JP2001234389A - メッキ装置 - Google Patents
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Abstract
望されている。この要望に答えるために簡便な鉛フリー
の半田メッキ装置を提供する。 【解決手段】導電部材21を第1メッキ浴槽2のメッキ
液、第2メッキ浴槽3のメッキ液と順次浸漬して異なる
金属材料の2層のメッキ膜22、23を施すメッキ装置
において、第1メッキ浴槽2のメッキ液および第2メッ
キ浴槽3のメッキ液は、金属材料およびそれを溶かす酸
性溶剤を除いて同一の液構成にすることにより、水洗用
浴槽を不要にし且つメッキ液の濃度管理を容易にしたメ
ッキ方法を実現する。
Description
特に鉛フリーのメッキでかつ半田付け特性の良好な金属
材料のメッキ膜を連続して形成するメッキ装置に関す
る。
金のような導電部材の表面を、Sn単体またはSn合金
のメッキ層で被覆したリード材は、Cu単体またはCu
合金が備えている優れた導電性と機械的強度を有する。
なおかつ、そのリード材は、Sn単体またはSn合金が
備えている耐食性と良好な半田付け性をも併有する高性
能導体である。そのため、それらは、各種の端子、コネ
クタ、リードのような電気・電子機器分野や電力ケーブ
ルの分野などで多用されている。
場合には、半導体チップのアウターリード部にSn合金
を用いた溶融メッキや電気メッキを行うことにより、当
該アウターリード部の半田付け性を向上せしめることが
行われている。このようなSn合金の代表例は半田(S
n―Pb合金)であり半田付け性、耐食性などが良好な
ために、コネクタやリードフレームなどの電気・電子工
業用部品の工業用メッキ液として広く利用されている。
は人体に悪影響を与える虞があるとのことから有害性が
指摘されるようになり、Pbの使用を規制しようとする
動きが世界的に生じている。例えば、屋外に廃棄された
電子機械類などが酸性雨にさらされると、機械内部に使
用されている半田(Sn―Pb合金)や、電子部品の表
面に施されている半田メッキからPbが溶けだし、これ
が原因で地下水や河川が汚染される。環境汚染を防止す
るには、Pbを含有しないSn合金を使用することが最
善である。このため、従来のSn―Pbメッキ液に代わ
るPbを含有しない新しいメッキ液が開発されつつあ
る。そして、Pbを含有しないSnを主成分とするメッ
キ液、例えば、Sn―Bi系、Sn―Ag系、Sn―C
u系のメッキ液が開発されており、代替されつつある。
ある。例えば、導電部材21はCu、Cuを主成分とし
たCu系合金またはFe―Niを主成分としたFe―N
i系合金で構成されている。そして、それらの導電部材
21の表面には、異なる金属材料の2層のメッキ膜が施
されている。例えば、Snの第1メッキ膜22とSn―
Biの第2メッキ膜23がこの順序で形成されている。
ここで、第1メッキ膜22の厚さをt1、第2メッキ膜
3の厚さをt2としたとき、t1は約3〜15μm、t2
は約1〜5μm、t2/t1は約0.1〜0.5に設定す
ると、コストの面でも、半田付け性、耐熱性の点でも、
また半田の接合強度やアルミ線などとの溶接部の溶接強
度の点でも良好な特性があり、リード材としての性能向
上が得られるので好適であることが知られている。
ンに設置するための装置であり、図6は、自動メッキ装
置全体のレイアウトである。まず、半導体チップ(導電
部材)32をメッキ補助ラック31にセットし、作業ラ
インに据える。アルカリ電解洗浄浴槽51において、導
電部材21の表面における半田メッキ皮膜の密着性や半
田付け性を阻害する油脂等の有機性の汚染物質の除去を
行う。次に、水洗用浴槽52において洗浄された後、化
学エッチング浴槽53において、化学エッチング処理
(基本的には酸化―還元反応を利用した処理)を行い、
粒界や介在物などの存在により不均一な表面になってい
