JP2003508825A - 高性能パターン発生器のためのデータパス - Google Patents
高性能パターン発生器のためのデータパスInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70216—Mask projection systems
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-
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S707/00—Data processing: database and file management or data structures
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- Y10S707/99942—Manipulating data structure, e.g. compression, compaction, compilation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
画像を発生するためのアナログSLMなどの高性能パターン発生器のための高速データパスが開示される。データパスは、任意の高いスループットに真の可能性を与える完全に独立の並列なデータフローのための備えを有する。好ましい実施形態では、SLM上の区域が特定のラスタ化プロセッサおよびフラクチャ化プロセッサに割り当てられる。パターン中のエッジの混合のため、およびパターン中のフィーチャー間の相互作用の計算のためのフィールド間の重なりがある。データパスは、誤り状態が生じたときのデータ完全性チェックおよび回復モードを有し、新しい誤りを生成することなく、たいていの誤りから回復することが可能である。
Description
【0001】
(発明の分野)
本発明は、フォトマスク、マイクロ電子デバイスおよびマイクロ光学デバイス
のパターニングのため、およびディスプレイデバイスの製造のためなどのハイエ
ンドパターン発生に関する。セキュリティプリンティングや相互接続デバイスな
どの高精度パターンの他の用途も本発明に関する。
のパターニングのため、およびディスプレイデバイスの製造のためなどのハイエ
ンドパターン発生に関する。セキュリティプリンティングや相互接続デバイスな
どの高精度パターンの他の用途も本発明に関する。
【0002】
パターン発生器という用語は、本明細書では、一般に感光性表面に対する光の
作用によって、データから物理的パターンを生成する機械を意味するために使用
される。
作用によって、データから物理的パターンを生成する機械を意味するために使用
される。
【0003】
(背景)
集積回路の製造のためのフォトマスクのパターニングは、いわゆるモアの法則
(More’s law)に従って発展しており、3年ごとに以前のものの4倍
の複雑さをもつ新しい回路世代が生成される。35年前、パターンは赤いプラス
チックフィルム、いわゆるルビリスフィルム(Rubylith film)に
ナイフを用いて手作業で切っていた。その後、ますます精密で複雑なパターンの
必要から、コンピュータ制御ステージと、感光剤フィルム上に一連の長方形を露
光するフラッシュランプとをもつ光学パターン発生器が開発されるようになった
。80年代中頃、電子ビームおよび光学ラスタ走査パターン発生器が発明され、
それ以来、驚くべき精度とフィーチャー(feature:像形態)密度とを有するマ
スクが得られるようになった。しかしながら、主要な直列デバイスにあるラスタ
走査パターン発生器はその経済生命の終わりに近づいている。必要なものは、モ
アの法則によって予測される複雑さの指数関数的成長についていくことができる
全く新しい書込み原理である。
(More’s law)に従って発展しており、3年ごとに以前のものの4倍
の複雑さをもつ新しい回路世代が生成される。35年前、パターンは赤いプラス
チックフィルム、いわゆるルビリスフィルム(Rubylith film)に
ナイフを用いて手作業で切っていた。その後、ますます精密で複雑なパターンの
必要から、コンピュータ制御ステージと、感光剤フィルム上に一連の長方形を露
光するフラッシュランプとをもつ光学パターン発生器が開発されるようになった
。80年代中頃、電子ビームおよび光学ラスタ走査パターン発生器が発明され、
それ以来、驚くべき精度とフィーチャー(feature:像形態)密度とを有するマ
スクが得られるようになった。しかしながら、主要な直列デバイスにあるラスタ
走査パターン発生器はその経済生命の終わりに近づいている。必要なものは、モ
アの法則によって予測される複雑さの指数関数的成長についていくことができる
全く新しい書込み原理である。
【0004】
一連の係属PCT特許出願(SE99/00310他)において、発明者の1
人(Sandstrom)は、どの他の以前に知られているシステムにも勝る解
像度、精度およびスループットにおける利点をもつ新規のタイプのパターン発生
器を開示している。本発明は、前記新規のタイプのパターン発生器において使用
すべき極めて高いデータ能力をもつデータパスである。本発明の別の態様は、非
常に速い速度でも新規のパターン発生器を高度に正確にする較正およびリアルタ
イムデータ訂正に対する備えである。
人(Sandstrom)は、どの他の以前に知られているシステムにも勝る解
像度、精度およびスループットにおける利点をもつ新規のタイプのパターン発生
器を開示している。本発明は、前記新規のタイプのパターン発生器において使用
すべき極めて高いデータ能力をもつデータパスである。本発明の別の態様は、非
常に速い速度でも新規のパターン発生器を高度に正確にする較正およびリアルタ
イムデータ訂正に対する備えである。
【0005】
(発明の目的)
したがって、本発明の目的は、従来技術の前記問題を軽減する方法および装置
を提供することである。
を提供することである。
【0006】
この目的は、特許請求の範囲に記載された方法および装置によって達成される
。
。
【0007】
(発明の機能)
図1aに示すように、既知のパターン発生器では、単一のビームがパターンを
書き込み、能力は、単一のビームブランカ(beam blanker)または
変調器中に押し込むことができるデータの量によって制限される。スループット
に関する制限を軽減するために、並列に走査する多数のビームをもつ方式が使用
される。しかしながら、図1bに示すように、マルチビームラスタ走査パターン
発生器では、ビーム間でパターンが交錯する(すなわち、全てのビームがパター
ンのあらゆる部分を書き込む)。マルチプロセッサアーキテクチャにおけるビー
ムデータをラスタ化することが以前に知られており、一般に各プロセッサがパタ
ーンの隣接区域をラスタ化する。終了したデータはビームの交錯構造に従って分
割されなければならず、あらゆるプロセッサはパターンデータを各ビームに送ら
なければならない。このことがかなりの複雑さを増し、データの真の並列処理に
対する障害となる。高いスループット(情報処理量)を達成するために、いくつ
かの並列バスまたは並列リンクのクロススイッチ構造をもつシステムが使用され
る。この手法は、全てのプロセッサが全てのビームにデータを送るという原理が
、単に横方向データ転送を過多にするという限界点までのみ可能である。より多
くのプロセッサを追加することはいつでも可能であるが、異なるモジュール間の
より大きい相互依存性をもつアーキテクチャにおいてデータフローを増大させる
ことはいつでも可能であるとは限らない。1つの実際的な制限は、ラスタ化装置
が単一のバックプレーンに嵌合しないときである。いくつかの並列バスをもつ多
数の同期したバックプレーンを構築することが可能であるかもしれないが、オー
バヘッド、結局システムコストがつり上がる。
書き込み、能力は、単一のビームブランカ(beam blanker)または
変調器中に押し込むことができるデータの量によって制限される。スループット
に関する制限を軽減するために、並列に走査する多数のビームをもつ方式が使用
される。しかしながら、図1bに示すように、マルチビームラスタ走査パターン
発生器では、ビーム間でパターンが交錯する(すなわち、全てのビームがパター
ンのあらゆる部分を書き込む)。マルチプロセッサアーキテクチャにおけるビー
ムデータをラスタ化することが以前に知られており、一般に各プロセッサがパタ
ーンの隣接区域をラスタ化する。終了したデータはビームの交錯構造に従って分
割されなければならず、あらゆるプロセッサはパターンデータを各ビームに送ら
なければならない。このことがかなりの複雑さを増し、データの真の並列処理に
対する障害となる。高いスループット(情報処理量)を達成するために、いくつ
