JP2004342640A - 研磨パッド - Google Patents
研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004342640A JP2004342640A JP2003133902A JP2003133902A JP2004342640A JP 2004342640 A JP2004342640 A JP 2004342640A JP 2003133902 A JP2003133902 A JP 2003133902A JP 2003133902 A JP2003133902 A JP 2003133902A JP 2004342640 A JP2004342640 A JP 2004342640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing pad
- polished
- polishing
- wafer
- window member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、窓部材を有する研磨パッドにおいて、ウェーハを平坦に研磨することができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド20の窓部材30は、長手方向において同一の幅を有する矩形状に形成されるとともに、その長さLは、ウェーハWの被研磨面に対し、被研磨面の直径Dを超えて接する長さに形成されている。これにより、研磨パッド20によって研磨されるウェーハWの被研磨面は、その全体が窓部材30の影響を受けるので、被研磨面全体が平坦に研磨される。
【選択図】 図4
【解決手段】研磨パッド20の窓部材30は、長手方向において同一の幅を有する矩形状に形成されるとともに、その長さLは、ウェーハWの被研磨面に対し、被研磨面の直径Dを超えて接する長さに形成されている。これにより、研磨パッド20によって研磨されるウェーハWの被研磨面は、その全体が窓部材30の影響を受けるので、被研磨面全体が平坦に研磨される。
【選択図】 図4
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は化学的機械研磨法(CMP:Chemical Mechanical Polishing )によって半導体ウェーハを研磨する研磨パッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
CMPによるウェーハの研磨は、回転する研磨パッドにウェーハを回転させながら所定の圧力で押し付け、その研磨パッドとウェーハとの間にメカノケミカル研磨剤(スラリー)を供給することによって行われる。このCMPの主な目的は、ウェーハ上のIC回路の表面に形成される段差を除去し、IC回路の高密度化の達成を容易にすること、そして、不要な膜厚の層を除去することにある。
【0003】
この際、IC回路を形成する各層の膜厚は非常に小さく、前記段差が除去された後にも、僅かの膜厚を残していたりすることもある。したがって、不要な膜を除去した時点でCMPを停止させるCMPの終点の検出は非常に重要である。特に、装置稼働率の向上、生産性の向上等の観点より、CMP処理中での終点の検出がなされることが多く、そのための各種手段が提案されている。
【0004】
その終点検出手段として、研磨面、底面、及び研磨面から底面に貫通して形成された開口部を有し、この開口部に透明シートを貼り付けるとともに透光性の窓部材を取り付けた研磨パッドが使用されている(例えば、特許文献1)。この研磨パッドの下方には、レーザー干渉計が取り付けられ、レーザー干渉計から投射されるレーザービームを、研磨パッドの前記開口部及び窓部材を介してウェーハの被研磨面に照射し、その反射レーザービームをレーザー干渉計で受光することによりCMP処理中でのウェーハ上の段差量が演算され、CMP処理中での終点検出が行なわれている。
【0005】
ところで、図7の如く研磨パッド1の窓部材2の大きさは、レーザービームの投射及び反射に影響の無い大きさであればよく、従来ではウェーハ3に対し小さなものであった。
【0006】
なお、レーザー干渉計による終点検出は公知であるので、ここではその説明を省略する(例えば、特許文献2)。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−291686号公報
【0008】
【特許文献2】
特開平10−83977号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1の研磨パッドは、ブローンポリウレタンによって形成されている。また、研磨パッドの開口部に取り付けられてウェーハの被研磨面に接触される窓部材においても、ブローンポリウレタンに材質が近いポリウレタンによって形成され、双方の材質の違いによる研磨の影響を極力小さくしている。
