少なく、より信頼性の高い配線部を形成することが可能となる。

また、本実施例においては、具体的には、以下に示すような材料を用いることが可能である。前記基板１０としては、例えば、ガラスエポキシ材、ガラスポリイミド材またはガラス変性ポリイミド材のいずれかを用いることが可能である。前記第１の絶縁層１２の前記熱硬化性の樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびシアネート樹脂のいずれかを用いることが可能である。前記第２の絶縁層１５の前記感光性樹脂としては、例えば、エポキシアクリレートまたは感光性ポリイミドのいずれかを用いることが可能である。前記導電性ペーストとしては、例えば、銅ペーストまたは金ペーストのいずれかを用いることが可能である。

なお、上記の材料は本実施例に用いる材料の一例であり、本実施例は、上記の材料に限定されるものではない。

また、本実施例では、前記第１の開口部の径は、５０〜６０μｍであり、前記第１の絶縁層１２の膜厚は、３０〜４０μｍ、前記第２の絶縁層１５の膜厚は、１０〜２０μｍであるが、本発明は、これらの大きさに限定されるものではない。

次に、図５（Ｇ）に示す工程においては、前記第２の絶縁層１５と前記トレンチ配線部１４を覆うように、さらに絶縁層と配線部を形成して多層配線構造を形成する。本工程においては、図３（Ｂ）〜（Ｃ）および図４（Ｄ）〜（Ｆ）に示す工程を繰り返し実施して、絶縁層および配線部を形成する。本図に示した、第１の絶縁層１２ａ、第２の絶縁層１５ａ、ビアプラグ配線部１３ａおよびトレンチ配線部１４ａは、それぞれ、前記第１の絶縁層１２、前記第２の絶縁層１５、前記ビアプラグ配線部１３および前記トレンチ配線部１４と同様の方法で形成する。

このようにして、絶縁層と配線部を形成する工程を任意の回数繰り返し、任意の層数の多層配線構造を有する、多層配線基板を形成することが可能となる。

また、本実施例では、前記コア基板Ｃ上の片面に多層配線を形成する方法を示したが、本実施例で示した方法を用いて、コア基板の両面に、多層配線構造を形成することが可能である。

図６には、コア基板の両面に多層配線を形成した多層配線基板の断面図を示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

本図に示す多層配線基板では、コア基板の両面に多層配線構造が形成されている。本図に示す配線層２１、第１の絶縁層２２、２２ａ、第２の絶縁層、２５、２５ａ、ビアプラグ配線部２３、２３ａ、およびトレンチ配線部２４、２４ａは、それぞれ、前記第１の絶縁層１２、前記第２の絶縁層１５、前記ビアプラグ配線部１３および前記トレンチ配線部１４と同様の方法で形成することができる。

また、このようにコア基板の両面に配線構造を形成する場合には、コア基板に、本図では図示を省略しているスルーホールを形成し、当該スルーホールにメッキ配線部を形成することで、コア基板の第１の側（表面側）と第２の側（裏面側）が電気的に接続される。

次に、実施例１に示した方法を用いて形成した多層配線基板１を模式的に示した断面図を、図７に示す。

図７を参照するに、本図に示す多層配線基板１では、樹脂材料からなる基板５０にスルーホールが形成され、当該スルーホール内壁に形成されたＣｕからなるメッキ配線に接続されるように、前記基板５０の第１の側と第２の側に、それぞれ配線層５１および配線層６１が形成され、コア基板を構成している。また、前記スルーホールには、樹脂材料からなる充填材料５０Ａが充填され、コア基板の機械的強度を向上させている。

前記第１の側には、前記基板５０と前記配線層５１を覆うように、第１の絶縁層５２が形成され、当該第１の絶縁層上には第２の絶縁層５５が形成されている。前記第１の絶縁層５２には、前記配線層１１に電気的に接続される、ビアプラグ配線部５３が形成され、前記第２の絶縁層５５には、当該ビアプラグ配線部５３に電気的に接続されるトレンチ配線部５４が形成されている。

本実施例に示す、第１の絶縁層５２、第２の絶縁層５５、ビアプラグ配線部５３およびトレンチ配線部５４は、それぞれ、実施例１に示した、前記第１の絶縁層１２、前記第２の絶縁層１５、前記ビアプラグ配線部１３および前記トレンチ配線部１４と同様の方法を用いて形成される。また、同様に、前記第２の絶縁層５５および前記トレンチ配線部５４を覆うように、第１の絶縁層５２ａ、第２の絶縁層５５ａ、ビアプラグ配線部５３ａおよびトレンチ配線部５４ａが形成されている。