かの並列バスまたは並列リンクのクロススイッチ構造をもつシステムが使用され
る。この手法は、全てのプロセッサが全てのビームにデータを送るという原理が
、単に横方向データ転送を過多にするという限界点までのみ可能である。より多
くのプロセッサを追加することはいつでも可能であるが、異なるモジュール間の
より大きい相互依存性をもつアーキテクチャにおいてデータフローを増大させる
ことはいつでも可能であるとは限らない。1つの実際的な制限は、ラスタ化装置
が単一のバックプレーンに嵌合しないときである。いくつかの並列バスをもつ多
数の同期したバックプレーンを構築することが可能であるかもしれないが、オー
バヘッド、結局システムコストがつり上がる。
【0008】
異なるラスタ化装置、および真の可能性を与えかつあらゆるインタフェースを
並列にすることができるアーキテクチャを開示する。データは分割され、異なる
プロセッサに送られ、完全に別々のパスを進行する。必要な同期の程度は低く、
完全に独立した処理ユニットを追加して処理力を高めることができる。
並列にすることができるアーキテクチャを開示する。データは分割され、異なる
プロセッサに送られ、完全に別々のパスを進行する。必要な同期の程度は低く、
完全に独立した処理ユニットを追加して処理力を高めることができる。
【0009】
本発明の別の態様は、高度並列データチャネルがいくつかのタイプのパターン
訂正のための備えを有することである。そのような訂正は、データ処理のすべて
のステップにおけるワークロードを増大させ、データフローをかなり増大させる
。代表的なラスタ走査アーキテクチャでは、これは、データ転送制限および真の
可能性の欠如のために適応が困難になろう。本明細書に開示する真に可能なアー
キテクチャでは、データパスのコストは行う必要のある仕事量とともに直線的に
増大するが、他のハード制限はない。
訂正のための備えを有することである。そのような訂正は、データ処理のすべて
のステップにおけるワークロードを増大させ、データフローをかなり増大させる
。代表的なラスタ走査アーキテクチャでは、これは、データ転送制限および真の
可能性の欠如のために適応が困難になろう。本明細書に開示する真に可能なアー
キテクチャでは、データパスのコストは行う必要のある仕事量とともに直線的に
増大するが、他のハード制限はない。
【0010】
本発明は、光、電子ビームなど、任意の種類のエネルギービームを使用した空
間エネルギービーム変調器(SEBM)を備えるパターン発生器に関する。以下
で開示する好ましい実施形態では、本発明については空間光変調器(SLM)を
使用するものとして説明する。ただし、本発明の範囲内でいくつかの他の代替変
調器を使用することが可能であることを当業者なら理解できよう。エネルギービ
ームを変調するためにアナログモードで変化する変調区域を使用した他の変調器
は、レジストを電流で直接露光することに関する並列近視野リソグラフィ(pa
rallel near−field lithography)、および走査
システムとともに変調エレメントのアレイをもつ変調器を使用するか、または別
々のビームの大きいアレイを使用することによる、電子ビームまたはイオンビー
ムを用いた超並列書込み(massive parallel writing
)のための変調器である。同様に、マイクロメカニカルシャッタと回折レンズの
アレイを使用して軟X線または極紫外光の空間変調とともに超並列リソグラフィ
を実行することができることが知られている。
間エネルギービーム変調器(SEBM)を備えるパターン発生器に関する。以下
で開示する好ましい実施形態では、本発明については空間光変調器(SLM)を
使用するものとして説明する。ただし、本発明の範囲内でいくつかの他の代替変
調器を使用することが可能であることを当業者なら理解できよう。エネルギービ
ームを変調するためにアナログモードで変化する変調区域を使用した他の変調器
は、レジストを電流で直接露光することに関する並列近視野リソグラフィ(pa
rallel near−field lithography)、および走査
システムとともに変調エレメントのアレイをもつ変調器を使用するか、または別
々のビームの大きいアレイを使用することによる、電子ビームまたはイオンビー
ムを用いた超並列書込み(massive parallel writing
)のための変調器である。同様に、マイクロメカニカルシャッタと回折レンズの
アレイを使用して軟X線または極紫外光の空間変調とともに超並列リソグラフィ
を実行することができることが知られている。
【0011】
(好ましい実施形態)
本発明の実施形態について以下で例として説明する。ただし、本発明はこれら
の実施例に限定されないことを当業者なら理解すべきである。
の実施例に限定されないことを当業者なら理解すべきである。
【0012】
本発明の好ましい実施形態は、0.13μm「設計ノード」のためのフォトマ
スクを書き込むためのハイエンドパターン発生器(PG)のためのラスタ化装置
である。PGは、180nmまでのフィーチャーを書き込むことができる。パタ
ーン発生器は、図2に示すように、アナログ反射マイクロメカニカルSLMを使
用し、縮小レンズを介してSLMの画像をマスクブランク上に投影するPCT特
許出願SE99/00310に記載されている。SLMはアレイサイズ2048
×512ピストンを有し、各ピクセルは幅16×16μmである。レンズは縮小
率160倍を有し、SLMピクセルの投影サイズは0.1×0.1μmである。
SLMのアナログピクセルは、0.1μm/64=1.6ナノメートルのアドレ
スグリッドに対応する、フル露光とゼロ露光との間の、50を超えるレベル、好
ましくは65のレベルをもつ電圧によって駆動される。駆動電子回路は、多値ビ
ットマップ、すなわち各ピクセルにおいてNビット深さをもつビットマップを取
る。将来に備えてフレキシビリティを保つために、各ピクセルは、50のレベル
に必要な6ビットではなく、8ビットによって記述される。したがって、0から
255までのピクセル値が利用可能であり、値0〜50は露光を変化させるため
に使用される。コード51〜100は、波面(wavefront)中の負の複
素振幅(負の振幅は、記入パターンにおけるエッジ鋭さおよび角隅部の鋭さを高
めるために利用可能である)に対応するマイクロメカニカルピクセル中により高
い偏向を発生させるために使用される。一般に、露光されたフィーチャーは、フ
ィーチャーの露光においてより高いエッジ傾斜を生成する、弱い負振幅光の背景
に対して正の振幅で印刷される。
スクを書き込むためのハイエンドパターン発生器(PG)のためのラスタ化装置
である。PGは、180nmまでのフィーチャーを書き込むことができる。パタ
ーン発生器は、図2に示すように、アナログ反射マイクロメカニカルSLMを使
用し、縮小レンズを介してSLMの画像をマスクブランク上に投影するPCT特
許出願SE99/00310に記載されている。SLMはアレイサイズ2048
×512ピストンを有し、各ピクセルは幅16×16μmである。レンズは縮小
率160倍を有し、SLMピクセルの投影サイズは0.1×0.1μmである。
SLMのアナログピクセルは、0.1μm/64=1.6ナノメートルのアドレ
スグリッドに対応する、フル露光とゼロ露光との間の、50を超えるレベル、好
ましくは65のレベルをもつ電圧によって駆動される。駆動電子回路は、多値ビ
ットマップ、すなわち各ピクセルにおいてNビット深さをもつビットマップを取
る。将来に備えてフレキシビリティを保つために、各ピクセルは、50のレベル
に必要な6ビットではなく、8ビットによって記述される。したがって、0から
255までのピクセル値が利用可能であり、値0〜50は露光を変化させるため
に使用される。コード51〜100は、波面(wavefront)中の負の複
素振幅(負の振幅は、記入パターンにおけるエッジ鋭さおよび角隅部の鋭さを高
めるために利用可能である)に対応するマイクロメカニカルピクセル中により高
い偏向を発生させるために使用される。一般に、露光されたフィーチャーは、フ
ィーチャーの露光においてより高いエッジ傾斜を生成する、弱い負振幅光の背景
に対して正の振幅で印刷される。
【0013】
SLMには新しいパターンデータが700回毎秒ロードされ、KrFレーザ(
248nm)からの単一のフラッシュが、SLM上のパターンをマスクブランク
に転送するために使用される。次のフラッシュの前に、SLMが再書込みされる
必要があり、個々のフラッシュがマスクブランク上に隣接パターンを生成するよ
うにステージが約50μmだけ進められる。ステージは約35mm/sの一定の
速度で移動し、幅2048ピクセルのストリップが一連のフラッシュから一緒に
縫い合わせられる。最大パターン長さは230mmであり、ストリップは、4.
