JP2000173211A - 記憶装置およびそれに用いられるディスク位置検出方法 - Google Patents
記憶装置およびそれに用いられるディスク位置検出方法Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
- G11B5/55—Track change, selection or acquisition by displacement of the head
- G11B5/5521—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks
- G11B5/5526—Control therefor; circuits, track configurations or relative disposition of servo-information transducers and servo-information tracks for control thereof
- G11B5/553—Details
- G11B5/5534—Initialisation, calibration, e.g. cylinder "set-up"
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- G11B5/59633—Servo formatting
- G11B5/59655—Sector, sample or burst servo format
Landscapes
- Moving Of The Head To Find And Align With The Track (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディスクにおける1トラックあたりのサーボ
パターンの本数が少ない場合であってかつサーボパター
ンヘッドが不感帯に位置した場合であっても、ヘッドの
振動等を防止するとともにヘッドの送りに要する時間を
短縮すること。 【解決手段】 本発明は、1トラックあたり2本のサー
ボパターンを有する磁気ディスクと、サーボパターンに
基づいてヘッドの位置を検出位置信号Sp1として検出す
るサーボ復調回路と、目標位置信号Sp0と検出位置信号
Sp1との差を位置誤差信号Ss として出力する比較部1
30と、リード動作時に位置誤差信号SsをゲインG0
より低いゲインG1 で増幅する増幅部131と、増幅位
置誤差信号P1 に基づいて、磁気ヘッドを移動させるV
CM115に対する操作量に応じたVCM操作量信号S
m1をVCM115へ出力する制御部132とを備えてい
る。
パターンの本数が少ない場合であってかつサーボパター
ンヘッドが不感帯に位置した場合であっても、ヘッドの
振動等を防止するとともにヘッドの送りに要する時間を
短縮すること。 【解決手段】 本発明は、1トラックあたり2本のサー
ボパターンを有する磁気ディスクと、サーボパターンに
基づいてヘッドの位置を検出位置信号Sp1として検出す
るサーボ復調回路と、目標位置信号Sp0と検出位置信号
Sp1との差を位置誤差信号Ss として出力する比較部1
30と、リード動作時に位置誤差信号SsをゲインG0
より低いゲインG1 で増幅する増幅部131と、増幅位
置誤差信号P1 に基づいて、磁気ヘッドを移動させるV
CM115に対する操作量に応じたVCM操作量信号S
m1をVCM115へ出力する制御部132とを備えてい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータ等の
外部記憶装置として用いられる記憶装置およびそれに用
いられるディスク位置検出方法に関するものであり、特
にデータ領域とサーボ領域とを時分割的に有する磁気デ
ィスク上における磁気ヘッドの位置を検出する記憶装置
およびそれに用いられるディスク位置検出方法に関する
ものである。
外部記憶装置として用いられる記憶装置およびそれに用
いられるディスク位置検出方法に関するものであり、特
にデータ領域とサーボ領域とを時分割的に有する磁気デ
ィスク上における磁気ヘッドの位置を検出する記憶装置
およびそれに用いられるディスク位置検出方法に関する
ものである。
【0002】近年、その記憶容量を増大させつつ急速に
普及している記憶装置においては、磁気ディスク上にお
ける磁気ヘッドの位置を検出する手法として、サーボパ
ターンを磁気ディスク上に予め記録しておき、このサー
ボパターンに基づいて、磁気ヘッドの位置を検出するも
のがある。
普及している記憶装置においては、磁気ディスク上にお
ける磁気ヘッドの位置を検出する手法として、サーボパ
ターンを磁気ディスク上に予め記録しておき、このサー
ボパターンに基づいて、磁気ヘッドの位置を検出するも
のがある。
【0003】
【従来の技術】従来より、コンピュータ等の外部記憶装
置としては、円板状の磁気ディスクを記憶媒体とする記
憶装置が使用されている。上記磁気ディスクにおいて
は、データを記憶するデータ領域と、サーボ制御のため
のサーボパターンが予め記録されるサーボ領域とが時分
割的に存在する。
置としては、円板状の磁気ディスクを記憶媒体とする記
憶装置が使用されている。上記磁気ディスクにおいて
は、データを記憶するデータ領域と、サーボ制御のため
のサーボパターンが予め記録されるサーボ領域とが時分
割的に存在する。
【0004】この種の記憶装置は、上述した磁気ディス
クと、磁気ディスクに対して近接配置された磁気ヘッド
と、リードシーク時およびライトシーク時に上記磁気ヘ
ッドを半径方向に沿って移動させることにより、磁気ヘ
ッドが目標位置に位置するようにサーボ制御するサーボ
制御部と、磁気ヘッドを介して、磁気ディスクに対する
ライト動作およびリード動作を制御するリード/ライト
回路とから概略構成されている。
クと、磁気ディスクに対して近接配置された磁気ヘッド
と、リードシーク時およびライトシーク時に上記磁気ヘ
ッドを半径方向に沿って移動させることにより、磁気ヘ
ッドが目標位置に位置するようにサーボ制御するサーボ
制御部と、磁気ヘッドを介して、磁気ディスクに対する
ライト動作およびリード動作を制御するリード/ライト
回路とから概略構成されている。
【0005】ここで、上記磁気ヘッドは、リード/ライ
ト回路から供給される記録電流により発生する磁界によ
り磁気ディスクのデータ領域に対してデータのライトを
行うためのライトコアと、該データ領域にライトされた
データを磁気的に検知するとともにサーボ領域に記録さ
れたサーボパターンを検出するリードコアとを備えてい
る。
ト回路から供給される記録電流により発生する磁界によ
り磁気ディスクのデータ領域に対してデータのライトを
行うためのライトコアと、該データ領域にライトされた
データを磁気的に検知するとともにサーボ領域に記録さ
れたサーボパターンを検出するリードコアとを備えてい
る。
【0006】また、サーボ制御部は、磁気ヘッドのリー
ドコアにより検出されたサーボパターンの位相に基づい
て、磁気ディスクにおける磁気ヘッドの位置を検出する
ことにより、磁気ディスクにおける磁気ヘッドを目標位
置まで移動させる。具体的には、サーボ制御部は、サー
ボパターンから得られる検出位置の情報のフィードバッ
クを受けながら、該検出位置と目標位置との位置誤差が
ゼロとなるように、磁気ヘッドをサーボ制御する。
ドコアにより検出されたサーボパターンの位相に基づい
て、磁気ディスクにおける磁気ヘッドの位置を検出する
ことにより、磁気ディスクにおける磁気ヘッドを目標位
置まで移動させる。具体的には、サーボ制御部は、サー
ボパターンから得られる検出位置の情報のフィードバッ
クを受けながら、該検出位置と目標位置との位置誤差が
ゼロとなるように、磁気ヘッドをサーボ制御する。
【0007】つぎに、上述した従来の記憶装置の具体的
構成およびディスク位置検出時の動作について図5
(a)および(b)〜図9を参照しつつ説明する。図5
(a)および(b)は、従来の記憶装置の要部の構成を
示す斜視図である。図5(a)において、磁気ディスク
1111 〜111n は、磁気的にデータを記憶するn枚
の円板状の記憶媒体であり、軸方向に一定間隔をおいて
積層状にそれぞれ配設されている。これらの磁気ディス
ク1111 〜111n は、図示しないスピンドルモータ
により高速で回転駆動される。また、これらの磁気ディ
スク1111 〜111n は、上述したデータが記憶され
るデータ領域と、サーボパターンが記録されたサーボ領
域とをそれぞれ備えている。
構成およびディスク位置検出時の動作について図5
(a)および(b)〜図9を参照しつつ説明する。図5
(a)および(b)は、従来の記憶装置の要部の構成を
示す斜視図である。図5(a)において、磁気ディスク
1111 〜111n は、磁気的にデータを記憶するn枚
の円板状の記憶媒体であり、軸方向に一定間隔をおいて
積層状にそれぞれ配設されている。これらの磁気ディス
ク1111 〜111n は、図示しないスピンドルモータ
により高速で回転駆動される。また、これらの磁気ディ
スク1111 〜111n は、上述したデータが記憶され
るデータ領域と、サーボパターンが記録されたサーボ領
域とをそれぞれ備えている。
【0008】また、磁気ディスク1111 〜111n に
おいては、最内周と最外周との間を所定幅(トラックピ
ッチ)の同心円で分割された各領域がトラックTKと呼
ばれている。また、磁気ディスク1111 〜111n の
各トラックTKを立体的に抽出した場合に、これらのト
ラックTKは、円筒状に配置されているものと考えるこ
とができる。また、磁気ディスク1111 〜111n の
すべての面の同じ半径位置にある複数トラックTKの集
合は、シリンダC0 〜Cn (図5(b)参照)と呼ばれ
ている。
おいては、最内周と最外周との間を所定幅(トラックピ
ッチ)の同心円で分割された各領域がトラックTKと呼
ばれている。また、磁気ディスク1111 〜111n の
各トラックTKを立体的に抽出した場合に、これらのト
ラックTKは、円筒状に配置されているものと考えるこ
とができる。また、磁気ディスク1111 〜111n の
すべての面の同じ半径位置にある複数トラックTKの集
合は、シリンダC0 〜Cn (図5(b)参照)と呼ばれ
ている。
【0009】図6は、磁気ディスク1111 〜111n
におけるサーボ領域RSを示す図である。この図におい
て、図5(a)および(b)の各部に対応する部分には
同一の符号を付けその説明を省略する。なお、図6にお
いては、理解を容易にすべくサーボ領域RSを直線状と
した例であって、かつシリンダC0 〜Cn のうちシリン
ダC0 〜C3 について図示されている。
におけるサーボ領域RSを示す図である。この図におい
て、図5(a)および(b)の各部に対応する部分には
同一の符号を付けその説明を省略する。なお、図6にお
いては、理解を容易にすべくサーボ領域RSを直線状と
した例であって、かつシリンダC0 〜Cn のうちシリン
ダC0 〜C3 について図示されている。
【0010】図6においては、4つのシリンダC0 〜C
3 が1グループとされている。これらのシリンダC0 〜
C3 (トラックTK)は、境界線K、K、・・・ を境にし
て、トラックピッチTPをおいてそれぞれ隣接配置され
ている。ここで、トラックピッチTPは、2μmであ
る。また、シリンダC0 〜C3 (トラックTK)には、
90°の位相差をもって都合3本のサーボパターン
S3 、S3 、・・・ が時分割的にそれぞれ記録されてい
る。
3 が1グループとされている。これらのシリンダC0 〜
C3 (トラックTK)は、境界線K、K、・・・ を境にし
て、トラックピッチTPをおいてそれぞれ隣接配置され
ている。ここで、トラックピッチTPは、2μmであ
る。また、シリンダC0 〜C3 (トラックTK)には、
90°の位相差をもって都合3本のサーボパターン
S3 、S3 、・・・ が時分割的にそれぞれ記録されてい
る。
【0011】すなわち、シリンダC0 (トラックTK)
を例にとると、このシリンダC0 においては、1トラッ
クピッチTPをn分割(同図の例では、n=3)するよ
うに、一定間隔をおいて3本のサーボパターンS3 、S
3 、・・・ が記録されている。これらのS3 、S3 、・・・
は、磁気ディスク1111 〜111n における磁気ヘッ
ド1131 〜113n の位置に用いられる磁気パターン
である。ここで、サーボパターンS3 のサーボパターン
長L3 は、トラックピッチTPの1/3とされている。
を例にとると、このシリンダC0 においては、1トラッ
