JP2005244069A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 配線部の信頼性を向上させた信頼性の高い多層配線基板を形成することを可能とする、多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に第1の絶縁層12を形成する工程と、前記第1の絶縁層12上に第2の絶縁層15を形成する工程と、前記第1の絶縁層12と前記第2の絶縁層15を貫通する第1の開口部h1を形成する工程と、前記第2の絶縁層15に第2の開口部h2を形成する工程と、前記第1の開口部h1と前記第2の開口部h2に配線部13,14を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、前記第2の絶縁層15は感光性樹脂からなることを特徴とする多層配線基板の製造方法を用いた。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板上に第1の絶縁層12を形成する工程と、前記第1の絶縁層12上に第2の絶縁層15を形成する工程と、前記第1の絶縁層12と前記第2の絶縁層15を貫通する第1の開口部h1を形成する工程と、前記第2の絶縁層15に第2の開口部h2を形成する工程と、前記第1の開口部h1と前記第2の開口部h2に配線部13,14を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、前記第2の絶縁層15は感光性樹脂からなることを特徴とする多層配線基板の製造方法を用いた。
【選択図】 図2
Description
本発明は多層配線基板の製造方法に係り、特にはビルドアップ法を用いた多層配線基板の製造方法に関する。
近年、情報通信産業の発達により、電子機器の高性能化の要求が著しく、そのため、電子機器に用いる半導体装置などを実装する配線基板にも高集積化が求められている。
このような高集積化を実現する配線基板としては、基板上に多層配線構造が形成される多層配線基板が普及してきており、多層配線基板の形成方法としては、配線層が形成されたコア基板上に、配線部と絶縁層を交互に積層することで多層配線基板を形成する、いわゆるビルドアップ法が提案されている。
図1は、ビルドアップ法を用いて多層配線基板を形成する方法を模式的に示した断面図である。
図1を参照するに、例えば両面銅張り基板の銅箔部分をエッチングして形成された配線層101が形成されたコア基板100上には、絶縁層102が形成されている。前記絶縁層102に形成されたビアホールには、メッキ法により、Cuからなるビアプラグ配線部103が形成されている。
また、前記絶縁層102上には、メッキ法により、パターニングされたCuからなるトレンチ配線部104が形成されており、一部の当該トレンチ配線部104は、前記ビアプラグ配線部103に電気的に接続するように形成されている。
このようにして、形成された絶縁層と配線部を、さらに積層するようにして形成することにより、ビルドアップ法による多層配線基板が形成される。
特開2000−261147号公報
特開平6−260763号公報
しかし、図1に示した製造方法により製造された多層配線基板は、以下に説明するように、配線部の信頼性に問題が生じる場合があった。
前記ビアプラグ配線部103から、当該ビアプラグ配線部103に接続される前記トレンチ配線部104にかけては、メッキ法により同時に形成されるが、この場合、メッキの均一性に問題が生じる場合があった。
例えば、前記トレンチ配線部104から前記ビアプラグ配線部103にかけてボイドVが発生してしまう場合があった。また、前記ボイドVの発生に伴い、前記ビアプラグ配線部103から前記トレンチ配線部104につながる角部Cでの配線の厚さが薄くなってしまい、断線や抵抗値の増加などにより配線の信頼性が低下してしまう可能性が生じていた。
また、前記トレンチ配線部104をメッキ法にて形成した場合には、前記絶縁層102上の面内で、形成されるトレンチ配線部104の高さにばらつきが生じる場合があった。例えば、トレンチ配線部が形成される密度が高い領域Aにおけるトレンチ配線部の配線高さDAと、トレンチ配線部が形成される密度が低い領域Bにおけるトレンチ配線部の配線高さDBに差が生じてしまう場合があった。
特に、メッキレジストを用いてトレンチ配線部のパターニングを行う、いわゆるパターンメッキ法によってトレンチ配線部を形成する場合、トレンチ配線部の高さのばらつきが大きくなる傾向にある。
この場合、前記配線高さDBが、前記配線高さDAより高くなり、このようにトレンチ配線部が形成される密度により、配線高さにばらつきが生じるために配線の抵抗値のばらつきなどが発生して、配線の信頼性を低下させてしまう場合があり、またトレンチ配線部の上層の配線構造を形成する場合に問題となる場合があった。
