JP2003209072A - Method of manufacturing ic chip - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 77
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 91
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 25
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 23
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 19
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 13
- SFLRURCEBYIKSS-UHFFFAOYSA-N n-butyl-2-[[1-(butylamino)-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound CCCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCCC SFLRURCEBYIKSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 11
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 5
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 3
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- GZAROOOHRGKEPC-UHFFFAOYSA-N n-butyl-2-methylpropanamide Chemical compound CCCCNC(=O)C(C)C GZAROOOHRGKEPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMRNGPYHLQSTDL-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-[[1-(cyclohexylamino)-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound C1CCCCC1NC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NC1CCCCC1 WMRNGPYHLQSTDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUPCNWFFTANZPX-UHFFFAOYSA-M paramenthane hydroperoxide Chemical compound [O-]O.CC(C)C1CCC(C)CC1 QUPCNWFFTANZPX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- BWZAUXRKSMJLMH-UHFFFAOYSA-N 1,1-diethoxyethylbenzene Chemical compound CCOC(C)(OCC)C1=CC=CC=C1 BWZAUXRKSMJLMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYEDESPZQLZMCL-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(C)C(C)=CC=C3SC2=C1 UYEDESPZQLZMCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVPUHRTVWANKKE-UHFFFAOYSA-N 1-(azidomethyl)-4-tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(CN=[N+]=[N-])C=C1 YVPUHRTVWANKKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJKNFAICTFGCDT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminopropan-2-yldiazenyl)propan-2-amine;hydron;dichloride Chemical compound Cl.Cl.CC(C)(N)N=NC(C)(C)N PJKNFAICTFGCDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDSFLICTRXCZQD-UHFFFAOYSA-N 2-(azidomethyl)-3-methyloxetane Chemical compound CC1COC1CN=[N+]=[N-] SDSFLICTRXCZQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSOGDEOQBIUNTR-UHFFFAOYSA-N 2-(azidomethyl)oxirane Chemical compound [N-]=[N+]=NCC1CO1 JSOGDEOQBIUNTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYCJCOPYOPWTI-UHFFFAOYSA-N 2-[(1-amino-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidamide;hydron;chloride Chemical compound Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N QMYCJCOPYOPWTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLIBJPGWWSHWBF-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN QLIBJPGWWSHWBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGIJCMNGQCUTPI-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethyl prop-2-enoate Chemical compound NCCOC(=O)C=C UGIJCMNGQCUTPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetophenone Chemical compound COCC(=O)C1=CC=CC=C1 YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYPGJGCIPQYQBW-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-[[2-methyl-1-oxo-1-(prop-2-enylamino)propan-2-yl]diazenyl]-n-prop-2-enylpropanamide Chemical compound C=CCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCC=C LYPGJGCIPQYQBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNHNBMQCHKKDNI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbutan-1-ol Chemical compound CCC(CO)C1=CC=CC=C1 DNHNBMQCHKKDNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVLDLRUWOGLKIT-UHFFFAOYSA-N 3-(azidomethyl)-3-methyloxetane Chemical compound [N-]=[N+]=NCC1(C)COC1 XVLDLRUWOGLKIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFXXTYGQYWRHJP-UHFFFAOYSA-N 4,4'-azobis(4-cyanopentanoic acid) Chemical compound OC(=O)CCC(C)(C#N)N=NC(C)(CCC(O)=O)C#N VFXXTYGQYWRHJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001409 amidines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N azide group Chemical group [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- WPKWPKDNOPEODE-UHFFFAOYSA-N bis(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)diazene Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)N=NC(C)(C)CC(C)(C)C WPKWPKDNOPEODE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXSIUSZCHNKCZ-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1,4,5,6-tetrahydropyrimidin-2-yl)propan-2-yl]diazene;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.N=1CCCNC=1C(C)(C)N=NC(C)(C)C1=NCCCN1 NBXSIUSZCHNKCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZXSLFQJOZPCJG-UHFFFAOYSA-N bis[2-(5-methyl-4,5-dihydro-1h-imidazol-2-yl)propan-2-yl]diazene;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.N1C(C)CN=C1C(C)(C)N=NC(C)(C)C1=NCC(C)N1 PZXSLFQJOZPCJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- SPTHWAJJMLCAQF-UHFFFAOYSA-M ctk4f8481 Chemical compound [O-]O.CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C SPTHWAJJMLCAQF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- VFNGKCDDZUSWLR-UHFFFAOYSA-L disulfate(2-) Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OS([O-])(=O)=O VFNGKCDDZUSWLR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- IIQWTZQWBGDRQG-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate;isocyanic acid Chemical compound N=C=O.CCOC(=O)C(C)=C IIQWTZQWBGDRQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPASWAQPISSKJP-UHFFFAOYSA-N ethyl prop-2-enoate;isocyanic acid Chemical compound N=C=O.CCOC(=O)C=C VPASWAQPISSKJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHRDEHLFNLLCQS-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-methylpropanimidamide Chemical compound CC(C)C(N)=NO JHRDEHLFNLLCQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVFLGSMUPMVNTQ-UHFFFAOYSA-N n-(2-hydroxyethyl)-2-[[1-(2-hydroxyethylamino)-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCO WVFLGSMUPMVNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGISVZCMXHOHO-UHFFFAOYSA-N n-[1,3-dihydroxy-2-(hydroxymethyl)propan-2-yl]-2-[[1-[[1,3-dihydroxy-2-(hydroxymethyl)propan-2-yl]amino]-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCC(CO)(CO)NC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NC(CO)(CO)CO BUGISVZCMXHOHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N propionamide Chemical compound CCC(N)=O QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940080818 propionamide Drugs 0.000 description 1
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- PNWOTXLVRDKNJA-UHFFFAOYSA-N tert-butylperoxybenzene Chemical compound CC(C)(C)OOC1=CC=CC=C1 PNWOTXLVRDKNJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハを厚さ５０
μｍ程度まで極めて薄くした場合においても、ウエハの
破損等を防止し、取扱性を改善し、良好にＩＣチップへ
の加工が行えるＩＣチップの製造方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer having a thickness of 50.
The present invention relates to an IC chip manufacturing method capable of preventing damage to a wafer, improving handleability, and favorably processing into an IC chip even when the thickness is extremely thin to about μm.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常
高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとした後、
フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パタ
ーンを形成し、次いでウエハ裏面を研磨機により研磨し
て、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄く
し、最後にダイシングしてチップ化することにより、製
造されている。2. Description of the Related Art A semiconductor integrated circuit (IC chip) is usually prepared by slicing a high-purity semiconductor single crystal or the like into a wafer,
A predetermined circuit pattern is formed on the front surface of the wafer by using a photoresist, then the back surface of the wafer is polished by a polishing machine to reduce the thickness of the wafer to about 100 to 600 μm, and finally dicing into chips. Are manufactured by.
【０００３】ここで、上記研磨時には、ウエハ表面に粘
着シート類（研磨用テープ）を貼り付けて、ウエハの破
損を防止したり、研磨加工を容易にしており、上記ダイ
シング時には、ウエハ裏面側に粘着シート類（ダイシン
グテープ）を貼り付けて、ウエハを接着固定した状態で
ダイシングし、形成されたチップをダイシングテープの
フィルム基材側よりニードルで突き上げてピックアップ
し、ダイパッド上に固定させている。Here, at the time of the above polishing, an adhesive sheet (polishing tape) is attached to the front surface of the wafer to prevent damage to the wafer and facilitate the polishing process. Adhesive sheets (dicing tape) are attached, and the wafer is diced in a state where the wafer is adhered and fixed, and the formed chips are picked up by pushing up with a needle from the film base side of the dicing tape and fixed on the die pad.
【０００４】近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれ
て、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用したりする
ことができる厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハも要
求されるようになってきた。しかしながら、厚さが５０
μｍ程度のウエハは、厚さが１００〜６００μｍ程度の
従来のウエハに比べて、反りが大きく衝撃により割れや
すいので、従来のウエハと同様に加工した場合、衝撃を
受けやすい研磨工程やダイシング工程及びＩＣチップの
電極上にバンプを作製する際にウエハの破損が生じやす
く、歩留まりが悪かった。このため、厚さ５０μｍ程度
のウエハからＩＣチップを製造する過程におけるウエハ
の取扱性の向上が重要な課題となっていた。With the widespread use of IC chips in recent years, an extremely thin wafer having a thickness of about 50 μm which can be used for IC cards or used by stacking has been required. However, the thickness is 50
Since a wafer having a thickness of about 100 μm has a large warp and is more likely to be broken by an impact than a conventional wafer having a thickness of about 100 to 600 μm, a polishing process and a dicing process which are susceptible to an impact when processed in the same manner as a conventional wafer, The wafer was liable to be damaged when bumps were formed on the electrodes of the IC chip, and the yield was low. Therefore, it has been an important issue to improve the handling of the wafer in the process of manufacturing IC chips from the wafer having a thickness of about 50 μm.
