JP2002515129A - ポーリング化電気光学的ファイバーセグメントの製造技術 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 オプトエレクトロニクス装置へと簡単に一体化され得る電気光学的アクティブファイバーセグメント（３１）のための、容易に大量製造へと拡張可能な、低コストの製造技術を提供する。本製造技術は、高フィールドポーリングを可能とするファイバー（１０）を囲む誘電体分離構造（１６、１７）、ポーリングおよび電気光学効果を引き起こすために使用される一対の電極（３７、３８）、および製造により影響を受けず、かつ、さらなるファイバーセクションとのスプライシングのために利用可能なファイバー末端（１８、１９）を提供する。本技術は、特定の電極構造（高周波適用のためのストリップラインおよび／またはマイクロストリップラインならびに準位相整合化３波混合適用のためのセグメント化電極（５２）を含む）に容易に適応可能である。一体化ファイバー変調器における電気光学的アクティブファイバーセグメント（３１）と、他のファイバーとの組合せにより、光学シグナルの高周波変調は、テレコミュニケーションへの適用において達成され得る。同じファイバーセグメントにおいてBragg回折格子構造（５３、５４）を含むことにより、遠隔アクセス可能な電界センサが得られる。電気光学的アクティブファイバーセグメント（３１）における３波混合プロセスは、可視／UVおよび赤外スペクトル範囲の両方において、さらなるコヒーメント照射源の発生を可能にし得る。

Description

【発明の詳細な説明】 ポーリング化電気光学的ファイバーセグメントの製造技術 本発明は、一部、米国空軍科学技術研究所との契約下における研究により行わ れ、および米国政府は、その中に一定の権利を有する。 発明の背景 １．発明の分野 本発明は、高速変調器、電界センサ、または光学ミキサにおける適用と共に、 光ファイバーラインに容易に一体化され得る電気光学的アクティブファイバーセ グメントの製造方法に関する。 ２．関連分野の詳細 本発明は、米国特許第5,239,407号「溶融シリカにおける広範な２次非線形性 の作製方法および設備」および米国特許第5,247,601号「アモルファスSiO₂を含 む導波管構造における広範な２次光学非線形性の製造装置」に関連する。これら の特許は、本明細書中で参考として援用する。 それぞれの光学構成要素のオプトメカニカルな連結に関連するパッケージング コストは、先進オプトエレクトロニックシステムにおけるコストの大部分である 。例えば、多くの高速ファイバーコミュニケーションシステムにおいて、ダイオ ードレーザーのアウトプットは、シングルモードの光ファイバーに連結されなけ ればならず、そしてファイバーは、そのアウトプットが再びファイバーへ連結す るLiNbO₃導波管変調器に連結されなければならない。それぞれの光学構成要素（ 例えば、屈折率分布型レンズまたはミクロレンズ）は、互いの連結節において、 かなり異なるモードプロフィール、ならびにダイオードレーザーおよび変調器導 波管モードの空間範囲をファイバーモードに適合することが要求される。許容量 は、最小限の連結の損失を確実にするためのミクロメーターの部分であり、広範 囲のアクティブ配置（レーザーとの連結を最適化する）が典型的に要求される。 結合 剤が硬化する間、システムを安定に維持することの要求により、原料処理費およ び収率の両方が制限される。ファイバーと一体化した変調器が製造され得るなら ば、高速ファイバーコミュニケーションシステムに関連する製造およびパッケー ジングコストは、実質的に削減され得る。 電界センサは、他の潜在的に魅力的な電気光学的アクティブファイバーの適用 である。電気事業は、高電圧システムをモニターするための遠隔センサを必要と している。電気光学的アクティブファイバーセンサとBragg反射回折格子の一体 化は、大きな経済的インパクトを有する、一般に利用可能なセンサの、とても魅 力的な代替品である。 電気光学的アクティブファイバーの適用の第３の潜在的な分野は、周波数混合 である（すなわち、出発波長より短波長にするための第２周調波および和周波数 の発生、および長波長にするための異なる周波数の発生である）。これは、今日 、波長がおよそ700nm〜１マイクロメーターの範囲に限定される高出力ダイオー ドレーザーの用途の拡張を可能にし得る。