JP2000134044A - 歪補正回路 - Google Patents
歪補正回路Info
- Publication number
- JP2000134044A JP2000134044A JP10308173A JP30817398A JP2000134044A JP 2000134044 A JP2000134044 A JP 2000134044A JP 10308173 A JP10308173 A JP 10308173A JP 30817398 A JP30817398 A JP 30817398A JP 2000134044 A JP2000134044 A JP 2000134044A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- capacitor
- thermistor
- distortion
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度変化による非直線歪みの発生量の変動を
防止した歪補正回路を提供する。 【解決手段】 入出力特性が直線性である線形回路であ
る抵抗Ｒ１と、線形回路に並列に接続され非直線歪みを
発生する少なくとも１つのダイオードＤ１、Ｄ２と、温
度変化に対して変化させたバイアス電流をダイオードに
流すバイアス回路である可変抵抗ＶＲ１、サーミスタＴ
Ｈ１、抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とを備え、温度変化による
ダイオードの電圧電流特性の変化をバイアス電流を変化
させて補正することにより、温度変化による非直線歪み
の発生量の変動を防止している。
防止した歪補正回路を提供する。 【解決手段】 入出力特性が直線性である線形回路であ
る抵抗Ｒ１と、線形回路に並列に接続され非直線歪みを
発生する少なくとも１つのダイオードＤ１、Ｄ２と、温
度変化に対して変化させたバイアス電流をダイオードに
流すバイアス回路である可変抵抗ＶＲ１、サーミスタＴ
Ｈ１、抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とを備え、温度変化による
ダイオードの電圧電流特性の変化をバイアス電流を変化
させて補正することにより、温度変化による非直線歪み
の発生量の変動を防止している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＡＴＶ等に使用
される高周波増幅回路や光送信器、光受信器において非
直線歪みを改善する歪補正回路に関する。
される高周波増幅回路や光送信器、光受信器において非
直線歪みを改善する歪補正回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＡＴＶシステムの多チャンネル
化或いは加入者宅での画像品質向上に対応する方法とし
て、電子通信学会論文誌’８１／１２Ｖｏｌ．Ｊ６４−
ＢＮｏ．１２に記載されているように、高周波増幅回路
の非直線歪みを改善する目的としたプリディストーショ
ン方式による歪み補正回路が導入されてきている。これ
は、高周波増幅回路の入出力特性に対して逆特性を持つ
歪補正回路を高周波増幅回路に縦続接続して歪み成分を
打ち消し改善するものである。図２は、３次歪みに対す
る歪補正回路の一例である。
化或いは加入者宅での画像品質向上に対応する方法とし
て、電子通信学会論文誌’８１／１２Ｖｏｌ．Ｊ６４−
ＢＮｏ．１２に記載されているように、高周波増幅回路
の非直線歪みを改善する目的としたプリディストーショ
ン方式による歪み補正回路が導入されてきている。これ
は、高周波増幅回路の入出力特性に対して逆特性を持つ
歪補正回路を高周波増幅回路に縦続接続して歪み成分を
打ち消し改善するものである。図２は、３次歪みに対す
る歪補正回路の一例である。
【０００３】図２において、ダイオード３とコンデンサ
４およびダイオード６とコンデンサ７は非線形歪みを発
生する回路であり、抵抗５は歪みを発生しない線形回路
である。ダイオード３とコンデンサ４およびダイオード
６とコンデンサ７を通る高周波電流は、それぞれ図３
（Ａ）のＩ１およびＩ２のようになり、抵抗５を通る高
周波電流は図３（Ｂ）のＩ０のようになる。したがっ
て、図２の歪補正回路の入出力特性は図３（Ｃ）のよう
になる。
４およびダイオード６とコンデンサ７は非線形歪みを発
生する回路であり、抵抗５は歪みを発生しない線形回路
である。ダイオード３とコンデンサ４およびダイオード
６とコンデンサ７を通る高周波電流は、それぞれ図３
（Ａ）のＩ１およびＩ２のようになり、抵抗５を通る高
周波電流は図３（Ｂ）のＩ０のようになる。したがっ
て、図２の歪補正回路の入出力特性は図３（Ｃ）のよう