また、メッキ法によって形成される配線部は、絶縁層との密着性が弱く、そのために剥離などの不具合が生じる場合があった。さらに、図1に示す製造方法においては、メッキ法により形成されたために密着力の弱い配線部が微細な形状で剥き出しのまま曝されて、次に当該配線部上に絶縁膜を形成する工程が実施されるため、配線部が絶縁層から剥離してしまう可能性がさらに増大し、配線部の信頼性が低下してしまう問題が懸念されていた。
そこで、本実施例では上記の問題を解決した、新規で有用な、多層配線基板の製造方法を提供することを目的としている。
本発明の具体的な課題は、配線部の信頼性を向上させた多層配線基板を形成することを可能とする、多層配線基板の製造方法を提供することである。
本発明では、上記の課題を、基板上に第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層を貫通する第1の開口部を形成する工程と、前記第2の絶縁層に第2の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部と前記第2の開口部に配線部を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、前記第2の絶縁層は感光性樹脂からなることを特徴とする多層配線基板の製造方法により、解決する。
本発明によれば、第1の絶縁層と、感光性樹脂からなる第2の絶縁層を積層して用いたために、当該第1の絶縁層上に形成される、第2の絶縁層の開口部に形成される配線部の高さを、当該第2の絶縁層の厚さによって制御することが可能となり、当該第1の絶縁層上に形成される配線部の高さのばらつきを抑制することが可能となる。
また、前記配線部は導電性ペーストにより形成すると、当該配線部と、前記第1の絶縁層または前記第2の絶縁層との密着性が向上する効果を奏する。
また、前記第1の絶縁層は熱硬化性樹脂からなると、当該第1の絶縁層の硬度が良好となり、当該第1の絶縁層の信頼性が向上する。
また、前記第1の開口部はレーザーにより形成されると、微細な形状を速やかに加工することが可能となり、好適である。
また、前記第2の開口部を形成する工程は、前記第2の絶縁層の露光工程と、前記第2の絶縁層の現像工程とを含むようにすると、前記第1の絶縁層と当該第2の絶縁層のうち、当該第2の絶縁層のみを選択的にパターニングすることが可能となり、好適である。
また、前記第2の開口部が前記第1の開口部上に形成されるようにすると、当該第1の開口部から当該第2の開口部にかけて、前記配線部を同時に形成することが可能となり、好適である。
また、前記配線部は、ビアプラグ配線部とトレンチ配線部からなり、前記第1の絶縁層にはビアプラグ配線部が、前記第2の絶縁層にはトレンチ配線部がそれぞれ形成されると、当該ビアプラグ配線部と当該トレンチ配線部を同時に形成することが可能となり、好適である。
また、前記第1の絶縁層は、前記基板上にパターニングされた配線層上に形成してもよい。
本発明によれば、配線部の信頼性を向上させた多層配線基板を形成することを可能とする、多層配線基板の製造方法を提供することが可能となる。
次に、本発明の実施の形態に関して図面に基づき、以下に説明する。
まず、本実施例による多層配線基板の製造方法の概略を説明する。図2は、本発明の実施例1による多層配線基板の、製造方法の製造工程における多層配線基板の概略を、模式的に示した断面図である。
図2を参照するに、本実施例で示す製造方法は、例えばガラスエポキシ樹脂材料からなる基板10上に、Cuからなる配線層11が形成されてなるコア基板S上に、絶縁層と配線部を多層に形成するものである。
本実施例では、前記コア基板S上には、第1の絶縁層12が形成され、当該第1の基板12上に積層されるように第2の絶縁層15が形成されている。前記第1の絶縁層12に形成された第1の開口部h1には、導電性ペーストにより、ビアプラグ配線部13が形成され、前記第2の絶縁層15に形成された第2の開口部h2には、同様に導電性ペーストにより、トレンチ配線部14が形成されており、一部の当該トレンチ配線部14は、前記ビアプラグ配線部13に電気的に接続するように形成されている。
本実施例による製造方法では、前記第2の絶縁層に、感光性樹脂を用いている。そのため、マスクを用いて当該第2の絶縁層の露光を行い、さらに現像を行うことで、第2の絶縁層に、前記トレンチ配線部14が形成されるための前記第2の開口部h2を、前記第1の絶縁層上に形成することが可能となる。前記トレンチ配線部14は、前記第2の開口部に埋設されるように形成される。
そのため、前記トレンチ配線部14の高さDは、前記第2の絶縁層15の厚さに略依存するようになり、当該高さDを当該第2の絶縁層15の厚さによって制御することが可能となる効果を奏する。
従来、絶縁層上にメッキ法を用いてトレンチ配線部を形成する場合には、トレンチ配線部の高さにばらつきが生じる場合があり、特にパターンメッキを行う場合には当該ばらつきが大きくなる傾向にあった。また、メッキ法では、トレンチ配線部が形成される密度の変化に応じて配線高さが変化する傾向にあり、様々な配線パターンを有する配線基板において、配線高さのばらつきを抑制するのは困難であった。
