JP2004235397A - Semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂基板に半導体チップをFC(フリップチップ)実装した半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、AV技術の進歩により、高画質、大画面のディスプレイ装置が家庭用に普及が始まろうとしている。中でも、PDP(プラズマディスプレイ)装置は、その性能において秀でたものが有る。こういったディスプレイ装置に最も近い画面周囲に有るデータドライバー用の実装用フレキシブル樹脂基板及びチップを含む半導体装置の構造についての従来技術を以下に説明する。
【0003】
従来のデータドライバーに用いられた半導体装置の代表的な構造物にCOFが有る。COF構造は、図6に示す様に、表面にリード線5が形成されたフレキシブルな樹脂基板1に、金属バンプ2を形成した半導体チップ3を対面させてフリップチップ接続し、樹脂基板1と半導体チップ3の間にアンダーフィル樹脂4を流し込み、半導体チップ3と樹脂基板1との間隙を充填している。なお、23はソルダーレジストである。このCOF構造の場合、THB評価(高温、高湿、高バイアス)において、信頼性に問題がある場合が多い。信頼性を低下させる要因は、テープ基材で構成される樹脂基板1、アンダーフィル樹脂4の吸湿性、或はアンダーフィル樹脂4と半導体チップ3、アンダーフィル樹脂4と樹脂基板1との間の密着性の不足などが想像できる。
【0004】
【特許文献1】
特開平6−275742号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
先述の図6のようにCOFで半導体装置を製作した場合、信頼性の問題が有ると述べたが、例えば0V〜80V程度の間でチップ内に電圧差を持たせTHB試験(85℃、85%湿度)を実施した場合に、外部からの吸湿によりチップ内部で金属イオンが発生する事によるマイグレーションが起こる。水分の進入経路は、樹脂基板1或いはアンダーフィル樹脂4を通して、さらにはアンダーフィル樹脂4と半導体チップ3又はアンダーフィル樹脂4と樹脂基板1との間で密着性が悪い場合が想定される。
【0006】
本発明の目的は、耐湿性を向上させて信頼性の向上が図れる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1記載の半導体装置は、表面にリード線が形成された樹脂基板の表面と半導体チップの電極が存在する表面とが対向して配置され、半導体チップの電極と樹脂基板の表面に形成されたリード線とがバンプによって電気的に接続され、半導体チップと樹脂基板との間が封止樹脂で封止された半導体装置であって、樹脂基板にはバンプと対向する部分よりも樹脂基板の端部側の領域にスリットが形成され、樹脂基板の裏面には少なくともスリットを蓋するように金属膜またはガラス層が形成されたことを特徴とする。
【0008】
この請求項1の構成によれば、樹脂基板にバンプと対向する部分よりも端部側の領域にスリットを形成したことにより、外部に露出した樹脂基板の側面から浸入した水分がスリットの手前で止まる。その結果、リード線とバンプの接合部の近傍に水分が達し難く、信頼性が向上することになる。また、樹脂基板の裏面に金属膜またはガラス層を形成したことにより、樹脂基板の裏面からの水分の浸入も抑えられ信頼性が向上するとともに、放熱性に優れたものとなる。
【0009】
また、請求項2記載の半導体装置は、請求項1記載の半導体装置において、金属膜またはガラス層は樹脂基板の裏面の全面に形成されたことを特徴とする。
【0010】
この請求項2の構成により、樹脂基板の裏面からの水分の浸入がより抑えられて信頼性がより向上するとともに、より放熱性に優れたものとなる。
【0011】
また、請求項3記載の半導体装置は、請求項1または2記載の半導体装置において、スリットは連続した環状に形成され、樹脂基板はスリットによって囲まれた領域とスリットの外方の領域とに分離されたことを特徴とする。
【0012】
この請求項3の構成により、バンプと対向する樹脂基板の部分が、連続した環状のスリットによって囲まれた領域内となるため、樹脂基板の側面から浸入する水分がリード線とバンプの接合部の近傍により達し難くなり、信頼性をより向上できる。
【0013】
また、請求項4記載の半導体装置は、請求項3記載の半導体装置において、スリットは半導体チップの各辺と略平行に形成されたことを特徴とする。
【0014】
この請求項4の構成により、例えば楕円等の様に大きな曲率円で構成される場合、このスリットを金型でスタンプする場合に、金型を安価に製作でき且つ寿命を長くすることが可能となり、コスト面で有利である。
【0015】
また、請求項5記載の半導体装置は、請求項1または2記載の半導体装置において、スリットは不連続な環状に形成され、樹脂基板はスリットによって囲まれた領域とスリットの外方の領域とにスリットの不連続な部分を除いて分離されたことを特徴とする。
【0016】
この請求項5の構成により、バンプと対向する樹脂基板の部分が、不連続な環状のスリットによって囲まれた領域内となるため、樹脂基板の側面から浸入する水分がリード線とバンプの接合部の近傍により達し難くなり、信頼性をより向上できる。この場合、スリットが不連続なため、請求項3の構成と比較すれば、水分浸入の防止効果はやや劣るが、製法上、樹脂基板にスリットを形成した後で、その樹脂基板にリード線を貼り合わせる工法が可能となる。
【0017】