になる。
【０００４】抵抗５の値とダイオード３、６のバイアス
電流を、図３（Ｃ）の特性が縦続接続される高周波増幅
回路の入出力特性の逆特性となるように設定することに
より、歪み特性を改善する。
電流を、図３（Ｃ）の特性が縦続接続される高周波増幅
回路の入出力特性の逆特性となるように設定することに
より、歪み特性を改善する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ダイオードの電圧電流
特性は温度特性を持つため、前記のバイアス電流はある
特定の温度に対して最適であっても周囲温度が変化する
と最適値から外れることになる。図４に定性的なダイオ
ードの電圧電流特性を示す。図４において、周囲温度が
摂氏２５度のときの、ダイオードのバイアス電流をＩＢ
２５とすると、ダイオードに流れる高周波電流はＩ２５
のようになる。
特性は温度特性を持つため、前記のバイアス電流はある
特定の温度に対して最適であっても周囲温度が変化する
と最適値から外れることになる。図４に定性的なダイオ
ードの電圧電流特性を示す。図４において、周囲温度が
摂氏２５度のときの、ダイオードのバイアス電流をＩＢ
２５とすると、ダイオードに流れる高周波電流はＩ２５
のようになる。
【０００６】ここで、バイアス電流がＩＢ２５のまま周
囲温度が摂氏５０度になるとダイオードに流れる高周波
電流はＩ５０−１となる。したがって、バイアス電流が
一定のとき高周波信号に対する動作点が移動しダイオー
ドでの歪み発生量が変化することになる。このため、温
度変化により高周波増幅回路の歪み性能が劣化する。
囲温度が摂氏５０度になるとダイオードに流れる高周波
電流はＩ５０−１となる。したがって、バイアス電流が
一定のとき高周波信号に対する動作点が移動しダイオー
ドでの歪み発生量が変化することになる。このため、温
度変化により高周波増幅回路の歪み性能が劣化する。
【０００７】本発明は従来の課題を解消し、温度変化に
よる非直線歪みの発生量の変動を防止した歪補正回路を
提供するものである。
よる非直線歪みの発生量の変動を防止した歪補正回路を
提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の歪補正回路は、温度変化によるダイオード
の電圧電流特性の変化を、サーミスタを用いてバイアス
電流を変化させて補正することにより、温度変化による
非直線歪みの発生量の変動を防止したことを特徴とす
る。
め、本発明の歪補正回路は、温度変化によるダイオード
の電圧電流特性の変化を、サーミスタを用いてバイアス
電流を変化させて補正することにより、温度変化による
非直線歪みの発生量の変動を防止したことを特徴とす
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の第１の発明は、高周波増
幅回路に前置または後置して、高周波増幅回路の入出力
特性の逆特性を有することにより非直線歪みを改善する
歪補正回路において、入出力特性が直線性である線形回
路と、線形回路に並列に接続され非直線歪みを発生する
少なくとも１つのダイオードと、温度変化に対して変化
させたバイアス電流をダイオードに流すバイアス回路と
を備え、温度変化によるダイオードの電圧電流特性の変
化をバイアス電流を変化させて補正することにより、温
度変化による非直線歪みの発生量の変動を防止した歪補
正回路であり、温度変化による高周波増幅回路の歪み性
能の劣化を防止することができる。
幅回路に前置または後置して、高周波増幅回路の入出力
特性の逆特性を有することにより非直線歪みを改善する
歪補正回路において、入出力特性が直線性である線形回
路と、線形回路に並列に接続され非直線歪みを発生する
少なくとも１つのダイオードと、温度変化に対して変化
させたバイアス電流をダイオードに流すバイアス回路と
を備え、温度変化によるダイオードの電圧電流特性の変
化をバイアス電流を変化させて補正することにより、温
度変化による非直線歪みの発生量の変動を防止した歪補
正回路であり、温度変化による高周波増幅回路の歪み性
能の劣化を防止することができる。
【００１０】以下、本発明の歪補正回路について、図面
を参照しながら説明する。図１に示すように、入力端子
ＩＮ１にはコンデンサ２がつながれ、コンデンサ２のも
う一方には抵抗５とダイオード３、６が並列につながれ
る。ダイオード３、６のもう一方にはコンデンサ４、７
がそれぞれつながれ、コンデンサ４、７のもう一方と抵
抗５がコンデンサ１２につながれる。コンデンサ１２の
もう一方は出力端子ＯＵＴ１３につながれる。
を参照しながら説明する。図１に示すように、入力端子
ＩＮ１にはコンデンサ２がつながれ、コンデンサ２のも