本実施例では、前記第1の絶縁層12上に形成する前記第2の絶縁層15の厚さによってトレンチ配線部の高さを制御することが可能であるため、トレンチ配線部の高さのばらつきを抑制することが可能となり、さらに様々な配線密度をもって形成される様々な配線パターンを有する配線基板において、配線高さのばらつきを抑制することが可能となり、配線抵抗などのばらつきを抑制して配線の信頼性を向上させることが可能となる。
例えば、配線密度の大きい領域aと、配線密度の小さい領域bにおいて、トレンチ配線部の配線高さを略同一とすることが可能となる。そのため、例えば、前記トレンチ配線部14の上層に形成される配線構造を形成する場合に、配線高さの違いによる影響を与えることがない。
また、本実施例では、前記ビアプラグ配線部13および前記トレンチ配線部14を導電性ペーストにより形成している。導電性ペーストにより配線部を、開口部に埋設するように形成するため、メッキ法に比べて配線部にボイドなどが発生する場合が少なく、さらにトレンチ配線部の高さのばらつきを抑制して配線部を形成することが可能となる。
また、従来、メッキ法で形成された配線部は絶縁層との密着性が弱いという問題があったが、導電性ペーストを用いた場合には配線部と、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層との密着性が良好となる効果を奏する。
次に、本実施例による多層配線基板の製造方法について、図3(A)〜(C)、図4(D)〜(F)および図5(G)を用いて、手順を追って説明する。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、一部説明を省略する。
まず、図3(A)に示す工程では、樹脂材料からなる基板10上にパターニングされた、Cuからなる配線層11が形成されたコア基板Sを用意する。
前記樹脂材料としては、例えばガラスエポキシなどの織布や不織布に樹脂を含浸させた樹脂材料を用いることが可能である。また、前記配線層11を形成する方法としては、アディティブ法、またはサブトラクティブ法を用いて形成することが可能である。
また、コア基板としては、配線層が形成された複数の基板を接着して多層構造としたものを用いてもよい。
次に、図3(B)に示す工程で、前記コア基板S上に、前記配線層11を覆うように、熱硬化性樹脂からなる絶縁フィルムをラミネートすることで第1の絶縁層12を形成する。また、前記絶縁層12は、ラミネートにより形成する以外にも、例えばコーティングなど様々な方法により形成することも可能である。また、前記第1の絶縁層には、熱硬化性樹脂以外も用いることが可能であるが、熱硬化性樹脂を用いた場合には、当該第1の絶縁層の硬度が良好となり、好適である。
次に、図3(C)に示す工程において、前記第1の絶縁層12上に、感光性樹脂からなる第2の絶縁層15を形成する。
前記感光性樹脂の形態としては、液状のものやフィルム状のものがあり、前記第2の絶縁層を形成する場合には、液状のものを塗布する方法や、フィルム状のものをラミネートするなどの方法で形成することができる。
次に、図4(D)に示す工程において、例えばCO2レーザーにより、前記第2の絶縁層15および前記第1の絶縁層12を貫通する、前記配線層11に到達する略円筒状の第1の開口部h1を形成する。当該第1の開口部h1を形成する方法としては、レーザーに限定されるものではなく、様々な方法を用いることが可能であるが、レーザーを用いた場合には開口部を精度よく速やかに加工することが可能となるため、好適である。
次に、図4(E)に示す工程において、前記第2の絶縁層15のパターニングを行ってトレンチ状の第2の開口部h2を形成する。この場合、複数の前記第2の開口部h2のうち、一部は前記第1の開口部h1上に、すなわち当該第1の開口部h1に連通するように開口される。
感光性樹脂からなる前記第2の絶縁層15をパターニングする場合には、パターニングされたマスクを介して当該第2の絶縁層15に、例えば紫外線を照射する露光工程と、さらに当該第2の絶縁層15を、例えばアルカリ溶液に浸す現像工程を実施して、パターニングを行う。本実施例では、露光部が残存するネガ型、未露光部が残存するポジ型のいずれの感光性樹脂を用いることも可能である。
次に、図4(F)に示す工程において、前記第1の開口部および前記第2の開口部に、以下に示すように、Cuを主成分とする導電性ペーストにより配線部を形成する。前記第1の絶縁層12に形成された前記第1の開口部h1には、当該第1の開口部h1が埋設されるように略円筒状のビアプラグ配線部13が形成される。また、前記第2の絶縁層15に形成された前記第2の開口部h2には、当該第2の開口部h2が埋設されるように、トレンチ状のトレンチ配線部14が形成される。
