JP2000150776A - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュールInfo
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- Inverter Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体チップを複数個並列接続して使用する半
導体モジュールにおいて、一つの半導体チップに故障が
生じた場合においても、他の半導体チップに破壊が広が
らず、継続動作を可能にする。 【解決手段】複数個のパワー半導体チップを並設すると
ともに並列接続して使用する大電力半導体モジュールに
おいて、それぞれパワーチップを実装し、並設された複
数個の実装基板12と、各パワーチップのエミッタをモ
ジュールのエミッタ端子Eに接続するために設けられた
エミッタリードと、各パワーチップのゲートをモジュー
ルのゲート端子Gに接続するために設けられたゲートリ
ードと、各パワーチップのコレクタをモジュールのコレ
クタ端子Cに接続するために設けられ、過電流によって
エミッタリード43よりも熔断し易いコレクタリード4
5とを具備する。
導体モジュールにおいて、一つの半導体チップに故障が
生じた場合においても、他の半導体チップに破壊が広が
らず、継続動作を可能にする。 【解決手段】複数個のパワー半導体チップを並設すると
ともに並列接続して使用する大電力半導体モジュールに
おいて、それぞれパワーチップを実装し、並設された複
数個の実装基板12と、各パワーチップのエミッタをモ
ジュールのエミッタ端子Eに接続するために設けられた
エミッタリードと、各パワーチップのゲートをモジュー
ルのゲート端子Gに接続するために設けられたゲートリ
ードと、各パワーチップのコレクタをモジュールのコレ
クタ端子Cに接続するために設けられ、過電流によって
エミッタリード43よりも熔断し易いコレクタリード4
5とを具備する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特に半導体チップを複数個並列接続して使用する半
導体モジュール(半導体スタック)に関するもので、例
えば高信頼性を要求される大電力IGBT(絶縁ゲート
型バイポーラトランジスタ)モジュールに応用されるも
のである。
り、特に半導体チップを複数個並列接続して使用する半
導体モジュール(半導体スタック)に関するもので、例
えば高信頼性を要求される大電力IGBT(絶縁ゲート
型バイポーラトランジスタ)モジュールに応用されるも
のである。
【0002】
【従来の技術】図8は、IGBTモジュールの外観の一
例を概略的に示している。
例を概略的に示している。
【0003】図8において、IGBTモジュール本体は
ケース80の内部に収納されており、エミッタ端子E、
ゲート端子G、コレクタ端子Cがケース80の外部に導
出されている。
ケース80の内部に収納されており、エミッタ端子E、
ゲート端子G、コレクタ端子Cがケース80の外部に導
出されている。
【0004】図9は、最近のIGBTモジュールの一例
の断面構造を概略的に示している。IGBTモジュール
図9において、ケース90の内部には、IGBTモジュ
ール本体91とそれを制御するためのゲート回路部92
が収納されている。ゲート回路部92は、プリント回路
板上に制御素子が実装されてなり、IGBTモジュール
本体91の上段側に配設されている。
の断面構造を概略的に示している。IGBTモジュール
図9において、ケース90の内部には、IGBTモジュ
ール本体91とそれを制御するためのゲート回路部92
が収納されている。ゲート回路部92は、プリント回路
板上に制御素子が実装されてなり、IGBTモジュール
本体91の上段側に配設されている。
【0005】図10(a)は、従来の一般に使用されて
いるIGBTモジュールの内部を概略的に示す上面図で
あり、そのB−B線に沿う断面構造を概略的に図10
(b)に示し、IGBTモジュールの等価回路を図10
(c)に示す。
いるIGBTモジュールの内部を概略的に示す上面図で
あり、そのB−B線に沿う断面構造を概略的に図10
(b)に示し、IGBTモジュールの等価回路を図10
(c)に示す。
【0006】図10(a)、(b)において、Cuなど
からなる金属ベース11の上に、セラミックス121な
どの高熱伝導の絶縁基板の両面にCuなどの導体パター
ン122を形成した実装基板12が搭載されている。こ
の場合、上記実装基板12は、サイズが大きいと割れ易
いので、例えば2分割されている。
からなる金属ベース11の上に、セラミックス121な
どの高熱伝導の絶縁基板の両面にCuなどの導体パター
ン122を形成した実装基板12が搭載されている。こ
の場合、上記実装基板12は、サイズが大きいと割れ易
いので、例えば2分割されている。
【0007】そして、実装基板12の導体パターン12
2上に、例えば4個のIGBTチップ13のコレクタ面
と4個のFRD(高速回復用ダイオード)チップ14の
カソード面が搭載されている。なお、通常、IGBTチ
ップ13とFRDチップ14とは対となって使用され
る。
2上に、例えば4個のIGBTチップ13のコレクタ面
と4個のFRD(高速回復用ダイオード)チップ14の
カソード面が搭載されている。なお、通常、IGBTチ
ップ13とFRDチップ14とは対となって使用され
る。
【0008】また、前記金属ベース11上に絶縁体(図
示せず)を介してエミッタ端子E、ゲート端子G、コレ
クタ端子Cが固定されており、エミッタ端子EとIGB
Tチップ13のエミッタとの間、ゲート端子GとIGB
Tチップ13のゲートとの間、コレクタ端子Cと実装基
板12のチップ搭載面導体パターン122との間、およ
び、IGBTチップ13のエミッタとFRDチップ14
のカソードとの間は、それぞれボンディングワイヤ15
により接続されている。
示せず)を介してエミッタ端子E、ゲート端子G、コレ
クタ端子Cが固定されており、エミッタ端子EとIGB
Tチップ13のエミッタとの間、ゲート端子GとIGB
Tチップ13のゲートとの間、コレクタ端子Cと実装基
板12のチップ搭載面導体パターン122との間、およ
び、IGBTチップ13のエミッタとFRDチップ14
のカソードとの間は、それぞれボンディングワイヤ15
により接続されている。
【0009】これにより、前記4個のIGBTチップ1
3の各IGBT素子と4個のFRDチップ14の各FR
D素子は並列接続されている。
3の各IGBT素子と4個のFRDチップ14の各FR
D素子は並列接続されている。
【0010】なお、上記したようなIGBTモジュール
を複数個使用して並列接続することにより大電力IGB
Tモジュールが構成される。そして、大電力IGBTモ