う一方には抵抗５とダイオード３、６が並列につながれ
る。ダイオード３、６のもう一方にはコンデンサ４、７
がそれぞれつながれ、コンデンサ４、７のもう一方と抵
抗５がコンデンサ１２につながれる。コンデンサ１２の
もう一方は出力端子ＯＵＴ１３につながれる。
【００１１】すなわち、入力ＩＮ１から入力した信号
は、コンデンサ２を通り、ダイオード３からコンデンサ
４、ダイオード６からコンデンサ７および抵抗５のそれ
ぞれの経路を通り再び合流し、コンデンサ１２を通って
出力端子ＯＵＴ１３へ出力される。抵抗１０、９、８は
直列に接続され、抵抗１０と９との接続点がダイオード
６とコンデンサ７との接続点とつながれ、抵抗９と８と
の接続点がダイオード３とコンデンサ４との接続点につ
ながれる。
は、コンデンサ２を通り、ダイオード３からコンデンサ
４、ダイオード６からコンデンサ７および抵抗５のそれ
ぞれの経路を通り再び合流し、コンデンサ１２を通って
出力端子ＯＵＴ１３へ出力される。抵抗１０、９、８は
直列に接続され、抵抗１０と９との接続点がダイオード
６とコンデンサ７との接続点とつながれ、抵抗９と８と
の接続点がダイオード３とコンデンサ４との接続点につ
ながれる。
【００１２】抵抗８のもう一方はアースにつながれ、抵
抗１０のもう一方は可変抵抗１１の中点につながれる。
可変抵抗１１の一端は直流電源＋Ｂにつながれ、もう一
方はサーミスタ１４につながれ、サーミスタ１４のもう
一方はアースへつながれる。すなわち、ダイオードのバ
イアス電流は可変抵抗１１とサーミスタ１４で分圧され
抵抗１０、ダイオード６、ダイオード３、抵抗８を通
る。
抗１０のもう一方は可変抵抗１１の中点につながれる。
可変抵抗１１の一端は直流電源＋Ｂにつながれ、もう一
方はサーミスタ１４につながれ、サーミスタ１４のもう
一方はアースへつながれる。すなわち、ダイオードのバ
イアス電流は可変抵抗１１とサーミスタ１４で分圧され
抵抗１０、ダイオード６、ダイオード３、抵抗８を通
る。
【００１３】ダイオード３とコンデンサ４およびダイオ
ード６とコンデンサ７は非線形歪みを発生する回路であ
り、抵抗５は歪みを発生しない線形回路である。ダイオ
ード３とコンデンサ４およびダイオード６とコンデンサ
７を通る高周波電流は、それぞれ図３（Ａ）のＩ１およ
びＩ２のようになり、抵抗５を通る高周波電流は図３
（Ｂ）のＩ０のようになる。したがって、図１の歪補正
回路の入出力特性は図３（Ｃ）のようになる。抵抗５の
値とダイオード３、６のバイアス電流を、図３（Ｃ）の
特性が縦続接続される高周波増幅回路の入出力特性の逆
特性となるように設定することにより、歪み特性を改善
する。
ード６とコンデンサ７は非線形歪みを発生する回路であ
り、抵抗５は歪みを発生しない線形回路である。ダイオ
ード３とコンデンサ４およびダイオード６とコンデンサ
７を通る高周波電流は、それぞれ図３（Ａ）のＩ１およ
びＩ２のようになり、抵抗５を通る高周波電流は図３
（Ｂ）のＩ０のようになる。したがって、図１の歪補正
回路の入出力特性は図３（Ｃ）のようになる。抵抗５の
値とダイオード３、６のバイアス電流を、図３（Ｃ）の
特性が縦続接続される高周波増幅回路の入出力特性の逆
特性となるように設定することにより、歪み特性を改善
する。
【００１４】ダイオードの電圧電流特性は温度特性を持
つ。図４に定性的なダイオードの電圧電流特性を示す。
図４において、周囲温度が摂氏２５度のときの、ダイオ
ードのバイアス電流をＩＢ２５とすると、ダイオードに
流れる高周波電流はＩ２５のようになる。周囲温度が変
化して摂氏５０度になったとき、ダイオードに流れる高
周波電流を摂氏２５度のときと同じにするためには、ダ
イオードのバイアス電流をＩＢ５０に減少させる必要が
ある。
つ。図４に定性的なダイオードの電圧電流特性を示す。
図４において、周囲温度が摂氏２５度のときの、ダイオ
ードのバイアス電流をＩＢ２５とすると、ダイオードに
流れる高周波電流はＩ２５のようになる。周囲温度が変
化して摂氏５０度になったとき、ダイオードに流れる高
周波電流を摂氏２５度のときと同じにするためには、ダ
イオードのバイアス電流をＩＢ５０に減少させる必要が
ある。
【００１５】サーミスタ１４は、周囲温度が高くなると
抵抗値が小さくなる性質を示すため、周囲温度が高くな
ると可変抵抗１１の中点電圧は低下し、ダイオード３、
６のバイアス電流は減少する。サーミスタ１４の値を、
周囲温度が摂氏２５度の時ダイオードのバイアス電流が
図４のＩＢ２５に、周囲温度が摂氏５０度の時ダイオー
ドのバイアス電流が図４のＩＢ５０になるように、言い
換えれば、周囲温度の変化に対してダイオードを流れる
高周波電流が一定になるように設定することにより、図
１の歪補正回路の温度変化による非直線歪みの発生量の
変動を防止できる。
