JP2000133739A - 回路基板 - Google Patents
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- JP2000133739A JP2000133739A JP30274598A JP30274598A JP2000133739A JP 2000133739 A JP2000133739 A JP 2000133739A JP 30274598 A JP30274598 A JP 30274598A JP 30274598 A JP30274598 A JP 30274598A JP 2000133739 A JP2000133739 A JP 2000133739A
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- tin
- plating film
- circuit board
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部接続端子の接合強度に優れる回路基板を
提供する。 【解決手段】 配線パターン３６のパッド部３６ａに無
電解ニッケルめっき皮膜１８が形成され、該無電解ニッ
ケルめっき皮膜１８上に金めっき皮膜２０が形成された
回路基板１０、３０、４０において、金めっき皮膜２０
上に、形成すべきはんだボール等の錫合金からなる外部
接続端子１４の融点よりも高い融点を有し、かつ該外部
接続端子１４よりも錫含有量の低い錫合金からなる、外
部接続端子１４接合用のはんだ層２６が形成されている
ことを特徴としている。
提供する。 【解決手段】 配線パターン３６のパッド部３６ａに無
電解ニッケルめっき皮膜１８が形成され、該無電解ニッ
ケルめっき皮膜１８上に金めっき皮膜２０が形成された
回路基板１０、３０、４０において、金めっき皮膜２０
上に、形成すべきはんだボール等の錫合金からなる外部
接続端子１４の融点よりも高い融点を有し、かつ該外部
接続端子１４よりも錫含有量の低い錫合金からなる、外
部接続端子１４接合用のはんだ層２６が形成されている
ことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＢＧＡ（ボールグリ
ッドアレイ）型の半導体パッケージ等の回路基板に関す
る。
ッドアレイ）型の半導体パッケージ等の回路基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１はＢＧＡ型の半導体パッケージ１０
の概略的な断面図、図２はその部分拡大図である。１２
は半導体パッケージの本体となる多層回路基板で、所要
の配線パターンが多段に形成されている。１４は配線パ
ターンのパッド部（ランドを含む）に接合された外部接
続端子としてのはんだボール（錫−鉛合金）である。１
５は半導体チップ搭載部である。上記配線パターンの一
部が半導体チップ搭載部１５を囲む段差面１７上に露出
している。半導体チップ搭載部１５に半導体チップが搭
載され、半導体チップと上記段差面１７に露出している
配線パターンとの間でワイヤにより電気的接続がなされ
たうえで、半導体チップが樹脂封止あるいは金属製キャ
ップにより封止されて半導体装置に完成される。
の概略的な断面図、図２はその部分拡大図である。１２
は半導体パッケージの本体となる多層回路基板で、所要
の配線パターンが多段に形成されている。１４は配線パ
ターンのパッド部（ランドを含む）に接合された外部接
続端子としてのはんだボール（錫−鉛合金）である。１
５は半導体チップ搭載部である。上記配線パターンの一
部が半導体チップ搭載部１５を囲む段差面１７上に露出
している。半導体チップ搭載部１５に半導体チップが搭
載され、半導体チップと上記段差面１７に露出している
配線パターンとの間でワイヤにより電気的接続がなされ
たうえで、半導体チップが樹脂封止あるいは金属製キャ
ップにより封止されて半導体装置に完成される。
【０００３】図２の拡大図に示されるように、銅からな
る配線パターン１６のパッド部１６ａには、無電解ニッ
ケル皮膜１８が形成され、この無電解ニッケルめっき皮
膜１８上に無電解金めっき皮膜２０が形成され、この無
電解金めっき皮膜２０上にはんだボールが載置され、リ