適用は高密度光学式記録、ディスプレ イ、および分光センサを含む。これらの非線形混合プロセスは、２次非線形性（ 電気光学効果を生じる同じオーダーの非線形性）、ならびに非線形混合が、ファ イバーのアクティブな長さに沿ってコヒーレントを持続することを確実にする位 相整合技術の両方を要求する。以前の研究（X.-C.Long，R．A．MyersおよびS．R ．J．Brueck，「ポーリング化（poled）アモルファスシリカにおける線形電気光 学係数の測定」,Optics Letters 19、1820（1994）；X.-C.Long，R．A．Myersお よびS．R．J．Brueck,「温度／電界ポーリング化光ファイバーにおける線形電気 光学効果の測定」,Electronics Letters 30、2162（1994））は、ゲルマノシリ ケートガラスにおいて生じた２次非線形および電気光学効果が、同じ電子工学プ ロセスから発生し、そして、密接に関連づけられることを示している。要求され る位相整合は、非線形性がそれぞれのコヒーレンス長（すなわち、その長さにわ たって、それらが異なる速度であるため、基礎および第２周の調波領域の位相が πによってシフトされる）を交互にターンオンおよびオフする準位相整合により 最も便利に達成される。より複雑なポーリング（poling）パターンが、特定の適 用のための位相整合帯域幅を仕立てるために、望まれ得る。 ファイバーを適切な発色団（代表的には、重要な1.55-μmのテレコミュニケー ションバンドについてErのような希土類元素）でドーピングすること、および、 ファイバー末端の研磨およびコーティング、または光発生格子の使用のいずれか によりミラーをファイバーに連結することを含む、一体式ファイバーレーザーに おける、広範囲の研究が存在する（光発生格子およびそれらのファイバーレーザ ーへの適用についての近年のレビューに対するK．O．Hill，B．Maio，F．Bilode auおよびD．C．Johnson、「光ファイバーにおける光感受性」、Annual Review o f Materials Science、第23巻、125〜157頁、、R．A．LaudiseおよびE．Snitzer 編（Annual Reviews，Palo Alto，1993）を参照せよ）。これらのファイバーレ ーザーは、ドープ剤の固有の長さの寿命（代表的に約ms）のため、コミュニケー ション率（communications rate）（Mb/s-Gb/s）において、ポンピングビームの ターンオンおよびターンオフにより変調され得ない。外部の変調器は、コミュニ ケーション適用にとって必要不可欠であるため、キャビティ内の変調器は、レー ザーアウトプットのQスイッチングおよびモードロッキングに使用され、短い、 高出力のパルスを生じ得る。 明らかに、変調器とファイバー（簡単な、安価で、短時間なプロセスでレーザ ーファイバー上へ容易にスプライスされ得る）の一体化は、最適なパッケージン グの解決法になり得る。このような、ファイバーと一体化した高速変調器は、い まだ、実現されていない、とても重要な要素である。ニューメキシコ大学の本グ ループによる、SiO₂物質において生じた安定な２次非線形性の発見は、導波管（ 米国特許第5,247,601号）およびファイバー変調器（X.-C．Longら、およびP．G ．Kazansky，P．St．J．Russell，L．DongおよびC．N．Pannell、「熱的ポーリ ング化シリカ光ファイバーにおけるPockels効果」、Electronics Letters 31，6 2（1995）を参照せよ）の両方のための実用的なジオメトリーを確立することを 目的とする多くの研究へと導いた。 近年、Australian Fiber Optic Reseach Centerのグループは、２つの技術革 新：a）電界の付与下における高温（約100〜300℃）の使用と対照的に、ポーリ ングを生じるための電界の付与を伴った紫外線ビームの使用、および、b）ポー リングの間の分解に対する抵抗性を増加するため、および非線形性と光学モード ボリュームとの間の良好な重複を提供するための、ファイバー内部へのワイヤー 電極の提供を用いる、ファイバーの効果的な電気光学係数における重要な改良を 示した（T．