JP2003298133A - セラミック積層体の製造方法 - Google Patents
セラミック積層体の製造方法Info
- Publication number
- JP2003298133A JP2003298133A JP2002103421A JP2002103421A JP2003298133A JP 2003298133 A JP2003298133 A JP 2003298133A JP 2002103421 A JP2002103421 A JP 2002103421A JP 2002103421 A JP2002103421 A JP 2002103421A JP 2003298133 A JP2003298133 A JP 2003298133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminate
- unfired
- electrode
- firing
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 82
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 114
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 50
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 30
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 20
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 27
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 26
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical group [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 15
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 12
- FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N n,n'-di-2-butyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound CCC(C)NC1=CC=C(NC(C)CC)C=C1 FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000003434 Sesamum indicum Nutrition 0.000 description 2
- 244000000231 Sesamum indicum Species 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 PbZrO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
- H10N30/053—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
- B32B2311/12—Copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3272—Iron oxides or oxide forming salts thereof, e.g. hematite, magnetite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3275—Cobalt oxides, cobaltates or cobaltites or oxide forming salts thereof, e.g. bismuth cobaltate, zinc cobaltite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3281—Copper oxides, cuprates or oxide-forming salts thereof, e.g. CuO or Cu2O
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/652—Reduction treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/345—Refractory metal oxides
- C04B2237/346—Titania or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/345—Refractory metal oxides
- C04B2237/348—Zirconia, hafnia, zirconates or hafnates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/407—Copper
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼成雰囲気における酸素分圧の制御を厳密に
行う必要のないセラミック積層体の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体２を準備し，該未焼成積層体
２を誘電層還元防止剤２１と電極層酸化防止剤２２とを
導入した焼成雰囲気において焼成する。または，誘電層
還元防止剤２１のみの雰囲気，電極層酸化防止剤２２の
みの雰囲気で焼成する。
行う必要のないセラミック積層体の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体２を準備し，該未焼成積層体
２を誘電層還元防止剤２１と電極層酸化防止剤２２とを
導入した焼成雰囲気において焼成する。または，誘電層
還元防止剤２１のみの雰囲気，電極層酸化防止剤２２の
みの雰囲気で焼成する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，誘電層と電極層とを交互に積層
したセラミック積層体の製造方法に関する。
したセラミック積層体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】ディーゼルエンジン等のインジェクタ駆動
素子，各種位置決め装置における変位素子として，電極
を同時焼成したピエゾアクチュエータが開発されてい
る。上記ピエゾアクチュエータは誘電層と電極層とを交
互に積層したセラミック積層体に一対の外部電極を設け
た構成を有し，上記セラミック積層体は，未焼成誘電層
と未焼成電極層とを交互に積層した未焼成積層体を焼成
することにより製造する。
素子，各種位置決め装置における変位素子として，電極
を同時焼成したピエゾアクチュエータが開発されてい
る。上記ピエゾアクチュエータは誘電層と電極層とを交
互に積層したセラミック積層体に一対の外部電極を設け
た構成を有し，上記セラミック積層体は，未焼成誘電層
と未焼成電極層とを交互に積層した未焼成積層体を焼成
することにより製造する。
【０００３】セラミック積層体の誘電層として従来から
用いられてきたＰＺＴ系材料は焼成温度が１１００℃程
度必要である。そのため，ＰＺＴ系材料を用いた誘電層
のセラミック積層体に対して，電極層はＰｄなどの高価
な貴金属を用いざるを得なかった。そこでコストを下げ
るため，９５０℃以下で焼成できるＰＺＴ系材料を開発
し，電極層にＣｕ等の卑金属を用いたセラミック積層体
が提案されていた。
用いられてきたＰＺＴ系材料は焼成温度が１１００℃程
度必要である。そのため，ＰＺＴ系材料を用いた誘電層
のセラミック積層体に対して，電極層はＰｄなどの高価
な貴金属を用いざるを得なかった。そこでコストを下げ
るため，９５０℃以下で焼成できるＰＺＴ系材料を開発
し，電極層にＣｕ等の卑金属を用いたセラミック積層体
が提案されていた。
【０００４】
【解決しようとする課題】しかしながら，Ｃｕ等の卑金
属はＰｄ等の貴金属と比較して酸化されやすい。従っ
て，大気中で焼成した際は酸化されてＣｕ酸化物とな
り，比抵抗が高くなって所望の電気的特性が得難くなる
という問題があった。また，ＣｕがＣｕ酸化物になる際
には体積膨張を伴うため，電極層が剥離するなどの問題
が生じることもあった。
属はＰｄ等の貴金属と比較して酸化されやすい。従っ
て，大気中で焼成した際は酸化されてＣｕ酸化物とな
り，比抵抗が高くなって所望の電気的特性が得難くなる
という問題があった。また，ＣｕがＣｕ酸化物になる際
には体積膨張を伴うため，電極層が剥離するなどの問題
が生じることもあった。
【０００５】一方，焼成雰囲気内の酸素分圧が低い場
合，Ｃｕの酸化は防止できるが，電極層と該電極層と隣
接する誘電層との界面の接合が不十分となり，電極層と
誘電層との間に剥がれが生じることがあった。または，
誘電層が還元され金属Ｐｂが生成し，電極層のＣｕと反
応し電極層が溶け出す問題もあった。電極層が溶け出し
た場合，セラミック積層体の電極層がアイランド状とな
る等して，誘電層に対する電圧印加電極としての機能を
果たせなくなるおそれもあった。
合，Ｃｕの酸化は防止できるが，電極層と該電極層と隣
接する誘電層との界面の接合が不十分となり，電極層と
誘電層との間に剥がれが生じることがあった。または，
誘電層が還元され金属Ｐｂが生成し，電極層のＣｕと反
応し電極層が溶け出す問題もあった。電極層が溶け出し
た場合，セラミック積層体の電極層がアイランド状とな
る等して，誘電層に対する電圧印加電極としての機能を
果たせなくなるおそれもあった。
【０００６】これらの問題を防ぐため，未焼成積層体の
焼成は，複雑な組成のガス系を利用する等して焼成雰囲
気内の酸素分圧を厳密に制御する必要があった。すなわ
ち，焼成雰囲気は誘電層のＰＺＴ等が還元されず，電極
層のＣｕ等が酸化されない酸素分圧に制御する必要があ
る。
焼成は，複雑な組成のガス系を利用する等して焼成雰囲
気内の酸素分圧を厳密に制御する必要があった。すなわ
ち，焼成雰囲気は誘電層のＰＺＴ等が還元されず，電極
