JP2001021446A - 半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法 - Google Patents
半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法Info
- Publication number
- JP2001021446A JP2001021446A JP11193659A JP19365999A JP2001021446A JP 2001021446 A JP2001021446 A JP 2001021446A JP 11193659 A JP11193659 A JP 11193659A JP 19365999 A JP19365999 A JP 19365999A JP 2001021446 A JP2001021446 A JP 2001021446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- measuring
- polarization
- light
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ素子の特性を効率的かつ高精
度で測定可能な半導体レーザ特性の測定装置及び測定方
法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ特性の測定装置は、半導体
レーザ素子を載置するテストステージと、テストステー
ジに載置された半導体レーザ素子に電力を供給するため
の電力供給部と、供給された電力に基づいて半導体レー
ザ素子から出射されるレーザ光の出力を測定する光出力
測定部と、前記レーザ光の偏光を測定する偏光測定部と
を備え、これら測定部のそれぞれがレーザ光を受光する
受光素子を有し、テストステージは、半導体レーザ素子
から出射されるレーザ光がそれぞれの受光素子で受光さ
れるようテストステージを変位させるステージ変位手段
を有する。
度で測定可能な半導体レーザ特性の測定装置及び測定方
法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ特性の測定装置は、半導体
レーザ素子を載置するテストステージと、テストステー
ジに載置された半導体レーザ素子に電力を供給するため
の電力供給部と、供給された電力に基づいて半導体レー
ザ素子から出射されるレーザ光の出力を測定する光出力
測定部と、前記レーザ光の偏光を測定する偏光測定部と
を備え、これら測定部のそれぞれがレーザ光を受光する
受光素子を有し、テストステージは、半導体レーザ素子
から出射されるレーザ光がそれぞれの受光素子で受光さ
れるようテストステージを変位させるステージ変位手段
を有する。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、録音再生用MD
や、光磁気ディスク等の光ピックアップに用いられる半
導体レーザ素子の特性測定装置及び測定方法に関するも
ので、特に、光磁気効果(カー効果及びファラデー効
果)、すなわち、直線偏向の光を磁化しているものに当
てるとその反射光の偏光が回転する現象を利用して信号
を読み出す光ピックアップに用いられる半導体レーザ素
子の光出力及び偏光比等の特性を測定する装置及び測定
方法に関する。
や、光磁気ディスク等の光ピックアップに用いられる半
導体レーザ素子の特性測定装置及び測定方法に関するも
ので、特に、光磁気効果(カー効果及びファラデー効
果)、すなわち、直線偏向の光を磁化しているものに当
てるとその反射光の偏光が回転する現象を利用して信号
を読み出す光ピックアップに用いられる半導体レーザ素
子の光出力及び偏光比等の特性を測定する装置及び測定
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体レーザ素子の特性測定装置
の一例を図7に示す。半導体レーザ素子特性測定装置1
00では、テストステージ101上にチップ状態の半導
体レーザ素子Sを搭載し、テストコレット102により
半導体レーザ素子Sをテストステージ101との間で挟
み込んで半導体レーザ素子Sの表面及び裏面に形成され
たアノード及びカソードの各電極とコンタクトを得た
後、半導体レーザ素子Sに通電し、そのときの光出力を
受光素子103で検出する。
の一例を図7に示す。半導体レーザ素子特性測定装置1
00では、テストステージ101上にチップ状態の半導
体レーザ素子Sを搭載し、テストコレット102により
半導体レーザ素子Sをテストステージ101との間で挟
み込んで半導体レーザ素子Sの表面及び裏面に形成され
たアノード及びカソードの各電極とコンタクトを得た
後、半導体レーザ素子Sに通電し、そのときの光出力を
受光素子103で検出する。
【0003】しかし、この光出力測定では、光出力特性
のみが測定され、半導体レーザ素子Sの偏光比は測定で
きない。通常、半導体レーザ素子Sの偏光比の測定は、
半導体レーザ素子Sの主出射面の光を、偏光ビームスプ
リッター等の偏光素子(図示しない)に導いてTE及び
TM成分に分離し、それぞれの成分の光量を測定して得
られたTE/TM比を偏光比として評価している。この
とき、レーザ光を有効に偏光素子に導くため、半導体レ
ーザ素子Sの主出射面と偏光素子の間にレンズを設けて
いる。このため、光出力測定用の受光素子と偏光比測定
用の受光素子とを半導体レーザ素子Sの主出射面側に配
置する必要があり、これら受光素子または半導体レーザ
素子Sを移動させて主出射面と受光素子とを対面させる
移動機構が必要となる。
のみが測定され、半導体レーザ素子Sの偏光比は測定で
きない。通常、半導体レーザ素子Sの偏光比の測定は、
半導体レーザ素子Sの主出射面の光を、偏光ビームスプ
リッター等の偏光素子(図示しない)に導いてTE及び
TM成分に分離し、それぞれの成分の光量を測定して得
