JP2002176001A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002176001A5 JP2002176001A5 JP2000370783A JP2000370783A JP2002176001A5 JP 2002176001 A5 JP2002176001 A5 JP 2002176001A5 JP 2000370783 A JP2000370783 A JP 2000370783A JP 2000370783 A JP2000370783 A JP 2000370783A JP 2002176001 A5 JP2002176001 A5 JP 2002176001A5
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000370783A JP2002176001A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000370783A JP2002176001A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002176001A JP2002176001A (ja) | 2002-06-21 |
JP2002176001A5 true JP2002176001A5 (ja) | 2008-01-24 |
Family
ID=18840609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000370783A Withdrawn JP2002176001A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002176001A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6759313B2 (en) | 2000-12-05 | 2004-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Method of fabricating a semiconductor device |
JP4815600B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2011-11-16 | 株式会社テラセミコン | 多結晶シリコン薄膜製造方法及びその製造装置 |
CN115347125A (zh) * | 2022-10-18 | 2022-11-15 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 一种钙钛矿材料快速原位退火的方法及退火装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5938584A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-02 | ウシオ電機株式会社 | 照射加熱炉の運転方法 |
JPS6229131A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-07 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
JPH069193B2 (ja) | 1987-02-17 | 1994-02-02 | 信越石英株式会社 | 減圧熱処理装置に用いられる反応管 |
JPH05198507A (ja) * | 1991-09-21 | 1993-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体作製方法 |
JPH06268242A (ja) | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シリコン基板の製造方法および結晶質シリコン太陽電池 |
JPH0729839A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-01-31 | Sony Corp | 熱処理装置及びこれを用いた熱処理方法 |
JP3212060B2 (ja) | 1993-09-20 | 2001-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3311522B2 (ja) | 1994-05-30 | 2002-08-05 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH08264472A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP3539821B2 (ja) | 1995-03-27 | 2004-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3071129B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2000-07-31 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5773329A (en) * | 1996-07-24 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Polysilicon grown by pulsed rapid thermal annealing |
JPH1197706A (ja) | 1997-09-23 | 1999-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
KR100634642B1 (ko) * | 1998-11-20 | 2006-10-16 | 스티그 알티피 시스템즈, 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼의 급속 가열 및 냉각 장치 |
JP2000260710A (ja) | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及びアニール装置 |
-
2000
- 2000-12-05 JP JP2000370783A patent/JP2002176001A/ja not_active Withdrawn