ジュールを複数個使用することによりインバータ装置が
構成されている。
を複数個使用して並列接続することにより大電力IGB
Tモジュールが構成される。そして、大電力IGBTモ
ジュールを複数個使用することによりインバータ装置が
構成されている。
【0011】また、通常のインバータ装置は、例えば図
11に示す回路のように、図10(a)、(b)に示し
たような4チップ内蔵のIGBTモジュール10を10
個並列した大電力IGBTモジュール群を6台使用する
(つまり、IGBTモジュール10を合計60個使用す
る)ことにより1台分が構成されている。
11に示す回路のように、図10(a)、(b)に示し
たような4チップ内蔵のIGBTモジュール10を10
個並列した大電力IGBTモジュール群を6台使用する
(つまり、IGBTモジュール10を合計60個使用す
る)ことにより1台分が構成されている。
【0012】また、中性点クランプ方式の3レベルのイ
ンバータ装置は、例えば図12に示す回路のように、図
10(a)、(b)に示したようなIGBTモジュール
10を10個並列した大電力IGBTモジュール群を1
2台使用する(つまり、IGBTモジュール10を合計
120個使用する)ことにより1台分が構成されてい
る。
ンバータ装置は、例えば図12に示す回路のように、図
10(a)、(b)に示したようなIGBTモジュール
10を10個並列した大電力IGBTモジュール群を1
2台使用する(つまり、IGBTモジュール10を合計
120個使用する)ことにより1台分が構成されてい
る。
【0013】そして、上記したようなインバータ装置を
10〜30台使用する大型のプラント装置においては、
各製造工程を流れ作業で被加工物が流れるので、インバ
ータ装置が1台でも停止してしまうと、全ての工程がス
トップすることになり、復旧まで時間がかかるので大き
な損害になる。
10〜30台使用する大型のプラント装置においては、
各製造工程を流れ作業で被加工物が流れるので、インバ
ータ装置が1台でも停止してしまうと、全ての工程がス
トップすることになり、復旧まで時間がかかるので大き
な損害になる。
【0014】特に、図12に示したような3レベルのイ
ンバータ装置を30台使用する大型のプラント装置にお
いては、図10(a)、(b)に示したようなIGBT
モジュール10の使用数が3600(=120×30)個であ
り、IGBTチップとFRDチップの総使用数は28800
(=3600×4×2)個となる。
ンバータ装置を30台使用する大型のプラント装置にお
いては、図10(a)、(b)に示したようなIGBT
モジュール10の使用数が3600(=120×30)個であ
り、IGBTチップとFRDチップの総使用数は28800
(=3600×4×2)個となる。
【0015】このように大量にチップを使用している大
型のプラント装置においては、1チップの不良率が10
0fit(failure in time )程度とすると、4か月に
1回程度は不良が発生することになり、この不良の発生
によりシステム全体が停止してしまうと、大きな操業ロ
スとなっていた。
型のプラント装置においては、1チップの不良率が10
0fit(failure in time )程度とすると、4か月に
1回程度は不良が発生することになり、この不良の発生
によりシステム全体が停止してしまうと、大きな操業ロ
スとなっていた。
【0016】ところで、従来のIGBTモジュールにお
いては、一つのチップに不良が発生して破壊する際に、
それに接続されているボンディングワイヤ15に過電流
が発生して断線状態になると、このワイヤ15が断線す
る時に発生するアーク(火花)により、隣りのチップま
で破壊が広がる。
いては、一つのチップに不良が発生して破壊する際に、
それに接続されているボンディングワイヤ15に過電流
が発生して断線状態になると、このワイヤ15が断線す
る時に発生するアーク(火花)により、隣りのチップま
で破壊が広がる。
【0017】また、従来の大電力IGBTモジュールに
おいては、あるIGBTモジュールの一つのチップが破
壊すると、このチップのコレクタ電位がチップ内部のゲ
ートに加わり、並列接続したIGBTモジュールの外部
のゲート回路(図示せず)を通じて他のIGBTモジュ
ールのゲートに加わり、他のIGBTモジュールも過電
流破壊に至る。
おいては、あるIGBTモジュールの一つのチップが破
壊すると、このチップのコレクタ電位がチップ内部のゲ
ートに加わり、並列接続したIGBTモジュールの外部
のゲート回路(図示せず)を通じて他のIGBTモジュ
ールのゲートに加わり、他のIGBTモジュールも過電
流破壊に至る。
【0018】したがって、従来の大電力IGBTモジュ
ールを多数使用したインバータ装置およびそれを使用す
る大型プラント装置においては、あるIGBTモジュー
ルのチップの一つが破損すると、他のIGBTモジュー
ルまで破壊が広がり、インバータ装置の動作およびプラ
ントシステム全体の動作が停止してしまう。
ールを多数使用したインバータ装置およびそれを使用す
る大型プラント装置においては、あるIGBTモジュー
ルのチップの一つが破損すると、他のIGBTモジュー
ルまで破壊が広がり、インバータ装置の動作およびプラ
ントシステム全体の動作が停止してしまう。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】上記したように複数の
半導体チップを並設して並列接続してなる従来の半導体
モジュールは、一つのチップに不良が発生して破壊する
際に、それに接続されているボンディングワイヤに過電
流が発生して断線状態になる時に発生するアークにより
隣りのチップまで破壊が広がるという問題があった。
半導体チップを並設して並列接続してなる従来の半導体
モジュールは、一つのチップに不良が発生して破壊する
際に、それに接続されているボンディングワイヤに過電
流が発生して断線状態になる時に発生するアークにより
隣りのチップまで破壊が広がるという問題があった。
【0020】また、上記したような半導体モジュールの
複数を並列接続してなる従来の大電力半導体モジュール
およびそれを多数使用したインバータ装置ならびにそれ
を多数使用した使用する大型プラント装置においても、
ある半導体モジュールのチップの一つが破損すると、他
の半導体モジュールまで破壊が広がり、さらに、インバ
ータ装置の動作およびプラントシステム全体の動作が停
止してしまうという問題があった。
複数を並列接続してなる従来の大電力半導体モジュール
およびそれを多数使用したインバータ装置ならびにそれ
を多数使用した使用する大型プラント装置においても、
ある半導体モジュールのチップの一つが破損すると、他
の半導体モジュールまで破壊が広がり、さらに、インバ
ータ装置の動作およびプラントシステム全体の動作が停