られたTE/TM比を偏光比として評価している。この
とき、レーザ光を有効に偏光素子に導くため、半導体レ
ーザ素子Sの主出射面と偏光素子の間にレンズを設けて
いる。このため、光出力測定用の受光素子と偏光比測定
用の受光素子とを半導体レーザ素子Sの主出射面側に配
置する必要があり、これら受光素子または半導体レーザ
素子Sを移動させて主出射面と受光素子とを対面させる
移動機構が必要となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一方、半導体レーザ素
子Sは、一辺が数100μm程度と非常に小さいため、
テストコレット102が半導体レーザ素子Sの電極10
4とコンタクトをとるには、精度の高い位置決めが必要
であり、さらに、この位置決めは光出力測定部及び偏光
比測定部の双方で必要となる。また、半導体レーザ素子
Sを光出力測定部から偏光比測定部に移動させるための
移動機能が必要となるため、高価で複雑な測定装置とな
ってしまう。また、受光素子側を移動する場合には、偏
光比測定部に配設された光学系が、移動時の振動で光軸
ずれ等を発生させ、測定誤差の原因となる。
子Sは、一辺が数100μm程度と非常に小さいため、
テストコレット102が半導体レーザ素子Sの電極10
4とコンタクトをとるには、精度の高い位置決めが必要
であり、さらに、この位置決めは光出力測定部及び偏光
比測定部の双方で必要となる。また、半導体レーザ素子
Sを光出力測定部から偏光比測定部に移動させるための
移動機能が必要となるため、高価で複雑な測定装置とな
ってしまう。また、受光素子側を移動する場合には、偏
光比測定部に配設された光学系が、移動時の振動で光軸
ずれ等を発生させ、測定誤差の原因となる。
【0005】そのため、従来の偏光比測定では、チップ
状態の半導体レーザ素子Sを、移動及び固定の操作が容
易なパッケージに組み込み、次いで、このパッケージを
移動及び固定させている。しかし、偏光比測定で半導体
レーザ素子Sが不良となった場合には、組み込んだパッ
ケージの材料及び組み込みの作業が無駄になってしま
う。したがって、被検体としての半導体レーザ素子S
は、チップ状態、または、レーザチップがSiやSiC
等のサブマウント上に接着されたような、チップに近い
状態で測定に供せられるのが望ましい。
状態の半導体レーザ素子Sを、移動及び固定の操作が容
易なパッケージに組み込み、次いで、このパッケージを
移動及び固定させている。しかし、偏光比測定で半導体
レーザ素子Sが不良となった場合には、組み込んだパッ
ケージの材料及び組み込みの作業が無駄になってしま
う。したがって、被検体としての半導体レーザ素子S
は、チップ状態、または、レーザチップがSiやSiC
等のサブマウント上に接着されたような、チップに近い
状態で測定に供せられるのが望ましい。
【0006】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、半導体レーザ素子の特性を効率的かつ高精
度で測定可能な半導体レーザ特性の測定装置及び測定方
法を提供することを目的とする。
ものであり、半導体レーザ素子の特性を効率的かつ高精
度で測定可能な半導体レーザ特性の測定装置及び測定方
法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
レーザ素子を載置するテストステージと、テストステー
ジに載置された半導体レーザ素子に電力を供給するため
の電力供給部と、供給された電力に基づいて半導体レー
ザ素子から出射されるレーザ光の出力を測定する光出力
測定部と、前記レーザ光の偏光を測定する偏光測定部と
を備え、これら測定部のそれぞれがレーザ光を受光する
受光素子を有し、テストステージは、半導体レーザ素子
から出射されるレーザ光がそれぞれの受光素子で受光さ
れるようテストステージを変位させるステージ変位手段
を有することを特徴とする半導体レーザ特性の測定装置
が提供される。
レーザ素子を載置するテストステージと、テストステー
ジに載置された半導体レーザ素子に電力を供給するため
の電力供給部と、供給された電力に基づいて半導体レー
ザ素子から出射されるレーザ光の出力を測定する光出力
測定部と、前記レーザ光の偏光を測定する偏光測定部と
を備え、これら測定部のそれぞれがレーザ光を受光する
受光素子を有し、テストステージは、半導体レーザ素子
から出射されるレーザ光がそれぞれの受光素子で受光さ
れるようテストステージを変位させるステージ変位手段
を有することを特徴とする半導体レーザ特性の測定装置
が提供される。
【0008】すなわち、レーザ光の出力を測定するため
に光出力測定部の受光素子に向けられていたテストステ
ージ上の半導体レーザ素子は、テストステージを変位さ
せることにより、レーザ光の偏光を測定する偏光測定部
の受光素子に向けられるので、半導体レーザ素子をテス
トステージ上に一度、位置決めしておけば、その後、半
導体レーザ素子自体を移動したり固定したりする操作が
不要となり、偏光測定のために半導体レーザ素子Sをパ
ッケージに組み込むことも不要となる。また、テストス
テージを変位するだけで、予め設定された光軸上で半導
体レーザ素子の主出射面と受光素子とを対向させること
ができるので、精度の高い位置決めが可能となる。ま
た、従来のように、偏光測定部の受光素子及び光出力測
定部の受光素子を、半導体レーザ素子の主出射面側に配
置する制約から開放されるので、各部の配置設計におけ
る自由度が高まり、装置の小型化が可能となる。
に光出力測定部の受光素子に向けられていたテストステ
ージ上の半導体レーザ素子は、テストステージを変位さ
せることにより、レーザ光の偏光を測定する偏光測定部
の受光素子に向けられるので、半導体レーザ素子をテス
トステージ上に一度、位置決めしておけば、その後、半
導体レーザ素子自体を移動したり固定したりする操作が
不要となり、偏光測定のために半導体レーザ素子Sをパ
ッケージに組み込むことも不要となる。また、テストス
