JP2002203309A - Crystallized glass substrate for information recording medium - Google Patents
Crystallized glass substrate for information recording mediumInfo
- Publication number
- JP2002203309A JP2002203309A JP2000341224A JP2000341224A JP2002203309A JP 2002203309 A JP2002203309 A JP 2002203309A JP 2000341224 A JP2000341224 A JP 2000341224A JP 2000341224 A JP2000341224 A JP 2000341224A JP 2002203309 A JP2002203309 A JP 2002203309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystallized glass
- glass substrate
- weight
- less
- tables
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0009—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク、光
ディスク、光磁気ディスク等の情報記録媒体に用いられ
る基板に適した結晶化ガラス基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a crystallized glass substrate suitable for a substrate used for an information recording medium such as a magnetic disk, an optical disk and a magneto-optical disk.
【0002】[0002]
【従来の技術】コンピュータ等の磁気記録装置は、磁気
ディスクを基板とする磁気記録媒体と磁気記録再生用ヘ
ッドを主要な要素として構成されている。このうち、磁
気ディスク用の基板としては、アルミニウム基板、ガラ
ス基板等が実用化されている。中でもガラス基板は、表
面の平滑性や機械的強度が優れていることから、最も注
目されている。そのようなガラス基板としては、ガラス
基板表面をイオン交換で強化した化学強化ガラス基板
や、基板に結晶成分を析出させて結合の強化を図る結晶
化ガラス基板が知られている。2. Description of the Related Art A magnetic recording apparatus such as a computer is mainly composed of a magnetic recording medium having a magnetic disk as a substrate and a magnetic recording / reproducing head. Among them, as a substrate for a magnetic disk, an aluminum substrate, a glass substrate and the like have been put to practical use. Among them, a glass substrate has received the most attention because of its excellent surface smoothness and mechanical strength. As such a glass substrate, a chemically strengthened glass substrate in which the surface of the glass substrate is strengthened by ion exchange, and a crystallized glass substrate in which a crystal component is precipitated on the substrate to strengthen the bond are known.
【0003】しかしながら、化学強化ガラス基板は、材
料特性上、高強度・高剛性化することができないという
問題があった。これに対して、結晶化ガラス基板は、ア
ルミニウム基板及び化学強化ガラス基板の欠点を補う材
料として、注目されている。However, there is a problem that the chemically strengthened glass substrate cannot be made high in strength and high in rigidity due to its material properties. On the other hand, a crystallized glass substrate has attracted attention as a material for compensating for the disadvantages of an aluminum substrate and a chemically strengthened glass substrate.
【0004】このような結晶化ガラス基板としては、特
開平11-16142号、特開平11-16143号、特開平10-226532
号、特開平9-208260号に、リチウムダイシリケート結晶
(Li2O・2SiO2)が主結晶相である結晶化ガラス基板が提案
されている。[0004] Such a crystallized glass substrate is disclosed in JP-A-11-16142, JP-A-11-16143, and JP-A-10-226532.
No., JP-A-9-208260, Lithium disilicate crystal
A crystallized glass substrate in which (Li 2 O · 2SiO 2 ) is a main crystal phase has been proposed.
【0005】また、特開平9-100137号、特開平6-206736
号公報には、ムライト、コージュライトのいずれかの結
晶を主結晶相とし持つ結晶化ガラス基板が提案されてい
る。Also, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 9-100137 and 6-206736
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-157210 proposes a crystallized glass substrate having a crystal of either mullite or cordierite as a main crystal phase.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記リチウムダイシリ
ケート結晶(Li2O・2SiO2)が主結晶相である結晶化ガラス
は、高い膨張係数を有しているため、基板を機器に組み
込む際にチャッキング用部材として使用されているステ
ンレス系の材料と熱膨張係数が近いという特徴がある。
このため、これらの結晶化ガラス基板を磁気ディスクと
して機器に組み込む際に、ディスクを回転させるモータ
等によって加熱されても、基板が割れにくいとという特
徴を有している。しかしながら、リチウムダイシリケー
ト結晶(Li2O・2SiO2)が主結晶相である結晶化ガラスは、
コロージョン(特に、基板からのアルカリ金属成分の移
動量)が、非常に大きいという問題を有していた。アル
カリ金属成分の移動量が大きいと、結晶化ガラス基板上
に形成される保護層や磁気記録層をアルカリ金属成分が
侵食し、磁気ディスクの平滑性を低下させたり、保護層
や磁気記録層を改質劣化させてしまう。The crystallized glass in which the lithium disilicate crystal (Li 2 O.2SiO 2 ) is the main crystal phase has a high expansion coefficient. There is a characteristic that the thermal expansion coefficient is close to that of the stainless steel material used as the chucking member.
Therefore, when these crystallized glass substrates are incorporated into a device as a magnetic disk, the substrate is hardly broken even when heated by a motor or the like for rotating the disk. However, crystallized glass in which lithium disilicate crystal (Li 2 O.2SiO 2 ) is the main crystal phase,
There is a problem that the corrosion (particularly, the amount of movement of the alkali metal component from the substrate) is very large. If the amount of movement of the alkali metal component is large, the alkali metal component erodes the protective layer and the magnetic recording layer formed on the crystallized glass substrate, lowering the smoothness of the magnetic disk, and reducing the protective layer and the magnetic recording layer. Deformation and deterioration will occur.
【0007】一方、上記ムライト、コージュライトのい
ずれかの結晶を主結晶相として持つ結晶化ガラス基板
は、アルカリ金属成分のコロージョンは低いものの、熱
膨張係数が低いため、これらの結晶化ガラス基板を磁気
ディスクとして機器に組み込む際に、ディスクを回転さ
せるモータ等によって加熱されて、基板が割れてしまう
おそれがあった。また、ムライト、コージュライトのい
ずれかの結晶を主結晶相として持つ結晶化ガラス基板
は、非常に平滑化する際の加工性が悪いという課題もあ
った。On the other hand, a crystallized glass substrate having any of the above-mentioned mullite and cordierite crystals as a main crystal phase has a low alkali metal component corrosion, but has a low coefficient of thermal expansion. When incorporated into a device as a magnetic disk, the substrate may be broken by being heated by a motor or the like for rotating the disk. In addition, a crystallized glass substrate having either mullite or cordierite as a main crystal phase has a problem in that the workability upon smoothing is extremely poor.
【0008】本発明は、上記課題に鑑み、アルカリ金属
成分に関して低コロージョンでありながら高い熱膨張係
数を持つ加工性の良好な結晶化ガラス基板を提供するこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a crystallized glass substrate having a low coefficient of corrosion with respect to an alkali metal component and having a high coefficient of thermal expansion and good workability.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載された情報記録媒体用の結晶化ガラ
ス基板は、以下の条件を満足することを特徴とする: Co < 150 70 < C.T.E < 150 ただし、 Co:コロージョン(2.5インチディスク用基板あたりの
水に対するアルカリ金属成分の溶出量)[ppb] C. T. E.:25℃〜100℃における熱膨張係数[×10-7/
℃] また、請求項2に記載された結晶化ガラス基板は、請求
項1記載の結晶化ガラス基板において、重量%で以下の
各成分を含有することを特徴とする: SiO2 65w%以上で70w%以下、 Al2O3 3w%以上で10w%以下、 ZnO 3w%以上で10w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で5w%以下。In order to achieve the above object, a crystallized glass substrate for an information recording medium according to claim 1 satisfies the following conditions: Co <150 70 <CTE <150, Co: Corrosion (amount of alkali metal component eluted in water per 2.5 inch disk substrate) [ppb] CTE: Coefficient of thermal expansion at 25 ° C to 100 ° C [× 10 -7 /
° C] The crystallized glass substrate according to claim 2 is characterized in that the crystallized glass substrate according to claim 1 contains the following components by weight%: 65% by weight or more of SiO 2. 70 w% or less, Al 2 O 3 3 w% or more, 10 w% or less, ZnO 3 w% or more, 10 w% or less, Li 2 O 4 w% or more, 8 w% or less, ZrO 2 1 w% or more, 5 w% or less, P 2 O 5 1w% or more and 5w% or less.
【0010】また、請求項3に記載された結晶化ガラス
基板は、請求項2記載の結晶化ガラス基板において、以
下の条件を満足することを特徴とする。A crystallized glass substrate according to a third aspect of the present invention is characterized by satisfying the following conditions in the crystallized glass substrate according to the second aspect.
【0011】30 < Co < 100 また、請求項4に記載された結晶化ガラス基板は、請求
項2または3のいずれかに記載の結晶化ガラス基板にお
いて、以下の条件を満足することを特徴とする。30 <Co <100 The crystallized glass substrate according to claim 4 satisfies the following conditions in the crystallized glass substrate according to claim 2 or 3. I do.
【0012】70 < C.T.E < 120 また、請求項5に記載された結晶化ガラス基板は、請求
項1記載の結晶化ガラス基板において、重量%で以下の
各成分を含有することを特徴とする。70 <CTE <120 The crystallized glass substrate according to claim 5 is characterized in that the crystallized glass substrate according to claim 1 contains the following components by weight%.
【0013】SiO2 55w%以上で65w%以下、 Al2O3 3w%以上で10w%以下、 ZnO 5w%以上で20w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で5w%以下。SiO 2 55% or more and 65% or less, Al 2 O 3 3% or more and 10% or less, ZnO 5% or more and 20% or less, Li 2 O 4% or more and 8% or less, ZrO 2 1% or more At 5w% or less, P 2 O 5 at 1w% or more and 5w% or less.
【0014】また、請求項6に記載された結晶化ガラス
基板は、請求項5記載の結晶化ガラス基板において、以
下の条件を満足することを特徴とする。The crystallized glass substrate according to claim 6 is characterized in that the crystallized glass substrate according to claim 5 satisfies the following conditions.
【0015】70 < Co < 150 また、請求項7に記載された結晶化ガラス基板は、請求
項5または6のいずれかに記載された結晶化ガラス基板
において、以下の条件を満足することを特徴とする。70 <Co <150 The crystallized glass substrate according to claim 7 satisfies the following conditions in the crystallized glass substrate according to claim 5 or 6. And
【0016】60 < C.T.E < 100 また、請求項8に記載された結晶化ガラス基板は、請求
項1記載の結晶化ガラス基板において、重量%で以下の
各成分を含有することを特徴とする: SiO2 65w%以上で70w%以下、 Al2O3 5w%以上で10w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で3w%以下。60 <CTE <100 The crystallized glass substrate according to claim 8 is characterized in that the crystallized glass substrate according to claim 1 contains the following components by weight%: SiO 2 65 w% or more, 70 w% or less, Al 2 O 3 5 w% or more, 10 w% or less, Li 2 O 4 w% or more, 8 w% or less, ZrO 2 1 w% or more, 5 w% or less, P 2 O 5 1 w% or more Less than 3w%.
【0017】また、請求項9に記載された結晶化ガラス
基板は、請求項8記載の結晶化ガラス基板において、以
下の条件を満足することを特徴とする。Further, the crystallized glass substrate according to claim 9 is characterized in that the crystallized glass substrate according to claim 8 satisfies the following conditions.
【0018】30 < Co < 100 また、請求項10に記載された結晶化ガラス基板は、請
求項8または9のいずれかに記載の結晶化ガラス基板に
おいて、以下の条件を満足することを特徴とする。30 <Co <100 The crystallized glass substrate according to claim 10 satisfies the following conditions in the crystallized glass substrate according to claim 8 or 9. I do.
【0019】80 < C.T.E < 150 また、請求項11記載の結晶化ガラス基板は、請求項1
乃至10のいずれかに記載の結晶化ガラス基板におい
て、クリストバライト、クリストバライト固溶体、石
英、石英固溶体、リチウムジンクシリケート、リチウム
ジンクシリケート固溶体のうち少なくとも1つが主結晶
相であることを特徴とする。80 <CTE <150 The crystallized glass substrate according to claim 11 is the same as
11. The crystallized glass substrate according to any one of items 1 to 10, wherein at least one of cristobalite, cristobalite solid solution, quartz, quartz solid solution, lithium zinc silicate, and lithium zinc silicate solid solution is a main crystal phase.
【0020】また、請求項12記載の結晶化ガラス基板
は、請求項1乃至11のいずれかに記載の結晶化ガラス
基板において、クリストバライト、クリストバライト固
溶体、石英、石英固溶体、リチウムジンクシリケート、
リチウムジンクシリケート固溶体、リチウムアルミノシ
リケート、リチウムアルミノシリケート固溶体のうち少
なくとも1つが副結晶相であることを特徴とする。The crystallized glass substrate according to claim 12 is the crystallized glass substrate according to any one of claims 1 to 11, wherein cristobalite, cristobalite solid solution, quartz, quartz solid solution, lithium zinc silicate,
At least one of lithium zinc silicate solid solution, lithium aluminosilicate, and lithium aluminosilicate solid solution is a sub-crystal phase.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。各実施形態の結晶化ガラス基板は、以下の条
件式(1)を満足している。Embodiments of the present invention will be described below. The crystallized glass substrate of each embodiment satisfies the following conditional expression (1).
