JP2002335626A - 逆電流防止回路 - Google Patents
逆電流防止回路Info
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- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0031—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using battery or load disconnect circuits
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- Power Engineering (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電池−デバイス電源回路間に接続される逆電
流防止回路での電圧降下を少なくしてデバイス電源回路
に必要な電圧が印加されるようにする。 【解決手段】 ＭＯＳＦＥＴ３のドレインは、電池正極
側端子１に接続され、そのソースは、デバイス側端子２
に接続される。ＭＯＳＦＥＴ３のゲートは、抵抗部品４
を介してドレインに接続される。デバイスの電源電位を
監視するために、ＭＯＳＦＥＴ３のソースに電位比較回
路５の一方の入力端子ａを接続し、電位比較器５の他方
の入力端子ｂには、ＭＯＳＦＥＴ３のドレインを接続す
る。そして、電位比較回路５の出力端子をＭＯＳＦＥＴ
３のゲートと抵抗部品４との接続点に接続する。電位比
較回路５は、入力端子ａ側が入力端子ｂ側より高電位と
なった場合にはローレベルを出力し、逆の場合にはハイ
インピーダンス状態となる。
流防止回路での電圧降下を少なくしてデバイス電源回路
に必要な電圧が印加されるようにする。 【解決手段】 ＭＯＳＦＥＴ３のドレインは、電池正極
側端子１に接続され、そのソースは、デバイス側端子２
に接続される。ＭＯＳＦＥＴ３のゲートは、抵抗部品４
を介してドレインに接続される。デバイスの電源電位を
監視するために、ＭＯＳＦＥＴ３のソースに電位比較回
路５の一方の入力端子ａを接続し、電位比較器５の他方
の入力端子ｂには、ＭＯＳＦＥＴ３のドレインを接続す
る。そして、電位比較回路５の出力端子をＭＯＳＦＥＴ
３のゲートと抵抗部品４との接続点に接続する。電位比
較回路５は、入力端子ａ側が入力端子ｂ側より高電位と
なった場合にはローレベルを出力し、逆の場合にはハイ
インピーダンス状態となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、逆電流防止回路に
関し、特にリチウム電池等の一次電池とこのリチウム電
池から電流の供給を受けるデバイスとの間に接続される
逆電流防止回路に関するものである。
関し、特にリチウム電池等の一次電池とこのリチウム電
池から電流の供給を受けるデバイスとの間に接続される
逆電流防止回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】３Ｖ系等のリチウム電池は、小型・軽
量、高エネルギー密度、低自己放電特性を有することか
ら、家電製品、電卓、バックアップ用電源等の広い分野
において用いられている。而して、一次電池として設計
されたリチウム電池では、負荷（デバイス）側から電池
へ逆電流が流入することがないようにすることが望まし
いため、リチウム電池がバックアップ用電源等に用いら
れる場合にはバックアップ時に電池から電流の供給を受
けるデバイスと電池との間に逆電流を阻止する回路が挿
入されることがある。
量、高エネルギー密度、低自己放電特性を有することか
ら、家電製品、電卓、バックアップ用電源等の広い分野
において用いられている。而して、一次電池として設計
されたリチウム電池では、負荷（デバイス）側から電池
へ逆電流が流入することがないようにすることが望まし
いため、リチウム電池がバックアップ用電源等に用いら
れる場合にはバックアップ時に電池から電流の供給を受
けるデバイスと電池との間に逆電流を阻止する回路が挿
入されることがある。
【０００３】従来、逆電流防止回路としては、図５に示
すように、ダイオード１０を、そのアノード側を電池正
極側端子１、そのカソード側をデバイス側端子２とし
て、電池正極−デバイス電源入力端に挿入することが行
われてきた。この回路によれば、仮令デバイスの電源回
路の電位が電池電圧を越えることがあってもダイオード
