JP2000164552A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JP2000164552A JP2000164552A JP10333291A JP33329198A JP2000164552A JP 2000164552 A JP2000164552 A JP 2000164552A JP 10333291 A JP10333291 A JP 10333291A JP 33329198 A JP33329198 A JP 33329198A JP 2000164552 A JP2000164552 A JP 2000164552A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に供給するオゾン水中のオゾン濃度を高
めることができて、基板の表面に付着した有機物や金属
汚染物等を確実に除去できる基板処理装置および基板処
理方法を提供する 。 【解決手段】 純水導入部4から循環経路2に導入され
た純水を冷却部25で例えば15℃以下に冷却した後、
混合部33に導入されたオゾンと混合させてオゾン濃度
が例えば25ppm以上のオゾン水を生成する。この生
成されたオゾン水は、洗浄槽12に供給されて貯留され
る。そして、洗浄槽12に貯留されたオゾン水11に複
数の基板Wを浸漬させるとともに、超音波発生器15に
よってオゾン水11に超音波振動を付与して基板Wを洗
浄処理する。また、冷却部25は温度センサ17または
濃度測定部26からそれぞれ送信された温度信号STま
たは濃度信号SDに基づいて制御部6によって制御され
る。
めることができて、基板の表面に付着した有機物や金属
汚染物等を確実に除去できる基板処理装置および基板処
理方法を提供する 。 【解決手段】 純水導入部4から循環経路2に導入され
た純水を冷却部25で例えば15℃以下に冷却した後、
混合部33に導入されたオゾンと混合させてオゾン濃度
が例えば25ppm以上のオゾン水を生成する。この生
成されたオゾン水は、洗浄槽12に供給されて貯留され
る。そして、洗浄槽12に貯留されたオゾン水11に複
数の基板Wを浸漬させるとともに、超音波発生器15に
よってオゾン水11に超音波振動を付与して基板Wを洗
浄処理する。また、冷却部25は温度センサ17または
濃度測定部26からそれぞれ送信された温度信号STま
たは濃度信号SDに基づいて制御部6によって制御され
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板、液晶表示
器用基板等のFPD(Flat PanelDispl
ay)用基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板にオ
ゾン水を供給して基板に洗浄処理などの所定の処理を施
す基板処理装置および基板処理方法に関する。
器用基板等のFPD(Flat PanelDispl
ay)用基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板にオ
ゾン水を供給して基板に洗浄処理などの所定の処理を施
す基板処理装置および基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】基板にオゾン水を供給して洗浄処理する
基板処理装置は、例えば特開平9―213666号公報
に開示されるものが知られている。この基板処理装置
は、水平面内で回転駆動される基板の表面に、純水にオ
ゾンを溶解させたオゾン水を供給し、このオゾン水中の
オゾンの酸化力を用いて基板の表面に付着した有機物や
金属汚染物等を除去して基板を洗浄するものである。
基板処理装置は、例えば特開平9―213666号公報
に開示されるものが知られている。この基板処理装置
は、水平面内で回転駆動される基板の表面に、純水にオ
ゾンを溶解させたオゾン水を供給し、このオゾン水中の
オゾンの酸化力を用いて基板の表面に付着した有機物や
金属汚染物等を除去して基板を洗浄するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
基板処理装置による洗浄処理おいて、基板に供給される
オゾン水中のオゾン濃度が低いと、基板の表面に付着し
た有機物や金属汚染物等を十分に除去できないという問
題が発生する。
基板処理装置による洗浄処理おいて、基板に供給される
オゾン水中のオゾン濃度が低いと、基板の表面に付着し
た有機物や金属汚染物等を十分に除去できないという問
題が発生する。
【0004】本発明の目的は、上述のような点に鑑み、
基板に供給するオゾン水中のオゾン濃度を高めることが
できて、基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を
確実に除去できる基板処理装置および基板処理方法を提
供することにある。
基板に供給するオゾン水中のオゾン濃度を高めることが
できて、基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を
確実に除去できる基板処理装置および基板処理方法を提
供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決する為
に、請求項1に係る発明は、基板にオゾン水を供給して
基板に所定の処理を施す基板処理装置において、純水ま
たはオゾン水を冷却する冷却手段と、冷却手段によって
冷却された純水またはオゾン水にオゾンを溶解させる溶
解手段と、溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン
水を基板に供給する供給手段とを有することを特徴とす
る。
に、請求項1に係る発明は、基板にオゾン水を供給して
基板に所定の処理を施す基板処理装置において、純水ま
たはオゾン水を冷却する冷却手段と、冷却手段によって
冷却された純水またはオゾン水にオゾンを溶解させる溶
解手段と、溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン
水を基板に供給する供給手段とを有することを特徴とす
る。
【0006】また請求項2に係る発明は、請求項1に係
る発明において、供給手段によって基板に供給されたオ
ゾン水を回収し、供給手段に循環させる循環経路をさら
に有し、この循環経路に溶解手段および冷却手段が介設
