JP2003224323A

JP2003224323A - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JP2003224323A
Application number: JP2002020606A
Authority: JP
Inventors: Yukinobu Wada; 幸信和田; Kenjiro Soejima; 健次郎副島
Original assignee: Denso Ten Ltd
Current assignee: Denso Ten Ltd
Priority date: 2002-01-29
Filing date: 2002-01-29
Publication date: 2003-08-08

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】構成が簡単で、小型化、低コスト化を図るこ
とができる互換光ピックアップ用の半導体レーザ装置を
得る。【解決手段】本半導体レーザ装置は、半導体基板上に
互いの出射光軸を平行にして平面配置された波長の異な
る２個の半導体レーザ素子１０１，１０２、これらの素
子からの出射光束の光軸を一致させる光軸合成素子１０
４、光軸一致後光束を半導体基板表面に対し垂直に偏向
させる光軸偏向素子１０５、偏向された出射光束を分割
する第１の機能素子１０７、光ディスク情報面からの反
射光束を分割する第２の機能素子１０８、この第２の機
能素子によって分割された光束に非点収差を付加するた
めの第３の機能素子１０９、この第３の機能素子を通過
した光束を受光するための受光素子１１０，１１１およ
びこれらの各素子を収納するパッケージ部材を備えて構
成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、波長の異なる２つ
の半導体レーザを用いた、異なる規格の光ディスクを記
録再生できる互換光ピックアップ用の半導体レーザ装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１および図２は、異なる規格の光ディ
スクを記録再生できる互換光ピックアップの代表的な光
学系を示す。なお、以下に説明する図面において、同じ
参照番号で示す構成要素は同じかあるいは類似の構成要
素を示すので、重複した説明は行わない。

【０００３】図１において、１は一般にホログラムユニ
ットと呼ばれる第１の半導体レーザ装置であり、内部に
波長７８０ｎｍのレーザ光を発光する半導体レーザ素子
と、信号および誤差信号を生成するための検出素子およ
び受光素子を備える。２は第２の半導体レーザ装置であ
って、波長６５０ｎｍのレーザ光を発光する半導体レー
ザ素子と、信号および誤差信号を生成するための検出素
子、および受光素子を備えて構成されている。通常、波
長７８０ｎｍのレーザ光を発光する第１の半導体レーザ
装置１はコンパクトディスク（ＣＤ）用であって、波長
６５０ｎｍのレーザ光を発光する第２の半導体レーザ装
置はデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）用のユニ
ットである。

【０００４】さらに、３は両装置１，２からのレーザ光
の光軸を合成するためのダイクロイックプリズム、４は
収束レンズ、５は反射鏡、６はダイクロイックフィルタ
ー、７は対物レンズ、８はディスクを示す。

【０００５】前記光学系において、第１、第２の半導体
レーザ装置１，２から出射した波長の異なる２つの光束
は、ダイクロイックプリズム３において光軸合成され、
収束レンズ４、反射鏡５、ダイクロイックフィルター
６、さらに対物レンズ７を経て光ディスク８の記録面に
集光される。光ディスク８の記録面からの反射光束は、
対物レンズ７以下の入射光路を逆行し、ダイクロイック
プリズム３で分離され、各々の半導体レーザ装置１，２
内に導入され、検出素子を経て受光素子に導かれ、信号
および誤差信号が得られる。

【０００６】図２に示す光学系では、図１に示す第２の
半導体レーザ装置２に替えて、６５０ｎｍの光レーザを
発光する半導体レーザ素子１０と、検出素子の一部の機
能を実行するビームスプリッター１１および受光素子１
２の各ディスクリート素子で構成したものである。した
がってこのモジュールでは、半導体レーザ素子１０から
波長６５０ｎｍのレーザ光束が出射され、半導体レーザ
装置１から７８０ｎｍ波長の光束が出射され、これら２
つの出射光束がダイクロイックプリズム３で光軸合成さ
れ、収束レンズ４、反射鏡５、ダイクロイックフィルタ
ー６および対物レンズ７を経て光ディスク８の記録面に
集光される。

【０００７】光ディスク８の記録面からの反射光束は、
対物レンズ７、ダイクロイックフィルター６、反射鏡
５、収束レンズ４を通り、ダイクロイックプリズム３で
分離され、一方は半導体レーザ装置１に導かれてこの装
置内の検出素子および受光素子によって信号および誤差
信号が検出される。他方の反射光束は、ビームスプリッ
ター１１を介して受光素子１２に達し、ここで信号およ
び誤差信号が検出される。