【0010】
しかしながら、材質は似ていても研磨パッドと窓部材との研磨機能に多少の差が生じることは否めず、これに起因してウェーハの被研磨面が窓部材の影響を受けて平坦に研磨されないという欠点があった。
【0011】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、窓部材を有する研磨パッドにおいてウェーハを平坦に研磨することができる研磨パッドを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するために、ウェーハ研磨用の研磨パッドであって、該研磨パッドの一部に透光性の窓部材が設けられた研磨パッドにおいて、前記窓部材は、前記ウェーハの被研磨面に対し、該被研磨面の直径を超えて接する大きさに形成されていることを特徴とする研磨パッドを提供する。
【0013】
本願出願人は、研磨パッドと窓部材との材質が同一又は類似であっても、研磨パッドと窓部材との研磨機能に差が生じる原因が、ウェーハの被研磨面に対する窓部材の大きさにあることを突き止めた。すなわち、図7に示した従来の研磨パッド1は、ウェーハ3に対する窓部材2の大きさが圧倒的に小さい。このため、ウェーハ3の被研磨面は、窓部材2の影響を局所的に受けるので平坦に研磨されない。
【0014】
そこで、本願出願人は、ウェーハの被研磨面全体に窓部材の影響を均一に与えれば、被研磨面全体を平坦に研磨できることを見いだした。よって、本発明は、窓部材の大きさを、ウェーハの被研磨面に対し、被研磨面の直径を超えて接する大きさとした。これにより、被研磨面全体が窓部材の影響を受けるので、被研磨面全体が平坦に研磨される。
【0015】
窓部材の形状は、長手方向において同一の幅を有する矩形状でもよく、また、被研磨面の膜厚分布に合わせるように、長手方向において幅が異なる大きさに形成してもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に従って本発明に係る研磨パッドの好ましい実施の形態について詳説する。
【0017】
図1は、ウェーハ研磨装置用の研磨パッド20の要部拡大断面図である。同図に示すように研磨パッド20は、研磨用部材層22と裏打ち層24とが接着シート26により貼り合わされて構成されている。研磨パッド20の一部には窓部28が設けられ、窓部28においては裏打ち層24が除去されている。更に、窓部28には、研磨用部材層22と略面一に透光性の窓部材30が着脱自在に取り付けられている。
【0018】
接着シート26は、ポリエチレンテレフタレート製シートの両面に粘着層が形成されることにより構成されている。窓部28において、ポリエチレンテレフタレート製シート下面の粘着層は除去されず、残留した状態にある。なお、ポリエチレンテレフタレート製シートに代えて、ポリエチレン、ポリプロピレン、ベスペル(商品名)等のシートを使用してもよい。このような接着シート26を使用することにより、CMP処理中に研磨用部材層22に浸透したスラリーが研磨用部材層22の下方に漏洩するのを防止できる。
【0019】
研磨パッド20のうち、研磨用部材層22及び窓部材30は研磨面を構成し、スラリーと協働してウェーハ上のIC回路の表面に形成される段差を除去する。研磨用部材層22及び窓部材30としては、通常、連続気泡タイプの発泡ポリウレタン樹脂が使用される。
【0020】
窓部28は、図2、図3の如く研磨パッド20の1箇所に形成されるとともに、その形状は、研磨パッド20の周面から研磨パッド20の中心に向けて切り欠くように形成された矩形を呈している。この矩形の窓部28に、矩形状の窓部材30が取り付けられている。この窓部28の下面から、後述する方法によりCMP処理中での終点検出がなされる。
【0021】
次に、研磨パッド20の使用方法、及びCMP処理中での終点検出の原理等について説明する。
【0022】
図2は、機械化学的研磨装置10の全体構成を示す斜視図である。同図に示す機械化学的研磨装置10は、主として研磨定盤12とウェーハ保持ヘッド14とで構成されている。
【0023】
研磨定盤12は円盤状に形成され、その下面中央には回転軸16が連結されている。研磨定盤12は、この回転軸16に連結されたモータ18を駆動することにより回転する。また、この研磨定盤12の上面には研磨パッド20が貼り付けられており、この研磨パッド20上に図示しないノズルからメカノケミカル研磨剤(スラリー)が供給される。
【0024】
この機械化学的研磨装置10によれば、まず、ウェーハWをウェーハ保持ヘッド14で保持して研磨パッド20上に載置する。次に、研磨定盤12を図2上で矢印A方向に回転させるとともに、ウェーハ保持ヘッド14を図2上で矢印B方向に回転させる。そして、その回転する研磨パッド20上に図示しないノズルからスラリーを供給する。これにより、ウェーハWの被研磨面が研磨パッド20により研磨される。
【0025】