そこで、前記ビアプラグ配線部13は、前記配線層11に電気的に接続され、前記トレンチ配線部14の一部は前記ビアプラグ配線部13を介して前記配線層11に電気的に接続される。
本実施例では、前記ビアプラグ配線部13および前記トレンチ配線部14が導電性ペーストにより形成されるため、例えば配線部にボイドなどが形成される場合が少なく、配線部に局所的に抵抗値が高い部分が形成されにくいため、良好な形状で配線部を形成することができる。
また、前記したように、前記トレンチ配線部14の高さDは、前記第2の絶縁層15の厚さに略依存し、当該トレンチ配線部の高さは、当該第2の絶縁層15の厚さによって制御することが可能となる。
本実施例では、前記第1の絶縁層12上に形成する前記第2の絶縁層15の厚さによってトレンチ配線部の高さを制御することが可能であるため、トレンチ配線部の高さのばらつきを抑制することが可能となり、配線抵抗などのばらつきを抑制して配線の信頼性を向上させることが可能となっている。
また、導電性ペーストにより配線部を形成する場合は、例えばメッキ法により配線部を形成する場合にくらべて絶縁層との密着性が良好となる効果を奏する。本実施例においては、前記ビアプラグ配線部13と前記第1の絶縁層12の密着性、および前記トレンチ配線部14と前記第1の絶縁層12および前記第2の絶縁層15の密着性が、いずれも良好となる効果を奏する。
また、従来は絶縁層と配線部の密着力を向上させる方法として、絶縁層の表面粗さを大きくする方法がとられる場合があったが、このように表面粗さを大きくした場合は配線部を微細化することが困難となる可能性が生じていた。一方、本実施例の場合には、絶縁層の表面粗さを大きくする加工を行う事無く、または表面粗さを従来にくらべて大きくする必要がないため、配線部を微細化する場合に有利である。
さらに、前記トレンチ配線部14を形成する場合には、前記第2の絶縁層に形成された前記第2の開口部に形成されるため、当該トレンチ配線部14は、形成された時点からその周囲を当該第2の絶縁層に保持された構造となる。
そのため、例えばメッキ法などにより、絶縁層上に配線パターンが剥き出して形成される場合に比べて、多層配線基板の製造工程において、トレンチ配線部が剥離・変形などする可能性が少なく、より信頼性の高い配線部を形成することが可能となる。
また、本実施例においては、具体的には、以下に示すような材料を用いることが可能である。前記基板10としては、例えば、ガラスエポキシ材、ガラスポリイミド材またはガラス変性ポリイミド材のいずれかを用いることが可能である。前記第1の絶縁層12の前記熱硬化性の樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびシアネート樹脂のいずれかを用いることが可能である。前記第2の絶縁層15の前記感光性樹脂としては、例えば、エポキシアクリレートまたは感光性ポリイミドのいずれかを用いることが可能である。前記導電性ペーストとしては、例えば、銅ペーストまたは金ペーストのいずれかを用いることが可能である。
なお、上記の材料は本実施例に用いる材料の一例であり、本実施例は、上記の材料に限定されるものではない。
また、本実施例では、前記第1の開口部の径は、50〜60μmであり、前記第1の絶縁層12の膜厚は、30〜40μm、前記第2の絶縁層15の膜厚は、10〜20μmであるが、本発明は、これらの大きさに限定されるものではない。
次に、図5(G)に示す工程においては、前記第2の絶縁層15と前記トレンチ配線部14を覆うように、さらに絶縁層と配線部を形成して多層配線構造を形成する。本工程においては、図3(B)〜(C)および図4(D)〜(F)に示す工程を繰り返し実施して、絶縁層および配線部を形成する。本図に示した、第1の絶縁層12a、第2の絶縁層15a、ビアプラグ配線部13aおよびトレンチ配線部14aは、それぞれ、前記第1の絶縁層12、前記第2の絶縁層15、前記ビアプラグ配線部13および前記トレンチ配線部14と同様の方法で形成する。
このようにして、絶縁層と配線部を形成する工程を任意の回数繰り返し、任意の層数の多層配線構造を有する、多層配線基板を形成することが可能となる。
また、本実施例では、前記コア基板C上の片面に多層配線を形成する方法を示したが、本実施例で示した方法を用いて、コア基板の両面に、多層配線構造を形成することが可能である。
図6には、コア基板の両面に多層配線を形成した多層配線基板の断面図を示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
本図に示す多層配線基板では、コア基板の両面に多層配線構造が形成されている。本図に示す配線層21、第1の絶縁層22、22a、第2の絶縁層、25、25a、ビアプラグ配線部23、23a、およびトレンチ配線部24、24aは、それぞれ、前記第1の絶縁層12、前記第2の絶縁層15、前記ビアプラグ配線部13および前記トレンチ配線部14と同様の方法で形成することができる。