また、請求項6記載の半導体装置は、請求項5記載の半導体装置において、スリットは半導体チップの各辺と略平行に形成されたことを特徴とする。
【0018】
この請求項6の構成により、例えば楕円等の様に大きな曲率円で構成される場合、このスリットを金型でスタンプする場合に、金型を安価に製作でき且つ寿命を長くすることが可能となり、コスト面で有利である。
【0019】
また、請求項7記載の半導体装置は、請求項6記載の半導体装置において、半導体チップの各辺と略平行に形成されたスリットの不連続な部分は、半導体チップの角部と対向する部分であることを特徴とする。
【0020】
この請求項7の構成により、樹脂基板にスリットを形成した後で、その樹脂基板にリード線を貼り合わせる工法を用いる場合に、リード線を貼り合わせる前の、スリットを形成した樹脂基板の強度を高く保つことができる。
【0021】
本発明の請求項8記載の半導体装置の製造方法は、半導体チップの表面の電極上にバンプを形成する工程と、表面にリード線が形成されたチップ搭載基板を準備する工程と、チップ搭載基板のリード線が形成された表面と半導体チップのバンプの形成された表面とを対向させ、バンプとリード線とを接続する工程と、半導体チップとチップ搭載基板との間を封止樹脂により封止する工程とを含み、準備されるチップ搭載基板は、表面にリード線が形成されかつバンプと対向する部分よりも端部側の領域にスリットが形成された樹脂基板と、樹脂基板の裏面に少なくともスリットを蓋するように形成された金属膜またはガラス層とを有するものである。
【0022】
この請求項8の製造方法によれば、チップ搭載基板として、樹脂基板にバンプと対向する部分よりも端部側の領域にスリットを形成したことにより、外部に露出した樹脂基板の側面から浸入した水分がスリットの手前で止まる。その結果、リード線とバンプの接合部の近傍に水分が達し難く、信頼性が向上することになる。また、樹脂基板の裏面に金属膜またはガラス層を形成したことにより、樹脂基板の裏面からの水分の浸入も抑えられ信頼性が向上するとともに、放熱性に優れる。
【0023】
また、請求項9記載の半導体装置の製造方法は、請求項8記載の半導体装置の製造方法において、金属膜またはガラス層は樹脂基板の裏面の全面に形成されていることを特徴とする。
【0024】
この請求項9の製造方法により、樹脂基板の裏面からの水分の浸入がより抑えられて信頼性がより向上するとともに、より放熱性に優れたものとなる。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の半導体装置の断面構造を図1に示す。図1において、14はエポキシ樹脂からなるテープ基材で構成された樹脂基板、15はリード線、16は半導体チップ、17は半導体チップ16の表面の電極(図示せず)上に形成されリード線15と接続されたAu等のバンプ、18は樹脂基板14に形成されたスリット、19はAl、Cu等の金属箔またはガラス、20は封止樹脂であるアンダーフィル樹脂である。図2(a)は樹脂基板14に形成されたスリット18の一例を示す平面図である。
【0026】
この半導体装置は、樹脂基板14上に半導体チップ16をFC(フリップチップ)実装している。すなわち、半導体チップ16をフェイスダウンし、樹脂基板14上に形成されたリード線15と半導体チップ16の表面の電極(図示せず)とがバンプ17によって電気的に接続されている。樹脂基板14は、図2(a)に示すように、スリット18によって、ほぼ真上に半導体チップ16が搭載される部分の基板中央部14aと、その周囲部分の基板周辺部14bとに分離されている。半導体チップ16表面の電極上に形成されたバンプ17とリード線15との接合点は、基板周辺部14bと切り離された基板中央部14a上に存在する。また本構造では、樹脂基板14のリード配線面とは逆の面に、薄いAl、Cu等の金属箔またはガラス19を貼り付けておく。貼り付け方法は、TABなどでのCu箔貼り付け用の接着樹脂、接着シートを用いる。この金属箔またはガラス19は、樹脂基板14に形成されたスリット18を通ってアンダーフィル樹脂20が流れ出ないようにするため、少なくともスリット18部分を覆うように形成される必要がある。
【0027】
この構成によれば、テープ基材で構成された樹脂基板14に、バンプ17と対向する部分よりも端部側の領域にスリット18を形成し、スリット18内が水分の浸透しにくいアンダーフィル樹脂20で充填されているため、外部に露出した樹脂基板14の側面から浸入した水分がスリット18の手前で止まる。その結果、リード線15とバンプ17の接合部の近傍に水分が達し難く(耐湿性の向上)、信頼性が向上することになる。また、樹脂基板14の裏面に金属箔またはガラス19を貼り付けておくことにより、樹脂基板14の裏面からの水分の浸入も抑えられ(耐湿性の向上)信頼性が向上するとともに、放熱性に優れたものとなる。また、COF構造の特徴として、アンダーフィル樹脂20の注入量が少ないためにチップの反りが発生しにくい。そのため樹脂基板14とアンダーフィル樹脂20間、或いは半導体チップ16とアンダーフィル樹脂20間に与える応力を小さく抑えることができ、これら界面へのダメージが小さくなり、結果として水分の浸入に対する信頼性が向上する。
【0028】
なお、図2(a)の場合、スリット18を、半導体チップ16の平面形状である四角形の各辺と略平行で、かつ連続して形成しているが、図2(b)に示すように不連続に形成してあってもよい。この場合、後述するが製造上の利点がある。
【0029】