【０００５】これに対して、支持テープを介してウエハ
を支持板に貼り付け、支持板に固定した状態で研磨を行
う方法が提案されている。この方法によれば、ウエハの
強度及び平面性を支持板により確保でき、取扱性が向上
する。On the other hand, there has been proposed a method in which a wafer is attached to a support plate via a support tape and polishing is performed while the wafer is fixed to the support plate. According to this method, the strength and flatness of the wafer can be secured by the support plate, and the handleability is improved.
【０００６】しかしながら、この方法においても、厚さ
５０μｍ程度のウエハでは強度が弱いために支持板や支
持テープから剥離する際の負荷により、破損や変形を生
じることがあるという問題点があった。また、厚さ５０
μｍ程度の極めて薄いウエハは、厚さが１００〜６００
μｍ程度の従来のウエハに比べてより多くの層を積層す
ることができる一方、多くの層を積層するためにより厳
密な平面性がウエハに必要であるという問題点があっ
た。However, even in this method, there is a problem in that a wafer having a thickness of about 50 μm has a weak strength, so that the wafer may be damaged or deformed due to a load when peeled from the supporting plate or the supporting tape. Also, the thickness is 50
An extremely thin wafer of about μm has a thickness of 100 to 600.
While it is possible to stack more layers as compared with a conventional wafer having a thickness of about μm, there is a problem that the wafer requires stricter planarity in order to stack many layers.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記現状に
鑑み、ウエハを厚さ５０μｍ程度まで極めて薄くした場
合においても、ウエハの破損等を防止し、取扱性を改善
し、良好にＩＣチップへの加工が行えるＩＣチップの製
造方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above situation, the present invention prevents damage to the wafer even when the wafer is made extremely thin to a thickness of about 50 μm, improves handleability, and favorably IC chips. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an IC chip that can be processed into a.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも、
刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤
（Ａ）層からなる面と粘着剤（Ｂ）層からなる面とを有
する支持テープを介して、ウエハを支持板に固定する工
程、前記支持テープを介して前記ウエハを前記支持板に
固定した状態で研磨する工程、研磨した前記ウエハにダ
イシングテープを貼り付ける工程、前記粘着剤（Ａ）層
に前記刺激を与える工程、前記ウエハから前記支持テー
プを剥離する工程、及び、前記ウエハのダイシングを行
う工程を有するＩＣチップの製造方法であって、前記支
持テープを介して前記ウエハを前記支持板に固定する工
程において、前記粘着剤（Ａ）層からなる面と前記ウエ
ハとを貼り合わせ、前記粘着剤（Ｂ）層からなる面と前
記支持板とを貼り合わせるものであり、前記ダイシング
テープは、前記気体発生剤から発生する気体の圧力では
変形しないものであるＩＣチップの製造方法である。以
下に本発明を詳述する。The present invention provides at least the following:
Fixing the wafer to the support plate via a support tape having a surface composed of an adhesive (A) layer containing a gas generating agent that generates gas by stimulation and a surface composed of an adhesive (B) layer; Polishing the wafer in a state of being fixed to the support plate via a support tape; attaching a dicing tape to the polished wafer; applying the stimulus to the adhesive (A) layer; A method of manufacturing an IC chip, comprising a step of peeling a support tape and a step of dicing the wafer, wherein in the step of fixing the wafer to the support plate via the support tape, the adhesive (A ) Layer and the wafer are bonded together, and the adhesive (B) layer surface and the support plate are bonded together. The pressure of the gas generated from the generator is a manufacturing method of the IC chip is one which does not deform. The present invention is described in detail below.
【０００９】本発明のＩＣチップの製造方法は、少なく
とも、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する
粘着剤（Ａ）層からなる面と粘着剤（Ｂ）層からなる面
とを有する支持テープを介して、ウエハを支持板に固定
する工程を有するものである。The method of manufacturing an IC chip of the present invention has a support having at least a surface composed of a pressure-sensitive adhesive (A) layer containing a gas generating agent for generating a gas upon stimulation and a surface composed of a pressure-sensitive adhesive (B) layer. It has a step of fixing the wafer to the support plate via a tape.
【００１０】上記支持テープは、刺激により気体を発生
する気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）層からなる面と
粘着剤（Ｂ）層からなる面とを有するものであれば、両
面に粘着剤層を有する粘着性ノンサポートテープであっ
ても、基材の両面に粘着剤層が形成されてなる両面粘着
テープであってもよい。本明細書において、ノンサポー
トテープとは、基材を有さない粘着剤層のみからなるも
のをいい、１層のみの粘着剤層からなるものであって
も、複数の層からなるものであってもよい。上記ノンサ
ポートテープが１層のみの粘着剤層からなる場合とは、
例えば、粘着剤（Ａ）層と粘着剤（Ｂ）層とが同一の場
合である。As long as the above-mentioned support tape has a surface composed of a pressure-sensitive adhesive (A) layer containing a gas generating agent for generating a gas upon stimulation, and a surface composed of a pressure-sensitive adhesive (B) layer, it is adhered to both surfaces. It may be an adhesive non-support tape having an adhesive layer or a double-sided adhesive tape having an adhesive layer formed on both sides of a substrate. In the present specification, the non-support tape means a tape composed of only a pressure-sensitive adhesive layer having no base material, and may be composed of a plurality of layers even if it is composed of only one pressure-sensitive adhesive layer. May be. When the non-support tape is composed of only one adhesive layer,
For example, the case where the adhesive (A) layer and the adhesive (B) layer are the same.
【００１１】上記基材を用いる場合であって、粘着剤
（Ａ）層の粘着力を低下させる刺激が光による刺激であ
る場合には、上記基材としては光を透過又は通過するも
のであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィ
ン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、
ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構
造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられ
る。When the above-mentioned base material is used and the stimulus for reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive (A) layer is a stimulus by light, the above-mentioned base material transmits or passes light. Preferably, for example, acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), nylon, urethane,
Examples thereof include a sheet made of a transparent resin such as polyimide, a sheet having a mesh structure, and a sheet having holes.
【００１２】上記支持テープは、刺激により気体を発生
する気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）層からなる面を
有するものである。上記刺激としては、例えば、光、
熱、超音波による刺激が挙げられる。中でも光又は熱に
よる刺激が好ましい。上記光としては、例えば、紫外線
や可視光線等が挙げられる。上記刺激として光による刺
激を用いる場合には、上記粘着剤（Ａ）は、光が透過又
は通過できるものであることが好ましい。The above-mentioned support tape has a surface composed of a pressure-sensitive adhesive (A) layer containing a gas generating agent which generates a gas upon stimulation. Examples of the stimulus include light,
Examples include heat and ultrasonic stimulation. Of these, stimulation by light or heat is preferable. Examples of the light include ultraviolet light and visible light. When a light stimulus is used as the stimulus, the pressure-sensitive adhesive (A) is preferably capable of transmitting or passing light.
