JP2000150717A - 表面実装用の半導体パッケ―ジ - Google Patents
表面実装用の半導体パッケ―ジInfo
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップ及び回路部を充分封止した状態
で外部回路板に表面実装できる半導体装置が形成できる
とともに、接続信頼性の向上した端子が容易に形成でき
る半導体パッケージを提供すること。 【解決手段】 半導体チップ1を搭載する凹部2と、こ
の凹部2周囲の肩部3に設けた回路部5とを備える回路
基板21を形成し、この回路基板21の回路部5上に透
孔7を有する絶縁層8を積層し、この透孔7を貫通して
下端部が回路部5に接続導通するとともに、上端部が絶
縁層8上面に突出するスルーホール導電路4を形成し、
このスルーホール導電路4の上端部を回路基板21上の
凹部2および肩部3と同じ側に設けた表面実装用の端子
6に形成する。
で外部回路板に表面実装できる半導体装置が形成できる
とともに、接続信頼性の向上した端子が容易に形成でき
る半導体パッケージを提供すること。 【解決手段】 半導体チップ1を搭載する凹部2と、こ
の凹部2周囲の肩部3に設けた回路部5とを備える回路
基板21を形成し、この回路基板21の回路部5上に透
孔7を有する絶縁層8を積層し、この透孔7を貫通して
下端部が回路部5に接続導通するとともに、上端部が絶
縁層8上面に突出するスルーホール導電路4を形成し、
このスルーホール導電路4の上端部を回路基板21上の
凹部2および肩部3と同じ側に設けた表面実装用の端子
6に形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装用の半導
体パッケージに関し、電気機器に利用される半導体チッ
プを搭載する基板に、外部入出力の端子を形成した表面
実装用の半導体パッケージに関する。
体パッケージに関し、電気機器に利用される半導体チッ
プを搭載する基板に、外部入出力の端子を形成した表面
実装用の半導体パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、図7に示すような特開昭63−1
36655号公報に記載された表面実装用の半導体パッ
ケージが提案されている。
36655号公報に記載された表面実装用の半導体パッ
ケージが提案されている。
【0003】図8に示す表面実装用の半導体パッケージ
は、半導体チップ1が上面に固定される良熱伝導性の金
属基材9と、この金属基材9の下面に絶縁性薄層16を
介して固着され、半導体チップ1の放熱を行うヒートシ
ンク14と、上面に半導体チップ1の端子部と電気接続
するための回路部5を有し、下面に金属基材9を、半導
体チップ1を固着した側を上方に向けて固着し、この半
導体チップ1の近傍において、この半導体チップ1の上
方を開放するような貫通孔18が設けられた配線基板1
7とから形成されている。
は、半導体チップ1が上面に固定される良熱伝導性の金
属基材9と、この金属基材9の下面に絶縁性薄層16を
介して固着され、半導体チップ1の放熱を行うヒートシ
ンク14と、上面に半導体チップ1の端子部と電気接続
するための回路部5を有し、下面に金属基材9を、半導
体チップ1を固着した側を上方に向けて固着し、この半
導体チップ1の近傍において、この半導体チップ1の上
方を開放するような貫通孔18が設けられた配線基板1
7とから形成されている。
【0004】このような表面実装用の半導体パッケージ
において、半導体チップ1を金属基材9に固着し、この
半導体チップ1と回路部5とをボンディングワイヤ11
を介して電気接続する。そして、半導体チップ1及びボ
ンディングワイヤ11を保護するための封止樹脂などに
よる気密封止(図示せず)を施して、最終的に半導体装
置が形成できる。また、この半導体装置を外部回路板に
接続するための端子6が配線基板17の回路部5側に形
成され、回路部5と接続されている。
において、半導体チップ1を金属基材9に固着し、この
半導体チップ1と回路部5とをボンディングワイヤ11
を介して電気接続する。そして、半導体チップ1及びボ
ンディングワイヤ11を保護するための封止樹脂などに
よる気密封止(図示せず)を施して、最終的に半導体装
置が形成できる。また、この半導体装置を外部回路板に
接続するための端子6が配線基板17の回路部5側に形
成され、回路部5と接続されている。
【0005】このような表面実装用の半導体パッケージ
によれば、半導体チップ1を直接支持した金属基材9に