されていることを特徴とする。
る発明において、供給手段によって基板に供給されたオ
ゾン水を回収し、供給手段に循環させる循環経路をさら
に有し、この循環経路に溶解手段および冷却手段が介設
されていることを特徴とする。
【0007】さらに請求項3に係る発明は、請求項1ま
たは請求項2に係る発明において、冷却手段によって冷
却されるべき純水またはオゾン水の温度を測定する温度
測定手段と、この温度測定手段による測定結果に基づい
て冷却手段を制御する制御手段とをさらに有することを
特徴とする。
たは請求項2に係る発明において、冷却手段によって冷
却されるべき純水またはオゾン水の温度を測定する温度
測定手段と、この温度測定手段による測定結果に基づい
て冷却手段を制御する制御手段とをさらに有することを
特徴とする。
【0008】また請求項4に係る発明は、請求項1から
請求項3のいずれかに係る発明において、溶解手段によ
ってオゾンが溶解されたオゾン水中のオゾン濃度を測定
する濃度測定手段と、この濃度測定手段による測定結果
に基づいて溶解手段または冷却手段を制御する制御手段
とをさらに有することを特徴とする。
請求項3のいずれかに係る発明において、溶解手段によ
ってオゾンが溶解されたオゾン水中のオゾン濃度を測定
する濃度測定手段と、この濃度測定手段による測定結果
に基づいて溶解手段または冷却手段を制御する制御手段
とをさらに有することを特徴とする。
【0009】請求項5に係る発明は、基板にオゾン水を
供給して基板に所定の処理を施す基板処理方法におい
て、0℃から15℃の範囲内で冷却された純水またはオ
ゾン水にオゾンを溶解させてオゾン水を生成する準備工
程と、 準備工程で生成されたオゾン水を基板に供給す
る供給工程とを含むことを特徴とする。
供給して基板に所定の処理を施す基板処理方法におい
て、0℃から15℃の範囲内で冷却された純水またはオ
ゾン水にオゾンを溶解させてオゾン水を生成する準備工
程と、 準備工程で生成されたオゾン水を基板に供給す
る供給工程とを含むことを特徴とする。
【0010】請求項6に係る発明は、請求項5に係る発
明において、供給工程で基板に供給されるオゾン水中の
オゾンの濃度が25ppm以上となるように、準備工程
で純水またはオゾン水にオゾンを溶解させることを特徴
とする。
明において、供給工程で基板に供給されるオゾン水中の
オゾンの濃度が25ppm以上となるように、準備工程
で純水またはオゾン水にオゾンを溶解させることを特徴
とする。
【0011】請求項1に係る発明の基板処理装置におい
ては、冷却手段により純水またはオゾン水が冷却される
ため、純水またはオゾン水に対するオゾンの溶解度が高
まる。このように冷却されて溶解度が高まった純水また
はオゾン水に溶解手段によりオゾンが溶解させられ、そ
の結果、供給手段により基板に供給されるオゾン水中の
オゾン濃度が所望値以上となる。
ては、冷却手段により純水またはオゾン水が冷却される
ため、純水またはオゾン水に対するオゾンの溶解度が高
まる。このように冷却されて溶解度が高まった純水また
はオゾン水に溶解手段によりオゾンが溶解させられ、そ
の結果、供給手段により基板に供給されるオゾン水中の
オゾン濃度が所望値以上となる。
【0012】また、請求項2に係る発明の基板処理装置
は、溶解手段および冷却手段が循環手段に介設され、こ
の循環手段が供給手段によって基板に供給されたオゾン
水を回収し、供給手段に循環させることにより、基板に
オゾン水が循環供給される。
は、溶解手段および冷却手段が循環手段に介設され、こ
の循環手段が供給手段によって基板に供給されたオゾン
水を回収し、供給手段に循環させることにより、基板に
オゾン水が循環供給される。
【0013】さらに、請求項3に係る発明の基板処理装
置は、温度測定手段により冷却手段によって冷却される
べき純水またはオゾン水の温度が測定され、この温度測
定手段による測定結果に基づいて制御手段によって冷却
手段が制御される。
置は、温度測定手段により冷却手段によって冷却される
べき純水またはオゾン水の温度が測定され、この温度測
定手段による測定結果に基づいて制御手段によって冷却
手段が制御される。
【0014】またさらに、請求項4に係る発明の基板処
理装置は、溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン
水中のオゾン濃度が濃度測定手段により測定され、この
濃度測定手段による測定結果に基づいて制御手段によっ
て溶解手段または冷却手段が制御される。
理装置は、溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン
水中のオゾン濃度が濃度測定手段により測定され、この
濃度測定手段による測定結果に基づいて制御手段によっ
て溶解手段または冷却手段が制御される。
【0015】また、請求項5に係る発明の基板処理方法
においては、準備工程で純水またはオゾン水を0℃から
15℃の範囲内で冷却されるので、純水またはオゾン水
に対するオゾンの溶解度が高くなり、その結果、所望値
以上のオゾン濃度を有するオゾン水が生成される。そし
て、準備工程で生成されたオゾン水が供給工程で基板に
供給される。
においては、準備工程で純水またはオゾン水を0℃から
15℃の範囲内で冷却されるので、純水またはオゾン水
に対するオゾンの溶解度が高くなり、その結果、所望値
以上のオゾン濃度を有するオゾン水が生成される。そし
て、準備工程で生成されたオゾン水が供給工程で基板に
供給される。
【0016】また、請求項6に係る発明の基板処理方法
は、準備工程で生成され、オゾン濃度が25ppm以上
であるオゾン水が供給工程で基板に供給される。
は、準備工程で生成され、オゾン濃度が25ppm以上
であるオゾン水が供給工程で基板に供給される。
【0017】
【発明の実施の形態】図1は、この発明の1実施形態を
示し、オゾン水を基板に供給して基板を洗浄処理する基
板処理装置の概略構成を示す模式図である。
示し、オゾン水を基板に供給して基板を洗浄処理する基
板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【0018】まず、図1に基づいて基板処理装置の構成
について説明する。基板処理装置は、基板にオゾン水を
供給する供給部1と、供給部1で基板に供給されたオゾ
ン水を回収するとともに供給部1に再びオゾン水を送液
する循環経路2とを備える。また、基板処理装置は、循