【００１３】上記刺激により気体を発生する気体発生剤
としては特に限定されないが、例えば、アゾ化合物、ア
ジド化合物が好適に用いられる。上記アゾ化合物として
は、例えば、２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−
メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−
メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２
−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−
アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブ
チル）］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２
−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンア
ミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）
−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス
（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，
２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロ
ピオンアミド）、２，２’−アゾビス［２−（５−メチ
ル−２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイ
ドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミ
ダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライ
ド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−
２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレー
ト、２，２’−アゾビス［２−（３，４，５，６−テト
ラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイド
ロクロライド、２，２’−アゾビス｛２−［１−（２−
ヒドロキシエチル）−２−イミダゾイリン−２−イル］
プロパン｝ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス
［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］、
２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミダイ
ン）ハイドロクロライド、２，２’−アゾビス（２−ア
ミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２’−アゾ
ビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プ
ロピオンアミダイン］、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ
−（２−カルボキシエチル）アミダイン］プロパン｝、
２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキ
シム）、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロ
ピオネート）、ジメチル２，２’−アゾビスイソブチレ
ート、４，４’−アゾビス（４−シアンカルボニックア
シッド）、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタノイ
ックアシッド）、２，２’−アゾビス（２，４，４−ト
リメチルペンタン）等が挙げられる。ＩＣチップの製造
においては、必要に応じて高温処理を行う工程が入るこ
とから、これらのなかでも熱分解温度の高い２，２’−
アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミ
ド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプ
ロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘ
キシル−２−メチルプロピオンアミド）が好適である。
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素
ガスを発生する。The gas generating agent which generates gas by the above stimulation is not particularly limited, but for example, an azo compound and an azide compound are preferably used. Examples of the azo compound include 2,2′-azobis- (N-butyl-2-
Methylpropionamide), 2,2'-azobis {2-
Methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl) -2
-Hydroxyethyl] propionamide}, 2,2'-
Azobis {2-methyl-N- [2- (1-hydroxybutyl)] propionamide}, 2,2'-azobis [2
-Methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2'-azobis [N- (2-propenyl)
2-Methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,
2'-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2'-azobis [2- (5-methyl-2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- (2-Imidazoylin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolinyl-
2-yl) propane] disulfate dihydrolate, 2,2'-azobis [2- (3,4,5,6-tetrahydropyrimidin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2'- Azobis {2- [1- (2-
Hydroxyethyl) -2-imidazolidin-2-yl]
Propane} dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolinyl-2-yl) propane],
2,2'-azobis (2-methylpropionamidine) hydrochloride, 2,2'-azobis (2-aminopropane) dihydrochloride, 2,2'-azobis [N- (2-carboxyacyl) -2 -Methyl-propionamidine], 2,2'-azobis {2- [N
-(2-carboxyethyl) amidine] propane},
2,2'-azobis (2-methylpropionamide oxime), dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate), dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate, 4,4'-azobis ( 4-Cyancarbonic acid), 4,4′-azobis (4-cyanopentanoic acid), 2,2′-azobis (2,4,4-trimethylpentane) and the like. In the manufacture of IC chips, there is a step of performing high temperature treatment as necessary, and therefore, among these, 2,2'- which has a high thermal decomposition temperature.
Azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide) It is suitable.
These azo compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat or the like.
【００１４】上記アジド化合物としては、例えば、３−
アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフタルアジ
ド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメ
チル−３−メチルオキセタンを開環重合することにより
得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有す
るポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、
光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生す
る。Examples of the azide compound include 3-
Examples thereof include polymers having an azide group such as azidomethyl-3-methyloxetane, terephthalazide, p-tert-butylbenzazide; glycidyl azide polymer obtained by ring-opening polymerization of 3-azidomethyl-3-methyloxetane, and the like. These azide compounds are
Nitrogen gas is generated by stimulation by light, heat and shock.
【００１５】これらの気体発生剤のうち、上記アジド化
合物は衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素
ガスを放出することから、取り扱いが困難であるという
問題がある。更に、上記アジド化合物は、いったん分解
が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出
しその制御ができないことから、爆発的に発生した窒素
ガスによってウエハが損傷することがあるという問題も
ある。かかる問題から上記アジド化合物の使用量は限定
されるが、限定された使用量では充分な効果が得られな
いことがある。一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物
とは異なり衝撃によっては気体を発生しないことから取
り扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして
爆発的に気体を発生することもないためウエハを損傷す
ることもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断
できることから、用途に合わせた接着性の制御が可能で
あるという利点もある。したがって、上記気体発生剤と
しては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。Among these gas generating agents, the azide compound is easily decomposed even when shocked to release nitrogen gas, so that there is a problem that it is difficult to handle. Further, the above-mentioned azide compound causes a chain reaction once decomposition starts to explode nitrogen gas explosively and its control is not possible, so that there is a problem that the wafer may be damaged by the explosively generated nitrogen gas. is there. Due to such a problem, the amount of the azide compound used is limited, but a sufficient effect may not be obtained with the limited amount used. On the other hand, unlike the azide compound, the azo compound does not generate a gas upon impact, and is therefore extremely easy to handle. In addition, since there is no explosive generation of gas due to a chain reaction, there is no damage to the wafer, and gas generation can be interrupted by interrupting light irradiation. There is also the advantage that it is possible. Therefore, it is more preferable to use an azo compound as the gas generating agent.
【００１６】上記気体発生剤を含有することにより、上
記粘着剤（Ａ）層に刺激を与えると粘着剤（Ａ）層の気
体発生剤から気体が発生して、粘着力が低下して被着体
を容易に剥離することができる。When the pressure-sensitive adhesive (A) layer is stimulated by containing the above-mentioned gas-generating agent, gas is generated from the gas-generating agent in the pressure-sensitive adhesive (A) layer, and the adhesive force is lowered to adhere the layer. The body can be easily peeled off.
【００１７】上記気体発生剤は粘着剤（Ａ）層に分散さ
れていてもよいが、気体発生剤を粘着剤（Ａ）層に分散
させておくと粘着剤（Ａ）層全体が発泡体となるため柔
らかくなりすぎ、粘着剤層をうまく剥がせなくなるおそ
れがある。したがって、支持板と接する粘着剤（Ａ）の
表層部分にのみ含有させておくことが好ましい。表層部
分にのみ含有させておけば、支持板と接する粘着剤の表
層部分では気体発生剤から気体が発生して界面の接着面
積が減少し、なおかつ気体が、被着体から粘着剤の接着
面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。The gas generating agent may be dispersed in the pressure-sensitive adhesive (A) layer, but if the gas generating agent is dispersed in the pressure-sensitive adhesive (A) layer, the whole pressure-sensitive adhesive (A) layer becomes a foam. Therefore, it may be too soft and the adhesive layer may not be peeled off well. Therefore, it is preferable to contain it only in the surface layer portion of the pressure-sensitive adhesive (A) that is in contact with the support plate. If it is contained only in the surface layer part, the surface area of the adhesive that contacts the support plate will generate gas from the gas generating agent and the adhesive area at the interface will decrease, and the gas will adhere to the adhesive surface from the adherend. Peel off at least part of the adhesive strength to reduce the adhesive strength.
【００１８】上記粘着剤層の表層部分にのみ気体発生剤
を含有させる方法としては、例えば、支持テープの粘着
剤（Ａ）層の上に、１〜２０μｍ程度の厚さで気体発生
剤を含有する粘着剤（Ａ）を塗工する方法や、あらかじ
め作製した支持テープの粘着剤（Ａ）層の表面に、気体
発生剤を含有する揮発性液体を塗布するかスプレー等に
よって吹き付けることにより、粘着剤表面に気体発生剤
を均一に付着させる方法等が挙げられる。粘着剤表面に
気体発生剤を付着させる場合は、粘着剤と相溶性に優れ
た気体発生剤を付着させることが好ましい。すなわち、
粘着剤表面に気体発生剤を多量に付着させると粘着力が
低下するが、気体発生剤が粘着剤と相溶する場合は、付
着した気体発生剤は粘着剤層に吸収され粘着力が低下す
ることがない。なお、上記表層部分は、粘着剤層の厚さ
によるが、粘着剤表面から２０μｍまでの部分であるこ
とが好ましい。また、ここでいう表層部分には粘着剤表
面に気体発生剤が均一に付着していている態様や粘着剤
表面に付着した気体発生剤が粘着剤と相溶し粘着剤層に
吸収された態様を含む。As a method of containing the gas generating agent only in the surface layer portion of the pressure-sensitive adhesive layer, for example, the gas generating agent is contained in a thickness of about 1 to 20 μm on the pressure-sensitive adhesive (A) layer of the supporting tape. By applying a pressure-sensitive adhesive (A) or by applying a volatile liquid containing a gas generating agent to the surface of the pressure-sensitive adhesive (A) layer of the supporting tape prepared in advance or spraying it with a spray or the like. Examples include a method of uniformly attaching a gas generating agent to the agent surface. When the gas generating agent is attached to the surface of the adhesive, it is preferable to attach the gas generating agent having excellent compatibility with the adhesive. That is,
If a large amount of a gas generating agent is attached to the surface of the adhesive, the adhesive strength will decrease, but if the gas generating agent is compatible with the adhesive, the attached gas generating agent will be absorbed by the adhesive layer and the adhesive strength will decrease. Never. The surface layer portion depends on the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer, but is preferably a portion up to 20 μm from the pressure-sensitive adhesive surface. Further, in the surface layer portion here, a mode in which the gas generating agent is uniformly attached to the pressure-sensitive adhesive surface or a mode in which the gas generating agent attached to the pressure-sensitive adhesive surface is compatible with the pressure-sensitive adhesive and is absorbed in the pressure-sensitive adhesive layer. including.