る導電部材21の表面を均一化する。
後、酸活性化浴槽55において、水洗用浴槽54で付着
した酸化膜を除去する。次に、水洗用浴槽56において
洗浄された後、半田メッキ装置57においてメッキが施
される。半田メッキ液は強酸性のため、メッキ後の表面
は酸性になっている。そのような表面では時間の経過と
ともに皮膜が変色し、半田付け性が劣化する。そのため
に、水洗用浴槽58、中和処理浴槽59において、メッ
キ表面に残留する酸を中和し、吸着している有機物を除
去する。その後、水洗用浴槽60、湯洗用浴槽61で洗
浄され、乾燥装置62において、メッキされた導電部材
を乾燥させる。
ッキを施す部分の詳細なレイアウトである。このメッキ
方法においては、プレデイップ浴槽571に導電部材2
1を浸漬して表面の水酸膜を除去し、第1メッキ浴槽5
72のメッキ液に浸漬し第1メッキ膜22を施した後、
導電部材21を第1メッキ浴槽572のメッキ液と第2
メッキ浴槽574のメッキ液との間に設けられていた水
洗用浴槽573の純水に浸漬して第1のメッキ液を取り
除き、続いて導電部材21を第2メッキ浴槽574のメ
ッキ液に浸漬し第2メッキ膜23を施す。そして、最後
に水洗用浴槽575でメッキ面の洗浄を行う。
2を施す第1メッキ浴槽572のメッキ液と第2メッキ
膜23を施す第2メッキ浴槽574のメッキ液は、それ
ぞれのメッキ液を構成する金属材料およびそれらを溶か
す酸性溶剤を除くと同一の液構成ではなかった。例え
ば、第1メッキ膜22がSn単体から成り第2メッキ膜
23がSn―Bi合金からなる場合、第1メッキ浴槽5
72および第2メッキ浴槽574のメッキ液の構成にお
いては、有機酸、溶剤、および純水に関しては同一の材
料を使用している。しかし、添加剤に関しては、前者
は、一般に半田メッキ液用の添加剤を使用し、後者は、
一般にSn―Biメッキ液用の添加剤を使用している。
9152号公報に説明されている。
第1メッキ膜22を施す第1メッキ浴槽572のメッキ
液と第2メッキ膜23を施す第2メッキ浴槽574のメ
ッキ液は、それぞれのメッキ液を構成する金属材料およ
びそれらを溶かす溶剤を除くと同一の液構成ではない。
そのため、第1メッキ浴槽572のメッキ液が導電部材
21に付着して第2メッキ浴槽574のメッキ液内に直
接持ち込まれることがないように、第1メッキ浴槽57
2のメッキ液と第2メッキ浴槽574のメッキ液との間
に水洗用浴槽573が設けられている。そして、この水
洗用浴槽573の純水を使用して第1メッキ浴槽572
のメッキ液を除去をしなければならなかった。従って、
従来のメッキ方法では水洗用浴槽573が不可欠であ
り、余分な工程を必要とする問題があった。
浴槽574のメッキ液において、第1メッキ膜22が施
された導電部材21が、水洗用浴槽573で洗浄された
後第2メッキ浴槽574のメッキ液に浸漬される際、水
洗用浴槽573の純水が混入する。そのため、第2メッ
キ浴槽574のメッキ液が希釈されるので第2メッキ浴
槽574のメッキ液の構成管理および濃度管理が必ず必
要であり、工程管理が複雑であるという問題もあった。
よび第2メッキ浴槽574のメッキ液内に含まれる金属
材料は、導電部材21にメッキされるほかに、アノード
にも置換析出される。しかし、第2メッキ液を構成する
第2金属材料であるBi、AgおよびCuに関しては、
アノードに顕著に置換析出されるため、補充される量も
大幅に多くなる。一方、金属材料(特にBi、Agおよ
びCu)は高価であるため、コスト高の原因となる問題
もあった。
ついて、使用したメッキ液を短時間でも休止させた場
合、第2金属材料であるBi、AgおよびCuはアノー
ドに置換析出し減少する。そのため、第2メッキ浴槽5
74のメッキ液を使用しない際は、別の浴槽に収納して
いた。その際、第2メッキ浴槽574のメッキ液の浴量
が多く収納に多大な時間を要し、作業効率が悪いという
問題があった。
の問題点に鑑みてなされたもので、導電部材の表面に、