１０がバリアとなるため、逆電流が電池側へ流入するこ
とを防止できる。
すように、ダイオード１０を、そのアノード側を電池正
極側端子１、そのカソード側をデバイス側端子２とし
て、電池正極−デバイス電源入力端に挿入することが行
われてきた。この回路によれば、仮令デバイスの電源回
路の電位が電池電圧を越えることがあってもダイオード
１０がバリアとなるため、逆電流が電池側へ流入するこ
とを防止できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ダイオードによって逆
電流を防止した従来の回路では、負荷への電流供給時
に、ダイオードに約０．７Ｖの順方向電圧降下ＶＦが発
生するため、例えば３Ｖ系のリチウム電池を用いた場合
には、デバイスの電源回路に供給される電圧は２．３Ｖ
にまで低下してしまう。そのため、デバイスの電源回路
に本来必要となる３Ｖを供給することが出来ず、回路に
よっては正常動作が阻害される恐れが生じる。本発明の
課題は、上述した従来例の問題点を解決することであっ
て、その目的は，仮令デバイス側の電位が電池電圧を越
えることがあっても電池側へ電流が逆流することのない
ようにするとともに、挿入された逆電流防止回路による
電圧降下を少なくしてデバイスの電源には本来必要とな
る電圧を供給できるようにすることである。
電流を防止した従来の回路では、負荷への電流供給時
に、ダイオードに約０．７Ｖの順方向電圧降下ＶＦが発
生するため、例えば３Ｖ系のリチウム電池を用いた場合
には、デバイスの電源回路に供給される電圧は２．３Ｖ
にまで低下してしまう。そのため、デバイスの電源回路
に本来必要となる３Ｖを供給することが出来ず、回路に
よっては正常動作が阻害される恐れが生じる。本発明の
課題は、上述した従来例の問題点を解決することであっ
て、その目的は，仮令デバイス側の電位が電池電圧を越
えることがあっても電池側へ電流が逆流することのない
ようにするとともに、挿入された逆電流防止回路による
電圧降下を少なくしてデバイスの電源には本来必要とな
る電圧を供給できるようにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、電池と該電池より電流の供給を受
けるデバイスとの間に接続される逆電流防止回路であっ
て、ソースまたはドレインのいずれか一方が電池側にい
ずれか他方がデバイス側に接続された電界効果トランジ
スタと、デバイス側の電位と電池側の電位とを監視しデ
バイス側の電位が電池側の電位より上昇した場合には前
記電界効果トランジスタのゲートに該電界効果トランジ
スタが遮断できる電位を供給する制御手段と、が備えら
れていることを特徴とする逆電流防止回路、が提供され
る。
め、本発明によれば、電池と該電池より電流の供給を受
けるデバイスとの間に接続される逆電流防止回路であっ
て、ソースまたはドレインのいずれか一方が電池側にい
ずれか他方がデバイス側に接続された電界効果トランジ
スタと、デバイス側の電位と電池側の電位とを監視しデ
バイス側の電位が電池側の電位より上昇した場合には前
記電界効果トランジスタのゲートに該電界効果トランジ
スタが遮断できる電位を供給する制御手段と、が備えら
れていることを特徴とする逆電流防止回路、が提供され
る。
【０００６】そして、好ましくは、前記制御手段が、出
力端子が前記電界効果トランジスタのゲートに接続さ
れ、第１の入力端子に前記デバイスの電源電位が、第２
の入力端子に電池電位が入力される比較回路によって構
成される。また、好ましくは、電池端子と前記電界効果
トランジスタのゲートとの間には、抵抗素子が接続され
る。
力端子が前記電界効果トランジスタのゲートに接続さ
れ、第１の入力端子に前記デバイスの電源電位が、第２
の入力端子に電池電位が入力される比較回路によって構
成される。また、好ましくは、電池端子と前記電界効果
トランジスタのゲートとの間には、抵抗素子が接続され
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、実施例に即して図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施例を示す回路図である。図
１に示すように、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３のドレイ
ンは、電池正極側端子１に接続され、そのソースは、デ