【0022】0 < Co < 150 (1) ただし、 Co:2.5インチディスク用基板あたりの水に対するアル
カリ金属成分の移動量[ppb]。0 <Co <150 (1) where, Co: transfer amount of alkali metal component with respect to water per 2.5 inch disk substrate [ppb].
【0023】条件式(1)は、基板からのアルカリ金属成
分の水への移動量の範囲を規定している。アルカリ金属
成分のコロージョンの値は、2.5インチディスク用基板
あたりの水に対するアルカリ金属成分の溶出量[ppb]
で表したものである。移動量の値が150[ppb]を超える
と、結晶化ガラス基板上に形成される保護層や磁気記録
層をアルカリ金属成分が侵食することによって発生する
磁気ディスクの平滑性の低下や、保護層や磁気記録層の
改質劣化が顕著となり、望ましくない。特に、移動量の
値が150[ppb]を超えた領域に存在する結晶化ガラス基
板では、アルカリ金属成分の溶出量が大き過ぎ、基板上
に形成される保護層や磁気記録層への侵食が顕著になり
望ましくない。Conditional expression (1) defines the range of the transfer amount of the alkali metal component from the substrate to water. Corrosion value of alkali metal component is the elution amount of alkali metal component to water per 2.5 inch disk substrate [ppb]
It is represented by If the amount of movement exceeds 150 [ppb], the protective layer and the magnetic recording layer formed on the crystallized glass substrate are eroded by the alkali metal component, and the smoothness of the magnetic disk is reduced. Also, the deterioration of the magnetic recording layer becomes remarkable, which is not desirable. In particular, in a crystallized glass substrate existing in a region where the amount of movement exceeds 150 [ppb], the elution amount of the alkali metal component is too large, and the protective layer and the magnetic recording layer formed on the substrate are eroded. Notable and undesirable.
【0024】各実施形態の結晶化ガラス基板は、以下の
条件式(2)を満足している。 70 < C.T.E < 150 (2) ただし、 C. T. E.:25℃〜100℃における熱膨張係数[×10-7/
℃]。The crystallized glass substrate of each embodiment satisfies the following conditional expression (2). 70 <CTE <150 (2) where CTE: coefficient of thermal expansion at 25 ° C to 100 ° C [× 10 -7 /
° C].
【0025】条件式(2)は、熱膨張に関する条件で、結
晶化ガラス基板が満足すべき範囲を25℃〜100℃におけ
る熱膨張係数[×10-7/℃]の数値範囲として規定した
ものである。近年、磁気記録媒体の記録密度向上に伴っ
て、磁気ヘッドと磁気記録媒体(結晶化ガラス基板)の
ポジショニングには、高い精度が要求されているため、
結晶化ガラス基板だけではなく各種構成部品にも高い寸
法精度が要求されている。さらに、寸法精度を維持する
ために結晶化ガラス基板と各種構成部品との間の熱膨張
係数の差も無視できなくなってきている。磁気記録装置
の場合、各種構成部品は、ステンレス系の金属材料で形
成されることが多く、通常25℃〜100℃における熱膨張
係数[×10-7/℃]の値で、90〜100×10-7/℃を有して
いる。したがって、結晶化ガラス基板の熱膨張係数も、
この範囲に対応することが望ましい。すなわち、条件式
(2)の上限及び下限を超えると、各種構成部品との間の
熱膨張係数が大きくなり過ぎ、寸法精度を維持できない
だけでなく、最悪の場合、結晶化ガラス基板を破壊して
しまうことがあり、望ましくない。Conditional expression (2) is a condition relating to thermal expansion, and defines a range that the crystallized glass substrate should satisfy as a numerical range of a thermal expansion coefficient [× 10 −7 / ° C.] at 25 ° C. to 100 ° C. It is. In recent years, with the improvement in recording density of magnetic recording media, high precision is required for the positioning of the magnetic head and the magnetic recording medium (crystallized glass substrate).
High dimensional accuracy is required not only for crystallized glass substrates but also for various components. Furthermore, in order to maintain the dimensional accuracy, the difference in the coefficient of thermal expansion between the crystallized glass substrate and the various components has become more significant. In the case of a magnetic recording apparatus, various components are often formed of a stainless steel-based metal material, and usually have a value of a thermal expansion coefficient at 25 ° C to 100 ° C [× 10 −7 / ° C] of 90 to 100 ×. 10 −7 / ° C. Therefore, the thermal expansion coefficient of the crystallized glass substrate also
It is desirable to correspond to this range. That is, the conditional expression
If the upper and lower limits of (2) are exceeded, the coefficient of thermal expansion between the various components becomes too large, so that not only dimensional accuracy cannot be maintained, but in the worst case, the crystallized glass substrate may be broken. Yes, not desirable.
【0026】各実施形態の結晶化ガラス基板は、以下の
条件式(3)を満足している。 1.0 < P / PLi < 1.5 (3) ただし、 P:研磨材として酸化セリウム(平均粒径0.5μm)を用
いて、100g/cm2の圧力にて研磨加工した場合の表面平滑
性の値として3Åを達成する場合の単位時間あたりの研
削・研磨取代[μg/min]; PLi:同一条件下でリチウムダイシリケート系の結晶化
ガラス基板を研削・研磨する際に、表面平滑性の値とし
て3Åを達成する場合の単位時間あたりの研削・研磨取
代[μg/min]。The crystallized glass substrate of each embodiment satisfies the following conditional expression (3). 1.0 <P / PLi <1.5 (3) Where, P: surface smoothness value when cerium oxide (average particle size: 0.5 μm) is used as an abrasive and polished at a pressure of 100 g / cm 2 , and 3Å Grinding / polishing allowance [μg / min] per unit time when achieving the following conditions: PLi: When grinding and polishing a lithium disilicate-based crystallized glass substrate under the same conditions, set the surface smoothness value to 3Å. Grinding / polishing allowance [μg / min] per unit time to achieve.
【0027】条件式(3)は、従来のリチウムダイシリケ
ート系の結晶化ガラス基板に対する加工レートを規定し
たものである。条件式(3)の下限を超えると、従来のリ
チウムダイシリケート系の結晶化ガラス基板に対して優
位でなくなる。また、条件式(3)の上限を超えると、加
工時の破損確率(クラック、ピント、スクラッチ等の発
生)が急増し望ましくない。Conditional expression (3) defines a processing rate for a conventional lithium disilicate-based crystallized glass substrate. If the lower limit of conditional expression (3) is exceeded, it will not be superior to the conventional lithium disilicate-based crystallized glass substrate. If the upper limit of conditional expression (3) is exceeded, the probability of breakage during processing (the occurrence of cracks, focus, scratches, etc.) will increase rapidly, which is not desirable.
【0028】各実施形態の結晶化ガラス基板は、以下の
条件式(4)を満足している。 28 < E / ρ < 36 (4) ただし、 E:ヤング率[GPa]; ρ:比重。The crystallized glass substrate of each embodiment satisfies the following conditional expression (4). 28 <E / ρ <36 (4) where E: Young's modulus [GPa]; ρ: Specific gravity.
【0029】条件式(4)は、ヤング率と比重の比を規定
したものであり、主として結晶化ガラス基板の物理特性
を表すことにより基板固有の共振周波数を定めている。
条件式(4)の下限を超えると、共振周波数の値が小さく
なり過ぎ、磁気記録装置との共振が問題となるととも
に、剛性が低下し望ましくない。逆に、条件式(5)の上
限を超えると、共振周波数が大きくなり過ぎ、汎用で使
用可能な磁気記録装置の設計資産を用いることができな
くなるため、別途専用の設計が必要となり望ましくな
い。特に、条件式(4)の範囲を満足することにより、従
来問題となっているアルミニウム基板の共振周波数域よ
り高く、汎用基板として一般的なガラス材料の共振周波
数域とほぼ同等に設定することが可能となるため、製造
装置の共用が図れ、磁気記録装置のコストダウンの観点
からも望ましい。Conditional expression (4) defines the ratio between the Young's modulus and the specific gravity, and determines the resonance frequency inherent to the crystallized glass substrate mainly by expressing the physical characteristics of the substrate.
If the lower limit of the conditional expression (4) is exceeded, the value of the resonance frequency becomes too small, causing a problem of resonance with the magnetic recording device, and lowering the rigidity, which is not desirable. Conversely, if the value exceeds the upper limit of the conditional expression (5), the resonance frequency becomes too large, and it becomes impossible to use the design resources of the magnetic recording device that can be used for general purposes. In particular, by satisfying the range of the conditional expression (4), it is possible to set the resonance frequency range higher than the resonance frequency range of the aluminum substrate which has conventionally been a problem, and substantially equal to the resonance frequency range of a general glass material as a general-purpose substrate. Since it becomes possible, the manufacturing apparatus can be shared, which is desirable also from the viewpoint of reducing the cost of the magnetic recording apparatus.
【0030】以下、さらに具体的な実施形態を説明す
る。 [第1実施形態]第1実施形態の結晶化ガラス基板は、重
量%で以下の各成分を含有している。Hereinafter, more specific embodiments will be described. [First Embodiment] The crystallized glass substrate of the first embodiment contains the following components by weight%.
【0031】SiO2 65w%以上で70w%以下、 Al2O3 3w%以上で10w%以下、 ZnO 3w%以上で10w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で5w%以下。SiO 2 65 w% or more, 70 w% or less, Al 2 O 3 3 w% or more, 10 w% or less, ZnO 3 w% or more, 10 w% or less, Li 2 O 4 w% or more, 8 w% or less, ZrO 2 1 w% or more At 5w% or less, P 2 O 5 at 1w% or more and 5w% or less.
【0032】上記のガラス成分を有する系において、Si
O2はガラス形成酸化物であり、主結晶相として析出する
クリストバライト、クリストバライト固溶体、石英、石
英固溶体の成分である。ただし第1実施形態において、S
iO2が65w%より少ないと、前述の結晶が析出しにくくな
り望ましくない。一方、SiO2が70w%を越えると、溶融温
度が高くなるとともに失透性が大きくなるため、溶融性
が悪くなり望ましくない。In the system having the above glass component,
O 2 is a glass-forming oxide and is a component of cristobalite, cristobalite solid solution, quartz, and quartz solid solution precipitated as a main crystal phase. However, in the first embodiment, S
If the content of iO 2 is less than 65% by weight, the above-mentioned crystals hardly precipitate, which is not desirable. On the other hand, if the content of SiO 2 exceeds 70% by weight, the melting temperature is increased and the devitrification is increased.
【0033】Al2O3は、ガラス中間酸化物であり、副結
晶相としてリチウムアルミのシリケート、リチウムアル
ミノシリケート固溶体が析出する場合はこれら結晶相の
構成成分となる。ただし第1実施形態において、Al2O3が
3w%より少ないと、機械的強度及び化学的耐久性が得ら
れない。一方、Al2O3が10w%を越えると溶融温度が高く
なり溶融性と失透性が悪化する。Al 2 O 3 is a glass intermediate oxide, and when lithium aluminum silicate or lithium aluminosilicate solid solution precipitates as a sub-crystal phase, it is a constituent component of these crystal phases. However, in the first embodiment, Al 2 O 3 is
If it is less than 3% by weight, mechanical strength and chemical durability cannot be obtained. On the other hand, if the content of Al 2 O 3 exceeds 10% by weight, the melting temperature increases, and the meltability and devitrification deteriorate.
【0034】ZnOは、融剤として働くため均一な結晶析
出を補助する。また、リチウムジンクシリケート、リチ
ウムジンクシリケート固溶体が析出する場合はこれら結
晶相の構成成分となる。ただし第1実施形態において、Z
nOが3w%より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされ
ない。一方、ZnOが10w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され求める強度が得られにくくなる。Since ZnO works as a flux, it helps uniform crystal precipitation. When lithium zinc silicate or lithium zinc silicate solid solution precipitates, it becomes a constituent component of these crystal phases. However, in the first embodiment, Z
If nO is less than 3% by weight, sufficient improvement in crystal homogenization cannot be achieved. On the other hand, if ZnO exceeds 10% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
【0035】Li2Oは、融剤として働くため生産時の安定
性を向上させる。また、リチウムアルミノシリケート、
リチウムアルミノシリケート固溶体、リチウムジンクシ
リケート、リチウムジンクシリケート固溶体が析出する
場合はこれら結晶相の構成成分となる。ただし第1実施
形態において、Li2Oが4w%より少ないと溶融性が悪くな
る。一方、Li2Oが8w%を越えると、結晶層として、リチ
ウムモノシリケート(Li2O・SiO2)及びリチウムダイシ
リケート(Li2O・2SiO2)等の結晶相が析出するため、前
述のアルカリ金属成分に関するコロージョンの値が大き
くなり基板からのアルカリ金属成分の溶出が発生するた
め望ましくない。Since Li 2 O works as a flux, it improves the stability during production. Also, lithium aluminosilicate,
When a lithium aluminosilicate solid solution, lithium zinc silicate, or lithium zinc silicate solid solution precipitates, it becomes a constituent component of these crystal phases. However, in the first embodiment, if the content of Li 2 O is less than 4% by weight, the meltability deteriorates. On the other hand, when Li 2 O exceeds 8% by weight, crystal phases such as lithium monosilicate (Li 2 O · SiO 2 ) and lithium disilicate (Li 2 O · 2SiO 2 ) are precipitated as a crystal layer. This is not desirable because the corrosion value of the alkali metal component increases and elution of the alkali metal component from the substrate occurs.