クピッチTPをn分割(同図の例では、n=3)するよ
うに、一定間隔をおいて3本のサーボパターンS3 、S
3 、・・・ が記録されている。これらのS3 、S3 、・・・
は、磁気ディスク1111 〜111n における磁気ヘッ
ド1131 〜113n の位置に用いられる磁気パターン
である。ここで、サーボパターンS3 のサーボパターン
長L3 は、トラックピッチTPの1/3とされている。
【0012】図5に戻り、磁気ヘッド1131 〜113
n は、極めて狭い幅のギャップを有するリードコアおよ
びライトコアを備えており、磁気ディスク1111 〜1
11 n の近傍にそれぞれ配設されている。また、磁気ヘ
ッド1131 〜113n は、書き込み時に供給される記
録電流により発生する磁界により、磁気ディスク111
1 〜111n に対してデータの書き込みを行うライトコ
アW(図7参照)と、磁気ディスク1111 〜111n
に記憶されているデータおよび上述したサーボパターン
S3 (図6参照)を磁気的に検知するリードコアR(図
7参照)とを備えている。これらの磁気ヘッド1131
〜113n のヘッド個数nは、磁気ディスク1111 〜
111n のディスク枚数nに応じて適宜選定される。
n は、極めて狭い幅のギャップを有するリードコアおよ
びライトコアを備えており、磁気ディスク1111 〜1
11 n の近傍にそれぞれ配設されている。また、磁気ヘ
ッド1131 〜113n は、書き込み時に供給される記
録電流により発生する磁界により、磁気ディスク111
1 〜111n に対してデータの書き込みを行うライトコ
アW(図7参照)と、磁気ディスク1111 〜111n
に記憶されているデータおよび上述したサーボパターン
S3 (図6参照)を磁気的に検知するリードコアR(図
7参照)とを備えている。これらの磁気ヘッド1131
〜113n のヘッド個数nは、磁気ディスク1111 〜
111n のディスク枚数nに応じて適宜選定される。
【0013】ここで、図7に示す磁気ヘッド1131 に
おいて、リードコアRとライトコアWとを結ぶ中心線X
b とリードコアRが位置するシリンダC1 の接線Xa と
は、ヨー(YAW)角θをなしている。また、リードコ
アRのリードコア幅WR は、設計上の都合からトラック
ピッチTPの約1/2長さであり、具体的には、0.7
μm〜1.3μmである。また、上記ヨー角θが存在す
ることから、シリンダC1 に対する実効的なリードコア
幅WR は、WR ・cosθであらわされ、リードコア実
効幅WR ’である。
おいて、リードコアRとライトコアWとを結ぶ中心線X
b とリードコアRが位置するシリンダC1 の接線Xa と
は、ヨー(YAW)角θをなしている。また、リードコ
アRのリードコア幅WR は、設計上の都合からトラック
ピッチTPの約1/2長さであり、具体的には、0.7
μm〜1.3μmである。また、上記ヨー角θが存在す
ることから、シリンダC1 に対する実効的なリードコア
幅WR は、WR ・cosθであらわされ、リードコア実
効幅WR ’である。
【0014】つぎに、従来の記憶装置におけるディスク
位置検出動作について説明する。図5において、図示し
ないスピンドルモータが駆動されると、磁気ヘッド11
31〜113n が同時にそれぞれ回転駆動される。以下
の説明においては、説明を簡略化するために磁気ヘッド
1131 の動作を中心にして説明する。
位置検出動作について説明する。図5において、図示し
ないスピンドルモータが駆動されると、磁気ヘッド11
31〜113n が同時にそれぞれ回転駆動される。以下
の説明においては、説明を簡略化するために磁気ヘッド
1131 の動作を中心にして説明する。
【0015】ここで、図7に示す磁気ヘッド1131 が
シリンダC0 外に位置しているものとし、かつ磁気ヘッ
ド1131 を現在位置から同図に示すシリンダC1 の中
心位置まで移動させるものとすると、サーボ制御部(図
示略)は、磁気ヘッド113 1 を半径方向に1/3トラ
ックピッチTP送りで移動させる。
シリンダC0 外に位置しているものとし、かつ磁気ヘッ
ド1131 を現在位置から同図に示すシリンダC1 の中
心位置まで移動させるものとすると、サーボ制御部(図
示略)は、磁気ヘッド113 1 を半径方向に1/3トラ
ックピッチTP送りで移動させる。
【0016】これにより、磁気ヘッド1131 は、ま
ず、シリンダC0 を横切るように移動される。この移動
中においては、サーボパターンS3 、S3 、・・・ がリー
ドコアRにより検出され、サーボ制御部は、各サーボパ
ターンS3 の位相差に応じた検出位置信号と、磁気ヘッ
ド1131 の目標位置に応じた目標位置信号との差を位
置誤差信号として生成する。
ず、シリンダC0 を横切るように移動される。この移動
中においては、サーボパターンS3 、S3 、・・・ がリー
ドコアRにより検出され、サーボ制御部は、各サーボパ
ターンS3 の位相差に応じた検出位置信号と、磁気ヘッ
ド1131 の目標位置に応じた目標位置信号との差を位
置誤差信号として生成する。
【0017】つぎに、サーボ制御部は、上記位置誤差信
号をゲインG0 (図9参照)をもって増幅して、増幅位
置誤差信号P0 を生成する。ここで、図9は、磁気ヘッ
ド1131 のオフセット量OFと増幅位置誤差信号P0
の電圧V(レベル)との関係を表す図である。この図か
らわかるように、増幅位置誤差信号P0 は、オフセット
量OFに比例するように線形に変化する。
号をゲインG0 (図9参照)をもって増幅して、増幅位
置誤差信号P0 を生成する。ここで、図9は、磁気ヘッ
ド1131 のオフセット量OFと増幅位置誤差信号P0
の電圧V(レベル)との関係を表す図である。この図か
らわかるように、増幅位置誤差信号P0 は、オフセット
量OFに比例するように線形に変化する。
【0018】そして、図7に示す磁気ヘッド1131 が
目標位置であるシリンダC1 のセンタ(トラックセン
タ)に位置すると、リード/ライト回路は、磁気ヘッド
113 1 のライトコアWに対して、ライトデータに応じ
た記録電流を供給する。これにより、上記ライトコアW
によって、データ領域(図示略)にライトデータがライ
トされる。また、従来の記憶装置においては、図7に示
すシリンダC0 〜C2 のサーボ領域RSにおいて、トラ
ックピッチTPを3分割するサーボパターンS3、
S3 、・・・ について説明したが、図8に示すようにトラ
ックピッチTPを4分割するサーボパターンS4 、
S4 、・・・ をトラックTKに記録する例もある。
目標位置であるシリンダC1 のセンタ(トラックセン
タ)に位置すると、リード/ライト回路は、磁気ヘッド
113 1 のライトコアWに対して、ライトデータに応じ
た記録電流を供給する。これにより、上記ライトコアW
によって、データ領域(図示略)にライトデータがライ
トされる。また、従来の記憶装置においては、図7に示
すシリンダC0 〜C2 のサーボ領域RSにおいて、トラ
ックピッチTPを3分割するサーボパターンS3、
S3 、・・・ について説明したが、図8に示すようにトラ
ックピッチTPを4分割するサーボパターンS4 、
S4 、・・・ をトラックTKに記録する例もある。
【0019】図8に示す例では、シリンダC0 (トラッ
クTK)を例にとると、このシリンダC0 においては、
1トラックピッチTPをn分割(同図の例では、n=
4)するように、一定間隔をおいて4本のサーボパター
ンS4 、S4 、・・・ が記録されている。このサーボパタ
ーンS4 のサーボパターン長L4 は、トラックピッチT
Pの1/4とされており、図7に示すサーボパターン長
L3 より短い。従って、図8に示す例では、磁気ヘッド
1131 は、半径方向に1/4トラックピッチTP送り
で移動される。
クTK)を例にとると、このシリンダC0 においては、
1トラックピッチTPをn分割(同図の例では、n=
4)するように、一定間隔をおいて4本のサーボパター
ンS4 、S4 、・・・ が記録されている。このサーボパタ
ーンS4 のサーボパターン長L4 は、トラックピッチT
Pの1/4とされており、図7に示すサーボパターン長
L3 より短い。従って、図8に示す例では、磁気ヘッド
1131 は、半径方向に1/4トラックピッチTP送り
で移動される。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の記憶
装置においては、図7および図8を参照して説明したよ
うに、1トラックTKあたり1/3トラックピッチTP
または1/4トラックピッチTPのサーボパターン長L
3 またはサーボパターン長L4 のサーボパターンS3 ま
たはサーボパターンS4 を用いて磁気ヘッド1131 の
位置の検出を行っていることを述べた。
装置においては、図7および図8を参照して説明したよ
うに、1トラックTKあたり1/3トラックピッチTP
または1/4トラックピッチTPのサーボパターン長L
3 またはサーボパターン長L4 のサーボパターンS3 ま
たはサーボパターンS4 を用いて磁気ヘッド1131 の
位置の検出を行っていることを述べた。
【0021】ここで、従来の記憶装置においては、1/
3トラックピッチTPのサーボパターンS3 を用いた場
合には、磁気ヘッド1131 が1/3トラックピッチT
Pで順次送られる一方、1/4トラックピッチTPのサ
ーボパターンS4 を用いた場合には、磁気ヘッド113
1 が1/4トラックピッチTPで順次送られる。
3トラックピッチTPのサーボパターンS3 を用いた場
合には、磁気ヘッド1131 が1/3トラックピッチT
Pで順次送られる一方、1/4トラックピッチTPのサ
ーボパターンS4 を用いた場合には、磁気ヘッド113
1 が1/4トラックピッチTPで順次送られる。
【0022】このようなことから、従来の記憶装置にお
いては、サーボパターンの長さが短いほど、磁気ヘッド
1131 が細かい刻みで移動するため、STW(サーボ
トラックライティング)時間が増大してしまうという問
題があり、サーボパターンの長さをできるだけ長くして
STW時間を短縮したいという要請がある。かかる要請
は、特に記憶装置の製造現場において、STW時間を減
少させることによる設備の削減等に関わるものである。
いては、サーボパターンの長さが短いほど、磁気ヘッド
1131 が細かい刻みで移動するため、STW(サーボ
トラックライティング)時間が増大してしまうという問
題があり、サーボパターンの長さをできるだけ長くして
STW時間を短縮したいという要請がある。かかる要請
は、特に記憶装置の製造現場において、STW時間を減
少させることによる設備の削減等に関わるものである。
【0023】そこで、従来の記憶装置において、図10
に示すように1トラックTKあたり1/2トラックピッ
チTPのサーボパターン長L2 を有するサーボパターン
S2、S2 を用いる手法により、上述した要請に応える
ことも考えられる。すなわち、上記手法を用いた場合に
は、このサーボパターンS2 のサーボパターン長L2が
上述したサーボパターンS3 のサーボパターン長L3 の
3/2長であるため、1トラックピッチTPあたりのS
TW時間がサーボパターンS3 の場合に比して2/3に
なる。
に示すように1トラックTKあたり1/2トラックピッ
チTPのサーボパターン長L2 を有するサーボパターン
S2、S2 を用いる手法により、上述した要請に応える
ことも考えられる。すなわち、上記手法を用いた場合に
は、このサーボパターンS2 のサーボパターン長L2が
上述したサーボパターンS3 のサーボパターン長L3 の
3/2長であるため、1トラックピッチTPあたりのS
TW時間がサーボパターンS3 の場合に比して2/3に
なる。
【0024】しかしながら、上記手法を用いた場合に
は、上述した利点を有するもののリード動作時に後述す
る磁気ヘッド1131 が後述する不感帯に位置したとき
に、磁気ヘッド113に大きな振動が発生するという別
の問題が発生するため、かかる要請に応えることができ
ない。これは、図11に示すように磁気ヘッド1131
のリードコアRとライトコアWを結ぶ中心線Xb と、シ
リンダC1 の接線Xa とのなすヨー(YAW)角がθと
されていることに起因する。すなわち、同図に示すライ
ト動作時においては、ライトコアWがデータ領域RDの
シリンダC1 におけるトラックセンタTC’に常に位置
しているため、正常にライト動作が行われる。
は、上述した利点を有するもののリード動作時に後述す
る磁気ヘッド1131 が後述する不感帯に位置したとき
