JP2000288933A - 半導体ウェハ研削方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】目詰まりした砥石でウェハを研削すると、ウェ
ハに研削ムラが発生する。この研削ムラが発生したウェ
ハを一次ポリッシュしても研削痕となってウェハの表面
上に残り、鏡面不良になる。目詰まりを防止するために
は、定期的にドレスボードで砥石のドレッシングを行う
という方法があるが、１回のドレッシングで砥石を１０
０〜２００μｍ削るため定期的にドレッシングを行うと
砥石の寿命を下げてしまう。 【解決手段】砥石の寿命を下げずに研削屑を取り除く方
法として、砥石の研削面に高圧の水を吹きかける。１枚
研削する毎に砥石を高圧の水で洗浄することにより、砥
石の目詰まりを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの研
削方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】化合物半導体は、結晶インゴットをスラ
イスしてウェハを切り出した後、平坦性を高めるために
高速で回転した＃２０００のダイアモンド砥石でウェハ
表面を研削する。研削は研削速度を変え、粗研削、中研
削、仕上げ研削の３段階で研削することで高精度ウェハ
を得ることができる。自動研削は一度にウェハを数十枚
セットし、連続して研削する。研削後のウェハの表面
は、中心から放射状に延びた研削独特の模様ができる。
この模様は、その後の一次ポリッシュ工程で取ることが
できる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウェハ研
削方法では、連続して大量のウェハを研削すると研削屑
が砥石に付着するため砥石の目詰まりが起きやすくな
る。目詰まりした砥石でウェハを研削すると、ウェハに
研削ムラが発生する。この研削ムラが発生したウェハを
一次ポリッシュしても研削痕となってウェハの表面上に
残り、鏡面不良になってしまうという問題が起こる。

【０００４】本発明の目的は、半導体ウェハ表面に研削
痕が発生しない研削方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体ウェハ研削方法は砥石に水を吹きか
けながら研削する。

【０００６】

【発明の実施の形態】従来技術の問題点で述べたよう
に、研削痕の発生原因は砥石の目詰まりにある。目詰ま
りを防止するためには、１枚研削する毎に砥石に付着し
た研削屑を取り除く必要がある。付着した研削屑を取り
除くには、定期的にドレスボードで砥石のドレッシング
を行うという方法があるが、１回のドレッシングで砥石
を１００〜２００μｍ削るため定期的にドレッシングを
行うと砥石の寿命を下げてしまう。砥石の寿命を下げず
に研削屑を取り除く方法として、砥石の研削面に高圧の
水を吹きかけると効果がある。１枚研削する毎に砥石を
高圧の水で洗浄することにより、砥石の目詰まりを防止
することができる。

【０００７】

【実施例】研削機内にノズルを取り付け、研削後ウェハ
の搬送中に毎回砥石の研削面を洗浄できるようにした。
この研削機でアズスライスのＧａＡｓウェハ１００枚を
研削した。研削条件は砥石の送り速度が０．５μｍ、砥
石の回転数が３０００rpm、ウェハの回転数が１００rpm
とした。その結果、研削後の表面は研削ムラが見られ
なかった。また、このウェハを４０μｍ両面ポリッシュ
し魔鏡観察した結果、研削痕は１枚も見られなかった。

【０００８】

【発明の効果】本発明により、鏡面状態のよいウェハを
得ることができる。

【０００９】本発明の方法で作成したウェハを用いるこ
とにより、高品質なエピタキシャル層が得られ、素子歩
留を上げることができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウェハの研削において、砥石に水を
   吹きかけ砥石に付着した研削屑を除去しながら研削する
   半導体ウェハ研削方法。