【００１９】上記粘着剤（Ａ）は、刺激により弾性率が
上昇するものであることが好ましい。粘着剤（Ａ）の弾
性率を上昇させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発
生させる刺激と同一であってもよいし、異なっていても
よい。かかる上記粘着剤（Ａ）としては、例えば、分子
内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル
酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキル
エステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官
能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じ
て光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内
にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸
アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエ
ステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能
オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤
を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられ
る。It is preferable that the pressure-sensitive adhesive (A) has a modulus of elasticity increased by stimulation. The stimulus for increasing the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive (A) may be the same as or different from the stimulus for generating a gas from the gas generating agent. Examples of the pressure-sensitive adhesive (A) include, for example, an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical-polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical-polymerizable A photo-curable pressure-sensitive adhesive containing a polyfunctional oligomer or monomer as a main component and optionally containing a photopolymerization initiator, and an alkyl acrylate ester having a radical-polymerizable unsaturated bond in the molecule. And / or a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a heat-polymerization initiator as a main component, and a radical-polymerizable polyfunctional oligomer or monomer as a main component.
【００２０】このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘
着剤等の後硬化型粘着剤は、光の照射又は加熱により粘
着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化
するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、
粘着力が大きく低下する。また、硬い硬化物中で気体発
生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外
部に放出され、放出された気体は、被着体と粘着剤との
接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。In the post-curing type pressure-sensitive adhesive such as the photo-curing type pressure-sensitive adhesive or the heat-curing type pressure-sensitive adhesive, the whole pressure-sensitive adhesive layer is uniformly and rapidly polymerized and crosslinked by light irradiation or heating to be integrated. Therefore, the increase in elastic modulus due to polymerization hardening becomes remarkable,
The adhesive strength is greatly reduced. Further, when a gas is generated from a gas generating agent in a hard cured product, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas peels off at least a part of the adhesive surface between the adherend and the adhesive. Reduces adhesion.
【００２１】上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に
官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官
能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらか
じめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基と
ラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、
官能基含有不飽和化合物という）と反応させることによ
り得ることができる。なお、本明細書において、（メ
タ）アクリルとはアクリル又はメタクリルを意味するも
のとする。As the above-mentioned polymerizable polymer, for example, a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) is synthesized in advance, and the above-mentioned functional group is incorporated into the molecule. A compound having a functional group that reacts with a group and a radically polymerizable unsaturated bond (hereinafter,
It can be obtained by reacting with a functional group-containing unsaturated compound). In addition, in this specification, (meth) acryl shall mean acryl or methacryl.
【００２２】上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の
（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル
基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アル
キルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステル
を主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に
必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマー
とを常法により共重合させることにより得られるもので
ある。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重
量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。The above-mentioned functional group-containing (meth) acrylic polymer is a polymer having tackiness at room temperature, and like the general (meth) acrylic polymer, the number of carbon atoms of the alkyl group is usually in the range of 2-18. Of the acrylic acid alkyl ester and / or the methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, and a functional group-containing monomer and, if necessary, another modifying monomer which can be copolymerized therewith by a conventional method. It is obtained by The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
【００２３】上記官能基含有モノマーとしては、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有
モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸
ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；ア
クリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポ
キシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチ
ル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネ
ート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタク
リル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げ
られる。Examples of the functional group-containing monomer include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid and methacrylic acid; hydroxyl group-containing monomers such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Epoxy group-containing monomers; isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
【００２４】上記共重合可能な他の改質用モノマーとし
ては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレ
ン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられて
いる各種のモノマーが挙げられる。Examples of the other copolymerizable modifying monomer include various monomers used for general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile and styrene.
【００２５】上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記
官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じ
て上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用でき
る。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モ
ノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同
官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有
モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカ
ルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド
基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合
はエポキシ基含有モノマーが用いられる。The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above depending on the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. You can use one. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
【００２６】上記多官能オリゴマー又はモノマーとして
は、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ま
しくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化
が効率よくなされるように、その分子量が５，０００以
下であり、かつ、その分子内のラジカル重合性の不飽和
結合の数の下限が２個、上限が２０個である。このよう
なより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとして
は、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペン
タエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノ
ヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジ
アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオ
リゴエステルアクリレート又は上記同様のメタクリレー
ト類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモ
ノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用さ
れてもよい。The above-mentioned polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight such that three-dimensional reticulation of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently performed by heating or irradiation with light. Is 5,000 or less, and the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule has a lower limit of 2 and an upper limit of 20. Such more preferable polyfunctional oligomers or monomers include, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate. , 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, or methacrylates similar to the above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
【００２７】上記光重合開始剤としては、例えば、２５
０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化
されるものが挙げられ、このような光重合開始剤として
は、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノ
ン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾ
インイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合
物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチ
ルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオ
キシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニ
ル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラ
ーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサン
トン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサント
ン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２
−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重
合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独
で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。The photopolymerization initiator is, for example, 25
Examples thereof include those activated by irradiation with light having a wavelength of 0 to 800 nm. Examples of such photopolymerization initiators include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone; benzoinpropyl ether, benzoin isobutyl ether, and the like. Benzoin ether compounds; ketal derivative compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; phosphine oxide derivative compounds; bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone , Diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2
Examples thereof include a radical photopolymerization initiator such as hydroxymethylphenylpropane. These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
【００２８】上記熱重合開始剤としては、熱により分解
し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが
挙げられ、具体的には例えば、ジクミルパーオキサイ
ド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオ
キシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイ
ド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオ
キサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサ
イド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−
ブチルパーオキサイド等が挙げられる。なかでも、熱分
解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイ
ド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブ
チルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開
始剤のうち市販されているものとしては特に限定されな
いが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチ
ルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が好
適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられても
よく、２種以上が併用されてもよい。Examples of the above-mentioned thermal polymerization initiator include those which decompose by heat to generate active radicals which initiate polymerization and curing. Specific examples thereof include dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, and the like. t-butyl peroxybenzole, t-butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramenthane hydroperoxide, di-t-
Butyl peroxide and the like can be mentioned. Among them, cumene hydroperoxide, paramenthane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide and the like are preferable because of their high thermal decomposition temperature. Of these thermal polymerization initiators, commercially available ones are not particularly limited, but for example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, permenta H (all of which are manufactured by NOF Corporation) and the like are preferable. These thermal polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
【００２９】上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほ
か、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望に
よりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ
化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化
合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面
活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を配
合してもよい。In addition to the above components, the above-mentioned post-curable pressure-sensitive adhesive is optionally compounded with a general pressure-sensitive adhesive such as an isocyanate compound, a melamine compound or an epoxy compound for the purpose of adjusting the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive. You may mix | blend various various polyfunctional compounds. Further, known additives such as a plasticizer, a resin, a surfactant, a wax and a fine particle filler may be added.
【００３０】上記支持テープは、粘着剤（Ａ）層からな
る面以外に、粘着剤（Ｂ）層からなる面を有するもので
ある。上記粘着剤（Ｂ）としては特に限定されないが、
本発明のＩＣチップの製造方法において、研磨工程とダ
イシング工程の間で、ウエハから支持テープを剥離する
工程を行う前に、予め支持板を支持テープから剥離する
場合には、刺激により粘着力が低下する性質を有するこ
とが好ましい。かかる粘着剤（Ｂ）としては、前述の粘
着剤（Ａ）に用いられる、分子内にラジカル重合性の不
飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及
び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリ
マーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーとを主成分
として含んでなる後硬化型粘着剤等を用いることができ
る。ウエハから支持テープを剥離する前に、予め支持板
を支持テープから剥離することにより、可とう性を有す
る支持テープをめくるようにして、より容易にウエハか
ら支持テープを剥離することができる。The above-mentioned support tape has a surface composed of the adhesive (B) layer in addition to the surface composed of the adhesive (A) layer. The pressure-sensitive adhesive (B) is not particularly limited,
In the method for manufacturing an IC chip of the present invention, when the support plate is previously peeled from the support tape before the step of peeling the support tape from the wafer between the polishing step and the dicing step, the adhesive force due to stimulation is It is preferable to have a property of decreasing. As such an adhesive (B), an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerization used in the above-mentioned adhesive (A) and having a radical-polymerizable unsaturated bond in the molecule is used. A post-curable pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer and a radically polymerizable polyfunctional oligomer as main components can be used. By peeling the support plate from the support tape in advance before peeling the support tape from the wafer, the support tape having flexibility can be turned over and the support tape can be peeled from the wafer more easily.