図3は、CMP処理中での終点検出手段の構成を示す概念図である。機械化学的研磨装置10において、研磨定盤12には貫通孔31が形成され、貫通孔31の位置に窓部28(図2参照)が位置するように研磨パッド20が研磨定盤12に貼り付けられている。
【0026】
研磨定盤12の下方の所定の位置にはレーザー干渉計32が配設されている。そして、レーザー干渉計32からのレーザービーム34が貫通孔31、窓部28、及び窓部材30を介してウェーハWの被研磨面に照射され、そして、窓部材30、窓部28及び貫通孔31を経て反射されるレーザービームがレーザー干渉計32に戻るように配される。ただし、研磨定盤12は回転するので、貫通孔31が研磨定盤12の回転によりレーザー干渉計32の直上に来たときのみ、測定がなされる。これにより、貫通孔31を経て反射されるレーザービームがレーザー干渉計32によって検出され、CMP処理中でのウェーハW上の段差量が演算されることにより、CMP処理中での終点の検出がなされる。
【0027】
ところで、実施の形態の研磨パッド20の窓部材30は、図4の如く長手方向において同一の幅を有する矩形状に形成されるとともに、その長さLは、ウェーハWの被研磨面に対し、被研磨面の直径Dを超えて接する長さに形成されている。これにより、研磨パッド20によって研磨されるウェーハWの被研磨面は、その全体が窓部材30の影響を受けるので、被研磨面全体が平坦に研磨される。
【0028】
実施の形態では、長手方向において同一の幅を有する矩形状の窓部材30について述べたが、研磨パッド20上で複数枚のウェーハWを同時に研磨するものであれば、窓部材30の形状を図4上で二点鎖線で示す十字形状に形成してもよい。また、ウェーハWの被研磨面に膜厚分布があるものであれば、図5、図6の如く、その膜厚分布に合わせるように、長手方向において幅が異なる大きさの例えば楔形状に窓部材30A、30Bを形成すればよい。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る研磨パッドによれば、窓部材の大きさを、ウェーハの被研磨面に対し、被研磨面の直径を超えて接する大きさとしたので、被研磨面全体が窓部材の影響を受けるようになり、これによって、被研磨面全体を平坦に研磨できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態の研磨パッドの要部拡大断面図であり図4の1−1線に沿った断面図
【図2】図1に示した研磨パッドが適用されたウェーハ研磨装置の全体構成図
【図3】CMP処理中での終点検出手段の構成を示す概念図
【図4】図1のウェーハ研磨装置に適用された研磨パッドの平面図
【図5】研磨パッドの他の実施の形態を示す平面図
【図6】研磨パッドの他の実施の形態を示す平面図
【図7】従来の研磨パッドを示す平面図
【符号の説明】
10…機械化学的研磨装置、12…研磨定盤、14…ウェーハ保持ヘッド、20…研磨パッド、22…研磨用部材層、24…裏打ち層、26…接着シート、28…窓部、30…窓部材、32…レーザー干渉計、34…レーザービーム
【発明の属する技術分野】
本発明は化学的機械研磨法(CMP:Chemical Mechanical Polishing )によって半導体ウェーハを研磨する研磨パッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
CMPによるウェーハの研磨は、回転する研磨パッドにウェーハを回転させながら所定の圧力で押し付け、その研磨パッドとウェーハとの間にメカノケミカル研磨剤(スラリー)を供給することによって行われる。このCMPの主な目的は、ウェーハ上のIC回路の表面に形成される段差を除去し、IC回路の高密度化の達成を容易にすること、そして、不要な膜厚の層を除去することにある。
【0003】
この際、IC回路を形成する各層の膜厚は非常に小さく、前記段差が除去された後にも、僅かの膜厚を残していたりすることもある。したがって、不要な膜を除去した時点でCMPを停止させるCMPの終点の検出は非常に重要である。特に、装置稼働率の向上、生産性の向上等の観点より、CMP処理中での終点の検出がなされることが多く、そのための各種手段が提案されている。
【0004】
その終点検出手段として、研磨面、底面、及び研磨面から底面に貫通して形成された開口部を有し、この開口部に透明シートを貼り付けるとともに透光性の窓部材を取り付けた研磨パッドが使用されている(例えば、特許文献1)。この研磨パッドの下方には、レーザー干渉計が取り付けられ、レーザー干渉計から投射されるレーザービームを、研磨パッドの前記開口部及び窓部材を介してウェーハの被研磨面に照射し、その反射レーザービームをレーザー干渉計で受光することによりCMP処理中でのウェーハ上の段差量が演算され、CMP処理中での終点検出が行なわれている。
【0005】
ところで、図7の如く研磨パッド1の窓部材2の大きさは、レーザービームの投射及び反射に影響の無い大きさであればよく、従来ではウェーハ3に対し小さなものであった。