【０００８】図１および図２に示す光学系の特徴は、発
光波長の異なる２つのレーザ光束が、それぞれ別個のユ
ニットあるいはディスクリート素子によって生成され、
出射光は別個の光軸を経てダイクロイックプリズム等に
達しここで２つの光軸が合成される構成である。即ち、
発光部からダイクロイックプリズム等光軸合成素子まで
の光学系は、複数の光学部品で構成されている。

【０００９】光学系が複数の光軸を有する光学部品で構
成されている事は、それなりの投影面積を必要とするた
め、そのモジュールの更なる小型化には制限がある。ま
た、部品数が増えると光軸調整後の接着締結個所が増え
ることになり、信頼性品質が低下し、組立調整工数およ
び部材費が増大し、その結果半導体レーザ装置および光
ピックアップのコストアップになる。

【００１０】したがって、この複数の光学部品を集積化
またはモジュール化し、半導体レーザ装置および光ピッ
クアップの小型化、高信頼性化、およびコストダウンを
図る必要がある。

【００１１】光軸合成素子に関しては、図１、図２の如
く、波長の異なる２つの半導体レーザ装置１，２または
１、１０からの出射光軸が互いに直交する配置の場合
は、ダイクロイックプリズム３、またはプリズム型、平
行平板型のハーフミラーが提案されている。また、図３
の如く、波長の異なる２つの半導体レーザ素子１０、１
３の出射光軸が互いに平行な場合、複合プリズムミラー
１４が提案されている。

【００１２】前記の光軸合成素子３、１４については、
それなりの投影面積を必要とし、またプリズム等の寸法
の極小化には、加工精度上、限度が有り、更なる小型化
に制限がある。また、前記のプリズム型の光軸合成素子
３、１４は、ガラス素材の研磨、光学多層膜の真空蒸着
法等の、生産性の低い加工工程を必要とするので、部品
価格が高くなる。

【００１３】したがって、図３の如く、波長の異なる２
つの半導体レーザ素子を、出射光束を互いに平行にして
同一平面上に配置し、かつプリズム方式以外の光軸合成
手段を用いて半導体レーザ装置および光ピックアップの
小型化、およびコストダウンを図る必要がある。

【００１４】シリコン等の半導体基板１５の垂直方向に
出射光を偏向する光軸偏向素子を実現する為には、図４
の如く、半導体レーザ素子１６に三角プリズム１７の４
５度ミラー面を対向させる方法、図５の如く、半導体レ
ーザ素子１６に、プリズム１８の４５度ハーフミラー面
を対向させる方法、図６の如く、サブマウント１９また
は半導体基板１５の垂直面に半導体レーザ素子１６を取
り付ける方法、図７の如く、半導体基板１５に４５度面
２０を形成し、ここにＡｕメッキ等でミラー面を形成
し、半導体レーザ素子１６を対向させる方法等が提案さ
れている。

【００１５】前記図４、図５の如き、プリズム方式は、
高度な半導体製造技術を必要としない反面、プリズムの
極小化に比例して、寸法形状精度に、部品加工上限度が
有り、また半導体レーザとプリズム４５度ミラー面の対
向位置精度も難しくなり、装置全体を小型化する上で制
限がある。また、前記のプリズム型光軸合成素子と同
様、プリズム型光軸偏向素子についても、生産性の低い
加工方法を採用する為、部品価格が高くなる欠点を有し
ている。

【００１６】したがって、プリズム方式以外の光軸偏向
手段を用い、半導体レーザ装置の出射光束の、半導体基
板の垂直方向の光軸精度向上とコストダウンを図る必要
がある。

【００１７】波長の異なる２つの半導体レーザを擁する
互換ピックアップにおけるトラッキングエラー信号の検
出方式は、トラックピッチが異なること、最適なビーム
スポット径が異なること、および発振波長が異なる事の
為、一般的には、異なる規格の光ディスクに対し同一の
方式が適用されていない。例えば、図１、図２の例では
（図示していないが）、ＣＤの記録再生用には３ビーム
法、ＤＶＤの記録再生には、位相差法、またはプッシュ
プル法が適用されている。