7Gbyteを必要とする230mm×2048/0.1μm=47億ピクセル
を含有する。ストリップは6.4秒で書き込まれ、1秒帰線(後戻り)の後、次
のストリップのためのデータが準備できなければならない。ただし、書込みを帰
線ストローク上で実行して、書込みプロセスをより速くかつより効率的にするこ
ともできる。
248nm)からの単一のフラッシュが、SLM上のパターンをマスクブランク
に転送するために使用される。次のフラッシュの前に、SLMが再書込みされる
必要があり、個々のフラッシュがマスクブランク上に隣接パターンを生成するよ
うにステージが約50μmだけ進められる。ステージは約35mm/sの一定の
速度で移動し、幅2048ピクセルのストリップが一連のフラッシュから一緒に
縫い合わせられる。最大パターン長さは230mmであり、ストリップは、4.
7Gbyteを必要とする230mm×2048/0.1μm=47億ピクセル
を含有する。ストリップは6.4秒で書き込まれ、1秒帰線(後戻り)の後、次
のストリップのためのデータが準備できなければならない。ただし、書込みを帰
線ストローク上で実行して、書込みプロセスをより速くかつより効率的にするこ
ともできる。
【0014】
バーストデータフローは750Mbyte/sであり、平均は650Mbyt
e/sである。ストリップのためのデータを処理するのにかかる実際の時間は全
く予測可能であるとは限らないが、ストリップが書き込まれる前に全ストリップ
がバッファされるべきであることが決定された。実際問題として、転送時間およ
びメモリにおける書込み操作と読取り操作との間の重なりを考慮するために、ス
トリップバッファは、6.4Gbyte以上にもする必要がある。データの処理
に、利用可能な時間よりも多くの時間がかかる場合、機械はストリップを開始す
る前にデータを待つ。データ枯渇による書込みストローク中間の不全は、プレー
ト外のアイドル部分中のデータを待つよりもより不規則かつ望ましくないイベン
トである。したがって、小さいデータバッファおよびオンザフライでラスタ化す
るラスタ化装置をもつシステムは、あき高をもって設計しなければならず、スト
リップバッファシステムの処理力のおよそ2倍を必要とする。大量のバッファメ
モリが必要であるのにもかかわらず、全ストリップバッファリングは、ラスタ化
速度を速くすることよりもコスト効率的であると考えられている。
e/sである。ストリップのためのデータを処理するのにかかる実際の時間は全
く予測可能であるとは限らないが、ストリップが書き込まれる前に全ストリップ
がバッファされるべきであることが決定された。実際問題として、転送時間およ
びメモリにおける書込み操作と読取り操作との間の重なりを考慮するために、ス
トリップバッファは、6.4Gbyte以上にもする必要がある。データの処理
に、利用可能な時間よりも多くの時間がかかる場合、機械はストリップを開始す
る前にデータを待つ。データ枯渇による書込みストローク中間の不全は、プレー
ト外のアイドル部分中のデータを待つよりもより不規則かつ望ましくないイベン
トである。したがって、小さいデータバッファおよびオンザフライでラスタ化す
るラスタ化装置をもつシステムは、あき高をもって設計しなければならず、スト
リップバッファシステムの処理力のおよそ2倍を必要とする。大量のバッファメ
モリが必要であるのにもかかわらず、全ストリップバッファリングは、ラスタ化
速度を速くすることよりもコスト効率的であると考えられている。
【0015】
ただし、本発明の範囲内で、そのような大きいバッファを使用せず、さらには
全くバッファを使用せず、それにより書き込まれるべき各ウィンドウを連続的に
レンダリングし、ラスタ化することも可能である。
全くバッファを使用せず、それにより書き込まれるべき各ウィンドウを連続的に
レンダリングし、ラスタ化することも可能である。
【0016】
(並列動作)
入力データフォーマットは、多数の異なるフォーマットで、例えば階層GDS
II、フラットMEBESフォーマットまたはアルゴリズム的形態とすることが
できる。入力データファイルは極めて大きくすることができ、10〜30GBy
teのパターンファイルを有することは珍しくない。将来、ファイルサイズは一
層大きくなるであろうが、より階層的なファイルへの発展はある。
II、フラットMEBESフォーマットまたはアルゴリズム的形態とすることが
できる。入力データファイルは極めて大きくすることができ、10〜30GBy
teのパターンファイルを有することは珍しくない。将来、ファイルサイズは一
層大きくなるであろうが、より階層的なファイルへの発展はある。
【0017】
SLMは、将来のマスクに必要なはるかに小さいピクセルサイズで妥当な書込
み時間を達成するために必要になるであろう(ピクセル毎秒での)極めて速い速
度の可能性を与える。解像度および複雑さに関してモアの法則を遵守しながらレ
チクルの書込み時間を保存するためには、毎秒ピクセル数を18ヶ月ごとに2倍
にしなければならない。したがって、すべてのデータが単一のインタフェースを
通過するアーキテクチャは遅かれ早かれ時代遅れで不十分なものとなろう。真に
並列のデータ処理のみを任意の容量にスケーリングすることができる。以下で、
そのような真に並列のアーキテクチャをどのように設計することができるかにつ
いて説明する。
み時間を達成するために必要になるであろう(ピクセル毎秒での)極めて速い速
度の可能性を与える。解像度および複雑さに関してモアの法則を遵守しながらレ
チクルの書込み時間を保存するためには、毎秒ピクセル数を18ヶ月ごとに2倍
にしなければならない。したがって、すべてのデータが単一のインタフェースを
通過するアーキテクチャは遅かれ早かれ時代遅れで不十分なものとなろう。真に
並列のデータ処理のみを任意の容量にスケーリングすることができる。以下で、
そのような真に並列のアーキテクチャをどのように設計することができるかにつ
いて説明する。
【0018】
SLMの表面は一組のSLMフィールドに分割される。高いアスペクト比(例
えば2048×512ピクセル)をもつSLMの場合、512×512ピクセル
フィールドに分割することが有用である。データは走査によってSLM中に書き
込まれる。好ましい実施形態では、単一のDACは、アナログマルチプレクサに
よって64の列ラインにわたって走査され、各列ラインを0〜40ボルトの範囲
内の電位に充電する。次いでゲート(行)ラインが開かれ、列ライン上の電荷が
各ピクセルの記憶コンデンサに転送される。SLM全体を駆動するためには、そ
れぞれ64の列ラインにわたって走査されるいくつかのDACが必要である。2
048の列をもつSLMでは、32のDACがある。全画像のローディングの間
、すべての512の行を走査しなければならず、各行ごとに64の列を走査し、
順次充電しなければならない。完全な画像を1ミリ秒でロードするために、DA
Cは毎秒3200万の電圧を発生しなければならず、実際問題として、毎秒40
Mの変換がより適切な数字である。これはPCボードまたは電子回路の設計およ
び製造の普通の方法で行うことができる。
えば2048×512ピクセル)をもつSLMの場合、512×512ピクセル
フィールドに分割することが有用である。データは走査によってSLM中に書き
込まれる。好ましい実施形態では、単一のDACは、アナログマルチプレクサに
よって64の列ラインにわたって走査され、各列ラインを0〜40ボルトの範囲
内の電位に充電する。次いでゲート(行)ラインが開かれ、列ライン上の電荷が
各ピクセルの記憶コンデンサに転送される。SLM全体を駆動するためには、そ
れぞれ64の列ラインにわたって走査されるいくつかのDACが必要である。2
048の列をもつSLMでは、32のDACがある。全画像のローディングの間