【0006】
なお、レーザー干渉計による終点検出は公知であるので、ここではその説明を省略する(例えば、特許文献2)。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−291686号公報
【0008】
【特許文献2】
特開平10−83977号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1の研磨パッドは、ブローンポリウレタンによって形成されている。また、研磨パッドの開口部に取り付けられてウェーハの被研磨面に接触される窓部材においても、ブローンポリウレタンに材質が近いポリウレタンによって形成され、双方の材質の違いによる研磨の影響を極力小さくしている。
【0010】
しかしながら、材質は似ていても研磨パッドと窓部材との研磨機能に多少の差が生じることは否めず、これに起因してウェーハの被研磨面が窓部材の影響を受けて平坦に研磨されないという欠点があった。
【0011】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、窓部材を有する研磨パッドにおいてウェーハを平坦に研磨することができる研磨パッドを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するために、ウェーハ研磨用の研磨パッドであって、該研磨パッドの一部に透光性の窓部材が設けられた研磨パッドにおいて、前記窓部材は、前記ウェーハの被研磨面に対し、該被研磨面の直径を超えて接する大きさに形成されていることを特徴とする研磨パッドを提供する。
【0013】
本願出願人は、研磨パッドと窓部材との材質が同一又は類似であっても、研磨パッドと窓部材との研磨機能に差が生じる原因が、ウェーハの被研磨面に対する窓部材の大きさにあることを突き止めた。すなわち、図7に示した従来の研磨パッド1は、ウェーハ3に対する窓部材2の大きさが圧倒的に小さい。このため、ウェーハ3の被研磨面は、窓部材2の影響を局所的に受けるので平坦に研磨されない。
【0014】
そこで、本願出願人は、ウェーハの被研磨面全体に窓部材の影響を均一に与えれば、被研磨面全体を平坦に研磨できることを見いだした。よって、本発明は、窓部材の大きさを、ウェーハの被研磨面に対し、被研磨面の直径を超えて接する大きさとした。これにより、被研磨面全体が窓部材の影響を受けるので、被研磨面全体が平坦に研磨される。
【0015】
窓部材の形状は、長手方向において同一の幅を有する矩形状でもよく、また、被研磨面の膜厚分布に合わせるように、長手方向において幅が異なる大きさに形成してもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に従って本発明に係る研磨パッドの好ましい実施の形態について詳説する。
【0017】
図1は、ウェーハ研磨装置用の研磨パッド20の要部拡大断面図である。同図に示すように研磨パッド20は、研磨用部材層22と裏打ち層24とが接着シート26により貼り合わされて構成されている。研磨パッド20の一部には窓部28が設けられ、窓部28においては裏打ち層24が除去されている。更に、窓部28には、研磨用部材層22と略面一に透光性の窓部材30が着脱自在に取り付けられている。
【0018】
接着シート26は、ポリエチレンテレフタレート製シートの両面に粘着層が形成されることにより構成されている。窓部28において、ポリエチレンテレフタレート製シート下面の粘着層は除去されず、残留した状態にある。なお、ポリエチレンテレフタレート製シートに代えて、ポリエチレン、ポリプロピレン、ベスペル(商品名)等のシートを使用してもよい。このような接着シート26を使用することにより、CMP処理中に研磨用部材層22に浸透したスラリーが研磨用部材層22の下方に漏洩するのを防止できる。
【0019】
研磨パッド20のうち、研磨用部材層22及び窓部材30は研磨面を構成し、スラリーと協働してウェーハ上のIC回路の表面に形成される段差を除去する。研磨用部材層22及び窓部材30としては、通常、連続気泡タイプの発泡ポリウレタン樹脂が使用される。
【0020】
窓部28は、図2、図3の如く研磨パッド20の1箇所に形成されるとともに、その形状は、研磨パッド20の周面から研磨パッド20の中心に向けて切り欠くように形成された矩形を呈している。この矩形の窓部28に、矩形状の窓部材30が取り付けられている。この窓部28の下面から、後述する方法によりCMP処理中での終点検出がなされる。
【0021】
次に、研磨パッド20の使用方法、及びCMP処理中での終点検出の原理等について説明する。
【0022】
図2は、機械化学的研磨装置10の全体構成を示す斜視図である。同図に示す機械化学的研磨装置10は、主として研磨定盤12とウェーハ保持ヘッド14とで構成されている。
【0023】