【００１８】このように、異なる方式を採用することに
よって、トラッキングエラー信号検出光学系は個別の検
出素子と受光素子を擁する２系統の光学系になり、系統
ごとの光軸調整、光学部品の位置調整が必要であり、こ
の結果、装置の小型化、高信頼性化、コストダウンに制
限がある。したがって、異なる規格の光ディスクに対
し、同一なトラッキングエラー信号の検出方式を用い、
半導体レーザ装置の小型化、高信頼性化、およびコスト
ダウンを図る必要がある。

【００１９】波長の異なる２つの半導体レーザを擁する
互換ピックアップのフォーカスエラー信号の検出方式に
ついては、原則的に、方式を制約する条件はない。例え
ば、ＣＤとＤＶＤに同一な方式、ナイフ・エッジ法、ビ
ーム・サイズ法等が提案されている。

【００２０】しかし、最適なビームスポット径が異なる
こと、発振波長が異なることの為、すくなくとも、検出
素子、または受光素子のいずれか一方は、それぞれの波
長に対応した２種類の素子が必要となり、装置全体が複
雑化、大型化する原因となっている。したがって、複数
の検出素子機能の集約化により、装置の簡素化および小
型化をはかる必要がある。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】以上の様に、本発明で
は、異なる規格の光ディスクに対応可能でしかも従来の
光ピックアップ用の半導体レーザ装置に対して装置構成
が簡単で、小型化、低コスト化を図ることができる、新
規な半導体レーザ装置を得る事を課題とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体レーザ装置は、半導体基板上に互い
の出射光軸を平行にして平面配置された波長の異なる２
個の半導体レーザ素子、前記２個の半導体レーザ素子か
らの出射光束の光軸を一致させる光軸合成素子、前記光
軸一致後の前記出射光束を前記半導体基板表面に対し垂
直に偏向させる光軸偏向素子、前記偏向された出射光束
を分割するための第１の機能素子、光ディスク情報面か
らの反射光束を分割するための第２の機能素子、前記第
２の機能素子によって分割された光束に非点収差を付加
するための第３の機能素子、前記第３の機能素子を通過
した光束を受光するための受光素子、および前記２個の
半導体レーザ素子、光軸合成素子、光軸偏向素子、第
１、第２、第３の機能素子および受光素子を収納するパ
ッケージ部材を備えている。

【００２３】前記半導体レーザ装置では、１個のパッケ
ージ内に異なる波長の２個の半導体レーザ素子を含み、
これらの素子からの出射光束はパッケージ内で光軸合成
されているので、互換光ピックアップの光学部品として
用いた場合、その光学系の構成を簡略化し、小型化しか
つ安価なものとする。

【００２４】

【発明の実施の形態】図８は、本発明の一実施形態にか
かる半導体レーザ装置の構成を説明する為の概略構成
図、図９は、図８に示す装置の断面図、さらに図１０は
図８に示す装置の半導体レーザ素子、光軸合成素子およ
び光軸偏向素子の配置関係を示す平面図である。なお、
図９以下において、図８に示す装置の点０を原点とした
場合の断面または平面の位置をＸ，Ｙ，Ｚ座標上に示し
ている。

【００２５】図８および図９において、１００は本実施
形態の半導体レーザ装置を示す。この半導体レーザ装置
１００では、２個の半導体レーザ素子１０１、１０２が
半導体基板１０３上に、互いの出射光軸を平行にして平
面配置されている。半導体レーザ素子１０１は例えば波
長７８０ｎｍのレーザ光を発光する素子であり、半導体
レーザ素子１０２は例えば波長６５０ｎｍのレーザ光を
発光する素子である。

【００２６】半導体レーザ素子１０１，１０２の光軸上
には、半導体レーザ素子側から順に、これらの出射光軸
を一致させる光軸合成素子１０４、その直後に、一致し
た光軸を半導体基板１０３表面に対し垂直に偏向させる
光軸偏向素子１０５が、図示の如く配置されている。な
お、図１０は、各半導体レーザ素子１０１,１０２、光
軸合成素子１０４および光軸偏向素子１０５の、半導体
基板１０３上の位置を示している。

【００２７】図８および９において、１０６は、第１、
第２の回折機能素子１０７、１０８およびシリンドリカ
ルレンズ機能素子１０９を備える検出素子（ホログラム
素子）である。図示するように、第１の回折機能素子１
０７および２個のシリンドリカルレンズ機能素子１０９
は検出素子１０６の第１面１０６’に、第２の回折機能
素子１０７は検出素子１０６の第２面１０６”に形成さ
れている。後述するように、検出素子１０６は、光軸偏
向素子１０５を経た出射光束を、ビーム分割して光ディ
スク情報面へ送出し、光ディスク情報面からの反射光束
をビーム分割しさらに種々の光学的処理を行って、信号
および誤差信号を作り出すためのものである。