【0036】ZrO2は、結晶核剤として有効に機能すると
ともに、ガラス修飾酸化物として機能する。ただし第1
実施形態において、ZrO2が1w%より少ないと必要な結晶
核が形成されない。さらに、化学的耐久性および耐マイ
グレーションが低下し、磁気記録層に影響を与える。一
方、5w%を越えると、溶融温度が高くなり失透しやすく
なるため溶融成形が困難となる。また、結晶粒子が粗大
化したり、析出結晶相が変化し求める特性が得られにく
くなる。微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨
加工において磁気ディスク基板として必要な平滑面が得
られなくなる。ZrO 2 effectively functions as a crystal nucleating agent and also functions as a glass-modified oxide. But first
In the embodiment, if ZrO 2 is less than 1% by weight, necessary crystal nuclei are not formed. In addition, the chemical durability and migration resistance are reduced, affecting the magnetic recording layer. On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the melting temperature becomes high and the glass tends to be devitrified, so that melt molding becomes difficult. In addition, the crystal grains become coarse or the precipitated crystal phase changes, making it difficult to obtain the desired characteristics. A fine and uniform crystal structure cannot be obtained, and a smooth surface required as a magnetic disk substrate in polishing cannot be obtained.
【0037】P2O5は、融剤として働き、さらにシリケー
ト系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結
晶を均一に析出させるために重要な成分である。ただし
第1実施形態において、P2O5が1w%より少ないと必要な結
晶核が形成されない。さらに、化学的耐久性および耐マ
イグレーションが低下し、磁気記録層に影響を与える。
一方、5w%を越えると、溶融温度が高くなり失透しやす
くなるため溶融成形が困難となる。また、結晶粒子が粗
大化したり、析出結晶相が変化し求める特性が得られに
くくなったり、研磨加工において磁気ディスク基板とし
て必要な平滑面が得られなくなる。さらに、溶融時の炉
材に対する反応性が増し、また失透性も強くなることか
ら溶融成形時の生産性が低下する。加えて、ガラス構造
の安定性が低下し、アルカリ金属成分の溶出が発生しや
すくなる。P 2 O 5 is a nucleating agent that functions as a flux and precipitates silicate-based crystals, and is an important component for uniformly depositing crystals throughout the glass. However, in the first embodiment, if P 2 O 5 is less than 1% by weight, necessary crystal nuclei are not formed. In addition, the chemical durability and migration resistance are reduced, affecting the magnetic recording layer.
On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the melting temperature becomes high and the glass tends to be devitrified, so that melt molding becomes difficult. In addition, the crystal grains become coarse, the precipitated crystal phase changes, and it becomes difficult to obtain the required characteristics, and a smooth surface required as a magnetic disk substrate during polishing cannot be obtained. Further, the reactivity with the furnace material at the time of melting increases, and the devitrification also increases, so that the productivity at the time of melt molding decreases. In addition, the stability of the glass structure is reduced, and the elution of the alkali metal component is likely to occur.
【0038】以下製造方法を説明する。最終的に生成さ
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼあるいはレンガる
つぼに入れ溶融を行う。溶融後金型に流し概略の形状を
形成する。これを室温までアニールする。続いて、50
0〜600℃の1次熱処理温度と1次処理時間により保
持し(熱処理)、結晶核生成が行われる。引き続き、6
00〜750℃の2次熱処理温度と2次処理時間により
保持し結晶核成長を行う。これを除冷することにより目
的とする結晶化ガラスが得られる。Hereinafter, the manufacturing method will be described. Raw materials containing the composition of the main components of the finally produced glass substrate are sufficiently mixed at a predetermined ratio, and the mixture is put into a platinum crucible or a brick crucible and melted. After melting, it is poured into a mold to form a rough shape. This is annealed to room temperature. Then, 50
The temperature is maintained at a primary heat treatment temperature of 0 to 600 ° C. and a primary treatment time (heat treatment), and a crystal nucleus is generated. Continue to 6
The crystal nucleus is grown while maintaining the secondary heat treatment temperature of 00 to 750 ° C. and the secondary treatment time. By cooling this, the desired crystallized glass is obtained.
【0039】さらにこれを所望の形状、厚さに研削・研
磨加工を施すことにより、結晶化ガラス基板として利用
できる。By subjecting this to grinding and polishing to a desired shape and thickness, it can be used as a crystallized glass substrate.
【0040】以上の必須成分で規定される第1実施形態
の結晶化ガラス基板においては、前述の条件式(1)~(4)
の範囲は、以下の通り最適化される。 30 < Co < 100 (1a) 70 < C.T.E < 120 (2a) 1.0 < R / RLi < 1.5 (3a) 28 < E / ρ < 35 (4a) 前述の第1実施形態に対し、以下の各成分をそれぞれ定
められた重量%の数値範囲で加えてもよい。以下の各成
分を加えることにより、ヤング率E[GPa]及び、比重ρ
の値を調整することにより、E / ρの値を調整すること
が可能となる。融剤として作用するMgOを加えてもよ
い。MgOを加えることにより、粒状の結晶を凝集させ結
晶粒子塊を形成することができる。しかしながら0.5w%
より少ないと作業温度幅が狭くなるとともに、ガラスマ
トリクス相の化学的耐久性が向上しない。一方、MgOが5
w%を越えると、他の結晶相が析出してくるため、求める
強度を得ることが難しくなる。なお、MgOを加えること
により、ヤング率Eは増加する傾向を示しρの値は減少
する傾向を示す。したがって、E / ρの値は増加するこ
とになり、共振周波数は高くなる傾向を示す。In the crystallized glass substrate of the first embodiment defined by the above essential components, the above-mentioned conditional expressions (1) to (4)
Is optimized as follows. 30 <Co <100 (1a) 70 <CTE <120 (2a) 1.0 <R / RLi <1.5 (3a) 28 <E / ρ <35 (4a) For the first embodiment described above, the following components were used. You may add in the numerical range of each specified weight%. By adding the following components, Young's modulus E [GPa] and specific gravity ρ
By adjusting the value of 可能, it is possible to adjust the value of E / ρ. MgO acting as a flux may be added. By adding MgO, a granular crystal can be aggregated to form a crystal particle mass. However, 0.5w%
If the amount is smaller, the working temperature range is narrowed, and the chemical durability of the glass matrix phase is not improved. On the other hand, MgO is 5
If it exceeds w%, other crystal phases will precipitate, making it difficult to obtain the required strength. By adding MgO, the Young's modulus E tends to increase and the value of ρ tends to decrease. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0041】融剤として作用するCaOを加えてもよい。C
aOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。CaOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、5w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、CaOを加えることにより、ヤング率Eは増加する傾
向を示しρの値は減少する傾向を示す。したがって、E
/ ρの値は増加することになり、共振周波数は高くなる
傾向を示す。CaO acting as a flux may be added. C
aO can form a high melting property and a stable crystal phase. If the content of CaO is less than 0.5% by weight, the meltability cannot be sufficiently improved. Conversely, if it exceeds 5% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding CaO, the Young's modulus E tends to increase and the value of ρ tends to decrease. Therefore, E
The value of / ρ will increase and the resonance frequency will tend to increase.
【0042】融剤として作用するBaOを加えてもよい。B
aOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。BaOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、5w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、BaOを加えることにより、ヤング率Eは減少する傾
向を示しρの値は急激に増加する傾向を示す。したがっ
て、E / ρの値は減少することになり、共振周波数は低
くなる傾向を示す。BaO acting as a flux may be added. B
aO can form a high melting property and a stable crystal phase. If the content of BaO is less than 0.5% by weight, sufficient melting property cannot be improved. Conversely, if it exceeds 5% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding BaO, the Young's modulus E tends to decrease, and the value of ρ tends to increase rapidly. Therefore, the value of E / ρ decreases, and the resonance frequency tends to decrease.
【0043】融剤として作用するSrOを加えてもよい。S
rOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。SrOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、5w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、SrOを加えることにより、ヤング率Eは減少する傾
向を示しρの値は増加する傾向を示す。したがって、E
/ ρの値は減少することになり、共振周波数は低くなる
傾向を示す。SrO acting as a flux may be added. S
rO can form a high melting property and a stable crystal phase. If SrO is less than 0.5% by weight, sufficient melting property cannot be improved. Conversely, if it exceeds 5% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding SrO, the Young's modulus E tends to decrease and the value of ρ tends to increase. Therefore, E
The value of / ρ will decrease and the resonance frequency will tend to decrease.
【0044】融剤として作用するY2O3を加えてもよい。
ただし、Y2O3が0.1w%より少ないと十分な剛性向上が得
られない。Y2O3が5w%を越えると、結晶析出が抑制さ
れ、十分な結晶化度が得られず、所望の特性が達成され
ない。なお、Y2O3を加えることにより、ヤング率Eは急
激に増加する傾向を示しρの値は増加する傾向を示す。
したがって、E / ρの値は増加することになり、共振周
波数は高くなる傾向を示す。Y 2 O 3 acting as a flux may be added.
However, if Y 2 O 3 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity improvement cannot be obtained. When Y 2 O 3 exceeds 5% by weight, crystal precipitation is suppressed, sufficient crystallinity cannot be obtained, and desired characteristics cannot be achieved. By adding Y 2 O 3 , the Young's modulus E tends to increase rapidly, and the value of ρ tends to increase.
Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0045】融剤として作用するNb2O5を加えてもよ
い。Nb2O5は結晶核剤物質が増加させる作用を行う。た
だし、Nb2O5が0.1w%より少ないと十分な剛性の向上がな
されない。逆に、5w%を越えると、ガラスの結晶化が不
安定となり、析出結晶相を制御できなくなり、求める特
性が得られにくくなる。なお、Nb2O5を加えることによ
り、ヤング率Eは急激に増加する傾向を示しρの値は増
加する傾向を示す。したがって、E / ρの値は増加する
ことになり、共振周波数は高くなる傾向を示す。Nb 2 O 5 acting as a flux may be added. Nb 2 O 5 acts to increase the nucleating agent material. However, if Nb 2 O 5 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity cannot be improved. On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the crystallization of the glass becomes unstable, the deposited crystal phase cannot be controlled, and the desired characteristics are hardly obtained. By adding Nb 2 O 5 , the Young's modulus E tends to increase sharply, and the value of ρ tends to increase. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0046】融剤として作用するTa2O5を加えてもよ
い。Ta2O5は、溶融性、強度を向上させ、またガラスマ
トリクス相の化学的耐久性を向上させる。ただし、Ta2O
5が0.1w%より少ないと十分な剛性の向上がなされない。
逆に5w%を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、
析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られに
くくなる。なお、Ta2O5を加えることにより、ヤング率E
は急激に増加する傾向を示しρの値は増加する傾向を示
す。したがって、E / ρの値は増加することになり、共
振周波数は高くなる傾向を示す。Ta 2 O 5 acting as a flux may be added. Ta 2 O 5 improves the meltability and strength, and also improves the chemical durability of the glass matrix phase. However, Ta 2 O
If 5 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity cannot be improved.
Conversely, if it exceeds 5% by weight, crystallization of glass becomes unstable,
It becomes impossible to control the precipitated crystal phase, and it becomes difficult to obtain desired characteristics. By adding Ta 2 O 5 , the Young's modulus E
Indicates a tendency to increase rapidly, and the value of ρ indicates a tendency to increase. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0047】融剤として作用するLa2O5を加えてもよ
い。La2O5は、溶融性、強度を向上させ、またガラスマ
トリクス相の化学的耐久性を向上させる。ただし、La2O
5が0.1w%より少ないと十分な剛性の向上がなされない。
逆に5w%を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、
析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られに
くくなる。なお、La2O5を加えることにより、ヤング率E
は急激に増加する傾向を示しρの値は増加する傾向を示
す。したがって、E / ρの値は増加することになり、共
振周波数は高くなる傾向を示す。La 2 O 5 acting as a flux may be added. La 2 O 5 improves the meltability and strength, and also improves the chemical durability of the glass matrix phase. However, La 2 O
If 5 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity cannot be improved.
Conversely, if it exceeds 5% by weight, crystallization of glass becomes unstable,
It becomes impossible to control the precipitated crystal phase, and it becomes difficult to obtain desired characteristics. By adding La 2 O 5 , the Young's modulus E
Indicates a tendency to increase rapidly, and the value of ρ indicates a tendency to increase. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0048】清澄剤として働くSb2O3を加えてもよい。S
b2O3は、生産時の安定性を向上させる。ただし、Sb2O3
は、2w%以下で十分で2w%を越えるとガラスの結晶化が不
安定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性
が得られにくくなる。[第2実施形態]第2実施形態の結
晶化ガラス基板は、重量%で以下の各成分を含有してい
る。Sb 2 O 3 acting as a fining agent may be added. S
b 2 O 3 improves the stability during production. Where Sb 2 O 3
If the content is less than 2% by weight, and if it exceeds 2% by weight, the crystallization of the glass becomes unstable, so that the precipitated crystal phase cannot be controlled and the desired properties are hardly obtained. [Second Embodiment] The crystallized glass substrate of the second embodiment contains the following components in% by weight.