バイス側端子２に接続される。ＭＯＳＦＥＴ３のゲート
は、抵抗部品４を介してドレインに接続される。デバイ
スの電源電位を監視するために、ＭＯＳＦＥＴ３のソー
スを電位比較回路５の第１入力端子ａに接続し、電位比
較器５の質に第２入力端子ｂには、ＭＯＳＦＥＴ３のド
レインを接続する。そして、電位比較回路５の出力端子
をＭＯＳＦＥＴ３のゲートと抵抗部品４との接続点に接
続する。ここで、電位比較回路５は、第２入力端子ｂ側
が第１入力端子ａ側より高電位の場合には出力端子がハ
イインピーダンス状態となり、逆に第１入力端子ａ側が
第２入力端子ｂ側より高電位となった場合にはＬｏｗレ
ベルの電圧を出力する。なお、抵抗部品４は、ポリシリ
コン抵抗または拡散抵抗等により得ることができる。ま
た、ＭＯＳＦＥＴなどの電界効果トランジスタを抵抗部
品として用いてもよい。
て、実施例に即して図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施例を示す回路図である。図
１に示すように、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３のドレイ
ンは、電池正極側端子１に接続され、そのソースは、デ
バイス側端子２に接続される。ＭＯＳＦＥＴ３のゲート
は、抵抗部品４を介してドレインに接続される。デバイ
スの電源電位を監視するために、ＭＯＳＦＥＴ３のソー
スを電位比較回路５の第１入力端子ａに接続し、電位比
較器５の質に第２入力端子ｂには、ＭＯＳＦＥＴ３のド
レインを接続する。そして、電位比較回路５の出力端子
をＭＯＳＦＥＴ３のゲートと抵抗部品４との接続点に接
続する。ここで、電位比較回路５は、第２入力端子ｂ側
が第１入力端子ａ側より高電位の場合には出力端子がハ
イインピーダンス状態となり、逆に第１入力端子ａ側が
第２入力端子ｂ側より高電位となった場合にはＬｏｗレ
ベルの電圧を出力する。なお、抵抗部品４は、ポリシリ
コン抵抗または拡散抵抗等により得ることができる。ま
た、ＭＯＳＦＥＴなどの電界効果トランジスタを抵抗部
品として用いてもよい。
【０００８】ここで、電池正極側端子１に３Ｖ系リチウ
ム電池の正極が接続され、デバイス側端子２はデバイス
の電源回路に接続されているものとする。いま、デバイ
ス側の電源回路の電位が２．９Ｖに低下し、電池電圧が
３．０Ｖを維持しているものとすると、電位比較回路の
出力端子がハイインピーダンス状態にあってＭＯＳＦＥ
Ｔ３のゲートには抵抗部品４を介して３Ｖが供給される
ため、ＭＯＳＦＥＴ３は導通状態にあり、デバイスには
ＭＯＳＦＥＴ３を介して電流が供給されている。ここで
は、電池の供給電流値を１０ｍＡ、ＭＯＳＦＥＴ３の抵
抗値を２Ωと仮定すると、ＭＯＳＦＥＴ３における電圧
降下は、１０ｍＡ×２Ω＝０．０２Ｖとなる。従って、
デバイスの電源回路入力部には、３．００Ｖ−０．０２
Ｖ＝２．９８Ｖの電圧が供給されることになり、デバイ
ス回路の正常動作が保証される。このとき、電位比較回
路５の第１入力端子ａにも、２．９８Ｖが供給され、電
位比較回路５は、ハイインピーダンス状態を維持するた
め、ＭＯＳＦＥＴ３は導通状態を続ける。
ム電池の正極が接続され、デバイス側端子２はデバイス
の電源回路に接続されているものとする。いま、デバイ
ス側の電源回路の電位が２．９Ｖに低下し、電池電圧が
３．０Ｖを維持しているものとすると、電位比較回路の
出力端子がハイインピーダンス状態にあってＭＯＳＦＥ
Ｔ３のゲートには抵抗部品４を介して３Ｖが供給される
ため、ＭＯＳＦＥＴ３は導通状態にあり、デバイスには
ＭＯＳＦＥＴ３を介して電流が供給されている。ここで
は、電池の供給電流値を１０ｍＡ、ＭＯＳＦＥＴ３の抵
抗値を２Ωと仮定すると、ＭＯＳＦＥＴ３における電圧
降下は、１０ｍＡ×２Ω＝０．０２Ｖとなる。従って、
デバイスの電源回路入力部には、３．００Ｖ−０．０２
Ｖ＝２．９８Ｖの電圧が供給されることになり、デバイ
ス回路の正常動作が保証される。このとき、電位比較回
路５の第１入力端子ａにも、２．９８Ｖが供給され、電
位比較回路５は、ハイインピーダンス状態を維持するた
め、ＭＯＳＦＥＴ３は導通状態を続ける。
【０００９】次に、電位比較回路５の第１入力端子ａに
入力されるデバイス側の電位が、電池電圧以上、例えば
３．１Ｖとなったものとすると、電位比較回路５の一方
の入力端子には３．１Ｖが供給されることになり、電位