【００２８】半導体レーザ装置１００はさらに、シリコ
ン等の基板１０３上に、受光素子１１０、１１１を有し
ている。受光素子１１０は例えば波長７８０ｎｍのレー
ザ光の光ディスク情報面からの反射光を受光する位置に
配置されており、受光素子１１１は例えば波長６５０ｎ
ｍのレーザ光の光ディスク情報面からの反射光を受光す
る位置に配置されている。

【００２９】図８では省略されているが、図９に示す参
照符号１１２は、半導体レーザ素子１０１，１０２、半
導体基板１０３、光軸合成素子１０４、光軸偏向素子１
０５、検出素子１０６、受光素子１１０，１１１を１個
のパッケージ内に集積化しモジュール化するためのパッ
ケージ材である。

【００３０】本実施形態の半導体レーザ装置１００は、
以上のように、２個の異なる波長のレーザ光を発光する
２個の半導体レーザ素子を内蔵し、しかもこの装置１０
０から出射するレーザ光の光軸は１個に統一されている
ので、図１の半導体レーザ装置１、２およびダイクロイ
ックプリズム３の代わりにこの装置１００を収束レンズ
４の光軸上に配置して使用することが出来る。従って、
光学部品の点数が減少すると共に、複雑な光軸合わせの
頻度も減少し、互換光ピックアップの光学系に使用可能
な小型でかつ安価な半導体レーザ装置を提供することが
出来る。

【００３１】図１１は、本実施形態の光軸合成素子１０
４の構成およびその動作を説明するための図である。光
軸合成素子１０４は、ガラスなどを材料とする平行平板
型光学素子であり、第１面１０４’には、一方の波長
（図１１の例では６５０ｎｍ）の光束をその入射角４５
度において全反射し、他方の波長（図１０の例、７８０
ｎｍ）の光束を全透過するような特性を有するダイクロ
イックフィルターが蒸着されている。第２面１０４”は
第１面を全透過した光束を全反射する金属薄膜等が蒸着
されている。この光学素子１０４を半導体レーザ素子１
０１，１０２の前面に、その出射光軸に対し４５度に配
置することにより、反射レーザ光と透過レーザ光をほぼ
一つの光軸に合成することができる。

【００３２】図１１において、２個の半導体レーザ素子
１０１，１０２の発光点間隔をｄ_０ｍｍ、合成後の光軸
間隔ｄ_１ｍｍ、平行平板型光軸合成素子１０４の平板の
厚さtｍｍ、屈折率ｎとすると、光軸合成素子１０４
は、ｄ_１＝２ｔ×ｔａｎθ_１×ｓｉｎ４５−ｄ_０、但しｎ×ｓｉｎθ_１＝ｓｉｎ４５の関係式を略、満足する条件で設定できる。

【００３３】なお、図１１において、

【数１】

【００３４】この光軸合成素子１０４は、複合プリズム
型光軸合成素子に比して、部品精度が良く、安価であ
る。

【００３５】図１２に、光軸偏向素子１０５の一実施形
態を示す。半導体レーザ素子１０１，１０２が固定され
る半導体基板１０３上に、半導体レーザ素子の取り付け
面に対し４５度の基準面１０３’または４５度のガイド
１０３”を設け、その基準面１０３’に、第１面が２個
の異なる波長の光束を全反射する機能を有する平行平面
型光軸偏向素子１０５を固定する。この素子は例えばガ
ラス等で構成される平行平面板の表面にＡｕ等の薄膜を
蒸着して構成することができる。この光軸偏向素子１０
５を、前記光軸合成素子１０４の直後に配置することに
より、出射光束を、半導体基板１０３の垂直方向に偏向
することができる。

【００３６】前記光軸偏向素子１０５は、プリズム型光
軸偏向素子に比して、部品精度が良く、安価である。し
たがってこの平行平板型光軸偏向素子１０５の利用によ
り、組立精度が良く、安価な半導体レーザ装置および光
ピックアップを提供することができる。