【0049】SiO2 55w%以上で65w%以下、 Al2O3 3w%以上で10w%以下、 ZnO 5w%以上で20w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で5w%以下。SiO 2 55 w% or more, 65 w% or less, Al 2 O 3 3 w% or more, 10 w% or less, ZnO 5 w% or more, 20 w% or less, Li 2 O 4 w% or more, 8 w% or less, ZrO 2 1 w% or more At 5w% or less, P 2 O 5 at 1w% or more and 5w% or less.
【0050】上記のガラス成分を有する系において、Si
O2はガラス形成酸化物であり、主結晶相として析出する
クリストバライト、クリストバライト固溶体、石英、石
英固溶体の成分である。ただし第2実施形態において、S
iO2が55w%より少ないと、前述の結晶が析出しにくくな
り望ましくない。一方、SiO2が65w%を越えると、溶融温
度が高くなるとともに失透性が大きくなるため、溶融性
が悪くなり望ましくない。In the system having the above glass component,
O 2 is a glass-forming oxide and is a component of cristobalite, cristobalite solid solution, quartz, and quartz solid solution precipitated as a main crystal phase. However, in the second embodiment, S
If the content of iO 2 is less than 55% by weight, the above-mentioned crystals hardly precipitate, which is not desirable. On the other hand, if the content of SiO 2 exceeds 65% by weight, the melting temperature is increased and the devitrification is increased.
【0051】Al2O3は、ガラス中間酸化物であり、副結
晶相としてリチウムアルミのシリケート、リチウムアル
ミノシリケート固溶体が析出する場合はこれら結晶相の
構成成分となる。ただし第2実施形態において、Al2O3が
3w%より少ないと、機械的強度及び化学的耐久性が得ら
れない。一方、Al2O3が10w%を越えると溶融温度が高く
なり溶融性と失透性が悪化する。Al 2 O 3 is a glass intermediate oxide, and when lithium aluminum silicate or lithium aluminosilicate solid solution is precipitated as a sub-crystal phase, it is a constituent component of these crystal phases. However, in the second embodiment, Al 2 O 3
If it is less than 3% by weight, mechanical strength and chemical durability cannot be obtained. On the other hand, if the content of Al 2 O 3 exceeds 10% by weight, the melting temperature increases, and the meltability and devitrification deteriorate.
【0052】ZnOは、融剤として働くため均一な結晶析
出を補助する。また、リチウムジンクシリケート、リチ
ウムジンクシリケート固溶体が析出する場合はこれら結
晶相の構成成分となる。ただし第2実施形態において、Z
nOが5w%より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされ
ない。一方、ZnOが20w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され求める強度が得られにくくなる。Since ZnO works as a flux, it helps uniform crystal precipitation. When lithium zinc silicate or lithium zinc silicate solid solution precipitates, it becomes a constituent component of these crystal phases. However, in the second embodiment, Z
If nO is less than 5% by weight, sufficient improvement in crystal homogenization cannot be achieved. On the other hand, if ZnO exceeds 20% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
【0053】Li2Oは、融剤として働くため生産時の安定
性を向上させる。また、リチウムアルミノシリケート、
リチウムアルミノシリケート固溶体、リチウムジンクシ
リケート、リチウムジンクシリケート固溶体が析出する
場合はこれら結晶相の構成成分となる。ただし第2実施
形態において、Li2Oが4w%より少ないと溶融性が悪くな
る。一方、Li2Oが8w%を越えると、結晶層として、リチ
ウムモノシリケート(Li2O・SiO2)及びリチウムダイシ
リケート(Li2O・2SiO2)等の結晶相が析出するため、前
述のアルカリ金属成分のコロージョンの値が大きくなり
基板からのアルカリ金属成分の溶出が発生するため望ま
しくない。Since Li 2 O works as a flux, it improves the stability during production. Also, lithium aluminosilicate,
When a lithium aluminosilicate solid solution, lithium zinc silicate, or lithium zinc silicate solid solution precipitates, it becomes a constituent component of these crystal phases. However, in the second embodiment, if the content of Li 2 O is less than 4% by weight, the meltability deteriorates. On the other hand, when Li 2 O exceeds 8% by weight, crystal phases such as lithium monosilicate (Li 2 O · SiO 2 ) and lithium disilicate (Li 2 O · 2SiO 2 ) are precipitated as a crystal layer. This is not desirable because the corrosion value of the alkali metal component increases and elution of the alkali metal component from the substrate occurs.
【0054】ZrO2は、結晶核剤として有効に機能すると
ともに、ガラス修飾酸化物として機能する。ただし第2
実施形態において、ZrO2が1w%より少ないと必要な結晶
核が形成されない。さらに、化学的耐久性および耐マイ
グレーションが低下し、磁気記録層に影響を与える。一
方、5w%を越えると、溶融温度が高くなり失透しやすく
なるため溶融成形が困難となる。また、結晶粒子が粗大
化したり、析出結晶相が変化し求める特性が得られにく
くなる。微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨
加工において磁気ディスク基板として必要な平滑面が得
られなくなる。ZrO 2 effectively functions as a crystal nucleating agent and also functions as a glass-modified oxide. But second
In the embodiment, if ZrO 2 is less than 1% by weight, necessary crystal nuclei are not formed. In addition, the chemical durability and migration resistance are reduced, affecting the magnetic recording layer. On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the melting temperature becomes high and the glass tends to be devitrified, so that melt molding becomes difficult. In addition, the crystal grains become coarse or the precipitated crystal phase changes, making it difficult to obtain the desired characteristics. A fine and uniform crystal structure cannot be obtained, and a smooth surface required as a magnetic disk substrate in polishing cannot be obtained.
【0055】P2O5は、融剤として働き、さらにシリケー
ト系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結
晶を均一に析出させるために重要な成分である。ただし
第2実施形態において、P2O5が1w%より少ないと必要な結
晶核が形成されない。さらに、化学的耐久性および耐マ
イグレーションが低下し、磁気記録層に影響を与える。
一方、5w%を越えると、溶融温度が高くなり失透しやす
くなるため溶融成形が困難となる。また、結晶粒子が粗
大化したり、析出結晶相が変化し求める特性が得られに
くくなったり、研磨加工において磁気ディスク基板とし
て必要な平滑面が得られなくなる。さらに、溶融時の炉
材に対する反応性が増し、また失透性も強くなることか
ら溶融成形時の生産性が低下する。加えて、ガラス構造
の安定性が低下し、アルカリ金属成分の溶出が発生しや
すくなる。P 2 O 5 is a nucleating agent that functions as a flux and precipitates silicate-based crystals, and is an important component for uniformly depositing crystals throughout the glass. However, in the second embodiment, if P 2 O 5 is less than 1% by weight, necessary crystal nuclei are not formed. In addition, the chemical durability and migration resistance are reduced, affecting the magnetic recording layer.
On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the melting temperature becomes high and the glass tends to be devitrified, so that melt molding becomes difficult. In addition, the crystal grains become coarse, the precipitated crystal phase changes, and it becomes difficult to obtain the required characteristics, and a smooth surface required as a magnetic disk substrate during polishing cannot be obtained. Further, the reactivity with the furnace material at the time of melting increases, and the devitrification also increases, so that the productivity at the time of melt molding decreases. In addition, the stability of the glass structure is reduced, and the elution of the alkali metal component is likely to occur.
【0056】以下製造方法を説明する。最終的に生成さ
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼあるいはレンガる
つぼに入れ溶融を行う。溶融後金型に流し概略の形状を
形成する。これを室温までアニールする。続いて、50
0〜600℃の1次熱処理温度と1次処理時間により保
持し(熱処理)、結晶核生成が行われる。引き続き、6
00〜750℃の2次熱処理温度と2次処理時間により
保持し結晶核成長を行う。これを除冷することにより目
的とする結晶化ガラスが得られる。Hereinafter, the manufacturing method will be described. Raw materials containing the composition of the main components of the finally produced glass substrate are sufficiently mixed at a predetermined ratio, and the mixture is put into a platinum crucible or a brick crucible and melted. After melting, it is poured into a mold to form a rough shape. This is annealed to room temperature. Then, 50
The temperature is maintained at a primary heat treatment temperature of 0 to 600 ° C. and a primary treatment time (heat treatment), and a crystal nucleus is generated. Continue to 6
The crystal nucleus is grown while maintaining the temperature at the secondary heat treatment temperature of 00 to 750 ° C. and the secondary treatment time. By cooling this, the desired crystallized glass is obtained.
【0057】さらにこれを所望の形状、厚さに研削・研
磨加工を施すことにより、化粧化ガラス基板として利用
できる。By subjecting this to grinding and polishing to a desired shape and thickness, it can be used as a decorative glass substrate.
【0058】以上の必須成分で規定される第2実施形態
の結晶化ガラス基板においては、前述の条件式(1)~(4)
の範囲は、以下の通り最適化される。 70 < Co < 150 (1b) 60 < C.T.E < 100 (2b) 1.0 < R / RLi < 1.5 (3b) 29 < E / ρ < 36 (4b) 前述の第2実施形態に対し、以下の各成分をそれぞれ定
められた重量%の数値範囲で加えてもよい。以下の各成
分を加えることにより、ヤング率E[GPa]及び、比重ρ
の値を調整することにより、E / ρの値を調整すること
が可能となる。融剤として作用するMgOを加えてもよ
い。MgOを加えることにより、粒状の結晶を凝集させ結
晶粒子塊を形成することができる。しかしながら0.5w%
より少ないと作業温度幅が狭くなるとともに、ガラスマ
トリクス相の化学的耐久性が向上しない。一方、MgOが5
w%を越えると、他の結晶相が析出してくるため、求める
強度を得ることが難しくなる。なお、MgOを加えること
により、ヤング率Eは増加する傾向を示しρの値は減少
する傾向を示す。したがって、E / ρの値は増加するこ
とになり、共振周波数は高くなる傾向を示す。In the crystallized glass substrate of the second embodiment defined by the above essential components, the above-mentioned conditional expressions (1) to (4)
Is optimized as follows. 70 <Co <150 (1b) 60 <CTE <100 (2b) 1.0 <R / RLi <1.5 (3b) 29 <E / ρ <36 (4b) For the second embodiment described above, the following components were used. You may add in the numerical range of each specified weight%. By adding the following components, Young's modulus E [GPa] and specific gravity ρ
By adjusting the value of 可能, it is possible to adjust the value of E / ρ. MgO acting as a flux may be added. By adding MgO, a granular crystal can be aggregated to form a crystal particle mass. However, 0.5w%
If the amount is smaller, the working temperature range is narrowed, and the chemical durability of the glass matrix phase is not improved. On the other hand, MgO is 5
If it exceeds w%, other crystal phases will precipitate, making it difficult to obtain the required strength. By adding MgO, the Young's modulus E tends to increase and the value of ρ tends to decrease. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0059】融剤として作用するCaOを加えてもよい。C
aOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。CaOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、5w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、CaOを加えることにより、ヤング率Eは増加する傾
向を示しρの値は減少する傾向を示す。したがって、E
/ ρの値は増加することになり、共振周波数は高くなる
傾向を示す。[0059] CaO acting as a flux may be added. C
aO can form a high melting property and a stable crystal phase. If the content of CaO is less than 0.5% by weight, the meltability cannot be sufficiently improved. Conversely, if it exceeds 5% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding CaO, the Young's modulus E tends to increase and the value of ρ tends to decrease. Therefore, E
The value of / ρ will increase and the resonance frequency will tend to increase.
【0060】融剤として作用するBaOを加えてもよい。B
aOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。BaOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、5w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、BaOを加えることにより、ヤング率Eは減少する傾
向を示しρの値は急激に増加する傾向を示す。したがっ
て、E / ρの値は減少することになり、共振周波数は低
くなる傾向を示す。BaO acting as a flux may be added. B
aO can form a high melting property and a stable crystal phase. If the content of BaO is less than 0.5% by weight, sufficient melting property cannot be improved. Conversely, if it exceeds 5% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding BaO, the Young's modulus E tends to decrease, and the value of ρ tends to increase rapidly. Therefore, the value of E / ρ decreases, and the resonance frequency tends to decrease.
【0061】融剤として作用するSrOを加えてもよい。S
rOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。SrOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、5w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、SrOを加えることにより、ヤング率Eは減少する傾
向を示しρの値は増加する傾向を示す。したがって、E
/ ρの値は減少することになり、共振周波数は低くなる
傾向を示す。SrO acting as a flux may be added. S
rO can form a high melting property and a stable crystal phase. If SrO is less than 0.5% by weight, sufficient melting property cannot be improved. Conversely, if it exceeds 5% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding SrO, the Young's modulus E tends to decrease and the value of ρ tends to increase. Therefore, E
The value of / ρ will decrease and the resonance frequency will tend to decrease.
【0062】融剤として作用するY2O3を加えてもよい。
ただし、Y2O3が0.1w%より少ないと十分な剛性向上が得
られない。Y2O3が5w%を越えると、結晶析出が抑制さ
れ、十分な結晶化度が得られず、所望の特性が達成され
ない。なお、Y2O3を加えることにより、ヤング率Eは急
激に増加する傾向を示しρの値は増加する傾向を示す。
したがって、E / ρの値は増加することになり、共振周
波数は高くなる傾向を示す。[0062] Y 2 O 3 acting as a flux may be added.