環経路2中を流れる純水またはオゾン水にオゾンを溶解
させるオゾン溶解部3と、循環経路2に純水を導入する
純水導入部4と、循環経路2からオゾン水を排液する排
液部5とを備える。さらに、基板処理装置は、上述の供
給部1、循環経路2、オゾン溶解部3、純水導入部4お
よび排液部5などを制御する制御部6を備える。
について説明する。基板処理装置は、基板にオゾン水を
供給する供給部1と、供給部1で基板に供給されたオゾ
ン水を回収するとともに供給部1に再びオゾン水を送液
する循環経路2とを備える。また、基板処理装置は、循
環経路2中を流れる純水またはオゾン水にオゾンを溶解
させるオゾン溶解部3と、循環経路2に純水を導入する
純水導入部4と、循環経路2からオゾン水を排液する排
液部5とを備える。さらに、基板処理装置は、上述の供
給部1、循環経路2、オゾン溶解部3、純水導入部4お
よび排液部5などを制御する制御部6を備える。
【0019】供給部1は、洗浄処理すべき半導体ウエハ
などの複数の基板Wを収納するとともにオゾン水11な
どを貯留する洗浄槽12を備えている。一対の支持部材
13は、洗浄槽11内の底部付近に設けられ、複数の基
板Wをオゾン水11に浸漬させた状態で支持する。ま
た、一対の支持部材13は、紙面に垂直な方向(以下、
Y方向と称す)に沿って延設され、この延設方向に沿っ
て図示しない複数の細い溝が形成されている。そして、
複数の基板Wはその下部端縁が一対の支持部材13の複
数の溝にそれぞれ挿入されて、その主面が鉛直方向に沿
うとともに互いに平行にY方向に沿って配列される。
などの複数の基板Wを収納するとともにオゾン水11な
どを貯留する洗浄槽12を備えている。一対の支持部材
13は、洗浄槽11内の底部付近に設けられ、複数の基
板Wをオゾン水11に浸漬させた状態で支持する。ま
た、一対の支持部材13は、紙面に垂直な方向(以下、
Y方向と称す)に沿って延設され、この延設方向に沿っ
て図示しない複数の細い溝が形成されている。そして、
複数の基板Wはその下部端縁が一対の支持部材13の複
数の溝にそれぞれ挿入されて、その主面が鉛直方向に沿
うとともに互いに平行にY方向に沿って配列される。
【0020】一対の供給パイプ14は、洗浄槽12の内
部にオゾン水または純水を供給するものであり、洗浄槽
12の底部付近の両側に、Y方向に沿って配置されてい
る。また、一対の供給パイプ14は、洗浄槽12内で互
いに流路接続されている。各供給パイプ14には、オゾ
ン水を吐出するための図示しない吐出口がY方向に沿っ
て複数形成されている。この複数の吐出口は、複数の基
板Wに対しオゾン水を均等に供給できるように、一対の
支持部材13によって支持された複数の基板Wの間隔に
対応する位置にそれぞれ形成されている。
部にオゾン水または純水を供給するものであり、洗浄槽
12の底部付近の両側に、Y方向に沿って配置されてい
る。また、一対の供給パイプ14は、洗浄槽12内で互
いに流路接続されている。各供給パイプ14には、オゾ
ン水を吐出するための図示しない吐出口がY方向に沿っ
て複数形成されている。この複数の吐出口は、複数の基
板Wに対しオゾン水を均等に供給できるように、一対の
支持部材13によって支持された複数の基板Wの間隔に
対応する位置にそれぞれ形成されている。
【0021】洗浄槽12の底面には、超音波発生器15
が取付けられている。超音波発生器15は、洗浄槽12
の底面を介して、約100kHzから1MHzの範囲の
周波数を有する超音波振動をオゾン水11に付与する。
が取付けられている。超音波発生器15は、洗浄槽12
の底面を介して、約100kHzから1MHzの範囲の
周波数を有する超音波振動をオゾン水11に付与する。
【0022】洗浄槽12の外周上部には外槽16が取付
けられ、洗浄槽12から溢れ出たオゾン水11などを一
旦貯留する。外槽16に貯留されたオゾン水11は、循
環経路2に向けて排出される。
けられ、洗浄槽12から溢れ出たオゾン水11などを一
旦貯留する。外槽16に貯留されたオゾン水11は、循
環経路2に向けて排出される。
【0023】温度センサ17は、洗浄槽12に貯留され
たオゾン水または純水の温度を測定し、その測定結果を
温度信号STに変換した後、制御部6に送信する。温度
センサ17として、例えば熱電対などを用いることがで
きる。
たオゾン水または純水の温度を測定し、その測定結果を
温度信号STに変換した後、制御部6に送信する。温度
センサ17として、例えば熱電対などを用いることがで
きる。
【0024】循環経路2は、その一方の端部が外槽16
に流路接続され、その他方の端部が一対の供給パイプ1
4の一方に流路接続された循環用配管21を備えてい
る。循環用配管21の途中にはバルブ22、ポンプ2
3、バルブ24、冷却部25、オゾン溶解部3の後述す
る混合部33、濃度測定部26およびフィルタ27がそ
れぞれ介設されている。バルブ22およびバルブ24
は、循環用配管21の流路を開閉する開閉弁である。ま
た、バルブ24は、後述するバルブ52と協働してオゾ
ン水が流れる方向を供給部1への方向と排液部5への方
向とに選択的に切り替える開閉弁である。ポンプ23
は、循環経路2の循環用配管21または排液部5の後述
する排液管51などを介してオゾン水または純水を送液
する。
に流路接続され、その他方の端部が一対の供給パイプ1
4の一方に流路接続された循環用配管21を備えてい
る。循環用配管21の途中にはバルブ22、ポンプ2
3、バルブ24、冷却部25、オゾン溶解部3の後述す
る混合部33、濃度測定部26およびフィルタ27がそ
れぞれ介設されている。バルブ22およびバルブ24
は、循環用配管21の流路を開閉する開閉弁である。ま
た、バルブ24は、後述するバルブ52と協働してオゾ
ン水が流れる方向を供給部1への方向と排液部5への方
向とに選択的に切り替える開閉弁である。ポンプ23
は、循環経路2の循環用配管21または排液部5の後述
する排液管51などを介してオゾン水または純水を送液
する。
【0025】冷却部25は、制御部6から送信された制
御信号SCに基づいて循環用配管21を流れる純水また
はオゾン水を冷却する。冷却部25には、オゾン水また
は純水を冷却するための例えば熱電冷却素子が設けられ
ている。
御信号SCに基づいて循環用配管21を流れる純水また
はオゾン水を冷却する。冷却部25には、オゾン水また
は純水を冷却するための例えば熱電冷却素子が設けられ