に、磁気ヘッド113に大きな振動が発生するという別
の問題が発生するため、かかる要請に応えることができ
ない。これは、図11に示すように磁気ヘッド1131
のリードコアRとライトコアWを結ぶ中心線Xb と、シ
リンダC1 の接線Xa とのなすヨー(YAW)角がθと
されていることに起因する。すなわち、同図に示すライ
ト動作時においては、ライトコアWがデータ領域RDの
シリンダC1 におけるトラックセンタTC’に常に位置
しているため、正常にライト動作が行われる。
【0025】これに対して、リード動作時においては、
リードコアRをデータ領域RDのトラックセンタTC’
に位置させるべく、図13に示すようにコアずれ補正量
H(図11参照)分だけシリンダC2 側へ移動させなけ
ればならない。この移動中において、リードコアRが1
本のサーボパターンS2 のみしか検出できない不感帯が
発生する。具体的には、図15に示す位置Bおよび位置
DにリードコアRがあるとき、リードコアRは、不感帯
に位置していることになる。
リードコアRをデータ領域RDのトラックセンタTC’
に位置させるべく、図13に示すようにコアずれ補正量
H(図11参照)分だけシリンダC2 側へ移動させなけ
ればならない。この移動中において、リードコアRが1
本のサーボパターンS2 のみしか検出できない不感帯が
発生する。具体的には、図15に示す位置Bおよび位置
DにリードコアRがあるとき、リードコアRは、不感帯
に位置していることになる。
【0026】この不感帯にリードコアRが位置している
ときの上述した増幅位置誤差信号P 0 の変化を図16に
示す。この図からわかるように、リードコアRが位置B
および位置Dに位置した場合、オフセット量OF1 〜オ
フセット量OF4 において急激に電圧Vが電圧変位量Δ
Vをもって上昇してしまう。従って、この電圧変位量Δ
Vが磁気ヘッド1131 の移動量に対応することから、
リードコアRが不感帯に位置すると、磁気ヘッド113
1 の移動量が増大し、ひいては振動が発生し、最悪の場
合には制御がきかなくなり、磁気ヘッド1131 が暴走
してしまうという事態も想定される。この不感帯による
影響は、図12に示すヨー角θが大きくなるほど顕著に
なる。
ときの上述した増幅位置誤差信号P 0 の変化を図16に
示す。この図からわかるように、リードコアRが位置B
および位置Dに位置した場合、オフセット量OF1 〜オ
フセット量OF4 において急激に電圧Vが電圧変位量Δ
Vをもって上昇してしまう。従って、この電圧変位量Δ
Vが磁気ヘッド1131 の移動量に対応することから、
リードコアRが不感帯に位置すると、磁気ヘッド113
1 の移動量が増大し、ひいては振動が発生し、最悪の場
合には制御がきかなくなり、磁気ヘッド1131 が暴走
してしまうという事態も想定される。この不感帯による
影響は、図12に示すヨー角θが大きくなるほど顕著に
なる。
【0027】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
ディスクにおける1トラックあたりのサーボパターンの
本数が少ない場合であってかつサーボパターンヘッドが
不感帯に位置した場合であっても、ヘッドの振動等を防
止することができるとともに、STW(サーボトラック
ライティング)時間を減少させることができる記憶装置
およびそれに用いられるディスク位置検出方法を提供す
ることを目的とする。
ディスクにおける1トラックあたりのサーボパターンの
本数が少ない場合であってかつサーボパターンヘッドが
不感帯に位置した場合であっても、ヘッドの振動等を防
止することができるとともに、STW(サーボトラック
ライティング)時間を減少させることができる記憶装置
およびそれに用いられるディスク位置検出方法を提供す
ることを目的とする。
【0028】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1にかかる記憶装置は、所定のトラックピッ
チで複数のトラックが形成され、1トラックあたり1/
nトラックピッチのサーボパターン長を有するサーボパ
ターンがn本、時分割的に形成されてなるサーボ領域
と、データを記憶するデータ領域とを有するディスク
(後述する一実施の形態の磁気ディスク1111 に相
当)と、前記サーボパターンに基づいて前記ディスク上
におけるヘッドの位置を検出し、検出結果を検出位置信
号として出力する位置検出手段(後述する一実施の形態
のサーボ復調回路129に相当)と、前記位置検出手段
よりフィードバックされる前記位置検出信号と前記ヘッ
ドの目標位置を表す位置誤差信号との位置誤差を求め、
算出結果を位置誤差信号として出力する位置誤差算出手
段(後述する一実施の形態の比較部130に相当)と、
前記位置誤差信号を所定のゲインで増幅し、増幅結果を
増幅位置誤差信号として出力する増幅手段(後述する一
実施の形態の増幅部131に相当)と、リード動作時に
前記増幅手段のゲインを、ライト動作時のゲインに比し
て低い値に設定するゲイン設定手段(後述する一実施の
形態のHDC回路121に相当)と、前記増幅位置誤差
信号に基づいて、前記ヘッドの移動量に対応する操作量
を求め、この操作量に基づいて前記ヘッドを移動させる
ヘッド移動手段(後述する一実施の形態のVCM駆動回
路127、VCM115およびキャリッジ114に相
当)とを備えることを特徴とする。
に、請求項1にかかる記憶装置は、所定のトラックピッ
チで複数のトラックが形成され、1トラックあたり1/
nトラックピッチのサーボパターン長を有するサーボパ
ターンがn本、時分割的に形成されてなるサーボ領域
と、データを記憶するデータ領域とを有するディスク
(後述する一実施の形態の磁気ディスク1111 に相
当)と、前記サーボパターンに基づいて前記ディスク上
におけるヘッドの位置を検出し、検出結果を検出位置信
号として出力する位置検出手段(後述する一実施の形態
のサーボ復調回路129に相当)と、前記位置検出手段
よりフィードバックされる前記位置検出信号と前記ヘッ
ドの目標位置を表す位置誤差信号との位置誤差を求め、
算出結果を位置誤差信号として出力する位置誤差算出手
段(後述する一実施の形態の比較部130に相当)と、
前記位置誤差信号を所定のゲインで増幅し、増幅結果を
増幅位置誤差信号として出力する増幅手段(後述する一
実施の形態の増幅部131に相当)と、リード動作時に
前記増幅手段のゲインを、ライト動作時のゲインに比し
て低い値に設定するゲイン設定手段(後述する一実施の
形態のHDC回路121に相当)と、前記増幅位置誤差
信号に基づいて、前記ヘッドの移動量に対応する操作量
を求め、この操作量に基づいて前記ヘッドを移動させる
ヘッド移動手段(後述する一実施の形態のVCM駆動回
路127、VCM115およびキャリッジ114に相
当)とを備えることを特徴とする。
【0029】この請求項1に記載の発明によれば、ゲイ
ン設定手段により、リード動作時に増幅手段のゲインが
ライト動作時のゲインに比して低い値に設定される。こ
のようなゲイン設定状態において、位置誤差信号および
位置検出信号が位置誤差算出手段に入力されると、位置
誤差算出手段は、位置検出信号と位置誤差信号との位置
誤差を求め、算出結果を位置誤差信号として、増幅手段
へ出力する。これにより、上記位置誤差信号は、ライト
動作時のゲインより低い低いゲインで増幅された後、増
幅位置誤差信号としてヘッド移動手段に入力され、ヘッ
ド移動手段は、増幅位置誤差信号に基づいて、ヘッドの
移動量に対応する操作量を求め、この操作量に基づいて
ヘッドを移動させる。
ン設定手段により、リード動作時に増幅手段のゲインが
ライト動作時のゲインに比して低い値に設定される。こ
のようなゲイン設定状態において、位置誤差信号および
位置検出信号が位置誤差算出手段に入力されると、位置
誤差算出手段は、位置検出信号と位置誤差信号との位置
誤差を求め、算出結果を位置誤差信号として、増幅手段
へ出力する。これにより、上記位置誤差信号は、ライト
動作時のゲインより低い低いゲインで増幅された後、増
幅位置誤差信号としてヘッド移動手段に入力され、ヘッ
ド移動手段は、増幅位置誤差信号に基づいて、ヘッドの
移動量に対応する操作量を求め、この操作量に基づいて
ヘッドを移動させる。
【0030】このヘッド移動中において、ヘッドが、位
置検出手段が正確にヘッドの位置を検出することができ
ない不感帯に位置することにより、検出位置信号のレベ
ルが急激な上昇をした場合であっても、増幅手段のゲイ
ンが低く設定されているので、レベルの急激な上昇が、
増幅位置誤差信号に直接影響することがない。
置検出手段が正確にヘッドの位置を検出することができ
ない不感帯に位置することにより、検出位置信号のレベ
ルが急激な上昇をした場合であっても、増幅手段のゲイ
ンが低く設定されているので、レベルの急激な上昇が、
増幅位置誤差信号に直接影響することがない。
【0031】従って、請求項1に記載の発明によれば、
ヘッドが不感帯に位置した場合であっても、操作量が増
大しないため、ヘッドの振動等を防止することができる
ともに、1トラックあたりのサーボパターンの本数を少
なくすることができるので、製造現場におけるSTW
(サーボトラックライティング)時間を減少させること
ができるため設備を削減することができる。
ヘッドが不感帯に位置した場合であっても、操作量が増
大しないため、ヘッドの振動等を防止することができる
ともに、1トラックあたりのサーボパターンの本数を少
なくすることができるので、製造現場におけるSTW
(サーボトラックライティング)時間を減少させること
ができるため設備を削減することができる。
【0032】請求項2にかかる記憶装置は、請求項1に
記載の記憶装置において、前記ディスクは、1トラック
あたり1/2トラックピッチのサーボパターン長を有す
るサーボパターンが2本、時分割的に形成されてなるこ
とを特徴とする。
記載の記憶装置において、前記ディスクは、1トラック
あたり1/2トラックピッチのサーボパターン長を有す
るサーボパターンが2本、時分割的に形成されてなるこ
とを特徴とする。
【0033】この請求項2に記載の発明によれば、ディ
スクにおける1トラックあたり1/2トラックピッチの
サーボパターン長を有するサーボパターンが2本、時分
割的に形成されていることから、従来のサーボパターン
の本数が3本の場合に比して、STW時間を2/3に減
少させることができる。
スクにおける1トラックあたり1/2トラックピッチの
サーボパターン長を有するサーボパターンが2本、時分
割的に形成されていることから、従来のサーボパターン
の本数が3本の場合に比して、STW時間を2/3に減
少させることができる。
【0034】請求項3にかかる記憶装置の記憶装置は、
請求項1または2に記載の記憶装置において、前記ゲイ
ン設定手段は、リード動作時に前記増幅手段のゲイン
を、ライト動作時のゲインに比して1/2の値のゲイン
に設定することを特徴とする。
請求項1または2に記載の記憶装置において、前記ゲイ
ン設定手段は、リード動作時に前記増幅手段のゲイン
を、ライト動作時のゲインに比して1/2の値のゲイン
に設定することを特徴とする。
【0035】この請求項3に記載の発明によれば、ゲイ
ン設定手段により、リード動作時に増幅手段のゲイン
が、ライト動作時のゲインに比して1/2の値のゲイン
に設定されるので、従来のものに比して、ヘッドが不感
帯に位置したときの振動を半分にすることができる。
ン設定手段により、リード動作時に増幅手段のゲイン
が、ライト動作時のゲインに比して1/2の値のゲイン
に設定されるので、従来のものに比して、ヘッドが不感
帯に位置したときの振動を半分にすることができる。
【0036】請求項4にかかる記憶装置に用いられるデ
ィスク位置検出方法は、所定のトラックピッチで複数の
トラックが形成され、1トラックあたり1/nトラック
ピッチのサーボパターン長を有するサーボパターンがn
本、時分割的に形成されてなるサーボ領域と、データを
記憶するデータ領域とを有するディスクを備えた記憶装
置に用いられるディスク位置検出方法であって、前記サ
ーボパターンに基づいて前記ディスク上におけるヘッド
の位置を検出し、検出結果を検出位置信号として出力す
る位置検出工程(後述する一実施の形態のサーボ復調回
路129の作用に相当)と、前記位置検出工程において
フィードバックされる前記位置検出信号と前記ヘッドの
目標位置を表す位置誤差信号との位置誤差を求め、算出
結果を位置誤差信号として出力する位置誤差算出工程
(後述する一実施の形態の比較部130の作用に相当)