異なる金属材料のまたは金属材料は同一であるが金属材
料の組成比率が異なる2層のメッキ膜である第1メッキ
膜22と第2メッキ膜23を施すメッキ装置において、
作業工程の短縮、濃度管理の簡易化できるメッキ方法を
可能にするメッキ装置を提供することを目的とする。
おいては、第1メッキ浴槽のメッキ液および第2メッキ
浴槽のメッキ液に含まれる構成を第1および第2金属材
料およびそれらを溶かす酸性溶剤を除くと実質的に同一
の液構成とすることに特徴を有する。具体的には第1メ
ッキ浴槽のメッキ液と第2メッキ浴槽のメッキ液に含ま
れる第1および第2金属材料およびそれらを溶かす酸性
溶剤を除いた有機酸、溶剤、添加剤および純水を実質的
に同一の液構成とすることに特徴がある。
を実施するためのメッキを施す部分のレイアウトを示し
たものであり、図6に示した全体のメッキ装置の半田メ
ッキ装置57に該当する。
ップ浴槽1、第1メッキ浴槽2、第2メッキ浴槽3、水
洗用浴槽4とで構成されている。プレデイップ浴槽1で
は、導電部材21(図3参照)に前の水洗用浴槽36
(図4参照)で洗浄される際に付着した酸化膜を除去
し、導電部材21の表面を活性状態にする。第1メッキ
浴槽2では、導電部材21に第1メッキ膜22を施し、
そして、第2メッキ浴槽3では、導電部材21に第2メ
ッキ膜23を施す。ここで、メッキ膜厚については、従
来どおり第1メッキ膜22の厚さをt1、前記第2メッ
キ膜23の厚さをt2としたとき、t1は約3〜15μ
m、t2は約1〜5μm、t2/t1は約0.1〜0.5
となるようにメッキされる。なおリード材の構造は図3
と同じであるので符号を共通とした。
および第2メッキ浴槽3のメッキ液に含まれる第1およ
び第2金属材料およびそれらを溶かす酸性溶剤を除いた
溶液を同一の液構成にした。このことにより、導電部材
21を第1メッキ浴槽2のメッキ液に浸漬して第1メッ
キ膜22を施した後、連続して第2メッキ浴槽3のメッ
キ液に浸漬して第2メッキ膜23とを施すことができる
ことに特徴を有する。
構成としては、第1金属材料をSnとし、この金属材料
およびこれを溶かす酸性溶剤を除いた溶液は有機酸、溶
剤、添加剤および純水で構成されている。例えば、有機
酸にはメタンスルホン酸またはプロパノールスルホン酸
が含まれ、溶剤にはイソプロピルアルコールが含まれて
いる。そして、第2メッキ浴槽3のメッキ液の構成とし
ては、Bi、Ag、およびCuの中から選ばれる少なく
とも1種類の第2金属材料と第1金属材料であるSnと
が含まれるものを金属材料とし、これらの金属材料およ
びこれらを溶かす酸性溶剤を除いた溶液は有機酸、溶
剤、添加剤および純水で構成されている。例えば、第1
メッキ浴槽2と同様に、有機酸にはメタンスルホン酸ま
たはプロパノールスルホン酸が含まれ、溶剤にはイソプ
ロピルアルコールが含まれている。
部材21に第1メッキ浴槽2のメッキ液が付着して、第
2メッキ浴槽3のメッキ液内に持ち込まれる。その結
果、2つのメッキ液が混入したとしても第1および第2
金属材料およびそれらを溶かす酸性溶剤を除いて同一の
液構成としたため、第2メッキ浴槽3のメッキ液の構成
が乱されることはない。
金属材料は酸性溶剤に溶かして用いられる。しかし、そ
の酸性溶剤はメッキ液の量に比べて極めて少量であるた
め、多少含まれてもそのメッキ液の構成になんら影響を
与えることはない。
のメッキ液に浸漬し第1メッキ膜22を施した後、連続
して導電部材21を第2メッキ浴槽3のメッキ液に浸漬
し第2メッキ膜23を施すことができるようになる。そ
のため、従来における第1メッキ浴槽572(図7参
照)と第2メッキ浴槽574との間に設けられていた水
洗用浴槽573を省略することができる。このことによ
り、第1メッキ膜22を施した後の水洗用浴槽による洗
浄を省略することができ、作業工程および作業時間の短
縮が図れる。
ては、上記したようにこのメッキ作業工程上において、