ている。
【0026】混合部33は、後述するオゾン導入管31
から導入されたオゾンと、冷却部25で冷却された純水
またはオゾン水とを混合して、純水またはオゾン水にオ
ゾンを溶解させる。
から導入されたオゾンと、冷却部25で冷却された純水
またはオゾン水とを混合して、純水またはオゾン水にオ
ゾンを溶解させる。
【0027】濃度測定部26は、混合部33によってオ
ゾンが溶解され、循環用配管21を流れるオゾン水中に
含まれるオゾン濃度を測定する。そして、濃度測定部2
6は、その測定結果を濃度信号SDに変換した後、制御
部6に送信する。濃度測定部26として、紫外線吸収式
の溶存オゾン濃度計(荏原実業(株)製のEL―500
シリーズ等)などを用いることができる。フィルタ27
は、循環用配管21を流れるオゾン水または純水中に含
まれるパーティクル等の汚染物質を除去する。
ゾンが溶解され、循環用配管21を流れるオゾン水中に
含まれるオゾン濃度を測定する。そして、濃度測定部2
6は、その測定結果を濃度信号SDに変換した後、制御
部6に送信する。濃度測定部26として、紫外線吸収式
の溶存オゾン濃度計(荏原実業(株)製のEL―500
シリーズ等)などを用いることができる。フィルタ27
は、循環用配管21を流れるオゾン水または純水中に含
まれるパーティクル等の汚染物質を除去する。
【0028】オゾン溶解部3は上述の混合部33を備え
ている。また、オゾン溶解部3は、その一方の端部が工
場設備として設置された図示しないオゾン供給設備に流
路接続され、その他方の端部が混合部33に流路接続さ
れたオゾン導入管31を備えている。オゾン導入管31
の途中には、オゾン導入管31の流路を開閉するバルブ
32が設けられている。
ている。また、オゾン溶解部3は、その一方の端部が工
場設備として設置された図示しないオゾン供給設備に流
路接続され、その他方の端部が混合部33に流路接続さ
れたオゾン導入管31を備えている。オゾン導入管31
の途中には、オゾン導入管31の流路を開閉するバルブ
32が設けられている。
【0029】純水導入部4は、外槽16とバルブ22と
を流路接続する循環用配管21の途中から分岐し、その
端部が工場設備として設置された図示しない純水供給設
備に流路接続された純水導入管41を備えている。純水
導入管41の途中には、純水導入管41の流路を開閉す
るバルブ42が設けられている。
を流路接続する循環用配管21の途中から分岐し、その
端部が工場設備として設置された図示しない純水供給設
備に流路接続された純水導入管41を備えている。純水
導入管41の途中には、純水導入管41の流路を開閉す
るバルブ42が設けられている。
【0030】排液部5は、ポンプ23とバルブ24とを
流路接続する循環用配管21の途中から分岐し、その端
部が工場設備として設置された図示しない廃液設備に流
路接続される排液管51を備えている。排液管51の途
中には、排液管51の流路を開閉するバルブ52が設け
られている。また、排液部5は、バルブ22とポンプ2
3とを流路接続する循環用配管21から分岐し、その端
部が洗浄槽12に流路接続された槽内排液管53を備え
ている。槽内排液管53の途中には、槽内排液管53の
流路を開閉するバルブ54が設けられている。
流路接続する循環用配管21の途中から分岐し、その端
部が工場設備として設置された図示しない廃液設備に流
路接続される排液管51を備えている。排液管51の途
中には、排液管51の流路を開閉するバルブ52が設け
られている。また、排液部5は、バルブ22とポンプ2
3とを流路接続する循環用配管21から分岐し、その端
部が洗浄槽12に流路接続された槽内排液管53を備え
ている。槽内排液管53の途中には、槽内排液管53の
流路を開閉するバルブ54が設けられている。
【0031】制御部6は、図示しないCPU、ROMお
よびRAMなどを含むマイクロコンピュータを備える。
ROMには所定の処理プログラムが保存され、この処理
プログラムに基づいて制御部6は各制御対象に各制御信
号をそれぞれ送信する。具体的には、制御部6は、バル
ブ22、バルブ24、バルブ32、バルブ42、バルブ
52およびバルブ54に制御信号をそれぞれ送信し各バ
ルブを開閉動作させる。また、制御部6はポンプ23ま
たは超音波発生器15に制御信号をそれぞれ送信し、ポ
ンプ23または超音波発生器15の駆動状態をそれぞれ
制御する。さらに、制御部6は、温度センサ17から送
信された温度信号STに基づいて冷却部25に制御信号
SCを送信する。またさらに、制御部6は、濃度測定部
26から送信された濃度信号SDに基づいてオゾン溶解
部3または冷却部25に制御信号SCを送信する。
よびRAMなどを含むマイクロコンピュータを備える。
ROMには所定の処理プログラムが保存され、この処理
プログラムに基づいて制御部6は各制御対象に各制御信
号をそれぞれ送信する。具体的には、制御部6は、バル
ブ22、バルブ24、バルブ32、バルブ42、バルブ
52およびバルブ54に制御信号をそれぞれ送信し各バ
ルブを開閉動作させる。また、制御部6はポンプ23ま
たは超音波発生器15に制御信号をそれぞれ送信し、ポ
ンプ23または超音波発生器15の駆動状態をそれぞれ
制御する。さらに、制御部6は、温度センサ17から送
信された温度信号STに基づいて冷却部25に制御信号
SCを送信する。またさらに、制御部6は、濃度測定部
26から送信された濃度信号SDに基づいてオゾン溶解
部3または冷却部25に制御信号SCを送信する。
【0032】次に、上述のように構成された基板処理装
置の動作を説明する。まず、洗浄槽12内に複数の基板
Wが収納されておらずオゾン水11が貯留されていない
状態から洗浄槽12内にオゾン水11を満たすまでの準
備工程について説明する。制御部6からの制御信号に基
づいて、純水導入部4のバルブ42および循環経路2の
バルブ22、バルブ24が開かれるとともにポンプ23
が駆動されて、純水供給設備から供給された純水が純水
導入部4の純水導入管41および循環経路2の循環用配
管21、供給部1の一対の供給パイプ14などを介して
洗浄槽12に純水が供給される。このとき、オゾン溶解
部3のバルブ32および排液部5のバルブ52、バルブ
54は閉じられている。
置の動作を説明する。まず、洗浄槽12内に複数の基板
Wが収納されておらずオゾン水11が貯留されていない
状態から洗浄槽12内にオゾン水11を満たすまでの準