比較回路５は、Ｌｏｗレベルを出力してＭＯＳＦＥＴ３
を遮断状態にする。これによって、デバイスの電源入力
部から、３Ｖ系リチウム電池の正極側に逆電流が流入す
ることは防止される。
入力されるデバイス側の電位が、電池電圧以上、例えば
３．１Ｖとなったものとすると、電位比較回路５の一方
の入力端子には３．１Ｖが供給されることになり、電位
比較回路５は、Ｌｏｗレベルを出力してＭＯＳＦＥＴ３
を遮断状態にする。これによって、デバイスの電源入力
部から、３Ｖ系リチウム電池の正極側に逆電流が流入す
ることは防止される。
【００１０】図２は、本発明の第２の実施例を示す回路
図である。図２において、図１に示した第１の実施例の
部分と同等の部分には同一の参照番号を付し、重複する
説明は省略する（以下の実施例においても同様であ
る）。第２の実施例においては、ＭＯＳＦＥＴ３のゲー
トにバイアスを与えるための抵抗素子が削除され、ＭＯ
ＳＦＥＴ３のゲートには、電位比較回路６の出力端子の
みが接続される。ここで、電位比較回路６は、第２入力
端子ｂ側が第１入力端子ａ側より高電位の場合には出力
端子がＨｉｇｈレベル、逆に第１入力端子ａ側が第２入
力端子ｂ側より高電位となった場合にはＬｏｗレベルの
電圧を出力する。
図である。図２において、図１に示した第１の実施例の
部分と同等の部分には同一の参照番号を付し、重複する
説明は省略する（以下の実施例においても同様であ
る）。第２の実施例においては、ＭＯＳＦＥＴ３のゲー
トにバイアスを与えるための抵抗素子が削除され、ＭＯ
ＳＦＥＴ３のゲートには、電位比較回路６の出力端子の
みが接続される。ここで、電位比較回路６は、第２入力
端子ｂ側が第１入力端子ａ側より高電位の場合には出力
端子がＨｉｇｈレベル、逆に第１入力端子ａ側が第２入
力端子ｂ側より高電位となった場合にはＬｏｗレベルの
電圧を出力する。
【００１１】いま、電位比較回路６の第２入力端子ｂに
電池電圧の３Ｖが入力され、デバイス側端子２の電圧が
３Ｖ以下、例えば２．９Ｖに低下したものとすると、電
位比較回路６の出力端子にはＨｉｇｈレベルが出力され
るため、ＭＯＳＦＥＴ３は導通状態となり電池側からデ
バイス側へ電流が流れる。次に、デバイス側端子２の電
圧が３Ｖ以上、例えば３．１Ｖに上昇した場合には、電
位比較回路６の出力端子にはＬｏｗレベルが出力される
ため、ＭＯＳＦＥＴ３が遮断状態となり、電池への逆電
流は阻止される。
電池電圧の３Ｖが入力され、デバイス側端子２の電圧が
３Ｖ以下、例えば２．９Ｖに低下したものとすると、電
位比較回路６の出力端子にはＨｉｇｈレベルが出力され
るため、ＭＯＳＦＥＴ３は導通状態となり電池側からデ
バイス側へ電流が流れる。次に、デバイス側端子２の電
圧が３Ｖ以上、例えば３．１Ｖに上昇した場合には、電
位比較回路６の出力端子にはＬｏｗレベルが出力される
ため、ＭＯＳＦＥＴ３が遮断状態となり、電池への逆電
流は阻止される。
【００１２】図３は、本発明の第３の実施例を示す回路
図である。本実施例回路の図２に示した第２の実施例回
路と相違する点は、電池からデバイスへの電流経路とな
るＭＯＳＦＥＴ３と並列に、これと同様の機能を有する
ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ７を接続した点と、電位比較
回路６の出力端子とＭＯＳＦＥＴのゲートとの間に抵抗
部品４が接続された点である。ここで、図１〜図３のＭ
ＯＳＦＥＴがすべて同一のサイズに製作されているもの
とすれば、第１、第２の実施例に比較して、本実施例に
依れば、電流容量を約２倍に、抵抗値を約半分にするこ
とができる。なお、並列接続するＭＯＳＦＥＴの個数は
２個に限定されず、３個以上であってもよい。
図である。本実施例回路の図２に示した第２の実施例回
路と相違する点は、電池からデバイスへの電流経路とな
るＭＯＳＦＥＴ３と並列に、これと同様の機能を有する
ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ７を接続した点と、電位比較
回路６の出力端子とＭＯＳＦＥＴのゲートとの間に抵抗
部品４が接続された点である。ここで、図１〜図３のＭ
ＯＳＦＥＴがすべて同一のサイズに製作されているもの
とすれば、第１、第２の実施例に比較して、本実施例に
依れば、電流容量を約２倍に、抵抗値を約半分にするこ
とができる。なお、並列接続するＭＯＳＦＥＴの個数は
２個に限定されず、３個以上であってもよい。