テージを変位するだけで、予め設定された光軸上で半導
体レーザ素子の主出射面と受光素子とを対向させること
ができるので、精度の高い位置決めが可能となる。ま
た、従来のように、偏光測定部の受光素子及び光出力測
定部の受光素子を、半導体レーザ素子の主出射面側に配
置する制約から開放されるので、各部の配置設計におけ
る自由度が高まり、装置の小型化が可能となる。
【0009】この発明におけるテストステージ変位手段
とは、テストステージに載置された半導体レーザ素子の
主出射面が、少なくとも、光出力測定部の受光素子の受
光面と偏光測定部の受光素子の受光面とに交互に向けら
れるよう、テストステージの姿勢または位置を可逆的に
変える機構を意味する。テストステージの変位の形態に
は、回転と、任意の方向における直線または曲線上の往
復が挙げられる。
とは、テストステージに載置された半導体レーザ素子の
主出射面が、少なくとも、光出力測定部の受光素子の受
光面と偏光測定部の受光素子の受光面とに交互に向けら
れるよう、テストステージの姿勢または位置を可逆的に
変える機構を意味する。テストステージの変位の形態に
は、回転と、任意の方向における直線または曲線上の往
復が挙げられる。
【0010】前者の形態によるテストステージ変位手段
の構成としては、テストステージを一平面上で回転させ
る構成が挙げられる。このような回転によるテストステ
ージの変位を利用した装置構成としては、光出力測定部
の受光素子の受光面と偏光測定部の受光素子の受光面と
を一平面上の異なる2つの角度位置に配置し、ステッピ
ングモータでテストステージを前記2つの角度位置に交
互に向ける構成が挙げられる。これら2つの受光面を、
テストステージを含む1つの軸上の対向位置に配置すれ
ば、直線状で小型の半導体レーザ特性測定装置を構成す
ることができる。
の構成としては、テストステージを一平面上で回転させ
る構成が挙げられる。このような回転によるテストステ
ージの変位を利用した装置構成としては、光出力測定部
の受光素子の受光面と偏光測定部の受光素子の受光面と
を一平面上の異なる2つの角度位置に配置し、ステッピ
ングモータでテストステージを前記2つの角度位置に交
互に向ける構成が挙げられる。これら2つの受光面を、
テストステージを含む1つの軸上の対向位置に配置すれ
ば、直線状で小型の半導体レーザ特性測定装置を構成す
ることができる。
【0011】後者の形態によるテストステージ変位手段
の構成としては、テストステージを水平または垂直方向
に往復移動させる構成が挙げられる。このような往復に
よるテストステージの変位を利用した装置構成として
は、光出力測定部及び偏光測定部が互いに平行な光軸を
形成するようそれぞれの受光素子の受光面を配置し、テ
ストステージが前記の各光軸上に交互に位置するよう、
テストステージを両光軸と所定の角度を有する方向、例
えば、両光軸に直交する方向に往復移動させる構成が挙
げられる。これら2つの光軸が1つの平面上で接近する
ようそれぞれの受光面を配置すれば、全長が短くて小型
の半導体レーザ特性測定装置を構成することができる。
の構成としては、テストステージを水平または垂直方向
に往復移動させる構成が挙げられる。このような往復に
よるテストステージの変位を利用した装置構成として
は、光出力測定部及び偏光測定部が互いに平行な光軸を
形成するようそれぞれの受光素子の受光面を配置し、テ
ストステージが前記の各光軸上に交互に位置するよう、
テストステージを両光軸と所定の角度を有する方向、例
えば、両光軸に直交する方向に往復移動させる構成が挙
げられる。これら2つの光軸が1つの平面上で接近する
ようそれぞれの受光面を配置すれば、全長が短くて小型
の半導体レーザ特性測定装置を構成することができる。
【0012】テストステージ及び電力供給部が、半導体
レーザ素子との電気的接続部をそれぞれ有し、接続部の
少なくとも一方が、金または白金族の金属を含むメッキ
を施されることにより、接触抵抗を減じ、μmオーダー
の小さい半導体レーザ素子とのコンタクト部において、
安定した電気的接触を得ることができ、半導体レーザ素
子の特性測定を高い精度で行うことができる。白金族の
金属としては、白金、ロジウムが挙げられる。電力供給
部の接続部が、複数の導体からなり、これら導体が、テ
ストステージに載置された半導体レーザ素子の一主面上
の複数の電極と着脱される構成とすることにより、電極
の形成された部位が異なる半導体レーザ素子に対応させ
ることができる。
レーザ素子との電気的接続部をそれぞれ有し、接続部の
少なくとも一方が、金または白金族の金属を含むメッキ
を施されることにより、接触抵抗を減じ、μmオーダー
の小さい半導体レーザ素子とのコンタクト部において、
安定した電気的接触を得ることができ、半導体レーザ素
子の特性測定を高い精度で行うことができる。白金族の
金属としては、白金、ロジウムが挙げられる。電力供給
部の接続部が、複数の導体からなり、これら導体が、テ
ストステージに載置された半導体レーザ素子の一主面上
の複数の電極と着脱される構成とすることにより、電極
の形成された部位が異なる半導体レーザ素子に対応させ
ることができる。
【0013】この発明では、偏光測定部が、半導体レー
ザ素子と受光素子との間に配置された偏光素子を有し、
偏光素子が、偏光ビームスプリッターまたはグラン−ト
ムソンプリズム(Glan-Thompson prism)で構成されるも
のが例示される。偏光素子が、グラン−トムソンプリズ
ムと、このプリズムを回転させる回転機構とを有する構
成であれば、グラン−トムソンプリズムの高い消光比
(> 103)を活かして、より精度の高い偏光比測定が
可能となる。
ザ素子と受光素子との間に配置された偏光素子を有し、
偏光素子が、偏光ビームスプリッターまたはグラン−ト
ムソンプリズム(Glan-Thompson prism)で構成されるも
のが例示される。偏光素子が、グラン−トムソンプリズ