また、このようにコア基板の両面に配線構造を形成する場合には、コア基板に、本図では図示を省略しているスルーホールを形成し、当該スルーホールにメッキ配線部を形成することで、コア基板の第1の側(表面側)と第2の側(裏面側)が電気的に接続される。
次に、実施例1に示した方法を用いて形成した多層配線基板1を模式的に示した断面図を、図7に示す。
図7を参照するに、本図に示す多層配線基板1では、樹脂材料からなる基板50にスルーホールが形成され、当該スルーホール内壁に形成されたCuからなるメッキ配線に接続されるように、前記基板50の第1の側と第2の側に、それぞれ配線層51および配線層61が形成され、コア基板を構成している。また、前記スルーホールには、樹脂材料からなる充填材料50Aが充填され、コア基板の機械的強度を向上させている。
前記第1の側には、前記基板50と前記配線層51を覆うように、第1の絶縁層52が形成され、当該第1の絶縁層上には第2の絶縁層55が形成されている。前記第1の絶縁層52には、前記配線層11に電気的に接続される、ビアプラグ配線部53が形成され、前記第2の絶縁層55には、当該ビアプラグ配線部53に電気的に接続されるトレンチ配線部54が形成されている。
本実施例に示す、第1の絶縁層52、第2の絶縁層55、ビアプラグ配線部53およびトレンチ配線部54は、それぞれ、実施例1に示した、前記第1の絶縁層12、前記第2の絶縁層15、前記ビアプラグ配線部13および前記トレンチ配線部14と同様の方法を用いて形成される。また、同様に、前記第2の絶縁層55および前記トレンチ配線部54を覆うように、第1の絶縁層52a、第2の絶縁層55a、ビアプラグ配線部53aおよびトレンチ配線部54aが形成されている。
また、前記第1の側と同様に、コア基板の第2の側には、前記第1の絶縁層52、52a、第2の絶縁層55、55a、ビアプラグ配線部53、53aおよびトレンチ配線部54、54aと同様の構造を有する、第1の絶縁層62、62a、第2の絶縁層65、65a、ビアプラグ配線部63、63aおよびトレンチ配線部64、64aが形成されている。
さらに、前記第2の絶縁層55a上にはソルダーレジスト層56が印刷法によりパターニングされて形成されており、当該ソルダーレジスト層56の開口部には、前記トレンチ配線部54aに電気的に接続されるNi/Au層57がメッキ法により形成され、当該Ni/Au層57上には、はんだバンプ58が形成されている。
同様に、前記第2の絶縁層65a上にはソルダーレジスト層66が印刷法によりパターニングされて形成されており、当該ソルダーレジスト層66の開口部には、前記トレンチ配線部64aに電気的に接続されるNi/Au層67がメッキ法により形成され、当該Ni/Au層67上には、はんだバンプ68が形成されている。
本図に示す多層配線基板1は、例えば半導体素子(ICチップ)などの実装に用いられ、前記バンプ58上には半導体素子が実装されて、さらに当該半導体素子が実装された当該多層配線基板1は、前記バンプ68により、例えばマザー基板などに実装されて用いられる。また、通常は素子が実装される側のバンプ配置密度の方が、マザー基板に実装される側のバンプ配置密度より高密度に形成される。
また、本実施例による多層配線基板は、半導体素子の実装に限定されるものではなく、その他様々な電子部品やデバイスの実装に用いることが可能であることは明らかである。
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
本発明によれば、配線部の信頼性を向上させた多層配線基板を形成することを可能とする、多層配線基板の製造方法を提供することが可能となる。
1 多層配線基板
10,50,100 基板
11,21,51,61,101 配線層
12,12a,22,22a,52,52a,62,62a 第1の絶縁層
13,13a,23,23a,53,53a,63,63a,103 ビアプラグ配線部
14,14a,24,24a,54,54a,64,64a,104 トレンチ配線部
15,15a,25,25a,55,55a,65,65a 第2の絶縁層
56,66 ソルダーレジスト層
57,67 Ni/Au層
58,68 はんだバンプ
100 絶縁層
S コア基板
D,DA,DB 配線高さ
C,C1 角部
A,B,a,b 領域
h1 第1の開口部
h2 第2の開口部
10,50,100 基板
11,21,51,61,101 配線層
12,12a,22,22a,52,52a,62,62a 第1の絶縁層
13,13a,23,23a,53,53a,63,63a,103 ビアプラグ配線部
14,14a,24,24a,54,54a,64,64a,104 トレンチ配線部
15,15a,25,25a,55,55a,65,65a 第2の絶縁層
56,66 ソルダーレジスト層
57,67 Ni/Au層
58,68 はんだバンプ
100 絶縁層
S コア基板