フロー加熱されることによってはんだボールからなる外
部接続端子１４に形成される。２２は絶縁層、２４はソ
ルダーレジスト層である。
る配線パターン１６のパッド部１６ａには、無電解ニッ
ケル皮膜１８が形成され、この無電解ニッケルめっき皮
膜１８上に無電解金めっき皮膜２０が形成され、この無
電解金めっき皮膜２０上にはんだボールが載置され、リ
フロー加熱されることによってはんだボールからなる外
部接続端子１４に形成される。２２は絶縁層、２４はソ
ルダーレジスト層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記無電解ニッケルめ
っきを施す場合、一般的に還元剤として次亜リン酸塩が
添加された無電解ニッケルめっき液が用いられる。その
ため無電解ニッケルめっき皮膜１８は、めっき皮膜中に
リンが含有されるめっき皮膜となる。前記のように、無
電解金めっき皮膜２０上にはんだボールを載置し、リフ
ロー加熱することによりはんだボールが接合され、外部
接続用端子１４に形成される。ところが、一般に無電解
ニッケルめっき皮膜１８を下地にはんだボールを接合す
ると、はんだボールの密着性がよくなく、いわゆるボー
ルシュア強度が低いという課題がある。
っきを施す場合、一般的に還元剤として次亜リン酸塩が
添加された無電解ニッケルめっき液が用いられる。その
ため無電解ニッケルめっき皮膜１８は、めっき皮膜中に
リンが含有されるめっき皮膜となる。前記のように、無
電解金めっき皮膜２０上にはんだボールを載置し、リフ
ロー加熱することによりはんだボールが接合され、外部
接続用端子１４に形成される。ところが、一般に無電解
ニッケルめっき皮膜１８を下地にはんだボールを接合す
ると、はんだボールの密着性がよくなく、いわゆるボー
ルシュア強度が低いという課題がある。
【０００５】そこで、本発明は上記課題を解決すべくな
されたものであり、その目的とするところは、外部接続
端子の接合強度に優れる回路基板を提供するにある。
されたものであり、その目的とするところは、外部接続
端子の接合強度に優れる回路基板を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る回
路基板は、配線パターンのパッド部に無電解ニッケルめ
っき皮膜が形成され、該無電解ニッケルめっき皮膜上に
金めっき皮膜が形成された回路基板において、前記金め
っき皮膜上に、形成すべきはんだボール等の錫合金から
なる外部接続端子の融点よりも高い融点を有し、かつ該
外部接続端子よりも錫含有量の低い錫合金からなる、前
記外部接続端子接合用のはんだ層が形成されていること
を特徴としている。
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る回
路基板は、配線パターンのパッド部に無電解ニッケルめ
っき皮膜が形成され、該無電解ニッケルめっき皮膜上に
金めっき皮膜が形成された回路基板において、前記金め
っき皮膜上に、形成すべきはんだボール等の錫合金から
なる外部接続端子の融点よりも高い融点を有し、かつ該
外部接続端子よりも錫含有量の低い錫合金からなる、前
記外部接続端子接合用のはんだ層が形成されていること
を特徴としている。
【０００７】上記構成を採用することにより、外部接続
端子を接合する際、錫−ニッケル合金層が形成される割
合を減少させ、界面のリンの濃度がそれ程高くならず、
外部接続端子の接合強度を向上させうる。前記はんだ層
を介して前記外部接続端子を接合した回路基板としても
提供できる。前記外部接続端子をはんだボールとしたＢ
ＧＡ型の回路基板として提供できる。
端子を接合する際、錫−ニッケル合金層が形成される割
合を減少させ、界面のリンの濃度がそれ程高くならず、
外部接続端子の接合強度を向上させうる。前記はんだ層
を介して前記外部接続端子を接合した回路基板としても
提供できる。前記外部接続端子をはんだボールとしたＢ
ＧＡ型の回路基板として提供できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の形態を
適用した回路基板の一例であるＢＧＡ型半導体パッケー
ジ１０はその基本構造において図１および図２に示すも