なお、連続または不連続に形成されるスリット18の形状を、半導体チップ16の各辺と略平行な四角形としたが、四角形に限らず、多角形、楕円、真円など他の形状であっても、バンプ17と対向する部分よりも端部側の領域に形成することで、同様に効果を得ることが可能である。
【0030】
次に本実施の形態における半導体装置の製造方法を、図3に示す工程断面図を参照して説明する。
【0031】
まず図3(a)に示す様に、エポキシ樹脂からなるテープ基材21(図1では樹脂基板14)に、リード配線用のCu等の金属箔22を一般的なTABテープ同様に接着樹脂、接着シートを用いて貼り合わせる。
【0032】
次に図3(b)に示す様に、テープ基材21にスリット18を形成し基板中央部14aと基板周辺部14bとに分離する。ここでスリット18は例えば図2(a)に示された形状である。このスリット18は、リード配線用の金属箔22を形成した面とは逆の面に、所望する形状にマスキングした後、エッチングによって形成される。
【0033】
次に図3(c)に示す様に、テープ基材21に貼り付けた金属箔22を所望のパターンにエッチングしてリード線15を形成する。
【0034】
次に図3(d)に示す様に、テープ基材21の裏面側すなわちリード配線の反対側にAl等の金属箔またはガラス19を貼り付ける。貼り付けは、先に示した接着樹脂、接着シートを用いて行う。この時に貼り付ける金属箔またはガラス19はスリット18を完全に覆い、スリット18が裏面に露出しないようにする必要がある。
【0035】
次に図3(e)に示す様に、リード線15上に半導体チップ16をフェイスダウンで実装する。ここで、リード線15と半導体チップ16の表面の電極(図示せず)とがバンプ17によって接続される。このとき、ツールがチップ裏面を押した荷重は、リード線15を通じて基板中央部14aが受ける。チップ実装後、アンダーフィル樹脂20を注入し、硬化して完成となる。
【0036】
上記の図3に示した製造方法は一例であり、他の方法として、図3(c)の状態に到るまでに、次に示す手順が可能である。第1に、図4に示す様に、テープ基材21と金属箔22を貼り合わせ、金属箔22を所望のパターンにエッチングしてリード線15を形成した後に、テープ基材21にスリット18をエッチングで形成する手順が可能である。
【0037】
第2に、図5に示す様に、テープ基材21ヘ金属箔(22)を貼り合わせる前に、予め金属箔(22)を所望のパターンにエッチングしてリード線15を形成した状態にしておき、それをテープ基材21と貼り合わせ、その後に、テープ基材21にスリット18をエッチングで形成する手順が可能である。
【0038】
以上に示した各製造方法は、スリット18が、例えば図2(a)のように四角形状に連続して形成される場合も、また図2(b)のように四角形状で不連続に形成される場合も適用可能である。さらにはスリット18の形状が四角形に限らず、多角形、楕円、真円など他の形状で、連続・不連続に形成される場合も適用可能である。
【0039】
また、例えば図2(b)のように、スリット18を不連続に形成する場合には、図3(c)の状態に到るまでに、予め所望のパターンにエッチングしてリード線15を形成した状態の金属箔と、エッチング或はプレスによってスリット18部分が打ち抜かれたテープ基材21とを、先に示した接着樹脂、接着シートで貼り合わせる工法が可能となり、製造が容易となる。この場合、スリット18の不連続部分を、図2(b)のように半導体チップ16の角部(コーナー部)と対応する部分に設けることが、リード線15を形成した金属箔と貼り合わせる前の、スリット18を形成したテープ基材21の強度を維持する上で好ましい。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップをFC実装する樹脂基板に、バンプと対向する部分よりも端部側の領域にスリットを形成したことにより、外部に露出した樹脂基板の側面から浸入した水分がスリットの手前で止まる。その結果、リード線とバンプの接合部の近傍に水分が達し難く(耐湿性の向上)、信頼性が向上することになる。また、樹脂基板の裏面に金属膜またはガラス層を形成したことにより、樹脂基板の裏面からの水分の浸入も抑えられ(耐湿性の向上)信頼性が向上するとともに、放熱性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の半導体装置(COF構造)の断面図
【図2】本発明の実施の形態の半導体装置における樹脂基板に形成されたスリットの例を示す平面図
【図3】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図4】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の他の例を示す工程断面図
【図5】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の他の例を示す工程断面図
【図6】従来の半導体装置(COF構造)の断面図
【符号の説明】
14 樹脂基板
15 リード線
16 半導体チップ
17 バンプ
18 スリット
19 金属箔またはガラス
20 アンダーフィル樹脂