ムと、このプリズムを回転させる回転機構とを有する構
成であれば、グラン−トムソンプリズムの高い消光比
(> 103)を活かして、より精度の高い偏光比測定が
可能となる。
【0014】この発明の別の観点によれば、半導体レー
ザ素子をテストステージに載置し、この半導体レーザ素
子に電力を供給して半導体レーザ素子から出射されるレ
ーザ光の出力を測定し、次いで、テストステージを回転
させ、半導体レーザ素子に電力を供給して半導体レーザ
素子から出射されるレーザ光の偏光を測定する半導体レ
ーザの特性測定方法が提供される。
ザ素子をテストステージに載置し、この半導体レーザ素
子に電力を供給して半導体レーザ素子から出射されるレ
ーザ光の出力を測定し、次いで、テストステージを回転
させ、半導体レーザ素子に電力を供給して半導体レーザ
素子から出射されるレーザ光の偏光を測定する半導体レ
ーザの特性測定方法が提供される。
【0015】この測定方法では、レーザ光の出力を測定
した後、この測定結果に基づいて半導体レーザ素子を判
定し、良品と判定された半導体レーザ素子についてのみ
レーザ光の偏光を測定することにより、無駄のない効率
的な測定が可能となる。また、レーザ光の出力を測定す
る際に、レーザ光の偏光測定時の所定光出力となる駆動
電流値を予め取得し、レーザ光の偏光を測定する際に、
取得された駆動電流値に基づいて半導体レーザ素子に電
力を供給することにより、偏光測定の際に再度、駆動電
流値を得る操作が省略されるので効率的な測定が可能と
なる。
した後、この測定結果に基づいて半導体レーザ素子を判
定し、良品と判定された半導体レーザ素子についてのみ
レーザ光の偏光を測定することにより、無駄のない効率
的な測定が可能となる。また、レーザ光の出力を測定す
る際に、レーザ光の偏光測定時の所定光出力となる駆動
電流値を予め取得し、レーザ光の偏光を測定する際に、
取得された駆動電流値に基づいて半導体レーザ素子に電
力を供給することにより、偏光測定の際に再度、駆動電
流値を得る操作が省略されるので効率的な測定が可能と
なる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図1から図6を参照して、
本発明の半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法の実
施の形態を説明する。
本発明の半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法の実
施の形態を説明する。
【0017】実施例1 図1から図5に基づいて、実施例1を説明する。図1に
示すように、半導体レーザ特性測定装置10は、半導体
レーザ素子Sを支持するテストステージ1と、テストス
テージ1に載置された半導体レーザ素子Sに電力を供給
するための電力供給部2と、供給された電力に基づいて
半導体レーザ素子Sから出射されるレーザ光の出力を測
定する光出力測定部3と、前記レーザ光の偏光を測定す
る偏光測定部4とから主に構成される。
示すように、半導体レーザ特性測定装置10は、半導体
レーザ素子Sを支持するテストステージ1と、テストス
テージ1に載置された半導体レーザ素子Sに電力を供給
するための電力供給部2と、供給された電力に基づいて
半導体レーザ素子Sから出射されるレーザ光の出力を測
定する光出力測定部3と、前記レーザ光の偏光を測定す
る偏光測定部4とから主に構成される。
【0018】テストステージ1は、チップ状態の半導体
レーザ素子Sを載置可能な直径を有する円板状のステー
ジ本体11と、ステージ本体11を所定の角度位置に回
転させるステージ回転手段(図示しない)とからなる。
ステージ本体11は、その上面に、導電性表面からなり
半導体レーザ素子Sの裏面電極に電気的に接続される接
続部12を有し、さらにこの導電性表面上で半導体レー
ザ素子Sを揺動不能かつ着脱可能に固着する固着手段
(図示しない)を有する。
レーザ素子Sを載置可能な直径を有する円板状のステー
ジ本体11と、ステージ本体11を所定の角度位置に回
転させるステージ回転手段(図示しない)とからなる。
ステージ本体11は、その上面に、導電性表面からなり
半導体レーザ素子Sの裏面電極に電気的に接続される接
続部12を有し、さらにこの導電性表面上で半導体レー
ザ素子Sを揺動不能かつ着脱可能に固着する固着手段
(図示しない)を有する。
【0019】ステージ回転手段は、ステージ本体11の
裏面に回転軸が接続されたステッピングモータと、ステ
ッピングモータ制御回路からなり、ステージ本体11を
予め設定された2つの角度位置に回転させ、それぞれの
角度位置でステージ本体11を揺動不能に保持すること
ができる。この例では、2つの角度位置が、180°と
なっている。
裏面に回転軸が接続されたステッピングモータと、ステ
ッピングモータ制御回路からなり、ステージ本体11を
予め設定された2つの角度位置に回転させ、それぞれの
角度位置でステージ本体11を揺動不能に保持すること
ができる。この例では、2つの角度位置が、180°と
なっている。
【0020】電力供給部2は、一端がステージ本体11
の接続部12に接続され、他端がテストコレット21に
接続された電源22と、電源22と直列に接続された電
流計23とからなる。テストコレット21は、半導体レ
ーザ素子Sの表面電極に電気的に接続される接続部とし
ての先鋭な端部21aを有し、図示しない昇降機構に支
持されてステージ本体11に載置された半導体レーザ素
子Sを端部21aでステージ本体11との間に挟持する
ことができる。図2に示すように、半導体レーザ素子S
の表面及び裏面の電極に接続されるテストコレット21
及びテストステージ1の表面には、金メッキ5がそれぞ
れ施されている。
の接続部12に接続され、他端がテストコレット21に
接続された電源22と、電源22と直列に接続された電
流計23とからなる。テストコレット21は、半導体レ
ーザ素子Sの表面電極に電気的に接続される接続部とし