However, if Y 2 O 3 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity improvement cannot be obtained. When Y 2 O 3 exceeds 5% by weight, crystal precipitation is suppressed, sufficient crystallinity cannot be obtained, and desired characteristics cannot be achieved. By adding Y 2 O 3 , the Young's modulus E tends to increase rapidly, and the value of ρ tends to increase.
Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0063】融剤として作用するNb2O5を加えてもよ
い。Nb2O5は結晶核剤物質が増加させる作用を行う。た
だし、Nb2O5が0.1w%より少ないと十分な剛性の向上がな
されない。逆に、5w%を越えると、ガラスの結晶化が不
安定となり、析出結晶相を制御できなくなり、求める特
性が得られにくくなる。なお、Nb2O5を加えることによ
り、ヤング率Eは急激に増加する傾向を示しρの値は増
加する傾向を示す。したがって、E / ρの値は増加する
ことになり、共振周波数は高くなる傾向を示す。Nb 2 O 5 acting as a flux may be added. Nb 2 O 5 acts to increase the nucleating agent material. However, if Nb 2 O 5 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity cannot be improved. On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the crystallization of the glass becomes unstable, the deposited crystal phase cannot be controlled, and the desired characteristics are hardly obtained. By adding Nb 2 O 5 , the Young's modulus E tends to increase sharply, and the value of ρ tends to increase. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0064】融剤として作用するTa2O5を加えてもよ
い。Ta2O5は、溶融性、強度を向上させ、またガラスマ
トリクス相の化学的耐久性を向上させる。ただし、Ta2O
5が0.1w%より少ないと十分な剛性の向上がなされない。
逆に5w%を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、
析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られに
くくなる。なお、Ta2O5を加えることにより、ヤング率E
は急激に増加する傾向を示しρの値は増加する傾向を示
す。したがって、E / ρの値は増加することになり、共
振周波数は高くなる傾向を示す。Ta 2 O 5 acting as a flux may be added. Ta 2 O 5 improves the meltability and strength, and also improves the chemical durability of the glass matrix phase. However, Ta 2 O
If 5 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity cannot be improved.
Conversely, if it exceeds 5% by weight, crystallization of glass becomes unstable,
It becomes impossible to control the precipitated crystal phase, and it becomes difficult to obtain desired characteristics. By adding Ta 2 O 5 , the Young's modulus E
Indicates a tendency to increase rapidly, and the value of ρ indicates a tendency to increase. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0065】融剤として作用するLa2O5を加えてもよ
い。La2O5は、溶融性、強度を向上させ、またガラスマ
トリクス相の化学的耐久性を向上させる。ただし、La2O
5が0.1w%より少ないと十分な剛性の向上がなされない。
逆に5w%を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、
析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られに
くくなる。なお、La2O5を加えることにより、ヤング率E
は急激に増加する傾向を示しρの値は増加する傾向を示
す。したがって、E / ρの値は増加することになり、共
振周波数は高くなる傾向を示す。La 2 O 5 acting as a flux may be added. La 2 O 5 improves the meltability and strength, and also improves the chemical durability of the glass matrix phase. However, La 2 O
If 5 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity cannot be improved.
Conversely, if it exceeds 5% by weight, crystallization of glass becomes unstable,
It becomes impossible to control the precipitated crystal phase, and it becomes difficult to obtain desired characteristics. By adding La 2 O 5 , the Young's modulus E
Indicates a tendency to increase rapidly, and the value of ρ indicates a tendency to increase. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0066】清澄剤として働く、Sb2O3を加えてもよ
い。Sb2O3は、生産時の安定性を向上させる。ただし、S
b2O3は、2w%以下で十分で、2w%を越えるとガラスの結晶
化が不安定となり析出結晶相を制御できなくなり、求め
る特性が得られにくくなる。 [第3実施形態]第3実施形態の結晶化ガラス基板は、重
量%で以下の各成分を含有している。Sb 2 O 3, which acts as a fining agent, may be added. Sb 2 O 3 improves stability during production. Where S
If b 2 O 3 is 2 w% or less, it is sufficient. If it exceeds 2 w%, crystallization of the glass becomes unstable, so that the precipitated crystal phase cannot be controlled, and it becomes difficult to obtain the required characteristics. [Third Embodiment] The crystallized glass substrate of the third embodiment contains the following components by weight.
【0067】SiO2 65w%以上で70w%以下、 Al2O3 5w%以上で10w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で3w%以下。SiO 2 65 w% or more, 70 w% or less, Al 2 O 3 5 w% or more, 10 w% or less, Li 2 O 4 w% or more, 8 w% or less, ZrO 2 1 w% or more, 5 w% or less, P 2 O 5 1w% or more and 3w% or less.
【0068】上記のガラス成分を有する系において、Si
O2はガラス形成酸化物であり、主結晶相として析出する
クリストバライト、クリストバライト固溶体、石英、石
英固溶体の成分である。ただし第3実施形態において、S
iO2が65w%より少ないと、前述の結晶が析出しにくくな
り望ましくない。一方、SiO2が70w%を越えると、溶融温
度が高くなるとともに失透性が大きくなるため、溶融性
が悪くなり望ましくない。In a system having the above glass component, Si
O 2 is a glass-forming oxide and is a component of cristobalite, cristobalite solid solution, quartz, and quartz solid solution precipitated as a main crystal phase. However, in the third embodiment, S
If the content of iO 2 is less than 65% by weight, the above-mentioned crystals hardly precipitate, which is not desirable. On the other hand, if the content of SiO 2 exceeds 70% by weight, the melting temperature is increased and the devitrification is increased.
【0069】Al2O3は、ガラス中間酸化物であり、リチ
ウムアルミのシリケート、リチウムアルミノシリケート
固溶体が析出する場合はこれら結晶相の構成成分とな
る。ただし第3実施形態において、Al2O3が5w%より少な
いと、機械的強度及び化学的耐久性が得られない。一
方、Al2O3が10w%を越えると溶融温度が高くなり溶融性
と失透性が悪化する。Al 2 O 3 is a glass intermediate oxide, and when lithium aluminum silicate or lithium aluminosilicate solid solution is precipitated, it is a component of these crystal phases. However, in the third embodiment, if Al 2 O 3 is less than 5% by weight, mechanical strength and chemical durability cannot be obtained. On the other hand, if the content of Al 2 O 3 exceeds 10% by weight, the melting temperature increases, and the meltability and devitrification deteriorate.
【0070】Li2Oは、融剤として働くため生産時の安定
性を向上させる。また、リチウムアルミノシリケート、
リチウムアルミノシリケート固溶体、リチウムジンクシ
リケート、リチウムジンクシリケート固溶体が析出する
場合はこれら結晶相の構成成分となる。ただし第3実施
形態において、Li2Oが4w%より少ないと溶融性が悪くな
る。一方、Li2Oが8w%を越えると、結晶層として、リチ
ウムモノシリケート(Li2O・SiO2)及びリチウムダイシ
リケート(Li2O・2SiO2)等の結晶相が析出するため、前
述のアルカリ金属成分のコロージョンの値が大きくなり
基板からのアルカリ金属成分の溶出が発生するため望ま
しくない。Since Li 2 O works as a flux, it improves the stability during production. Also, lithium aluminosilicate,
When a lithium aluminosilicate solid solution, lithium zinc silicate, or lithium zinc silicate solid solution precipitates, it becomes a constituent component of these crystal phases. However, in the third embodiment, if Li 2 O is less than 4% by weight, the meltability deteriorates. On the other hand, when Li 2 O exceeds 8% by weight, crystal phases such as lithium monosilicate (Li 2 O · SiO 2 ) and lithium disilicate (Li 2 O · 2SiO 2 ) are precipitated as a crystal layer. This is not desirable because the corrosion value of the alkali metal component increases and elution of the alkali metal component from the substrate occurs.
【0071】ZrO2は、結晶核剤として有効に機能すると
ともに、ガラス修飾酸化物として機能する。ただし第2
実施形態において、ZrO2が1w%より少ないと必要な結晶
核が形成されない。さらに、化学的耐久性および耐マイ
グレーションが低下し、磁気記録層に影響を与える。一
方、5w%を越えると、溶融温度が高くなり失透しやすく
なるため溶融成形が困難となる。また、結晶粒子が粗大
化したり、析出結晶相が変化し求める特性が得られにく
くなる。微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨
加工において磁気ディスク基板として必要な平滑面が得
られなくなる。ZrO 2 effectively functions as a crystal nucleating agent and also functions as a glass-modified oxide. But second
In the embodiment, if ZrO 2 is less than 1% by weight, necessary crystal nuclei are not formed. In addition, the chemical durability and migration resistance are reduced, affecting the magnetic recording layer. On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the melting temperature becomes high and the glass tends to be devitrified, so that melt molding becomes difficult. In addition, the crystal grains become coarse or the precipitated crystal phase changes, making it difficult to obtain the desired characteristics. A fine and uniform crystal structure cannot be obtained, and a smooth surface required as a magnetic disk substrate in polishing cannot be obtained.
【0072】P2O5は、融剤として働き、さらにシリケー
ト系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結
晶を均一に析出させるために重要な成分である。ただし
第2実施形態において、P2O5が1w%より少ないと必要な結
晶核が形成されない。さらに、化学的耐久性および耐マ
イグレーションが低下し、磁気記録層に影響を与える。
一方、3w%を越えると、溶融温度が高くなり失透しやす
くなるため溶融成形が困難となる。また、結晶粒子が粗
大化したり、析出結晶相が変化し求める特性が得られに
くくなったり、研磨加工において磁気ディスク基板とし
て必要な平滑面が得られなくなる。さらに、溶融時の炉
材に対する反応性が増し、また失透性も強くなることか
ら溶融成形時の生産性が低下する。加えて、ガラス構造
の安定性が低下し、アルカリ金属成分の溶出が発生しや
すくなる。P 2 O 5 is a nucleating agent that functions as a flux and precipitates silicate-based crystals, and is an important component for uniformly depositing crystals throughout the glass. However, in the second embodiment, if P 2 O 5 is less than 1% by weight, necessary crystal nuclei are not formed. In addition, the chemical durability and migration resistance are reduced, affecting the magnetic recording layer.
On the other hand, if it exceeds 3% by weight, the melting temperature becomes high and the glass tends to be devitrified, so that melt molding becomes difficult. In addition, the crystal grains become coarse, the precipitated crystal phase changes, and it becomes difficult to obtain the required characteristics, and a smooth surface required as a magnetic disk substrate during polishing cannot be obtained. Further, the reactivity with the furnace material at the time of melting increases, and the devitrification also increases, so that the productivity at the time of melt molding decreases. In addition, the stability of the glass structure is reduced, and the elution of the alkali metal component is likely to occur.
【0073】以下製造方法を説明する。最終的に生成さ
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼあるいはレンガる
つぼに入れ溶融を行う。溶融後金型に流し概略の形状を
形成する。これを室温までアニールする。続いて、50
0〜600℃の1次熱処理温度と1次処理時間により保
持し(熱処理)、結晶核生成が行われる。引き続き、6
00〜750℃の2次熱処理温度と2次処理時間により
保持し結晶核成長を行う。これを除冷することにより目
的とする結晶化ガラスが得られる。The manufacturing method will be described below. Raw materials containing the composition of the main components of the finally produced glass substrate are sufficiently mixed at a predetermined ratio, and the mixture is put into a platinum crucible or a brick crucible and melted. After melting, it is poured into a mold to form a rough shape. This is annealed to room temperature. Then, 50
The temperature is maintained at a primary heat treatment temperature of 0 to 600 ° C. and a primary treatment time (heat treatment), and a crystal nucleus is generated. Continue to 6
The crystal nucleus is grown while maintaining the secondary heat treatment temperature of 00 to 750 ° C. and the secondary treatment time. By cooling this, the desired crystallized glass is obtained.
【0074】さらにこれを所望の形状、厚さに研削・研
磨加工を施すことにより、結晶化ガラス基板として利用
できる。By subjecting this to a desired shape and thickness by grinding and polishing, it can be used as a crystallized glass substrate.
【0075】以上の必須成分で規定される第3実施形態
の結晶化ガラス基板においては、前述の条件式(1)~(4)
の範囲は、以下の通り最適化される。 30 < Co < 100 (1c) 80 < C.T.E < 150 (2c) 1.0 < R / RLi < 1.5 (3c) 28 < E / ρ < 33 (4c) 前述の第3実施形態に対し、以下の各成分をそれぞれ定
められた重量%の数値範囲で加えてもよい。以下の各成
分を加えることにより、ヤング率E[GPa]及び、比重ρ
の値を調整することにより、E / ρの値を調整すること
が可能となる。融剤として作用するZnOを加えてもよ
い。ZnOは、均一な結晶析出を補助する。また、ZnOは、
副結晶相としてリチウムジンクシリケート、リチウムジ
ンクシリケート固溶体が析出する場合はこれら結晶相の
構成成分となる。ただし第3実施形態において、ZnOが0.