よって一定の放熱が確保され、さらに、これに絶縁性薄
層16を介してヒートシンクを固着しているので、絶縁
性が確保されるとともに、充分高い放熱効果が得られ
る。
によれば、半導体チップ1を直接支持した金属基材9に
よって一定の放熱が確保され、さらに、これに絶縁性薄
層16を介してヒートシンクを固着しているので、絶縁
性が確保されるとともに、充分高い放熱効果が得られ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の表面実装用の半導体パッケージを用いた半導体装置
を外部回路板に表面実装して用いる場合、封止樹脂の上
面よりも端子6の位置が高くないと、外部回路板に封止
樹脂が当接して端子6が外部回路板に接続できないた
め、封止樹脂の上面よりも端子6の位置を高くしなけれ
ばならない。したがって、回路部5におけるボンディン
グワイヤ11と接続されるボンディング接続部は封止樹
脂に覆われるため、このボンディング接続部と端子6の
接続部との高さを変える必要がある。この高さを変える
方法として、配線基板17の上面に段差を設け、段差の
低い側にボンディング接続部を設け、段差の高い側に端
子6を設けている。しかし、この方法では、高さの違う
ボンディング接続部と端子6とを接続する接続手段が必
要になる。
来の表面実装用の半導体パッケージを用いた半導体装置
を外部回路板に表面実装して用いる場合、封止樹脂の上
面よりも端子6の位置が高くないと、外部回路板に封止
樹脂が当接して端子6が外部回路板に接続できないた
め、封止樹脂の上面よりも端子6の位置を高くしなけれ
ばならない。したがって、回路部5におけるボンディン
グワイヤ11と接続されるボンディング接続部は封止樹
脂に覆われるため、このボンディング接続部と端子6の
接続部との高さを変える必要がある。この高さを変える
方法として、配線基板17の上面に段差を設け、段差の
低い側にボンディング接続部を設け、段差の高い側に端
子6を設けている。しかし、この方法では、高さの違う
ボンディング接続部と端子6とを接続する接続手段が必
要になる。
【0007】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、半導体チップ及び回路部
を充分封止した状態で外部回路板に表面実装できる半導
体装置が形成できるとともに、接続信頼性の向上した端
子が容易に形成できる表面実装用の半導体パッケージを
提供することにある。
で、その目的とするところは、半導体チップ及び回路部
を充分封止した状態で外部回路板に表面実装できる半導
体装置が形成できるとともに、接続信頼性の向上した端
子が容易に形成できる表面実装用の半導体パッケージを
提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、半導体チップ1を搭載する
凹部2と、この凹部2周囲の肩部3に設けた回路部5と
を備える回路基板21を形成し、この回路基板21の回
路部5上に透孔7を有する絶縁層8を積層し、この透孔
7を貫通して下端部が回路部5に接続導通するととも
に、上端部が絶縁層8上面に突出するスルーホール導電
路4を形成し、このスルーホール導電路4の上端部を回
路基板21上の凹部2および肩部3と同じ側に設けた表
面実装用の端子6に形成してなることを特徴として構成
している。
に、請求項1記載の発明は、半導体チップ1を搭載する
凹部2と、この凹部2周囲の肩部3に設けた回路部5と
を備える回路基板21を形成し、この回路基板21の回
路部5上に透孔7を有する絶縁層8を積層し、この透孔
7を貫通して下端部が回路部5に接続導通するととも
に、上端部が絶縁層8上面に突出するスルーホール導電
路4を形成し、このスルーホール導電路4の上端部を回
路基板21上の凹部2および肩部3と同じ側に設けた表
面実装用の端子6に形成してなることを特徴として構成
している。
【0009】このような表面実装用の半導体パッケージ
では、半導体チップ1に接続される回路部5を有する回
路基板21にスルーホール導電路4を有する絶縁層8を
積層しているため、スルーホール導電路4の上端部を端
子6として使用でき、スルーホール導電路4下端に接続
される回路部5と半導体チップ1とを封止するのに充分
な封止樹脂の厚みを確保できるとともに、端子6を外部
回路板へ密着固定して表面実装できる半導体装置が形成
できる。
では、半導体チップ1に接続される回路部5を有する回
路基板21にスルーホール導電路4を有する絶縁層8を