のと変わりはない。本実施の形態では、図３の拡大図に
示すように、はんだボール等の外部接続端子１４を接合
する下地金属の構造に従来のものと差がある。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の形態を
適用した回路基板の一例であるＢＧＡ型半導体パッケー
ジ１０はその基本構造において図１および図２に示すも
のと変わりはない。本実施の形態では、図３の拡大図に
示すように、はんだボール等の外部接続端子１４を接合
する下地金属の構造に従来のものと差がある。
【０００９】以下図３にしたがって説明する。図３にお
いて、図２と同様、２２は絶縁層、１６は配線パター
ン、２４はソルダーレジスト層である。ソルダーレジス
ト層２４は、パッド部１６ａを除く外層の配線パターン
１６を覆うように形成されている。パッド部１６ａに
は、従来と同様に、まず無電解ニッケルめっき皮膜１８
が形成され、この無電解ニッケルめっき皮膜１８の上に
無電解金めっき皮膜２０が形成されている。
いて、図２と同様、２２は絶縁層、１６は配線パター
ン、２４はソルダーレジスト層である。ソルダーレジス
ト層２４は、パッド部１６ａを除く外層の配線パターン
１６を覆うように形成されている。パッド部１６ａに
は、従来と同様に、まず無電解ニッケルめっき皮膜１８
が形成され、この無電解ニッケルめっき皮膜１８の上に
無電解金めっき皮膜２０が形成されている。
【００１０】本実施の形態で特徴的なのは、この無電解
金めっき皮膜２０を覆って、形成すべきはんだボール等
の錫合金からなる外部接続端子１４の融点よりも高い融
点を有し、かつ該外部接続端子１４よりも錫含有量の低
い錫合金からなる、外部接続端子接合用のはんだ層２６
を形成した点にある。
金めっき皮膜２０を覆って、形成すべきはんだボール等
の錫合金からなる外部接続端子１４の融点よりも高い融
点を有し、かつ該外部接続端子１４よりも錫含有量の低
い錫合金からなる、外部接続端子接合用のはんだ層２６
を形成した点にある。
【００１１】外部接続端子１４を形成するはんだ（錫合
金）として例えば共晶はんだ（６：４の錫−鉛合金）を
用いた場合、はんだ層２６には、例えば５：５錫−鉛合
金、あるいは３：７錫−鉛合金からなるはんだを用いる
ことができる。これらのはんだ層２６は共晶はんだから
なる外部接続端子１４よりも高融点で、かつ錫含有量が
低い。はんだ層２６としては錫−鉛合金の他に、錫−銀
合金等の錫合金、あるいは錫−アンチモン合金等の錫合
金を用いることもできる。
金）として例えば共晶はんだ（６：４の錫−鉛合金）を
用いた場合、はんだ層２６には、例えば５：５錫−鉛合
金、あるいは３：７錫−鉛合金からなるはんだを用いる
ことができる。これらのはんだ層２６は共晶はんだから
なる外部接続端子１４よりも高融点で、かつ錫含有量が
低い。はんだ層２６としては錫−鉛合金の他に、錫−銀
合金等の錫合金、あるいは錫−アンチモン合金等の錫合
金を用いることもできる。
【００１２】はんだ層２６を形成するには、上記合金の
無電解めっきを施して形成してもよいが、より簡易に
は、上記合金の微細なボールを所要量混入させて、樹脂
バインダーでペースト状になしたはんだペーストを塗布
し、リフロー加熱してはんだ層２６を形成するようにし
てもよい。このリフロー加熱は後記する理由によりでき
るだけ短時間の加熱で行うようにするのが好ましい。
無電解めっきを施して形成してもよいが、より簡易に
は、上記合金の微細なボールを所要量混入させて、樹脂
バインダーでペースト状になしたはんだペーストを塗布
し、リフロー加熱してはんだ層２６を形成するようにし
てもよい。このリフロー加熱は後記する理由によりでき
るだけ短時間の加熱で行うようにするのが好ましい。
【００１３】上記のようにはんだ層２６を形成した基板
をＢＧＡ型半導体パッケージ１０として提供できる。あ
るいははんだ層２６を介してはんだボール等の外部接続
端子１４を接合したものでＢＧＡ型半導体パッケージ１
０として提供できる。表１はこのはんだボール（６：４
錫−鉛合金）を接合したＢＧＡ型半導体パッケージのボ
ールシェア強度試験のデータを示す。
をＢＧＡ型半導体パッケージ１０として提供できる。あ
るいははんだ層２６を介してはんだボール等の外部接続