【００３１】また、この場合、上記粘着剤（Ｂ）は刺激
により気体を発生する気体発生剤を含有していることが
より好ましい。上記気体発生剤を含有することにより、
上記粘着剤（Ｂ）層に刺激を与えると粘着剤（Ｂ）層の
気体発生剤から気体が発生して、粘着力が低下して被着
体を更に容易に剥離することができる。また、上記粘着
剤（Ｂ）が後硬化型粘着剤等からなる場合には、刺激を
与える前は優れた粘着性を有しており、刺激を与えるこ
とにより架橋反応が進行し硬化物となるので、支持テー
プを剥離するまでの間は優れた粘着性を有する粘着剤で
ありながら、支持テープを剥離する際には硬い硬化物と
することができる。すなわち、硬い硬化物中で気体発生
剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部
に放出され、放出された気体は、被着体から粘着剤の接
着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。Further, in this case, it is more preferable that the pressure-sensitive adhesive (B) contains a gas generating agent which generates gas by stimulation. By containing the gas generating agent,
When the pressure-sensitive adhesive (B) layer is stimulated, gas is generated from the gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive (B) layer, the adhesive force is reduced, and the adherend can be peeled off more easily. When the pressure-sensitive adhesive (B) is composed of a post-curable pressure-sensitive adhesive, etc., it has excellent pressure-sensitive adhesive properties before being stimulated, and when it is stimulated, a crosslinking reaction proceeds to form a cured product. Therefore, while being an adhesive having excellent adhesiveness until the support tape is peeled off, a hard cured product can be obtained when the support tape is peeled off. That is, when a gas is generated from a gas generating agent in a hard cured product, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas peels off at least a part of the adhesive surface of the pressure sensitive adhesive from the adherend and bonds it. Reduce the power.
【００３２】上記気体発生剤は粘着剤（Ｂ）層に分散さ
れていてもよいが、気体発生剤を粘着剤（Ｂ）層に分散
させておくと粘着剤（Ｂ）層全体が発泡体となるため柔
らかくなりすぎ、粘着剤層をうまく剥がせなくなるおそ
れがある。したがって、支持板と接する粘着剤（Ｂ）の
表層部分にのみ含有させておくことが好ましい。表層部
分にのみ含有させておけば、刺激により粘着剤（Ｂ）層
を充分に柔らかくすることができるとともに、支持板と
接する粘着剤の表層部分では気体発生剤から気体が発生
して界面の接着面積が減少し、なおかつ気体が、被着体
と粘着剤との接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を
低下させる。The above gas generating agent may be dispersed in the adhesive (B) layer, but if the gas generating agent is dispersed in the adhesive (B) layer, the entire adhesive (B) layer becomes a foam. Therefore, it may be too soft and the adhesive layer may not be peeled off well. Therefore, it is preferable to contain it only in the surface layer portion of the pressure-sensitive adhesive (B) in contact with the support plate. If contained only in the surface layer part, the adhesive (B) layer can be sufficiently softened by stimulation, and at the surface layer part of the adhesive contacting the support plate, gas is generated from the gas generating agent to bond the interface. The area is reduced, and the gas peels off at least a part of the adhesive surface between the adherend and the pressure-sensitive adhesive to reduce the adhesive strength.
【００３３】上記粘着剤層の表層部分にのみ気体発生剤
を含有させる方法としては、例えば、支持テープの粘着
剤（Ｂ）層の上に、１〜２０μｍ程度の厚さで気体発生
剤を含有する粘着剤（Ｂ）を塗工する方法や、あらかじ
め作製した支持テープの粘着剤（Ｂ）層の表面に、気体
発生剤を含有する揮発性液体を塗布するかスプレー等に
よって吹き付けることにより、粘着剤表面に気体発生剤
を均一に付着させる方法等が挙げられる。粘着剤表面に
気体発生剤を付着させる場合は、粘着剤と相溶性に優れ
た気体発生剤を付着させることが好ましい。すなわち、
粘着剤表面に気体発生剤を多量に付着させると粘着力が
低くなるが、気体発生剤が粘着剤と相溶する場合は、付
着した気体発生剤は粘着剤層に吸収され粘着力が低下す
ることがない。なお、上記表層部分は、粘着剤層の厚さ
によるが、粘着剤表面から２０μｍまでの部分であるこ
とが好ましい。また、ここでいう表層部分には粘着剤表
面に気体発生剤が均一に付着している態様や粘着剤表面
に付着した気体発生剤が粘着剤と相溶し粘着剤層に吸収
された態様を含む。As a method of containing the gas generating agent only in the surface layer portion of the pressure-sensitive adhesive layer, for example, the gas generating agent is contained in a thickness of about 1 to 20 μm on the pressure-sensitive adhesive (B) layer of the supporting tape. By applying a pressure-sensitive adhesive (B) or applying a volatile liquid containing a gas generating agent to the surface of the pressure-sensitive adhesive (B) layer of the support tape prepared in advance or by spraying with a spray or the like. Examples include a method of uniformly attaching a gas generating agent to the agent surface. When the gas generating agent is attached to the surface of the adhesive, it is preferable to attach the gas generating agent having excellent compatibility with the adhesive. That is,
If a large amount of a gas generating agent is attached to the surface of the adhesive, the adhesive strength will decrease, but if the gas generating agent is compatible with the adhesive, the attached gas generating agent will be absorbed by the adhesive layer and the adhesive strength will decrease. Never. The surface layer portion depends on the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer, but is preferably a portion up to 20 μm from the pressure-sensitive adhesive surface. Further, in the surface layer portion here, a mode in which the gas generating agent is uniformly attached to the pressure-sensitive adhesive surface or a mode in which the gas generating agent attached to the pressure-sensitive adhesive surface is compatible with the pressure-sensitive adhesive and is absorbed in the pressure-sensitive adhesive layer Including.
【００３４】上記粘着剤（Ａ）層からなる面と粘着剤
（Ｂ）層からなる面とを有する支持テープを介して、ウ
エハは支持板に固定される。上記ウエハとしては、例え
ば、シリコン、ガリウム、砒素等からなる高純度半導体
単結晶をスライスしたもの等が挙げられる。上記ウエハ
の厚さとしては特に限定されないが、一般に５００μｍ
〜１ｍｍ程度である。なお、上記ウエハは支持板に固定
される前にその表面に所定の回路パターンが形成され
る。The wafer is fixed to the support plate via the support tape having the surface composed of the pressure-sensitive adhesive (A) layer and the surface composed of the pressure-sensitive adhesive (B) layer. Examples of the wafer include those obtained by slicing a high-purity semiconductor single crystal made of silicon, gallium, arsenic, or the like. The thickness of the wafer is not particularly limited, but is generally 500 μm.
It is about 1 mm. A predetermined circuit pattern is formed on the surface of the wafer before being fixed to the support plate.
【００３５】上記支持板としては特に限定されないが、
粘着剤（Ａ）層の粘着力を低下させる刺激が光による刺
激である場合にあっては透明であることが好ましく、例
えば、ガラス板；アクリル、オレフィン、ポリカーボネ
ート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ＰＥＴ、ナイロン、ウレタ
ン、ポリイミド等の樹脂からなる板状体等が挙げられ
る。上記支持板の厚さの好ましい下限は５００μｍ、上
限は３ｍｍであり、より好ましい下限は１ｍｍ、上限は
２ｍｍである。また、上記支持板の厚さのばらつきは１
％以下であることが好ましい。The support plate is not particularly limited,
When the stimulus for reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive (A) layer is a light stimulus, it is preferably transparent, for example, a glass plate; acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, PET, nylon. Examples include plate-shaped bodies made of resin such as urethane, urethane, and polyimide. The preferable lower limit of the thickness of the support plate is 500 μm, the upper limit thereof is 3 mm, and the more preferable lower limit thereof is 1 mm and the upper limit thereof is 2 mm. Further, the variation in the thickness of the support plate is 1
% Or less is preferable.
【００３６】本発明のＩＣチップの製造方法は、上記支
持テープを介して上記支持板に上記ウエハを固定する工
程において、上記粘着剤（Ａ）層と上記ウエハとを貼り
合わせ、上記粘着剤（Ｂ）層と上記支持板とを貼り合わ
せる。この際、ウエハの回路パターンが形成されている
面と粘着剤（Ａ）層とを貼り合わせる。In the method of manufacturing an IC chip according to the present invention, in the step of fixing the wafer to the support plate via the support tape, the pressure-sensitive adhesive (A) layer and the wafer are bonded to each other, and the pressure-sensitive adhesive ( The B) layer and the above support plate are bonded together. At this time, the surface of the wafer on which the circuit pattern is formed and the adhesive (A) layer are bonded together.