ての先鋭な端部21aを有し、図示しない昇降機構に支
持されてステージ本体11に載置された半導体レーザ素
子Sを端部21aでステージ本体11との間に挟持する
ことができる。図2に示すように、半導体レーザ素子S
の表面及び裏面の電極に接続されるテストコレット21
及びテストステージ1の表面には、金メッキ5がそれぞ
れ施されている。
【0021】光出力測定部3は、半導体レーザ素子Sの
主出射面s1 から出射されるレーザ光を受光する受光素
子31と、受光素子31が受光した光出力を測定する光
出力計32とからなる。偏光測定部4は、レンズ41、
偏光素子42及び受光素子43が一光軸上に配置され、
さらに、この光軸の延長上に、テストステージ1の回転
軸及び光出力測定部3の受光素子31が位置する。レン
ズ41は、半導体レーザ素子Sの光出力等の特性に応じ
て開口数(Numerical Aperture、以下ではNAと称す
る) を調整できるよう光軸上を移動可能に配置される。
この例では、半導体レーザ素子S側が高NA(>0.
1)となり、受光素子43との距離を確保するために、
偏光素子42側が低NA(<0.05)となるレンズ構
成となっている。
主出射面s1 から出射されるレーザ光を受光する受光素
子31と、受光素子31が受光した光出力を測定する光
出力計32とからなる。偏光測定部4は、レンズ41、
偏光素子42及び受光素子43が一光軸上に配置され、
さらに、この光軸の延長上に、テストステージ1の回転
軸及び光出力測定部3の受光素子31が位置する。レン
ズ41は、半導体レーザ素子Sの光出力等の特性に応じ
て開口数(Numerical Aperture、以下ではNAと称す
る) を調整できるよう光軸上を移動可能に配置される。
この例では、半導体レーザ素子S側が高NA(>0.
1)となり、受光素子43との距離を確保するために、
偏光素子42側が低NA(<0.05)となるレンズ構
成となっている。
【0022】偏光素子42は、図示しない回転機構を備
えた公知のグラン−トムソンプリズムで構成される。受
光素子43が、偏光素子42を通ったレーザ光を受光
し、図示しない演算回路が、検出された光出力を最大値
(TE成分)及び最小値(TM成分)となる出力値に分
離し、さらにこれらからTE/TM比を偏光比として算
出する。
えた公知のグラン−トムソンプリズムで構成される。受
光素子43が、偏光素子42を通ったレーザ光を受光
し、図示しない演算回路が、検出された光出力を最大値
(TE成分)及び最小値(TM成分)となる出力値に分
離し、さらにこれらからTE/TM比を偏光比として算
出する。
【0023】以下に、本発明の半導体レーザ特性の測定
装置10を用いた半導体レーザ特性の測定方法の一例を
説明する。まず、図1に示すように、ステージ本体11
にチップ状態の半導体レーザ素子Sを、その主出射面s
1 が光出力測定用の受光素子31に向くように載置す
る。次いで、テストコレット21でステージ本体11と
の間に半導体レーザ素子Sを挟み込み、半導体レーザ素
子Sの表面電極及び裏面電極とのコンタクトを得る。こ
の接続状態を保持しながら、半導体レーザ素子Sに通電
し、受光素子31を介して主出射光量を測定して光出力
測定値を得る。このとき、偏光比を測定する光出力の駆
動電流値Iopを同時に取得する。なお、この光出力測
定において不良品と判定された半導体レーザ素子Sは、
偏光比測定に移行する前に、ステージ本体11から取り
除かれ、新たな半導体レーザ素子Sがステージ本体11
に載置される。
装置10を用いた半導体レーザ特性の測定方法の一例を
説明する。まず、図1に示すように、ステージ本体11
にチップ状態の半導体レーザ素子Sを、その主出射面s
1 が光出力測定用の受光素子31に向くように載置す
る。次いで、テストコレット21でステージ本体11と
の間に半導体レーザ素子Sを挟み込み、半導体レーザ素
子Sの表面電極及び裏面電極とのコンタクトを得る。こ
の接続状態を保持しながら、半導体レーザ素子Sに通電
し、受光素子31を介して主出射光量を測定して光出力
測定値を得る。このとき、偏光比を測定する光出力の駆
動電流値Iopを同時に取得する。なお、この光出力測
定において不良品と判定された半導体レーザ素子Sは、
偏光比測定に移行する前に、ステージ本体11から取り
除かれ、新たな半導体レーザ素子Sがステージ本体11
に載置される。
【0024】次に、図3に示すように、テストコレット
21を上昇させ、次いで、光出力測定用の受光素子31
に向いているステージ本体11を図中の矢印方向に18
0°回転させる。次に、テストコレット21を下降さ
せ、新たに半導体レーザ素子Sとのコンタクトを得る。
なお、テストコレット21で半導体レーザ素子Sをステ
ージ本体11との間に挟み込んだまま、ステージ本体1
1とテストコレット21を同時に回転させることも可能
である。
21を上昇させ、次いで、光出力測定用の受光素子31
に向いているステージ本体11を図中の矢印方向に18
0°回転させる。次に、テストコレット21を下降さ
せ、新たに半導体レーザ素子Sとのコンタクトを得る。
なお、テストコレット21で半導体レーザ素子Sをステ
ージ本体11との間に挟み込んだまま、ステージ本体1
1とテストコレット21を同時に回転させることも可能
である。
【0025】次いで、光出力測定時に得られた駆動電流
値Iopで半導体レーザ素子Sを駆動させる。半導体レ
ーザ素子Sの主出射面s1 から出射されたレーザ光は、
レンズ41及び偏光素子42を通って受光素子43に入
射される。このとき、偏光素子42を回転させてTE及
びTM成分を分離する。グラン−トムソンプリズムを用
いたTE及びTM成分の分離は、図5に示すように、偏
光素子42を回転させて、受光素子43の出力が、最大
値(TE成分)及び最小値(TM成分)となる出力値を
見出し、この最大値及び最小値の比を算出して偏光比を
得る。次いで、偏光比測定の結果に基づいて不良品と判