第1メッキ浴槽2のメッキ液が導電部材21に付着して
第2メッキ浴槽3のメッキ液に混入する。この時、第2
メッキ浴槽3のメッキ液では、導電部材21に付着して
第1金属材料であるSnは持ち込まれる。しかし、B
i、Ag、およびCuの中で使用される第2金属材料は
持ち込まれない。更に、Bi、Ag、およびCuの中で
使用される第2金属材料は導電部材21にSnとの合金
として析出される他、アノードに置換析出される。ま
た、それに加えてそれらBi、Ag、およびCuの中で
使用される第2金属材料は導電部材21に付着し持ち出
されるので、第1金属材料であるSnと比べて特に減少
が著しい。
度、メッキ時間およびメッキ液濃度によりメッキ膜の厚
さおよびメッキ膜組成は制御されるため、電流密度、メ
ッキ時間およびメッキ濃度を一定に保つことにより、メ
ッキ膜厚およびメッキ膜組成の管理を行える。このこと
により、メッキ膜に析出される金属材料の量あるいはメ
ッキ液濃度が管理され、析出による金属材料の減少がみ
られる場合は補充を行えば良い。第1メッキ浴槽2およ
び第2メッキ浴槽3のメッキ液の金属材料は、上記した
様に、アノードに置換析出および導電部材21による持
ち出しによる減少もある。しかし、第1メッキ浴槽2お
よび第2メッキ浴槽3のアノードが純度、例えば99.
9%以上のSnで形成されているので、メッキ液の第1
金属材料であるSnは、主にアノードの溶解により補わ
れる他、定期的な分析により必要に応じて溶液補充され
る。
液の濃度管理を行う場合、各々の液濃度としては、Sn
2+濃度が30〜60(g/L)、遊離酸濃度が120〜
160(g/L)、添加剤濃度が20〜50(ml/
L)の間にメッキ液の濃度が保たれるようにSnの管理
をする。しかし、上記したように、第1メッキ浴槽2の
管理では、Snはアノード溶解があるため、第1メッキ
浴槽3の管理ほど頻度を必要としない。
属材料であるSnは前述された様にアノードの溶解で補
充されるので、Snより減少の著しいBi、Ag、およ
びCuの中から選ばれる第2金属材料の濃度を主に管理
しておけば良い。
(重量%)のメッキ液の濃度管理を行う場合、各々の液
濃度としては、Sn2+濃度が50〜60(g/L)、B
i3+濃度が3.0〜4.2(g/L)、遊離酸濃度が1
20〜160(g/L)、添加剤濃度が20〜40(m
l/L)の間にメッキ液の濃度が保たれるようにBiの
管理をする。
作業速度の一定化、かつ、第1メッキ浴槽2および第2
メッキ浴槽3における電流密度を一定に保つことができ
るため、第2メッキ浴槽3の第2金属材料であるBi、
Ag、およびCuの管理も容易になる。つまり、第2メ
ッキ浴槽3では、Bi、Ag、およびCuの第2金属材
料を定期的に補充することで簡単に濃度管理が行えるよ
うになる。この結果、第2メッキ浴槽3のメッキ液の金
属材料の濃度を一定に保つことができ、第2メッキ膜2
3の膜厚およびメッキ膜組成を均一にすることができ
る。
ッキ浴槽3との関係を示している。ここで、メッキ膜厚
t1、t2が、t1>t2の関係を満足するとき、第1メッ
キ浴槽の作業方向の長さZ1、第2メッキ浴槽の作業方
向の長さZ2としたとき、同じ断面積(X1×Y1=X2×
Y2)であれば、Z1、Z2は、Z1>Z2の関係が成立す
る。よって、図3からも明らかのように、第1メッキ浴
槽2の体積をL1(=X1×Y1×Z1)、第2メッキ浴槽
3の体積をL2(=X2×Y2×Z2)としたとき、L1、
L2は、L1>L2の関係が成り立つことが明らかにな
る。
2メッキ浴槽3の詳細なレイアウトである。第1メッキ
浴槽2および第2メッキ浴槽3では、アノードは、1箇
所2本ずつ設置できるように設計されている。そして、
第1メッキ浴槽2では、1番始点側の設置個所は、メッ
キ膜厚、メッキ液濃度または電流密度など諸条件に対応
できるようになっている。また、それぞれのメッキ浴槽
内では、メッキが施されるときに生成する沈殿物、アノ