【００３７】上記支持テープを介して支持板にウエハを
固定することにより、ウエハを補強し、その取扱性を向
上させることができるので、厚さ５０μｍ程度の非常に
薄いウエハであっても搬送や加工の際に欠けたり割れた
りすることがなく、カセット等への収納性もよい。な
お、上記支持テープは、ＩＣチップを製造する一連の工
程の終了後に刺激を与えることにより、ＩＣチップから
容易に剥離できる。By fixing the wafer to the supporting plate via the above-mentioned supporting tape, the wafer can be reinforced and the handleability thereof can be improved. Therefore, even if the wafer is very thin with a thickness of about 50 μm, it can be transported or transported. It does not chip or break during processing, and can be stored easily in a cassette. The supporting tape can be easily peeled off from the IC chip by giving a stimulus after completion of a series of steps for manufacturing the IC chip.
【００３８】本発明のＩＣチップの製造方法は、少なく
とも、上記支持テープを介して上記ウエハを上記支持板
に固定した状態で研磨する工程を有する。研磨後のウエ
ハの厚さとしては特に限定されないが、ウエハを薄く加
工する場合ほど破損防止の効果は発揮されやすく、研磨
後の厚さを５０μｍ程度、例えば、２０〜８０μｍとし
た場合には、優れた破損防止の効果が発揮される。The method of manufacturing an IC chip according to the present invention includes at least a step of polishing the wafer fixed to the supporting plate via the supporting tape. The thickness of the wafer after polishing is not particularly limited, but the effect of preventing damage is more likely to be exhibited when processing the wafer thinner, and when the thickness after polishing is about 50 μm, for example, 20 to 80 μm, Excellent damage prevention effect.
【００３９】本発明のＩＣチップの製造方法は、少なく
とも、研磨した上記ウエハにダイシングテープを貼り付
ける工程を有する。上記ダイシングテープは、上記気体
発生剤から発生する気体の圧力では変形しないものであ
る。かかるダイシングテープとしては特に限定されない
が、例えば、市販のダイシングテープを気体発生剤から
発生する気体の圧力では変形しない補強板に接着剤等を
用いて接着したもの；気体発生剤から発生する気体の圧
力では変形しないテープ基材の片面に粘着剤（Ｃ）層が
形成されたもの等が挙げられる。上記補強板又はテープ
基材としては、気体発生剤から発生する気体の圧力では
変形しないものであれば特に限定されず、例えば、ガラ
ス板；アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化
ビニル、ＡＢＳ、ＰＥＴ、ナイロン、ウレタン、ポリイ
ミド等の板状体又は厚いフィルム状のもの等が挙げられ
る。また、上記粘着剤（Ｃ）としては特に限定されない
が、例えば、公知の熱硬化性粘着剤等が好適である。The IC chip manufacturing method of the present invention includes at least a step of attaching a dicing tape to the polished wafer. The dicing tape is not deformed by the pressure of the gas generated from the gas generating agent. The dicing tape is not particularly limited, but, for example, a commercially available dicing tape bonded to a reinforcing plate that is not deformed by the pressure of the gas generated from the gas generating agent using an adhesive or the like; Examples thereof include those in which an adhesive (C) layer is formed on one surface of a tape base material that does not deform under pressure. The reinforcing plate or tape base material is not particularly limited as long as it does not deform under the pressure of the gas generated from the gas generating agent, and examples thereof include a glass plate; acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, PET, nylon. , Urethane, polyimide, or the like, or a thick film-like material. The pressure-sensitive adhesive (C) is not particularly limited, but for example, a known thermosetting pressure-sensitive adhesive is suitable.
【００４０】上記市販のダイシングテープとしては特に
限定されず、例えば、古河電工社製のＡｄｗｉｌｌ（登
録商標）Ｄ−シリーズや、日東電工社製のエレップホル
ダー（登録商標）ＵＥシリーズ等のテープが挙げられ
る。The commercially available dicing tape is not particularly limited, and examples thereof include Adwill (registered trademark) D-series manufactured by Furukawa Electric and ELEP HOLDER (registered trademark) UE series manufactured by Nitto Denko. Can be mentioned.
【００４１】なお、上記ダイシングテープを貼り付ける
前に、予め絶縁性基板としてポリイミドフイルムをウエ
ハに貼り付けてもよい。上記ポリイミドフイルムをウエ
ハに貼り付ける際には、加熱する必要がある。したがっ
て、上記粘着剤（Ａ）層が熱による刺激により粘着力を
低下させる場合、及び、上記粘着剤（Ａ）が熱による刺
激により気体を発生する気体発生剤を含有する場合にあ
っては、粘着剤（Ａ）の粘着力を低下させる温度又は気
体を発生させる温度について、上記ポリイミドフイルム
をウエハに貼り付ける際の温度よりも高いものを選択し
ておく必要がある。Before attaching the dicing tape, a polyimide film as an insulating substrate may be attached to the wafer in advance. It is necessary to heat the polyimide film when it is attached to the wafer. Therefore, in the case where the pressure-sensitive adhesive (A) layer reduces the pressure-sensitive adhesive force by heat stimulation, and when the pressure-sensitive adhesive (A) contains a gas generating agent that generates gas by heat stimulation, The temperature at which the adhesive strength of the adhesive (A) is reduced or the temperature at which a gas is generated must be selected to be higher than the temperature at which the polyimide film is attached to the wafer.
【００４２】本発明のＩＣチップの製造方法では、続い
て粘着剤（Ａ）層に刺激を与えることにより、粘着剤
（Ａ）の粘着力を低下させる。上述のように粘着剤
（Ａ）層に刺激を与えると、気体発生剤から気体が発生
し、発生した気体が被着体から粘着剤の接着面の少なく
とも一部を剥がし接着力を低下させる。このとき、厚さ
５０μｍ程度の極めて薄いウエハでは、厚さが１００〜
６００μｍ程度の従来のウエハに比べて強度が弱く反り
も生じやすいため、局所的に発生した気体によりウエハ
の一部に強い圧力がかかり、ウエハが変形したり破損し
たりすることがある。しかし、本発明のＩＣチップの製
造方法においては、予め上記ダイシングテープをウエハ
に貼り付けていることにより、このようなウエハの変形
や破損が発生することがない。すなわち、ウエハが気体
発生剤から発生する気体の圧力では変形しないダイシン
グテープにより固定され一体化されることによりウエハ
が補強され、不均一に局所的に発生した気体によっても
ウエハが極度に変形したり破損したりすることがない。
更にウエハから支持テープを剥離する際にも、ダイシン
グテープがウエハ全体を均一に固定して補強することよ
り、支持テープを剥離しようとする力がウエハかかって
も、ウエハが変形したり破損したりすることを防止でき
る。In the method of manufacturing an IC chip of the present invention, the adhesive force of the adhesive (A) is reduced by subsequently stimulating the adhesive (A) layer. When the pressure-sensitive adhesive (A) layer is stimulated as described above, a gas is generated from the gas generating agent, and the generated gas peels off at least a part of the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive from the adherend to reduce the adhesive strength. At this time, for an extremely thin wafer having a thickness of about 50 μm, the thickness is 100 to 100 μm.
Since the strength of the wafer is weaker than that of a conventional wafer having a thickness of about 600 μm and the wafer is easily warped, a strong pressure may be applied to a part of the wafer by the locally generated gas, and the wafer may be deformed or damaged. However, in the method of manufacturing an IC chip of the present invention, since the dicing tape is attached to the wafer in advance, such deformation or damage of the wafer does not occur. That is, the wafer is reinforced by being fixed and integrated with a dicing tape that is not deformed by the pressure of the gas generated from the gas generating agent, and the wafer is extremely deformed even by the nonuniformly locally generated gas. It will not be damaged.
Further, even when the supporting tape is peeled from the wafer, the dicing tape uniformly fixes and reinforces the entire wafer, so that even if the force for peeling the supporting tape is applied to the wafer, the wafer may be deformed or damaged. Can be prevented.