積層しているため、スルーホール導電路4の上端部を端
子6として使用でき、スルーホール導電路4下端に接続
される回路部5と半導体チップ1とを封止するのに充分
な封止樹脂の厚みを確保できるとともに、端子6を外部
回路板へ密着固定して表面実装できる半導体装置が形成
できる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の表面実
装用の半導体パッケージを図1乃至図6に基づいて説明
する。
装用の半導体パッケージを図1乃至図6に基づいて説明
する。
【0011】図1は、本発明の実施形態の表面実装用の
半導体パッケージを示す斜視図である。また、図2は、
同上の表面実装用の半導体パッケージを用いた半導体装
置を示す縦断面図である。
半導体パッケージを示す斜視図である。また、図2は、
同上の表面実装用の半導体パッケージを用いた半導体装
置を示す縦断面図である。
【0012】図1、図2に示すように、表面実装用の半
導体パッケージは、半導体チップ1を搭載する凹部2
と、この凹部2周囲の肩部3に設けた回路部5とを備え
る回路基板21を形成し、この回路基板21の回路部5
上に透孔7を有する絶縁層8を積層し、この透孔7を貫
通して下端部が回路部5に接続導通するとともに、上端
部が絶縁層8上面に突出するスルーホール導電路4を形
成し、このスルーホール導電路4の上端部を回路基板2
1上の凹部2および肩部3と同じ側に設けた表面実装用
の端子6に形成している。
導体パッケージは、半導体チップ1を搭載する凹部2
と、この凹部2周囲の肩部3に設けた回路部5とを備え
る回路基板21を形成し、この回路基板21の回路部5
上に透孔7を有する絶縁層8を積層し、この透孔7を貫
通して下端部が回路部5に接続導通するとともに、上端
部が絶縁層8上面に突出するスルーホール導電路4を形
成し、このスルーホール導電路4の上端部を回路基板2
1上の凹部2および肩部3と同じ側に設けた表面実装用
の端子6に形成している。
【0013】金属基材9は、良熱伝導性金属、例えば
銅、アルミニウム等から形成され、上面略中央に半導体
チップ1を組み込むための凹部2を設けている。この金
属基材9上面の凹部2周囲を肩部3とし、この肩部3に
基板絶縁層10を形成している。基板絶縁層10の材料
はエポキシ樹脂接着剤で、スクリーン印刷法により形成
する。この基板絶縁層10上に回路部5を形成する。こ
の回路部5の形成方法はステンレス板上に必要なパター
ン状の電気めっきを行い、その電気めっきでできた回路
部5を基板絶縁層10上に熱転写する方法である。
銅、アルミニウム等から形成され、上面略中央に半導体
チップ1を組み込むための凹部2を設けている。この金
属基材9上面の凹部2周囲を肩部3とし、この肩部3に
基板絶縁層10を形成している。基板絶縁層10の材料
はエポキシ樹脂接着剤で、スクリーン印刷法により形成
する。この基板絶縁層10上に回路部5を形成する。こ
の回路部5の形成方法はステンレス板上に必要なパター
ン状の電気めっきを行い、その電気めっきでできた回路
部5を基板絶縁層10上に熱転写する方法である。
【0014】そして、図2に示すように、回路部5の上
に端子6を形成して表面実装用の半導体パッケージを形
成する。
に端子6を形成して表面実装用の半導体パッケージを形
成する。
【0015】まず、回路部5の上に絶縁層8を形成す
る。この絶縁層8の材料は金属基材9上の基板絶縁層1
0と同じくエポキシ樹脂接着剤であり、スクリーン印刷
法により形成する。この絶縁層8は後で組み込む半導体
チップ1の樹脂封止が簡単にできるように、厚肉に形成
することが必要である。このために、材料的には無機フ
ィラー分を多くした配合にするとか、下地に無機フィラ
ー分の多い層を形成し、その上に無機フィラー分の少な
い材料を重ねて形成するといった対策が必要である。次
に、この絶縁層8の上に無電解めっきを全面に施し、そ
の上にめっきレジストでパターンを形成し、上から電気
めっきを行う。その後、レジストを除去し、全面を薄く
エッチングすることにより露出した無電解めっきを取除
きスルーホール導電路4を形成する。このスルーホール
導電路4を端子6としている。
る。この絶縁層8の材料は金属基材9上の基板絶縁層1
0と同じくエポキシ樹脂接着剤であり、スクリーン印刷
法により形成する。この絶縁層8は後で組み込む半導体
チップ1の樹脂封止が簡単にできるように、厚肉に形成
することが必要である。このために、材料的には無機フ
ィラー分を多くした配合にするとか、下地に無機フィラ