層のＣｕ等が酸化されない酸素分圧に制御する必要があ
る。
【０００７】上記条件を満たすには，種々のガスを使用
し，エリンガム図表から導出した，Ｃｕが酸化されずＰ
ＺＴが還元されない温度と酸素分圧の，図３において網
掛けとした領域内に焼成雰囲気を制御する必要がある。
つまり，温度に対応した酸素分圧で焼成する必要があ
り，製造行程が非常に複雑で，制御が面倒かつ手間が必
要であった。また，電極層のコスト削減を図っても，製
造工程がコストアップするなどの問題もあった。さらに
制御が面倒であることから，不良のセラミック積層体が
発生しやすく，歩留まり率の悪い製造方法であった。
し，エリンガム図表から導出した，Ｃｕが酸化されずＰ
ＺＴが還元されない温度と酸素分圧の，図３において網
掛けとした領域内に焼成雰囲気を制御する必要がある。
つまり，温度に対応した酸素分圧で焼成する必要があ
り，製造行程が非常に複雑で，制御が面倒かつ手間が必
要であった。また，電極層のコスト削減を図っても，製
造工程がコストアップするなどの問題もあった。さらに
制御が面倒であることから，不良のセラミック積層体が
発生しやすく，歩留まり率の悪い製造方法であった。
【０００８】なお，上述の問題は，アクチュエーターに
使用するセラミック積層体に限らず，セラミックコンデ
ンサや多層基板等に用い，誘電層が主としてＰｂＯを含
み，電極層がＣｕ等の酸化されやすい卑金属電極を含む
セラミック積層体についても当てはまる。
使用するセラミック積層体に限らず，セラミックコンデ
ンサや多層基板等に用い，誘電層が主としてＰｂＯを含
み，電極層がＣｕ等の酸化されやすい卑金属電極を含む
セラミック積層体についても当てはまる。
【０００９】本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので，焼成雰囲気における酸素分圧の制御を厳
密に行う必要のないセラミック積層体の製造方法を提供
しようとするものである。
されたもので，焼成雰囲気における酸素分圧の制御を厳
密に行う必要のないセラミック積層体の製造方法を提供
しようとするものである。
【００１０】
【課題の解決手段】第１の発明は，誘電層と電極層とを
交互に積層したセラミック積層体を製造するに当たり，
ＰＺＴ系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む
未焼成電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備
し，該未焼成積層体を誘電層還元防止剤と電極層酸化防
止剤とを導入した焼成雰囲気において焼成することを特
徴とするセラミック積層体の製造方法にある（請求項
１）。
交互に積層したセラミック積層体を製造するに当たり，
ＰＺＴ系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む
未焼成電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備
し，該未焼成積層体を誘電層還元防止剤と電極層酸化防
止剤とを導入した焼成雰囲気において焼成することを特
徴とするセラミック積層体の製造方法にある（請求項
１）。
【００１１】次に，本発明の作用効果につき説明する。
第１の発明では未焼成積層体の焼成雰囲気に誘電層還元
防止剤と電極層酸化防止剤とを導入する。上記誘電層酸
化防止剤，電極層酸化防止剤は，それぞれ未焼成積層体
を保護するため犠牲となる物質である。すなわち，仮に
酸素分圧が高い焼成雰囲気では電極層の酸化が進行する
おそれがあるが，第１の発明に示した電極層酸化防止剤
は電極層よりも酸化しやすい物質で，雰囲気中の酸素を
獲得して自分自身が酸化する。この反応に伴い焼成雰囲
気内の酸素分圧は低下し，自ずから電極層が酸化し難く
なる状態に酸素分圧が低下する。
第１の発明では未焼成積層体の焼成雰囲気に誘電層還元
防止剤と電極層酸化防止剤とを導入する。上記誘電層酸
化防止剤，電極層酸化防止剤は，それぞれ未焼成積層体
を保護するため犠牲となる物質である。すなわち，仮に
酸素分圧が高い焼成雰囲気では電極層の酸化が進行する
おそれがあるが，第１の発明に示した電極層酸化防止剤
は電極層よりも酸化しやすい物質で，雰囲気中の酸素を
獲得して自分自身が酸化する。この反応に伴い焼成雰囲
気内の酸素分圧は低下し，自ずから電極層が酸化し難く
なる状態に酸素分圧が低下する。
【００１２】また，仮に酸素分圧が低い焼成雰囲気で
は，同様に誘電層の還元が進行するおそれがあるが，第
１の発明に示した誘電層還元防止剤は誘電層よりも還元
されやすい物質で，誘電層より先に還元され，酸素を焼
成雰囲気に放出する。この反応に伴い焼成雰囲気内の酸
素分圧は上昇し，自ずから誘電層が還元され難くなる状
態に酸素分圧が上昇する。
は，同様に誘電層の還元が進行するおそれがあるが，第
１の発明に示した誘電層還元防止剤は誘電層よりも還元
されやすい物質で，誘電層より先に還元され，酸素を焼
成雰囲気に放出する。この反応に伴い焼成雰囲気内の酸
素分圧は上昇し，自ずから誘電層が還元され難くなる状
態に酸素分圧が上昇する。
【００１３】仮に未焼成積層体近傍の焼成雰囲気に酸素
センサ等を設置し，該酸素センサを用いて焼成雰囲気の
酸素分圧を制御する。酸素分圧を制御するために焼成雰
囲気のガス組成を調整しても，焼成雰囲気全体の酸素分
圧を適切に制御できるとはかぎらない。さらに，適切な
酸素分圧は，図３に示したエリンガム図表から明らかで
あるが，温度の影響を受ける。
センサ等を設置し，該酸素センサを用いて焼成雰囲気の
酸素分圧を制御する。酸素分圧を制御するために焼成雰
囲気のガス組成を調整しても，焼成雰囲気全体の酸素分
圧を適切に制御できるとはかぎらない。さらに，適切な
酸素分圧は，図３に示したエリンガム図表から明らかで
あるが，温度の影響を受ける。
【００１４】さらに，誘電層と電極層とのデラミネーシ
ョンを防止する際に昇温速度を早くする場合があって，
このケースでは，未焼成積層体の周囲の温度に見合った
酸素分圧の制御が適切に行うことができないのが現状で
あった。したがって，制御する酸素分圧の製造可能な幅
が狭くなり，電極層が拡散溶融するような不具合がしば
しば発生していた。
ョンを防止する際に昇温速度を早くする場合があって，
このケースでは，未焼成積層体の周囲の温度に見合った
酸素分圧の制御が適切に行うことができないのが現状で
あった。したがって，制御する酸素分圧の製造可能な幅
が狭くなり，電極層が拡散溶融するような不具合がしば
しば発生していた。
【００１５】しかし，上述のトラブルが生じた場合であ
っても，よく観察すると未焼成積層体の内部は表面より
もトラブルによる変質等が少なく，比較的良好な電極層
などが形成されていることを発明者らは見出した。つま
り，未焼成積層体の表面の部分が変質することで，雰囲
気の酸素分圧が自ずと調整され，酸素分圧が高ければ電
極層は酸化し，酸素分圧が低ければ誘電層が還元するこ
とで，雰囲気内に酸素が出入りし，分圧が調整されるの
である。
っても，よく観察すると未焼成積層体の内部は表面より
もトラブルによる変質等が少なく，比較的良好な電極層
などが形成されていることを発明者らは見出した。つま
り，未焼成積層体の表面の部分が変質することで，雰囲
気の酸素分圧が自ずと調整され，酸素分圧が高ければ電
極層は酸化し，酸素分圧が低ければ誘電層が還元するこ
とで，雰囲気内に酸素が出入りし，分圧が調整されるの
である。
【００１６】このように第１の発明によれば，焼成雰囲
気は自ずから適切な酸素分圧に到達するため，電極層の
酸化も誘電層の還元も生じ難い。
気は自ずから適切な酸素分圧に到達するため，電極層の
酸化も誘電層の還元も生じ難い。
【００１７】第２の発明は，誘電層と電極層とを交互に
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を電極層酸化防止剤を導入した酸化焼成雰囲
気において焼成することを特徴とするセラミック積層体
の製造方法（請求項２）である。
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を電極層酸化防止剤を導入した酸化焼成雰囲
気において焼成することを特徴とするセラミック積層体
の製造方法（請求項２）である。
【００１８】第３の発明は，誘電層と電極層とを交互に
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を誘電層還元防止剤を導入した還元焼成雰囲
気において焼成することを特徴とするセラミック積層体
の製造方法（請求項３）である。
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を誘電層還元防止剤を導入した還元焼成雰囲
気において焼成することを特徴とするセラミック積層体
の製造方法（請求項３）である。
【００１９】第２の発明は酸化焼成雰囲気での焼成であ
る。第３は還元焼成雰囲気での焼成である。したがっ
て，第２の発明では電極層の酸化が生じるおそれがあ
り，これを電極層酸化防止剤を用いて防止する。第３の
発明では誘電層の還元が生じるおそれがあり，これを誘
電層還元防止剤を用いて防止する。防止の詳細なメカニ
ズムは第１の発明と同様である。
る。第３は還元焼成雰囲気での焼成である。したがっ
て，第２の発明では電極層の酸化が生じるおそれがあ
り，これを電極層酸化防止剤を用いて防止する。第３の
発明では誘電層の還元が生じるおそれがあり，これを誘
電層還元防止剤を用いて防止する。防止の詳細なメカニ
ズムは第１の発明と同様である。
【００２０】第４の発明は，誘電層と電極層とを交互に
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を誘電層還元防止剤及び電極層酸化防止剤に
通した雰囲気ガスを導入した焼成雰囲気において焼成す
ることを特徴とするセラミック積層体の製造方法にある
（請求項４）。
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を誘電層還元防止剤及び電極層酸化防止剤に
通した雰囲気ガスを導入した焼成雰囲気において焼成す
ることを特徴とするセラミック積層体の製造方法にある
（請求項４）。
【００２１】第５の発明は，誘電層と電極層とを交互に
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を電極層酸化防止剤に通した酸化性雰囲気ガ