【００４３】なお、粘着剤（Ｂ）として刺激により気体
を発生する気体発生剤を含有する粘着剤を用いた場合に
は、支持テープをウエハから剥離するに先立って、刺激
を与えて粘着剤（Ｂ）層の気体発生剤から気体を発生さ
せて粘着力を低下させてから硬い支持板を支持テープか
ら剥離しておけば、支持テープは可とう性を有するテー
プとなりテープをめくりながらウエハから剥がすことが
できるので、より一層容易にウエハから剥離することが
できる。なお、工程数が増えるのでウエハの表面に壊れ
やすい回路が形成されているウエハからＩＣチップを製
造する場合に行うことが好ましい。また、上記粘着剤
（Ａ）が気体発生剤を含有している場合は、刺激により
粘着剤（Ａ）から気体を発生させることにより、同様に
より一層容易にウエハを支持テープから剥離することが
できる。ただし、上記粘着剤（Ａ）層は、ウエハの表面
に壊れやすい回路が形成されている場合には気体発生剤
を含有しない方が好ましい。When a pressure-sensitive adhesive containing a gas generating agent which generates gas by stimulation is used as the pressure-sensitive adhesive (B), the pressure-sensitive adhesive is applied by stimulation before peeling the support tape from the wafer. If the hard supporting plate is peeled from the supporting tape after the gas is generated from the gas generating agent in the layer B) to reduce the adhesive force, the supporting tape becomes a flexible tape and is peeled off from the wafer while turning the tape. Therefore, it can be peeled from the wafer more easily. Since the number of steps is increased, it is preferable to perform it when an IC chip is manufactured from a wafer in which a fragile circuit is formed on the surface of the wafer. When the pressure-sensitive adhesive (A) contains a gas generating agent, the wafer can be more easily peeled from the support tape by generating gas from the pressure-sensitive adhesive (A) by stimulation. . However, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive (A) layer does not contain a gas generating agent when a fragile circuit is formed on the surface of the wafer.
【００４４】本発明のＩＣチップの製造方法は、少なく
とも、ウエハのダイシングを行う工程を有する。この工
程により、表面に回路が形成されたウエハは、ダイヤモ
ンドカッターによりチップに切り分けられる。その大き
さは、通常１辺、数１００μｍ〜数１０ｍｍである。The IC chip manufacturing method of the present invention includes at least a step of dicing a wafer. Through this step, the wafer having a circuit formed on its surface is cut into chips by a diamond cutter. The size is usually several hundred μm to several tens mm on one side.
【００４５】[0045]
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００４６】（実施例１）
＜粘着剤の調製＞下記の化合物を酢酸エチルに溶解さ
せ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０
万のアクリル共重合体を得た。得られたアクリル共重合
体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対
して、メタクリル酸２−イソシアネートエチル３．５重
量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液
の樹脂固形分１００重量部に対して、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート２０重量部、光重合開始剤（イル
ガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）０．５重量
部、ポリイソシアネート１．５重量部を混合し粘着剤
（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート ７９重量部
エチルアクリレート １５重量部
アクリル酸 １重量部
２ーヒドロキシエチルアクリレート ５重量部
光重合開始剤 ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン ０．０２重量部(Example 1) <Preparation of pressure-sensitive adhesive> The following compounds were dissolved in ethyl acetate and irradiated with ultraviolet rays to carry out polymerization to give a weight average molecular weight of 70.
Many acrylic copolymers were obtained. To 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution containing the obtained acrylic copolymer, 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added and reacted, and the resin of the ethyl acetate solution after the reaction was further added. 20 parts by weight of pentaerythritol triacrylate, 0.5 parts by weight of a photopolymerization initiator (Irgacure 651, 50% ethyl acetate solution), and 1.5 parts by weight of polyisocyanate were mixed with 100 parts by weight of the solid content to obtain an adhesive ( An ethyl acetate solution of 1) was prepared. Butyl acrylate 79 parts by weight Ethyl acrylate 15 parts by weight Acrylic acid 1 part by weight 2-Hydroxyethyl acrylate 5 parts by weight Photoinitiator 0.2 parts by weight (Irgacure 651, 50% ethyl acetate solution) Lauryl mercaptan 0.02 parts by weight
【００４７】更に、粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹
脂固形分１００重量部に対して、２，２’−アゾビス−
（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）１００重
量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を
調製した。Further, with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive (1), 2,2'-azobis-
100 parts by weight of (N-butyl-2-methylpropionamide) were mixed to prepare a pressure-sensitive adhesive (2) containing a gas generating agent.
【００４８】＜支持テープの作製＞粘着剤（１）の酢酸
エチル溶液を、両面にコロナ処理を施した厚さ１００μ
ｍの透明なＰＥＴフィルムの片面に乾燥皮膜の厚さが約
１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０
℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘
着剤（１）層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘
着剤（１）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィル
ムを貼り付けた。<Preparation of support tape> A solution of the adhesive (1) in ethyl acetate was corona treated on both sides to a thickness of 100 μm.
m transparent PET film coated on one side with a doctor knife so that the dry film thickness is about 15 μm.
The coating solution was dried by heating at 5 ° C for 5 minutes. The dried pressure-sensitive adhesive (1) layer exhibited tackiness in a dried state. Then, a PET film that had been subjected to a release treatment was attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive (1) layer.
【００４９】粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、表面に
離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥皮膜の厚
さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１
１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥
させた。乾燥後の粘着剤（１）層は乾燥状態で粘着性を
示した。次いで、粘着剤（１）層の表面に離型処理が施
されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。An ethyl acetate solution of the pressure sensitive adhesive (1) was applied onto a PET film whose surface was subjected to a mold release treatment with a doctor knife so that the thickness of the dry film was about 15 μm.
The coating solution was dried by heating at 10 ° C. for 5 minutes to volatilize the solvent. The dried pressure-sensitive adhesive (1) layer exhibited tackiness in a dried state. Then, a PET film that had been subjected to a release treatment was attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive (1) layer.
【００５０】次いで、粘着剤（１）層を設けたコロナ処
理を施したＰＥＴフィルムの粘着剤（１）層のない面
と、粘着剤（１）層を設けた離型処理が施されたＰＥＴ
フィルムの粘着剤（１）層の面とを貼り合わせた。これ
により両面に粘着剤層が設けられ、離型処理が施された
ＰＥＴフィルムで表面を保護された支持テープ１を得
た。Next, the surface of the PET film having the pressure-sensitive adhesive (1) layer which has been subjected to the corona treatment and having no pressure-sensitive adhesive (1) layer, and the PET having the pressure-sensitive adhesive (1) layer which has been subjected to the release treatment.
The pressure-sensitive adhesive (1) layer surface of the film was attached. As a result, a supporting tape 1 having a pressure-sensitive adhesive layer provided on both surfaces and having its surface protected by a PET film subjected to a release treatment was obtained.
【００５１】別に、粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、
表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥皮
膜の厚さが約１０μｍとなるようにドクターナイフで塗
工し１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液
を乾燥させた。乾燥後の粘着剤（２）層は乾燥状態で粘
着性を示した。次いで、粘着剤（２）層の表面に離型処
理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。Separately, a solution of the adhesive (2) in ethyl acetate was added,
On the PET film whose surface has been subjected to release treatment, apply it with a doctor knife so that the thickness of the dry film is about 10 μm, and heat at 110 ° C. for 5 minutes to evaporate the solvent and dry the application solution. It was The pressure-sensitive adhesive (2) layer after drying exhibited tackiness in a dry state. Then, a PET film that had been subjected to a release treatment was attached to the surface of the adhesive (2) layer.
【００５２】支持テープ１の片側の粘着剤（１）層を保
護する表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを剥が
し、粘着剤（２）層が形成された表面に離型処理が施さ
れたＰＥＴフィルムの粘着剤（２）層と貼り合わせた。
その後、４０℃、３日間静置養生を行った。これにより
一方の面に粘着剤（１）層を、他方の面に粘着剤（１）
層の表層部分に粘着剤（２）からなるプライマー層を有
し、粘着剤層が表面に離型処理が施されたＰＥＴフィル
ムで保護された支持テープ２を得た。The PET film having a release treatment on the surface protecting the pressure-sensitive adhesive (1) layer on one side of the support tape 1 is peeled off, and the surface having the pressure-sensitive adhesive (2) layer formed thereon is subjected to the release treatment. It was attached to the adhesive (2) layer of the PET film.
Then, stationary curing was performed at 40 ° C. for 3 days. As a result, the adhesive (1) layer is formed on one surface and the adhesive (1) layer is formed on the other surface.
A support tape 2 having a primer layer made of the pressure-sensitive adhesive (2) on the surface of the layer and having the pressure-sensitive adhesive layer protected by a PET film whose surface was subjected to a release treatment was obtained.
【００５３】（研磨工程）支持テープ２の粘着剤（２）
層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直径２０．４ｃ
ｍ、厚さ約７５０μｍのシリコンウエハに貼り付けた。
次に、粘着剤（１）層を保護するＰＥＴフィルムを剥が
し、直径２０．４ｃｍのガラス板に減圧環境下にて貼り
合わせた。支持テープ２を介してシリコンウエハと接着
させたガラス板を研磨装置に取り付け、シリコンウエハ
の厚さが約５０μｍになるまで研磨した。研磨終了後、
シリコンウエハが接着されているガラス板を研磨装置か
ら取り外し、ＰＥＴからなる厚さ２５０μｍのダイシン
グテープをシリコンウエハの上に貼り付けた。(Polishing step) Adhesive for supporting tape 2 (2)
Peel off the PET film to protect the layer, diameter 20.4c
and a silicon wafer having a thickness of about 750 μm.