止してしまうという問題があった。
【0021】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、並設して並列接続された複数の半導体チップ
の一つに故障が生じた場合においても、他の半導体チッ
プに破壊が広がらないように防止し、継続動作が可能に
なる半導体モジュールを提供することを目的とする。
たもので、並設して並列接続された複数の半導体チップ
の一つに故障が生じた場合においても、他の半導体チッ
プに破壊が広がらないように防止し、継続動作が可能に
なる半導体モジュールを提供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体モジ
ュールは、実装基板と、前記実装基板に実装され、並列
接続される半導体チップと、前記各半導体チップのエミ
ッタをモジュールのエミッタ端子に接続するために設け
られたエミッタリードと、前記各半導体チップのゲート
をモジュールのゲート端子に接続するために設けられた
ゲートリードと、前記各半導体チップのコレクタをモジ
ュールのコレクタ端子に接続するために設けられ、過電
流によって前記エミッタリードよりも熔断し易いコレク
タリードとを具備することを特徴とする。
ュールは、実装基板と、前記実装基板に実装され、並列
接続される半導体チップと、前記各半導体チップのエミ
ッタをモジュールのエミッタ端子に接続するために設け
られたエミッタリードと、前記各半導体チップのゲート
をモジュールのゲート端子に接続するために設けられた
ゲートリードと、前記各半導体チップのコレクタをモジ
ュールのコレクタ端子に接続するために設けられ、過電
流によって前記エミッタリードよりも熔断し易いコレク
タリードとを具備することを特徴とする。
【0023】第2の発明の半導体モジュールは、第1の
発明の半導体モジュールにおいて、複数個の実装基板間
にアーク遮蔽機能を有する仕切り部材がさらに設けられ
ていることを特徴とする。
発明の半導体モジュールにおいて、複数個の実装基板間
にアーク遮蔽機能を有する仕切り部材がさらに設けられ
ていることを特徴とする。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【0025】<第1実施例>図1(a)は、第1実施例
に係るIGBTモジュールの内部を概略的に示す上面図
であり、そのB−B線に沿う断面構造を概略的に図1
(b)に示し、図1(b)中の仕切り部材を取り出して
その一例を図1(c)に概略的に示す。
に係るIGBTモジュールの内部を概略的に示す上面図
であり、そのB−B線に沿う断面構造を概略的に図1
(b)に示し、図1(b)中の仕切り部材を取り出して
その一例を図1(c)に概略的に示す。
【0026】なお、このIGBTモジュールの等価回路
は、図10(c)に示したものと同様である。
は、図10(c)に示したものと同様である。
【0027】図1(a)、(b)において、Cuなどか
らなる金属ベース11の上には、熱伝導性のよい絶縁体
を介して、高熱伝導性を有する絶縁基板(例えばセラミ
ックス121)の両面にCuなどの導体パターン122
を形成した実装基板12が搭載されている。
らなる金属ベース11の上には、熱伝導性のよい絶縁体
を介して、高熱伝導性を有する絶縁基板(例えばセラミ
ックス121)の両面にCuなどの導体パターン122
を形成した実装基板12が搭載されている。
【0028】この場合、上記実装基板12は、サイズが
大きいと割れ易いので、なるべく小さなサイズを単位と
するように例えば4分割されており、各実装基板12の
導体パターン上には、少なくとも1個のIGBTチップ
13のコレクタ面と1個のFRDチップ14のカソード
面が搭載されている。
大きいと割れ易いので、なるべく小さなサイズを単位と
するように例えば4分割されており、各実装基板12の
導体パターン上には、少なくとも1個のIGBTチップ
13のコレクタ面と1個のFRDチップ14のカソード
面が搭載されている。
【0029】また、実装基板12は分割されていなくと
もよく、1枚の基板12に複数個のIGBTを搭載する
ようにしてもよい。
もよく、1枚の基板12に複数個のIGBTを搭載する
ようにしてもよい。
【0030】前記金属ベース11上には、熱伝導性のよ
い絶縁体(図示せず)を介してエミッタ端子E、ゲート
端子G、コレクタ端子Cが固定されている。
い絶縁体(図示せず)を介してエミッタ端子E、ゲート
端子G、コレクタ端子Cが固定されている。
【0031】そして、前記金属ベース11上で前記各実
装基板12上のIGBTチップ13、FRDチップ14
を囲むように絶縁性のケース15が被せられる。
装基板12上のIGBTチップ13、FRDチップ14
を囲むように絶縁性のケース15が被せられる。
【0032】さらに、前記各実装基板12の間には、ど
れか一つのチップが破壊しても隣りの実装基板12上の
チップにアークが回らないように防止するための仕切り
部材16が設けられている。
れか一つのチップが破壊しても隣りの実装基板12上の
チップにアークが回らないように防止するための仕切り
部材16が設けられている。
【0033】この仕切り部材16は、例えば図1(c)
に示すように、絶縁性のフレーム160に一体的に形成
された仕切り板16からなり、このフレーム160の下
端面および仕切り板16の下端面は、例えば接着剤によ
り前記金属ベース11上に固定される。なお、上記絶縁
性のフレーム160および仕切り板16は、例えば六フ
ッ化系樹脂、PPS、PBTなどからなる。
に示すように、絶縁性のフレーム160に一体的に形成
された仕切り板16からなり、このフレーム160の下
端面および仕切り板16の下端面は、例えば接着剤によ
り前記金属ベース11上に固定される。なお、上記絶縁
性のフレーム160および仕切り板16は、例えば六フ
ッ化系樹脂、PPS、PBTなどからなる。
【0034】なお、前記金属ベース11上は、前記IG
BTチップ13、FRDチップ14より高く、かつ、前
記仕切り板16およびフレーム160の高さより低い位
置までゲル状の絶縁性物質(例えばSiゲル)17によ
り覆われている。
BTチップ13、FRDチップ14より高く、かつ、前
記仕切り板16およびフレーム160の高さより低い位
置までゲル状の絶縁性物質(例えばSiゲル)17によ
り覆われている。
【0035】そして、エミッタ端子EとIGBTチップ
13のエミッタとの間はボンディングワイヤ43により
接続され、前記ゲート端子GとIGBTチップ13のゲ
ートとの間はボンディングワイヤ44により接続され、
前記コレクタ端子Cと実装基板12のチップ搭載面導体
パターン122との間はボンディングワイヤ45により
接続され、前記IGBTチップ13のエミッタとFRD
チップ14のカソードとの間はボンディングワイヤ41