定された半導体レーザ素子Sを選別し排除する。
値Iopで半導体レーザ素子Sを駆動させる。半導体レ
ーザ素子Sの主出射面s1 から出射されたレーザ光は、
レンズ41及び偏光素子42を通って受光素子43に入
射される。このとき、偏光素子42を回転させてTE及
びTM成分を分離する。グラン−トムソンプリズムを用
いたTE及びTM成分の分離は、図5に示すように、偏
光素子42を回転させて、受光素子43の出力が、最大
値(TE成分)及び最小値(TM成分)となる出力値を
見出し、この最大値及び最小値の比を算出して偏光比を
得る。次いで、偏光比測定の結果に基づいて不良品と判
定された半導体レーザ素子Sを選別し排除する。
【0026】このように、上記実施例では、半導体レー
ザ素子Sの光出力測定及び偏光比測定が、半導体レーザ
素子Sをチップ状態にしたままで行えるので、良否の判
定を効率的に行うことができる。また、テストステージ
1及びテストコレット21の、半導体レーザ素子Sの電
極との各接続部には、接触抵抗の低い金属メッキが施さ
れているので、半導体レーザ素子Sの電極が数100μ
mオーダーの小さい面積であっても、安定した電気的接
触が得られるので、より精度の高い測定が可能となる。
ザ素子Sの光出力測定及び偏光比測定が、半導体レーザ
素子Sをチップ状態にしたままで行えるので、良否の判
定を効率的に行うことができる。また、テストステージ
1及びテストコレット21の、半導体レーザ素子Sの電
極との各接続部には、接触抵抗の低い金属メッキが施さ
れているので、半導体レーザ素子Sの電極が数100μ
mオーダーの小さい面積であっても、安定した電気的接
触が得られるので、より精度の高い測定が可能となる。
【0027】実施例2 図6に基づいて、実施例2を説明する。実施例1では、
半導体レーザ素子Sの電極が素子の表裏両面にあるもの
を測定の対象として扱ったが、この例では、接続部が素
子の表面に形成された2つの電極を有する半導体レーザ
素子Sを測定する半導体レーザ特性の測定装置及び測定
方法を説明する。
半導体レーザ素子Sの電極が素子の表裏両面にあるもの
を測定の対象として扱ったが、この例では、接続部が素
子の表面に形成された2つの電極を有する半導体レーザ
素子Sを測定する半導体レーザ特性の測定装置及び測定
方法を説明する。
【0028】半導体レーザ特性の測定装置20は、半導
体レーザ素子Sのアノード8及びカソード9がともに半
導体レーザ素子Sの上面にある場合に、このアノード8
及びカソード9に対応する2本のテストコレット25、
21を備えた点が、前記した半導体レーザ特性の測定装
置10と異なる。したがって、他の各部の説明は省略す
る。
体レーザ素子Sのアノード8及びカソード9がともに半
導体レーザ素子Sの上面にある場合に、このアノード8
及びカソード9に対応する2本のテストコレット25、
21を備えた点が、前記した半導体レーザ特性の測定装
置10と異なる。したがって、他の各部の説明は省略す
る。
【0029】テストコレット21、25は、それぞれが
金メッキを施した先鋭な端部21a、25aを有し、双
方が互いに接触しないように、図示しない昇降機構に支
持され、ステージ本体11に載置された半導体レーザ素
子Sを端部21a、25aの2点でステージ本体11と
の間に挟持することができる。なお、電力供給部2は、
電源22及び電流計23からなる回路が、テストコレッ
ト21、25の各端部に接続されてなる。
金メッキを施した先鋭な端部21a、25aを有し、双
方が互いに接触しないように、図示しない昇降機構に支
持され、ステージ本体11に載置された半導体レーザ素
子Sを端部21a、25aの2点でステージ本体11と
の間に挟持することができる。なお、電力供給部2は、
電源22及び電流計23からなる回路が、テストコレッ
ト21、25の各端部に接続されてなる。
【0030】半導体レーザ素子Sの光出力測定を行う際
は、テストコレット21、25を前記した昇降機構にて
下降させ、各端部21a、25aとステージ本体11と
の間で半導体レーザ素子Sのカソード9、アノード8と
のコンタクトを得て測定を行う。次いで、偏光比測定を
行う際は、テストコレット21、25を半導体レーザ素
子Sに接触させたままで、テストコレット21、25を
ステージ本体11と一緒に回転させ、この状態で偏光比
測定を行う。あるいは、光出力測定後、一旦、テストコ
レット21、25を上昇させて半導体レーザ素子Sとの
コンタクトを解除し、ステージ本体11を180°回転
させた後、偏光比測定前に、再度、テストコレット2
1、25と半導体レーザ素子Sのコンタクトをとり、次
いで、テストコレット21、25の極性を入れ替えて偏
光比測定を行う。
は、テストコレット21、25を前記した昇降機構にて
下降させ、各端部21a、25aとステージ本体11と
の間で半導体レーザ素子Sのカソード9、アノード8と
のコンタクトを得て測定を行う。次いで、偏光比測定を
行う際は、テストコレット21、25を半導体レーザ素
子Sに接触させたままで、テストコレット21、25を
ステージ本体11と一緒に回転させ、この状態で偏光比
測定を行う。あるいは、光出力測定後、一旦、テストコ
レット21、25を上昇させて半導体レーザ素子Sとの
コンタクトを解除し、ステージ本体11を180°回転
させた後、偏光比測定前に、再度、テストコレット2
1、25と半導体レーザ素子Sのコンタクトをとり、次
いで、テストコレット21、25の極性を入れ替えて偏
光比測定を行う。
【0031】
【発明の効果】この発明では、レーザ光の出力を測定す
るために光出力測定部の受光素子に向けられていたテス
トステージ上の半導体レーザ素子は、テストステージを
変位させることにより、レーザ光の偏光を測定する偏光
測定部の受光素子に向けられるので、半導体レーザ素子
をテストステージ上に一度、位置決めしておけば、その
後、半導体レーザ素子自体を移動したり固定したりする
操作が不要となり、偏光測定のために半導体レーザ素子