端子１４を接合したものでＢＧＡ型半導体パッケージ１
０として提供できる。表１はこのはんだボール（６：４
錫−鉛合金）を接合したＢＧＡ型半導体パッケージのボ
ールシェア強度試験のデータを示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】比較例１は、下地めっきが電解ニッケルめ
っき／電解金めっきであり、直接はんだボールを接合し
たもの。比較例２は、下地めっきが無電解ニッケルめっ
き／無電解金めっきであり、直接はんだボールを接合し
たもの。実施例１は、無電解ニッケルめっき／無電解金
めっきの下地上に５：５錫−鉛合金からなるはんだ層を
形成し、このはんだ層上にはんだボールを接合したも
の。実施例２は、無電解ニッケルめっき／無電解金めっ
きの下地上に３：７錫−鉛合金からなるはんだ層を形成
し、このはんだ層上にはんだボールを接合したものであ
る。また表１中、直後とは、はんだボールをリフロー加
熱して接合した直後のデータであり、３０分後とは、は
んだボールをリフロー加熱して接合した後、さらにリフ
ロー炉内に３０分（加熱条件下に）放置した後のデータ
を示す。
っき／電解金めっきであり、直接はんだボールを接合し
たもの。比較例２は、下地めっきが無電解ニッケルめっ
き／無電解金めっきであり、直接はんだボールを接合し
たもの。実施例１は、無電解ニッケルめっき／無電解金
めっきの下地上に５：５錫−鉛合金からなるはんだ層を
形成し、このはんだ層上にはんだボールを接合したも
の。実施例２は、無電解ニッケルめっき／無電解金めっ
きの下地上に３：７錫−鉛合金からなるはんだ層を形成
し、このはんだ層上にはんだボールを接合したものであ
る。また表１中、直後とは、はんだボールをリフロー加
熱して接合した直後のデータであり、３０分後とは、は
んだボールをリフロー加熱して接合した後、さらにリフ
ロー炉内に３０分（加熱条件下に）放置した後のデータ
を示す。
【００１６】表１から明らかなように、下地めっき皮膜
が電解ニッケルめっき皮膜の上に電解金めっき皮膜を形
成した電解めっき皮膜である場合には、ボールシェア強
度が高い。しかるに、下地めっき皮膜が無電解ニッケル
めっき皮膜の上に無電解金めっき皮膜を形成した無電解
めっき皮膜である場合には、ボールシェア強度が低い。
リフロー加熱直後、およびさらに３０分間リフロー加熱
雰囲気中（リフロー加熱炉中）に放置した加速試験後の
いずれの場合もボールシェア強度が低いことがわかる。
が電解ニッケルめっき皮膜の上に電解金めっき皮膜を形
成した電解めっき皮膜である場合には、ボールシェア強
度が高い。しかるに、下地めっき皮膜が無電解ニッケル
めっき皮膜の上に無電解金めっき皮膜を形成した無電解
めっき皮膜である場合には、ボールシェア強度が低い。
リフロー加熱直後、およびさらに３０分間リフロー加熱
雰囲気中（リフロー加熱炉中）に放置した加速試験後の
いずれの場合もボールシェア強度が低いことがわかる。
【００１７】これに対して、無電解めっき皮膜上に５：
５の錫−鉛合金からなるはんだ層を形成した実施例１、
無電解めっき皮膜上に３：７の錫−鉛合金からなるはん
だ層を形成した実施例２のいずれの場合も、下地に電解
めっき皮膜を形成した比較例１よりは若干劣るが、無電
解めっき皮膜上に直接はんだボールを接合した比較例２
よりも格段に優れたボールシェア強度が得られている。
５の錫−鉛合金からなるはんだ層を形成した実施例１、
無電解めっき皮膜上に３：７の錫−鉛合金からなるはん
だ層を形成した実施例２のいずれの場合も、下地に電解
めっき皮膜を形成した比較例１よりは若干劣るが、無電
解めっき皮膜上に直接はんだボールを接合した比較例２
よりも格段に優れたボールシェア強度が得られている。
【００１８】ボールシェア強度は特に最低強度が問題と
なる。すなわち、はんだボールの脱落が生じる可能性が
大きくなるからである。表１から明らかなように、比較
例２の場合は最低強度が極めて低い。これに対して実施
例１、２の場合、最低強度が比較例１に対しても遜色が
ないのである。
なる。すなわち、はんだボールの脱落が生じる可能性が
大きくなるからである。表１から明らかなように、比較
例２の場合は最低強度が極めて低い。これに対して実施