により接続されている。
13のエミッタとの間はボンディングワイヤ43により
接続され、前記ゲート端子GとIGBTチップ13のゲ
ートとの間はボンディングワイヤ44により接続され、
前記コレクタ端子Cと実装基板12のチップ搭載面導体
パターン122との間はボンディングワイヤ45により
接続され、前記IGBTチップ13のエミッタとFRD
チップ14のカソードとの間はボンディングワイヤ41
により接続されている。
【0036】この場合、IGBTチップ13のエミッタ
とFRDチップ14のカソードとの間のボンディングワ
イヤ41は、500μmφ程度のAlワイヤが4本使用
されている。
とFRDチップ14のカソードとの間のボンディングワ
イヤ41は、500μmφ程度のAlワイヤが4本使用
されている。
【0037】また、前記エミッタ端子EとIGBTチッ
プ13のエミッタとの間のボンディングワイヤ43は、
500μmφ程度のAl(アルミニウム)ワイヤが4本
使用されている。
プ13のエミッタとの間のボンディングワイヤ43は、
500μmφ程度のAl(アルミニウム)ワイヤが4本
使用されている。
【0038】また、前記ゲート端子GとIGBTチップ
13のゲートとの間のボンディングワイヤ44は、20
0μmφ程度の細線Alワイヤが1本使用されている。
13のゲートとの間のボンディングワイヤ44は、20
0μmφ程度の細線Alワイヤが1本使用されている。
【0039】また、前記コレクタ端子Cと実装基板12
のチップ搭載面導体パターン122との間のボンディン
グワイヤ45は、500μmφ程度のAlワイヤが2本
使用されている。
のチップ搭載面導体パターン122との間のボンディン
グワイヤ45は、500μmφ程度のAlワイヤが2本
使用されている。
【0040】このようなボンディングワイヤ41〜45
の接続により、前記4個のIGBTチップ13の各IG
BT素子と4個のFRDチップ14の各FRD素子は並
列に接続されている。
の接続により、前記4個のIGBTチップ13の各IG
BT素子と4個のFRDチップ14の各FRD素子は並
列に接続されている。
【0041】上記したようなIGBTモジュールを複数
個使用し、並列接続することにより大電力IGBTモジ
ュールが構成され、この大電力IGBTモジュールを複
数個使用することによりインバータ装置が構成されてい
る。
個使用し、並列接続することにより大電力IGBTモジ
ュールが構成され、この大電力IGBTモジュールを複
数個使用することによりインバータ装置が構成されてい
る。
【0042】なお、通常のインバータ装置は、例えば図
11に示した回路のように、図1(a)、(b)に示し
たようなIGBTモジュールを10個並列した大電力I
GBTモジュール群を6台使用する(つまり、IGBT
モジュールを合計60個使用する)ことにより1台分が
構成されている。
11に示した回路のように、図1(a)、(b)に示し
たようなIGBTモジュールを10個並列した大電力I
GBTモジュール群を6台使用する(つまり、IGBT
モジュールを合計60個使用する)ことにより1台分が
構成されている。
【0043】また、中性点クランプ方式の3レベルのイ
ンバータ装置は、例えば図12に示した回路のように、
図10(a)、(b)に示したようなIGBTモジュー
ルを10個並列した大電力IGBTモジュール群を12
台使用する(つまり、IGBTモジュールを合計120
個使用する)ことにより1台分が構成されている。
ンバータ装置は、例えば図12に示した回路のように、
図10(a)、(b)に示したようなIGBTモジュー
ルを10個並列した大電力IGBTモジュール群を12
台使用する(つまり、IGBTモジュールを合計120
個使用する)ことにより1台分が構成されている。
【0044】そして、大型のプラント装置においては、
上記したようなインバータ装置を例えば10〜30台使
用することにより1システム分が構成されている。
上記したようなインバータ装置を例えば10〜30台使
用することにより1システム分が構成されている。
【0045】コレクタリード経路に含まれる500μm
φ程度のAlワイヤ2本からなるワイヤ45およびゲー
トリード経路に含まれる200μmφ程度の細線Alワ
イヤ1本からなるワイヤ44は、エミッタリード経路に
含まれる500μmφ程度のAlワイヤ4本からなるワ
イヤ43よりもそれぞれ熔断し易い。
φ程度のAlワイヤ2本からなるワイヤ45およびゲー
トリード経路に含まれる200μmφ程度の細線Alワ
イヤ1本からなるワイヤ44は、エミッタリード経路に
含まれる500μmφ程度のAlワイヤ4本からなるワ
イヤ43よりもそれぞれ熔断し易い。
【0046】したがって、上記第1実施例のIGBTモ
ジュールおよびそれを使用した半導体装置によれば、一
つのIGBTまたはFRDチップに過電流が流れて破壊
された時に、そのコレタタ側のワイヤ45がエミッタ側
のワイヤ43よりも先に熔断し、破壊チップの接続は断
ち切られる。
ジュールおよびそれを使用した半導体装置によれば、一
つのIGBTまたはFRDチップに過電流が流れて破壊
された時に、そのコレタタ側のワイヤ45がエミッタ側
のワイヤ43よりも先に熔断し、破壊チップの接続は断
ち切られる。
【0047】また、チップの破壊により、チップ内部で
コレクタとゲート短絡し、ゲートが高電位になって外部
のゲート回路(図示せず)に電流が流れようとしても、
ゲートのボンディングワイヤ44が熔断するので、上記
ゲート回路を通して他のモジュールが破壊することはな
い。
コレクタとゲート短絡し、ゲートが高電位になって外部
のゲート回路(図示せず)に電流が流れようとしても、
ゲートのボンディングワイヤ44が熔断するので、上記
ゲート回路を通して他のモジュールが破壊することはな
い。
【0048】したがって、何らかの理由により一つのチ
ップが破壊しても、他の素子ブロック、他のモジュール
に破壊が回ることがなく、システム全体の動作は停止せ
ず、継続稼働が可能となる。
ップが破壊しても、他の素子ブロック、他のモジュール
に破壊が回ることがなく、システム全体の動作は停止せ
ず、継続稼働が可能となる。
【0049】なお、上記第1実施例では、コレクタ側、
ゲート側のボンディングワイヤにAlワイヤを使用した
が、コレクタ側、ゲート側のワイヤ材質としてヒューズ
機能を持たせたものを使用しても構わない(エミッタ側
は、ワイヤ材質としてヒューズ機能を持たせなくても構
わない)。
ゲート側のボンディングワイヤにAlワイヤを使用した
が、コレクタ側、ゲート側のワイヤ材質としてヒューズ
機能を持たせたものを使用しても構わない(エミッタ側
は、ワイヤ材質としてヒューズ機能を持たせなくても構
わない)。
【0050】この場合は、破壊した素子ブロックの回路