D,DA,DB 配線高さ
C,C1 角部
A,B,a,b 領域
h1 第1の開口部
h2 第2の開口部
Claims (8)
- 基板上に第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層を貫通する第1の開口部を形成する工程と、
前記第2の絶縁層に第2の開口部を形成する工程と、
前記第1の開口部と前記第2の開口部に配線部を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、
前記第2の絶縁層は感光性樹脂からなることを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記配線部は導電性ペーストにより形成されることを特徴とする請求項1記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第1の絶縁層は熱硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項1または2記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第1の開口部はレーザーにより形成されることを特徴とする請求項1乃至3のうち、いずれか1項記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第2の開口部を形成する工程は、前記第2の絶縁層の露光工程と、前記第2の絶縁層の現像工程とを含むことを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第2の開口部が前記第1の開口部上に形成されることを特徴とする請求項1乃至5のうち、いずれか1項記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記配線部は、ビアプラグ配線部とトレンチ配線部からなり、前記第1の絶縁層にはビアプラグ配線部が、前記第2の絶縁層にはトレンチ配線部がそれぞれ形成されることを特徴とする請求項1乃至6のうち、いずれか1項記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第1の絶縁層は、前記基板上にパターニングされた配線層上に形成されることを特徴とする請求項1乃至7のうち、いずれか1項記載の多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004054249A JP2005244069A (ja) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004054249A JP2005244069A (ja) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | 多層配線基板の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005244069A true JP2005244069A (ja) | 2005-09-08 |
Family
ID=35025457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004054249A Pending JP2005244069A (ja) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005244069A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014050871A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 積水化学工業株式会社 | 多層基板の製造方法、多層絶縁フィルム及び多層基板 |
-
2004
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US9888580B2 (en) | 2012-09-27 | 2018-02-06 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing multilayer substrate, multilayer insulation film, and multilayer substrate |
TWI645749B (zh) * | 2012-09-27 | 2018-12-21 | 日商積水化學工業股份有限公司 | Method for manufacturing multilayer substrate, multilayer insulating film and multilayer substrate |
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