例１、２の場合、最低強度が比較例１に対しても遜色が
ないのである。
【００１９】下地めっき皮膜上にはんだボールを接合す
ると、無電解（あるいは電解）金めっき皮膜ははんだ中
に拡散し、ニッケルとはんだボールとが接合する構造と
なる。この界面において、ニッケルの一部ははんだと錫
−ニッケル合金を形成する。下地が無電解ニッケルめっ
き被膜の場合には、ニッケルが錫と合金を形成するか
ら、この界面における無電解ニッケルめっき皮膜中のリ
ンの濃度が高くなる。この界面におけるリンがリッチな
構造になるとはんだとニッケルとの接合強度が低くなる
と考えられる。
ると、無電解（あるいは電解）金めっき皮膜ははんだ中
に拡散し、ニッケルとはんだボールとが接合する構造と
なる。この界面において、ニッケルの一部ははんだと錫
−ニッケル合金を形成する。下地が無電解ニッケルめっ
き被膜の場合には、ニッケルが錫と合金を形成するか
ら、この界面における無電解ニッケルめっき皮膜中のリ
ンの濃度が高くなる。この界面におけるリンがリッチな
構造になるとはんだとニッケルとの接合強度が低くなる
と考えられる。
【００２０】本実施の形態では、上記の界面に、形成す
べきはんだボール等の錫合金からなる外部接続端子１４
の融点よりも高い融点を有し、かつ該外部接続端子１４
よりも錫含有量の低い錫合金からなる、外部接続端子１
４接合用のはんだ層２１が形成される。外部接続端子と
なるはんだボールをリフロー加熱して接合する際、はん
だ層２６はこのはんだボールより融点が高いから、リフ
ロー加熱時の温度に対して、はんだボールよりも溶融が
遅いといえる。またはんだ層２６ははんだボールよりも
錫の含有量が低いからその下地の無電解ニッケルめっき
層１８との間での錫−ニッケル合金が形成される割合が
比較例２に対して低くなり、したがって、界面における
無電解ニッケルめっき皮膜１８中のリンの濃度がそれ程
高くならず、これによりボールシェア強度が高く維持さ
れると考えられる。
べきはんだボール等の錫合金からなる外部接続端子１４
の融点よりも高い融点を有し、かつ該外部接続端子１４
よりも錫含有量の低い錫合金からなる、外部接続端子１
４接合用のはんだ層２１が形成される。外部接続端子と
なるはんだボールをリフロー加熱して接合する際、はん
だ層２６はこのはんだボールより融点が高いから、リフ
ロー加熱時の温度に対して、はんだボールよりも溶融が
遅いといえる。またはんだ層２６ははんだボールよりも
錫の含有量が低いからその下地の無電解ニッケルめっき
層１８との間での錫−ニッケル合金が形成される割合が
比較例２に対して低くなり、したがって、界面における
無電解ニッケルめっき皮膜１８中のリンの濃度がそれ程
高くならず、これによりボールシェア強度が高く維持さ
れると考えられる。
【００２１】はんだ層２６をはんだペーストをリフロー
加熱して形成する場合、錫含有量を少なくしたはんだを
用いるとはいえ、溶融時間が長いとそれだけ錫−ニッケ
ル合金を形成しやすくなるから、リフロー加熱時間はで
きるだけ短い方がよい。
加熱して形成する場合、錫含有量を少なくしたはんだを
用いるとはいえ、溶融時間が長いとそれだけ錫−ニッケ
ル合金を形成しやすくなるから、リフロー加熱時間はで
きるだけ短い方がよい。
【００２２】ＢＧＡ型半導体パッケージ１０は、ビルド
アップ構造のもの、プリプレグの接着層を介した積層構
造のものなど、その構造は特に限定されない。もちろん
フェースアップだけでなく、フェースダウンの構造のも
のにも適用できることはもちろんである。また本発明
は、半導体チップを搭載する半導体パッケージのみに適
用されるものではない。広く、無電解の下地めっき皮膜
上にはんだボールやはんだからなる外部接続端子を形成
した回路基板に適用できる。
アップ構造のもの、プリプレグの接着層を介した積層構
造のものなど、その構造は特に限定されない。もちろん
フェースアップだけでなく、フェースダウンの構造のも
のにも適用できることはもちろんである。また本発明
は、半導体チップを搭載する半導体パッケージのみに適
用されるものではない。広く、無電解の下地めっき皮膜
上にはんだボールやはんだからなる外部接続端子を形成
した回路基板に適用できる。
【００２３】例えば図４はプリント配線基板３０の例を