スを導入した焼成雰囲気において焼成することを特徴と
するセラミック積層体の製造方法にある（請求項５）。
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を電極層酸化防止剤に通した酸化性雰囲気ガ
スを導入した焼成雰囲気において焼成することを特徴と
するセラミック積層体の製造方法にある（請求項５）。
【００２２】第６の発明は，誘電層と電極層とを交互に
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を誘電層還元防止剤に通した還元性雰囲気ガ
スを導入した焼成雰囲気において焼成することを特徴と
するセラミック積層体の製造方法にある（請求項６）。
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を誘電層還元防止剤に通した還元性雰囲気ガ
スを導入した焼成雰囲気において焼成することを特徴と
するセラミック積層体の製造方法にある（請求項６）。
【００２３】第４〜第６の発明は，予め電極層酸化防止
剤や誘電層還元防止剤を通した雰囲気ガスを導入した焼
成雰囲気において未焼成積層体を焼成する。このため，
上述した第１〜第３の発明と同様に，自ずと焼成雰囲気
が電極層の酸化が生じ難く，誘電層の還元が生じ難い酸
素分圧となる。このとき，各雰囲気ガスおよび電極層酸
化防止剤や誘電層還元防止剤が，焼成雰囲気の温度と連
動していることが好ましい。
剤や誘電層還元防止剤を通した雰囲気ガスを導入した焼
成雰囲気において未焼成積層体を焼成する。このため，
上述した第１〜第３の発明と同様に，自ずと焼成雰囲気
が電極層の酸化が生じ難く，誘電層の還元が生じ難い酸
素分圧となる。このとき，各雰囲気ガスおよび電極層酸
化防止剤や誘電層還元防止剤が，焼成雰囲気の温度と連
動していることが好ましい。
【００２４】第７の発明は，誘電層と電極層とを交互に
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体をＰＺＴ，ＰｂＺｒＯ3，ＰｂＴｉＯ3，Ｐｂ
Ｏのいずれか一種以上よりなる粉末で被覆して焼成する
ことを特徴とするセラミック積層体の製造方法にある
（請求項９）。
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体をＰＺＴ，ＰｂＺｒＯ3，ＰｂＴｉＯ3，Ｐｂ
Ｏのいずれか一種以上よりなる粉末で被覆して焼成する
ことを特徴とするセラミック積層体の製造方法にある
（請求項９）。
【００２５】未焼成積層体は上述した粉末により被覆さ
れ，上記粉末が還元することで周囲に酸素を放出する。
このような粉末により被覆された未焼成積層体の近傍
は，自ずと電極層が酸化せず，誘電層が還元しない酸素
分圧の雰囲気となる。
れ，上記粉末が還元することで周囲に酸素を放出する。
このような粉末により被覆された未焼成積層体の近傍
は，自ずと電極層が酸化せず，誘電層が還元しない酸素
分圧の雰囲気となる。
【００２６】第８の発明は，誘電層と電極層とを交互に
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，上記
未焼成積層体を該未焼成積層体と反応し難い物質にて構
成した被覆材で覆って焼成することを特徴とするセラミ
ック積層体の製造方法にある（請求項１０）。
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，上記
未焼成積層体を該未焼成積層体と反応し難い物質にて構
成した被覆材で覆って焼成することを特徴とするセラミ
ック積層体の製造方法にある（請求項１０）。
【００２７】この場合，焼成雰囲気の酸素分圧に応じ
て，電極層は酸化され，誘電層は還元される。しかし未
焼成積層体の周囲は被覆材で覆われており，未焼成積層
体周辺の雰囲気は外部との気体交換が生じ難い状態にあ
る。従って，電極層の酸化に伴う酸素の吸収，誘電層の
還元に伴う酸素の放出によって，未焼成積層体周辺の焼
成雰囲気は自ずと電極層が酸化せず，誘電層が還元しな
い酸素分圧の雰囲気となる。
て，電極層は酸化され，誘電層は還元される。しかし未
焼成積層体の周囲は被覆材で覆われており，未焼成積層
体周辺の雰囲気は外部との気体交換が生じ難い状態にあ
る。従って，電極層の酸化に伴う酸素の吸収，誘電層の
還元に伴う酸素の放出によって，未焼成積層体周辺の焼
成雰囲気は自ずと電極層が酸化せず，誘電層が還元しな
い酸素分圧の雰囲気となる。
【００２８】第９の発明は，誘電層と電極層とを交互に
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を焼成容器に導入し，該焼成容器内を真空と
なし，所定の酸素分圧となるよう雰囲気ガスを導入し，
その後焼成を行うことを特徴とするセラミック積層体の
製造方法にある（請求項１２）。
積層したセラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ
系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成
電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未
焼成積層体を焼成容器に導入し，該焼成容器内を真空と
なし，所定の酸素分圧となるよう雰囲気ガスを導入し，
その後焼成を行うことを特徴とするセラミック積層体の
製造方法にある（請求項１２）。
【００２９】焼成容器内を一度真空にした後，所定の酸
素分圧となるように雰囲気ガスを導入するため，酸素分
圧の調整が容易である。さらに，焼成容器内の焼成雰囲
気は外部との気体交換が生じ難いため，電極層の酸化に
伴う酸素の吸収，誘電層の還元に伴う酸素の放出によっ
て，未焼成積層体周辺の焼成雰囲気は自ずと電極層が酸
化せず，誘電層が還元しない酸素分圧の雰囲気となる。
素分圧となるように雰囲気ガスを導入するため，酸素分
圧の調整が容易である。さらに，焼成容器内の焼成雰囲
気は外部との気体交換が生じ難いため，電極層の酸化に
伴う酸素の吸収，誘電層の還元に伴う酸素の放出によっ
て，未焼成積層体周辺の焼成雰囲気は自ずと電極層が酸
化せず，誘電層が還元しない酸素分圧の雰囲気となる。
【００３０】以上，第１〜第９の発明によれば，焼成雰
囲気における酸素分圧の制御を厳密に行う必要のないセ
ラミック積層体の製造方法を提供することができる。
囲気における酸素分圧の制御を厳密に行う必要のないセ
ラミック積層体の製造方法を提供することができる。
【００３１】また，第１０の発明は，誘電層と電極層と
を交互に積層したセラミック積層体を製造するに当た
り，ＰＺＴ系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を
含む未焼成電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準
備し，焼成雰囲気を一定の組成の雰囲気ガスとして，上
記未焼積層体を焼成することを特徴とするセラミック積
層体の製造方法にある。
を交互に積層したセラミック積層体を製造するに当た
り，ＰＺＴ系誘電材料を含む未焼成誘電層と電極材料を
含む未焼成電極層とを交互に積層した未焼成積層体を準
備し，焼成雰囲気を一定の組成の雰囲気ガスとして，上
記未焼積層体を焼成することを特徴とするセラミック積
層体の製造方法にある。
【００３２】
【発明の実施の形態】各発明において，セラミック積層
体の誘電層はＰＺＴ系誘電材料を含む未焼成誘電層から
なり，ＰＺＴ系誘電材料とはジルコン酸チタン酸鉛が組
成の主たる部分を占め，その他に，Ａサイトがバリウ
ム，ストロンチウムの２価の金属イオン，Ａｇ，Ｎａ，
Ｋの１価の金属イオンで置換されていてもよい。
体の誘電層はＰＺＴ系誘電材料を含む未焼成誘電層から
なり，ＰＺＴ系誘電材料とはジルコン酸チタン酸鉛が組
成の主たる部分を占め，その他に，Ａサイトがバリウ
ム，ストロンチウムの２価の金属イオン，Ａｇ，Ｎａ，
Ｋの１価の金属イオンで置換されていてもよい。
【００３３】Ｂサイトは，強誘電ペロブスカイトのセラ
ミックのＢサイトのＺｒ及びＴｉの４価の正のイオンの
部分的な置換に，以下の金属正イオンの組み合わせが使
用されている部品を用いることが好ましい。 （ａ）１価と５価の金属の正イオンの組み合わせ，ＭI
1/4ＭV 3/4（ＭI＝Ｎａ，Ｋ。ＭV＝Ｎｂ，Ｔａ），
（ｂ）２価と５価の金属正イオンの組み合わせ，ＭII
1/3ＭV 2/3（ＭII＝Ｍｇ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｃｏ。ＭV＝Ｎ
ｂ，Ｔａ），（ｃ）３価と５価の金属正イオンの組み合
わせ，ＭIIIＭV（ＭIII＝Ｆｅ，Ｉｎ，Ｓｃ，比較的重
いランタニド元素。ＭV＝Ｎｂ，Ｔａ），（ｄ）ＭIII
2/3ＭVI 1/3（ＭIII＝Ｆｅ，Ｉｎ，Ｓｃ，比較的重いラ
ンタニド元素。ＭVI＝Ｗ），（ｅ）ＭII 1/2ＭVI 1/2（Ｍ
II＝Ｍｇ，Ｃｏ，Ｎｉ。ＭVI＝Ｗ），
ミックのＢサイトのＺｒ及びＴｉの４価の正のイオンの
部分的な置換に，以下の金属正イオンの組み合わせが使
用されている部品を用いることが好ましい。 （ａ）１価と５価の金属の正イオンの組み合わせ，ＭI
1/4ＭV 3/4（ＭI＝Ｎａ，Ｋ。ＭV＝Ｎｂ，Ｔａ），
（ｂ）２価と５価の金属正イオンの組み合わせ，ＭII
1/3ＭV 2/3（ＭII＝Ｍｇ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｃｏ。ＭV＝Ｎ
ｂ，Ｔａ），（ｃ）３価と５価の金属正イオンの組み合
わせ，ＭIIIＭV（ＭIII＝Ｆｅ，Ｉｎ，Ｓｃ，比較的重
いランタニド元素。ＭV＝Ｎｂ，Ｔａ），（ｄ）ＭIII
2/3ＭVI 1/3（ＭIII＝Ｆｅ，Ｉｎ，Ｓｃ，比較的重いラ
ンタニド元素。ＭVI＝Ｗ），（ｅ）ＭII 1/2ＭVI 1/2（Ｍ
II＝Ｍｇ，Ｃｏ，Ｎｉ。ＭVI＝Ｗ），
【００３４】また，セラミック積層体の電極層は電極材
料を含む未焼成電極層からなり，該電極材料としては，
卑金属電極材料であるＣｕ，合金ガラスフリットを添加
したＣｕ，銅合金等を用いることができる。特にＣｕを
含む材料は低温焼成が可能で，安価な電気の良導体であ
るため，本発明にかかるセラミック積層体の電極材料と
して好ましい。