がシステムから切断される動作がさらに早くなる。ま
た、このようにヒューズ機能付きのワイヤを使用する場
合は、第1実施例のように、コレクタ側、ゲート側のボ
ンディングワイヤの本数および太さを、エミッタ側のボ
ンディングワイヤの本数および太さと変えなくても構わ
ない。
がシステムから切断される動作がさらに早くなる。ま
た、このようにヒューズ機能付きのワイヤを使用する場
合は、第1実施例のように、コレクタ側、ゲート側のボ
ンディングワイヤの本数および太さを、エミッタ側のボ
ンディングワイヤの本数および太さと変えなくても構わ
ない。
【0051】<第1実施例の変形例1>図2は、第1実
施例の変形例1に係るIGBTモジュールの一部(主と
してゲート配線部)を概略的に示す上面図であり、その
B−B線に沿う断面構造は図1(b)に示したものと同
様であり、その等価回路は、図10(c)に示したもの
と同様である。
施例の変形例1に係るIGBTモジュールの一部(主と
してゲート配線部)を概略的に示す上面図であり、その
B−B線に沿う断面構造は図1(b)に示したものと同
様であり、その等価回路は、図10(c)に示したもの
と同様である。
【0052】図2に示すIGBTモジュールは、図1
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、金属ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体を介して
各実装基板12に対応するゲート中継接続端子GTが配
設されており、このゲート中継接続端子GTと各IGB
Tチップ13のゲートとの間にそれぞれボンディングワ
イヤ15が接続されている。そして、上記各ゲート中継
接続端子GTとゲート端子Gとの間にヒューズ(または
ヒューズ機能付きのゲー卜直列抵抗)21が接続されて
いる点が異なり、その他は同じである。
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、金属ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体を介して
各実装基板12に対応するゲート中継接続端子GTが配
設されており、このゲート中継接続端子GTと各IGB
Tチップ13のゲートとの間にそれぞれボンディングワ
イヤ15が接続されている。そして、上記各ゲート中継
接続端子GTとゲート端子Gとの間にヒューズ(または
ヒューズ機能付きのゲー卜直列抵抗)21が接続されて
いる点が異なり、その他は同じである。
【0053】なお、複数のIGBTモジュールが並列接
続されている場合には、上記ゲート端子Gは、複数のI
GBTモジュールで共通に使用されるゲート・バスバー
22に対して例えばネジ止めされたCu板23を介して
接続されている。
続されている場合には、上記ゲート端子Gは、複数のI
GBTモジュールで共通に使用されるゲート・バスバー
22に対して例えばネジ止めされたCu板23を介して
接続されている。
【0054】図2のIGBTモジュールによれば、ある
チップの素子が破壊した時にチップ内部のゲート電位が
上昇し、外部のゲート回路に電流が流れ込もうとする際
に、ヒューズ(またはヒューズ機能付きのゲー卜直列抵
抗)21が遮断されることによって上記電流を阻止す
る。この場合、ヒューズ機能付きの抵抗21を使用して
いれば、回路の遮断だけでなく、各チップのゲー卜に直
列にそれぞれ挿入されたバランス抵抗としても機能す
る。
チップの素子が破壊した時にチップ内部のゲート電位が
上昇し、外部のゲート回路に電流が流れ込もうとする際
に、ヒューズ(またはヒューズ機能付きのゲー卜直列抵
抗)21が遮断されることによって上記電流を阻止す
る。この場合、ヒューズ機能付きの抵抗21を使用して
いれば、回路の遮断だけでなく、各チップのゲー卜に直
列にそれぞれ挿入されたバランス抵抗としても機能す
る。
【0055】<第1実施例の変形例2>図3は、第1実
施例の変形例2に係るIGBTモジュールの一部(主と
してコレクタ配線部)を概略的に示す上面図であり、そ
のB−B線に沿う断面構造は図1(b)に示したものと
同様であり、その等価回路は、図10(c)に示したも
のと同様である。
施例の変形例2に係るIGBTモジュールの一部(主と
してコレクタ配線部)を概略的に示す上面図であり、そ
のB−B線に沿う断面構造は図1(b)に示したものと
同様であり、その等価回路は、図10(c)に示したも
のと同様である。
【0056】図3に示すIGBTモジュールは、図1
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、各IGBTチップのコレクタ(実装基板12上の導
電パターン)とコレクタ端子Cとの間にヒューズ(また
はヒューズ機能付きのゲー卜直列抵抗)31が例えば半
田付け接続されている点が異なり、その他は同じであ
る。
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、各IGBTチップのコレクタ(実装基板12上の導
電パターン)とコレクタ端子Cとの間にヒューズ(また
はヒューズ機能付きのゲー卜直列抵抗)31が例えば半
田付け接続されている点が異なり、その他は同じであ
る。
【0057】なお、複数のIGBTモジュールが並列接
続されている場合には、上記コレクタ端子Cは、複数の
IGBTモジュールで共通に使用されるコレクタ・バス
バー32に対して例えばネジ止めされたCu板33を介
して接続されている。
続されている場合には、上記コレクタ端子Cは、複数の
IGBTモジュールで共通に使用されるコレクタ・バス
バー32に対して例えばネジ止めされたCu板33を介
して接続されている。
【0058】なお、図示していない部分(ゲート回路な
ど)は、第1実施例あるいはその変形例1と同様であ
る。
ど)は、第1実施例あるいはその変形例1と同様であ
る。
【0059】図3のIGBTモジュールによれば、ある
チップの素子が破壊し、対応するヒューズ(またはヒュ
ーズ機能付きのゲー卜直列抵抗)31に過電流が流れた
時に、破壊素子ブロックの接続を切断する機能を有す
る。
チップの素子が破壊し、対応するヒューズ(またはヒュ
ーズ機能付きのゲー卜直列抵抗)31に過電流が流れた
時に、破壊素子ブロックの接続を切断する機能を有す
る。
【0060】<第2実施例>図4は、第2実施例に係る
IGBTモジュールの一部(主としてコレクタ配線部)
を概略的に示す上面図であり、そのB−B線に沿う断面
構造は図1(b)に示したものとほぼ同様であり、その
等価回路は、図10(c)に示したものと同様である。
IGBTモジュールの一部(主としてコレクタ配線部)
を概略的に示す上面図であり、そのB−B線に沿う断面
構造は図1(b)に示したものとほぼ同様であり、その