【００３７】図１３は、検出素子１０６における第１の
回折機能素子１０７の作用を説明するための図であり、
波長の異なる２種類のレーザ光が該素子１０７によって
ビームスプリットする様を示している。図示するよう
に、各波長のレーザ光は、第１の回折機能素子１０７に
よって複数のビームに分割されるが、波長６５０ｎｍの
レーザ光の場合は、０次および±１次の回折光を利用す
ることによって、３ビーム法でトラッキングエラー信号
を得ることができる。また、波長７８０ｎｍのレーザ光
の場合は、０次および±２次の回折光を利用することに
よって、３ビーム法でトラッキングエラー信号を得るこ
とができる。

【００３８】このようにして、異なるトラックピッチの
光ディスクに対し、また２個の異なる波長の光束に対し
て、共通の一つの回折素子を用いて３ビーム法によりト
ラッキングエラー信号を得ることができる。なお、トラ
ックピッチの狭い光ディスク（ＤＶＤ）の場合には短い
波長の０次光と±１次回折光を利用し、トラックピッチ
の広い光ディスク（ＣＤ）の場合には長い波長の０次光
と±２次回折光を利用する。

【００３９】図１３において、ＤＶＤディスクの３ビー
ムの最良な調整位置を、トラック中心からのずれ量がト
ラックピッチの１／４の量とすると、この回折格子の調
整位置でのＣＤディスクの３ビームのトラック中心から
のずれ量は、Δｘ_２＝Ｌ_２ｓｉｎα＝２．４Ｌ_１Δｘ_１
／Ｌ_１＝２．４×０．７４／４＝１．７７６／４とな
り、ＣＤディスクの３ビームの最良な位置Δｘ_２＝１．
６０／４よりずれる。但し、ビーム間隔Ｌ_１，Ｌ_２は回
折角の正弦に比例し、回折角の正弦は回折次数と波長に
比例するので、Ｌ_１／Ｌ_２＝ｓｉｎθ_１／ｓｉｎθ_２＝
１×６５０／２×７８０＝１／２．４となる。

【００４０】トラッキングエラー信号の振幅は、ｓｉｎ
［（２π／Ｐ）Δｘ］に比例するので、ＣＤディスクの
３ビームの最良な位置（Δｘ_２＝１．６０／４）の振幅
を１とすると、Δｘ_２＝１．７７６／４は０．９０１と
なり、実際上問題は無い。但し、Ｐはトラックピッチ、
Δｘは３ビームのトラック中心からのずれ量を示す。

【００４１】なお、図１３において、ＮＡ_１、ＮＡ
_２は、開口数を、Ｐ_１はＤＶＤの，Ｐ_２はＣＤのトラッ
クピッチを示す。

【００４２】以上に様に、本実施形態では、同一のトラ
ッキングエラー信号検出方式を、２つの異なる波長の光
束に対し、共通の一つの回折素子を適用することで適用
可能としている。この結果、調整作業が簡素で、小型
で、安価な半導体レーザ装置および光ピックアップを提
供することができる。

【００４３】図１４に示す様に、検出素子１０６は、例
えばプラスティックで構成される平行平板の、光源側
（レーザ素子側）の面の光軸上に、前記３ビーム用の第
１の回折機能素子１０７を有し、同一面の外側に、２個
のシリンドリカルレンズ機能素子１０９を有し、光ディ
スク側の面の光軸上に、第２の回折機能素子１０８を有
する。

【００４４】図１４において、第２の回折機能素子１０
８は、２個の異なる波長の光ディスクからの反射光束に
対して共通であり、トラックビッチの狭い光ディスク
（ＤＶＤ）の場合、短い波長の１次回折光の片方（例え
ば、＋１次回折光）を、トラックピッチの広い光ディス
ク（ＣＤ）の場合、長い波長の１次回折光の他方（例え
ば、−１次回折光）の反射光束を利用し、±１次回折光
のそれぞれに対応する２組の受光素子を設け、信号およ
び誤差信号を得る。

【００４５】図１５に、本実施形態における受光素子の
配列を示す。２個の異なる６分割受光素子は、前記の±
１次回折光の焦点位置に配置される。

【００４６】図１４において、シリンドリカルレンズ機
能素子１０９，１０９は、第２の回折機能素子１０８に
よる各波長の±１次回折光に対応して設けられたもので
あり、各回折光に非点収差を付加してフォーカスエラー
信号を得るためのものである。

【００４７】

【発明の効果】以上に説明した本発明の半導体レーザ装
置は、異なる規格の光ディスクを記録再生できる互換光
ピックアップ用の部品として用いた場合、その光学系の
構成を高い信頼性を保ったまま大幅に簡略化し、小型化
し、かつ安価にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の互換ピックアップ光学系の構成を示す。