1w%より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされな
い。一方、ZnOが5w%を越えると、ガラスが安定となり結
晶化が抑制され求める強度が得られにくくなる。In the crystallized glass substrate of the third embodiment defined by the above essential components, the above-mentioned conditional expressions (1) to (4)
Is optimized as follows. 30 <Co <100 (1c) 80 <CTE <150 (2c) 1.0 <R / RLi <1.5 (3c) 28 <E / ρ <33 (4c) For the third embodiment described above, the following components were used. You may add in the numerical range of each specified weight%. By adding the following components, Young's modulus E [GPa] and specific gravity ρ
By adjusting the value of 可能, it is possible to adjust the value of E / ρ. ZnO acting as a flux may be added. ZnO helps uniform crystal precipitation. In addition, ZnO
When lithium zinc silicate or a lithium zinc silicate solid solution precipitates as a sub-crystal phase, it becomes a constituent component of these crystal phases. However, in the third embodiment, ZnO is 0.
If the amount is less than 1% by weight, sufficient improvement of crystal homogenization cannot be achieved. On the other hand, if ZnO exceeds 5% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
【0076】融剤として作用するMgOを加えてもよい。M
gOを加えることにより、粒状の結晶を凝集させ結晶粒子
塊を形成することができる。しかしながら0.5w%より少
ないと作業温度幅が狭くなるとともに、ガラスマトリク
ス相の化学的耐久性が向上しない。一方、MgOが5w%を越
えると、他の結晶相が析出してくるため、求める強度を
得ることが難しくなる。なお、MgOを加えることによ
り、ヤング率Eは増加する傾向を示しρの値は減少する
傾向を示す。したがって、E / ρの値は増加することに
なり、共振周波数は高くなる傾向を示す。MgO acting as a flux may be added. M
By adding gO, granular crystals can be aggregated to form a crystal particle mass. However, if it is less than 0.5% by weight, the working temperature range is narrowed, and the chemical durability of the glass matrix phase is not improved. On the other hand, if MgO exceeds 5% by weight, other crystal phases will precipitate, making it difficult to obtain the required strength. By adding MgO, the Young's modulus E tends to increase and the value of ρ tends to decrease. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0077】融剤として作用するCaOを加えてもよい。C
aOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。CaOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、5w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、CaOを加えることにより、ヤング率Eは増加する傾
向を示しρの値は減少する傾向を示す。したがって、E
/ ρの値は増加することになり、共振周波数は高くなる
傾向を示す。[0077] CaO acting as a flux may be added. C
aO can form a high melting property and a stable crystal phase. If the content of CaO is less than 0.5% by weight, the meltability cannot be sufficiently improved. Conversely, if it exceeds 5% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding CaO, the Young's modulus E tends to increase and the value of ρ tends to decrease. Therefore, E
The value of / ρ will increase and the resonance frequency will tend to increase.
【0078】融剤として作用するBaOを加えてもよい。B
aOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。BaOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、10w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、BaOを加えることにより、ヤング率Eは減少する傾
向を示しρの値は急激に増加する傾向を示す。したがっ
て、E / ρの値は減少することになり、共振周波数は低
くなる傾向を示す。BaO acting as a flux may be added. B
aO can form a high melting property and a stable crystal phase. If the content of BaO is less than 0.5% by weight, sufficient melting property cannot be improved. Conversely, if it exceeds 10% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding BaO, the Young's modulus E tends to decrease, and the value of ρ tends to increase rapidly. Therefore, the value of E / ρ decreases, and the resonance frequency tends to decrease.
【0079】融剤として作用するSrOを加えてもよい。S
rOは、高い溶融性、安定した結晶相を形成させることが
できる。SrOが0.5w%より少ないと、十分な溶融性改善が
なされない。逆に、10w%を越えると、ガラスが安定とな
り結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
なお、SrOを加えることにより、ヤング率Eは減少する傾
向を示しρの値は増加する傾向を示す。したがって、E
/ ρの値は減少することになり、共振周波数は低くなる
傾向を示す。SrO acting as a flux may be added. S
rO can form a high melting property and a stable crystal phase. If SrO is less than 0.5% by weight, sufficient melting property cannot be improved. Conversely, if it exceeds 10% by weight, the glass becomes stable, crystallization is suppressed, and it becomes difficult to obtain the required strength.
By adding SrO, the Young's modulus E tends to decrease and the value of ρ tends to increase. Therefore, E
The value of / ρ will decrease and the resonance frequency will tend to decrease.
【0080】融剤として作用するY2O3を加えてもよい。
ただし、Y2O3が0.1w%より少ないと十分な剛性向上が得
られない。Y2O3が5w%を越えると、結晶析出が抑制さ
れ、十分な結晶化度が得られず、所望の特性が達成され
ない。Y2O3を加えることにより、ヤング率Eは急激に増
加する傾向を示しρの値は減少する傾向を示す。したが
って、E / ρの値は増加することになり、共振周波数は
高くなる傾向を示す。Y 2 O 3 acting as a flux may be added.
However, if Y 2 O 3 is less than 0.1% by weight, sufficient rigidity improvement cannot be obtained. When Y 2 O 3 exceeds 5% by weight, crystal precipitation is suppressed, sufficient crystallinity cannot be obtained, and desired characteristics cannot be achieved. By adding Y 2 O 3 , the Young's modulus E tends to increase rapidly, and the value of ρ tends to decrease. Therefore, the value of E / ρ increases, and the resonance frequency tends to increase.
【0081】清澄剤として働く、Sb2O3を加えてもよ
い。Sb2O3は、生産時の安定性を向上させる。ただし、S
b2O3は、2w%以下で十分で、2w%を越えるとガラスの結晶
化が不安定となり析出結晶相を制御できなくなり、求め
る特性が得られにくくなる。Sb 2 O 3, which acts as a fining agent, may be added. Sb 2 O 3 improves stability during production. Where S
If b 2 O 3 is 2 w% or less, it is sufficient. If it exceeds 2 w%, crystallization of the glass becomes unstable, so that the precipitated crystal phase cannot be controlled, and it becomes difficult to obtain the required characteristics.
【0082】[0082]
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらのex.に限定されるものではな
い。各ex.の結晶化ガラス基板のガラス組成は、すべて
酸化物基準の重量%(w%)で表されており、前述の製造
方法にて表に示された核形成温度・時間、核成長温度・
時間に従って処理され加工されることにより、結晶化ガ
ラス基板となる。The present invention will be described in detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples. The glass compositions of the crystallized glass substrates of each ex. Are all expressed in terms of weight percent (w%) on an oxide basis, and the nucleation temperature / time and nucleus growth temperature shown in the table by the above-mentioned manufacturing method.・
By being processed and processed according to time, it becomes a crystallized glass substrate.
【0083】各表中に示された結晶相の略称は、Crist
がクリストバライト、α-Qがα−クォーツ、LASがリチ
ウムアルミニウムシリケート、LZSがリチウムジンクシ
リケート、L2Sがリチウムダイシリケートをそれぞれ表
し、SSは固溶体(solid solution)を表す。 [第1実施形態]表1〜2に、ex.1〜18の結晶化ガラス基
板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに示
した。また、表3〜4に、ex.1〜18と同様のガラス組成に
対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化ガラス基
板をex.19〜36として示した。さらに、表5〜6に、ex.1
〜18と同様のガラス組成に対し、核成長時間を変化させ
て製造した結晶化ガラス基板をex.37〜54として示し
た。The abbreviation of the crystal phase shown in each table is Crist
Represents cristobalite, α-Q represents α-quartz, LAS represents lithium aluminum silicate, LZS represents lithium zinc silicate, L2S represents lithium disilicate, and SS represents a solid solution. First Embodiment Tables 1 and 2 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 1 to 18 in terms of% by weight, together with the respective production conditions. In Tables 3 and 4, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 1 to 18 are shown as ex. 19 to 36. In addition, Tables 5 and 6 show that ex.1
The crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass compositions as those of Nos. 18 to 18 are shown as ex.
【0084】[0084]
【表1】 [Table 1]
【表2】 [Table 2]
【0085】[0085]
【表3】 [Table 3]
【0086】[0086]
【表4】 [Table 4]
【0087】[0087]
【表5】 [Table 5]
【0088】[0088]
【表6】 [Table 6]
【0089】表7〜8に、ex.55〜75の結晶化ガラス基板
のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに示し
た。また、表9〜10に、ex.55〜75と同様のガラス組成に
対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化ガラス基
板をex.76〜96として示した。さらに、表11〜12に、ex.
55〜75と同様のガラス組成に対し、核成長時間を変化さ
せて製造した結晶化ガラス基板をex.97〜117として示し
た。Tables 7 and 8 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 55 to 75 in% by weight, together with the respective production conditions. In Tables 9 and 10, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 55 to 75 are shown as ex. Furthermore, in Tables 11 and 12, ex.
Crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass compositions as 55 to 75 are shown as ex.
【0090】[0090]
【表7】 [Table 7]
【0091】[0091]
【表8】 [Table 8]
【0092】[0092]
【表9】 [Table 9]
【0093】[0093]
【表10】 [Table 10]
【0094】[0094]
【表11】 [Table 11]
【0095】[0095]
【表12】 [Table 12]
【0096】表13〜14に、ex.118〜138の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表15〜16に、ex.118〜138と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.139〜159として示した。さらに、表17
〜18に、ex.118〜138と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.160
〜180として示した。Tables 13 and 14 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 118 to 138 by weight%, together with the respective production conditions. In Tables 15 and 16, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 118 to 138 are shown as ex. 139 to 159. In addition, Table 17
~ 18, for the same glass composition as ex.118 ~ 138, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time, ex.160
Indicated as ~ 180.
【0097】[0097]
【表13】 [Table 13]
【0098】[0098]
【表14】 [Table 14]
【0099】[0099]
【表15】 [Table 15]
【0100】[0100]
【表16】 [Table 16]
【0101】[0101]
【表17】 [Table 17]
【0102】[0102]
【表18】 [Table 18]
【0103】表19〜20に、ex.181〜201の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表21〜22に、ex.181〜201と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.202〜222として示した。さらに、表23
〜24に、ex.181〜201と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.223
〜243として示した。Tables 19 to 20 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 181 to 201 by weight%, together with the respective production conditions. In Tables 21 and 22, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 181 to 201 are shown as ex. 202 to 222. In addition, Table 23
~ 24, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.181 ~ 201, ex.223
~ 243.
【0104】[0104]
【表19】 [Table 19]
【0105】[0105]
【表20】 [Table 20]
【0106】[0106]
【表21】 [Table 21]
【0107】[0107]
【表22】 [Table 22]
【0108】[0108]
【表23】 [Table 23]
【0109】[0109]
【表24】 [Table 24]
【0110】表25〜26に、ex.244〜264の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表27〜28に、ex.244〜264と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.265〜285として示した。さらに、表29
〜30に、ex.244〜264と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.286
〜306として示した。In Tables 25 to 26, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. Tables 27 to 28 show, as ex.265 to 285, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for the same glass compositions as those of ex.244 to 264. In addition, Table 29
~ 30, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.244 ~ 264, ex.286
306.
【0111】[0111]
【表25】 [Table 25]
【0112】[0112]
【表26】 [Table 26]
【0113】[0113]
【表27】 [Table 27]
【0114】[0114]
【表28】 [Table 28]
【0115】[0115]
【表29】 [Table 29]
【0116】[0116]
【表30】 [Table 30]
【0117】表31〜32に、ex.307〜327の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表33〜34に、ex.307〜327と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.328〜348として示した。さらに、表35
〜36に、ex.307〜327と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.349
〜369として示した。Tables 31 to 32 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 307 to 327 by weight%, together with the respective production conditions. In Tables 33 to 34, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 307 to 327 are shown as ex. 328 to 348. In addition, Table 35
~ 36, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.307-327, ex.349
~ 369.
【0118】[0118]
【表31】 [Table 31]
【0119】[0119]
【表32】 [Table 32]
【0120】[0120]
【表33】 [Table 33]
【0121】[0121]
【表34】 [Table 34]
【0122】[0122]
【表35】 [Table 35]
【0123】[0123]
【表36】 [Table 36]
【0124】表37〜38に、ex.370〜390の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表39〜40に、ex.370〜390と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.391〜411として示した。さらに、表41
〜42に、ex.370〜390と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.412
〜432として示した。Tables 37 to 38 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. In Tables 39 to 40, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 370 to 390 are shown as ex. In addition, Table 41
~ 42, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.370-390, ex.412
~ 432.
【0125】[0125]
【表37】 [Table 37]
【0126】[0126]
【表38】 [Table 38]
【0127】[0127]
【表39】 [Table 39]
【0128】[0128]
【表40】 [Table 40]
【0129】[0129]
【表41】 [Table 41]
【0130】[0130]
【表42】 [Table 42]
【0131】表43〜44に、ex.433〜453の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表45〜46に、ex.433〜453と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.454〜474として示した。さらに、表47
〜48に、ex.433〜453と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.475
〜495として示した。In Tables 43 to 44, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 433 to 453 are shown in% by weight and are shown together with the respective production conditions. In Tables 45 to 46, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 433 to 453 are shown as ex. In addition, Table 47
~ 48, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.433-453, ex.475
495495.