等価回路は、図10(c)に示したものと同様である。
【0061】図4に示すIGBTモジュールは、図1
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、(1)金属ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体
(図示せず)を介して各実装基板12に対応するコレク
タ端子C1〜C4が配設されるとともに外部に導出され
ており、このコレクタ端子C1〜C4と各IGBTチッ
プ13のコレクタとの間にそれぞれボンディングワイヤ
15が接続されている点、(2)さらに、複数のIGB
Tモジュールが並列接続されており、複数のIGBTモ
ジュールで共通に使用されるコレクタ・バスバー71と
前記各コレクタ端子C1〜C4との間に即断ヒューズ7
2が例えばネジ止めにより接続されている点が異なり、
その他は同じである。
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、(1)金属ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体
(図示せず)を介して各実装基板12に対応するコレク
タ端子C1〜C4が配設されるとともに外部に導出され
ており、このコレクタ端子C1〜C4と各IGBTチッ
プ13のコレクタとの間にそれぞれボンディングワイヤ
15が接続されている点、(2)さらに、複数のIGB
Tモジュールが並列接続されており、複数のIGBTモ
ジュールで共通に使用されるコレクタ・バスバー71と
前記各コレクタ端子C1〜C4との間に即断ヒューズ7
2が例えばネジ止めにより接続されている点が異なり、
その他は同じである。
【0062】なお、図示していない部分(ゲート回路な
ど)は、第1実施例あるいはその変形例と同様である。
ど)は、第1実施例あるいはその変形例と同様である。
【0063】図4のようにIGBTモジュールが複数並
列接続された大電力IGBTモジュールによれば、ある
チップの素子が破壊し、対応する即断ヒューズ72に過
電流が流れた時に、破壊素子ブロックの接続を切断する
機能を有する。
列接続された大電力IGBTモジュールによれば、ある
チップの素子が破壊し、対応する即断ヒューズ72に過
電流が流れた時に、破壊素子ブロックの接続を切断する
機能を有する。
【0064】<第2実施例の変形例1>図5は、第2実
施例の変形例1に係るIGBTモジュールの一部(主と
してゲート配線部)を概略的に示す上面図であり、その
B−B線に沿う断面構造は図1(b)に示したものと同
様であり、その等価回路は、図10(c)に示したもの
と同様である。
施例の変形例1に係るIGBTモジュールの一部(主と
してゲート配線部)を概略的に示す上面図であり、その
B−B線に沿う断面構造は図1(b)に示したものと同
様であり、その等価回路は、図10(c)に示したもの
と同様である。
【0065】図2に示すIGBTモジュールは、図1
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、(1)金属ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体
(図示せず)を介して各実装基板12に対応してゲート
端子G1〜G4が配設されるとともに外部に導出されて
おり、このゲート端子G1〜G4と各IGBTチップ1
3のゲートとの間にそれぞれボンディングワイヤ15が
接続されている点、(2)さらに、複数のIGBTモジ
ュールが並列接続されており、複数のIGBTモジュー
ルで共通に使用されるゲート・バスバー51と前記各ゲ
ート端子G1〜G4との間にヒューズ(またはヒューズ
機能付きの抵抗器)52が例えばネジ止めにより接続さ
れている点が異なり、その他は同じである。
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、(1)金属ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体
(図示せず)を介して各実装基板12に対応してゲート
端子G1〜G4が配設されるとともに外部に導出されて
おり、このゲート端子G1〜G4と各IGBTチップ1
3のゲートとの間にそれぞれボンディングワイヤ15が
接続されている点、(2)さらに、複数のIGBTモジ
ュールが並列接続されており、複数のIGBTモジュー
ルで共通に使用されるゲート・バスバー51と前記各ゲ
ート端子G1〜G4との間にヒューズ(またはヒューズ
機能付きの抵抗器)52が例えばネジ止めにより接続さ
れている点が異なり、その他は同じである。
【0066】なお、図示していない部分(コレクタな
ど)は、第2実施例と同様である。
ど)は、第2実施例と同様である。
【0067】図5のIGBTモジュールによれば、ある
チップの素子が破壊した時にチップ内部のゲート電位が
上昇し、外部のゲート回路に電流が流れ込もうとする際
に、ヒューズ52が遮断されることによって上記電流を
阻止する。この場合、ヒューズ機能付きの抵抗器52を
使用していれば、回路の遮断だけでなく、各チップのゲ
ー卜に直列にそれぞれ挿入されたバランス抵抗としても
機能する。
チップの素子が破壊した時にチップ内部のゲート電位が
上昇し、外部のゲート回路に電流が流れ込もうとする際
に、ヒューズ52が遮断されることによって上記電流を
阻止する。この場合、ヒューズ機能付きの抵抗器52を
使用していれば、回路の遮断だけでなく、各チップのゲ
ー卜に直列にそれぞれ挿入されたバランス抵抗としても
機能する。
【0068】<第2実施例の変形例2>図6は、第2実
施例の変形例2に係るIGBTモジュールの一部(主と
してゲート配線部)を上面からみて概略的に示すととも
にIGBTモジュールのゲート端子とIGBTモジュー
ル外部のゲート回路との接続関係を示しており、IGB
TモジュールのB−B線に沿う断面構造は図1(b)に
示したものと同様であり、その等価回路は、図10
(c)に示したものと同様である。
施例の変形例2に係るIGBTモジュールの一部(主と
してゲート配線部)を上面からみて概略的に示すととも
にIGBTモジュールのゲート端子とIGBTモジュー
ル外部のゲート回路との接続関係を示しており、IGB
TモジュールのB−B線に沿う断面構造は図1(b)に
示したものと同様であり、その等価回路は、図10
(c)に示したものと同様である。
【0069】図6に示すIGBTモジュールは、図1
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、(1)金属ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体
(図示せず)を介して各実装基板に対応してゲート端子