Next, the PET film that protects the pressure-sensitive adhesive (1) layer was peeled off and bonded to a glass plate having a diameter of 20.4 cm under a reduced pressure environment. The glass plate adhered to the silicon wafer via the support tape 2 was attached to a polishing apparatus and polished until the thickness of the silicon wafer was about 50 μm. After polishing,
The glass plate to which the silicon wafer was adhered was removed from the polishing device, and a 250 μm-thick dicing tape made of PET was attached onto the silicon wafer.
【００５４】（ウエハの剥離工程）ガラス板側から超高
圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面
への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節
して２分間照射した後、ガラス板を真上に引っ張って支
持テープ２をシリコンウエハから剥がした。(Wafer peeling step) After irradiating ultraviolet rays of 365 nm from the glass plate side with ultraviolet rays of 365 nm for 2 minutes while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity on the glass plate surface is 40 mW / cm 2 . The glass plate was pulled right above and the supporting tape 2 was peeled off from the silicon wafer.
【００５５】（ダイシング工程）続いて、ダイシングテ
ープで補強されたシリコンウエハをダイシング装置に取
りつけ、ウエハ側からカッター刃を切り入れシリコンウ
エハをＩＣチップの大きさに切断した。次いで、ダイシ
ングテープを剥がしＩＣチップを得た。(Dicing Step) Subsequently, the silicon wafer reinforced by the dicing tape was attached to the dicing device, and a cutter blade was cut from the wafer side to cut the silicon wafer into IC chip sizes. Then, the dicing tape was peeled off to obtain an IC chip.
【００５６】支持テープ２を用いることにより、ＩＣチ
ップと支持板とを高い接着強度で接着することができ、
この状態で研磨することによりウエハを破損することな
く約５０μｍの厚さに研磨することができた。研磨後に
は紫外線を照射して気体発生剤から気体を発生させるこ
とにより、支持テープの粘着力が著しく低下し、容易に
ウエハを剥離することができた。また、この際ウエハ全
体をＰＥＴからなる厚さ２５０μｍのダイシングテープ
で均一に固定したことにより、発生した気体の圧力によ
りウエハが破損したり、変形したりすることもなかっ
た。By using the support tape 2, the IC chip and the support plate can be bonded with high adhesive strength,
By polishing in this state, the wafer could be polished to a thickness of about 50 μm without damage. After the polishing, by irradiating ultraviolet rays to generate a gas from the gas generating agent, the adhesive force of the supporting tape was significantly reduced, and the wafer could be easily peeled off. Further, at this time, the entire wafer was uniformly fixed with a 250 μm-thick dicing tape made of PET, so that the pressure of the generated gas did not damage or deform the wafer.
【００５７】[0057]
【発明の効果】本発明によれば、ウエハを厚さ５０μｍ
程度まで極めて薄くした場合においても、ウエハの破損
等を防止し、取扱性を改善し、良好にＩＣチップへの加
工が行えるＩＣチップの製造方法を提供できる。According to the present invention, the wafer has a thickness of 50 μm.
It is possible to provide an IC chip manufacturing method capable of preventing damage to a wafer, improving handleability, and favorably processing into an IC chip even when the thickness is extremely thin.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大山 康彦 大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学 工業株式会社内 (72)発明者 畠井 宗宏 大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学 工業株式会社内 (72)発明者 林 聡史 大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学 工業株式会社内 (72)発明者 檀上 滋 大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学 工業株式会社内 (72)発明者 北村 政彦 東京都大田区東糀谷２−14−３ 株式会社 ディスコ内 (72)発明者 矢嶋 興一 東京都大田区東糀谷２−14−３ 株式会社 ディスコ内 Ｆターム(参考） 4J004 AA01 AA02 AA10 CC03 EA05 FA05 FA08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Yasuhiko Oyama Sekisui Chemical, 2-1 Hyakusan, Shimamoto-cho, Mishima-gun, Osaka Prefecture Industry Co., Ltd. (72) Inventor Munehiro Hatakei Sekisui Chemical, 2-1 Hyakusan, Shimamoto-cho, Mishima-gun, Osaka Prefecture Industry Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Hayashi Sekisui Chemical, 2-1 Hyakusan, Shimamoto-cho, Mishima-gun, Osaka Prefecture Industry Co., Ltd. (72) Inventor Shigeru Dangami Sekisui Chemical, 2-1 Hyakusan, Shimamoto-cho, Mishima-gun, Osaka Prefecture Industry Co., Ltd. (72) Inventor Masahiko Kitamura 2-14-3 Higashikotani, Ota-ku, Tokyo Co., Ltd. Inside the disco (72) Inventor Koichi Yajima 2-14-3 Higashikotani, Ota-ku, Tokyo Co., Ltd. Inside the disco F-term (reference) 4J004 AA01 AA02 AA10 CC03 EA05 FA05 FA08
Claims (2)
気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）層からなる面と粘着
剤（Ｂ）層からなる面とを有する支持テープを介して、
ウエハを支持板に固定する工程、前記支持テープを介し
て前記ウエハを前記支持板に固定した状態で研磨する工
程、研磨した前記ウエハにダイシングテープを貼り付け
る工程、前記粘着剤（Ａ）層に前記刺激を与える工程、
前記ウエハから前記支持テープを剥離する工程、及び、
前記ウエハのダイシングを行う工程を有するＩＣチップ
の製造方法であって、前記支持テープを介して前記ウエ
ハを前記支持板に固定する工程において、前記粘着剤
（Ａ）層からなる面と前記ウエハとを貼り合わせ、前記
粘着剤（Ｂ）層からなる面と前記支持板とを貼り合わ
せ、前記ダイシングテープは、前記気体発生剤から発生
する気体の圧力では変形しないものであることを特徴と
するＩＣチップの製造方法。1. A support tape having at least a surface composed of a pressure-sensitive adhesive (A) layer containing a gas generating agent that generates a gas upon stimulation and a surface composed of a pressure-sensitive adhesive (B) layer,
A step of fixing the wafer to a support plate, a step of polishing the wafer while fixing it to the support plate via the support tape, a step of attaching a dicing tape to the polished wafer, and a step of applying the adhesive (A) layer. Applying the stimulus,
Peeling the support tape from the wafer, and
A method of manufacturing an IC chip, comprising the step of dicing the wafer, wherein in the step of fixing the wafer to the support plate via the support tape, the surface composed of the adhesive (A) layer and the wafer And a surface composed of the pressure-sensitive adhesive (B) layer and the support plate are bonded together, and the dicing tape is not deformed by the pressure of the gas generated from the gas generating agent. Chip manufacturing method.
り付ける工程とウエハから支持テープを剥離する工程と
の間に、支持テープから支持板を剥離する工程を有する
ことを特徴とする請求項１記載のＩＣチップの製造方
法。2. The step of peeling the support plate from the support tape between the step of attaching the dicing tape to the polished wafer and the step of peeling the support tape from the wafer. IC chip manufacturing method.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002006557A JP2003209072A (en) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | Method of manufacturing ic chip |
| CNB038002329A CN1322554C (en) | 2002-01-15 | 2003-01-15 | Method for producing IC chip |
| US10/475,257 US6939741B2 (en) | 2002-01-15 | 2003-01-15 | IC chip manufacturing method |
| PCT/JP2003/000238 WO2003060972A1 (en) | 2002-01-15 | 2003-01-15 | Ic chip manufacturing method |
| KR10-2003-7014522A KR20040105546A (en) | 2002-01-15 | 2003-01-15 | Ic chip manufacturing method |
| TW092100744A TWI267168B (en) | 2002-01-15 | 2003-01-15 | Manufacturing method of IC chip |
| EP03701719A EP1467402A4 (en) | 2002-01-15 | 2003-01-15 | Ic chip manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002006557A JP2003209072A (en) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | Method of manufacturing ic chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209072A true JP2003209072A (en) | 2003-07-25 |
| JP2003209072A5 JP2003209072A5 (en) | 2004-12-24 |
Family
ID=27645292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002006557A Pending JP2003209072A (en) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | Method of manufacturing ic chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003209072A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018524144A (en) * | 2015-05-01 | 2018-08-30 | デュポン テイジン フィルムズ ユー．エス．リミテッド パートナーシップ | Peelable adhesive polymer film |
-
2002
- 2002-01-15 JP JP2002006557A patent/JP2003209072A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018524144A (en) * | 2015-05-01 | 2018-08-30 | デュポン テイジン フィルムズ ユー．エス．リミテッド パートナーシップ | Peelable adhesive polymer film |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060620 |