【0132】[0132]
【表43】 [Table 43]
【0133】[0133]
【表44】 [Table 44]
【0134】[0134]
【表45】 [Table 45]
【0135】[0135]
【表46】 [Table 46]
【0136】[0136]
【表47】 [Table 47]
【0137】[0137]
【表48】 [Table 48]
【0138】表49〜50に、ex.496〜516の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表51〜52に、ex.496〜516と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.517〜537として示した。さらに、表53
〜54に、ex.496〜516と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.538
〜558として示した。In Tables 49 to 50, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 496 to 516 are shown in% by weight and are shown together with the respective production conditions. In Tables 51 to 52, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex.496 to 516 are shown as ex.517 to 537. In addition, Table 53
~ 54, the same glass composition as ex.496 ~ 516, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time, ex.538
~ 558.
【0139】[0139]
【表49】 [Table 49]
【0140】[0140]
【表50】 [Table 50]
【0141】[0141]
【表51】 [Table 51]
【0142】[0142]
【表52】 [Table 52]
【0143】[0143]
【表53】 [Table 53]
【0144】[0144]
【表54】 [Table 54]
【0145】表55〜56に、ex.559〜579の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表57〜58に、ex.559〜579と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.580〜600として示した。さらに、表59
〜60に、ex.559〜579と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.601
〜621として示した。In Tables 55 to 56, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 559 to 579 are shown in% by weight and are shown together with the respective production conditions. In Tables 57 to 58, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 559 to 579 are shown as ex. In addition, Table 59
~ 60, a crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.
~ 621.
【0146】[0146]
【表55】 [Table 55]
【0147】[0147]
【表56】 [Table 56]
【0148】[0148]
【表57】 [Table 57]
【0149】[0149]
【表58】 [Table 58]
【0150】[0150]
【表59】 [Table 59]
【0151】[0151]
【表60】 [Table 60]
【0152】表61〜62に、ex.622〜642の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表63〜64に、ex.622〜642と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.643〜663として示した。さらに、表65
〜66に、ex.622〜642と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.664
〜684として示した。In Tables 61 to 62, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 622 to 642 are shown in% by weight and are shown together with the respective production conditions. In Tables 63 to 64, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 622 to 642 are shown as ex. 643 to 663. In addition, Table 65
~ 66, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.622 ~ 642, ex.664
Shown as ~ 684.
【0153】[0153]
【表61】 [Table 61]
【0154】[0154]
【表62】 [Table 62]
【0155】[0155]
【表63】 [Table 63]
【0156】[0156]
【表64】 [Table 64]
【0157】[0157]
【表65】 [Table 65]
【0158】[0158]
【表66】 [Table 66]
【0159】[第2実施形態]表67〜68に、ex.1〜18の
結晶化ガラス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造
条件とともに示した。また、表69〜70に、ex.1〜18と同
様のガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造し
た結晶化ガラス基板をex.19〜36として示した。さら
に、表5〜6に、ex.71〜72と同様のガラス組成に対し、
核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をe
x.37〜54として示した。[Second Embodiment] In Tables 67 to 68, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 1 to 18 are shown by weight% and are shown together with the respective manufacturing conditions. In Tables 69 to 70, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 1 to 18 are shown as ex. 19 to 36. Furthermore, in Tables 5 and 6, for the same glass composition as ex.71 to 72,
The crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time is e
x.37-54.
【0160】[0160]
【表67】 [Table 67]
【0161】[0161]
【表68】 [Table 68]
【0162】[0162]
【表69】 [Table 69]
【0163】[0163]
【表70】 [Table 70]
【0164】[0164]
【表71】 [Table 71]
【0165】[0165]
【表72】 [Table 72]
【0166】表73〜74に、ex.55〜75の結晶化ガラス基
板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに示
した。また、表75〜76に、ex.55〜75と同様のガラス組
成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化ガラ
ス基板をex.76〜96として示した。さらに、表77〜78
に、ex.55〜75と同様のガラス組成に対し、核成長時間
を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.97〜117と
して示した。In Tables 73 to 74, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 55 to 75 are shown in% by weight and are shown together with the respective production conditions. In Tables 75 to 76, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 55 to 75 are shown as ex. In addition, Tables 77-78
The crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass compositions as those of ex. 55 to 75 are shown as ex.
【0167】[0167]
【表73】 [Table 73]
【0168】[0168]
【表74】 [Table 74]
【0169】[0169]
【表75】 [Table 75]
【0170】[0170]
【表76】 [Table 76]
【0171】[0171]
【表77】 [Table 77]
【0172】[0172]
【表78】 [Table 78]
【0173】表79〜80に、ex.118〜138の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表81〜82に、ex.118〜138と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.139〜159として示した。さらに、表83
〜84に、ex.118〜138と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.160
〜180として示した。Tables 79 to 80 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 118 to 138 by weight%, together with the respective production conditions. In Tables 81 to 82, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 118 to 138 are shown as ex. 139 to 159. In addition, Table 83
~ 84, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.118-138, ex.160
Indicated as ~ 180.
【0174】[0174]
【表79】 [Table 79]
【0175】[0175]
【表80】 [Table 80]
【0176】[0176]
【表81】 [Table 81]
【0177】[0177]
【表82】 [Table 82]
【0178】[0178]
【表83】 [Table 83]
【0179】[0179]
【表84】 [Table 84]
【0180】表85〜86に、ex.181〜201の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表87〜88に、ex.181〜201と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.202〜222として示した。さらに、表89
〜90に、ex.181〜201と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.223
〜243として示した。Tables 85 to 86 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 181 to 201 by weight%, together with the respective production conditions. In Tables 87 to 88, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 181 to 201 are shown as ex. 202 to 222. In addition, Table 89
To 90, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.
~ 243.
【0181】[0181]
【表85】 [Table 85]
【0182】[0182]
【表86】 [Table 86]
【0183】[0183]
【表87】 [Table 87]
【0184】[0184]
【表88】 [Table 88]
【0185】[0185]
【表89】 [Table 89]
【0186】[0186]
【表90】 [Table 90]
【0187】表91〜92に、ex.244〜264の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表93〜94に、ex.244〜264と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.265〜285として示した。さらに、表95
〜96に、ex.244〜264と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.286
〜306として示した。Tables 91 to 92 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 244 to 264 in% by weight, together with the respective production conditions. Tables 93 to 94 show, as ex.265 to 285, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for the same glass compositions as those of ex.244 to 264. In addition, Table 95
~ 96, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.244 ~ 264, ex.286
306.
【0188】[0188]
【表91】 [Table 91]
【0189】[0189]
【表92】 [Table 92]
【0190】[0190]
【表93】 [Table 93]
【0191】[0191]
【表94】 [Table 94]
【0192】[0192]
【表95】 [Table 95]
【0193】[0193]
【表96】 [Table 96]
【0194】表97〜98に、ex.307〜327の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表99〜100に、ex.307〜327と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.328〜348として示した。さらに、表101
〜102に、ex.307〜327と同様のガラス組成に対し、核成
長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.349
〜369として示した。Tables 97 to 98 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 307 to 327 by weight%, together with the respective production conditions. In Tables 99 to 100, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 307 to 327 are shown as ex. 328 to 348. In addition, Table 101
~ 102, the crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass composition as ex.307-327, ex.349
~ 369.
【0195】[0195]
【表97】 [Table 97]
【0196】[0196]
【表98】 [Table 98]
【0197】[0197]
【表99】 [Table 99]
【0198】[0198]
【表100】 [Table 100]
【0199】[0199]
【表101】 [Table 101]
【0200】[0200]
【表102】 [Table 102]
【0201】表103〜104に、ex.370〜390の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表105〜106に、ex.370〜390と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.391〜411として示した。さらに、
表107〜108に、ex.370〜390と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.412〜432として示した。In Tables 103 to 104, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 370 to ex. In Tables 105 to 106, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 370 to 390 are shown as ex. 391 to 411. further,
In Tables 107 to 108, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex. 370 to 390 are shown as ex. 412 to 432.
【0202】[0202]
【表103】 [Table 103]
【0203】[0203]
【表104】 [Table 104]
【0204】[0204]
【表105】 [Table 105]
【0205】[0205]
【表106】 [Table 106]
【0206】[0206]
【表107】 [Table 107]
【0207】[0207]
【表108】 [Table 108]
【0208】表109〜110に、ex.433〜453の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表111〜112に、ex.433〜453と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.454〜474として示した。さらに、
表113〜114に、ex.433〜453と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.475〜495として示した。In Tables 109 to 110, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 433 to 453 are shown in% by weight and are shown together with the respective production conditions. In Tables 111 to 112, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 433 to 453 are shown as ex. further,
In Tables 113 to 114, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex. 433 to 453 are shown as ex. 475 to 495.
【0209】[0209]
【表109】 [Table 109]
【0210】[0210]
【表110】 [Table 110]
【0211】[0211]
【表111】 [Table 111]
【0212】[0212]
【表112】 [Table 112]
【0213】[0213]
【表113】 [Table 113]
【0214】[0214]
【表114】 [Table 114]
【0215】表115〜116に、ex.496〜516の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表117〜118に、ex.496〜516と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.517〜537として示した。さらに、
表119〜120に、ex.496〜516と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.538〜558として示した。In Tables 115 to 116, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 496 to 516 are shown by weight% and are shown together with the respective manufacturing conditions. In Tables 117 to 118, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex.496 to 516 are shown as ex.517 to 537. further,
In Tables 119 to 120, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex.496 to 516 are shown as ex.538 to 558.
【0216】[0216]
【表115】 [Table 115]
【0217】[0219]
【表116】 [Table 116]
【0218】[0218]
【表117】 [Table 117]
【0219】[0219]
【表118】 [Table 118]
【0220】[0220]
【表119】 [Table 119]
【0221】[0221]
【表120】 [Table 120]
【0222】表121〜122に、ex.559〜579の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表123〜124に、ex.559〜579と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.580〜600として示した。さらに、
表125〜126に、ex.559〜579と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.601〜621として示した。In Tables 121 to 122, the glass compositions of the crystallized glass substrates ex. 559 to 579 are shown in% by weight, and are shown together with the respective production conditions. In Tables 123 to 124, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 559 to 579 are shown as ex. further,
In Tables 125 to 126, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex. 559 to 579 are shown as ex.
【0223】[0223]
【表121】 [Table 121]
【0224】[0224]
【表122】 [Table 122]
【0225】[0225]
【表123】 [Table 123]
【0226】[0226]
【表124】 [Table 124]
【0227】[0227]
【表125】 [Table 125]
【0228】[0228]
【表126】 [Table 126]
【0229】表127〜128に、ex.622〜643の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表129〜130に、ex.622〜643と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.644〜665として示した。さらに、
表131〜132に、ex.622〜643と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.666〜687として示した。In Tables 127 to 128, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 622 to 643 are shown in% by weight, and are shown together with the respective production conditions. In Tables 129 to 130, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 622 to 643 are shown as ex. 644 to 665. further,
In Tables 131 to 132, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex. 622 to 643 are shown as ex. 666 to 687.
【0230】[0230]
【表127】 [Table 127]
【0231】[0231]
【表128】 [Table 128]
【0232】[0232]
【表129】 [Table 129]
【0233】[0233]
【表130】 [Table 130]
【0234】[0234]
【表131】 [Table 131]
【0235】[0235]
【表132】 [Table 132]
【0236】[第3実施形態]表133〜134に、ex.1〜18
の結晶化ガラス基板のガラス組成を重量%で示し、各製
造条件とともに示した。また、表135〜136に、ex.1〜18
と同様のガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製
造した結晶化ガラス基板をex.19〜36として示した。さ
らに、表137〜138に、ex.1〜18と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.37〜54として示した。[Third Embodiment] Tables 133 to 134 show that ex.
The glass composition of the crystallized glass substrate of No. was shown in% by weight, and was shown together with each manufacturing condition. Tables 135 to 136 show that ex. 1 to 18
The crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature with respect to the same glass composition as described above are shown as ex. Further, Tables 137 to 138 show, as ex. 37 to 54, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex. 1 to 18.
【0237】[0237]
【表133】 [Table 133]
【0238】[0238]
【表134】 [Table 134]
【0239】[0239]
【表135】 [Table 135]
【0240】[0240]
【表136】 [Table 136]
【0241】[0241]
【表137】 [Table 137]
【0242】[0242]
【表138】 [Table 138]
【0243】表139〜140に、ex.55〜74の結晶化ガラス
基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件とともに
示した。また、表141〜142に、ex.55〜74と同様のガラ
ス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結晶化
ガラス基板をex.75〜94として示した。さらに、表143〜
144に、ex.55〜74と同様のガラス組成に対し、核成長時
間を変化させて製造した結晶化ガラス基板をex.95〜114
として示した。In Tables 139 to 140, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 55 to 74 are shown in% by weight, and are shown together with the respective production conditions. In Tables 141 to 142, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 55 to 74 are shown as ex. In addition, Tables 143-
144, a crystallized glass substrate manufactured by changing the nucleus growth time for a glass composition similar to that of ex.
As shown.