抵抗値が小さくなる性質を示すため、周囲温度が高くな
ると可変抵抗１１の中点電圧は低下し、ダイオード３、
６のバイアス電流は減少する。サーミスタ１４の値を、
周囲温度が摂氏２５度の時ダイオードのバイアス電流が
図４のＩＢ２５に、周囲温度が摂氏５０度の時ダイオー
ドのバイアス電流が図４のＩＢ５０になるように、言い
換えれば、周囲温度の変化に対してダイオードを流れる
高周波電流が一定になるように設定することにより、図
１の歪補正回路の温度変化による非直線歪みの発生量の
変動を防止できる。
【００１６】このようにして、温度変化による高周波増
幅回路の歪み性能の劣化を防止することができる。
幅回路の歪み性能の劣化を防止することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明の歪補正回路は、
温度変化によるダイオードの電圧電流特性の変化を、サ
ーミスタを用いてバイアス電流を変化させて補正するこ
とにより、温度変化による非直線歪みの発生量の変動を
防止したものであるので、温度変化による高周波増幅回
路の歪み性能の劣化を防止することができ、実用上きわ
めて有利なものである。
温度変化によるダイオードの電圧電流特性の変化を、サ
ーミスタを用いてバイアス電流を変化させて補正するこ
とにより、温度変化による非直線歪みの発生量の変動を
防止したものであるので、温度変化による高周波増幅回
路の歪み性能の劣化を防止することができ、実用上きわ
めて有利なものである。
【図１】本発明の実施の形態による歪補正回路の回路図
【図２】従来の歪補正回路の回路図
【図３】従来の歪補正回路の動作説明図
【図４】本発明による歪補正回路と従来の歪補正回路と
の動作説明図
の動作説明図
１ 入力端子ＩＮ ２、４、７、１２ コンデンサ ３、６ ダイオード ５、８、９、１０ 抵抗 １１ 可変抵抗 １３ 出力端子ＯＵＴ １４ サーミスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C064 BA01 BB10 BC12 BC21 BD08 EA02 5J090 AA01 AA41 CA02 CA21 CN04 FA08 FA10 FN01 FN06 GN03 GN04 GN11 HA19 HA25 HA26 HA29 HA43 HN14 HN20 KA12 KA23 SA14 TA02
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波増幅回路に前置または後置して、
前記高周波増幅回路の入出力特性の逆特性を有すること
により非直線歪みを改善する歪補正回路において、入出
力特性が直線性である線形回路と、前記線形回路に並列
に接続され非直線歪みを発生する少なくとも１つのダイ
オードと、温度変化に応じて前記ダイオードに流すバイ
アス電流を変化させるバイアス回路とを具備することを
特徴とする歪補正回路。 - 【請求項２】 前記バイアス回路は、サーミスタを具備
することを特徴とする請求項１記載の歪補正回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308173A JP2000134044A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 歪補正回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308173A JP2000134044A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 歪補正回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000134044A true JP2000134044A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17977793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308173A Pending JP2000134044A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 歪補正回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000134044A (ja) |
-
1998
- 1998-10-29 JP JP10308173A patent/JP2000134044A/ja active Pending
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