料を含む未焼成電極層からなり，該電極材料としては，
卑金属電極材料であるＣｕ，合金ガラスフリットを添加
したＣｕ，銅合金等を用いることができる。特にＣｕを
含む材料は低温焼成が可能で，安価な電気の良導体であ
るため，本発明にかかるセラミック積層体の電極材料と
して好ましい。
【００３５】また，本発明における焼成雰囲気として
は，Ｎ2，Ｎ2−Ｈ2，ＣＯ−ＣＯ2等の単体のガスや複数
種類のガスに酸素を含むものを用いることができる。
は，Ｎ2，Ｎ2−Ｈ2，ＣＯ−ＣＯ2等の単体のガスや複数
種類のガスに酸素を含むものを用いることができる。
【００３６】また，本発明にかかるセラミック積層体は
コンデンサとして用いる他，誘電層として圧電効果を持
つ材料で構成し，誘電層に交互に正負の電圧を印加する
ように構成することで圧電体素子として用いることがで
きる。
コンデンサとして用いる他，誘電層として圧電効果を持
つ材料で構成し，誘電層に交互に正負の電圧を印加する
ように構成することで圧電体素子として用いることがで
きる。
【００３７】また，上記電極層酸化防止剤はＣｕ，Ｃｕ
2Ｏのいずれか一種以上よりなることが好ましい（請求
項７）。これらの物質が焼成雰囲気に存在する際，電極
層の代わりに犠牲となってＣｕやＣｕ2Ｏは酸化してＣ
ｕＯとなり，このときに雰囲気内の酸素を消費する。よ
って，電極層の酸化を防止できる。
2Ｏのいずれか一種以上よりなることが好ましい（請求
項７）。これらの物質が焼成雰囲気に存在する際，電極
層の代わりに犠牲となってＣｕやＣｕ2Ｏは酸化してＣ
ｕＯとなり，このときに雰囲気内の酸素を消費する。よ
って，電極層の酸化を防止できる。
【００３８】また，上記誘電層還元防止剤はＰｂＯ，Ｐ
ｂＴｉＯ2，ＰＺＴ，ＰｂＺｒＯ3，ＣｕＯ，Ｃｕ2Ｏの
いずれか一種以上よりなることが好ましい（請求項
８）。この場合も同様に上述した物質が焼成雰囲気に存
在する際，上記物質が誘電層の代わりに犠牲となって還
元され，酸素を放出する。よって誘電層の酸化を防止す
ることができる。
ｂＴｉＯ2，ＰＺＴ，ＰｂＺｒＯ3，ＣｕＯ，Ｃｕ2Ｏの
いずれか一種以上よりなることが好ましい（請求項
８）。この場合も同様に上述した物質が焼成雰囲気に存
在する際，上記物質が誘電層の代わりに犠牲となって還
元され，酸素を放出する。よって誘電層の酸化を防止す
ることができる。
【００３９】そして，第８の発明において電極層や誘電
層に酸化や還元が生じるが，酸化物や金属物質の析出は
未焼成積層体の表面にとどまる。従って，未焼成積層体
の焼成後，表面に研磨，切削等の処理を施すことで，酸
化や還元の生じていない電極層や誘電層を備えたセラミ
ック積層体を得ることができる（請求項１１）。
層に酸化や還元が生じるが，酸化物や金属物質の析出は
未焼成積層体の表面にとどまる。従って，未焼成積層体
の焼成後，表面に研磨，切削等の処理を施すことで，酸
化や還元の生じていない電極層や誘電層を備えたセラミ
ック積層体を得ることができる（請求項１１）。
【００４０】また，第８の発明において未焼成積層体を
覆う被覆材としては，マグネシア（酸化マグネシウム）
等を用いることができる。また，被覆材は板状や器の形
状として，板状の被覆材で未焼成積層体を囲ったり（図
５参照），粉末の被覆材で未焼成積層体を埋めるように
覆うこともできる。
覆う被覆材としては，マグネシア（酸化マグネシウム）
等を用いることができる。また，被覆材は板状や器の形
状として，板状の被覆材で未焼成積層体を囲ったり（図
５参照），粉末の被覆材で未焼成積層体を埋めるように
覆うこともできる。
【００４１】また，上記焼成容器内の酸素分圧は１．０
１３×１０-1〜１．０１３×１０-5Ｐａであることが好
ましい（請求項１３） 上記酸素分圧に調整することで電極層は酸化され難く，
誘電層は還元され難い焼成雰囲気を得ることができる。
酸素分圧が１．０１３×１０-5Ｐａ未満である場合は雰
囲気内の酸素量が少ないために還元雰囲気での焼成とな
り，誘電層の還元が生じるおそれがある。１．０１３×
１０-1Ｐａを越えた場合は，反対に酸素が多すぎて電極
層が酸化が生じるおそれがある。
１３×１０-1〜１．０１３×１０-5Ｐａであることが好
ましい（請求項１３） 上記酸素分圧に調整することで電極層は酸化され難く，
誘電層は還元され難い焼成雰囲気を得ることができる。
酸素分圧が１．０１３×１０-5Ｐａ未満である場合は雰
囲気内の酸素量が少ないために還元雰囲気での焼成とな
り，誘電層の還元が生じるおそれがある。１．０１３×
１０-1Ｐａを越えた場合は，反対に酸素が多すぎて電極
層が酸化が生じるおそれがある。
【００４２】
【実施例】以下に，図面を用いて本発明の実施例につい
て説明する。 （実施例１）本発明にかかるセラミック積層体の製造方
法について，図１〜図４を用いて説明する。図１に示す
誘電層１１と電極層１２，１３とを交互に積層したセラ
ミック積層体１を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料
を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを
交互に積層した未焼成積層体２を準備し，該未焼成積層
体２を誘電層還元防止剤２１と電極層酸化防止剤２２と
を導入した焼成雰囲気において焼成する。
て説明する。 （実施例１）本発明にかかるセラミック積層体の製造方
法について，図１〜図４を用いて説明する。図１に示す
誘電層１１と電極層１２，１３とを交互に積層したセラ
ミック積層体１を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料
を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを
交互に積層した未焼成積層体２を準備し，該未焼成積層
体２を誘電層還元防止剤２１と電極層酸化防止剤２２と
を導入した焼成雰囲気において焼成する。
【００４３】以下，詳細に説明する。本例は，図１，図
２に示すごとく，側面１０１，１０２に側面電極１４と
リード線１４１，１４２を設け，断面が長方形の誘電層
１１からなる積層型圧電体素子として機能するセラミッ
ク積層体１である。なお，図１において電極層１２，１
３の記載は適宜省略した。誘電層１１は圧電材料より構
成され，誘電層１１と隣接する２つの電極層１２，１３
が誘電層１１に電圧を印加して，セラミック積層体１を
積層方向に伸縮させる。電極層１２，１３への通電は側
面電極１４とリード線１４１，１４２とより行い，上記
リード線１４１，１４２は図示を省略した電源に接続す
る。
２に示すごとく，側面１０１，１０２に側面電極１４と
リード線１４１，１４２を設け，断面が長方形の誘電層
１１からなる積層型圧電体素子として機能するセラミッ
ク積層体１である。なお，図１において電極層１２，１
３の記載は適宜省略した。誘電層１１は圧電材料より構
成され，誘電層１１と隣接する２つの電極層１２，１３
が誘電層１１に電圧を印加して，セラミック積層体１を
積層方向に伸縮させる。電極層１２，１３への通電は側
面電極１４とリード線１４１，１４２とより行い，上記
リード線１４１，１４２は図示を省略した電源に接続す
る。
【００４４】セラミック積層体１は，図２に示すごと
く，側面１０１に電極層１２が露出し，反対側の側面１
０２に電極未形成部１２０を有する誘電層１１と，側面
１０１に電極未形成部１３０を有し，反対側の側面１０
２に電極層１３が露出する誘電層１１とを交互に積層し
て構成する。側面１０１に露出した電極層１２の端面を
覆うように側面電極１４を設け，該側面電極１４にリー
ド線１４１を設ける。側面１０２に対しても同様に側面
電極１４とリード線１４２とを設ける。
く，側面１０１に電極層１２が露出し，反対側の側面１
０２に電極未形成部１２０を有する誘電層１１と，側面
１０１に電極未形成部１３０を有し，反対側の側面１０
２に電極層１３が露出する誘電層１１とを交互に積層し
て構成する。側面１０１に露出した電極層１２の端面を
覆うように側面電極１４を設け，該側面電極１４にリー
ド線１４１を設ける。側面１０２に対しても同様に側面
電極１４とリード線１４２とを設ける。
【００４５】次に，セラミック積層体１の製造方法の詳
細について説明する。９５０℃で焼成可能なＰＺＴ系誘
電材料を含む原料粉をボールミルで混合し，７００〜８
５０℃で５時間仮焼した後，パールミルで粉砕する。得
られた粉砕粉に９５０℃で焼成が可能となるように低融
点添加物を混合し，樹脂，有機溶剤を添加してスラリー
化する。得たスラリーからドクターブレード法にてグリ
ーンシートを得て，このグリーンシートを未焼成誘電層
として用いる。
細について説明する。９５０℃で焼成可能なＰＺＴ系誘
電材料を含む原料粉をボールミルで混合し，７００〜８
５０℃で５時間仮焼した後，パールミルで粉砕する。得
られた粉砕粉に９５０℃で焼成が可能となるように低融
点添加物を混合し，樹脂，有機溶剤を添加してスラリー
化する。得たスラリーからドクターブレード法にてグリ
ーンシートを得て，このグリーンシートを未焼成誘電層
として用いる。
【００４６】Ｃｕ，ＣｕＯ，ＣｕＯ2（これら銅や銅化
合物が電極材料となる）を１種から２種，３種所定量混
ぜ，また共紛として誘電層と同組成の粉をペースト化し
た。上記未焼成誘電層２に対しこの電極ペーストを所定
のパターンにスクリーン印刷し，未焼成電極層を形成す
る。
合物が電極材料となる）を１種から２種，３種所定量混
ぜ，また共紛として誘電層と同組成の粉をペースト化し
た。上記未焼成誘電層２に対しこの電極ペーストを所定
のパターンにスクリーン印刷し，未焼成電極層を形成す
る。
【００４７】このように未焼成誘電層の上に未焼成電極
層を設けたものを２０枚積層圧着した。次いで，積層方
向と垂直方向の面が所定の大きさとなるように切断し
た。これにより２０層のグリーンチップを得た。続い
て，上記グリーンチップをさらに２０層積み重ねてチッ
プ間を圧着し，未焼成積層体２とした。
層を設けたものを２０枚積層圧着した。次いで，積層方
向と垂直方向の面が所定の大きさとなるように切断し
た。これにより２０層のグリーンチップを得た。続い
て，上記グリーンチップをさらに２０層積み重ねてチッ
プ間を圧着し，未焼成積層体２とした。
【００４８】次いで，ＣｕＯ，Ｃｕ2Ｏを含むものは未
焼成積層体２を大気中，温度５００℃，５時間で脱バイ
ンダ処理した。その後，未焼成積層体２に対し電極還元