【図２】従来の互換ピックアップ光学系の構成を示す。

【図３】従来の光軸合成素子の構成を示す。

【図４】従来の光軸偏向素子の構成を示す。

【図５】従来の光軸偏向素子の構成を示す。

【図６】従来の光軸偏向の一実施形態を示す。

【図７】従来の光軸偏向の他の実施形態を示す。

【図８】本発明の１実施形態にかかる半導体レーザ装置
の構成を示す。

【図９】図８に示す装置の断面を示す。

【図１０】図８に示す装置の要部を示す。

【図１１】図１０に示す素子の機能を説明する。

【図１２】図８に示す装置の他の要部を説明する。

【図１３】図８に示す装置の動作を説明する。

【図１４】図８に示す装置の他の要部を説明する。

【図１５】図８に示す装置の他の要部を説明する。

【符号の説明】

１００…半導体レーザ装置１０１…半導体レーザ素子１０２…半導体レーザ素子１０３…半導体基板１０４…光軸合成素子１０４’…第１面１０４”…第２面１０５…光軸偏向素子１０６…検出素子１０７…第１の回折機能素子１０８…第２の回折機能素子１０９…シリンドリカルレンズ機能素子１１０…受光素子１１１…受光素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D119 AA01 AA04 AA41 BA01 CA09 EC39 EC47 FA05 FA08 JA09 5D789 AA01 AA04 AA41 BA01 CA09 EC39 EC47 FA05 FA08 JA09 5F073 AB19 AB25 AB27 BA04 BA05 FA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に互いの出射光軸を平行に
して平面配置された波長の異なる２個の半導体レーザ素
子、前記２個の半導体レーザ素子からの出射光束の光軸
を一致させる光軸合成素子、前記光軸一致後の前記出射
光束を前記半導体基板表面に対し垂直に偏向させる光軸
偏向素子、前記偏向された出射光束を分割するための第
１の機能素子、光ディスク情報面からの反射光束を分割
するための第２の機能素子、前記第２の機能素子によっ
て分割された光束に非点収差を付加するための第３の機
能素子、前記第３の機能素子を通過した光束を受光する
ための受光素子、および前記２個の半導体レーザ素子、
光軸合成素子、光軸偏向素子、第１、第２、第３の機能
素子および受光素子を収納するパッケージ部材を備える
ことを特徴とする、半導体レーザ装置。
【請求項２】前記光軸合成素子は平行平板型光学素子
で構成され、その第１面は前記一方の半導体レーザ素子
からの光束を入射角４５度において全反射し、他方の半
導体レーザ素子からの光束を全透過するものであり、そ
の第２面は前記第１面を全透過した光束を全反射するも
のであり、さらに前記２個の半導体レーザ素子の前面に
その出射光軸に対して４５度の角度となるように配置さ
れている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】前記光軸合成素子は、平行平板の厚さｔ
ｍｍ、屈折率ｎ、前記２個の半導体レーザ素子の発光点
間隔ｄ_０ｍｍ、合成後の光軸間隔ｄ₁ｍｍとすると、ｄ₁
＝２ｔ×ｔａｎθ_１×ｓｉｎ４５°−ｄ₀、但しｎ×ｓ
ｉｎθ₁＝ｓｉｎ４５°の関係式を満足することを特徴
とする、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】前記光軸偏向素子は平行平板型光学素子
で構成され、その第１面は、前記２個の半導体レーザ素
子からの異なる波長の光束を全反射する機能を有し、前
記光軸合成素子の前面にその出射光軸に対し４５度の角
度に配置されている、請求項１乃至３の何れか１項に記
載の半導体レーザ装置。
【請求項５】前記第１および第２の検出素子は、２個
の異なる波長の光束に対して共通のそれぞれ１個の回折
光学素子である、請求項１乃至４の何れか１項に記載の
半導体レーザ装置。
【請求項６】前記第３の検出素子は、前記異なる波長
の光に対してそれぞれに設けた２個のシリンドリカルレ
ンズ機能素子である、請求項１乃至５の何れか１項に記
載の半導体レーザ装置。
【請求項７】前記第１の検出素子は平行平板基板の光
源側面の光軸上に、前記第２の検出素子は前記平行平板
基板の光ディスク側面の光軸上に、前記第３の検出素子
は前記平行平板基板の前記光源側面上で前記第１の検出
素子の両側にそれぞれ配置されている、請求項１乃至６
の何れか１項に記載の半導体レーザ装置。