ード(陽極)41に発生する不溶性不純物が混入する。
それぞれのメッキ浴槽に付属するオーバーフロー浴槽4
2、43では、それらの不溶性不純物をメッキ浴槽内の
水流を用いて浴槽内へと取り込む。そして、オーバーフ
ロー浴槽42、43内へと取り込まれたメッキ液はろ過
され、またメッキ浴槽内へと送り込まれる。メッキ液を
収納する浴槽44は、第2メッキ浴槽3のメッキ液を使
用しない場合そのメッキ液を収納し、保存しておくため
の浴槽である。
第1メッキ浴槽2および第2メッキ浴槽3における電流
密度を最適電流密度に設定することによって、金属析出
粒径の均一化および2層における膜厚比率のばらつきを
抑えることができる。このことより、電流密度を最適電
流密度で一定に保つことがよく、一定電流密度下におけ
るメッキ装置としては、メッキ膜厚t1、t2は、t1>
t2の関係を満足するときメッキ浴槽の体積L1、L
2は、L1>L2の関係が成り立つ。つまり、第2メッキ
浴槽3のメッキ液の液量において、第2メッキ浴槽3の
メッキ液の液量を大幅に減少させることにより、第2メ
ッキ浴槽3のメッキ液内では、第1金属材料であるSn
より高価なBi、Ag、およびCuの中で使用されてい
る第2金属材料の使用量を大幅に減少することができ
る。また、メッキ浴槽の最小化にともなってアノードの
使用本数を減らすことができ、それにより第2メッキ浴
槽3全体での置換析出も大幅に減少することができる。
こういったことにより、高価なBi、Ag、およびCu
の中で使用されている第2金属材料の使用量を減らすこ
とができ、コスト低減を実現することができる。
において、上記した様に、第2メッキ浴槽3のメッキ液
の液量を大幅に減少させることができる。そのことによ
り、メッキ液を収納する浴槽44に第2メッキ浴槽3の
メッキ液を出し入れする際の作業時間を大幅に短縮させ
ることができ、作業効率を大幅に上げることができる。
メッキ液を大幅に減少させることに伴い、このメッキ浴
槽内で使用するアノードの本数を減らすことができる。
このことにより、アノードを常に清潔な状態に維持する
ための手間が大幅に抑制される。例えば、アノードの周
りに置換析出される金属を除去する手間を抑制すること
であり、また、アノードバックを酸洗浄する手間を抑制
することなどがある。このような維持作業により、アノ
ードつまりSnの溶解量が安定し、メッキ液中のSnの
濃度管理が容易となる。これに伴い、メッキ液の液構成
または液管理がより正確に行うことができるようにな
り、外観、変色、半田付け性等の品質面における向上を
もたらすことができる。
5において、メッキ浴槽の作業方向の長さZを短くする
ことができることにより、第2メッキ浴槽3に付属する
オーバーフロー浴槽をメッキ浴槽と同じ幅で設置するこ
とができる。そのことにより、導電部材にメッキを施す
際、メッキ浴槽内の不溶性不純物をオーバーフロー浴槽
へと追いやる水流と導電部材とが直交するようになる。
そのため、導電部材に施されるメッキ膜の偏肉の発生を
抑制することができる。
に述べる。
および第2メッキ浴槽3のメッキ液では、それぞれの金
属材料の組成比率は異なるが、液構成は同一である。そ
のため、導電部材21を第1メッキ浴槽2のメッキ液に
浸漬して第1メッキ膜22を施した後、連続して第2メ
ッキ浴槽3のメッキ液に浸漬して第2メッキ膜23とを
施すことができることに特徴を有する。そして、実施形
態に関しては、上記した方法と同様である。
ここでは、第1メッキ浴槽2のメッキ液内には、数%程
度のBiが含まれている。このことにより、第1メッキ
膜22の表面では、ウイスカー(針状結晶)が顕著に抑
制される。また、このメッキ液の濃度管理方法として
は、前述した方法と同様に、Biの管理をする。
は、第2メッキ浴槽3のメッキ液で使用されるSn以外
の金属材料、Bi、Ag、およびCuの中から選ばれる
少なくとも1種類の金属材料を数%程度含む。このこと