【００１３】図４は、本発明の第４の実施例を示す回路
図である。本実施例回路の図２に示した第２の実施例回
路と相違する点は、デバイスへの電流経路に挿入された
ＭＯＳＦＥＴ３に加えてこれと逆並列にｐチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴ８が接続された点である。本実施例において
は、電位比較回路６の出力端子は、ＭＯＳＦＥＴ３のゲ
ートに接続されるとともにインバータ９を介してＭＯＳ
ＦＥＴ８のゲートに接続されている。本実施例回路も第
２の実施例と同様の動作を行い、第２の実施例回路と同
様の効果を得ることができる。
図である。本実施例回路の図２に示した第２の実施例回
路と相違する点は、デバイスへの電流経路に挿入された
ＭＯＳＦＥＴ３に加えてこれと逆並列にｐチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴ８が接続された点である。本実施例において
は、電位比較回路６の出力端子は、ＭＯＳＦＥＴ３のゲ
ートに接続されるとともにインバータ９を介してＭＯＳ
ＦＥＴ８のゲートに接続されている。本実施例回路も第
２の実施例と同様の動作を行い、第２の実施例回路と同
様の効果を得ることができる。
【００１４】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能
なものである。例えばｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３に代
えてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを用いることが出来る。
また、ＭＯＳＦＥＴに代えてＭＯＳ型以外の電界効果ト
ランジスタを用いることが出来る。また、本発明におい
て用いられる電界効果トランジスタは、エンハンスメン
ト型のみならずディプリーション型のものであってもよ
い。但し、ディプリーション型のトランジスタを採用す
る場合には、電位比較回路５、６が正・負の電圧を出力
できるようにする必要がある。また、本発明に係る逆電
流防止回路は、電源側を負電位、接地側を正電位とする
デバイス回路に対しても適用が可能なものである。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能
なものである。例えばｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３に代
えてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを用いることが出来る。
また、ＭＯＳＦＥＴに代えてＭＯＳ型以外の電界効果ト
ランジスタを用いることが出来る。また、本発明におい
て用いられる電界効果トランジスタは、エンハンスメン
ト型のみならずディプリーション型のものであってもよ
い。但し、ディプリーション型のトランジスタを採用す
る場合には、電位比較回路５、６が正・負の電圧を出力
できるようにする必要がある。また、本発明に係る逆電
流防止回路は、電源側を負電位、接地側を正電位とする
デバイス回路に対しても適用が可能なものである。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電池−
デバイス電源入力部間に、逆電流を防止するための電界
効果トランジスタを挿入したものであるので、逆電流を
防止しつつ逆電流防止回路での電圧降下を低く抑えるこ
とが出来る。従って、本発明によれば、逆電流による電
池の破損を確実に防止することができると共に、デバイ
ス側が電源を喪失するなどして電池側から電流を供給す
る必要が生じた場合にはデバイス回路が必要とする電圧
を電池から供給することが可能になり、デバイスの動作
信頼性を高めることができる。
デバイス電源入力部間に、逆電流を防止するための電界
効果トランジスタを挿入したものであるので、逆電流を
防止しつつ逆電流防止回路での電圧降下を低く抑えるこ
とが出来る。従って、本発明によれば、逆電流による電
池の破損を確実に防止することができると共に、デバイ
ス側が電源を喪失するなどして電池側から電流を供給す
る必要が生じた場合にはデバイス回路が必要とする電圧
を電池から供給することが可能になり、デバイスの動作