Sをパッケージに組み込むことも不要となる。また、テ
ストステージを変位するだけで、予め設定された光軸上
で半導体レーザ素子の主出射面と受光素子とを対向させ
ることができるので、精度の高い位置決めが可能とな
る。また、従来のように、光出力測定部の受光素子及び
偏光測定部の受光素子を、半導体レーザ素子の主出射面
側に配置する制約から解放されるので、各部の配置設計
における自由度が高まり、装置の小型化が可能となる。
るために光出力測定部の受光素子に向けられていたテス
トステージ上の半導体レーザ素子は、テストステージを
変位させることにより、レーザ光の偏光を測定する偏光
測定部の受光素子に向けられるので、半導体レーザ素子
をテストステージ上に一度、位置決めしておけば、その
後、半導体レーザ素子自体を移動したり固定したりする
操作が不要となり、偏光測定のために半導体レーザ素子
Sをパッケージに組み込むことも不要となる。また、テ
ストステージを変位するだけで、予め設定された光軸上
で半導体レーザ素子の主出射面と受光素子とを対向させ
ることができるので、精度の高い位置決めが可能とな
る。また、従来のように、光出力測定部の受光素子及び
偏光測定部の受光素子を、半導体レーザ素子の主出射面
側に配置する制約から解放されるので、各部の配置設計
における自由度が高まり、装置の小型化が可能となる。
【0032】さらに、本発明により偏光比測定が、レー
ザチップ、もしくは、レーザチップがSiやSiC等の
サブマウント上に接着された状態の半導体レーザ素子に
対して行えるので、従来のようにパッケージに組み込む
必要がなくなる。このため、半導体レーザ素子の組み込
みに使用するパッケージ及び組み込みに要する作業が不
要となり、測定に要する人・物・時間が大幅に節減され
る。
ザチップ、もしくは、レーザチップがSiやSiC等の
サブマウント上に接着された状態の半導体レーザ素子に
対して行えるので、従来のようにパッケージに組み込む
必要がなくなる。このため、半導体レーザ素子の組み込
みに使用するパッケージ及び組み込みに要する作業が不
要となり、測定に要する人・物・時間が大幅に節減され
る。
【図1】本発明の実施例1における光出力測定時の半導
体レーザ特性測定装置の概略を説明するための平面図。
体レーザ特性測定装置の概略を説明するための平面図。
【図2】本発明の実施例1における半導体レーザ素子の
電気的接続部を説明するための平面図。
電気的接続部を説明するための平面図。
【図3】本発明の実施例1におけるテストステージ回転
時の半導体レーザ特性測定装置の概略を説明するための
平面図。
時の半導体レーザ特性測定装置の概略を説明するための
平面図。
【図4】本発明の実施例1における偏光測定時の半導体
レーザ特性測定装置の概略を説明するための平面図。
レーザ特性測定装置の概略を説明するための平面図。
【図5】偏光比測定の手順を説明するためのグラフ。
【図6】本発明の実施例2における光出力測定時の半導
体レーザ特性測定装置の概略を説明するための平面図。
体レーザ特性測定装置の概略を説明するための平面図。
【図7】従来例における光出力測定時の半導体レーザ特
性測定装置の概略を説明するための平面図。
性測定装置の概略を説明するための平面図。
1 テストステージ 2 電力供給部 3 光出力測定部 4 偏光測定部 5 金メッキ 8 アノード電極 9 カソード電極 11 ステージ本体 21 テストコレット 25 テストコレット 31 光出力測定用受光素子 42 偏光素子 43 偏光比測定用受光素子 S 半導体レーザ素子 s1 主出射面
Claims (9)
- 【請求項1】 半導体レーザ素子を載置するテストステ
ージと、テストステージに載置された半導体レーザ素子
に電力を供給するための電力供給部と、供給された電力
に基づいて半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の
出力を測定する光出力測定部と、前記レーザ光の偏光を
測定する偏光測定部とを備え、 これら測定部のそれぞれがレーザ光を受光する受光素子
を有し、テストステージは、半導体レーザ素子から出射
されるレーザ光がそれぞれの受光素子で受光されるよう
テストステージを変位させるステージ変位手段を有する
ことを特徴とする半導体レーザ特性の測定装置。 - 【請求項2】 テストステージ及び電力供給部が、半導
体レーザ素子との電気的接続部をそれぞれ有し、接続部
の少なくとも一方が、金または白金族の金属を含むメッ
キを施されてなる請求項1に記載の半導体レーザ特性の
測定装置。 - 【請求項3】 電力供給部の接続部が、複数の導体から
なり、これら導体が、テストステージに載置された半導
体レーザ素子の一主面上の複数の電極と着脱される請求
項2に記載の半導体レーザ特性の測定装置。 - 【請求項4】 偏光測定部が、半導体レーザ素子と受光
素子との間に配置された偏光素子を有し、偏光素子が、
偏光ビームスプリッターまたはグラン−トムソンプリズ
ムで構成されてなる請求項1から3のいずれか1つに記
載の半導体レーザ特性の測定装置。 - 【請求項5】 偏光素子が、グラン−トムソンプリズム
と、このプリズムを回転させる回転機構を有する請求項
4に記載の半導体レーザ特性の測定装置。 - 【請求項6】 ステージ変位手段が、テストステージを
一平面上で回転させる請求項1から5のいずれか1つに
記載の半導体レーザ特性の測定装置。 - 【請求項7】 半導体レーザ素子をテストステージに載
置し、この半導体レーザ素子に電力を供給して半導体レ
ーザ素子から出射されるレーザ光の出力を測定し、次い
で、テストステージを回転し、さらに、半導体レーザ素
子に電力を供給して半導体レーザ素子から出射されるレ
ーザ光の偏光を測定する半導体レーザの特性の測定方
法。 - 【請求項8】 レーザ光の出力を測定した後、この測定
結果に基づいて半導体レーザ素子を判定し、良品と判定
された半導体レーザ素子についてのみレーザ光の偏光を