示す。単層あるいは多層の基板３２の表面配線パターン
３４のパッド部３４ａに半導体チップがフリップチップ
接続されるプリント配線基板に適用できる。すなわち、
パッド部３４ａに無電解ニッケルめっき皮膜（図示せ
ず）、次いで無電解金めっき皮膜（図示せず）を形成
し、この無電解金めっき皮膜上に、上記と同様に、形成
すべき予備はんだ（外部接続端子）の融点よりも高い融
点を有し、かつ該外部接続端子よりも錫含有量の低い錫
合金からなる、前記外部接続端子接合用のはんだ層（図
示せず）を形成し、このはんだ層上にはんだペーストを
塗布してリフロー加熱して予備はんだ（図示せず）を形
成するのである。半導体チップ側には上記予備はんだよ
りも融点の高いはんだによるはんだバンプが形成されて
おり、半導体チップは上記予備はんだを介してパッド部
３４ａ上に接合される。この場合も予備はんだと下地の
無電解ニッケルめっき皮膜との間、ひいては半導体チッ
プと予備はんだとの間の接合性は良好である。
示す。単層あるいは多層の基板３２の表面配線パターン
３４のパッド部３４ａに半導体チップがフリップチップ
接続されるプリント配線基板に適用できる。すなわち、
パッド部３４ａに無電解ニッケルめっき皮膜（図示せ
ず）、次いで無電解金めっき皮膜（図示せず）を形成
し、この無電解金めっき皮膜上に、上記と同様に、形成
すべき予備はんだ（外部接続端子）の融点よりも高い融
点を有し、かつ該外部接続端子よりも錫含有量の低い錫
合金からなる、前記外部接続端子接合用のはんだ層（図
示せず）を形成し、このはんだ層上にはんだペーストを
塗布してリフロー加熱して予備はんだ（図示せず）を形
成するのである。半導体チップ側には上記予備はんだよ
りも融点の高いはんだによるはんだバンプが形成されて
おり、半導体チップは上記予備はんだを介してパッド部
３４ａ上に接合される。この場合も予備はんだと下地の
無電解ニッケルめっき皮膜との間、ひいては半導体チッ
プと予備はんだとの間の接合性は良好である。
【００２４】図５はチップサイズパッケージ４０の例を
示す。４２は半導体チップであり、絶縁フィルム（ポリ
イミドなど）４４上に形成されたパッド部４５にフリッ
プチップ接続されている。絶縁フィルム４４の他面側に
は、パッド部４５とビア４６を介して電気的に接続する
外部接続用のパッド部４７が形成されている。このパッ
ド部４７に上記と同様に無電解ニッケルめっき皮膜（図
示せず）、次いで無電解金めっき皮膜（図示せず）を形
成し、この無電解金めっき皮膜上に、接合すべきはんだ
ボール（外部接続端子）の融点よりも高い融点を有し、
かつ該外部接続端子よりも錫含有量の低い錫合金からな
る、はんだボール接合用のはんだ層（図示せず）を形成
し、このはんだ層上にはんだボール１４をリフロー加熱
して接合するのである。
示す。４２は半導体チップであり、絶縁フィルム（ポリ
イミドなど）４４上に形成されたパッド部４５にフリッ
プチップ接続されている。絶縁フィルム４４の他面側に
は、パッド部４５とビア４６を介して電気的に接続する
外部接続用のパッド部４７が形成されている。このパッ
ド部４７に上記と同様に無電解ニッケルめっき皮膜（図
示せず）、次いで無電解金めっき皮膜（図示せず）を形
成し、この無電解金めっき皮膜上に、接合すべきはんだ
ボール（外部接続端子）の融点よりも高い融点を有し、
かつ該外部接続端子よりも錫含有量の低い錫合金からな
る、はんだボール接合用のはんだ層（図示せず）を形成
し、このはんだ層上にはんだボール１４をリフロー加熱
して接合するのである。
【００２５】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る回路基板によれば、上述し
たように、無電解めっき皮膜上に、形成すべきはんだボ
ール等の錫合金からなる外部接続端子の融点よりも高い
融点を有し、かつ該外部接続端子よりも錫含有量の低い
錫合金からなる、前記外部接続端子接合用のはんだ層を
形成したので、外部接続端子を接合する際、錫−ニッケ
ル合金層が形成される割合を減少させ、界面のリンの濃
度がそれ程高くならず、外部接続端子の接合強度を向上
させうる回路基板を提供できる。
たように、無電解めっき皮膜上に、形成すべきはんだボ
ール等の錫合金からなる外部接続端子の融点よりも高い