信頼性を高めることができる。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す回路図。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す回路図。
【図３】 本発明の第３の実施例を示す回路図。
【図４】 本発明の第４の実施例を示す回路図。
【図５】 従来例の回路図。
１ 電池正極側端子 ２ デバイス側端子 ３、７ ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ ４ 抵抗部品 ５、６ 電位比較回路 ８ ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ ９ インバータ １０ ダイオード
Claims (7)
- 【請求項１】 電池と該電池より電流の供給を受けるデ
バイスとの間に接続される逆電流防止回路であって、ソ
ースまたはドレインのいずれか一方が電池側にいずれか
他方がデバイス側に接続された電界効果トランジスタ
と、デバイス側の電位と電池側の電位とを監視しデバイ
ス側の電位が電池側の電位より上昇した場合には前記電
界効果トランジスタのゲートに該電界効果トランジスタ
が遮断できる電位を供給する制御手段と、が備えられて
いることを特徴とする逆電流防止回路。 - 【請求項２】 前記制御手段が、出力端子が前記電界効
果トランジスタのゲートに接続され、第１の入力端子に
前記デバイスの電源電位が、第２の入力端子に電池電位
が入力される比較回路によって構成されていることを特
徴とする請求項１記載の逆電流防止回路。 - 【請求項３】 電池端子と前記電界効果トランジスタの
ゲートとの間には、抵抗素子が接続されていることを特
徴とする請求項１または２記載の逆電流防止回路。 - 【請求項４】 前記制御手段の出力端子と前記電界効果
トランジスタのゲートとの間には、抵抗素子が接続され
ていることを特徴とする請求項１または２記載の逆電流
防止回路。 - 【請求項５】 前記抵抗素子が、ポリシリコン抵抗、拡
散抵抗または電界効果トランジスタによって構成されて
いることを特徴とする請求項３または４記載の逆電流防
止回路。 - 【請求項６】 電池とデバイス間には逆電流を阻止する
複数個の電界効果トランジスタが並列接続されているこ
とを特徴とする請求項１または２記載の逆電流防止回
路。 - 【請求項７】 電池とデバイス間には逆電流を阻止する
ｐチャネル型の電界効果トランジスタとｎチャネル型の
電界効果トランジスタとが逆並列接続されていることを
特徴とする請求項１または２記載の逆電流防止回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139470A JP2002335626A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 逆電流防止回路 |
| TW091108865A TW583805B (en) | 2001-05-10 | 2002-04-29 | Countercurrent prevention circuit |
| US10/136,319 US20020167771A1 (en) | 2001-05-10 | 2002-05-02 | Countercurrent prevention circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139470A JP2002335626A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 逆電流防止回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002335626A true JP2002335626A (ja) | 2002-11-22 |
Family
ID=18986244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001139470A Pending JP2002335626A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 逆電流防止回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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