備工程について説明する。制御部6からの制御信号に基
づいて、純水導入部4のバルブ42および循環経路2の
バルブ22、バルブ24が開かれるとともにポンプ23
が駆動されて、純水供給設備から供給された純水が純水
導入部4の純水導入管41および循環経路2の循環用配
管21、供給部1の一対の供給パイプ14などを介して
洗浄槽12に純水が供給される。このとき、オゾン溶解
部3のバルブ32および排液部5のバルブ52、バルブ
54は閉じられている。
【0033】そして、一対の供給パイプ14から洗浄槽
12に純水が供給されて所定時間経過すると、洗浄槽1
2に供給された純水が洗浄槽12から外槽16に溢れ出
す。外槽16に溢れ出した純水は外槽16に一旦貯留さ
れた後、循環用配管21に向けて排出される。循環用配
管21に排出された純水は循環経路2に回収されてポン
プ24によって再び供給部1に向けて送液される。この
ように、供給部1に対して純水が循環供給されると、制
御部6によってバルブ42が閉じられて循環経路2への
純水の供給が停止される。
12に純水が供給されて所定時間経過すると、洗浄槽1
2に供給された純水が洗浄槽12から外槽16に溢れ出
す。外槽16に溢れ出した純水は外槽16に一旦貯留さ
れた後、循環用配管21に向けて排出される。循環用配
管21に排出された純水は循環経路2に回収されてポン
プ24によって再び供給部1に向けて送液される。この
ように、供給部1に対して純水が循環供給されると、制
御部6によってバルブ42が閉じられて循環経路2への
純水の供給が停止される。
【0034】次に、供給部1に純水が循環供給されてい
る状態で、洗浄槽12内に配置された温度センサ17に
よって洗浄槽12に貯留された純水の温度が測定され
る。温度センサ17が測定した測定結果、例えば23℃
は温度信号STに変換された後、制御部6に送信され
る。温度信号STを受け取った制御部6は、ROMに保
存されている純水またはオゾン水の設定温度、例えば1
5℃以下と温度信号STとを比較する。この比較の結
果、温度信号STが設定温度に達していないと判断した
制御部6は、純水を設定温度まで冷却するための制御信
号SCを冷却部25に送信する。上述の設定温度は、純
水またはオゾン水に対するオゾンの溶解度を高めるため
に0℃から15℃の範囲内とし、この設定温度まで冷却
部25によって純水またはオゾン水を冷却することが好
ましい。
る状態で、洗浄槽12内に配置された温度センサ17に
よって洗浄槽12に貯留された純水の温度が測定され
る。温度センサ17が測定した測定結果、例えば23℃
は温度信号STに変換された後、制御部6に送信され
る。温度信号STを受け取った制御部6は、ROMに保
存されている純水またはオゾン水の設定温度、例えば1
5℃以下と温度信号STとを比較する。この比較の結
果、温度信号STが設定温度に達していないと判断した
制御部6は、純水を設定温度まで冷却するための制御信
号SCを冷却部25に送信する。上述の設定温度は、純
水またはオゾン水に対するオゾンの溶解度を高めるため
に0℃から15℃の範囲内とし、この設定温度まで冷却
部25によって純水またはオゾン水を冷却することが好
ましい。
【0035】純水を冷却するための制御信号SCを受け
取った冷却部25は、熱電冷却素子などを動作させて純
水を冷却する。そして、温度センサ17の測定結果が設
定温度に達すると、制御部6は、冷却動作を停止させる
制御信号SCを冷却部25に送信し、冷却部25におけ
る冷却動作が停止される。上述の設定温度は、純水また
はオゾン水に対するオゾンの溶解度を高めるために0℃
から15℃の範囲内とし、この設定温度まで冷却部25
によって純水またはオゾン水を冷却することが好まし
い。
取った冷却部25は、熱電冷却素子などを動作させて純
水を冷却する。そして、温度センサ17の測定結果が設
定温度に達すると、制御部6は、冷却動作を停止させる
制御信号SCを冷却部25に送信し、冷却部25におけ
る冷却動作が停止される。上述の設定温度は、純水また
はオゾン水に対するオゾンの溶解度を高めるために0℃
から15℃の範囲内とし、この設定温度まで冷却部25
によって純水またはオゾン水を冷却することが好まし
い。
【0036】純水の温度が設定温度に達すると、オゾン
溶解部3のバルブ32が制御部6によって開けられ、オ
ゾン導入管31を介して混合部33にオゾンが導入され
る。混合部33内では導入されたオゾンと純水とが混合
されてオゾンが純水に溶解される。
溶解部3のバルブ32が制御部6によって開けられ、オ
ゾン導入管31を介して混合部33にオゾンが導入され
る。混合部33内では導入されたオゾンと純水とが混合
されてオゾンが純水に溶解される。
【0037】次に、濃度測定部26によって混合部33
でオゾンが溶解された純水、すなわちオゾン水中のオゾ
ン濃度が測定される。この測定結果は濃度信号SDに変
換されて制御部6に送信される。濃度信号SDを受け取
った制御部6は、ROMに保存されているオゾン水中の
オゾンの設定濃度、例えば25ppm以上と濃度信号S
Dとを比較する。制御部6は、濃度信号SDが設定濃度
に達するまで、オゾン溶解部3による循環経路2へのオ
ゾンの導入を継続する。上述の設定濃度、すなわちオゾ
ン水中のオゾン濃度は、オゾンの酸化力を複数の基板W
に十分に作用させるために25ppm以上とすることが
好ましい。
でオゾンが溶解された純水、すなわちオゾン水中のオゾ
ン濃度が測定される。この測定結果は濃度信号SDに変
換されて制御部6に送信される。濃度信号SDを受け取
った制御部6は、ROMに保存されているオゾン水中の
オゾンの設定濃度、例えば25ppm以上と濃度信号S
Dとを比較する。制御部6は、濃度信号SDが設定濃度
に達するまで、オゾン溶解部3による循環経路2へのオ
ゾンの導入を継続する。上述の設定濃度、すなわちオゾ
ン水中のオゾン濃度は、オゾンの酸化力を複数の基板W
に十分に作用させるために25ppm以上とすることが
好ましい。
【0038】また、濃度信号SDを受け取った制御部6
は、設定濃度と濃度信号SDとを比較し、その差が大き
い場合は、オゾン水に対するオゾンの溶解度をさらに高
めるために冷却部25に制御信号SCを送信する。この
制御信号SCを受け取った冷却部6はオゾン水をさらに
冷却するように動作する。
は、設定濃度と濃度信号SDとを比較し、その差が大き
い場合は、オゾン水に対するオゾンの溶解度をさらに高