焼成を温度３３０℃×１２時間で行った。さらに電極が
酸化されているため，３００℃の近辺でＨ2を用い，電
極還元を行う。また，ＣｕＯ，Ｃｕ2Ｏを含まないもの
は，窒素雰囲気中で脱バインダ処理を行い，電極還元工
程は省略する。
焼成積層体２を大気中，温度５００℃，５時間で脱バイ
ンダ処理した。その後，未焼成積層体２に対し電極還元
焼成を温度３３０℃×１２時間で行った。さらに電極が
酸化されているため，３００℃の近辺でＨ2を用い，電
極還元を行う。また，ＣｕＯ，Ｃｕ2Ｏを含まないもの
は，窒素雰囲気中で脱バインダ処理を行い，電極還元工
程は省略する。
【００４９】次いで，焼成雰囲気に誘電層還元防止剤２
１と電極層酸化防止剤２２とを導入して９５０℃×２時
間で焼成を行った。この焼成の際の状況を図４を用いて
説明する。図４に示すごとく，図示を略した焼成炉内に
こうばち３１を置いて，該こうばち３１の中に同図に示
すようにマグネシア板３２を載置する。マグネシア板３
２の上に小型で薄い別のマグネシア板３３を載せて，さ
らにその上に未焼成積層体２を載せる。さらに未焼成積
層体２の上に気孔率２０％の薄いマグネシア板３４を複
数枚積層する。また，未焼成積層体２の隣に，同図に示
すように，円柱型の誘電層還元防止剤２１と電極層酸化
防止剤２２とを配置する。また，誘電層還元防止剤２１
はＰＺＴよりなり，電極層酸化防止剤２２はＣｕよりな
る。
１と電極層酸化防止剤２２とを導入して９５０℃×２時
間で焼成を行った。この焼成の際の状況を図４を用いて
説明する。図４に示すごとく，図示を略した焼成炉内に
こうばち３１を置いて，該こうばち３１の中に同図に示
すようにマグネシア板３２を載置する。マグネシア板３
２の上に小型で薄い別のマグネシア板３３を載せて，さ
らにその上に未焼成積層体２を載せる。さらに未焼成積
層体２の上に気孔率２０％の薄いマグネシア板３４を複
数枚積層する。また，未焼成積層体２の隣に，同図に示
すように，円柱型の誘電層還元防止剤２１と電極層酸化
防止剤２２とを配置する。また，誘電層還元防止剤２１
はＰＺＴよりなり，電極層酸化防止剤２２はＣｕよりな
る。
【００５０】図４に示すこうばち３１に蓋を閉めて焼成
炉内で焼成する。焼成炉内は雰囲気ガスとしてＣＯ2，
ＣＯ，Ｏ2などからなるガスを導入する。そして，上記
焼成の際は，誘電層還元防止剤２１のＰＺＴはこうばち
３１内に酸素を放出しながら金属鉛を生成するなどして
変質する。こうばち３１内の酸素分圧が所定の値に達す
るまでこの反応は継続する。また，電極層酸化防止剤２
２のＣｕはこうばち３１内の酸素を吸収しながら酸化す
る。これによってこうばち３１内の酸素分圧が所定の値
に達するまでこの反応は継続する。
炉内で焼成する。焼成炉内は雰囲気ガスとしてＣＯ2，
ＣＯ，Ｏ2などからなるガスを導入する。そして，上記
焼成の際は，誘電層還元防止剤２１のＰＺＴはこうばち
３１内に酸素を放出しながら金属鉛を生成するなどして
変質する。こうばち３１内の酸素分圧が所定の値に達す
るまでこの反応は継続する。また，電極層酸化防止剤２
２のＣｕはこうばち３１内の酸素を吸収しながら酸化す
る。これによってこうばち３１内の酸素分圧が所定の値
に達するまでこの反応は継続する。
【００５１】従って，こうばち３１内は焼成により自ず
から酸素分圧が制御され，誘電層還元防止剤２１も電極
層酸化防止剤２２もこれ以上還元も酸化もしなくなる状
態の酸素分圧に達する。そして，こうばち３１と蓋との
間は密着しているわけではなく，両者の隙間からこうば
ち３１内と焼成炉内との間でガス交換が行われる。しか
しながら，隙間はそれほど大きくないため，こうばち３
１内の酸素分圧と焼成炉内の酸素分圧とは一致せず，上
述したように自生雰囲気となる。よって，未焼成積層体
２は未焼成電極層の酸化も未焼成誘電層の還元も生じ難
い。このようにして未焼成積層体２の焼成が終了し，セ
ラミック積層体１を得る。この後，側面電極１４をセラ
ミック積層体１に接合し，またリード線１４１，１４２
を接合して，圧電体素子として機能するよう構成する。
から酸素分圧が制御され，誘電層還元防止剤２１も電極
層酸化防止剤２２もこれ以上還元も酸化もしなくなる状
態の酸素分圧に達する。そして，こうばち３１と蓋との
間は密着しているわけではなく，両者の隙間からこうば
ち３１内と焼成炉内との間でガス交換が行われる。しか
しながら，隙間はそれほど大きくないため，こうばち３
１内の酸素分圧と焼成炉内の酸素分圧とは一致せず，上
述したように自生雰囲気となる。よって，未焼成積層体
２は未焼成電極層の酸化も未焼成誘電層の還元も生じ難
い。このようにして未焼成積層体２の焼成が終了し，セ
ラミック積層体１を得る。この後，側面電極１４をセラ
ミック積層体１に接合し，またリード線１４１，１４２
を接合して，圧電体素子として機能するよう構成する。
【００５２】次に，本例にかかる作用効果について説明
する。本例の未焼成積層体２の焼成において，焼成雰囲
気は誘電層のＰＺＴ等が還元されず，電極層のＣｕ等が
酸化されない酸素分圧に制御する必要がある。この酸素
分圧は図３に示すエリンガム図表から導出した所定の範
囲（同図において網掛けで示した領域である）である。
する。本例の未焼成積層体２の焼成において，焼成雰囲
気は誘電層のＰＺＴ等が還元されず，電極層のＣｕ等が
酸化されない酸素分圧に制御する必要がある。この酸素
分圧は図３に示すエリンガム図表から導出した所定の範
囲（同図において網掛けで示した領域である）である。
【００５３】本例ではこうばち３１内に未焼成積層体２
と共にＰＺＴよりなる誘電層還元防止剤２１，Ｃｕより
なる電極層酸化防止剤２２を導入した。すなわち，仮に
酸素分圧が高い焼成雰囲気では電極層の酸化が進行する
おそれがあるが，電極層酸化防止剤２２は電極層よりも
参加しやすい物質で，雰囲気中の酸素を獲得して自分自
身が酸化する。この反応に伴い焼成雰囲気内の酸素分圧
は低下し，自ずから電極層が酸化し難くなる状態に酸素
分圧が低下する。
と共にＰＺＴよりなる誘電層還元防止剤２１，Ｃｕより
なる電極層酸化防止剤２２を導入した。すなわち，仮に
酸素分圧が高い焼成雰囲気では電極層の酸化が進行する
おそれがあるが，電極層酸化防止剤２２は電極層よりも
参加しやすい物質で，雰囲気中の酸素を獲得して自分自
身が酸化する。この反応に伴い焼成雰囲気内の酸素分圧
は低下し，自ずから電極層が酸化し難くなる状態に酸素
分圧が低下する。
【００５４】また，仮に酸素分圧が低い焼成雰囲気で
は，同様に誘電層の還元が進行するおそれがあるが，誘
電層還元防止剤２１は誘電層よりも還元されやすい物質
で，誘電層より先に還元され，酸素を焼成雰囲気に放出
する。この反応に伴い焼成雰囲気内の酸素分圧は上昇
し，自ずから誘電層が還元され難くなる状態に酸素分圧
が上昇する。
は，同様に誘電層の還元が進行するおそれがあるが，誘
電層還元防止剤２１は誘電層よりも還元されやすい物質
で，誘電層より先に還元され，酸素を焼成雰囲気に放出
する。この反応に伴い焼成雰囲気内の酸素分圧は上昇
し，自ずから誘電層が還元され難くなる状態に酸素分圧
が上昇する。
【００５５】このように本例によれば，焼成雰囲気は自
ずから適切な酸素分圧に到達するため，電極層の酸化も
誘電層の還元も生じ難い。
ずから適切な酸素分圧に到達するため，電極層の酸化も
誘電層の還元も生じ難い。
【００５６】なお，本例ではこうばち３１内に誘電層還
元防止剤２１と電極層酸化防止剤２２の双方を導入した
が，焼成炉内に導入する雰囲気ガスが還元性であれば誘
電層還元防止剤２１のみを導入しても本例と同様の効果
を得ることができる。導入するガスが酸化性であれば電
極層酸化防止剤２２のみでよい。
元防止剤２１と電極層酸化防止剤２２の双方を導入した
が，焼成炉内に導入する雰囲気ガスが還元性であれば誘
電層還元防止剤２１のみを導入しても本例と同様の効果
を得ることができる。導入するガスが酸化性であれば電
極層酸化防止剤２２のみでよい。
【００５７】（実施例２）本例は，図５に示すごとく，
未焼成積層体２の四箇所の表面を該未焼成積層体２と反
応し難いＭｇＯよりなるマグネシア板３５１，３５２，
３４で覆って焼成を行う。マグネシア板３５１，３５
２，３４で覆うことにより，未焼成積層体２の周辺はガ
スが滞留しやすくなる。そのため，未焼成積層体２の表
面に露出した未焼成誘電層や未焼成電極層が還元された
り酸化した結果の自生した所定の酸素分圧の雰囲気が，
焼成の継続される間，維持される。
未焼成積層体２の四箇所の表面を該未焼成積層体２と反
応し難いＭｇＯよりなるマグネシア板３５１，３５２，
３４で覆って焼成を行う。マグネシア板３５１，３５
２，３４で覆うことにより，未焼成積層体２の周辺はガ
スが滞留しやすくなる。そのため，未焼成積層体２の表
面に露出した未焼成誘電層や未焼成電極層が還元された
り酸化した結果の自生した所定の酸素分圧の雰囲気が，
焼成の継続される間，維持される。
【００５８】そのため，結果として実施例１のこうばち
内と同様に未焼成積層体周囲に自生雰囲気が形成され，
誘電層が還元され難く，電極層が酸化され難く，良好な
セラミック積層体を得ることができる。その他詳細は実
施例１と同様であり，実施例１と同様の作用効果を有す
る。
内と同様に未焼成積層体周囲に自生雰囲気が形成され，
誘電層が還元され難く，電極層が酸化され難く，良好な
セラミック積層体を得ることができる。その他詳細は実
施例１と同様であり，実施例１と同様の作用効果を有す
る。
【００５９】また，本例と同様の焼成において，マグネ
シアの板でなくて，マグネシアの粉末で未焼成積層体を
覆ってもよい。この場合も未焼成積層体の周辺のガスが
滞留し，未焼成積層体２の表面に露出した未焼成誘電層
や未焼成電極層が還元されたり酸化した結果の自生した
所定の酸素分圧の雰囲気が，焼成の継続される間，維持
される。よって，結果として実施例１のこうばち内と同
様に未焼成積層体周囲に形成され，誘電層が還元され難
く，電極層が酸化され難く，良好なセラミック積層体を
得ることができる。
シアの板でなくて，マグネシアの粉末で未焼成積層体を
覆ってもよい。この場合も未焼成積層体の周辺のガスが
滞留し，未焼成積層体２の表面に露出した未焼成誘電層
や未焼成電極層が還元されたり酸化した結果の自生した
所定の酸素分圧の雰囲気が，焼成の継続される間，維持
される。よって，結果として実施例１のこうばち内と同
様に未焼成積層体周囲に形成され，誘電層が還元され難