、すべての512の行を走査しなければならず、各行ごとに64の列を走査し、
順次充電しなければならない。完全な画像を1ミリ秒でロードするために、DA
Cは毎秒3200万の電圧を発生しなければならず、実際問題として、毎秒40
Mの変換がより適切な数字である。これはPCボードまたは電子回路の設計およ
び製造の普通の方法で行うことができる。
【0019】
フレキシビリティを高めるために、SLMは、2048の列当たり8、16、
32または64のDACに対して構成できるように設計される。これにより、同
じチップを使用して異なる構成とすることができる。すなわち、64のDACで
は、SLMを同じ40MHz変換率で0.5ミリ秒で再ロードすることができる
。一方、8または16のDACを使用してより小さい速度要件をもつコスト敏感
なアプリケーションに対してより費用のかからないシステムを構築することが可
能である。1つのアナログマルチプレクサに対して32の列のブロックに基本構
成することにより、より大きいまたはより小さいSLMを設計し、同じ外部電子
ビルディングブロックを使用してそれを駆動することが容易になる。
32または64のDACに対して構成できるように設計される。これにより、同
じチップを使用して異なる構成とすることができる。すなわち、64のDACで
は、SLMを同じ40MHz変換率で0.5ミリ秒で再ロードすることができる
。一方、8または16のDACを使用してより小さい速度要件をもつコスト敏感
なアプリケーションに対してより費用のかからないシステムを構築することが可
能である。1つのアナログマルチプレクサに対して32の列のブロックに基本構
成することにより、より大きいまたはより小さいSLMを設計し、同じ外部電子
ビルディングブロックを使用してそれを駆動することが容易になる。
【0020】
好ましい実施形態では、ラスタ化キャビネットとSLMの間のインタフェース
はDACの後のアナログ電圧にある。SLMをもつPCボード上には、図6に概
略的に示すように、選択、タイミングおよび制御のためのラインと一緒に32の
各グループごとに1つのアナログ(ビデオ)入力がある。ビデオは、0〜1ボル
トの範囲内であり、SLMボード上の各入力ごとに、SLMのために必要な0〜
40に電圧スパンをブリッジするアナログ増幅器がある。DACはラスタ化電子
回路と一緒に別個のキャビネットに配置される。これにより、キャビネットの数
を増やすことが可能になるので、真の可能性が得られる。ラスタ化装置とSLM
ボードの間の高速インタフェースは距離に鈍感なビデオケーブルであるので、ラ
スタ化装置全体は1つのバックボーンまたは1つのキャビネットに嵌合する必要
はない。
はDACの後のアナログ電圧にある。SLMをもつPCボード上には、図6に概
略的に示すように、選択、タイミングおよび制御のためのラインと一緒に32の
各グループごとに1つのアナログ(ビデオ)入力がある。ビデオは、0〜1ボル
トの範囲内であり、SLMボード上の各入力ごとに、SLMのために必要な0〜
40に電圧スパンをブリッジするアナログ増幅器がある。DACはラスタ化電子
回路と一緒に別個のキャビネットに配置される。これにより、キャビネットの数
を増やすことが可能になるので、真の可能性が得られる。ラスタ化装置とSLM
ボードの間の高速インタフェースは距離に鈍感なビデオケーブルであるので、ラ
スタ化装置全体は1つのバックボーンまたは1つのキャビネットに嵌合する必要
はない。
【0021】
DACは、SLM中の512の列に対応する8つのDACのDACブロック中
に組み合わせられる。各DACは、応答曲線訂正のための参照テーブルを含むそ
の信号調整電子回路を有する。各DACブロックごとに、共通のバッファメモリ
および並列ラスタ化プロセッサのバンクがある。各ラスタ化プロセッサは列アド
レスのレンジに、すなわちSLM中のバンドに割り当てられる。好ましい実施形
態では、単一のグラフィックスプロセッサがDACブロック、512列の全幅を
ラスタ化するが、アーキテクチャの将来の実装においてDACブロックはいくつ
かのラスタ化プロセッサ間で下位分割する必要があると予測される。ラスタ化プ
ロセッサは、ラスタ化ウィンドウ中でビットマップを、好ましい実施形態では6
40列×2560行ピクセルで生成するようにセットアップされる。後で使用す
るもの(512列)よりもラスタ化ウィンドウまたは拡張ビットマップを大きく
すると、ビットマップの操作によってパターンフィーチャー間の相互作用を訂正
することが可能になる。拡張ビットマップなしでは、512列フィールド外のフ
ィーチャーからの相互作用が失われることになる。行方向におけるフィールド間
には同様の拡張がある。拡張におけるデータは冗長であり、相互作用を計算する
ためにのみ使用される。512列外でどのくらいの冗長データが発生するかを決
定するソフトウェア制御ウィンドウがある。
に組み合わせられる。各DACは、応答曲線訂正のための参照テーブルを含むそ
の信号調整電子回路を有する。各DACブロックごとに、共通のバッファメモリ
および並列ラスタ化プロセッサのバンクがある。各ラスタ化プロセッサは列アド
レスのレンジに、すなわちSLM中のバンドに割り当てられる。好ましい実施形
態では、単一のグラフィックスプロセッサがDACブロック、512列の全幅を
ラスタ化するが、アーキテクチャの将来の実装においてDACブロックはいくつ
かのラスタ化プロセッサ間で下位分割する必要があると予測される。ラスタ化プ
ロセッサは、ラスタ化ウィンドウ中でビットマップを、好ましい実施形態では6
40列×2560行ピクセルで生成するようにセットアップされる。後で使用す
るもの(512列)よりもラスタ化ウィンドウまたは拡張ビットマップを大きく
すると、ビットマップの操作によってパターンフィーチャー間の相互作用を訂正
することが可能になる。拡張ビットマップなしでは、512列フィールド外のフ
ィーチャーからの相互作用が失われることになる。行方向におけるフィールド間
には同様の拡張がある。拡張におけるデータは冗長であり、相互作用を計算する
ためにのみ使用される。512列外でどのくらいの冗長データが発生するかを決
定するソフトウェア制御ウィンドウがある。
【0022】
図3を参照すると、多数のフラクチャ化プロセッサおよび多数のラスタ化プロ
セッサがそれぞれSLM中の隣接区域のためのデータを生成する概略的なマルチ
プロセッサアーキテクチャが示されており、図4は、2つの完全に独立したユニ
ットがそれぞれSLMの別々の区域に供給するいくつかのフラクチャ化プロセッ
サおよびいくつかのラスタ化プロセッサをもつ完全に並列のアーキテクチャを概
略的に示す。
セッサがそれぞれSLM中の隣接区域のためのデータを生成する概略的なマルチ
プロセッサアーキテクチャが示されており、図4は、2つの完全に独立したユニ
ットがそれぞれSLMの別々の区域に供給するいくつかのフラクチャ化プロセッ
サおよびいくつかのラスタ化プロセッサをもつ完全に並列のアーキテクチャを概
略的に示す。
【0023】
ラスタ化装置(R)には、FIFOバッファからのデータ、4つのフラクチャ
化プロセッサを有するフラクチャ化モジュール(F)から来るデータが供給され
る。フラクチャ化モジュールでは、入力ファイルが、ラスタ化プロセッサの拡張
ビットマップに対応するラスタ化フィールドに切断され、データエレメントがラ
スタ化装置のために事前調整され、例えば、多角形が三角形および/または台形
に切断される。階層ファイルの場合、階層のツリー構造はフラクチャフィールド
に切断する前に部分的に分解しなければならない。したがって、ラスタ化モジュ
ールは、最悪の場合、フィールドに切断する前にファイル全体を見なければなら