めるために冷却部25に制御信号SCを送信する。この
制御信号SCを受け取った冷却部6はオゾン水をさらに
冷却するように動作する。
【0039】濃度測定部26の測定結果が設定濃度に達
すると、制御部6は、オゾン溶解部3のバルブ32を閉
じて混合部33へのオゾンの導入を停止させるととも
に、冷却部25が動作している場合はその冷却動作を停
止させる。そして、オゾン濃度が設定濃度に達っしたオ
ゾン水が供給部1に対して循環供給されて準備工程が完
了する。
すると、制御部6は、オゾン溶解部3のバルブ32を閉
じて混合部33へのオゾンの導入を停止させるととも
に、冷却部25が動作している場合はその冷却動作を停
止させる。そして、オゾン濃度が設定濃度に達っしたオ
ゾン水が供給部1に対して循環供給されて準備工程が完
了する。
【0040】次に、複数の基板Wを洗浄する洗浄工程に
ついて説明する。複数の基板Wは、図示しない搬送ロボ
ットによって洗浄槽12内の支持部材13に載置され、
洗浄槽12に貯留されたオゾン水11に浸漬される。
ついて説明する。複数の基板Wは、図示しない搬送ロボ
ットによって洗浄槽12内の支持部材13に載置され、
洗浄槽12に貯留されたオゾン水11に浸漬される。
【0041】複数の基板Wが浸漬されると制御部6によ
って超音波発生器15が駆動されて、洗浄槽12に貯留
されたオゾン水11に超音波振動が付与される。このよ
うにオゾン水11に超音波振動が付与されると、超音波
の周波数に応じて洗浄槽12に貯留されたオゾン水11
中にキャビテーション(空洞)や衝撃波が発生する。こ
のキャビテーションや衝撃波の作用によって複数の基板
Wに付着したパーティクルを容易に除去することが可能
となり、基板Wの洗浄効率をさらに向上させることがで
きる。
って超音波発生器15が駆動されて、洗浄槽12に貯留
されたオゾン水11に超音波振動が付与される。このよ
うにオゾン水11に超音波振動が付与されると、超音波
の周波数に応じて洗浄槽12に貯留されたオゾン水11
中にキャビテーション(空洞)や衝撃波が発生する。こ
のキャビテーションや衝撃波の作用によって複数の基板
Wに付着したパーティクルを容易に除去することが可能
となり、基板Wの洗浄効率をさらに向上させることがで
きる。
【0042】そして、複数の基板Wをオゾン水11に浸
漬させて所定時間が経過した後、搬送ロボットによって
複数の基板Wが支持部材13から洗浄槽12外へと搬出
されて、洗浄工程が完了する。この洗浄工程は複数の処
理ロット毎に繰り返される。
漬させて所定時間が経過した後、搬送ロボットによって
複数の基板Wが支持部材13から洗浄槽12外へと搬出
されて、洗浄工程が完了する。この洗浄工程は複数の処
理ロット毎に繰り返される。
【0043】上述のように複数の基板Wは、十分にオゾ
ンが溶解され、超音波振動が付与されたオゾン水11に
浸漬されるので、オゾン水11中のオゾンの酸化力を用
いて基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を確実
に除去できるとともに、超音波振動よるキャビテーショ
ンや衝撃波の作用によって、複数の基板Wの洗浄処理を
促進することができ洗浄効率が向上できる。
ンが溶解され、超音波振動が付与されたオゾン水11に
浸漬されるので、オゾン水11中のオゾンの酸化力を用
いて基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を確実
に除去できるとともに、超音波振動よるキャビテーショ
ンや衝撃波の作用によって、複数の基板Wの洗浄処理を
促進することができ洗浄効率が向上できる。
【0044】上述の準備工程終了後、洗浄工程開始ま
で、および、処理ロット毎に繰り返される洗浄工程中や
洗浄工程間において、循環経路2および供給部1を循環
するオゾン水中のオゾン濃度およびオゾン水の温度は、
濃度測定部26、温度センサ17および制御部6によっ
て常時監視されている。そして、濃度測定部26および
制御部6がオゾン水中のオゾン濃度が設定濃度より低く
なったことを検出すると、制御部6によってオゾン導入
部3のバルブ32が開かれ、混合部33にオゾンが導入
されて、混合部33によって循環用配管21中を流れる
オゾン水にオゾンをさらに溶解させて、オゾン濃度を設
定濃度とする。また、温度センサ17および制御部6が
オゾン水の温度が設定温度より高いことを検出すると、
制御部6によって冷却部25が動作させられ、冷却部2
5によって循環用配管21中を流れるオゾン水を冷却し
てオゾン水の温度を設定温度とする。
で、および、処理ロット毎に繰り返される洗浄工程中や
洗浄工程間において、循環経路2および供給部1を循環
するオゾン水中のオゾン濃度およびオゾン水の温度は、
濃度測定部26、温度センサ17および制御部6によっ
て常時監視されている。そして、濃度測定部26および
制御部6がオゾン水中のオゾン濃度が設定濃度より低く
なったことを検出すると、制御部6によってオゾン導入
部3のバルブ32が開かれ、混合部33にオゾンが導入
されて、混合部33によって循環用配管21中を流れる
オゾン水にオゾンをさらに溶解させて、オゾン濃度を設
定濃度とする。また、温度センサ17および制御部6が
オゾン水の温度が設定温度より高いことを検出すると、
制御部6によって冷却部25が動作させられ、冷却部2
5によって循環用配管21中を流れるオゾン水を冷却し
てオゾン水の温度を設定温度とする。
【0045】次に排液工程について説明する。上述のよ
うに処理ロット毎に洗浄工程を繰り返すと、洗浄槽12
内のオゾン水11中に、複数の基板Wから除去された有
機物や金属汚染物などが増加し洗浄効率が次第に低下す
る。このようにオゾン水の洗浄効率が低下すると、循環
経路2のバルブ22および排液部5のバルブ52、バル
ブ54が制御部6によって開けられるとともに、ポンプ
23が駆動される。このときバルブ42、バルブ24お
よびバルブ32は閉じられている。
うに処理ロット毎に洗浄工程を繰り返すと、洗浄槽12
内のオゾン水11中に、複数の基板Wから除去された有
機物や金属汚染物などが増加し洗浄効率が次第に低下す
る。このようにオゾン水の洗浄効率が低下すると、循環
経路2のバルブ22および排液部5のバルブ52、バル
ブ54が制御部6によって開けられるとともに、ポンプ
23が駆動される。このときバルブ42、バルブ24お
よびバルブ32は閉じられている。
【0046】バルブ22、バルブ52およびバルブ54