く，電極層が酸化され難く，良好なセラミック積層体を
得ることができる。
【００６０】また，マグネシアの代わりにＰＺＴ，Ｐｂ
ＺｒＯ3，ＰｂＴｉＯ3のいずれか一種以上よりなる粉末
で被覆して焼成することできる。この場合，上記粉末が
還元することで周囲に酸素を放出する。このような粉末
により被覆された未焼成積層体の近傍は，自ずと電極層
が酸化せず，誘電層が還元しない酸素分圧の雰囲気とな
る。よって，結果として実施例１のこうばち内と同様の
雰囲気が未焼成積層体周囲に形成され，誘電層が還元さ
れ難く，電極層が酸化され難く，良好なセラミック積層
体を得ることができる。
ＺｒＯ3，ＰｂＴｉＯ3のいずれか一種以上よりなる粉末
で被覆して焼成することできる。この場合，上記粉末が
還元することで周囲に酸素を放出する。このような粉末
により被覆された未焼成積層体の近傍は，自ずと電極層
が酸化せず，誘電層が還元しない酸素分圧の雰囲気とな
る。よって，結果として実施例１のこうばち内と同様の
雰囲気が未焼成積層体周囲に形成され，誘電層が還元さ
れ難く，電極層が酸化され難く，良好なセラミック積層
体を得ることができる。
【００６１】（実施例３）本例は，図６に示すごとく，
未焼成積層体２を誘電層還元防止剤及び電極層酸化防止
剤に通した雰囲気ガスを導入した焼成雰囲気において焼
成する方法について説明する。
未焼成積層体２を誘電層還元防止剤及び電極層酸化防止
剤に通した雰囲気ガスを導入した焼成雰囲気において焼
成する方法について説明する。
【００６２】以下，詳細に説明する。図６に本例にかか
る焼成について説明する。雰囲気ガス導入口４１とＣｕ
粉よりなる電極層酸化防止剤２２を配置する第１保持部
４２，誘電層還元防止剤２１を配置する第２保持部４３
とを有し，焼成容器であるこうばち３１への導入口４４
を備えた雰囲気ガス通路４を用いて，雰囲気ガスをこう
ばち３１に導入する。こうばち３１は蓋３１０で閉じて
ある。なお，上記こうばち３１は未焼成積層体２と反応
し難いマグネシウム製である。なお，上記第１保持部４
２，第２保持部４３はこうばち３１内の同一の温度とす
ることが好ましい。
る焼成について説明する。雰囲気ガス導入口４１とＣｕ
粉よりなる電極層酸化防止剤２２を配置する第１保持部
４２，誘電層還元防止剤２１を配置する第２保持部４３
とを有し，焼成容器であるこうばち３１への導入口４４
を備えた雰囲気ガス通路４を用いて，雰囲気ガスをこう
ばち３１に導入する。こうばち３１は蓋３１０で閉じて
ある。なお，上記こうばち３１は未焼成積層体２と反応
し難いマグネシウム製である。なお，上記第１保持部４
２，第２保持部４３はこうばち３１内の同一の温度とす
ることが好ましい。
【００６３】実施例１と同様の要領で組成も同じ未焼成
積層体２を準備する。未焼成積層体２をこうばち３１に
入れて蓋３１０を閉じる。こうばち３１を図示を略した
焼成炉に設置して，こうばち３１の内部に雰囲気ガス通
路４を用いて雰囲気ガスを導入するように構成する。こ
うばち３１と蓋３１０との間は厳密に閉じているわけで
なく若干のガス交換が生じる。しかし，こうばち３１内
の雰囲気が大きく変動するほどのガス交換はおこなわれ
ない。つまりこうばち３１内は自生雰囲気となる。
積層体２を準備する。未焼成積層体２をこうばち３１に
入れて蓋３１０を閉じる。こうばち３１を図示を略した
焼成炉に設置して，こうばち３１の内部に雰囲気ガス通
路４を用いて雰囲気ガスを導入するように構成する。こ
うばち３１と蓋３１０との間は厳密に閉じているわけで
なく若干のガス交換が生じる。しかし，こうばち３１内
の雰囲気が大きく変動するほどのガス交換はおこなわれ
ない。つまりこうばち３１内は自生雰囲気となる。
【００６４】本例の焼成では，まず焼成炉の炉内温度を
あげてこうばち３１ごと未焼成積層体２を加熱する。所
定の温度に達した後，雰囲気ガス通路４から雰囲気ガス
を導入するが，雰囲気ガスの温度は未焼成積層体２とほ
ぼ同じ温度となるように予め加熱しておく。そして，雰
囲気ガス導入口４１より雰囲気ガスＧ０が導入され，第
１保持部４２において電極層酸化防止剤２２を通過して
雰囲気ガスＧ１となる。その後，第２保持部４３におい
て誘電層還元防止剤２１を通過して雰囲気ガスＧ２とな
る。このＧ２がこうばち３１への導入口４４より導入さ
れる。
あげてこうばち３１ごと未焼成積層体２を加熱する。所
定の温度に達した後，雰囲気ガス通路４から雰囲気ガス
を導入するが，雰囲気ガスの温度は未焼成積層体２とほ
ぼ同じ温度となるように予め加熱しておく。そして，雰
囲気ガス導入口４１より雰囲気ガスＧ０が導入され，第
１保持部４２において電極層酸化防止剤２２を通過して
雰囲気ガスＧ１となる。その後，第２保持部４３におい
て誘電層還元防止剤２１を通過して雰囲気ガスＧ２とな
る。このＧ２がこうばち３１への導入口４４より導入さ
れる。
【００６５】ところで雰囲気ガスＧ１の酸素分圧の値に
よってＧ１やＧ２の状態は変化するが，雰囲気ガスＧ０
の酸素分圧が高かろうと低かろうと余分の酸素は電極層
酸化防止剤２２において除去され，足りない酸素は誘電
層還元防止剤２１から補われる。こうして，誘電層が還
元され難く，電極層が酸化され難く，良好なセラミック
積層体を得ることができる。その他詳細は実施例１と同
様の構成と作用効果を有する。
よってＧ１やＧ２の状態は変化するが，雰囲気ガスＧ０
の酸素分圧が高かろうと低かろうと余分の酸素は電極層
酸化防止剤２２において除去され，足りない酸素は誘電
層還元防止剤２１から補われる。こうして，誘電層が還
元され難く，電極層が酸化され難く，良好なセラミック
積層体を得ることができる。その他詳細は実施例１と同
様の構成と作用効果を有する。
【００６６】（実施例４）本例は，未焼成積層体を焼成
する際に密閉された焼成容器を利用する。即ち，未焼成
積層体を焼成容器に導入し，該焼成容器内を真空とす
る。その後，焼成容器内が所定の酸素分圧となるよう雰
囲気ガスを導入して，焼成容器を加熱して未焼成積層体
を焼成する。
する際に密閉された焼成容器を利用する。即ち，未焼成
積層体を焼成容器に導入し，該焼成容器内を真空とす
る。その後，焼成容器内が所定の酸素分圧となるよう雰
囲気ガスを導入して，焼成容器を加熱して未焼成積層体
を焼成する。
【００６７】本例の場合は，焼成容器内を一度真空にし
た後，所定の酸素分圧となるように雰囲気ガスを導入す
るため，酸素分圧の調整が容易である。さらに，焼成容
器内の焼成雰囲気は外部とのガス交換が生じ難いため，
電極層の酸化に伴う酸素の吸収，誘電層の還元に伴う酸
素の放出によって，未焼成積層体周辺の焼成雰囲気は自
ずと電極層が酸化せず，誘電層が還元しない酸素分圧の
雰囲気となる。こうして，誘電層が還元され難く，電極
層が酸化され難く，良好なセラミック積層体を得ること
ができる。その他詳細は実施例１と同様の構成と作用効
果を有する。
た後，所定の酸素分圧となるように雰囲気ガスを導入す
るため，酸素分圧の調整が容易である。さらに，焼成容
器内の焼成雰囲気は外部とのガス交換が生じ難いため，
電極層の酸化に伴う酸素の吸収，誘電層の還元に伴う酸
素の放出によって，未焼成積層体周辺の焼成雰囲気は自
ずと電極層が酸化せず，誘電層が還元しない酸素分圧の
雰囲気となる。こうして，誘電層が還元され難く，電極
層が酸化され難く，良好なセラミック積層体を得ること
ができる。その他詳細は実施例１と同様の構成と作用効
果を有する。
【図１】実施例１における，セラミック積層体の斜視
図。
図。
【図２】実施例１における，セラミック積層体の展開
図。
図。
【図３】実施例１における，エリンガム図表から導出し
た，Ｃｕが酸化されずＰＺＴが還元されない温度と酸素
分圧の領域を示す線図。
た，Ｃｕが酸化されずＰＺＴが還元されない温度と酸素
分圧の領域を示す線図。
【図４】実施例１における，焼成の説明図。
【図５】実施例２における，未焼成積層体の４面を囲っ
た焼成の説明図。
た焼成の説明図。
【図６】実施例３における，未焼成積層体に雰囲気ガス
を導入して焼成する説明図。
を導入して焼成する説明図。
１．．．セラミック積層体，
１１．．．誘電層，
１２，１３．．．電極層，
２．．．未焼成積層体，
２１．．．誘電層還元防止剤，
２２．．．電極層酸化防止剤，
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 角谷 篤宏
愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会
社日本自動車部品総合研究所内
(72)発明者 進藤 仁志
愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会
社日本自動車部品総合研究所内
(72)発明者 長屋 年厚
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
(72)発明者 山本 孝史
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
Claims (14)
- 【請求項１】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体を準備し，該未焼成積層体を
誘電層還元防止剤と電極層酸化防止剤とを導入した焼成
雰囲気において焼成することを特徴とするセラミック積
層体の製造方法。 - 【請求項２】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体を準備し，該未焼成積層体を
電極層酸化防止剤を導入した酸化焼成雰囲気において焼
成することを特徴とするセラミック積層体の製造方法。 - 【請求項３】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体を準備し，該未焼成積層体を
誘電層還元防止剤を導入した還元焼成雰囲気において焼
成することを特徴とするセラミック積層体の製造方法。 - 【請求項４】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体を準備し，該未焼成積層体を
誘電層還元防止剤及び電極層酸化防止剤に通した雰囲気
ガスを導入した焼成雰囲気において焼成することを特徴
とするセラミック積層体の製造方法。 - 【請求項５】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体を準備し，該未焼成積層体を