ない。非常に大きいファイルの場合、これによりボトルネックが生じる。これを
軽減する可能な方法は2つある。すなわち、 フラクチャウィンドウ外のセルをスキップすることができるように、各セルの
ヘッダ中のサイズ情報のフォーマットを階層ファイル中に含めること。スキップ
されたセルはそれ自体内部階層を有するので、多くの冗長仕事を回避することが
できる。 大きいフィーチャーをより小さい部片に切断し、階層を部分的に分解し、フィ
ーチャーをなくす危険なしにファイルを連続的に読みとることができるようにデ
ータをソートして、ファイルを生成するCADシステムがファイルを書き込むこ
と。
化プロセッサを有するフラクチャ化モジュール(F)から来るデータが供給され
る。フラクチャ化モジュールでは、入力ファイルが、ラスタ化プロセッサの拡張
ビットマップに対応するラスタ化フィールドに切断され、データエレメントがラ
スタ化装置のために事前調整され、例えば、多角形が三角形および/または台形
に切断される。階層ファイルの場合、階層のツリー構造はフラクチャフィールド
に切断する前に部分的に分解しなければならない。したがって、ラスタ化モジュ
ールは、最悪の場合、フィールドに切断する前にファイル全体を見なければなら
ない。非常に大きいファイルの場合、これによりボトルネックが生じる。これを
軽減する可能な方法は2つある。すなわち、 フラクチャウィンドウ外のセルをスキップすることができるように、各セルの
ヘッダ中のサイズ情報のフォーマットを階層ファイル中に含めること。スキップ
されたセルはそれ自体内部階層を有するので、多くの冗長仕事を回避することが
できる。 大きいフィーチャーをより小さい部片に切断し、階層を部分的に分解し、フィ
ーチャーをなくす危険なしにファイルを連続的に読みとることができるようにデ
ータをソートして、ファイルを生成するCADシステムがファイルを書き込むこ
と。
【0024】
2つの原理を組み合わせれば、ファイルを連続的に処理することができ、冗長
情報が迅速に廃棄される。その場合、各フラクチャモジュール中のファイル全体
を処理することが可能になるが、フラクチャ化出力データは、特定のフラクチャ
モジュールに割り当てられた区域に対してしか発生しない。このようにして、フ
ァイルの4つの異なるコピーを読み取り、フラクチャプロセッサによって処理す
ることができ、各コピーは、SLM中のバンドのためのフラクチャデータを生成
し、それを同じバンドに割り当てられたラスタ化装置に送る。
情報が迅速に廃棄される。その場合、各フラクチャモジュール中のファイル全体
を処理することが可能になるが、フラクチャ化出力データは、特定のフラクチャ
モジュールに割り当てられた区域に対してしか発生しない。このようにして、フ
ァイルの4つの異なるコピーを読み取り、フラクチャプロセッサによって処理す
ることができ、各コピーは、SLM中のバンドのためのフラクチャデータを生成
し、それを同じバンドに割り当てられたラスタ化装置に送る。
【0025】
代替実施形態では、1つまたはいくつかのフラクチャ化モジュールが複数のラ
スタ化モジュールに接続される。各ラスタ化モジュールはSLMの特定の区域に
対応することが好ましい。ラスタ化モジュールからの出力はSLM駆動ユニット
(SDU)に供給され、これがいくつかのラスタ化モジュールからのラスタ化さ
れたデータを組み合わせる。SDUからは、ビットマップがDACを介してSL
Mに転送される。
スタ化モジュールに接続される。各ラスタ化モジュールはSLMの特定の区域に
対応することが好ましい。ラスタ化モジュールからの出力はSLM駆動ユニット
(SDU)に供給され、これがいくつかのラスタ化モジュールからのラスタ化さ
れたデータを組み合わせる。SDUからは、ビットマップがDACを介してSL
Mに転送される。
【0026】
効率的な並列フラクチャ化プロセスを達成するためには、入力データを事前処
理し、それをベクトルフォーマット、いわゆるMICフォーマットに変換するこ
とが好ましい。フラクチャ化は、パターンをY方向にストリップに分割するプロ
セスである。フラクチャ化をリアルタイムで行おうとする場合、大きい入力デー
タファイルを、Y方向、すなわちストリップ方向に対して直角な方向にいくつか
のユニット、いわゆるバケットにソートまたはブロック化することが好ましい。
ただし、これはフラクチャ化をオフラインで行う場合には不要である。例えばバ
ケットにソートされる、MICフォーマットでのデータのフラクチャ化は、デー
タをストリップまたはサブストリップに抽出するステップを含むことが好ましい
。
理し、それをベクトルフォーマット、いわゆるMICフォーマットに変換するこ
とが好ましい。フラクチャ化は、パターンをY方向にストリップに分割するプロ
セスである。フラクチャ化をリアルタイムで行おうとする場合、大きい入力デー
タファイルを、Y方向、すなわちストリップ方向に対して直角な方向にいくつか
のユニット、いわゆるバケットにソートまたはブロック化することが好ましい。
ただし、これはフラクチャ化をオフラインで行う場合には不要である。例えばバ
ケットにソートされる、MICフォーマットでのデータのフラクチャ化は、デー
タをストリップまたはサブストリップに抽出するステップを含むことが好ましい
。
【0027】
バケットは、バケットに含まれているパターンオブジェクトのすべての情報を
含有する自律ユニットであり、入力データファイルを読みとるときにオンライン
で生成されることが好ましい。バケット幅はバケット間で変更することができる
が、フラクチャ化の開始時に規定することが好ましい。バケット抽出はファイル
サーバコンピュータかまたはリアルタイムフラクチャ化コンピュータにおいて行
うことができる。あるバケット中の1つまたは2つのインスタンスをもつY方向
のすべての反復が当該のバケット中で分解され、アンパックされる。すべてのオ
ブジェクトはその元の座標を保つ。ただし、分解されない反復はクロスバケット
ボーダとなることがある。バケット間のオブジェクトの依存性はない。さらに、
各バケットは大きいデータファイルへのランダムアクセスポインタを含むことが
好ましい。ただし、より短いアクセス時間を達成するためには、データファイル
をソートすることが好ましい。
含有する自律ユニットであり、入力データファイルを読みとるときにオンライン
で生成されることが好ましい。バケット幅はバケット間で変更することができる
が、フラクチャ化の開始時に規定することが好ましい。バケット抽出はファイル
サーバコンピュータかまたはリアルタイムフラクチャ化コンピュータにおいて行
うことができる。あるバケット中の1つまたは2つのインスタンスをもつY方向
のすべての反復が当該のバケット中で分解され、アンパックされる。すべてのオ
ブジェクトはその元の座標を保つ。ただし、分解されない反復はクロスバケット
ボーダとなることがある。バケット間のオブジェクトの依存性はない。さらに、
各バケットは大きいデータファイルへのランダムアクセスポインタを含むことが
好ましい。ただし、より短いアクセス時間を達成するためには、データファイル
をソートすることが好ましい。
【0028】
フラクチャ化プロセスでは、1つのプロセッサは、データがソートされたバケ
ットである場合、あるいは完全なファイルからのものである場合、第1のバケッ
トを読み取り始め、第1のスキャンストリップのみを抽出することが好ましい。
すべての他の情報はこのときに無視される。次のプロセッサは同じバケットを読
み取り、次のスキャンストリップのみを抽出する。第3のプロセッサは、すべて
のプロセッサがビジーになるまで第3のスキャンストリップを抽出し、以下同様
である。これにより効率的なマルチプロセッサフラクチャ化が得られる。ただし
、いくつかのプロセッサが同じスキャンストリップ上で作動するようにすること