融点を有し、かつ該外部接続端子よりも錫含有量の低い
錫合金からなる、前記外部接続端子接合用のはんだ層を
形成したので、外部接続端子を接合する際、錫−ニッケ
ル合金層が形成される割合を減少させ、界面のリンの濃
度がそれ程高くならず、外部接続端子の接合強度を向上
させうる回路基板を提供できる。
【図１】ＢＧＡ型半導体パッケージの断面説明図、
【図２】図１の部分拡大部、
【図３】図２に対応する部分の本実施形態の部分拡大
図、
図、
【図４】プリント配線基板に適用した場合の説明図、
【図５】チップサイズパッケージに適用した例を示す説
明図である。
明図である。
１０ ＢＧＡ型半導体パッケージ １２ 多層回路基板 １４ はんだボール（外部接続端子） １５ 半導体チップ搭載部 １６ 配線パターン １６ａ パッド部 １８ 無電解ニッケルめっき皮膜 ２０ 無電解金めっき皮膜 ２２ 絶縁層 ２４ ソルダーレジスト層 ２６ はんだ層 ３０ プリント配線基板 ４０ チップサイズパッケージ
Claims (3)
- 【請求項１】 配線パターンのパッド部に無電解ニッケ
ルめっき皮膜が形成され、該無電解ニッケルめっき皮膜
上に金めっき皮膜が形成された回路基板において、 前記金めっき皮膜上に、形成すべきはんだボール等の錫
合金からなる外部接続端子の融点よりも高い融点を有
し、かつ該外部接続端子よりも錫含有量の低い錫合金か
らなる、前記外部接続端子接合用のはんだ層が形成され
ていることを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】 前記はんだ層を介して前記外部接続端子
が接合されていることを特徴とする請求項１記載の回路
基板。 - 【請求項３】 前記外部接続端子がはんだボールである
請求項２記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30274598A JP2000133739A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30274598A JP2000133739A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133739A true JP2000133739A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17912645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30274598A Pending JP2000133739A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133739A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548898B2 (en) | 2000-12-28 | 2003-04-15 | Fujitsu Limited | External connection terminal and semiconductor device |
-
1998
- 1998-10-23 JP JP30274598A patent/JP2000133739A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548898B2 (en) | 2000-12-28 | 2003-04-15 | Fujitsu Limited | External connection terminal and semiconductor device |
| US6784543B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-08-31 | Fujitsu Limited | External connection terminal and semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051004 |
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