電極層酸化防止剤に通した酸化性雰囲気ガスを導入した
焼成雰囲気において焼成することを特徴とするセラミッ
ク積層体の製造方法。 - 【請求項６】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体を準備し，該未焼成積層体を
誘電層還元防止剤に通した還元性雰囲気ガスを導入した
焼成雰囲気において焼成することを特徴とするセラミッ
ク積層体の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１，２，４，５のいずれか一項に
おいて，上記電極層酸化防止剤はＣｕ，Ｃｕ2Ｏのいず
れか一種以上よりなることを特徴とするセラミック積層
体の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１，３，４，６のいずれか一項に
おいて，上記誘電層還元防止剤はＰｂＯ，ＰｂＴｉ
Ｏ2，ＰＺＴ，ＰｂＺｒＯ3，ＣｕＯ，Ｃｕ2Ｏのいずれ
か一種以上よりなることを特徴とするセラミック積層体
の製造方法。 - 【請求項９】 誘電層と電極層とを交互に積層したセラ
ミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料を
含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを交
互に積層した未焼成積層体を準備し，該未焼成積層体を
ＰＺＴ，ＰｂＺｒＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＯのいずれか
一種以上よりなる粉末で被覆して焼成することを特徴と
するセラミック積層体の製造方法。 - 【請求項１０】 誘電層と電極層とを交互に積層したセ
ラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料
を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを
交互に積層した未焼成積層体を準備し，上記未焼成積層
体を該未焼成積層体と反応し難い物質にて構成した被覆
材で覆って焼成することを特徴とするセラミック積層体
の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０において，未焼成積層体を
焼成した後，表面を研磨することを特徴とするセラミッ
ク積層体の製造方法。 - 【請求項１２】 誘電層と電極層とを交互に積層したセ
ラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料
を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを
交互に積層した未焼成積層体を準備し，該未焼成積層体
を焼成容器に導入し，該焼成容器内を真空となし，所定
の酸素分圧となるよう雰囲気ガスを導入し，その後焼成
を行うことを特徴とするセラミック積層体の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１２において，上記焼成容器内
の酸素分圧は１．０１３×１０-1〜１．０１３×１０-5
Ｐａであることを特徴とするセラミック積層体の製造方
法。 - 【請求項１４】 誘電層と電極層とを交互に積層したセ
ラミック積層体を製造するに当たり，ＰＺＴ系誘電材料
を含む未焼成誘電層と電極材料を含む未焼成電極層とを
交互に積層した未焼成積層体を準備し，焼成雰囲気を一
定の組成の雰囲気ガスで形成して，上記未焼積層体を焼
成することを特徴とするセラミック積層体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002103421A JP3884669B2 (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | セラミック積層体の製造方法 |
| US10/405,234 US6972060B2 (en) | 2002-04-05 | 2003-04-03 | Method for producing stacked ceramic body |
| DE2003115464 DE10315464A1 (de) | 2002-04-05 | 2003-04-04 | Verfahren zur Herstellung eines gestapelten keramischen Körpers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002103421A JP3884669B2 (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | セラミック積層体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006074827A Division JP3886522B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | セラミック積層体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003298133A true JP2003298133A (ja) | 2003-10-17 |
| JP3884669B2 JP3884669B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=28672249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002103421A Expired - Fee Related JP3884669B2 (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | セラミック積層体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6972060B2 (ja) |
| JP (1) | JP3884669B2 (ja) |
| DE (1) | DE10315464A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269983A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Tdk Corp | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
| JP2007258280A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Tdk Corp | 積層型圧電素子 |
| JP2009514765A (ja) * | 2005-11-04 | 2009-04-09 | セラコンプ カンパニー， リミテッド | 圧電単結晶及びその製造方法、並びにその圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4028508B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2007-12-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミック素子の製造方法 |
| EP1702905A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-20 | TDK Corporation | Piezoelectric ceramic composition, production method thereof, piezoelectric element and fabrication method thereof |
| CN101189743B (zh) * | 2005-06-03 | 2011-04-13 | 株式会社村田制作所 | 压电元件 |
| DE102005061528B8 (de) * | 2005-12-22 | 2010-06-10 | Siemens Ag | Piezokeramisches Bauteil mit Bleizirkonattitanat mit Eisen-Wolfram-Dotierung, Verfahren zum Herstellen des piezokeramischen Bauteils und seine Verwendung |
| US9581389B2 (en) * | 2012-03-27 | 2017-02-28 | Kanto Yakin Kogyo Co., Ltd. | Method for heat treatment, heat treatment apparatus, and heat treatment system |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4971738A (en) * | 1988-07-18 | 1990-11-20 | International Business Machines Corporation | Enhanced removal of carbon from ceramic substrate laminates |
| JPH04171990A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Toto Ltd | 圧電セラミック焼結体 |
| JP3142014B2 (ja) | 1991-09-19 | 2001-03-07 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPH06252469A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nec Corp | 積層圧電アクチュエータの製造方法 |
| DE19615694C1 (de) * | 1996-04-19 | 1997-07-03 | Siemens Ag | Monolithischer Vielschicht-Piezoaktor und Verfahren zur Herstellung |