また、前記第１の側と同様に、コア基板の第２の側には、前記第１の絶縁層５２、５２ａ、第２の絶縁層５５、５５ａ、ビアプラグ配線部５３、５３ａおよびトレンチ配線部５４、５４ａと同様の構造を有する、第１の絶縁層６２、６２ａ、第２の絶縁層６５、６５ａ、ビアプラグ配線部６３、６３ａおよびトレンチ配線部６４、６４ａが形成されている。

さらに、前記第２の絶縁層５５ａ上にはソルダーレジスト層５６が印刷法によりパターニングされて形成されており、当該ソルダーレジスト層５６の開口部には、前記トレンチ配線部５４ａに電気的に接続されるＮｉ／Ａｕ層５７がメッキ法により形成され、当該Ｎｉ／Ａｕ層５７上には、はんだバンプ５８が形成されている。

同様に、前記第２の絶縁層６５ａ上にはソルダーレジスト層６６が印刷法によりパターニングされて形成されており、当該ソルダーレジスト層６６の開口部には、前記トレンチ配線部６４ａに電気的に接続されるＮｉ／Ａｕ層６７がメッキ法により形成され、当該Ｎｉ／Ａｕ層６７上には、はんだバンプ６８が形成されている。

本図に示す多層配線基板１は、例えば半導体素子（ＩＣチップ）などの実装に用いられ、前記バンプ５８上には半導体素子が実装されて、さらに当該半導体素子が実装された当該多層配線基板１は、前記バンプ６８により、例えばマザー基板などに実装されて用いられる。また、通常は素子が実装される側のバンプ配置密度の方が、マザー基板に実装される側のバンプ配置密度より高密度に形成される。

また、本実施例による多層配線基板は、半導体素子の実装に限定されるものではなく、その他様々な電子部品やデバイスの実装に用いることが可能であることは明らかである。

以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。

本発明によれば、配線部の信頼性を向上させた多層配線基板を形成することを可能とする、多層配線基板の製造方法を提供することが可能となる。

従来の多層配線基板の製造方法を模式的に示した断面図である。 実施例１による多層配線基板の製造方法の概略を模式的に示した断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、図２に示す多層配線基板の製造方法を手順を追って示した図（その１）である。 （Ｄ）〜（Ｆ）は、図２に示す多層配線基板の製造方法を手順を追って示した図（その２）である。 （Ｇ）は、図２に示す多層配線基板の製造方法を手順を追って示した図（その３）である。 基板の両面に多層配線を形成した多層配線基板の断面図である。 実施例１の製造方法により形成された多層配線基板の断面図である。

符号の説明

１ 多層配線基板
１０，５０，１００ 基板
１１，２１，５１，６１，１０１ 配線層
１２，１２ａ，２２，２２ａ，５２，５２ａ，６２，６２ａ 第１の絶縁層
１３，１３ａ，２３，２３ａ，５３，５３ａ，６３，６３ａ，１０３ ビアプラグ配線部
１４，１４ａ，２４，２４ａ，５４，５４ａ，６４，６４ａ，１０４ トレンチ配線部
１５，１５ａ，２５，２５ａ，５５，５５ａ，６５，６５ａ 第２の絶縁層
５６，６６ ソルダーレジスト層
５７，６７ Ｎｉ／Ａｕ層
５８，６８ はんだバンプ
１００ 絶縁層
Ｓ コア基板
Ｄ，ＤＡ，ＤＢ 配線高さ
Ｃ，Ｃ１ 角部
Ａ，Ｂ，ａ，ｂ 領域
ｈ１ 第１の開口部
ｈ２ 第２の開口部

Claims (8)

1. 基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、
   前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
   前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層を貫通する第１の開口部を形成する工程と、
   前記第２の絶縁層に第２の開口部を形成する工程と、
   前記第１の開口部と前記第２の開口部に配線部を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、
   前記第２の絶縁層は感光性樹脂からなることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記配線部は導電性ペーストにより形成されることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記第１の絶縁層は熱硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板の製造方法。
4. 前記第１の開口部はレーザーにより形成されることを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
5. 前記第２の開口部を形成する工程は、前記第２の絶縁層の露光工程と、前記第２の絶縁層の現像工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至４のうち、いずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
6. 前記第２の開口部が前記第１の開口部上に形成されることを特徴とする請求項１乃至５のうち、いずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
7. 前記配線部は、ビアプラグ配線部とトレンチ配線部からなり、前記第１の絶縁層にはビアプラグ配線部が、前記第２の絶縁層にはトレンチ配線部がそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１乃至６のうち、いずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
8. 前記第１の絶縁層は、前記基板上にパターニングされた配線層上に形成されることを特徴とする請求項１乃至７のうち、いずれか１項記載の多層配線基板の製造方法。
   

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