Fujiwaraら、UV励起でポーリングを用いるゲルマノシリケートファ イバーの電子工学変調、Electronics Letters 31、573、1995年３月30日）。彼 らは、６pm/Vの電気光学（r）係数を得られ得た。これは、以前の報告（0.05pm/ V）よりかなり大きく、そして実用的な適用を十分に広げた。彼らの技術は、け れども、多くの欠点を有する。詳細には、ファイバーを引き延ばした後に挿入さ れる電極ワイヤーのための２つの穴を有するプレフォームから、ファイバーは引 き延ばされる。このワイヤーの挿入は、それぞれの光学構成要素を連結する困難 性および費用に匹敵する、困難な製造工程である。欠点を避けるために、１つの ワイヤーはファイバーの両末端から挿入される。これは、高速進行波のジオメト リーが可能でないため、変調周波数は低い値に制限されることを意味する。さら に、電極は、ファイバーに連結するために、再度それぞれの光学システムの配置 を要求し、電気光学的アクティブファイバーセグメントの多くの利点（全ファイ バーアクティブ装置の製造）を無効にするために、ファイバーのいずれの末端の スプライシングも可能ではない。 明らかに、製造およびパッケージングコストを著しく削減するための、レーザ ーファイバー上で、他のファイバー構成要素と簡単にスプライされ得る電気光学 的アクティブファイバーセグメントの要求が存在する。 要旨 本発明によると、電気光学的アクティブファイバーセグメントは、コアに近 接する、クラッディングの１つのサイドを除去した「D」ファイバーを用いて、 製造される。このファイバーの平らなサイドは、デバイス電極の１つを形成する ために、適切に導電性にされた基板に接着される。ファイバー末端は、後のファ イバーのスプライシングのために、基板をこえて伸びる。誘電体の薄層は基板上 に堆積され、そして、ファイバー／誘電体構造は研磨され、平面および「D」の 平坦部分とは反対のファイバーのサイドで、ファイバーコアへの密接なアクセス を提供する。この誘電体層はまた、ポーリングプロセスにおいて、ファイバーコ アを横切って高電圧が印加され得るように、電気的分離を与える。第２の電極は 、研磨された表面上に堆積され、ストリップラインを形成し、高速rf伝搬を可能 とする。複合体構造の温度／電界ポーリングは、ファイバーにおいて、２次非線 形性を生じ、電磁シグナルによる、伝搬レーザービームの変調を可能とする。あ るいは、電界は、適切なUV照射と共に付与され非線形性を形成し得るか、または 、UV照射と共に温度プログラムの作成を含む組合せが使用され得る。第２の誘電 体層に続くブランケット金属フィルムは、さらなるrf分離のために付加され得る 。 図面の簡単な説明 ここで、図面を参照する。 図１は、電気光学的アクティブファイバーセグメントの製造を含む工程を例示 する。 図２は、電気光学的アクティブファイバーセグメントを組み込む全ファイバー Mach-Zehnder変調器を示す。 図３は、同じファイバーセグメント内のBragg反射回折格子と共に電気光学的 アクティブファイバーセグメントを組み込む電界センサを示す。 図４は、新たな光周波数を生じる３波混合のために周期的様式に配列された電 気光学的アクティブファイバーセグメントのシリーズを示す。 図５は、測定された電気光学係数と、固定ポーリング温度および固定ポーリン グ時間におけるポーリング電圧との関係を示す。 図６は、測定された電気光学係数と、固定ポーリング電圧および温度における ポーリング時間との関係を示す。 図７は、推進電気的周波数に対するMach-Zehnder干渉計におけるポーリング化 ファイバーおよびLiNbO₃サンプルからの位相シフトシグナルを示す。 発明の詳細な説明 本発明者らは、以前の製造方法により生じた製造およびパッケージングの困難 性を処理する製造技術を開発した。本技術は、図１に例示される。本発明者らは 、コアに近接する、クラッディングの１つのサイドが研磨された、「D」ファイ バ ー１０と共に始めた。典型的に、これはファイバーを引き延ばす前のプレフォー ムの状態で行われる。このような「D」ファイバーは、周知であり、および容易 に購入できる。「D」ファイバーの平坦部分は、さらに、エッチングまたは研磨 され、ファイバーコアへの電極構造のより密接なアプローチを可能にし得る。よ り大きい電気光学係数を可能し、同時に、ファイバーセグメントの線形光学損失 を増加させる電極のコアへの近接の間には、重要な交換条件が存在する。