が開けられることにより、洗浄槽11に貯留されたオゾ
ン水11は、槽内排液管53、循環用配管21の一部分
および排液管51を介してポンプ23によって送液さ
れ、廃液設備に向けて排出される。また、外槽16に貯
留されたオゾン水11は、循環用配管21の一部分およ
び排液管51を介してポンプ23によって送液され、廃
液設備に向けて排出される。そして、排液工程が終了す
ると上述の準備工程が再び開始される。
が開けられることにより、洗浄槽11に貯留されたオゾ
ン水11は、槽内排液管53、循環用配管21の一部分
および排液管51を介してポンプ23によって送液さ
れ、廃液設備に向けて排出される。また、外槽16に貯
留されたオゾン水11は、循環用配管21の一部分およ
び排液管51を介してポンプ23によって送液され、廃
液設備に向けて排出される。そして、排液工程が終了す
ると上述の準備工程が再び開始される。
【0047】上述の実施の形態においては、温度センサ
17および濃度測定部26からの温度信号STおよび濃
度信号SDに基づいて制御部6が冷却部25を制御する
が、温度信号STまたは濃度信号SDのいずれか一方の
みを制御部6に送信し、温度信号STまたは濃度信号S
Dのいずれかのみに基いて冷却部25を制御しても良
い。具体的には、温度信号STのみに基いて冷却部25
を制御する場合は、温度センサ17による測定結果が設
定温度に達するまで冷却部25を動作させれば良い。濃
度信号SDのみに基いて冷却部25を制御する場合は、
濃度測定部26による測定結果が設定濃度に達していな
いときに、冷却部25を動作させれば良い。
17および濃度測定部26からの温度信号STおよび濃
度信号SDに基づいて制御部6が冷却部25を制御する
が、温度信号STまたは濃度信号SDのいずれか一方の
みを制御部6に送信し、温度信号STまたは濃度信号S
Dのいずれかのみに基いて冷却部25を制御しても良
い。具体的には、温度信号STのみに基いて冷却部25
を制御する場合は、温度センサ17による測定結果が設
定温度に達するまで冷却部25を動作させれば良い。濃
度信号SDのみに基いて冷却部25を制御する場合は、
濃度測定部26による測定結果が設定濃度に達していな
いときに、冷却部25を動作させれば良い。
【0048】本発明の実施の形態は上述の実施の形態に
限定されず、例えば、温度センサ17を洗浄槽12内に
配置するのではなく、循環経路2の循環用配管21に介
設させても良い。また、オゾン水または純水を冷却する
機構は熱電冷却素子を用いた機構に限定されず、例えば
熱電冷却素子に代えて、冷却部25内を流れるオゾン水
中に冷媒として冷却水が流れる冷却用配管を設けても良
い。
限定されず、例えば、温度センサ17を洗浄槽12内に
配置するのではなく、循環経路2の循環用配管21に介
設させても良い。また、オゾン水または純水を冷却する
機構は熱電冷却素子を用いた機構に限定されず、例えば
熱電冷却素子に代えて、冷却部25内を流れるオゾン水
中に冷媒として冷却水が流れる冷却用配管を設けても良
い。
【0049】さらに、濃度測定部26は、循環用配管2
1から分岐したサンプリング用の配管を介して循環用配
管21から一定量のオゾン水を随時抽出しオゾン濃度を
測定するように介設しても良い。また、濃度測定部26
を洗浄槽12内に設けても良い。
1から分岐したサンプリング用の配管を介して循環用配
管21から一定量のオゾン水を随時抽出しオゾン濃度を
測定するように介設しても良い。また、濃度測定部26
を洗浄槽12内に設けても良い。
【0050】また、工場設備として設置されたオゾン供
給設備を用いる代わりに、基板処理装置にオゾンを生成
するオゾン生成部を設けても良い。このオゾン生成部と
して、酸素ガスが充満した反応室内に放電を与えてオゾ
ンを発生させる生成機構や水を電気分解し、分解された
酸素原子からオゾンを生成する機構などを用いることが
できる。
給設備を用いる代わりに、基板処理装置にオゾンを生成
するオゾン生成部を設けても良い。このオゾン生成部と
して、酸素ガスが充満した反応室内に放電を与えてオゾ
ンを発生させる生成機構や水を電気分解し、分解された
酸素原子からオゾンを生成する機構などを用いることが
できる。
【0051】さらに、オゾン水を用いて基板に施す処理
は洗浄処理に限定されず基板にオゾン水を供給して基板
を処理するものであれば、本発明を適用することができ
る。
は洗浄処理に限定されず基板にオゾン水を供給して基板
を処理するものであれば、本発明を適用することができ
る。
【0052】
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板処理装置によ
れば、供給手段により基板に供給されるオゾン水中のオ
ゾン濃度を高めることができて、基板の表面に付着した
有機物や金属汚染物等を確実に除去できる。
れば、供給手段により基板に供給されるオゾン水中のオ
ゾン濃度を高めることができて、基板の表面に付着した
有機物や金属汚染物等を確実に除去できる。
【0053】また、請求項2に係る発明の基板処理装置
によれば、循環手段によって供給手段から基板にオゾン
水が循環供給されるので、オゾン水の使用量を削減する
ことができる。また、溶解手段および冷却手段が循環手
段に介設されるので、純水またはオゾン水に対するオゾ
ンの溶解処理および冷却処理が簡素な構成で実行するこ
とができる。
によれば、循環手段によって供給手段から基板にオゾン
水が循環供給されるので、オゾン水の使用量を削減する
ことができる。また、溶解手段および冷却手段が循環手
段に介設されるので、純水またはオゾン水に対するオゾ
ンの溶解処理および冷却処理が簡素な構成で実行するこ
とができる。
【0054】さらに、請求項3に係る発明の基板処理装
置によれば、温度測定手段による測定結果に基づいて制
御手段によって冷却手段が制御されるので、純水または
オゾン水の冷却処理を確実に実行することができる。
置によれば、温度測定手段による測定結果に基づいて制
御手段によって冷却手段が制御されるので、純水または
オゾン水の冷却処理を確実に実行することができる。
【0055】またさらに、請求項4に係る発明の基板処
理装置によれば、濃度測定手段による測定結果に基づい
て制御手段によって溶解手段または冷却手段が制御され
るので、純水またはオゾン水の冷却処理を確実に実行で
きるとともに、供給手段から基板に供給するオゾン水中