測定する請求項7に記載の半導体レーザ特性の測定方
法。 - 【請求項9】 レーザ光の出力を測定する際に、レーザ
光の偏光測定時の所定光出力となる駆動電流値を予め取
得し、レーザ光の偏光を測定する際に、取得された駆動
電流値に基づいて半導体レーザ素子に電力を供給する請
求項7または8に記載の半導体レーザ特性の測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11193659A JP2001021446A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11193659A JP2001021446A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001021446A true JP2001021446A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16311644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11193659A Pending JP2001021446A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001021446A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012098968A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 距離推定装置、距離推定方法及びプログラム |
CN114280463A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-05 | 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 | 一种芯片测试*** |
-
1999
- 1999-07-07 JP JP11193659A patent/JP2001021446A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012098968A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 距離推定装置、距離推定方法及びプログラム |
CN114280463A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-05 | 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 | 一种芯片测试*** |
CN114280463B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-08-08 | 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 | 一种芯片测试*** |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO1999013494A2 (en) | Method and apparatus for cleaning electronic test contacts | |
JPS62192705A (ja) | 2本のモノモ−ドの光学繊維を接合する溶融装置 | |
US8161568B2 (en) | Self displacement sensing cantilever and scanning probe microscope | |
JPH01286431A (ja) | 電気導体上の電圧波形の電気―光学的測定方法および装置 | |
JP3628344B2 (ja) | 半導体検査装置 | |
JP3508005B2 (ja) | 光ディスク装置及びその対物レンズの傾き調整方法 | |
US6631302B1 (en) | System and method for aligning components of optical head | |
JP2001021446A (ja) | 半導体レーザ特性の測定装置及び測定方法 | |
CN109387903B (zh) | 光路耦合***及光学测量*** | |
JP2947288B2 (ja) | 半導体集積回路用試験装置および該装置のプローブ位置制御方法 | |
JP3382560B2 (ja) | 電気光学サンプリングプローバ及び測定方法 | |
CA1215698A (en) | Method and device for indicating point of contact | |
JP2588965B2 (ja) | 電界測定用プローブ | |
JP3390572B2 (ja) | 電子デバイスの搬送コンタクト構造 | |
JPH0787211B2 (ja) | 集積回路の試験装置 | |
KR0120646Y1 (ko) | 광축 조정용 오토콜리메이터 장치 | |
JPS62165991A (ja) | 半導体レ−ザ素子検査装置 | |
KR0181832B1 (ko) | 광픽업 액츄에이터의 감도 측정장치 | |
JP2993207B2 (ja) | 光磁気ディスクヘッドの調整装置 | |
JP3263873B2 (ja) | 発光素子の光軸検出方法とそれを用いた光学部品の組立方法 | |
JPH05335355A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP3630838B2 (ja) | 走査型トンネル顕微鏡及び磁化検出方法 | |
JPH11183573A (ja) | 電圧測定プローブ | |
JP2013248659A (ja) | 照射装置及び照射方法 | |
JP3672058B2 (ja) | 光分布測定装置 |