G1〜G4が配設されるとともに外部に導出されてお
り、このゲート端子G1〜G4と各IGBTチップ13
のゲートとの間にそれぞれボンディングワイヤ15が接
続されている点、(2)さらに、ゲート制御回路61の
出力信号がフォトカプラ62を介して個別の電源回路6
3を持つ出力段回路(ゲートドライバ)64の入力側に
結合(転送)されるゲート回路60がIGBTモジュー
ルの外部に設けられている点、(3)前記各ゲート端子
G1〜G4は、前記ゲート回路60におけるゲートドラ
イバ64の出力ノードに接続されている点が異なり、そ
の他は同じである。
(a)に示した第1実施例のIGBTモジュールと比べ
て、(1)金属ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体
(図示せず)を介して各実装基板に対応してゲート端子
G1〜G4が配設されるとともに外部に導出されてお
り、このゲート端子G1〜G4と各IGBTチップ13
のゲートとの間にそれぞれボンディングワイヤ15が接
続されている点、(2)さらに、ゲート制御回路61の
出力信号がフォトカプラ62を介して個別の電源回路6
3を持つ出力段回路(ゲートドライバ)64の入力側に
結合(転送)されるゲート回路60がIGBTモジュー
ルの外部に設けられている点、(3)前記各ゲート端子
G1〜G4は、前記ゲート回路60におけるゲートドラ
イバ64の出力ノードに接続されている点が異なり、そ
の他は同じである。
【0070】なお、上記ゲート回路60は、例えば図9
に示したように、同一ケースの内部でIGBTモジュー
ルの上側に配設されるプリント回路板上に実装されて収
納されている。
に示したように、同一ケースの内部でIGBTモジュー
ルの上側に配設されるプリント回路板上に実装されて収
納されている。
【0071】なお、図示していない部分(コレクタな
ど)は、第2実施例と同様である。
ど)は、第2実施例と同様である。
【0072】図6のIGBTモジュールによれば、各素
子ブロック毎にゲート端子が導出されており、ゲート制
御回路の出力信号がフォトカプラー62を通して入力す
るドライバー64により各ゲートを制御する。
子ブロック毎にゲート端子が導出されており、ゲート制
御回路の出力信号がフォトカプラー62を通して入力す
るドライバー64により各ゲートを制御する。
【0073】したがって、IGBTモジュールのある一
つのゲート(およびそれに接続されているゲート端子)
が高電位に上がっても、他の素子ブロックまたは他のモ
ジュールに破壊が広がることはない。
つのゲート(およびそれに接続されているゲート端子)
が高電位に上がっても、他の素子ブロックまたは他のモ
ジュールに破壊が広がることはない。
【0074】また、図6に示したゲート回路の全体をI
GBTモジュールの内部に取り込んだインテリジェント
タイプのIGBTモジュールを構成しても構わない。
GBTモジュールの内部に取り込んだインテリジェント
タイプのIGBTモジュールを構成しても構わない。
【0075】図7は、図1(c)に示した仕切り部材の
変形例を示している。
変形例を示している。
【0076】図7に示す仕切り部材は、図1(b)に示
した金属ベース11上で各実装基板12上のIGBTチ
ップ13、FRDチップ14を囲むように被せられる絶
縁性のケース70に一体的に形成された仕切り板71か
らなり、このケース70の下端面および仕切り板71の
下端面は、前記金属ベース11上に固定される。
した金属ベース11上で各実装基板12上のIGBTチ
ップ13、FRDチップ14を囲むように被せられる絶
縁性のケース70に一体的に形成された仕切り板71か
らなり、このケース70の下端面および仕切り板71の
下端面は、前記金属ベース11上に固定される。
【0077】この場合、上記ケース70には、前記金属
ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体(図示せず)を介
して固定されるエミッタ端子E、ゲート端子Gおよびコ
レクタ端子C(図示せず)が取り付けられており、上記
エミッタ端子E、ゲート端子Gおよびコレクタ端子Cの
各一端部はケース70の外部に導出されている。
ベース11上に熱伝導性のよい絶縁体(図示せず)を介
して固定されるエミッタ端子E、ゲート端子Gおよびコ
レクタ端子C(図示せず)が取り付けられており、上記
エミッタ端子E、ゲート端子Gおよびコレクタ端子Cの
各一端部はケース70の外部に導出されている。
【0078】
【発明の効果】上述したように本発明の半導体モジュー
ルによれば、並設して並列接続された複数の半導体チッ
プの一つに故障が生じた場合においても、他の半導体チ
ップに破壊が広がらないように防止でき、継続動作が可
能になる。
ルによれば、並設して並列接続された複数の半導体チッ
プの一つに故障が生じた場合においても、他の半導体チ
ップに破壊が広がらないように防止でき、継続動作が可
能になる。
【0079】また、本発明の半導体モジュールを多数使
用する大型プラントに応用した場合に、並設して並列接
続された複数の半導体チップの一つが破壊したとして
も、その部分のみシステムから切断でき、他の素子ブロ
ック、他のモジュールまたは制御回路を破壊することが
ないので、システム全体を停止させることがなく、プラ
ントの操業ロスを招くことを防止できる。
用する大型プラントに応用した場合に、並設して並列接
続された複数の半導体チップの一つが破壊したとして
も、その部分のみシステムから切断でき、他の素子ブロ
ック、他のモジュールまたは制御回路を破壊することが
ないので、システム全体を停止させることがなく、プラ
ントの操業ロスを招くことを防止できる。
【図1】本発明の第1実施例に係るIGBTモジュール
の内部を概略的に示す上面図および断面図ならびに仕切
り部材を取り出して概略的に示す斜視図。
の内部を概略的に示す上面図および断面図ならびに仕切
り部材を取り出して概略的に示す斜視図。
【図2】本発明の第1実施例の変形例1に係るIGBT
モジュールの一部(主としてゲート配線部)を概略的に
示す上面図。
モジュールの一部(主としてゲート配線部)を概略的に
示す上面図。
【図3】本発明の第1実施例の変形例2に係るIGBT
モジュールの一部(主としてコレクタ配線部)を概略的
に示す上面図。
モジュールの一部(主としてコレクタ配線部)を概略的
に示す上面図。
【図4】本発明の第2実施例に係るIGBTモジュール
の一部(主としてコレクタ配線部)を概略的に示す上面
図。
の一部(主としてコレクタ配線部)を概略的に示す上面
図。
【図5】本発明の第2実施例の変形例1に係るIGBT
モジュールの一部(主としてゲート配線部)を概略的に
示す上面図。
モジュールの一部(主としてゲート配線部)を概略的に
示す上面図。