と、前記位置誤差信号を所定のゲインで増幅し、増幅結
果を増幅位置誤差信号として出力する増幅工程(後述す
る一実施の形態の増幅部131の作用に相当)と、リー
ド動作時に前記増幅工程におけるゲインを、ライト動作
時のゲインに比して低い値に設定するゲイン設定工程
と、前記増幅位置誤差信号に基づいて、前記ヘッドの移
動量に対応する操作量を求め、この操作量に基づいて前
記ヘッドを移動させるヘッド移動工程(後述する一実施
の形態のVCM駆動回路127、VCM115およびキ
ャリッジ114の各作用に相当)とを備えることを特徴
とする。
ィスク位置検出方法は、所定のトラックピッチで複数の
トラックが形成され、1トラックあたり1/nトラック
ピッチのサーボパターン長を有するサーボパターンがn
本、時分割的に形成されてなるサーボ領域と、データを
記憶するデータ領域とを有するディスクを備えた記憶装
置に用いられるディスク位置検出方法であって、前記サ
ーボパターンに基づいて前記ディスク上におけるヘッド
の位置を検出し、検出結果を検出位置信号として出力す
る位置検出工程(後述する一実施の形態のサーボ復調回
路129の作用に相当)と、前記位置検出工程において
フィードバックされる前記位置検出信号と前記ヘッドの
目標位置を表す位置誤差信号との位置誤差を求め、算出
結果を位置誤差信号として出力する位置誤差算出工程
(後述する一実施の形態の比較部130の作用に相当)
と、前記位置誤差信号を所定のゲインで増幅し、増幅結
果を増幅位置誤差信号として出力する増幅工程(後述す
る一実施の形態の増幅部131の作用に相当)と、リー
ド動作時に前記増幅工程におけるゲインを、ライト動作
時のゲインに比して低い値に設定するゲイン設定工程
と、前記増幅位置誤差信号に基づいて、前記ヘッドの移
動量に対応する操作量を求め、この操作量に基づいて前
記ヘッドを移動させるヘッド移動工程(後述する一実施
の形態のVCM駆動回路127、VCM115およびキ
ャリッジ114の各作用に相当)とを備えることを特徴
とする。
【0037】この請求項4に記載の発明によれば、ゲイ
ン設定工程において、リード動作時に増幅工程における
ゲインがライト動作時のゲインに比して低い値に設定さ
れる。このようなゲイン設定状態において、位置誤差算
出工程においては、位置検出信号と位置誤差信号との位
置誤差が求められた後、算出結果が位置誤差信号として
出力される。これにより、上記位置誤差信号は、ライト
動作時のゲインより低い低いゲインで増幅される。そし
て、ヘッド移動工程においては、増幅位置誤差信号に基
づいて、ヘッドの移動量に対応する操作量が求められた
後、この操作量に基づいてヘッドが移動される。
ン設定工程において、リード動作時に増幅工程における
ゲインがライト動作時のゲインに比して低い値に設定さ
れる。このようなゲイン設定状態において、位置誤差算
出工程においては、位置検出信号と位置誤差信号との位
置誤差が求められた後、算出結果が位置誤差信号として
出力される。これにより、上記位置誤差信号は、ライト
動作時のゲインより低い低いゲインで増幅される。そし
て、ヘッド移動工程においては、増幅位置誤差信号に基
づいて、ヘッドの移動量に対応する操作量が求められた
後、この操作量に基づいてヘッドが移動される。
【0038】このヘッド移動中において、ヘッドが、位
置検出工程で正確にヘッドの位置を検出することができ
ない不感帯に位置することにより、検出位置信号のレベ
ルが急激な上昇をした場合であっても、増幅工程におけ
るゲインが低く設定されているので、レベルの急激な上
昇が、増幅位置誤差信号に直接影響することがない。
置検出工程で正確にヘッドの位置を検出することができ
ない不感帯に位置することにより、検出位置信号のレベ
ルが急激な上昇をした場合であっても、増幅工程におけ
るゲインが低く設定されているので、レベルの急激な上
昇が、増幅位置誤差信号に直接影響することがない。
【0039】従って、請求項4に記載の発明によれば、
ヘッドが不感帯に位置した場合であっても、操作量が増
大しないため、ヘッドの振動等を防止することができる
ともに、1トラックあたりのサーボパターンの本数を少
なくすることができ、この減少分だけ製造現場における
STW時間を減少させることができることから、設備を
削減することができる。
ヘッドが不感帯に位置した場合であっても、操作量が増
大しないため、ヘッドの振動等を防止することができる
ともに、1トラックあたりのサーボパターンの本数を少
なくすることができ、この減少分だけ製造現場における
STW時間を減少させることができることから、設備を
削減することができる。
【0040】請求項5にかかる記憶装置に用いられるデ
ィスク位置検出方法は、請求項4に記載の記憶装置に用
いられるディスク位置検出方法において、前記ディスク
は、1トラックあたり1/2トラックピッチのサーボパ
ターン長を有するサーボパターンが2本、時分割的に形
成されてなることを特徴とする。
ィスク位置検出方法は、請求項4に記載の記憶装置に用
いられるディスク位置検出方法において、前記ディスク
は、1トラックあたり1/2トラックピッチのサーボパ
ターン長を有するサーボパターンが2本、時分割的に形
成されてなることを特徴とする。
【0041】この請求項5に記載の発明によれば、ゲイ
ン設定工程においてリード動作時に増幅工程におけるゲ
インが、ライト動作時のゲインに比して1/2の値のゲ
インに設定されるので、従来のものに比して、ヘッドが
不感帯に位置したときの振動を半分にすることができ
る。
ン設定工程においてリード動作時に増幅工程におけるゲ
インが、ライト動作時のゲインに比して1/2の値のゲ
インに設定されるので、従来のものに比して、ヘッドが
不感帯に位置したときの振動を半分にすることができ
る。
【0042】請求項6にかかる記憶装置に用いられるデ
ィスク位置検出方法は、請求項4または5に記載の記憶
装置に用いられるディスク位置検出方法において、前記
ゲイン設定工程においては、リード動作時に前記増幅工
程におけるゲインが、ライト動作時のゲインに比して1
/2の値のゲインに設定されることを特徴とする。
ィスク位置検出方法は、請求項4または5に記載の記憶
装置に用いられるディスク位置検出方法において、前記
ゲイン設定工程においては、リード動作時に前記増幅工
程におけるゲインが、ライト動作時のゲインに比して1
/2の値のゲインに設定されることを特徴とする。
【0043】この請求項6に記載の発明によれば、ゲイ
ン設定工程において、リード動作時に増幅工程における
ゲインが、ライト動作時のゲインに比して1/2の値の
ゲインに設定されるので、従来のものに比して、ヘッド
が不感帯に位置したときの振動を半分にすることができ
る。
ン設定工程において、リード動作時に増幅工程における
ゲインが、ライト動作時のゲインに比して1/2の値の
ゲインに設定されるので、従来のものに比して、ヘッド
が不感帯に位置したときの振動を半分にすることができ
る。
【0044】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
かかる記憶装置およびそれに用いられるディスク位置検
出方法の一実施の形態について詳細に説明する。
かかる記憶装置およびそれに用いられるディスク位置検
出方法の一実施の形態について詳細に説明する。
【0045】図1は、本発明の一実施の形態による記憶
装置10の外観構成を示す分解斜視図であり、図2は同
一実施の形態による記憶装置10の電気的構成を示すブ
ロック図である。ここで、図1および図2において、図
5(a)の各部に対応する部分には同一の符号を付け
る。
装置10の外観構成を示す分解斜視図であり、図2は同
一実施の形態による記憶装置10の電気的構成を示すブ
ロック図である。ここで、図1および図2において、図
5(a)の各部に対応する部分には同一の符号を付け
る。
【0046】はじめに、図1において、記憶装置10
は、筐体11およびカバー12からなる密閉容器内に磁
気ディスク1111 、磁気ヘッド1131 等を封止組み
込みしてなるHDA(ヘッドディスクアッセンブリ:図
示略)と、HDC(ハードディスクコントローラ)回路
121、各種回路が実装されたプリント回路基板120
と、HDA110内の構成部品とプリント回路基板12
0とを電気的に接続するためのコネクタ140とから構
成されている。
は、筐体11およびカバー12からなる密閉容器内に磁
気ディスク1111 、磁気ヘッド1131 等を封止組み
込みしてなるHDA(ヘッドディスクアッセンブリ:図
示略)と、HDC(ハードディスクコントローラ)回路
121、各種回路が実装されたプリント回路基板120
と、HDA110内の構成部品とプリント回路基板12
0とを電気的に接続するためのコネクタ140とから構
成されている。
【0047】上記HDA110は、上面が開放されてな
る略箱形状の筐体11と、該筐体11内に収容された複
数枚の磁気ディスク1111 〜111n 、SPM11
2、磁気ヘッド1131 〜113n 、キャリッジ11
4、FPC(フレキシブルプリントサーキットシート)
116、と、パッキン13を介して筐体11の上面開口
部を密封してなるカバー12とが組み立てられて構成さ
れている。
る略箱形状の筐体11と、該筐体11内に収容された複
数枚の磁気ディスク1111 〜111n 、SPM11
2、磁気ヘッド1131 〜113n 、キャリッジ11
4、FPC(フレキシブルプリントサーキットシート)
116、と、パッキン13を介して筐体11の上面開口
部を密封してなるカバー12とが組み立てられて構成さ
れている。
【0048】HDA110において、磁気ディスク11
11 〜111n は、磁気的にデータを記憶するn枚の円
板状の記憶媒体であり、軸方向に一定間隔をおいて積層
状にそれぞれ配設されている。これらの磁気ディスク1
111 〜111n は、前述した図10および図11に示
すサーボ領域RSおよびデータ領域RDを備えており、
かつサーボ領域RSにおいては、シリンダC0 〜C
3 (トラックTK)を2分割するサーボパターンS2 、
S2 が記録されている。上記キャリッジ114は、磁気
ディスク1111 〜111n の近傍に設けられており、
磁気ヘッド1131〜113n を支持する。FPC11
6は、シート状であってかつ可撓性の配線材であり、キ
ャリッジ114とコネクタ140の各端子(図示略)と
の間を接続する。
11 〜111n は、磁気的にデータを記憶するn枚の円
板状の記憶媒体であり、軸方向に一定間隔をおいて積層
状にそれぞれ配設されている。これらの磁気ディスク1
111 〜111n は、前述した図10および図11に示
すサーボ領域RSおよびデータ領域RDを備えており、
かつサーボ領域RSにおいては、シリンダC0 〜C
3 (トラックTK)を2分割するサーボパターンS2 、
S2 が記録されている。上記キャリッジ114は、磁気
ディスク1111 〜111n の近傍に設けられており、
磁気ヘッド1131〜113n を支持する。FPC11
6は、シート状であってかつ可撓性の配線材であり、キ
ャリッジ114とコネクタ140の各端子(図示略)と
の間を接続する。
【0049】また、図1に示すプリント回路基板120
には、図2に示すHDC回路121、バッファ回路12
2等の各種回路が実装されており、これらの各種回路
は、コネクタ140を介してHDA110における各種
構成部品(ヘッドIC1171、ヘッドIC117
2 等)に電気的に接続されている。
には、図2に示すHDC回路121、バッファ回路12
2等の各種回路が実装されており、これらの各種回路
は、コネクタ140を介してHDA110における各種
構成部品(ヘッドIC1171、ヘッドIC117
2 等)に電気的に接続されている。
【0050】つぎに、図2を参照して本発明の一実施の
形態による記憶装置10の電気的構成について説明す
る。図2において、図1の各部に対応する部分には同一
の符号を付けその説明を省略する。
形態による記憶装置10の電気的構成について説明す
る。図2において、図1の各部に対応する部分には同一
の符号を付けその説明を省略する。
【0051】図2に示すHDA110において、SPM
(スピンドルモータ)112は、上記磁気ディスク11
11 〜111n を高速回転させる。ヘッドIC(集積回
路)1171 およびヘッドIC1172 は、ライトアン
プおよびプリアンプ(いずれも図示略)からなり、FP
C116の表面に並列的にそれぞれ実装されている。上
記ライトアンプは、磁気ヘッド1131 〜113n へ供
給すべき記録電流の極性を、CPU150から供給され
るライトデータに従って切り替えるものであり、プリア
ンプは、磁気ヘッド1131 〜113n により検知され
た再生電圧(リード信号)を増幅する。
(スピンドルモータ)112は、上記磁気ディスク11
11 〜111n を高速回転させる。ヘッドIC(集積回
路)1171 およびヘッドIC1172 は、ライトアン
プおよびプリアンプ(いずれも図示略)からなり、FP
C116の表面に並列的にそれぞれ実装されている。上
記ライトアンプは、磁気ヘッド1131 〜113n へ供
給すべき記録電流の極性を、CPU150から供給され
るライトデータに従って切り替えるものであり、プリア
ンプは、磁気ヘッド1131 〜113n により検知され
た再生電圧(リード信号)を増幅する。
【0052】なお、磁気ヘッド1131 〜113n のヘ
ッド個数が所定数以下である場合には、ヘッドIC11
72 を設けることなく、1個のヘッドIC1171 のみ
により磁気ヘッド1131 〜113n を制御する構成と
することも可能である。
ッド個数が所定数以下である場合には、ヘッドIC11
72 を設けることなく、1個のヘッドIC1171 のみ
により磁気ヘッド1131 〜113n を制御する構成と
することも可能である。
【0053】VCM(ボイスコイルモータ)115は、
キャリッジ114を回転させることにより、磁気ディス
ク1111 〜111n の半径方向に沿って、磁気ヘッド
1131 〜113n を移動させる。
キャリッジ114を回転させることにより、磁気ディス
ク1111 〜111n の半径方向に沿って、磁気ヘッド
1131 〜113n を移動させる。
【0054】プリント回路基板120は、HDA110
の裏面にコネクタ140を介して着脱自在とされた外付
けの基板であり、コネクタ140は、HDA110にお
ける構成部品とプリント回路基板120に実装された各
種回路との間のインターフェースをとる。上記プリント
回路基板120において、HDC回路121は、図示し
ないSCSI(Small Computer System Interface )バ
スを介してCPU150に接続されており、該CPU1
50との間で上記SCSIバスを介して、各種命令、上
述した磁気ディスク1111 〜111n に書き込むべき
ライトデータ(書き込みデータ)、磁気ディスク111
1 〜111n から読み出されたリードデータ(読み出し
データ)の授受等を行う。
の裏面にコネクタ140を介して着脱自在とされた外付
けの基板であり、コネクタ140は、HDA110にお
ける構成部品とプリント回路基板120に実装された各
種回路との間のインターフェースをとる。上記プリント
回路基板120において、HDC回路121は、図示し
ないSCSI(Small Computer System Interface )バ
スを介してCPU150に接続されており、該CPU1
50との間で上記SCSIバスを介して、各種命令、上
述した磁気ディスク1111 〜111n に書き込むべき
ライトデータ(書き込みデータ)、磁気ディスク111
1 〜111n から読み出されたリードデータ(読み出し
データ)の授受等を行う。
【0055】また、HDC回路121は、磁気ディスク
1111 〜111n における磁気ヘッド1131 〜11
3n の目標位置を表す目標位置信号Sp0や、磁気ディス
ク1111 〜111n における記録・再生のためのフォ
ーマットを制御する制御信号等を発生させる。
1111 〜111n における磁気ヘッド1131 〜11
3n の目標位置を表す目標位置信号Sp0や、磁気ディス
ク1111 〜111n における記録・再生のためのフォ
ーマットを制御する制御信号等を発生させる。
【0056】バッファ回路122は、例えば、記憶容量
が512kバイトのDRAM(Dynamic Random Access
Memory)であり、CPU150より入力されたライトデ
ータ(書き込みデータ)、および磁気ディスク1111
〜111n から読み出されたリードデータを一時的に記
憶する。
が512kバイトのDRAM(Dynamic Random Access
Memory)であり、CPU150より入力されたライトデ
ータ(書き込みデータ)、および磁気ディスク1111
〜111n から読み出されたリードデータを一時的に記
憶する。
【0057】ROM(Read Only Memory)123は、H
DC回路121により実行される書き込み/読み出し制
御用のプログラムを記憶するものであり、このプログラ
ム実行時にHDC回路121によりアクセスされる。R
AM(Random Access Memory)124は、上記プログラ
ム実行中に生じる各種データを一時的に記憶するもので
ある。
DC回路121により実行される書き込み/読み出し制
御用のプログラムを記憶するものであり、このプログラ
ム実行時にHDC回路121によりアクセスされる。R
AM(Random Access Memory)124は、上記プログラ
ム実行中に生じる各種データを一時的に記憶するもので
ある。
【0058】制御回路125は、HDC回路121より
入力される目標位置信号Sp0、および後述するサーボ復
調回路129より入力される検出位置信号Sp1に基づい
て、磁気ヘッド1131 〜113n の位置をサーボ制御
するとともに、リード/ライト時に装置各部を制御す
る。この制御回路125の動作の詳細については、後述
する。
入力される目標位置信号Sp0、および後述するサーボ復
調回路129より入力される検出位置信号Sp1に基づい
て、磁気ヘッド1131 〜113n の位置をサーボ制御
するとともに、リード/ライト時に装置各部を制御す
る。この制御回路125の動作の詳細については、後述
する。
【0059】リード/ライト回路126は、ライトデー
タを磁気ディスク1111 〜111 n に書き込むための
変調回路や、パラレルのライトデータをシリアルデータ
に変換するパラレル/シリアル変換回路や、リードデー
タを磁気ディスク1111 〜111n から読み出すため
の復調回路等を備えている。また、リード/ライト回路
126は、シリアルのリードデータをパラレルデータに
変換するシリアル/パラレル変換回路や、水晶振動子等
を用いた発振回路の周波数を逓倍することにより、装置
各部のタイミング用のタイミング信号を発生させるシン
セサイザ回路等を備えている。
タを磁気ディスク1111 〜111 n に書き込むための
変調回路や、パラレルのライトデータをシリアルデータ
に変換するパラレル/シリアル変換回路や、リードデー
タを磁気ディスク1111 〜111n から読み出すため
の復調回路等を備えている。また、リード/ライト回路
126は、シリアルのリードデータをパラレルデータに
変換するシリアル/パラレル変換回路や、水晶振動子等
を用いた発振回路の周波数を逓倍することにより、装置
各部のタイミング用のタイミング信号を発生させるシン
セサイザ回路等を備えている。
【0060】サーボ復調回路129は、磁気ディスク1
111 〜111n のサーボ領域RS(図10参照)に記
録されたサーボパターンS2 、S2 の位相差に基づい
て、磁気ディスク1111 〜111n における磁気ヘッ
ド1131 〜113n の検出位置を検出する。また、サ
ーボ復調回路129は、上記検出位置の検出結果を検出
位置信号Sp1として制御回路125へ出力する。
111 〜111n のサーボ領域RS(図10参照)に記
録されたサーボパターンS2 、S2 の位相差に基づい
て、磁気ディスク1111 〜111n における磁気ヘッ
ド1131 〜113n の検出位置を検出する。また、サ
ーボ復調回路129は、上記検出位置の検出結果を検出
位置信号Sp1として制御回路125へ出力する。
【0061】VCM(ボイルコイルモータ)駆動回路1
27は、VCM115を駆動するものであり、制御回路
125より供給されるVCM操作量信号Sm1に応じた駆
動電流をコネクタ140を介してVCM115へ供給す
るパワーアンプ(図示略)を備えている。
27は、VCM115を駆動するものであり、制御回路
125より供給されるVCM操作量信号Sm1に応じた駆
動電流をコネクタ140を介してVCM115へ供給す
るパワーアンプ(図示略)を備えている。
【0062】SPM(スピンドルモータ)駆動回路12
8は、SPM112を駆動するものであり、制御回路1
25より供給されるSPM操作量信号Sm2に応じた駆動
電流をコネクタ140を介してSPM112へ供給する
パワーアンプ(図示略)を備えている。
8は、SPM112を駆動するものであり、制御回路1
25より供給されるSPM操作量信号Sm2に応じた駆動
電流をコネクタ140を介してSPM112へ供給する
パワーアンプ(図示略)を備えている。
【0063】すなわち、制御回路125は、サーボ復調
回路129により復調された検出位置信号Sp1のフィー
ドバックを受けながら、検出位置信号Sp1から得られる
検出位置が、目標位置信号Sp0から得られる目標位置と
なるように、VCM駆動回路127およびSPM駆動回
路128の各駆動電流を制御することにより、磁気ヘッ
ド1131 〜113n の位置決め制御を行う。
回路129により復調された検出位置信号Sp1のフィー
ドバックを受けながら、検出位置信号Sp1から得られる
検出位置が、目標位置信号Sp0から得られる目標位置と
なるように、VCM駆動回路127およびSPM駆動回
路128の各駆動電流を制御することにより、磁気ヘッ
ド1131 〜113n の位置決め制御を行う。
【0064】図3は、磁気ヘッド1131 〜113n の
位置決め制御時に形成されるフィードバック回路の構成
を示すブロック図であり、図2の各部に対応する部分に
は同一の符号を付ける。
位置決め制御時に形成されるフィードバック回路の構成
を示すブロック図であり、図2の各部に対応する部分に
は同一の符号を付ける。
【0065】図3に示す制御回路125において、比較
部130は、HDC回路121(図2参照)より入力さ
れる目標位置信号Sp0と、サーボ復調回路129(図2
参照)より入力される検出位置信号Sp1とを比較する。
また、比較部130は、上記目標位置信号Sp0と検出位
置信号Sp1との差をとり、この差を位置誤差信号Ssと
して出力する。
部130は、HDC回路121(図2参照)より入力さ
れる目標位置信号Sp0と、サーボ復調回路129(図2
参照)より入力される検出位置信号Sp1とを比較する。
また、比較部130は、上記目標位置信号Sp0と検出位
置信号Sp1との差をとり、この差を位置誤差信号Ssと
して出力する。
【0066】増幅部131は、位置誤差信号Ss を所定
のゲインをもって増幅する。ここで、増幅部131のゲ
インは、磁気ディスク1111 〜111n に対するライ
ト動作時にゲインG0 に設定される一方、磁気ディスク
1111 〜111n に対するリード動作時にゲインG1
またはゲインG2 (<G1 )に設定される。上記ゲイン
G1 およびゲインG2 は、共にゲインG0 より低い値と
されている。一例として、ゲインG2 は、ゲインG0 の
約半分(6dB)の値とされている。すなわち、増幅部
131は、ライト動作時にゲインとしてゲインG0 が設
定されている場合には、位置誤差信号Ss をゲインG0
をもって増幅した後、これを増幅位置誤差信号P0 とし
て出力する。
のゲインをもって増幅する。ここで、増幅部131のゲ
インは、磁気ディスク1111 〜111n に対するライ
ト動作時にゲインG0 に設定される一方、磁気ディスク
1111 〜111n に対するリード動作時にゲインG1
またはゲインG2 (<G1 )に設定される。上記ゲイン
G1 およびゲインG2 は、共にゲインG0 より低い値と
されている。一例として、ゲインG2 は、ゲインG0 の
約半分(6dB)の値とされている。すなわち、増幅部
131は、ライト動作時にゲインとしてゲインG0 が設
定されている場合には、位置誤差信号Ss をゲインG0
をもって増幅した後、これを増幅位置誤差信号P0 とし
て出力する。
【0067】一方、リード動作時にゲインとしてゲイン
G1 またはゲインG2 が設定されている場合、増幅部1
31は、位置誤差信号Ss をゲインG1 またはゲインG
2 をもって増幅した後、増幅結果を増幅位置誤差信号P
1 または増幅位置誤差信号P 2 として出力する。
G1 またはゲインG2 が設定されている場合、増幅部1
31は、位置誤差信号Ss をゲインG1 またはゲインG
2 をもって増幅した後、増幅結果を増幅位置誤差信号P