により、第1メッキ膜22の表面のウイスカー(針状結
晶)を顕著に抑制することができる。
メッキ装置には以下のような効果がみられる。
浴槽のメッキ液の構成は、それぞれのメッキ液を構成す
る第1および第2金属材料およびそれらを溶かす酸性溶
剤を除いて実質的に同一の液構成である。そのため、第
1のメッキ液が第2のメッキ液内に混入しても液構成が
乱されず、導電部材に異なる金属材料または同一金属材
料であるが金属材料の組成比率の異なる2層のメッキ膜
を連続して施すことができる。この結果、第1メッキ膜
と第2メッキ膜との間の作業である水洗用浴槽による洗
浄を省略することができ、作業工程および作業時間の短
縮が図れる。
第2メッキ浴槽のメッキ液内に含まれる金属材料の管理
において、まず第1メッキ浴槽および第2メッキ浴槽の
メッキ液の構成は、それぞれのメッキ液を構成する第1
および第2金属材料およびそれらを溶かす酸性溶剤を除
いて同一の液構成である。そして、それぞれのメッキ液
の第1金属材料であるSnは、主にアノードの溶解によ
り調整することができるため、第2メッキ液ではBi、
Ag、およびCuの中で使用されている第2金属材料の
濃度管理を定期的に行えば良く、メッキ液の濃度管理が
容易になる。
る作業速度の一定化、電流密度の一定化および第1メッ
キ液と第2メッキ液との第1および第2金属材料および
それらを溶かす酸性溶剤を除いた溶液を同一の液構成に
した。そのことにより、第2メッキ膜が第1メッキ膜よ
りも大幅に薄いので導電部材が第2メッキ液に浸漬する
時間を短くできる。この結果、第2メッキ浴槽の液量を
大幅に減少することができる。このことにより、第2メ
ッキ液に用いられる第2金属材料であるBi、Ag、お
よびCuの使用量も大幅に減少させることができ、その
結果、コスト低減を実現することができる。
長さを短くすることができることにより、オーバーフロ
ー浴槽を第2メッキ浴槽と同じ幅で設置することができ
る。そのことにより、導電部材にメッキを施す際、メッ
キ浴槽内の不溶性不純物をオーバーフロー浴槽へと追い
やる水流と導電部材とが直交するようになる。そのた
め、導電部材に施されるメッキ膜の偏肉の発生を抑制す
ることができる。
第2メッキ浴槽のメッキ液で使用される第1金属材料の
Sn以外、Bi、Ag、およびCuの中から選ばれる少
なくとも1種類の第2金属材料を数%程度含む。このこ
とにより、第1メッキ膜の表面のウイスカー(針状結
晶)を顕著に抑制することができる。
および半導体装置において、使用するメッキ液が鉛を含
んでいないため、人体や環境に悪影響を与えることはな
い。その上で、第1メッキ液と第2メッキ液との金属材
料およびそれらを溶かす酸性溶剤を除いた溶液を同一の
液構成にしたことまたは第1メッキ液と第2メッキ液と
の金属材料の構成比率は異なるが金属材料を同一にした
ことによりメッキ品質の向上へとつながる。
説明する図である。
第2メッキ浴槽を説明する図である。
材を説明する図である。
業ラインに設置するための装置を説明する図である。
第2メッキ浴槽の詳細を説明する図である。
アウトを説明する図である。
する図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 第1メッキ浴槽と第2メッキ浴槽とを備
えメッキ可能な導電部材の表面にすべてあるいはほとん
どすべてを第1金属材料より成る第1メッキ膜と前記第
1金属材料と第2金属材料の合金から成る第2メッキ膜
とを重ねて形成するメッキ装置において、 前記第1メッキ浴槽および前記第2メッキ浴槽のメッキ
液は、前記第1および第2金属材料およびそれらを溶か
す溶剤を除いて実質的に同一の液構成であることを特徴
とするメッキ装置。 - 【請求項2】 前記第1メッキ浴槽のメッキ液を構成す
る前記第1金属材料は、Snであり、前記第2メッキ浴
槽のメッキ液を構成する前記第1金属材料はSnであ
り、前記第2金属材料はBi、Ag、およびCuの中か