も可能である。
ットである場合、あるいは完全なファイルからのものである場合、第1のバケッ
トを読み取り始め、第1のスキャンストリップのみを抽出することが好ましい。
すべての他の情報はこのときに無視される。次のプロセッサは同じバケットを読
み取り、次のスキャンストリップのみを抽出する。第3のプロセッサは、すべて
のプロセッサがビジーになるまで第3のスキャンストリップを抽出し、以下同様
である。これにより効率的なマルチプロセッサフラクチャ化が得られる。ただし
、いくつかのプロセッサが同じスキャンストリップ上で作動するようにすること
も可能である。
【0029】
(応答曲線訂正)
入力パターンは、幾何学的形状として特定されるが、電圧から幾何学的形状へ
の応答は高度に非線形である。ラスタ化装置は、パターンのどのくらいの区域が
特定のピクセル上に落ちるかを決定し、その区域を、好ましい実施形態では0と
64の間の値に変換する。応答関数は非線形であるので、ラスタ化装置によって
決定されたピクセル値は、サブピクセルアドレス中の偶数分割を生成するために
ピクセルを設定する必要がある電圧に対応しない。訂正を行ういくつかの異なる
方法があり、一部はPCT特許出願SE99/00310で論じられている。基
本的に、訂正は、ダイオードネットワークなど非線形アナログ関数によって、ま
たはピクセル値の数学的変換によって行うことができる。明らかな訂正はある程
度まで多項式である。ゼロ番目の多項式項はオフセットであり、1番目の項は増
幅率であり、高位の項は非線形性を訂正する。訂正は、パターンがラスタ化され
るときか、またはSLM中にロードされるときに適用することができる。多項式
を実際に計算するよりも、参照テーブルを用いて訂正を適用することのほうが実
際的である。参照テーブルは、最も簡単な形態では、あらゆるピクセルに適用さ
れる単一の訂正関数を格納する。この関数は、代表的なピクセル非線形性を表し
、経験的に較正するか、またはシステムの物理的モデルから導出することができ
る。
の応答は高度に非線形である。ラスタ化装置は、パターンのどのくらいの区域が
特定のピクセル上に落ちるかを決定し、その区域を、好ましい実施形態では0と
64の間の値に変換する。応答関数は非線形であるので、ラスタ化装置によって
決定されたピクセル値は、サブピクセルアドレス中の偶数分割を生成するために
ピクセルを設定する必要がある電圧に対応しない。訂正を行ういくつかの異なる
方法があり、一部はPCT特許出願SE99/00310で論じられている。基
本的に、訂正は、ダイオードネットワークなど非線形アナログ関数によって、ま
たはピクセル値の数学的変換によって行うことができる。明らかな訂正はある程
度まで多項式である。ゼロ番目の多項式項はオフセットであり、1番目の項は増
幅率であり、高位の項は非線形性を訂正する。訂正は、パターンがラスタ化され
るときか、またはSLM中にロードされるときに適用することができる。多項式
を実際に計算するよりも、参照テーブルを用いて訂正を適用することのほうが実
際的である。参照テーブルは、最も簡単な形態では、あらゆるピクセルに適用さ
れる単一の訂正関数を格納する。この関数は、代表的なピクセル非線形性を表し
、経験的に較正するか、またはシステムの物理的モデルから導出することができ
る。
【0030】
ハイエンドパターン発生の場合、画像均一性が極めて重要である。マイクロメ
カニックピクセルエレメントの欠陥および経年変化によるピクセル間の差がある
と画像品質が損なわれることがある。そのために、応答関数のピクセルごとの訂
正を行うことが大いに望ましい。この場合も、これをいくつかの方法で実施する
ことができるが、好ましい実施形態では様々な参照テーブルを使用する。
カニックピクセルエレメントの欠陥および経年変化によるピクセル間の差がある
と画像品質が損なわれることがある。そのために、応答関数のピクセルごとの訂
正を行うことが大いに望ましい。この場合も、これをいくつかの方法で実施する
ことができるが、好ましい実施形態では様々な参照テーブルを使用する。
【0031】
ピクセルの応答関数はいくつかの代表的な応答曲線に分類される。これらは、
24ビット入力アドレスおよび16ビット出力データをもつ参照メモリ中に格納
される。各曲線は8ビームデータ値を16ビットDAC値に変換する。図7に示
されるアーキテクチャは16ビットDACワードをサポートするが、好ましい実
施形態では10の最上位ビットのみが実際にDAC中で使用される。
24ビット入力アドレスおよび16ビット出力データをもつ参照メモリ中に格納
される。各曲線は8ビームデータ値を16ビットDAC値に変換する。図7に示
されるアーキテクチャは16ビットDACワードをサポートするが、好ましい実
施形態では10の最上位ビットのみが実際にDAC中で使用される。
【0032】
16ビットによって選択される2^16=65536の可能な曲線のためのあ
きがある。16ビットは、オフセット電圧のための4ビット、ミラーコンプライ
アンスのための4ビットおよび輝度のための8ビットに分割される。ひとたびピ
クセルプロパティ、最初の2×4ビットが較正されると、ただ輝度ビットを変更
するだけでパターンの輝度を変更することが容易になる。より複雑な方式、二重
変換では、小さい参照メモリ中でもう一度輝度値を変換し、利点は、小さい参照
テーブルをフラッシュ間でマシンCPUによって再書込みすることが可能なこと
である。二重変換システムによれば、高いフレキシビリティが得られ、例えばパ
ス間に変位したSLMフィールドをもつ一連の重なる書込みパスからの蓄積され
た線量誤差の単一のパスにおける訂正のために、ダイナミックに変化する線量で
異なる区域を露光することが可能になる。これを図5に概略的に示す。
きがある。16ビットは、オフセット電圧のための4ビット、ミラーコンプライ
アンスのための4ビットおよび輝度のための8ビットに分割される。ひとたびピ
クセルプロパティ、最初の2×4ビットが較正されると、ただ輝度ビットを変更
するだけでパターンの輝度を変更することが容易になる。より複雑な方式、二重
変換では、小さい参照メモリ中でもう一度輝度値を変換し、利点は、小さい参照
テーブルをフラッシュ間でマシンCPUによって再書込みすることが可能なこと
である。二重変換システムによれば、高いフレキシビリティが得られ、例えばパ
ス間に変位したSLMフィールドをもつ一連の重なる書込みパスからの蓄積され
た線量誤差の単一のパスにおける訂正のために、ダイナミックに変化する線量で
異なる区域を露光することが可能になる。これを図5に概略的に示す。
【0033】
もちろん、他の表現を使用することができる。曲線の小さいサブセットを計算
し、ただし、それらの大部分を、計算した曲線間の線形補間によって生成する。
このようにすると、65536の曲線を生成する計算努力が扱いやすくなる。
し、ただし、それらの大部分を、計算した曲線間の線形補間によって生成する。
このようにすると、65536の曲線を生成する計算努力が扱いやすくなる。
【0034】
SLM中の各ピクセルごとに1つの16ビットセルを有するピクセルパラメー
タメモリがある。特定のピクセルがSLM中にロードされると、その8ビットデ
ータ値が参照メモリによって16ビットワードに変換される。どの曲線を使用す
るかは、ピクセルパラメータメモリから読み取られる16ビットワードによって
決定され、参照メモリの残りの16のアドレスビットに供給される。
タメモリがある。特定のピクセルがSLM中にロードされると、その8ビットデ
ータ値が参照メモリによって16ビットワードに変換される。どの曲線を使用す
るかは、ピクセルパラメータメモリから読み取られる16ビットワードによって