1 または増幅位置誤差信号P 2 として出力する。
【0068】制御部132は、上述した増幅位置誤差信
号P0 (増幅位置誤差信号P1 または増幅位置誤差信号
P2 )がゼロになるようなVCM115に対する操作量
を求め、この操作量に応じたVCM操作量信号Sm1をV
CM115へ出力する。ここで、VCM115は、フィ
ードバック制御系における制御対象である。なお、図2
においては、VCM駆動回路127へVCM操作量信号
Sm1が入力される構成とされているが、直接的な制御対
象という観点から図3においては、便宜上、VCM11
5へVCM操作量信号Sm1が入力される構成とされてい
る。
号P0 (増幅位置誤差信号P1 または増幅位置誤差信号
P2 )がゼロになるようなVCM115に対する操作量
を求め、この操作量に応じたVCM操作量信号Sm1をV
CM115へ出力する。ここで、VCM115は、フィ
ードバック制御系における制御対象である。なお、図2
においては、VCM駆動回路127へVCM操作量信号
Sm1が入力される構成とされているが、直接的な制御対
象という観点から図3においては、便宜上、VCM11
5へVCM操作量信号Sm1が入力される構成とされてい
る。
【0069】つぎに、上述した本発明の一実施の形態に
よる記憶装置10の動作について説明する。はじめに、
ライト動作について図11および図12を参照しつつ説
明する。図2において、制御回路125からSPM駆動
回路128へSPM操作量信号Sm2が供給されると、S
PM駆動回路128からは、上記SPM操作量信号Sm2
に応じた大きさの駆動電流がコネクタ140を介してS
PM112へ出力される。これにより、SPM112が
所定の回転速度で回転駆動されることにより、磁気ディ
スク1111 〜111n がそれぞれ回転駆動される。な
お、以下の説明においては、説明を簡略化するために磁
気ヘッド1131 の動作を中心にして説明する。
よる記憶装置10の動作について説明する。はじめに、
ライト動作について図11および図12を参照しつつ説
明する。図2において、制御回路125からSPM駆動
回路128へSPM操作量信号Sm2が供給されると、S
PM駆動回路128からは、上記SPM操作量信号Sm2
に応じた大きさの駆動電流がコネクタ140を介してS
PM112へ出力される。これにより、SPM112が
所定の回転速度で回転駆動されることにより、磁気ディ
スク1111 〜111n がそれぞれ回転駆動される。な
お、以下の説明においては、説明を簡略化するために磁
気ヘッド1131 の動作を中心にして説明する。
【0070】ここで、図11に示す磁気ヘッド1131
がシリンダC0 外に位置しているものとし、かつ磁気ヘ
ッド1131 を現在位置から同図に示すシリンダC1 の
中心位置まで移動させるものとすると、HDC回路12
1は、上記シリンダC1 の中心位置を目標位置として、
目標位置信号Sp0を図3に示す制御回路125の比較部
130へ出力する。また、HDC回路121は、図3に
示す増幅部131のゲインをライト用のゲインG0 に設
定する。
がシリンダC0 外に位置しているものとし、かつ磁気ヘ
ッド1131 を現在位置から同図に示すシリンダC1 の
中心位置まで移動させるものとすると、HDC回路12
1は、上記シリンダC1 の中心位置を目標位置として、
目標位置信号Sp0を図3に示す制御回路125の比較部
130へ出力する。また、HDC回路121は、図3に
示す増幅部131のゲインをライト用のゲインG0 に設
定する。
【0071】この場合、検出位置信号Sp1=0であるも
のとすると、比較部130は、位置誤差信号Ss (=目
標位置信号Sp0)を増幅部131へ出力する。これによ
り、増幅部131は、位置誤差信号Ss をゲインG0 を
もって増幅した後、これを増幅位置誤差信号P0 として
制御部132へ出力する。これにより、制御部132
は、増幅位置誤差信号P0 がゼロとなるようなVCM1
15の操作量を求め、この操作量に応じたVCM操作量
信号Sm1をVCM115(図2:VCM駆動回路12
7)へ出力する。
のとすると、比較部130は、位置誤差信号Ss (=目
標位置信号Sp0)を増幅部131へ出力する。これによ
り、増幅部131は、位置誤差信号Ss をゲインG0 を
もって増幅した後、これを増幅位置誤差信号P0 として
制御部132へ出力する。これにより、制御部132
は、増幅位置誤差信号P0 がゼロとなるようなVCM1
15の操作量を求め、この操作量に応じたVCM操作量
信号Sm1をVCM115(図2:VCM駆動回路12
7)へ出力する。
【0072】そして、図2に示すVCM駆動回路127
にVCM操作量信号Sm1が入力されると、VCM駆動回
路127は、上記VCM操作量信号Sm1に応じた駆動電
流をコネクタ140を介してVCM115へ出力する。
これにより、VCM115が駆動され、図11および図
12に示す磁気ヘッド1131 は、半径方向に1/2ト
ラックピッチTP送りで移動される。これにより、磁気
ヘッド1131 は、まず、シリンダC0 を横切るように
移動される。この移動中においては、サーボパターンS
2 、S2 、・・・ がリードコアRにより検出される。この
検出結果の情報は、ヘッドIC1171 、FPC116
およびコネクタ140を経由して、サーボ復調回路12
9に入力される。
にVCM操作量信号Sm1が入力されると、VCM駆動回
路127は、上記VCM操作量信号Sm1に応じた駆動電
流をコネクタ140を介してVCM115へ出力する。
これにより、VCM115が駆動され、図11および図
12に示す磁気ヘッド1131 は、半径方向に1/2ト
ラックピッチTP送りで移動される。これにより、磁気
ヘッド1131 は、まず、シリンダC0 を横切るように
移動される。この移動中においては、サーボパターンS
2 、S2 、・・・ がリードコアRにより検出される。この
検出結果の情報は、ヘッドIC1171 、FPC116
およびコネクタ140を経由して、サーボ復調回路12
9に入力される。
【0073】そして、サーボ復調回路129は、サーボ
領域RS(図10参照)に記録されたサーボパターンS
2 、S2 の位相差に基づいて、磁気ヘッド1131 の検
出位置を検出した後、検出結果を目標位置信号Sp0とし
て図3に示す比較部130へフィードバックする。
領域RS(図10参照)に記録されたサーボパターンS
2 、S2 の位相差に基づいて、磁気ヘッド1131 の検
出位置を検出した後、検出結果を目標位置信号Sp0とし
て図3に示す比較部130へフィードバックする。
【0074】以下、上述した動作が行われ、比較部13
0により、目標位置信号Sp0と検出位置信号Sp1との差
である位置誤差信号Ss が増幅部131へ出力される。
つぎに、増幅部131により、位置誤差信号Ss がゲイ
ンG0 をもって増幅された後、増幅位置誤差信号P0 が
制御部132へ出力される。これにより、制御部132
は、増幅位置誤差信号P0 がゼロとなるようなVCM1
15の操作量を求め、この操作量に応じたVCM操作量
信号Sm1をVCM115(図2:VCM駆動回路12
7)へ出力する。
0により、目標位置信号Sp0と検出位置信号Sp1との差
である位置誤差信号Ss が増幅部131へ出力される。
つぎに、増幅部131により、位置誤差信号Ss がゲイ
ンG0 をもって増幅された後、増幅位置誤差信号P0 が
制御部132へ出力される。これにより、制御部132
は、増幅位置誤差信号P0 がゼロとなるようなVCM1
15の操作量を求め、この操作量に応じたVCM操作量
信号Sm1をVCM115(図2:VCM駆動回路12
7)へ出力する。
【0075】そして、ここで、図11に示す磁気ヘッド
1131 のリードコアRが目標位置であるシリンダC1
のセンタ(トラックセンタ)に位置したものとすると、
他方のライトコアWは、データ領域RDにおけるシリン
ダC1 のセンタ(トラックセンタTC)に位置してい
る。すなわち、ライトコアWは、トラックオンした状態
にある。このトラックオン状態において、リード/ライ
ト回路126は、制御回路125の制御により、磁気ヘ
ッド1131 のライトコアWに対して、ライトデータに
応じた記録電流を供給する。これにより、上記ライトコ
アWによって、データ領域RDにおけるシリンダC
1 (トラック)にライトデータがライトされる。
1131 のリードコアRが目標位置であるシリンダC1
のセンタ(トラックセンタ)に位置したものとすると、
他方のライトコアWは、データ領域RDにおけるシリン
ダC1 のセンタ(トラックセンタTC)に位置してい
る。すなわち、ライトコアWは、トラックオンした状態
にある。このトラックオン状態において、リード/ライ
ト回路126は、制御回路125の制御により、磁気ヘ
ッド1131 のライトコアWに対して、ライトデータに
応じた記録電流を供給する。これにより、上記ライトコ
アWによって、データ領域RDにおけるシリンダC
1 (トラック)にライトデータがライトされる。
【0076】つぎに、リード動作について図11、図1
4〜図15を参照しつつ説明する。このリード動作の説
明は、図11に示すデータ領域RDにおけるシリンダC
1 (トラック)に書き込まれたデータを読み出す場合に
ついて説明する。
4〜図15を参照しつつ説明する。このリード動作の説
明は、図11に示すデータ領域RDにおけるシリンダC
1 (トラック)に書き込まれたデータを読み出す場合に
ついて説明する。
【0077】上記リード動作時においては、図2に示す
HDC回路121は、図3に示す増幅部131のゲイン
をリード動作用のゲインG1 (またはゲインG2 )に設
定する。これにより、増幅部131のゲインは、ライト
動作時のゲインG0 に比して低いゲインG1 (またはゲ
インG2 )とされる。
HDC回路121は、図3に示す増幅部131のゲイン
をリード動作用のゲインG1 (またはゲインG2 )に設
定する。これにより、増幅部131のゲインは、ライト
動作時のゲインG0 に比して低いゲインG1 (またはゲ
インG2 )とされる。
【0078】このようなゲイン設定状態において、磁気
ヘッド1131 が図11に示すようにライトコアWがト
ラックオン状態にあるものとする。すなわち、図11に
示す例では、リードコアRがデータ領域RDのシリンダ
C1 のセンタ(トラックセンタ)に位置していないた
め、リード動作を行うためには、リードコアRをコアず
れ補正量H分だけシリンダC2 側へ移動させる必要があ
る。
ヘッド1131 が図11に示すようにライトコアWがト
ラックオン状態にあるものとする。すなわち、図11に
示す例では、リードコアRがデータ領域RDのシリンダ
C1 のセンタ(トラックセンタ)に位置していないた
め、リード動作を行うためには、リードコアRをコアず
れ補正量H分だけシリンダC2 側へ移動させる必要があ
る。
【0079】ここで、図15に示すようにリードコアR
がシリンダC1 (トラック)のトラックセンタTCをま
たがる、言い換えれば、サーボパターンS2 とサーボパ
ターンS2 とをまたがる位置Cにあるものとする。この
位置CにリードコアRがある場合には、サーボパターン
S2 とサーボパターンS2 との位相差を検出することが
できるので、図3に示す増幅位置誤差信号P1 (または
増幅位置誤差信号P2)の電圧Vは、図4に示す位置C
の範囲(オフセット量OF1 〜オフセット量OF3 )内
においてオフセット量OFに応じて線形に変化する。従
って、リードコアRが位置Cの近傍に位置している場
合、図3に示す制御部132においては、増幅位置誤差
信号P1 (または増幅位置誤差信号P2 )から正確な位
置誤差が認識される。
がシリンダC1 (トラック)のトラックセンタTCをま
たがる、言い換えれば、サーボパターンS2 とサーボパ
ターンS2 とをまたがる位置Cにあるものとする。この
位置CにリードコアRがある場合には、サーボパターン
S2 とサーボパターンS2 との位相差を検出することが
できるので、図3に示す増幅位置誤差信号P1 (または
増幅位置誤差信号P2)の電圧Vは、図4に示す位置C
の範囲(オフセット量OF1 〜オフセット量OF3 )内
においてオフセット量OFに応じて線形に変化する。従
って、リードコアRが位置Cの近傍に位置している場
合、図3に示す制御部132においては、増幅位置誤差
信号P1 (または増幅位置誤差信号P2 )から正確な位
置誤差が認識される。
【0080】そして、ここで、図11に示すリードコア
Rを図13に示す位置までコアずれ補正量H分だけ移動
させるさせるものとすると、HDC回路121は、上記
13に示すリードコアRの位置を目標位置として、目標
位置信号Sp0を図3に示す制御回路125の比較部13
0へ出力する。これにより、比較部130は、検出位置
信号Sp1と目標位置信号Sp0との差を位置誤差信号Ss
として出力する。この場合、リードコアRは、図15に
示す位置Cに位置しているものとする。
Rを図13に示す位置までコアずれ補正量H分だけ移動
させるさせるものとすると、HDC回路121は、上記
13に示すリードコアRの位置を目標位置として、目標
位置信号Sp0を図3に示す制御回路125の比較部13
0へ出力する。これにより、比較部130は、検出位置
信号Sp1と目標位置信号Sp0との差を位置誤差信号Ss
として出力する。この場合、リードコアRは、図15に
示す位置Cに位置しているものとする。
【0081】そして、上記位置誤差信号Ss は、増幅部
131によりゲインG1 (またはゲインG2 )をもって
増幅された後、増幅位置誤差信号P1 (または増幅位置
誤差信号P2 )として制御部132へ入力される。これ
により、制御部132は、増幅位置誤差信号P1 (また
は増幅位置誤差信号P2 :図3参照)に対応するVCM
115の操作量を求め、この操作量に応じたVCM操作
量信号Sm1をVCM115(図2:VCM駆動回路12
7)へ出力する。
131によりゲインG1 (またはゲインG2 )をもって
増幅された後、増幅位置誤差信号P1 (または増幅位置
誤差信号P2 )として制御部132へ入力される。これ
により、制御部132は、増幅位置誤差信号P1 (また
は増幅位置誤差信号P2 :図3参照)に対応するVCM
115の操作量を求め、この操作量に応じたVCM操作
量信号Sm1をVCM115(図2:VCM駆動回路12
7)へ出力する。
【0082】そして、図2に示すVCM駆動回路127
にVCM操作量信号Sm1が入力されると、VCM駆動回
路127は、上記VCM操作量信号Sm1に応じた駆動電
流をコネクタ140を介してVCM115へ出力する。
これにより、VCM115が駆動され、図15に示すリ
ードコアRは、位置Cから位置Bへ移動される。
にVCM操作量信号Sm1が入力されると、VCM駆動回
路127は、上記VCM操作量信号Sm1に応じた駆動電
流をコネクタ140を介してVCM115へ出力する。
これにより、VCM115が駆動され、図15に示すリ
ードコアRは、位置Cから位置Bへ移動される。
【0083】そして、リードコアRが図15に示す位置
B、すなわちオフセット量OF3 〜オフセット量OF4
までの範囲内に位置すると、リードコアRは、不感帯に
位置する。従って、リードコアRが1つのサーボパター
ンS2 しか検出することができないため、増幅位置誤差
信号P1 (または増幅位置誤差信号P2 )は、オフセッ
ト量OF3 において変位した後、オフセット量OF3 〜
オフセット量OF4 までの範囲において一定の電圧Vと
される。しかしながら、増幅部131のゲインがライト
動作時のゲインG0 に比して低いゲインG1 (またはゲ
インG2 )に設定されているので、オフセット量OF3
における電圧Vの電圧変位量ΔV’(または電圧変位量
ΔV’’)は、従来のオフセット量OF3 における増幅
位置誤差信号P0 の電圧変位量ΔVに比して小さくな
る。
B、すなわちオフセット量OF3 〜オフセット量OF4
までの範囲内に位置すると、リードコアRは、不感帯に
位置する。従って、リードコアRが1つのサーボパター
ンS2 しか検出することができないため、増幅位置誤差
信号P1 (または増幅位置誤差信号P2 )は、オフセッ
ト量OF3 において変位した後、オフセット量OF3 〜
オフセット量OF4 までの範囲において一定の電圧Vと
される。しかしながら、増幅部131のゲインがライト
動作時のゲインG0 に比して低いゲインG1 (またはゲ
インG2 )に設定されているので、オフセット量OF3
における電圧Vの電圧変位量ΔV’(または電圧変位量
ΔV’’)は、従来のオフセット量OF3 における増幅
位置誤差信号P0 の電圧変位量ΔVに比して小さくな
る。
【0084】従って、リードコアRが不感帯に位置した
としても、増幅位置誤差信号P1 (または増幅位置誤差
信号P2 )の電圧Vにおける電圧変位量ΔV’(または
電圧変位量ΔV’’)が低く押さえられるため、制御部
132における操作量であるVCM操作量信号Sm1のレ
ベルが従来のように急激に増加することがない。
としても、増幅位置誤差信号P1 (または増幅位置誤差
信号P2 )の電圧Vにおける電圧変位量ΔV’(または
電圧変位量ΔV’’)が低く押さえられるため、制御部
132における操作量であるVCM操作量信号Sm1のレ
ベルが従来のように急激に増加することがない。
【0085】そして、リードコアRが図13に示す位置
まで移動されると、リードコアRがデータ領域RDにお
けるシリンダC1 のトラックセンタTC’に位置するた
め、リードコアRによりシリンダC1 (トラック)にラ
イトされているライトデータが、検出される。これによ
り、上記ライトデータは、図2に示すヘッドIC117
1 、FPC116およびコネクタ140を介して、リー
ド/ライト回路126によりリードされる。
まで移動されると、リードコアRがデータ領域RDにお
けるシリンダC1 のトラックセンタTC’に位置するた
め、リードコアRによりシリンダC1 (トラック)にラ
イトされているライトデータが、検出される。これによ
り、上記ライトデータは、図2に示すヘッドIC117
1 、FPC116およびコネクタ140を介して、リー
ド/ライト回路126によりリードされる。
【0086】なお、図15においては、リードコアRが
位置A、DおよびEにそれぞれ位置している例について
図示されているが、各位置における増幅位置誤差信号P
1 (または増幅位置誤差信号P2 )は、図4に示すよう
な特性となる。
位置A、DおよびEにそれぞれ位置している例について
図示されているが、各位置における増幅位置誤差信号P
1 (または増幅位置誤差信号P2 )は、図4に示すよう
な特性となる。
【0087】すなわち、図4に示す位置Aの領域(オフ
セット量OF4 〜)においては、増幅位置誤差信号P1
(または増幅位置誤差信号P2 )の電圧変位量ΔV’
(または電圧変位量ΔV’’)が、増幅位置誤差信号P
0 の電圧変位量ΔVに比して小さい値となっている。ま
た、位置Dの領域(オフセット量OF1 〜オフセット量
OF2 )においては、不感帯が存在するが、増幅位置誤
差信号P1 (または増幅位置誤差信号P2 )の電圧変位
量ΔV’(または電圧変位量ΔV’’)が、増幅位置誤
差信号P0 の電圧変位量ΔVに比して小さい値となって
いる。さらに、位置Eの領域(オフセット量OF2 〜)
においても、同様にして電圧変位量ΔV’(または電圧
変位量ΔV’’)が電圧変位量ΔVに比して小さい値と
なっている。
セット量OF4 〜)においては、増幅位置誤差信号P1
(または増幅位置誤差信号P2 )の電圧変位量ΔV’
(または電圧変位量ΔV’’)が、増幅位置誤差信号P
0 の電圧変位量ΔVに比して小さい値となっている。ま
た、位置Dの領域(オフセット量OF1 〜オフセット量
OF2 )においては、不感帯が存在するが、増幅位置誤
差信号P1 (または増幅位置誤差信号P2 )の電圧変位
量ΔV’(または電圧変位量ΔV’’)が、増幅位置誤
差信号P0 の電圧変位量ΔVに比して小さい値となって
いる。さらに、位置Eの領域(オフセット量OF2 〜)
においても、同様にして電圧変位量ΔV’(または電圧
変位量ΔV’’)が電圧変位量ΔVに比して小さい値と
なっている。
【0088】以上説明したように、上述した一実施の形
態による記憶装置10によれば、図3に示す増幅部13
1におけるリード動作時のゲインG1 (またはゲインG
2 )をライト動作時のゲインG0 に比して低くなるよう
に設定したので、不感帯が存在する場合であっても、操
作量(VCM操作量信号Sm1)が急激に増大することを
防止することができる。
態による記憶装置10によれば、図3に示す増幅部13
1におけるリード動作時のゲインG1 (またはゲインG
2 )をライト動作時のゲインG0 に比して低くなるよう
に設定したので、不感帯が存在する場合であっても、操
作量(VCM操作量信号Sm1)が急激に増大することを
防止することができる。
【0089】従って、上述した一実施の形態による記憶
装置10によれば、従来のように不感帯に磁気ヘッド1
131 〜113n が位置したときに、急激に操作量が増
大することにより、磁気ヘッド1131 〜113n が振
動したり、暴走するという不具合を解消することができ
る。
装置10によれば、従来のように不感帯に磁気ヘッド1
131 〜113n が位置したときに、急激に操作量が増
大することにより、磁気ヘッド1131 〜113n が振
動したり、暴走するという不具合を解消することができ
る。
【0090】このことから、上述した一実施の形態によ
る記憶装置10によれば、トラックTKを2分割するサ
ーボパターンS2 、S2 を上記不具合を生じさせること
なく採用することができるので、製造現場におけるST
W時間を減少させることができ、ひいては設備を削減す
ることができる。
る記憶装置10によれば、トラックTKを2分割するサ
ーボパターンS2 、S2 を上記不具合を生じさせること
なく採用することができるので、製造現場におけるST
W時間を減少させることができ、ひいては設備を削減す
ることができる。
【0091】以上、本発明の一実施の形態による記憶装
置10について詳述してきたが、具体的な構成例は、こ
の一実施の形態に限られるものではなく本発明の要旨を
逸脱しない範囲の設計変更等があっても本発明に含まれ
る。例えば、上述した一実施の形態による記憶装置10
においては、トラックTKを2分割するサーボパターン
S2 、S2 を採用した例について説明したが、これに限
られるものではなく、トラックTKあたり1本のサーボ
パターンを採用した場合にも適用可能である。
置10について詳述してきたが、具体的な構成例は、こ
の一実施の形態に限られるものではなく本発明の要旨を
逸脱しない範囲の設計変更等があっても本発明に含まれ
る。例えば、上述した一実施の形態による記憶装置10
においては、トラックTKを2分割するサーボパターン
S2 、S2 を採用した例について説明したが、これに限
られるものではなく、トラックTKあたり1本のサーボ
パターンを採用した場合にも適用可能である。
【0092】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、ヘッド移動中において、ヘッドが、位置
検出手段が正確にヘッドの位置を検出することができな
い不感帯に位置することにより、検出位置信号のレベル
が急激な上昇をした場合であっても、増幅手段のゲイン
が低く設定されているので、レベルの急激な上昇が、増
幅位置誤差信号に直接影響することがない。
発明によれば、ヘッド移動中において、ヘッドが、位置
検出手段が正確にヘッドの位置を検出することができな
い不感帯に位置することにより、検出位置信号のレベル
が急激な上昇をした場合であっても、増幅手段のゲイン
が低く設定されているので、レベルの急激な上昇が、増
幅位置誤差信号に直接影響することがない。
【0093】従って、請求項1に記載の発明によれば、
ヘッドが不感帯に位置した場合であっても、操作量が増
大しないため、ヘッドの振動等を防止することができる
ともに、1トラックあたりのサーボパターンの本数を少
なくすることができ、これに伴い製造現場におけるST
W(サーボトラックライティング)時間を減少させるこ
とができることから、この時間減少分だけ設備を削減す
ることができるという効果を奏する。
ヘッドが不感帯に位置した場合であっても、操作量が増
大しないため、ヘッドの振動等を防止することができる
ともに、1トラックあたりのサーボパターンの本数を少
なくすることができ、これに伴い製造現場におけるST
W(サーボトラックライティング)時間を減少させるこ
とができることから、この時間減少分だけ設備を削減す
ることができるという効果を奏する。
【0094】また、請求項2に記載の発明によれば、デ
ィスクにおける1トラックあたり1/2トラックピッチ
のサーボパターン長を有するサーボパターンが2本、時
分割的に形成されていることから、従来のサーボパター
ンの本数が3本の場合に比して、STW時間を2/3に
減少させることができるという効果を奏する。