21 テープ基材[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a resin substrate by FC (flip chip) and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, with the progress of AV technology, high-quality, large-screen display devices are beginning to be widely used for home use. Among them, some PDP (plasma display) devices have excellent performance. The prior art concerning the structure of a semiconductor device including a mounting flexible resin substrate and a chip for a data driver located around the screen closest to such a display device will be described below.
[0003]
A typical structure of a semiconductor device used for a conventional data driver is a COF. As shown in FIG. 6, the COF structure is flip-chip connected with a flexible resin substrate 1 having lead wires 5 formed on its surface, with a semiconductor chip 3 having metal bumps 2 facing each other. An underfill resin 4 is poured between the chips 3 to fill a gap between the semiconductor chip 3 and the resin substrate 1.
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-6-275742
[Problems to be solved by the invention]
Although it has been described that there is a reliability problem when a semiconductor device is manufactured by COF as shown in FIG. 6 described above, a THB test (85 ° C., 85 ° C., 85 ° C., 85 ° C. % Humidity), migration occurs due to generation of metal ions inside the chip due to external moisture absorption. It is conceivable that the moisture may enter through the resin substrate 1 or the underfill resin 4, and further, the adhesion between the underfill resin 4 and the semiconductor chip 3 or between the underfill resin 4 and the resin substrate 1 may be poor.
[0006]
An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of improving reliability by improving moisture resistance and a method of manufacturing the same.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, in the semiconductor device, the surface of the resin substrate having the lead wire formed on the surface thereof and the surface of the semiconductor chip on which the electrodes are present are disposed to face each other, and the electrodes of the semiconductor chip and the surface of the resin substrate are disposed. And a semiconductor device in which the semiconductor chip and the resin substrate are sealed with a sealing resin, and the resin substrate is more electrically connected to the resin substrate than the portion facing the bump. A slit is formed in a region on an end portion side of the resin substrate, and a metal film or a glass layer is formed on a rear surface of the resin substrate so as to cover at least the slit.