研磨定盤12は円盤状に形成され、その下面中央には回転軸16が連結されている。研磨定盤12は、この回転軸16に連結されたモータ18を駆動することにより回転する。また、この研磨定盤12の上面には研磨パッド20が貼り付けられており、この研磨パッド20上に図示しないノズルからメカノケミカル研磨剤(スラリー)が供給される。
【0024】
この機械化学的研磨装置10によれば、まず、ウェーハWをウェーハ保持ヘッド14で保持して研磨パッド20上に載置する。次に、研磨定盤12を図2上で矢印A方向に回転させるとともに、ウェーハ保持ヘッド14を図2上で矢印B方向に回転させる。そして、その回転する研磨パッド20上に図示しないノズルからスラリーを供給する。これにより、ウェーハWの被研磨面が研磨パッド20により研磨される。
【0025】
図3は、CMP処理中での終点検出手段の構成を示す概念図である。機械化学的研磨装置10において、研磨定盤12には貫通孔31が形成され、貫通孔31の位置に窓部28(図2参照)が位置するように研磨パッド20が研磨定盤12に貼り付けられている。
【0026】
研磨定盤12の下方の所定の位置にはレーザー干渉計32が配設されている。そして、レーザー干渉計32からのレーザービーム34が貫通孔31、窓部28、及び窓部材30を介してウェーハWの被研磨面に照射され、そして、窓部材30、窓部28及び貫通孔31を経て反射されるレーザービームがレーザー干渉計32に戻るように配される。ただし、研磨定盤12は回転するので、貫通孔31が研磨定盤12の回転によりレーザー干渉計32の直上に来たときのみ、測定がなされる。これにより、貫通孔31を経て反射されるレーザービームがレーザー干渉計32によって検出され、CMP処理中でのウェーハW上の段差量が演算されることにより、CMP処理中での終点の検出がなされる。
【0027】
ところで、実施の形態の研磨パッド20の窓部材30は、図4の如く長手方向において同一の幅を有する矩形状に形成されるとともに、その長さLは、ウェーハWの被研磨面に対し、被研磨面の直径Dを超えて接する長さに形成されている。これにより、研磨パッド20によって研磨されるウェーハWの被研磨面は、その全体が窓部材30の影響を受けるので、被研磨面全体が平坦に研磨される。
【0028】
実施の形態では、長手方向において同一の幅を有する矩形状の窓部材30について述べたが、研磨パッド20上で複数枚のウェーハWを同時に研磨するものであれば、窓部材30の形状を図4上で二点鎖線で示す十字形状に形成してもよい。また、ウェーハWの被研磨面に膜厚分布があるものであれば、図5、図6の如く、その膜厚分布に合わせるように、長手方向において幅が異なる大きさの例えば楔形状に窓部材30A、30Bを形成すればよい。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る研磨パッドによれば、窓部材の大きさを、ウェーハの被研磨面に対し、被研磨面の直径を超えて接する大きさとしたので、被研磨面全体が窓部材の影響を受けるようになり、これによって、被研磨面全体を平坦に研磨できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態の研磨パッドの要部拡大断面図であり図4の1−1線に沿った断面図
【図2】図1に示した研磨パッドが適用されたウェーハ研磨装置の全体構成図
【図3】CMP処理中での終点検出手段の構成を示す概念図
【図4】図1のウェーハ研磨装置に適用された研磨パッドの平面図
【図5】研磨パッドの他の実施の形態を示す平面図
【図6】研磨パッドの他の実施の形態を示す平面図
【図7】従来の研磨パッドを示す平面図
【符号の説明】
10…機械化学的研磨装置、12…研磨定盤、14…ウェーハ保持ヘッド、20…研磨パッド、22…研磨用部材層、24…裏打ち層、26…接着シート、28…窓部、30…窓部材、32…レーザー干渉計、34…レーザービーム
Claims (3)
- ウェーハ研磨用の研磨パッドであって、該研磨パッドの一部に透光性の窓部材が設けられた研磨パッドにおいて、
前記窓部材は、前記ウェーハの被研磨面に対し、該被研磨面の直径を超えて接する大きさに形成されていることを特徴とする研磨パッド。 - 前記窓部材は、長手方向において同一の幅を有する矩形状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記窓部材は、該被研磨面の膜厚分布に合わせるように、長手方向において幅が異なる大きさに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の研磨パッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003133902A JP2004342640A (ja) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | 研磨パッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003133902A JP2004342640A (ja) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | 研磨パッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004342640A true JP2004342640A (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=33524593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003133902A Pending JP2004342640A (ja) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | 研磨パッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004342640A (ja) |
-
2003
- 2003-05-13 JP JP2003133902A patent/JP2004342640A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20070161342A1 (en) | Polishing pad, polishing apparatus and method for polishing wafer | |
US20040266322A1 (en) | Polishing pad, polishing apparatus and method for polishing wafer | |
US20090247057A1 (en) | Polishing platen and polishing apparatus | |
US20070284764A1 (en) | Sensing mechanism for crystal orientation indication mark of semiconductor wafer | |
JP2007235069A (ja) | ウェーハ加工方法 | |
JP2010017848A (ja) | 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド | |
JP5474093B2 (ja) | 窓支持部を具備する研磨パッドおよび研磨システム | |
JP2005316448A (ja) | マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及び研磨装置。 | |
WO2007099787A1 (ja) | ウェーハ加工方法 | |
JP2005508261A (ja) | 光学ウィンドウを有する研磨パッドを製造する方法 | |
JP2003163191A (ja) | 機械化学的研磨装置用の研磨パッド | |
JP2004342640A (ja) | 研磨パッド | |
JP2011187608A (ja) | ウェハーの加工方法 | |
JP7189026B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2018041823A (ja) | テープ貼着方法 | |
JP2004319584A (ja) | 研磨パッド及びその製造方法 | |
JP2010147427A (ja) | 試料ウェハの研磨方法、試料ウェハの検査方法、および、被研磨体保持治具 | |
JP2022172109A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP7233816B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JPH09277163A (ja) | 研磨方法と研磨装置 | |
JP2003273046A (ja) | 研磨装置及びテープ並びに方法 | |
US6705922B1 (en) | Method and apparatus for polishing a semiconductor substrate wafer | |
JP6794464B2 (ja) | 薄い研磨パッド内の窓 | |
JP2001185537A (ja) | 高平坦度半導体ウェーハの製造方法及び高平坦度半導体ウェーハ | |
JP2006156688A (ja) | 鏡面面取り装置およびそれ用の研磨布 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051018 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080930 |