【0244】[0244]
【表139】 [Table 139]
【0245】[0245]
【表140】 [Table 140]
【0246】[0246]
【表141】 [Table 141]
【0247】[0247]
【表142】 [Table 142]
【0248】[0248]
【表143】 [Table 143]
【0249】[0249]
【表144】 [Table 144]
【0250】表145〜146に、ex.115〜134の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表147〜148に、ex.115〜134と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.135〜154として示した。さらに、
表149〜150に、ex.115〜134と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.155〜174として示した。Tables 145 to 146 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. 115 to 134 by weight%, together with the respective production conditions. In Tables 147 to 148, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 115 to 134 are shown as ex. further,
In Tables 149 to 150, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex. 115 to 134 are shown as ex.
【0251】[0251]
【表145】 [Table 145]
【0252】[0252]
【表146】 [Table 146]
【0253】[0253]
【表147】 [Table 147]
【0254】[0254]
【表148】 [Table 148]
【0255】[0255]
【表149】 [Table 149]
【0256】[0256]
【表150】 [Table 150]
【0257】表151〜152に、ex.175〜194の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表153〜154に、ex.175〜194と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.195〜214として示した。さらに、
表155〜156に、ex.175〜194と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.215〜234として示した。In Tables 151 to 152, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. In Tables 153 to 154, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 175 to 194 are shown as ex. 195 to 214. further,
Tables 155 to 156 show, as ex. 215 to 234, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for the same glass compositions as those of ex. 175 to 194.
【0258】[0258]
【表151】 [Table 151]
【0259】[0259]
【表152】 [Table 152]
【0260】[0260]
【表153】 [Table 153]
【0261】[0261]
【表154】 [Table 154]
【0262】[0262]
【表155】 [Table 155]
【0263】[0263]
【表156】 [Table 156]
【0264】表157〜158に、ex.235〜254の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表159〜160に、ex.235〜254と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.255〜274として示した。さらに、
表161〜162に、ex.235〜254と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.275〜294として示した。In Tables 157 to 158, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. In Tables 159 to 160, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 235 to 254 are shown as ex. 255 to 274. further,
Tables 161 to 162 show, as ex.275 to 294, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex.235 to 254.
【0265】[0265]
【表157】 [Table 157]
【0266】[0266]
【表158】 [Table 158]
【0267】[0267]
【表159】 [Table 159]
【0268】[0268]
【表160】 [Table 160]
【0269】[0269]
【表161】 [Table 161]
【0270】[0270]
【表162】 [Table 162]
【0271】表163〜164に、ex.295〜314の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表165〜166に、ex.295〜314と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.315〜334として示した。さらに、
表167〜168に、ex.295〜314と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.335〜354として示した。Tables 163 to 164 show the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. In Tables 165 to 166, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 295 to 314 are shown as ex. further,
Tables 167 to 168 show, as ex. 335 to 354, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex. 295 to 314.
【0272】[0272]
【表163】 [Table 163]
【0273】[0273]
【表164】 [Table 164]
【0274】[0274]
【表165】 [Table 165]
【0275】[0275]
【表166】 [Table 166]
【0276】[0276]
【表167】 [Table 167]
【0277】[0277]
【表168】 [Table 168]
【0278】表169〜170に、ex.355〜363の結晶化ガラ
ス基板のガラス組成を重量%で示し、各製造条件ととも
に示した。また、表171〜172に、ex.355〜363と同様の
ガラス組成に対し、核成長温度を変化させて製造した結
晶化ガラス基板をex.373〜390として示した。さらに、
表173〜174に、ex.355〜363と同様のガラス組成に対
し、核成長時間を変化させて製造した結晶化ガラス基板
をex.391〜408として示した。In Tables 169 to 170, the glass compositions of the crystallized glass substrates of ex. In Tables 171 to 172, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth temperature for glass compositions similar to those of ex. 355 to 363 are shown as ex. 373 to 390. further,
In Tables 173 to 174, crystallized glass substrates manufactured by changing the nucleus growth time for glass compositions similar to those of ex. 355 to 363 are shown as ex.
【0279】[0279]
【表169】 [Table 169]
【0280】[0280]
【表170】 [Table 170]
【0281】[0281]
【表171】 [Table 171]
【0282】[0282]
【表172】 [Table 172]
【0283】[0283]
【表173】 [Table 173]
【0284】[0284]
【表174】 [Table 174]
【0285】[比較例]以下の表に、比較例として従来の
リチウムダイシリケート系の結晶を主結晶相とする結晶
ガラス基板を示した。Comparative Example The following table shows, as a comparative example, a crystal glass substrate having a conventional lithium disilicate-based crystal as a main crystal phase.
【0286】[0286]
【表175】 [Table 175]
【0287】[0287]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、アルカリ金属成分に関し低コロージョンでありな
がら高い膨張係数を持つ加工性の良好な結晶化ガラス基
板を提供することができた。As described above in detail, according to the present invention, a crystallized glass substrate having a high expansion coefficient and a good workability with a low corrosion rate with respect to an alkali metal component can be provided.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G062 AA11 BB01 DA06 DB03 DC01 DD03 DE03 DF01 EA03 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FB01 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN29 NN33 NN34 QQ02 QQ03 QQ08 QQ09 5D006 CB04 CB07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4G062 AA11 BB01 DA06 DB03 DC01 DD03 DE03 DF01 EA03 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FB01 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 H01H01H01H01H01H03H HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN29 NN33 NN34 QQ02 QQ03 QQ08 QQ09 5D006 CB04 CB07
Claims (12)
報記録媒体用の結晶化ガラス基板: 0 < Co < 150 70 < C.T.E < 150 ただし、 Co:2.5インチディスク用基板あたりのアルカリ金属成
分の移動量[ppb] C. T. E.:25℃〜100℃における線熱膨張係数[×10-7/
℃]1. A crystallized glass substrate for an information recording medium which satisfies the following conditions: 0 <Co <150 70 <CTE <150, where Co is an alkali metal component per 2.5 inch disk substrate. Transfer amount [ppb] CTE: linear thermal expansion coefficient at 25 ° C to 100 ° C [× 10 -7 /
° C]
徴とする請求項1記載の結晶化ガラス基板: SiO2 65w%以上で70w%以下、 Al2O3 3w%以上で10w%以下、 ZnO 3w%以上で10w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で5w%以下。2. The crystallized glass substrate according to claim 1, wherein the following components are contained by weight%: SiO 2 65 w% or more and 70 w% or less, Al 2 O 3 3 w% or more 10 w%. Below, 10 w% or less for ZnO 3 w% or more, 8 w% or less for Li 2 O 4 w% or more, 5 w% or less for ZrO 2 1 w% or more, and 5 w% or less for P 2 O 5 1 w% or more.
求項2記載の結晶化ガラス基板: 30 < Co < 1003. The crystallized glass substrate according to claim 2, wherein the following condition is satisfied: 30 <Co <100.
求項2または3のいずれかに記載の結晶化ガラス基板: 70 < C.T.E < 1204. The crystallized glass substrate according to claim 2, wherein the following condition is satisfied: 70 <CTE <120.
徴とする請求項1記載の結晶化ガラス基板: SiO2 55w%以上で65w%以下、 Al2O3 3w%以上で10w%以下、 ZnO 5w%以上で20w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で5w%以下。5. The crystallized glass substrate according to claim 1, comprising the following components in terms of% by weight: SiO 2 55% by weight or more and 65% by weight or less, Al 2 O 3 3% by weight or more by 10% by weight. Below, 20 w% or less when ZnO is 5 w% or more, 8 w% or less when Li 2 O is 4 w% or more, 5 w% or less when ZrO 2 is 1 w% or more, and 5 w% or less when P 2 O 5 is 1 w% or more.
求項5記載の結晶化ガラス基板: 70 < Co < 1506. The crystallized glass substrate according to claim 5, wherein the following condition is satisfied: 70 <Co <150.
求項5または6のいずれかに記載の結晶化ガラス基板: 60 < C.T.E < 1007. The crystallized glass substrate according to claim 5, wherein the following condition is satisfied: 60 <CTE <100.
徴とする請求項1記載の結晶化ガラス基板: SiO2 65w%以上で70w%以下、 Al2O3 5w%以上で10w%以下、 Li2O 4w%以上で8w%以下、 ZrO2 1w%以上で5w%以下、 P2O5 1w%以上で3w%以下。8. The crystallized glass substrate according to claim 1, comprising the following components in weight%: SiO 2 65 w% or more, 70 w% or less, Al 2 O 3 5 w% or more, 10 w%. hereinafter, 8w% in Li 2 O 4w% inclusive, 5w% by ZrO 2 1 w% or more or less, less 3w% in P 2 O 5 1w% or more.
求項8記載の結晶化ガラス基板: 30 < Co < 1009. The crystallized glass substrate according to claim 8, wherein the following condition is satisfied: 30 <Co <100.
請求項8または9のいずれかに記載の結晶化ガラス基
板: 80 < C.T.E < 15010. The crystallized glass substrate according to claim 8, wherein the following condition is satisfied: 80 <CTE <150.
溶体、石英、石英固溶体、リチウムジンクシリケート、
リチウムジンクシリケート固溶体のうち少なくとも1つ
が主結晶相である請求項1乃至10のいずれかに記載の
結晶化ガラス基板。11. Cristobalite, cristobalite solid solution, quartz, quartz solid solution, lithium zinc silicate,
The crystallized glass substrate according to any one of claims 1 to 10, wherein at least one of the lithium zinc silicate solid solutions is a main crystal phase.
溶体、石英、石英固溶体、リチウムジンクシリケート、
リチウムジンクシリケート固溶体、リチウムアルミノシ
リケート、リチウムアルミノシリケート固溶体のうち少
なくとも1つが副結晶相である請求項1乃至11のいず
れかに記載の結晶化ガラス基板。12. Cristobalite, cristobalite solid solution, quartz, quartz solid solution, lithium zinc silicate,
The crystallized glass substrate according to any one of claims 1 to 11, wherein at least one of a lithium zinc silicate solid solution, a lithium aluminosilicate, and a lithium aluminosilicate solid solution is a subcrystalline phase.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000341224A JP2002203309A (en) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | Crystallized glass substrate for information recording medium |
US09/986,360 US20020115550A1 (en) | 2000-08-11 | 2001-11-08 | Substrate made of glass ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000341224A JP2002203309A (en) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | Crystallized glass substrate for information recording medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002203309A true JP2002203309A (en) | 2002-07-19 |
Family
ID=18815999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000341224A Pending JP2002203309A (en) | 2000-08-11 | 2000-11-08 | Crystallized glass substrate for information recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002203309A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7013623B1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-02-15 | 株式会社オハラ | Crystallized glass and reinforced crystallized glass |
WO2022050105A1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 株式会社 オハラ | Reinforced crystallized glass |
EP3936484A4 (en) * | 2019-03-06 | 2022-12-07 | Ohara, Inc. | Inorganic composition article and crystallized glass |
WO2023095454A1 (en) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | 株式会社オハラ | Inorganic composition article |
WO2023145956A1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | 株式会社オハラ | Inorganic composition article |
KR102685143B1 (en) | 2020-09-04 | 2024-07-16 | 가부시키가이샤 오하라 | Crystallized glass and tempered crystallized glass |
-
2000
- 2000-11-08 JP JP2000341224A patent/JP2002203309A/en active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3936484A4 (en) * | 2019-03-06 | 2022-12-07 | Ohara, Inc. | Inorganic composition article and crystallized glass |
EP4234506A1 (en) * | 2019-03-06 | 2023-08-30 | Ohara, Inc. | Inorganic composition article and crystallized glass |
US11807568B2 (en) | 2019-03-06 | 2023-11-07 | Ohara Inc. | Inorganic composition article |
JP7013623B1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-02-15 | 株式会社オハラ | Crystallized glass and reinforced crystallized glass |
WO2022050105A1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 株式会社 オハラ | Reinforced crystallized glass |
WO2022050104A1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 株式会社 オハラ | Crystallized glass and reinforced crystallized glass |
KR102685143B1 (en) | 2020-09-04 | 2024-07-16 | 가부시키가이샤 오하라 | Crystallized glass and tempered crystallized glass |
WO2023095454A1 (en) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | 株式会社オハラ | Inorganic composition article |
WO2023145956A1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | 株式会社オハラ | Inorganic composition article |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6593257B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6524982B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6514890B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6645891B2 (en) | Glass composition for crystallized glass | |
US6635591B2 (en) | Glass composition for crystallized glass | |
US6458728B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
JP2002203309A (en) | Crystallized glass substrate for information recording medium | |
US6458730B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6649549B2 (en) | Glass composition for crystallized glass | |
US6583077B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
JP2002145641A (en) | Crystallized glass substrate for information recording medium | |
JP2002203310A (en) | Crystallized glass substrate for information recording medium | |
US6642161B2 (en) | Glass composition for crystallized glass | |
JP4214673B2 (en) | Crystallized glass substrate for information recording media | |
JP2002203311A (en) | Crystallized glass substrate for information recording medium | |
US6458729B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6593259B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6624101B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6596659B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6573206B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6610620B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
JP2002145639A (en) | Crystallized glass substrate for information recording medium | |
US6569791B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6569790B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6642162B2 (en) | Glass composition for crystallized glass |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20050615 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050622 |