[0008]
According to the configuration of the first aspect, since the slit is formed in the resin substrate at a region closer to the end portion than the portion facing the bump, moisture entering from the side surface of the resin substrate exposed to the outside is provided before the slit. Stop. As a result, it is difficult for moisture to reach the vicinity of the joint between the lead wire and the bump, and the reliability is improved. In addition, by forming a metal film or a glass layer on the back surface of the resin substrate, penetration of moisture from the back surface of the resin substrate is suppressed, reliability is improved, and heat dissipation is excellent.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor device of the first aspect, the metal film or the glass layer is formed on the entire back surface of the resin substrate.
[0010]
According to the configuration of the second aspect, intrusion of moisture from the back surface of the resin substrate is further suppressed, reliability is further improved, and heat radiation is more excellent.
[0011]
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor device of the first or second aspect, the slit is formed in a continuous annular shape, and the resin substrate is separated into a region surrounded by the slit and a region outside the slit. It is characterized by having been done.
[0012]
According to the structure of the third aspect, the portion of the resin substrate facing the bump is in a region surrounded by the continuous annular slit, so that moisture penetrating from the side surface of the resin substrate is formed at the joint between the lead wire and the bump. It becomes difficult to reach the vicinity, and the reliability can be further improved.
[0013]
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor device of the third aspect, the slit is formed substantially parallel to each side of the semiconductor chip.
[0014]
According to the configuration of the present invention, when the slit is stamped with a mold, the mold can be manufactured at a low cost and the life can be extended when the slit is stamped with the mold. This is advantageous in cost.
[0015]
According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor device of the first or second aspect, the slit is formed in a discontinuous annular shape, and the resin substrate is formed in a region surrounded by the slit and a region outside the slit. The slits are separated except for discontinuous portions.
[0016]
According to the structure of the fifth aspect, the portion of the resin substrate facing the bump is in a region surrounded by the discontinuous annular slit, so that moisture penetrating from the side surface of the resin substrate causes a joint portion between the lead wire and the bump to be formed. , And the reliability can be further improved. In this case, since the slits are discontinuous, the effect of preventing moisture infiltration is slightly inferior to that of the configuration of claim 3, but the lead wire is formed on the resin substrate after forming the slit on the resin substrate due to the manufacturing method. A bonding method is possible.
[0017]
According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor device of the fifth aspect, the slit is formed substantially parallel to each side of the semiconductor chip.
[0018]
According to the configuration of claim 6, when the slit is stamped with a mold, the mold can be manufactured at low cost and the service life can be extended when the slit is stamped with the mold. This is advantageous in cost.
[0019]
According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the sixth aspect, the discontinuous portion of the slit formed substantially parallel to each side of the semiconductor chip is a portion opposed to a corner of the semiconductor chip. There is a feature.
[0020]
According to the configuration of claim 7, when a method of bonding a lead wire to the resin substrate after forming a slit in the resin substrate is used, the strength of the resin substrate having the slit formed before bonding the lead wire is reduced. Can be kept high.
[0021]
9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein a step of forming a bump on an electrode on a surface of the semiconductor chip, a step of preparing a chip mounting board having a lead wire formed on the surface thereof, The surface on which the lead wires are formed and the surface on which the bumps of the semiconductor chip are formed, and connecting the bumps and the lead wires, and sealing between the semiconductor chip and the chip mounting board with a sealing resin. And a prepared chip mounting substrate, a lead substrate is formed on the surface, a resin substrate in which a slit is formed in a region on the end side than a portion opposed to the bump, at least on the back surface of the resin substrate It has a metal film or a glass layer formed so as to cover the slit.
[0022]
According to the manufacturing method of the eighth aspect, as the chip mounting substrate, the slit is formed in the region closer to the end than the portion facing the bump on the resin substrate, so that the resin substrate enters from the side surface of the resin substrate exposed to the outside. Moisture stops before the slit. As a result, it is difficult for moisture to reach the vicinity of the joint between the lead wire and the bump, and the reliability is improved. In addition, since the metal film or the glass layer is formed on the back surface of the resin substrate, penetration of moisture from the back surface of the resin substrate is suppressed, reliability is improved, and heat radiation is excellent.