ー分の多い層を形成し、その上に無機フィラー分の少な
い材料を重ねて形成するといった対策が必要である。次
に、この絶縁層8の上に無電解めっきを全面に施し、そ
の上にめっきレジストでパターンを形成し、上から電気
めっきを行う。その後、レジストを除去し、全面を薄く
エッチングすることにより露出した無電解めっきを取除
きスルーホール導電路4を形成する。このスルーホール
導電路4を端子6としている。
【0016】さらに、図2に示すように、同上の表面実
装用の半導体パッケージを用いて、半導体装置を形成す
る方法を説明する。金属基材9上の凹部2に半導体チッ
プ1を密着載置する。次いで、ワイヤボンディングによ
り半導体チップ1と回路部5とを接続する。ボンディン
グワイヤ11には金線、アルミ線、銅線等を使用する。
この後、シリコン樹脂により、半導体チップ1、ボンデ
ィングワイヤ11を封止、保護する。更に上からエポキ
シ樹脂により封止する。これら封止樹脂12は場合によ
ってはどちらか一方だけですますこともある。
装用の半導体パッケージを用いて、半導体装置を形成す
る方法を説明する。金属基材9上の凹部2に半導体チッ
プ1を密着載置する。次いで、ワイヤボンディングによ
り半導体チップ1と回路部5とを接続する。ボンディン
グワイヤ11には金線、アルミ線、銅線等を使用する。
この後、シリコン樹脂により、半導体チップ1、ボンデ
ィングワイヤ11を封止、保護する。更に上からエポキ
シ樹脂により封止する。これら封止樹脂12は場合によ
ってはどちらか一方だけですますこともある。
【0017】このようにして得られた半導体装置は、外
部回路板上にリードレスパッケージとして表面実装され
ている。封止樹脂12は、半導体チップ1と外部回路板
及び絶縁層8で囲まれた空間に配置されており、半導体
装置の外部回路板上への表面実装が可能になっている。
また、金属基材9表面の半導体チップ1と反対側にヒー
トシンク(図示せず)が密着固定される。このヒートシ
ンクにより、半導体チップ1からの発熱が金属基材9を
通して伝熱され、外部空間へと放熱している。
部回路板上にリードレスパッケージとして表面実装され
ている。封止樹脂12は、半導体チップ1と外部回路板
及び絶縁層8で囲まれた空間に配置されており、半導体
装置の外部回路板上への表面実装が可能になっている。
また、金属基材9表面の半導体チップ1と反対側にヒー
トシンク(図示せず)が密着固定される。このヒートシ
ンクにより、半導体チップ1からの発熱が金属基材9を
通して伝熱され、外部空間へと放熱している。
【0018】図3は、本発明の実施形態の同上と異なる
表面実装用の半導体パッケージを用いた半導体装置を示
す縦断面図である。同上と異なる点は、絶縁層8及び端
子6の形成方法であり、金属基材9上の回路部5の形成
までは、図2に示す表面実装用の半導体パッケージと同
じ方法により行っている。
表面実装用の半導体パッケージを用いた半導体装置を示
す縦断面図である。同上と異なる点は、絶縁層8及び端
子6の形成方法であり、金属基材9上の回路部5の形成
までは、図2に示す表面実装用の半導体パッケージと同
じ方法により行っている。
【0019】端子6を形成するためにまず、図4に示す
ように、端子6を並べて必要形状にプレス打ち抜いたス
ルーホール基板20を形成する。図3に示すように、こ
のスルーホール基板20を回路部上に貼り付けるととも
に、回路部5と端子6とを接続する。そのために、スル
ーホール基板20の両面ははんだめっきを行うようにす
る。この半田めっきにおいて端子6の回路部5と接続さ
れる側には比較的高い融点を持つ組成の材料を、端子6
の外部回路板との接続側には低い融点の接合材料をめっ
きするようにする。そうすると外部回路板と端子6との
接合のとき、すでに接合されている端子6と回路部5と
の接合がはずれる等の問題を起こさない。
ように、端子6を並べて必要形状にプレス打ち抜いたス
ルーホール基板20を形成する。図3に示すように、こ
のスルーホール基板20を回路部上に貼り付けるととも
に、回路部5と端子6とを接続する。そのために、スル
ーホール基板20の両面ははんだめっきを行うようにす
る。この半田めっきにおいて端子6の回路部5と接続さ
れる側には比較的高い融点を持つ組成の材料を、端子6
の外部回路板との接続側には低い融点の接合材料をめっ
きするようにする。そうすると外部回路板と端子6との
接合のとき、すでに接合されている端子6と回路部5と
の接合がはずれる等の問題を起こさない。
【0020】図5は、本発明の実施形態の同上と異なる