【図6】本発明の第2実施例の変形例2に係るIGBT
モジュールの一部(主としてゲート配線部)を上面から
みて概略的に示すとともにIGBTモジュールのゲート
端子とIGBTモジュール外部のゲート回路との接続関
係を示す図。
モジュールの一部(主としてゲート配線部)を上面から
みて概略的に示すとともにIGBTモジュールのゲート
端子とIGBTモジュール外部のゲート回路との接続関
係を示す図。
【図7】図1(c)に示した仕切り部材の変形例を示す
斜視図。
斜視図。
【図8】IGBTモジュールの外観の一例を概略的に示
す斜視図。
す斜視図。
【図9】最近のIGBTモジュールの一例を概略的に示
す断面図。
す断面図。
【図10】従来の一般に使用されているIGBTモジュ
ールの内部を取り出して示す上面図、断面図および等価
回路を示す図。
ールの内部を取り出して示す上面図、断面図および等価
回路を示す図。
【図11】IGBTモジュールを多数用いた通常のイン
バータ装置の1台分の一例を示す構成説明図。
バータ装置の1台分の一例を示す構成説明図。
【図12】IGBTモジュールを多数用いた中性点クラ
ンプ方式の3レベルのインバータ装置の1台分の一例を
示す構成説明図。
ンプ方式の3レベルのインバータ装置の1台分の一例を
示す構成説明図。
11…金属ベース、 12…実装基板、 13…IGBTチップ、 14…FRDチップ、 E…エミッタ端子、 G…ゲート端子、 C…コレクタ端子、 15…絶縁性のケース、 16…仕切り部材。
Claims (10)
- 【請求項1】 実装基板と、 前記実装基板に実装され、並列接続される半導体チップ
と、 前記各半導体チップのエミッタをモジュールのエミッタ
端子に接続するために設けられたエミッタリードと、 前記各半導体チップのゲートをモジュールのゲート端子
に接続するために設けられたゲートリードと、 前記各半導体チップのコレクタをモジュールのコレクタ
端子に接続するために設けられ、過電流によって前記エ
ミッタリードよりも熔断し易いコレクタリードとを具備
することを特徴とする半導体モジュール。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体モジュールにおい
て、 前記ゲートリードは、過電流によって前記エミッタリー
ドよりも熔断し易いことを特徴とする半導体モジュー
ル。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の半導体モジュー
ルにおいて、 前記エミッタリード、ゲートリードおよびコレクタリー
ドは、それぞれボンディングワイヤを直列に含み、前記
各半導体チップのコレクタに接続されているボンディン
グワイヤの本数が前記各半導体チップのエミッタに接続
されているボンディングワイヤの本数よりも少ないこと
を特徴とする半導体モジュール。 - 【請求項4】 請求項3記載の半導体モジュールにおい
て、 前記各半導体チップのゲートに接続されているボンディ
ングワイヤが前記各半導体チップのコレクタに接続され
ているボンディングワイヤよりも細いことを特徴とする
半導体モジュール。 - 【請求項5】 請求項1または2記載の半導体モジュー
ルにおいて、 前記コレクタリードは、ヒューズまたはヒューズ機能を
持たせた材質のボンディングワイヤを直列に含むことを
特徴とする半導体モジュール。 - 【請求項6】 請求項2乃至4のいずれか1項に記載の
半導体モジュールにおいて、 前記ゲートリードは、ヒューズまたはヒューズ機能を持
たせた材質のボンディングワイヤまたはヒューズ機能を
設けた抵抗を直列に含むことを特徴とする半導体モジュ
ール。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の
半導体モジュールにおいて、 前記複数個の実装基板間にアーク遮蔽機能を有する仕切
り部材が設けられていることを特徴とする半導体モジュ
ール。 - 【請求項8】 並設された複数個の実装基板と、 前記複数個の実装基板にそれぞれ実装され、並列接続さ
れる半導体チップと、 前記各実装基板に対応して設けられとともに外部に導出
され、対応する実装基板上の半導体チップのコレクタに
接続された複数のコレクタ端子と、 前記各コレクタ端子と外部のコレクタ・バスバーとの間
にそれぞれ対応して接続された複数のヒューズとを具備
することを特徴とする半導体モジュール。 - 【請求項9】 並設された複数個の実装基板と、 前記各実装基板に対応して設けられるとともに外部に導
出され、対応する実装基板上の半導体チップのゲートに
接続された複数のゲート端子と、 前記各ゲート端子と外部のゲート・バスバーとの間にそ
れぞれ対応して接続された複数のヒューズまたはヒュー
ズ機能付きの抵抗器とを具備することを特徴とする半導
体モジュール。 - 【請求項10】 並設された複数個の実装基板と、 前記各実装基板に対応して設けられるとともに外部に導
出され、対応する実装基板上の半導体チップのゲートに
接続された複数のゲート端子とを具備し、 前記各ゲート端子は、ゲート制御回路の複数の出力がそ
れぞれフォトカプラを介してそれぞれ個別の電源回路を
持つ複数の出力段ゲートドライバの入力側に結合される
ゲート回路の前記各出力段ゲートドライバからそれぞれ
独立にゲート駆動信号が供給されることを特徴とする半
導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10326965A JP2000150776A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10326965A JP2000150776A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | 半導体モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000150776A true JP2000150776A (ja) | 2000-05-30 |
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ID=18193781
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP10326965A Pending JP2000150776A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | 半導体モジュール |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2000150776A (ja) |
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