[0023]
According to a ninth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the eighth aspect, the metal film or the glass layer is formed on the entire back surface of the resin substrate.
[0024]
According to the manufacturing method of the ninth aspect, intrusion of moisture from the back surface of the resin substrate is further suppressed, reliability is further improved, and heat radiation is more excellent.
[0025]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1,
[0026]
In this semiconductor device, a
[0027]
According to this configuration, the
[0028]
In the case of FIG. 2A, the
[0029]
Although the shape of the
[0030]
Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to the process sectional views shown in FIGS.
[0031]
First, as shown in FIG. 3A, a
[0032]
Next, as shown in FIG. 3B, a
[0033]
Next, as shown in FIG. 3 (c), the
[0034]
Next, as shown in FIG. 3D, a metal foil or
[0035]
Next, as shown in FIG. 3E, the
[0036]
The above-described manufacturing method shown in FIG. 3 is an example, and as another method, the following procedure can be performed until the state shown in FIG. 3C is reached. First, as shown in FIG. 4, the
[0037]
Second, as shown in FIG. 5, before bonding the metal foil (22) to the
[0038]
In each of the manufacturing methods described above, the
[0039]
When the
[0040]
【The invention's effect】
According to the present invention, the slits are formed in the resin substrate on which the semiconductor chip is mounted by FC in the region closer to the end than the portion facing the bumps, so that moisture entering from the side surface of the resin substrate exposed to the outside is slit. Stops in front of. As a result, it is difficult for moisture to reach the vicinity of the joint between the lead wire and the bump (improvement in moisture resistance), and reliability is improved. In addition, since a metal film or a glass layer is formed on the back surface of the resin substrate, the penetration of moisture from the back surface of the resin substrate is suppressed (improved moisture resistance), and the reliability is improved and the heat dissipation is excellent. Become.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device (COF structure) according to an embodiment of the present invention; FIG. 2 is a plan view showing an example of a slit formed in a resin substrate in the semiconductor device according to an embodiment of the present invention; FIG. 4 is a process sectional view showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a process sectional view showing another example of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a process cross-sectional view showing another example of the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor device (COF structure).
14
Claims (9)
前記樹脂基板には前記バンプと対向する部分よりも前記樹脂基板の端部側の領域にスリットが形成され、前記樹脂基板の裏面には少なくとも前記スリットを蓋するように金属膜またはガラス層が形成されたことを特徴とする半導体装置。The surface of the resin substrate on which the lead wires are formed and the surface on which the electrodes of the semiconductor chip are disposed are opposed to each other, and the electrodes of the semiconductor chip and the lead wires formed on the surface of the resin substrate are disposed A semiconductor device electrically connected by bumps, wherein the semiconductor chip and the resin substrate are sealed with a sealing resin,
A slit is formed on the resin substrate in a region closer to an end of the resin substrate than a portion facing the bump, and a metal film or a glass layer is formed on the back surface of the resin substrate so as to cover at least the slit. A semiconductor device characterized by being performed.
表面にリード線が形成されたチップ搭載基板を準備する工程と、
前記チップ搭載基板の前記リード線が形成された表面と前記半導体チップの前記バンプの形成された表面とを対向させ、前記バンプと前記リード線とを接続する工程と、
前記半導体チップと前記チップ搭載基板との間を封止樹脂により封止する工程とを含み、
前記準備されるチップ搭載基板は、表面に前記リード線が形成されかつ前記バンプと対向する部分よりも端部側の領域にスリットが形成された樹脂基板と、前記樹脂基板の裏面に少なくとも前記スリットを蓋するように形成された金属膜またはガラス層とを有する半導体装置の製造方法。Forming a bump on the electrode on the surface of the semiconductor chip;
A step of preparing a chip mounting board having a lead wire formed on the surface thereof,
Facing the surface of the semiconductor chip on which the lead wires are formed and the surface of the semiconductor chip on which the bumps are formed, and connecting the bumps and the lead wires;
Sealing the semiconductor chip and the chip mounting substrate with a sealing resin,
The prepared chip mounting substrate is a resin substrate in which the lead wire is formed on the surface and a slit is formed in a region closer to an end than a portion facing the bump, and at least the slit is formed on a back surface of the resin substrate. A method of manufacturing a semiconductor device having a metal film or a glass layer formed so as to cover the semiconductor device.
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