表面実装用の半導体パッケージを用いた半導体装置を示
す縦断面図である。同上と異なる点は、絶縁層8及び端
子6の形成方法であり、金属基材9上の回路部5の形成
までは、図2に示す表面実装用の半導体パッケージと同
じ方法により行っている。また、図6は、図5に示す表
面実装用の半導体パッケージに用いる絶縁層8を示す斜
視図である。
表面実装用の半導体パッケージを用いた半導体装置を示
す縦断面図である。同上と異なる点は、絶縁層8及び端
子6の形成方法であり、金属基材9上の回路部5の形成
までは、図2に示す表面実装用の半導体パッケージと同
じ方法により行っている。また、図6は、図5に示す表
面実装用の半導体パッケージに用いる絶縁層8を示す斜
視図である。
【0021】図6に示すような端子6を形成する部分に
予め透孔7を形成した板状の絶縁層8を回路部5上に貼
り付ける。その後、図5に示すように、透孔7に端子6
を取付ける。ここでは、球状端子6を示した。端子6は
例えば表面に半田等の複合材料をめっきした銅球であ
る。
予め透孔7を形成した板状の絶縁層8を回路部5上に貼
り付ける。その後、図5に示すように、透孔7に端子6
を取付ける。ここでは、球状端子6を示した。端子6は
例えば表面に半田等の複合材料をめっきした銅球であ
る。
【0022】また、図6に示すような板状の絶縁層8を
貼って絶縁層8を形成するのではなく、図2に示すよう
な印刷によって絶縁層8を形成する方法もある。この後
の半導体チップ1の組み込み、樹脂封止は図2に示した
表面実装用の半導体パッケージと同様である。
貼って絶縁層8を形成するのではなく、図2に示すよう
な印刷によって絶縁層8を形成する方法もある。この後
の半導体チップ1の組み込み、樹脂封止は図2に示した
表面実装用の半導体パッケージと同様である。
【0023】
【発明の効果】請求項1記載の発明では、半導体チップ
に接続される回路部を有する回路基板にスルーホール導
電路を有する絶縁層を積層しているため、スルーホール
導電路の上端部を端子として使用でき、スルーホール導
電路下端に接続される回路部と半導体チップとを封止す
るのに充分な封止樹脂の厚みを確保できるとともに、端
子を外部回路板へ密着固定して表面実装できる半導体装
置が形成できる。さらに、周囲を絶縁層で密着して覆わ
れているため、端子の接続信頼性が向上している。さら
に、基板上の半導体チップと同じ側に端子が設けられて
いるため、基板の下面に半導体チップを冷却するヒート
シンクを設けることができる。したがって、放熱性に優
れた信頼性の高い半導体装置を形成することができる。
に接続される回路部を有する回路基板にスルーホール導
電路を有する絶縁層を積層しているため、スルーホール
導電路の上端部を端子として使用でき、スルーホール導
電路下端に接続される回路部と半導体チップとを封止す
るのに充分な封止樹脂の厚みを確保できるとともに、端
子を外部回路板へ密着固定して表面実装できる半導体装
置が形成できる。さらに、周囲を絶縁層で密着して覆わ
れているため、端子の接続信頼性が向上している。さら
に、基板上の半導体チップと同じ側に端子が設けられて
いるため、基板の下面に半導体チップを冷却するヒート
シンクを設けることができる。したがって、放熱性に優
れた信頼性の高い半導体装置を形成することができる。
【図1】本発明の実施形態の表面実装用の半導体パッケ
ージを示す斜視図である。
ージを示す斜視図である。
【図2】同上の表面実装用の半導体パッケージを用いた
半導体装置を示す縦断面図である。
半導体装置を示す縦断面図である。
【図3】本発明の実施形態の同上と異なる表面実装用の
半導体パッケージを用いた半導体装置を示す縦断面図で
ある。
半導体パッケージを用いた半導体装置を示す縦断面図で
ある。
【図4】同上の表面実装用の半導体パッケージの要部を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図5】本発明の実施形態の同上と異なる表面実装用の
半導体パッケージを用いた半導体装置を示す縦断面図で
ある。
半導体パッケージを用いた半導体装置を示す縦断面図で
ある。
【図6】同上の表面実装用の半導体パッケージの要部を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図7】従来の表面実装用の半導体パッケージを用いた
半導体装置を示す縦断面図である。
半導体装置を示す縦断面図である。
1 半導体チップ 2 凹部 3 肩部 4 スルーホール導電路 5 回路部 6 端子 7 透孔 8 絶縁層 9 金属基材 10 基板絶縁層 11 ボンディングワイヤ 12 封止樹脂 13 外部回路板 14 ヒートシンク 16 絶縁性薄層 17 配線基板 18 貫通孔 19 接着剤 20 スルーホール基板 21 回路基板
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体チップを搭載する凹部と、この凹
部周囲の肩部に設けた回路部とを備える回路基板を形成
し、この回路基板の回路部上に透孔を有する絶縁層を積
層し、この透孔を貫通して下端部が回路部に接続導通す
るとともに、上端部が絶縁層上面に突出するスルーホー
ル導電路を形成し、このスルーホール導電路の上端部を
回路基板上の凹部および肩部と同じ側に設けた表面実装
用の端子に形成してなることを特徴とする表面実装用の
半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11334626A JP3117688B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 表面実装用の半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11334626A JP3117688B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 表面実装用の半導体パッケージ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9300474A Division JP3039485B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 表面実装用の半導体パッケージ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000150717A true JP2000150717A (ja) | 2000-05-30 |
JP3117688B2 JP3117688B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=18279493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11334626A Expired - Lifetime JP3117688B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 表面実装用の半導体パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3117688B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108261A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sony Corp | 機能素子パッケージ及びその製造方法 |
KR20140076887A (ko) * | 2012-12-13 | 2014-06-23 | 주식회사 두산 | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP11334626A patent/JP3117688B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108261A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sony Corp | 機能素子パッケージ及びその製造方法 |
KR20140076887A (ko) * | 2012-12-13 | 2014-06-23 | 주식회사 두산 | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
KR102041625B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2019-11-06 | 주식회사 두산 | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3117688B2 (ja) | 2000-12-18 |
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