電極か らコアまでの最適な距離は、詳細なデバイス設計の一部として確立されなければ ならない。製造プロセスの工程を、以下に列挙する。 （１）ファイバーは、平らなサイドを下にして、平らな基板１１に接着される （代表的にSi、しかし、必ずしもSiではない）。基板は、接着前に、金属化１２ され、デバイス電極の１つを提供し得る。本発明者らは、ポリイミド薄層を接着 剤１３として使用した；他の物質も可能である。ファイバー末端は、平面表面か ら隔離され、その結果、それらは後のファイバースプライシングのプロセシング に利用可能となり得る。 （２）ポリイミド１４のより厚い層が、ファイバー位置を固定し、かつ誘電物 質を与えるために堆積され、その結果、後にファイバーを横切って高電界が付与 され得る。（また、高い絶縁破壊強度、および熱的ポーリング温度（約200〜300 ℃）またはポーリングのためのUV照射のいずれかへの耐性が要求される場合、他 の物質が使用され得る）。 （３）ファイバー／ポリイミド構造は研磨され、平面表面、および「D」と反 対のファイバーのサイド上のファイバーコアへの密接なアクセスを与える。 （４）第２の電極１５は、研磨された表面上に堆積される。この電極は、スト リップラインとして基板と一致して設計され、高速rf伝搬を可能とし得る。電極 は、らせん状配列状態で、ファイバーに対して斜めに堆積され、rfおよび光学速 度を整合し得る。 （５）複合体構造の温度／電界ポーリングが行われ、ファイバー内に、２次非 線形性が生じる（あるいは、UVポーリングが、適切な電極設計、部分的伝達電極 、アパーチュア電極（apertured electrode）などと使用され、ファイバーコア への光学アクセスを可能とし得る）。準位相整合が要求される、周波数混合適用 に おいて、適切にパターン化された電極構造が使用され得る。 （６）第２の誘電体１６層、続くブランケット金属フィルム１７は、さらなる rf分離のために付加され得る。プロセシングを考慮して、この工程は、工程５の 前または後に生じ得る。 （７）ファイバー末端１８、１９は、ここで、さらなるファイバー長へスプラ イスされ得る。 本技術は、以下を提供する：（a）rfと光学フィールドの間の進行波相互作用 を可能にする高速rf回路、およびこれによる高速変調能力；（b）ファイバーの 両末端の簡単なスプライスによる安価な光学パッケージング；および（c）複数 のポーリング化ファイバー、電気光学的アクティブセクションの同時製造への展 開性。 これらは、ここで、背景のセクションで引用した任意の適用において使用され 得る。詳細には、図２のファイバー変調器を参照されたい。ここで、電気光学的 アクティブファイバーセクション３１は、２つの３ dB ２x１ファイバーパワー スプリッタ３４、３５に連結する、２つの付加パッシブファイバーセクション３ ２、３３にスプライスされる。パワースプリッタ間の付加パッシブファイバーセ クション３６は、Mach-Zehnder干渉計を完全なものにする。操作において、電気 光学的アクティブファイバーセクションを介して伝達される光学シグナルの位相 シフトは、電極３７、３８を横切る電界の付与により変調される。干渉計を介す る伝達は、干渉計の２つのアームの間の光学位相差の正弦関数である。アウトプ ットパワースプリッタにおいて、２つのシグナルが同位相である場合、伝達は最 大となり；アウトプットパワースプリッタにおいて、２つのシグナルが位相がπ ずれる場合、伝達はゼロになり、そして、パワーのすべては、干渉計から反射さ れる。しばしば、パッシブファイバーセグメント３６は、反対の極性の電界が付 与される、第２電気光学的アクティブセグメントにより置換され、要求される電 圧振幅を１／２に減少させる。 電界センサにおいて、電気光学的アクティブセグメントはまた、全ファイバー 一体化Mach-Zehnder干渉計（ここで、電極３７、３８が除去され、電気光学的ア クティブファイバーセグメントの領域内において、局部電界のセンシングが可能 となる）に組み込まれ得る。あるいは、図３に示すように、Bragg回折格子４１ は、電気光学的アクティブファイバーセグメントに組み込まれ得る。Bragg回折 格子は、ある周波数範囲の光を反射し、および他の周波数範囲の光を伝達する、 屈折率変調の領域である。最小伝達の特定周波数は、挿入図に模式的に示す電界 の付与によりファイバーの全モード率（overall modal index）を変化させるこ とにより、変調され得る。Bragg回折格子は、パターン化されたファイバーのUV 照射または任意の他の適切な技術により生成され得る。 ３波混合適用において、電気光学的アクティブファイバーセグメント５１は、 図４に示すセグメント化電極構造５２により表されるような、適切な準位相整合 コンフィギュレーションでポーリング化されなければならない。任意のBragg回 折格子５３、５４は、電気光学的アクティブファイバーセグメントの両端に配置 され、Fabry-Perotキャビティの形成により基本周波数でフィールドを増強し得 る。 本発明の製造技術の最初の実施は、シングルモードの、ポーラリゼーション維 持の、ゲルマノシリケートのD-ファイバー（633nmに設計した）を用いて行った （Andrew Corporation第205170-6335-2）。コアは、18重量％のGeドーピングを 有する1.25x2.5μm²であり、そしてファイバーの平らなサイドの溶融シリカクラ ッディングの厚さは、わずか9μmである。クラッディングの平らなサイドから反 対サイドまでの、コア／クラッディングのトータルの厚さは、45μmであった。 硫酸中で200℃の温度でプラスチックジャッケトを剥がした後、ファイバーを48 ％のHF溶液中で3.5分間エッチングし、「D」でのクラッディングの最小厚さを９ μmから約５μmへとさらに減少させた。線形ファイバー特性は、これらのプロセ シング工程により変化しなかった。次いで、ポリイミド（UR3100）の薄（厚さ約 １μm）層を、Siウエハ上に引き延ばし、そして、ファイバーを、このポリイミ ド層を接着剤として用いて、「D」サイドを下にしてウエハ上に固定した。この ポリイミド層を２つの温度工程（それぞれ、120℃および170℃、５分間）で硬化 した。この硬化の後に、ポリイミド（UR3140）の多数の付加層を、トータルの厚 さが40μmに達するまでウエハ上に引き延ばした。それぞれのポリイミドの層を 、２つの温度サイクル（それぞれ、120℃および170℃、10分間）で硬 化した。全ポリイミド堆積物を、350℃、１時間で硬化した。次いで、ファイバ ー／ポリイミド構造を、約34μmの厚さまで、機械的に研磨した。Cr：Auフィル ム（300Å/3000Å）を、第２の電極として研磨した表面上へ堆積した。 得られた構造物を、種々のパラメーター下において、電界／温度ポーリングプ ロセスによりポーリング化した。得られた電気光学効果をモニターするために、 ポーリング化サンプルを、633nmで操作するMach-Zehnder干渉計の測定アームの 中に配置した。これらの実験において、種々のポーリング条件に対する試験の容 易さを維持するために、Mach-Zehnderは、電気光学的アクティブファイバーセク ションの内部および外部に光を連結するための、適切な顕微鏡対物レンズを有す る、自由空間ジオメトリー（free space geometry）であった。図５および図６ は、測定した電気光学係数r₃₃と、固定した255℃のポーリング温度および10分間 のポーリング時間におけるポーリング電圧との間の関係、ならびに、電気光学係 数r₃₃と、固定した1.5kVのポーリング電圧および255℃のポーリング温度におけ るポーリング時間との関係を示す。これらの実験において、わずか10分間の短い ポーリング時間について、最大の係数が得られた。予想されたように、位相シフ トシグナルは、インプットレーザー光のポーラリゼーションに対して感受性であ る。TEモードからのシグナルと、TMモードからのシグナルとの比は、約2.4：1で ある。この測定は、電気光学係数の比r₃₃：r₃₁が約2.4：1であり、おおよそ、単 純な対称モデルにおいて予測される３：１の比と一致することを示す。 図７に示すように、シグナルは円滑な周波数応答を示す。強く幅が狭い音響周 波数共振が存在しないことは、圧電応答が弱められることを示し、そしてシグナ ルが電気光学効果によることを示す。 要約すれば、スケールアップ可能な（scaleable）、光ファイバーにおいて大 きな２次非線形性を生じる製造技術が開示される。本発明者らは、ゲルマノシリ ケートの光ファイバーを、改良したポーリングジオメトリーを使用して温度／電 界ポーリングすることにより、0.3pm/Vと同程度に高い線形電気光学係数を得た 。