のオゾン濃度を所望値以上にできる。
理装置によれば、濃度測定手段による測定結果に基づい
て制御手段によって溶解手段または冷却手段が制御され
るので、純水またはオゾン水の冷却処理を確実に実行で
きるとともに、供給手段から基板に供給するオゾン水中
のオゾン濃度を所望値以上にできる。
【0056】また、請求項5に係る発明の基板処理方法
によれば、準備工程で0℃から15℃の範囲内で冷却さ
れた純水またはオゾン水にオゾンが溶解されて生成され
たオゾン水が供給工程で基板に供給されるので、基板に
供給されるオゾン水中のオゾン濃度を高めることができ
て、基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を確実
に除去できる。
によれば、準備工程で0℃から15℃の範囲内で冷却さ
れた純水またはオゾン水にオゾンが溶解されて生成され
たオゾン水が供給工程で基板に供給されるので、基板に
供給されるオゾン水中のオゾン濃度を高めることができ
て、基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を確実
に除去できる。
【0057】また、請求項6に係る発明の基板処理方法
によれば、オゾンの濃度が25ppm以上であるオゾン
水が供給工程で基板に供給されるので、オゾン水中のオ
ゾンの酸化力を十分に基板に作用させることができて処
理効率が向上できる。
によれば、オゾンの濃度が25ppm以上であるオゾン
水が供給工程で基板に供給されるので、オゾン水中のオ
ゾンの酸化力を十分に基板に作用させることができて処
理効率が向上できる。
【図1】この発明の1実施形態を示し、オゾン水を基板
に供給して基板を洗浄処理する基板処理装置の概略構成
を示す模式図である。
に供給して基板を洗浄処理する基板処理装置の概略構成
を示す模式図である。
1 供給部 2 循環経路 3 オゾン溶解部 4 純水導入部 5 排液部 6 制御部 W 基板 12 洗浄槽 17 温度センサ 25 冷却部 26 濃度測定部 ST 温度信号 SD 濃度信号 SC 制御信号
Claims (6)
- 【請求項1】 基板にオゾン水を供給して基板に所定の
処理を施す基板処理装置において、 純水またはオゾン水を冷却する冷却手段と、 冷却手段によって冷却された純水またはオゾン水にオゾ
ンを溶解させる溶解手段と、 溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン水を基板に
供給する供給手段と、を有することを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 供給手段によって基板に供給されたオゾン水を回収し、
供給手段に循環させる循環経路をさらに有し、 この循環経路に溶解手段および冷却手段が介設されてい
ることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の基板処
理装置において、 冷却手段によって冷却されるべき純水またはオゾン水の
温度を測定する温度測定手段と、 この温度測定手段による測定結果に基づいて冷却手段を
制御する制御手段とをさらに有することを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の基板処理装置において、 溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン水中のオゾ
ン濃度を測定する濃度測定手段と、 この濃度測定手段による測定結果に基づいて溶解手段ま
たは冷却手段を制御する制御手段とをさらに有すること
を特徴とする基板処理装置。 - 【請求項5】 基板にオゾン水を供給して基板に所定の
処理を施す基板処理方法において、 0℃から15℃の範囲内で冷却された純水またはオゾン
水にオゾンを溶解させてオゾン水を生成する準備工程
と、 準備工程で生成されたオゾン水を基板に供給する供給工
程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項6】 請求項5に記載の基板処理方法におい
て、 供給工程で基板に供給されるオゾン水中のオゾン濃度が
25ppm以上となるように、準備工程で純水またはオ
ゾン水にオゾンを溶解させることを特徴とする基板処理
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10333291A JP2000164552A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10333291A JP2000164552A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000164552A true JP2000164552A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18264463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10333291A Pending JP2000164552A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000164552A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100605A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-04-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003010795A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
KR20030010069A (ko) * | 2001-07-25 | 2003-02-05 | 최성필 | 오존수를 갖는 슬러리가 공급되는 연마장치 |
US6863836B2 (en) * | 2002-01-17 | 2005-03-08 | Akrion, Llc | Method for removal of photoresist using sparger |
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