ィスクにおける1トラックあたり1/2トラックピッチ
のサーボパターン長を有するサーボパターンが2本、時
分割的に形成されていることから、従来のサーボパター
ンの本数が3本の場合に比して、STW時間を2/3に
減少させることができるという効果を奏する。
【0095】また、請求項3に記載の発明によれば、ゲ
イン設定手段により、リード動作時に増幅手段のゲイン
が、ライト動作時のゲインに比して1/2の値のゲイン
に設定されるので、従来のものに比して、ヘッドが不感
帯に位置したときの振動を半分にすることができるとい
う効果を奏する。
イン設定手段により、リード動作時に増幅手段のゲイン
が、ライト動作時のゲインに比して1/2の値のゲイン
に設定されるので、従来のものに比して、ヘッドが不感
帯に位置したときの振動を半分にすることができるとい
う効果を奏する。
【0096】また、請求項4に記載の発明によれば、こ
のヘッド移動中において、ヘッドが、位置検出工程で正
確にヘッドの位置を検出することができない不感帯に位
置することにより、検出位置信号のレベルが急激な上昇
をした場合であっても、増幅工程におけるゲインが低く
設定されているので、レベルの急激な上昇が、増幅位置
誤差信号に直接影響することがない。
のヘッド移動中において、ヘッドが、位置検出工程で正
確にヘッドの位置を検出することができない不感帯に位
置することにより、検出位置信号のレベルが急激な上昇
をした場合であっても、増幅工程におけるゲインが低く
設定されているので、レベルの急激な上昇が、増幅位置
誤差信号に直接影響することがない。
【0097】従って、請求項4に記載の発明によれば、
ヘッドが不感帯に位置した場合であっても、操作量が増
大しないため、ヘッドの振動等を防止することができる
ともに、1トラックあたりのサーボパターンの本数を少
なくすることができ、これに伴い製造現場におけるST
W時間を減少させることができることから、この時間減
少分だけ設備を削減することができるという効果を奏す
る。
ヘッドが不感帯に位置した場合であっても、操作量が増
大しないため、ヘッドの振動等を防止することができる
ともに、1トラックあたりのサーボパターンの本数を少
なくすることができ、これに伴い製造現場におけるST
W時間を減少させることができることから、この時間減
少分だけ設備を削減することができるという効果を奏す
る。
【0098】さらに、請求項5に記載の発明によれば、
ゲイン設定工程においてリード動作時に増幅工程におけ
るゲインが、ライト動作時のゲインに比して1/2の値
のゲインに設定されるので、従来のものに比して、ヘッ
ドが不感帯に位置したときの振動を半分にすることがで
きるという効果を奏する。
ゲイン設定工程においてリード動作時に増幅工程におけ
るゲインが、ライト動作時のゲインに比して1/2の値
のゲインに設定されるので、従来のものに比して、ヘッ
ドが不感帯に位置したときの振動を半分にすることがで
きるという効果を奏する。
【0099】加えて、請求項6に記載の発明によれば、
ゲイン設定工程において、リード動作時に増幅工程にお
けるゲインが、ライト動作時のゲインに比して1/2の
値のゲインに設定されるので、従来のものに比して、ヘ
ッドが不感帯に位置したときの振動を半分にすることが
できるという効果を奏する。
ゲイン設定工程において、リード動作時に増幅工程にお
けるゲインが、ライト動作時のゲインに比して1/2の
値のゲインに設定されるので、従来のものに比して、ヘ
ッドが不感帯に位置したときの振動を半分にすることが
できるという効果を奏する。
【図1】本発明の一実施の形態による記憶装置10の外
観構成を示す分解斜視図である。
観構成を示す分解斜視図である。
【図2】同一実施の形態による記憶装置10の電気的構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図3】同一実施の形態による記憶装置10におけるフ
ィードバック回路の構成を示すブロック図である。
ィードバック回路の構成を示すブロック図である。
【図4】オフセット量OFと電圧Vとの関係を示す特性
図である。
図である。
【図5】従来における記憶装置の要部の構成を示す斜視
図である。
図である。
【図6】磁気ディスクにおけるサーボ領域RSを示す図
である。
である。
【図7】従来における記憶装置の動作を説明する図であ
る。
る。
【図8】従来における記憶装置の動作を説明する図であ
る。
る。
【図9】オフセット量OFと電圧Vとの関係を示す特性
図である。
図である。
【図10】磁気ディスクにおけるサーボ領域RSを示す
図である。
図である。
【図11】磁気ディスクにおけるライト動作を説明する
図である。
図である。
【図12】磁気ディスクにおけるライト動作を説明する
図である。
図である。
【図13】磁気ディスクにおけるリード動作を説明する
図である。
図である。
【図14】磁気ディスクにおけるリード動作を説明する
図である。
図である。
【図15】リードコアRの各移動位置を示す図である。
【図16】従来における記憶装置の問題点を説明する図
である。
である。
10 記憶装置 1111 〜111n 磁気ディスク 1131 〜113n 磁気ヘッド 115 VCM 121 HDC回路 125 制御回路 127 VCM駆動回路 129 サーボ復調回路 130 比較部 131 増幅部 132 制御部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年5月31日(1999.5.3
1)
1)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0029
【補正方法】変更
【補正内容】
【0029】この請求項1に記載の発明によれば、ゲイ
ン設定手段により、リード動作時に増幅手段のゲインが
ライト動作時のゲインに比して低い値に設定される。こ
のようなゲイン設定状態において、位置誤差信号および
位置検出信号が位置誤差算出手段に入力されると、位置
誤差算出手段は、位置検出信号と位置誤差信号との位置
誤差を求め、算出結果を位置誤差信号として、増幅手段
へ出力する。これにより、上記位置誤差信号は、ライト
動作時のゲインより低いゲインで増幅された後、増幅位
置誤差信号としてヘッド移動手段に入力され、ヘッド移
動手段は、増幅位置誤差信号に基づいて、ヘッドの移動
量に対応する操作量を求め、この操作量に基づいてヘッ
ドを移動させる。
ン設定手段により、リード動作時に増幅手段のゲインが
ライト動作時のゲインに比して低い値に設定される。こ
のようなゲイン設定状態において、位置誤差信号および
位置検出信号が位置誤差算出手段に入力されると、位置
誤差算出手段は、位置検出信号と位置誤差信号との位置
誤差を求め、算出結果を位置誤差信号として、増幅手段
へ出力する。これにより、上記位置誤差信号は、ライト
動作時のゲインより低いゲインで増幅された後、増幅位
置誤差信号としてヘッド移動手段に入力され、ヘッド移
動手段は、増幅位置誤差信号に基づいて、ヘッドの移動
量に対応する操作量を求め、この操作量に基づいてヘッ
ドを移動させる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0061
【補正方法】変更
【補正内容】
【0061】VCM(ボイスコイルモータ)駆動回路1
27は、VCM115を駆動するものであり、制御回路
125より供給されるVCM操作量信号Sm1に応じた駆
動電流をコネクタ140を介してVCM115へ供給す
るパワーアンプ(図示略)を備えている。
27は、VCM115を駆動するものであり、制御回路
125より供給されるVCM操作量信号Sm1に応じた駆
動電流をコネクタ140を介してVCM115へ供給す
るパワーアンプ(図示略)を備えている。
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図12
【補正方法】変更
【補正内容】
【図12】
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図15
【補正方法】変更
【補正内容】
【図15】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5D096 AA03 BB01 CC01 DD01 EE03 EE14 GG01 GG06 HH14 RR01 RR12 5H303 AA22 BB01 CC03 CC04 DD01 EE03 GG06 HH07 KK24
Claims (6)
- 【請求項1】 所定のトラックピッチで複数のトラック
が形成され、1トラックあたり1/nトラックピッチの
サーボパターン長を有するサーボパターンがn本、時分
割的に形成されてなるサーボ領域と、データを記憶する
データ領域とを有するディスクと、 前記サーボパターンに基づいて前記ディスク上における
ヘッドの位置を検出し、検出結果を検出位置信号として
出力する位置検出手段と、 前記位置検出手段よりフィードバックされる前記位置検
出信号と前記ヘッドの目標位置を表す位置誤差信号との
位置誤差を求め、算出結果を位置誤差信号として出力す
る位置誤差算出手段と、 前記位置誤差信号を所定のゲインで増幅し、増幅結果を
増幅位置誤差信号として出力する増幅手段と、 リード動作時に前記増幅手段のゲインを、ライト動作時
のゲインに比して低い値に設定するゲイン設定手段と、 前記増幅位置誤差信号に基づいて、前記ヘッドの移動量
に対応する操作量を求め、この操作量に基づいて前記ヘ
ッドを移動させるヘッド移動手段と、 を備えることを特徴とする記憶装置。 - 【請求項2】 前記ディスクは、1トラックあたり1/
2トラックピッチのサーボパターン長を有するサーボパ
ターンが2本、時分割的に形成されてなることを特徴と
する請求項1に記載の記憶装置。 - 【請求項3】 前記ゲイン設定手段は、リード動作時に
前記増幅手段のゲインを、ライト動作時のゲインに比し
て1/2の値のゲインに設定することを特徴とする請求
項1または2に記載の記憶装置。 - 【請求項4】 所定のトラックピッチで複数のトラック
が形成され、1トラックあたり1/nトラックピッチの
サーボパターン長を有するサーボパターンがn本、時分
割的に形成されてなるサーボ領域と、データを記憶する
データ領域とを有するディスクを備えた記憶装置に用い
られるディスク位置検出方法であって、 前記サーボパターンに基づいて前記ディスク上における
ヘッドの位置を検出し、検出結果を検出位置信号として
出力する位置検出工程と、 前記位置検出工程においてフィードバックされる前記位
置検出信号と前記ヘッドの目標位置を表す位置誤差信号
との位置誤差を求め、算出結果を位置誤差信号として出
力する位置誤差算出工程と、 前記位置誤差信号を所定のゲインで増幅し、増幅結果を
増幅位置誤差信号として出力する増幅工程と、 リード動作時に前記増幅工程におけるゲインを、ライト
動作時のゲインに比して低い値に設定するゲイン設定工
程と、 前記増幅位置誤差信号に基づいて、前記ヘッドの移動量
に対応する操作量を求め、この操作量に基づいて前記ヘ
ッドを移動させるヘッド移動工程と、 を含むことを特徴とする記憶装置に用いられるディスク
位置検出方法。 - 【請求項5】 前記ディスクは、1トラックあたり1/
2トラックピッチのサーボパターン長を有するサーボパ
ターンが2本、時分割的に形成されてなることを特徴と
する請求項4に記載の記憶装置に用いられるディスク位
置検出方法。 - 【請求項6】 前記ゲイン設定工程においては、リード
動作時に前記増幅工程におけるゲインが、ライト動作時
のゲインに比して1/2の値のゲインに設定されること
を特徴とする請求項4または5に記載の記憶装置に用い
られるディスク位置検出方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10340632A JP2000173211A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 記憶装置およびそれに用いられるディスク位置検出方法 |
US09/316,568 US6466394B1 (en) | 1998-11-30 | 1999-05-21 | Storage device and method of detecting a position of a head on a disk of the storage device |
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