| US6182340B1 (en) * | 1998-10-23 | 2001-02-06 | Face International Corp. | Method of manufacturing a co-fired flextensional piezoelectric transformer |
| US6322718B1 (en) * | 1999-09-21 | 2001-11-27 | Cts Corporation | Piezoelectric ceramic compositions and methods for production thereof |
| EP2278634A3 (de) * | 1999-12-16 | 2012-09-05 | Epcos Ag | Piezoelektrisches Bauelement |
| JP2001244519A (ja) | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 圧電素子の製造方法 |
| AU2001267477A1 (en) * | 2000-05-26 | 2001-12-11 | Ceramtec Ag | Internal electrode material for piezoceramic multilayer actuators |
| AU2002219827A1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-27 | The Penn State Research Foundation | Cofired multilayered piezoelectric ceramic materials with base metal electrodes |
| JP2002260950A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Denso Corp | 積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料 |
| JP2002260951A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Denso Corp | 積層型誘電素子及びその製造方法，並びに電極用ペースト材料 |
| JP3970588B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2007-09-05 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 低温焼成化誘電体セラミックス、積層型誘電体素子、誘電体セラミックスの製造方法および助剤酸化物 |
| DE10101188A1 (de) * | 2001-01-12 | 2002-08-01 | Bosch Gmbh Robert | Piezoelektrisches keramisches Material, Verfahren zu dessen Herstellung und elektrokeramisches Mehrlagenbauteil |
| JP3864114B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2006-12-27 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 積層型誘電体の製造方法 |
| US6936301B2 (en) * | 2002-05-06 | 2005-08-30 | North Carolina State University | Methods of controlling oxygen partial pressure during annealing of a perovskite dielectric layer |
-
2002
- 2002-04-05 JP JP2002103421A patent/JP3884669B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-03 US US10/405,234 patent/US6972060B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-04 DE DE2003115464 patent/DE10315464A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269983A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Tdk Corp | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
| JP2009514765A (ja) * | 2005-11-04 | 2009-04-09 | セラコンプ カンパニー， リミテッド | 圧電単結晶及びその製造方法、並びにその圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品 |
| US8119022B2 (en) | 2005-11-04 | 2012-02-21 | Ceracomp Co., Ltd. | Piezoelectric single crystal and method of production of same, piezoelectric element, and dielectric element |
| JP2007258280A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Tdk Corp | 積層型圧電素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10315464A1 (de) | 2003-11-13 |
| JP3884669B2 (ja) | 2007-02-21 |
| US6972060B2 (en) | 2005-12-06 |
| US20030188820A1 (en) | 2003-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7131897B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP5726237B2 (ja) | 多層構成素子の製造方法 | |
| TWI790686B (zh) | 陶瓷電子零件及其製造方法 | |
| JP2019029422A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2019102766A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2023041859A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| US20060210781A1 (en) | Stacked ceramic body and production method thereof | |
| JP4727458B2 (ja) | 圧電セラミックス用焼結助剤、ｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよびｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックスの製造方法 | |
| TWI813665B (zh) | 積層陶瓷電容器及其製造方法 | |
| JP2019201161A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP7437871B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2003298133A (ja) | セラミック積層体の製造方法 | |
| JP3864114B2 (ja) | 積層型誘電体の製造方法 | |
| JP7197985B2 (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2022143334A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2006265059A (ja) | 圧電材料及び積層型圧電素子の製造方法 | |
| JP2010527143A5 (ja) | ||
| JP2007227483A (ja) | 積層セラミック素子の製造方法 | |
| JP4462438B2 (ja) | 圧電磁器組成物、積層型圧電素子及び積層型圧電素子の製造方法 | |
| JP2007188963A (ja) | 導電ペースト及びそれを用いた積層型セラミック素子の製造方法 | |
| JP2018182107A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3886522B2 (ja) | セラミック積層体の製造方法 | |
| JP2006156587A (ja) | 積層型圧電素子 | |
| JP2007134561A (ja) | 多層圧電素子の形成方法 | |
| JP4930676B2 (ja) | 圧電磁器組成物、積層型圧電素子及び積層型圧電素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040607 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060315 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061017 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061114 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061117 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |