JP2002015694A - Rf accelerated ion-implantation apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造に
用いられるRF加速型イオン注入装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an RF acceleration type ion implantation apparatus used for manufacturing a semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】RF加速型イオン注入装置は、ボロン
B、リンP等の不純物原子をイオンにして、これに高電
圧を印加し分離、加速させ半導体ウエハに打ち込むこと
により、不純物のドーピングを行うものである。2. Description of the Related Art An RF-accelerated ion implantation apparatus performs impurity doping by converting impurity atoms such as boron B and phosphorus P into ions, applying a high voltage thereto, separating and accelerating the ions, and implanting them into a semiconductor wafer. Things.
【0003】従来のRF加速型イオン注入装置は図4に
示すように、イオンビーム2を発生させるイオン源1
と、このイオンビーム2を加速するDC電圧加速部3
と、イオンビーム2を選別するための質量分析マグネッ
ト4と、選別されたイオンビームを高周波により加速す
るためのRF加速部6と、加速されたイオンビームのエ
ネルギーを測定するためのエネルギー分析マグネット8
と、ウエハ14を保持するディスク13とから主に構成
されていた。As shown in FIG. 4, a conventional RF acceleration type ion implantation apparatus has an ion source 1 for generating an ion beam 2.
And a DC voltage accelerating unit 3 for accelerating the ion beam 2
A mass analysis magnet 4 for selecting the ion beam 2, an RF acceleration unit 6 for accelerating the selected ion beam with high frequency, and an energy analysis magnet 8 for measuring the energy of the accelerated ion beam.
And a disk 13 for holding a wafer 14.
【0004】そしてRF加速部を通過し、高周波周期の
不連続なバンチ(束)ビーム7のエネルギーは、予めエ
ネルギー値のわかったDCビームを使用して、校正され
たエネルギー分析マグネット8部の磁場計測ユニット9
の出力値と、理論式上の磁場強度Bとの相関データによ
り決定されていた。The energy of the bunch (bundle) beam 7 which has passed through the RF accelerating unit and has a high frequency cycle is converted into a magnetic field of the energy analyzing magnet 8 calibrated by using a DC beam whose energy value is known in advance. Measuring unit 9
And the correlation data between the magnetic field intensity B on the theoretical formula and the output value of
【0005】例えば図5に示すように、イオン質量数を
m、電荷数をq、(加速)エネルギーをE、ビーム軌道
上必要な磁場強度をB、電子の電荷をe、マグネット曲
率半径をrとすると、B=(2mE)0.5/(req)
という関係式で表すことができる。この際、mとrとe
とqは既知値なので、必要磁場強度Bが決まればその磁
場領域を通過するイオンビーム2のエネルギーEが決定
できる。For example, as shown in FIG. 5, the ion mass number is m, the charge number is q, the (acceleration) energy is E, the required magnetic field strength on the beam orbit is B, the electron charge is e, and the magnet curvature radius is r. Then, B = (2 mE) 0.5 / (req)
It can be expressed by the relational expression. At this time, m, r and e
Since q and q are known values, once the required magnetic field strength B is determined, the energy E of the ion beam 2 passing through the magnetic field region can be determined.
【0006】また従来のエネルギーの管理として、エネ
ルギー分析マグネット8のマグネット電流値( B)を
マグネット電流計10で測定して用いる場合もあった。As a conventional energy management, the magnet current value (B) of the energy analyzing magnet 8 is sometimes measured by a magnet ammeter 10 and used.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のRF加速型イオン注入装置では、磁場計測ユニ
ット9は、エネルギー分析マグネット8に固定されてお
り、メンテナンス時やトラブル対応時にエネルギー分析
マグネット8の取り外しを行った場合や、磁場計測ユニ
ット9の位置ずれなどを生じた場合に、磁場計測ユニッ
ト9の出力値異常が生じる場合があった。これによりエ
ネルギーずれが起き、注入されるイオンの深さや濃度が
異なり、半導体装置の特性異常が発生し、製造歩留まり
を低下させるという問題点があった。However, in the above-described conventional RF-accelerated ion implantation apparatus, the magnetic field measurement unit 9 is fixed to the energy analysis magnet 8 so that the energy analysis magnet 8 can be used for maintenance and troubleshooting. In some cases, such as when the magnetic field measurement unit 9 is displaced or when the magnetic field measurement unit 9 is displaced, an abnormal output value of the magnetic field measurement unit 9 occurs. As a result, an energy shift occurs, the depth and concentration of implanted ions are different, and a characteristic abnormality of the semiconductor device occurs, resulting in a problem of lowering a manufacturing yield.
【0008】本発明の目的は、磁場計測ユニットの出力
値異常に伴うエネルギーずれを独立した別の管理方法に
て検知可能とし、これをイオン注入開始前に確認するこ
とにより、製品の製造歩留まりの低下を防止することの
できるRF加速型イオン注入装置を提供することにあ
る。An object of the present invention is to make it possible to detect an energy shift caused by an abnormal output value of a magnetic field measuring unit by another independent management method, and to confirm this before starting the ion implantation, thereby reducing the production yield of a product. An object of the present invention is to provide an RF-accelerated ion implantation apparatus capable of preventing a decrease.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】第1の発明のRF加速型
イオン注入装置は、イオン源から発生したイオンビーム
を選別する質量分析マグネットと、選別されたイオンビ
ームを高周波により加速し不連続なバンチビームとする
RF加速部と、このRF加速部からのイオンが注入され
る半導体ウエハを保持するデスク部とを有するRF加速
型イオン注入装置において、前記イオンビームのイオン
のエネルギー測定手段を2つ備えている事を特徴とする
ものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided an RF-accelerated ion implanter for mass-analyzing a magnet for selecting an ion beam generated from an ion source, and a discontinuous device for accelerating the selected ion beam by a high frequency. In an RF-accelerated ion implanter having an RF accelerating part for bunch beam and a desk for holding a semiconductor wafer into which ions from this RF accelerating part are implanted, two means for measuring the energy of ions of the ion beam are provided. It is characterized by having.
【0010】第2の発明のRF加速型イオン注入装置
は、イオン源から発生したイオンビームを選別する質量
分析マグネットと、選別されたイオンビームを高周波に
より加速し不連続なバンチビームとするRF加速部と、
前記バンチビームの経路内に所定の間隔で設けられた2
つのビーム電流計測計とを含むことを特徴とするもので
ある。According to a second aspect of the present invention, there is provided an RF-accelerated ion implantation apparatus for selecting an ion beam generated from an ion source, and an RF acceleration for accelerating the selected ion beam with a high frequency to produce a discontinuous bunch beam. Department and
2 provided at predetermined intervals in the path of the bunch beam
And two beam current meters.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の第1の実施の形態を説明す
る為のRF加速型イオン注入装置の構成図、図2は図1
におけるビーム電流計測計近傍の拡大構成図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of an RF accelerated ion implantation apparatus for explaining a first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is an enlarged configuration diagram near a beam current meter in FIG.
【0012】図1を参照すると第1の実施の形態のRF
加速型イオン注入装置は、イオンビーム2を発生させる
イオン源1と、このイオンビーム2を加速するDC電圧
加速部3と、イオンビーム2を選別するための質量分析
マグネット4と、選別されたイオンビームを高周波によ
り加速するための共振器15を有するRF加速部6と、
加速されたイオンビームのエネルギーを測定するための
マグネット8と、イオンビームの経路内に所定の間隔で
設けられイオンの速度を測定するための2つのビーム電
流計測計11、12と、ウエハ14を保持するディスク
13とから主に構成されている。以下その動作について
説明する。Referring to FIG. 1, the RF of the first embodiment is described.
The accelerated ion implanter includes an ion source 1 for generating an ion beam 2, a DC voltage accelerating unit 3 for accelerating the ion beam 2, a mass analysis magnet 4 for selecting the ion beam 2, and a selected ion. An RF accelerating unit 6 having a resonator 15 for accelerating the beam with a high frequency;
The magnet 8 for measuring the energy of the accelerated ion beam, two beam current meters 11 and 12 provided at predetermined intervals in the path of the ion beam for measuring the velocity of the ion, and the wafer 14 It is mainly composed of a disk 13 to be held. The operation will be described below.
【0013】イオン源1にて生成されたイオンビーム2
は、DC電圧加速部3により引き出され、質量分析マグ
ネット4に入射する。入射したイオンビーム2は、質量
分析マグネット4のマグネット電流量を変化させること
による電磁場によりビームの軌道が曲げられる。そし
て、この際ビーム電流計測計5に入射したイオンビーム
の電流情報により、注入に必要なイオン種のみに分類さ
れる。この時点ではイオンビーム2は、DC電圧加速部
3により連続したビームのまま、RF加速部6に輸送さ
れる。RF加速部6にイオンビーム2が入射する際、こ
れまで連続していたイオンビーム2は、高周波により加
減速され、高周波周期の不連続なバンチビーム7とな
る。バンチビーム7は、RF加速部6において、複数の
静電四重極レンズにより、ビームの発散を防ぎ、かつ位
相調整を行いながら複数の共振器15により加速され
る。Ion beam 2 generated by ion source 1
Is extracted by the DC voltage acceleration unit 3 and enters the mass analysis magnet 4. The trajectory of the incident ion beam 2 is bent by an electromagnetic field caused by changing a magnet current amount of the mass analysis magnet 4. At this time, according to the current information of the ion beam incident on the beam current meter 5, the ion beam is classified into only ion species necessary for implantation. At this point, the ion beam 2 is transported to the RF acceleration unit 6 as a continuous beam by the DC voltage acceleration unit 3. When the ion beam 2 is incident on the RF acceleration unit 6, the ion beam 2 that has been continuous up to now is accelerated and decelerated by a high frequency, and becomes a bunch beam 7 having a discontinuous high frequency cycle. The bunch beam 7 is accelerated by the plurality of resonators 15 in the RF accelerator 6 while preventing divergence of the beam and adjusting the phase by the plurality of electrostatic quadrupole lenses.
【0014】イオン注入装置は、予めエネルギー値とエ
ネルギー分析マグネット部8に設置されている磁場計測
ユニット9の出力値の相関データを有している。またイ
オン注入装置は、注入に必要なエネルギーを得るために
必要な磁場計測ユニット9の出力値を指定する。この指
定された磁場計測ユニット9の出力値となるように、エ
ネルギー分析マグネット8の電磁場が調整される。この
電磁場を通過できるバンチビーム7が第1ビーム電流計
測計11にて計測され、注入に必要なエネルギー値とな
っていると判断される。この際、ビーム電流計測計11
とそのビーム経路後方に位置する第2ビーム電流計測計
12とに入射されるバンチビーム7の電流情報により、
注入されるバンチビーム7が必要とされるエネルギーに
加速されていることを2重確認される。この状態で、エ
ネルギーが適正値に調整されたと判断され、ディスク1
3上に位置するウエハ14にイオン注入が行われる。The ion implanter has in advance correlation data of an energy value and an output value of a magnetic field measuring unit 9 installed in the energy analyzing magnet unit 8. Further, the ion implantation apparatus specifies an output value of the magnetic field measurement unit 9 necessary for obtaining energy required for implantation. The electromagnetic field of the energy analysis magnet 8 is adjusted so that the specified output value of the magnetic field measurement unit 9 is obtained. The bunch beam 7 that can pass through the electromagnetic field is measured by the first beam current meter 11, and is determined to have an energy value necessary for injection. At this time, the beam current meter 11
And the current information of the bunch beam 7 incident on the second beam current meter 12 located behind the beam path,
It is double confirmed that the injected bunch beam 7 is accelerated to the required energy. In this state, it is determined that the energy has been adjusted to an appropriate value, and the disc 1
Ion implantation is performed on the wafer 14 located above the wafer 3.
【0015】このように構成された第1の実施の形態に
よれば、従来のようにエネルギー分析マグネット8の電
磁場を調整すること(またはマグネット電流の測定)に
よりイオンビームのイオンエネルギーEを測定するとと
もに、バンチビーム7の経路内に設けた第1ビーム電流
計測計11と第2ビーム電流計測計12によりイオンの
速度を測定することにより、イオンエネルギーEを2重
に確認することができる。以下図2を用いてイオンエネ
ルギーの測定方法について説明する。According to the first embodiment configured as described above, the ion energy E of the ion beam is measured by adjusting the electromagnetic field of the energy analyzing magnet 8 (or measuring the magnet current) as in the related art. At the same time, the ion energy E can be double-confirmed by measuring the velocity of the ions with the first beam current meter 11 and the second beam current meter 12 provided in the path of the bunch beam 7. Hereinafter, a method of measuring ion energy will be described with reference to FIG.
【0016】ビーム電流情報受信部18は、バンチビー
ム7となったイオンビーム2の情報を高周波電源16よ
り得る。また、移動距離dで設置された第1ビーム電流
計測計11と第2ビーム電流計測計12は、真空室24
をシリンダー17によって移動可能な構成を有してお
り、エネルギー値の判定時にはビーム軌道位置に移動
し、所要のエネルギー値に調整完了後、実注入時には、
ビーム軌道外に移動可能となっている。The beam current information receiving section 18 obtains information on the ion beam 2 that has become the bunch beam 7 from the high frequency power supply 16. Further, the first beam current meter 11 and the second beam current meter 12 installed at the moving distance d are
Has a configuration that can be moved by the cylinder 17, moves to the beam orbital position when the energy value is determined, and after the adjustment to the required energy value is completed, at the time of actual injection,
It can move out of the beam orbit.
【0017】高周波電源16により作成されたバンチビ
ーム7のうち、ビーム軌道中心部を通過するイオンビー
ム径の約半分のビーム電流量が第1ビーム電流計測計1
1に、もう半分が第2ビーム電流計測計12によって測
定される。移動距離dに位置する上記2つのビーム電流
計測計よりビーム電流情報を得ることが出来る。この3
つの情報をビーム電流情報受信部18にて受信し連続し
て発生してくるバンチビーム7のうち、同一のバンチビ
ーム7を異なる2種のビーム電流計測計11,12で測
定することが可能である。ここで得られた情報を基に移
動時間算出部19にて移動時間t(第1ビーム電流計測
計11を通過したバンチビーム7が第2ビーム電流計測
計12を通過するまでに経過した時間)を算出する。In the bunch beam 7 generated by the high-frequency power supply 16, the beam current amount of about half the diameter of the ion beam passing through the center of the beam orbit is measured by the first beam current meter 1.
First, the other half is measured by the second beam ammeter 12. Beam current information can be obtained from the two beam current meters located at the moving distance d. This 3
Two pieces of information are received by the beam current information receiving unit 18, and among the bunch beams 7 continuously generated, the same bunch beam 7 can be measured by two different types of beam current meters 11 and 12. is there. Based on the information obtained here, the movement time calculator 19 calculates the movement time t (the time elapsed until the bunch beam 7 that has passed through the first beam current meter 11 passes through the second beam current meter 12). Is calculated.
【0018】この時点で、目的とするイオン質量数m、
移動距離d(定数)が分かっている為、現在のエネルギ
ーをエネルギー演算部20にて算出することが可能とな
る。得られた結果から、所要のエネルギー値との比較を
行い、次のステップとして、所要のエネルギーが得られ
ている場合には、注入22が可能となり、注入制御部2
1により注入を開始する指示が行われ、第1及び第2ビ
ーム電流計測計11,12は注入可能な位置に移動し、
ウエハ14へ注入が行えるようになる。また、所要のエ
ネルギー値でないと判定された場合には、再ビーム調整
23を行うように注入制御部21により指示され、所要
のエネルギー値となるまで、ビーム調整が行われる。At this point, the desired ion mass number m,
Since the moving distance d (constant) is known, the current energy can be calculated by the energy calculating unit 20. From the obtained result, comparison with a required energy value is performed, and as a next step, if the required energy is obtained, the injection 22 can be performed, and the injection control unit 2
The instruction to start the injection is given by 1 and the first and second beam current meters 11 and 12 move to the position where the injection is possible,
Implantation into the wafer 14 can be performed. When it is determined that the energy value is not the required energy value, the injection control unit 21 instructs the re-beam adjustment 23 to be performed, and the beam adjustment is performed until the required energy value is obtained.
【0019】イオン注入装置における運動エネルギーの
関係式を次に説明する。イオン質量数をm、加速エネル
ギーをE、イオン速度をv、移動距離をd、移動時間を
tとすると、E=(m×v2)/2=(m×(d/
t)2)/2という運動エネルギーの関係式で表すこと
が出来る。この際、m、dは既知値の為移動距離d(定
数)をバンチビーム7が通過する移動時間tが分かれば
加速エネルギーEを導き出すことができる。Next, the relational expression of the kinetic energy in the ion implantation apparatus will be described. When the ion mass number is m, the acceleration energy is E, the ion velocity is v, the moving distance is d, and the moving time is t, E = (m × v 2 ) / 2 = (m × (d /
t) 2 ) / 2 can be represented by a kinetic energy relational expression. At this time, since m and d are known values, the acceleration energy E can be derived if the moving time t during which the bunch beam 7 passes through the moving distance d (constant) is known.
【0020】図3は本発明の第2の実施の形態を説明す
るためのビーム電流計測計近傍の構成図である。基本的
には、移動距離d(定数)をバンチビーム7が通過する
移動時間tが検出できるハード構成が取れれば、どのよ
うな実施の形態でも可能ということになるが、ここでは
第1及び第2ビーム電流計測計の形状を変更した例を示
す。FIG. 3 is a configuration diagram near a beam current measurement meter for explaining a second embodiment of the present invention. Basically, if a hardware configuration capable of detecting the movement time t of the bunch beam 7 passing through the movement distance d (constant) can be obtained, any embodiment is possible. An example in which the shape of the two-beam current meter is changed is shown.
【0021】具体的には、ビーム軌道上にビーム電流計
測計11の代わりに、ドーナツ状の第1ビーム電流計測
計11Aを搭載し、ビーム軌道上の中心部を空洞とす
る。空洞部分より外周部に位置するビーム電流量が第1
ビーム電流計測計11Aにて計測され、中央部分を通過
するビームは駆動位置調整を行い、ビーム軌道中心に計
測系の中心を位置するように変更した第2ビーム電流計
測計12Aにより計測される。これによりその他の機構
を変更せずに、同様な処理が可能となる。Specifically, a donut-shaped first beam current measuring instrument 11A is mounted on the beam orbit in place of the beam current measuring instrument 11, and the center of the beam orbit is made hollow. The beam current amount located on the outer peripheral portion from the hollow portion is the first
The beam passing through the central portion is measured by the beam current meter 11A, the drive position is adjusted, and the beam is measured by the second beam current meter 12A modified so that the center of the measurement system is located at the center of the beam orbit. As a result, similar processing can be performed without changing other mechanisms.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、新
規に設けられたイオンビームの移動時間tによるエネル
ギー管理により、これまでのエネルギー分析マグネット
の磁場計測ユニットの出力値での管理方法に加えた管理
が行える為、エネルギー値の2重管理化が可能となる。
また、メンテナンス時やトラブル対応時にエネルギー分
析マグネットの取り外しや磁場計測ユニットの位置ずれ
などによって生じる、磁場計測ユニットの出力値異常に
伴うエネルギーずれを独立した別の管理方法にて検知が
可能となり、これをイオン注入開始前に確認することに
より、製品の歩留まり低下を防止することができる。As described above, according to the present invention, the energy management based on the movement time t of the newly provided ion beam allows the energy management magnet to be managed by the output value of the magnetic field measuring unit. Since the added management can be performed, the energy value can be double managed.
In addition, it is possible to detect the energy shift due to the abnormal output value of the magnetic field measurement unit due to the removal of the energy analysis magnet or the position shift of the magnetic field measurement unit at the time of maintenance or troubleshooting, using another independent management method. Is confirmed before the start of ion implantation, it is possible to prevent a decrease in product yield.
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明するためのR
F加速型イオン注入装置の構成図。FIG. 1 is a diagram for explaining a first embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a configuration diagram of an F-acceleration ion implantation apparatus.
【図2】ビーム電流計測計近傍の拡大構成図。FIG. 2 is an enlarged configuration diagram near a beam current measurement meter.
【図3】第2の実施の形態を説明するためのビーム電流
計測計近傍の拡大構成図。FIG. 3 is an enlarged configuration diagram in the vicinity of a beam current meter for describing a second embodiment.
【図4】従来のRF加速型イオン注入装置の構成図。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional RF acceleration type ion implantation apparatus.
【図5】イオンエネルギーを計算するためのエネルギー
分析マグネット近傍の構成図。FIG. 5 is a configuration diagram near an energy analysis magnet for calculating ion energy.
1 イオン源 2 イオンビーム 3 DC電圧加速部 4 質量分析マグネット 5 ビーム電流計測計 6 RF加速部 7 バンチビーム 8 エネルギー分析マグネット 9 磁場計測ユニット 10 マグネット電流計 11 第1ビーム電流計測計 11A 第1ビーム電流計測計 12 第2ビーム電流計測計 12A 第2ビーム電流計測計 13 ディスク 14 ウエハ 15 共振器 16 高周波電源 17 シリンダー 18 ビーム電流情報受信部 19 移動時間算出部 20 エネルギー演算部 21 注入制御部 22 注入 23 再ビーム調整 24 真空室 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ion source 2 Ion beam 3 DC voltage acceleration part 4 Mass analysis magnet 5 Beam current measurement instrument 6 RF acceleration part 7 Bunch beam 8 Energy analysis magnet 9 Magnetic field measurement unit 10 Magnet ammeter 11 1st beam current measurement instrument 11A 1st beam Current meter 12 Second beam current meter 12A Second beam current meter 13 Disk 14 Wafer 15 Resonator 16 High frequency power supply 17 Cylinder 18 Beam current information receiving unit 19 Moving time calculation unit 20 Energy calculation unit 21 Injection control unit 22 Injection 23 Re-beam adjustment 24 Vacuum chamber
Claims (7)
別する質量分析マグネットと、選別されたイオンビーム
を高周波により加速し不連続なバンチビームとするRF
加速部と、このRF加速部からのイオンが注入される半
導体ウエハを保持するデスク部とを有するRF加速型イ
オン注入装置において、前記イオンビームのイオンのエ
ネルギー測定手段を2つ備えている事を特徴とするRF
加速型イオン注入装置。1. A mass analysis magnet for selecting an ion beam generated from an ion source, and an RF for accelerating the selected ion beam by a high frequency to produce a discontinuous bunch beam
An RF acceleration type ion implantation apparatus having an acceleration section and a desk section for holding a semiconductor wafer into which ions from the RF acceleration section are implanted, is provided with two energy measuring means for the ions of the ion beam. Features RF
Accelerated ion implanter.
手段の1つはイオンビーム中のイオンの速度を測定する
ものである請求項1記載のRF加速型イオン注入装置。2. The RF-accelerated ion implantation apparatus according to claim 1, wherein one of the ion energy measuring means for the ion beam measures the velocity of the ions in the ion beam.
けられた2つのビーム電流計測計を用いてイオンのエネ
ルギーの速度を測定する請求項2記載のRF加速型イオ
ン注入装置。3. The RF-accelerated ion implantation apparatus according to claim 2, wherein the ion energy velocity is measured using two beam current meters provided at predetermined intervals in the path of the ion beam.
別する質量分析マグネットと、選別されたイオンビーム
を高周波により加速し不連続なバンチビームとするRF
加速部と、前記バンチビームの経路内に所定の間隔で設
けられた2つのビーム電流計測計とを含むことを特徴と
するRF加速型イオン注入装置。4. A mass analysis magnet for selecting an ion beam generated from an ion source, and an RF for accelerating the selected ion beam by a high frequency to produce a discontinuous bunch beam.
An RF-accelerated ion implanter comprising: an accelerating unit; and two beam current meters provided at predetermined intervals in a path of the bunch beam.
を二等分した一方の半分を入射させ、第2のビーム電流
計測計はバンチビームを二等分した他方の半分を入射さ
せるように構成されている請求項4記載のRF加速型イ
オン注入装置。5. A first beam current meter injects one half of a bisected beam of a bunch, and a second beam current meter inputs the other half of a beam of a bunch in half. The RF-accelerated ion implantation apparatus according to claim 4, which is configured.
の中心部を入射させ、第2のビーム電流計測計はバンチ
ビームの外周部を入射させるように構成されている請求
項4記載のRF加速型イオン注入装置。6. The RF according to claim 4, wherein the first beam current meter is configured to make the central portion of the bunch beam incident, and the second beam current meter is configured to make the outer peripheral portion of the bunch beam incident. Accelerated ion implanter.
ダーによりバンチビームの経路の位置から経路外に移動
できるように構成されている請求項4又は請求項5又は
請求項6記載のRF加速型イオン注入装置。7. The RF acceleration type according to claim 4, wherein the two beam current meters are configured to be movable from a position of a bunch beam path to a position outside the path by a cylinder. Ion implanter.
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