決定され、参照メモリの残りの16のアドレスビットに供給される。
【0035】
別法として、参照テーブルを使用する代わりに応答値の算術計算のためのデバ
イスを使用することも可能である。また、算術計算と参照テーブルとを組み合わ
せた任意の種類の混合ソリューションを使用することも可能である。
イスを使用することも可能である。また、算術計算と参照テーブルとを組み合わ
せた任意の種類の混合ソリューションを使用することも可能である。
【0036】
上述のものなど、他のタイプの空間エネルギービーム変調器のために同様の訂
正機能が使用されることが好適である。
正機能が使用されることが好適である。
【0037】
(データ完全性および誤り回復)
フォトマスクは書込みパス当たり150mm×150mm/(0.1μm×0
.1μm)ピクセル=2.25×1012ピクセルを含有することができる。デー
タにビット誤りがあると書き込まれたパターン中に点欠陥が生じることがある。
ビット誤りはしばしば電子妨害の結果であり、しばしばバースト中に起こり、そ
の場合、フォトマスクを使用して製造したチップが誤動作することがある。好ま
しい実施形態では、データはチェックサムと一緒に転送され、チェックサムが間
違っている場合、誤りフラグが上がる。これは、DACラッチ中ですべての大ボ
リュームデータフローについて行われる。誤り状態が生じたとき、後続のレーザ
パルスは抑止され、ライタは、誤り状態が取り除かれたときに、抑止されたフラ
ッシュからの書込みを継続する回復モードに入る。いくつかの他の内部状態によ
り、例えばデータが準備できていないとき、誤りフラグが上がる。
.1μm)ピクセル=2.25×1012ピクセルを含有することができる。デー
タにビット誤りがあると書き込まれたパターン中に点欠陥が生じることがある。
ビット誤りはしばしば電子妨害の結果であり、しばしばバースト中に起こり、そ
の場合、フォトマスクを使用して製造したチップが誤動作することがある。好ま
しい実施形態では、データはチェックサムと一緒に転送され、チェックサムが間
違っている場合、誤りフラグが上がる。これは、DACラッチ中ですべての大ボ
リュームデータフローについて行われる。誤り状態が生じたとき、後続のレーザ
パルスは抑止され、ライタは、誤り状態が取り除かれたときに、抑止されたフラ
ッシュからの書込みを継続する回復モードに入る。いくつかの他の内部状態によ
り、例えばデータが準備できていないとき、誤りフラグが上がる。
【0038】
また、レーザパルスのシーケンスは、レーザトリガ信号の後の所定の期間内の
レーザパルスの不在により誤り状態が生じるように監視される。パルスがなくな
っているので、露光は行われず、マスクブランクは誤りによって破壊されていな
い。したがって、通常の誤り回復シーケンスは、データフローを停止すること、
機械的ストロークを停止すること(または露光なしで通常のストロークを停止す
ること)、データをバッキングすること、同じストリップを再び再開すること、
およびなくなったフラッシュにおいてレーザをオンにすることを含む。同様に処
理される他の誤り状態は、所定の限界を超えるステージ位置誤り、空気圧サージ
である。書込み誤りの危険を伴ういかなる状態またはイベントも、まれなイベン
トに対して非常に低いスループット損失で同様に処理することができる。したが
って、データパスは、最後のSLMビットマップの迅速な再ローディングの可能
性をもって設計される。データパス中に早期のデータ転送誤りがあると一部のデ
ータの再フラクチャおよび再ラスタ化が起こる。
レーザパルスの不在により誤り状態が生じるように監視される。パルスがなくな
っているので、露光は行われず、マスクブランクは誤りによって破壊されていな
い。したがって、通常の誤り回復シーケンスは、データフローを停止すること、
機械的ストロークを停止すること(または露光なしで通常のストロークを停止す
ること)、データをバッキングすること、同じストリップを再び再開すること、
およびなくなったフラッシュにおいてレーザをオンにすることを含む。同様に処
理される他の誤り状態は、所定の限界を超えるステージ位置誤り、空気圧サージ
である。書込み誤りの危険を伴ういかなる状態またはイベントも、まれなイベン
トに対して非常に低いスループット損失で同様に処理することができる。したが
って、データパスは、最後のSLMビットマップの迅速な再ローディングの可能
性をもって設計される。データパス中に早期のデータ転送誤りがあると一部のデ
ータの再フラクチャおよび再ラスタ化が起こる。
【図1】
従来技術の(a)走査レーザを使用したパターン発生器および(b)各プロセ
ッサがビームインタフェースの各々にデータを送るマルチプロセッサマルチビー
ムを示す図である。
ッサがビームインタフェースの各々にデータを送るマルチプロセッサマルチビー
ムを示す図である。
【図2】
画像を生成するための空間光変調器を使用した代表的なパターン発生器を示す
図である。
図である。
【図3】
各々がSLMにおける隣接区域のためのデータを生成する多数のフラクチャ化
プロセッサおよび多数のラスタ化プロセッサをもつマルチプロセッサアーキテク
チャを示す図である。
プロセッサおよび多数のラスタ化プロセッサをもつマルチプロセッサアーキテク
チャを示す図である。
【図4】
各々がSLMの別々の区域に供給するいくつかのフラクチャ化プロセッサおよ
びいくつかのラスタ化プロセッサをもつ2つの完全に独立したユニットをもつ完
全に並列なアーキテクチャを示す図である。
びいくつかのラスタ化プロセッサをもつ2つの完全に独立したユニットをもつ完
全に並列なアーキテクチャを示す図である。
【図5】
露光フィールド間の物理的重なりと画像処理、例えば逆畳み込みのための相互
作用重なりの両方に適応する重なりをもって入力パターンがどのようにフラクチ
ャ化されるかを示す図である。
作用重なりの両方に適応する重なりをもって入力パターンがどのようにフラクチ
ャ化されるかを示す図である。
【図6】
SLMにグレイスケールビットマップをローディングするための好ましい実施
形態を示す図である。
形態を示す図である。
【図7】
重なり発生および誤り訂正のためのピクセル毎の参照のための好ましい実施形
態を示す図である。
態を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ
,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML,
MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K
E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG
,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,
RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,
AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C
A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM
,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,
GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K
E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS
,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,
MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R
U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM
,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN,
YU,ZA,ZW
Fターム(参考) 2H095 BA01 BB01
2H097 AA03 BA10 BB10 EA01 GB04
LA10 LA12 LA17
5F046 AA17 BA07 CA03 CB27 GA06
5F056 AA12 CA21 CA25
Claims (24)
- 【請求項1】 高いスループットおよび精度で記号入力フォーマット(例え
ばGDSII)のパターンデータを多値ビットマップに変換し、前記ビットマッ
プをパターン発生器中のアナログ空間エネルギービーム変調器(SEBM)に供
給するための方法であって、 入力フォーマットを受け入れ、それを少なくとも1つのフラクチャプロセッサ
中でフラクチャフィールドにフラクチャ化するステップと、 フラクチャフィールドのためのフラクチャ化されたデータを、少なくとも1つ
のラスタ化プロセッサをもつラスタ化モジュールに送るステップと、 前記ラスタ化プロセッサ中で、データの少なくとも一部をSEBM上の区域に
対応する隣接ビットマップにラスタ化するステップと、 前記隣接ビットマップをSEBMの前記区域中にロードするステップとを含む
方法。 - 【請求項2】 ビットマップデータをSEBM中にロードする間、ピクセル
のための多値データがアナログ多値電磁量に変換される請求項1に記載された方
法。 - 【請求項3】 前記電磁量が電子電位である請求項2に記載された方法。
- 【請求項4】 ビットマップデータが、SEBMの応答における非線形性ま
たはピクセル間の変化について訂正される請求項1に記載された方法。 - 【請求項5】 1つのピクセルのためのデータが、予め格納された参照テー
ブルの参照によって訂正される請求項4に記載された方法。 - 【請求項6】 前記テーブルの参照が、データ値およびSEBM中のピクセ
ル位置に基づいている請求項5に記載された方法。 - 【請求項7】 前記テーブルの参照が、ピクセル値および少なくとも1つの
物理的パラメータの変化に対応するピクセルのための一組の応答関数のうちの1
つに基づいている請求項5に記載された方法。 - 【請求項8】 前記物理的パラメータが、 電子オフセット、 電子ゲイン、 ミラーの機械的スチフネス、 ビルトイン応力 波面フラットネス、 ビームポインティング、 光効率、例えば反射率または透過率、 メモリ効果 のうちの少なくとも1つを含む請求項7に記載された方法。
- 【請求項9】 1つのピクセルのためのデータが、算術計算によって訂正さ
れる請求項4に記載された方法。 - 【請求項10】 少なくとも2つのラスタ化モジュールがある請求項1に記
載された方法。 - 【請求項11】 SEBMの表面がサブフィールドに分割され、1つのラス
タ化モジュールが永続的にサブフィールドに割り当てられる請求項10に記載さ
れた方法。 - 【請求項12】 フラクチャフィールドがSEBMのサブフィールドに対応
する請求項11に記載された方法。 - 【請求項13】 空間エネルギービーム変調器(SEBM)が空間光変調器
(SLM)である請求項1から請求項12までのいずれか一項に記載された方法
。 - 【請求項14】 高いスループットおよび精度で記号入力フォーマット、例
えばGDSIIのパターンデータを多値ビットマップに変換し、前記ビットマッ
プをパターン発生器中のアナログ空間エネルギービーム変調器(SEBM)に供
給するための方法であって、 入力フォーマットを受け入れ、それを少なくとも1つのフラクチャプロセッサ
中でフラクチャフィールドにフラクチャ化するステップと、 SEBMの隣接区域を入力パターン記述中の隣接区域に割り当てるステップと
、 前記パターン区域のためのフラクチャ化されたデータを、少なくとも1つのラ
スタ化プロセッサをもつラスタ化モジュールに送るステップと、 前記ラスタ化モジュール中で、データの少なくとも一部を隣接ビットマップに
ラスタ化するステップと、 前記ビットマップをSEBMの前記区域中にロードするステップとを含む方法
。 - 【請求項15】 SEBMの少なくとも2つの隣接区域が入力データ中の2
つの区域に割り当てられ、2つのラスタ化プロセッサに送られる請求項14に記
載された方法。 - 【請求項16】 少なくとも2つのフラクチャプロセッサが少なくとも2つ
のラスタ化プロセッサにデータを送る請求項14に記載された方法。 - 【請求項17】 1つのフラクチャプロセッサが少なくとも1つのラスタ化
プロセッサにデータを送り、別のフラクチャプロセッサが、第1のフラクチャプ
ロセッサからデータを受信しない少なくとも1つのラスタ化プロセッサにデータ
を送る請求項14に記載された方法。 - 【請求項18】 フラクチャプロセッサとラスタ化プロセッサの間に固定の
関連がある請求項17に記載された方法。 - 【請求項19】 1つのフラクチャモジュールが、少なくとも2つのラスタ
化プロセッサを含有する少なくとも1つのラスタ化モジュールにデータを送る請
求項14に記載された方法。 - 【請求項20】 少なくとも2つのフラクチャプロセッサを含有する1つの
フラクチャモジュールが、少なくとも2つのラスタ化プロセッサを含有する少な
くとも1つのラスタ化モジュールにデータを送る請求項14に記載された方法。 - 【請求項21】 1つのフラクチャモジュールがラスタ化モジュールにデー
タを送り、別のフラクチャモジュールが異なるラスタ化モジュールにデータを送
る請求項14に記載された方法。 - 【請求項22】 空間エネルギービーム変調器(SEBM)が空間光変調器
(SLM)である請求項14から請求項21までのいずれか一項に記載された方
法。 - 【請求項23】 高いスループットおよび精度で記号入力フォーマット、例
えばGDSIIのパターンデータを多値ビットマップに変換し、前記ビットマッ
プをパターン発生器中のアナログ空間エネルギービーム変調器(SEBM)に供
給するための方法であって、 入力フォーマットを受け入れ、それを少なくとも1つのフラクチャプロセッサ
中でフラクチャフィールドにフラクチャ化するステップと、 フラクチャフィールド中のデータをパターン中の意図された位置でタグ付けす
るステップと、 フラクチャ化され、タグ付けされたフィールドを少なくとも1つのラスタ化モ
ジュールに送るステップと、 前記ラスタ化モジュール中で、タグ付けされたフラクチャデータの少なくとも
一部をタグ付けされたビットマップにラスタ化するステップと、 前記ビットマップをタグによって決定されるSEBMの区域中にロードするス
テップとを含む方法。 - 【請求項24】 高いスループットおよび精度で記号入力フォーマット、例
えばGDSIIのパターンデータを多値ビットマップに変換し、前記ビットマッ
プをパターン発生器中のアナログ空間エネルギービーム変調器(SEBM)に供
給するためのラスタ化装置であって、 入力パターンデータのための、入力チャネル、例えばネットワーク接続または
取付け可能媒体のためのステーションと、 前記入力データをフラクチャフィールドにフラクチャ化するためのフラクチャ
モジュールと、 フラクチャフィールドのためのデータを多値ビットマップにラスタ化するため
のラスタ化モジュールと、 前記ビットマップを前記SEBMにロードするための、転送構造、例えばバス
または直列データインタフェースとを含むラスタ化装置。
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