ら選ばれる少なくとも1種類であることを特徴とする請
求項1に記載したメッキ装置。 - 【請求項3】 前記第1メッキ浴槽および前記第2メッ
キ浴槽のメッキ液の前記第1および第2金属材料および
それらを溶かす溶剤を除いた液構成は、有機酸、溶剤、
添加剤および純水から成ることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載したメッキ装置。 - 【請求項4】 前記第1メッキ浴槽および前記第2メッ
キ浴槽のメッキ液を構成する前記有機酸にはメタンスル
ホン酸またはプロパノールスルホン酸が含まれ、前記溶
剤にはイソプロピルアルコールが含まれることを特徴と
する請求項1から請求項3のいずれかに記載したメッキ
装置。 - 【請求項5】 前記第1メッキ浴槽と前記第2メッキ浴
槽は、連続して設けられることを特徴とする請求項1か
ら請求項4のいずれかに記載したメッキ装置。 - 【請求項6】 前記第1メッキ浴槽および前記第2メッ
キ浴槽のメッキ液は、前記第2メッキ浴槽の前記第2金
属材料であるBi、Ag、およびCuの中から選ばれる
少なくとも1種類を除くと実質的に同一の液構成であ
り、前記第2メッキ浴槽ではBi、Ag、およびCuの
中で使用した前記第2金属材料を濃度管理することを特
徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載したメ
ッキ装置。 - 【請求項7】 前記第1メッキ浴槽において前記導電部
材がメッキされるメッキ膜厚をt1、前記第2メッキ浴
槽において前記導電部材がメッキされるメッキ膜厚をt
2としたとき、t1、t2は、t1>t2の関係を満足し、
かつ前記第1メッキ浴槽の体積をL1、前記第2メッキ
浴槽の体積をL2としたとき、L1、L2は、L1>L2の
関係を満足することを特徴とする請求項1から請求項6
のいずれかに記載したメッキ装置。 - 【請求項8】 前記メッキ浴槽の体積L1、L2は、L1
>L2の関係を満足し、かつほぼt1:t2=L1:L2の
関係を満足することを特徴する請求項7に記載したメッ
キ装置。 - 【請求項9】 前記第1メッキ浴槽および前記第2メッ
キ浴槽において、それぞれの浴槽の辺の長さをX1、
Y1、Z1およびX2、Y2、Z2としたとき、X1=Y1、
X2=Y2およびZ1>Z2の関係を満足することを特徴す
る請求項7または請求項8に記載したメッキ装置。 - 【請求項10】 前記第1メッキ浴槽および前記第2メ
ッキ浴槽において、作業速度を同一とし、また電流密度
をすべて同一とし、前記メッキ膜厚t1、t2は、t1>
t2の関係を満足し、かつ前記第1メッキ浴槽のアノー
ドの本数をA1、前記第2メッキ浴槽のアノードの本数
をA2としたとき、A1、A2は、A1>A 2の関係を満足
することを特徴する請求項7から請求項9のいずれかに
記載したメッキ装置。 - 【請求項11】 前記メッキ膜厚t1、t2は、t1>t2
の関係を満足し、かつほぼt1:t2=A1:A2の関係を
満足することを特徴する請求項10に記載したメッキ装
置。 - 【請求項12】 前記第1メッキ浴槽および前記第2メ
ッキ浴槽において、作業速度を同一とし、また電流密度
をすべて同一とし、前記第2メッキ浴槽のアノードの本
数A2は、浴槽の両端に対になるように2本ずつ設けら
れることを特徴とする請求項7から請求項11のいずれ
かに記載したメッキ装置。 - 【請求項13】 前記第2メッキ浴槽において、浴槽の
メッキ液の汚染物質除去を目的とする水流が前記導電部
材と直交することを特徴とする請求項1から請求項12
のいずれかに記載したメッキ装置。 - 【請求項14】 前記第2メッキ浴槽において、使用し
ないときはメッキ液を他の浴槽に移し替えることを特徴
とする請求項1から請求項13のいずれかに記載したメ
ッキ装置。
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