得られた電気光学的アクティブファイバーセグメントは、rfおよび光学領域の 速度整合を提供する固有の高速rf能力を有し、そして、準位相整合化した非線形 相互作用のための周期的なポーリングに適合され得る。例示した技術は、大量製 造 へスケールアップ可能であり、簡単なスプライシング技術により、付加ファイバ ー構成要素によって容易にパッケージングされる。適用の主要な領域は、以下を 含む：テレコミュニケーションのための高速ファイバー変調器；パワー発生およ び伝達システムのための電界センサ；ならびに総および差周波数混合による広範 囲な波長発生。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，Ｈ Ｕ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ， ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 ロン，ジン−チュン アメリカ合衆国 ニューメキシコ 87106, アルバカーキー，キャサリン エス．イ ー．2323，アパートメント ナンバー133 【要約の続き】 含むことにより、遠隔アクセス可能な電界センサが得ら れる。電気光学的アクティブファイバーセグメント（３ １）における３波混合プロセスは、可視／UVおよび赤外 スペクトル範囲の両方において、さらなるコヒーメント 照射源の発生を可能にし得る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．a）平らなサイドの表面がコアに近接するように、「D」ファイバーをエッチ ングする工程； b）該研磨した「D」ファイバーを導電性表面を有する平らな基板へ接着する工 程であって、該ファイバーの末端が該基板をこえて伸びる、工程； c）誘電物質層を該研磨した「D」ファイバーを含む該基板上に堆積し、その結 果、該「D」ファイバーが実質的に該誘電体で覆われる、工程； d）工程c）のファイバー／誘電構造体を研磨し、平面表面、および該基材の反 対側の該ファイバーコアへの密接なアクセスを提供する工程； e）第２の金属層を該ファイバー上の該平面表面上に堆積し、それにより第２ の電極を形成する、工程； f）温度および電界の付与の組合せを使用して該ファイバー／誘電構造体をポ ーリングし、それにより該ファイバーにおいて、２次非線形性を形成する、工程 ；および g）該ファイバーの該末端を通常のファイバー長にスプライスする工程を包含 する、オプトエレクトロニクスにおける電気光学的アクティブファイバーセグメ ントの製造方法。 ２．前記工程c）の誘電体がポリイミドである、請求項１に記載の方法。 ３．前記ポーリングが紫外線を用いて行われる、請求項２に記載の方法。 ４．前記工程f）に続いて、f1）第２の誘電体層を前記平面表面の最上面に堆積 する工程；およびf２)金属フィルムを該第２の誘電体層の最上面に堆積する工程 を包含し、それによって、さらなるrf分離が付加される、２つの追加工程が挿入 される、請求項２に記載の方法。 ５．請求項１に記載の方法に従って製造された電気光学的アクティブファイバー セグメント。 ６．a）第１の電極を形成する金属化層を有する平らな基板； b）ファイバーであって、該ファイバーの部分がコアに近接する第１のサイド および該第１のサイドの反対の第２のサイド上で平らに研磨され、該第１のサイ ドが該基板に連結し、そして該ファイバーの研磨されていない部分が該基板をこ えて伸びる、ファイバー； c）該第２のサイド上に堆積された電極；および d）温度／電界手段であって、該ファイバーにおいて、２次非線形性を誘導す る、温度／電界手段を備える、オプトエレクトロニクスにおける電気光学的アク ティブファイバーセグメント。 ７．Mach-Zehnder干渉計の１つのアームに一体化した、請求項１に記載の電気光 学的アクティブファイバーセグメントを備える、ファイバー変調器。 ８．その中の一部に組み込まれたBragg回折格子を有する、請求項１に記載の電 気光学的アクティブファイバーセグメントからなる、電界センサ。 ９．準位相整合コンフィギュレーションにおいてポーリング化された、請求項１ に記載の電気光学的アクティブファイバーセグメントからなる、３波ミキサ。 １０．電気光学的アクティブファイバーセグメントの両末端に組み込まれたBrag g回折格子を有する、請求項８に記載の３波ミキサ。