JP2000040781A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板などに半導体装置を実装する場合に
おける半導体装置の実装向きの選択の自由度を高める。 【解決手段】 所定厚みを有する平面視略矩形状の形態
に形成された樹脂パッケージ４に形成された第１の内部
リード１０および第２の内部リード２０と、第１の内部
リード１０に連続するとともに樹脂パッケージ４の外部
に形成された第１の外部リード１１と、第２の内部リー
ド２０に連続するとともに樹脂パッケージ４の外部に形
成された第２の外部リード２１と、を備えた半導体装置
Ｘにおいて、第１の外部リード１１および第２の外部リ
ード２１を、それらの基端部１１ａ，２１ａが樹脂パッ
ケージ４の側面４１（４２）に沿うようにし、各基端部
１１ａ，２１ａからさらに連続する各外部リード１１，
２１を樹脂パッケージ４の底面４５に沿うようにした。
おける半導体装置の実装向きの選択の自由度を高める。 【解決手段】 所定厚みを有する平面視略矩形状の形態
に形成された樹脂パッケージ４に形成された第１の内部
リード１０および第２の内部リード２０と、第１の内部
リード１０に連続するとともに樹脂パッケージ４の外部
に形成された第１の外部リード１１と、第２の内部リー
ド２０に連続するとともに樹脂パッケージ４の外部に形
成された第２の外部リード２１と、を備えた半導体装置
Ｘにおいて、第１の外部リード１１および第２の外部リ
ード２１を、それらの基端部１１ａ，２１ａが樹脂パッ
ケージ４の側面４１（４２）に沿うようにし、各基端部
１１ａ，２１ａからさらに連続する各外部リード１１，
２１を樹脂パッケージ４の底面４５に沿うようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、適宜の回路基板
などに面実装可能とされた樹脂パッケージ型の半導体装
置、とくに光センサの発光部または受光部として好適に
使用される半導体装置に関する。
などに面実装可能とされた樹脂パッケージ型の半導体装
置、とくに光センサの発光部または受光部として好適に
使用される半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より採用されている樹脂パッケージ
型の半導体装置の一例を図２７および図２８に示す。こ
の半導体装置Ｙは、金属板を打ち抜き形成することによ
って得らるフレームから製造された、いわゆるフレーム
タイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成されたも
のである。具体的には、それぞれの一端部１ａ，２ａど
うしが対峙するようにして一対のリード端子１，２が設
けられており、一方のリード端子１の一端部１ａには半
導体チップ３（発光素子）が実装されており、この発光
素子３の上面３０と他方のリード端子２の一端部２ａと
がワイヤＷを介して電気的に導通されている。そして、
発光素子３およびワイヤＷを封入するようにして、かつ
発光素子３の直上が半球状の凸レンズ４６となるように
してエポキシ樹脂などによって透明な樹脂パッケージ４
が形成されている。このような発光ダイオードＹでは、
各リード端子１，２のうちの樹脂パッケージ４に封入さ
れた部位がそれぞれ内部リード１０，２０とされてお
り、各端子リード１，２のうちの樹脂パッケージ４から
延出する部位が外部リード１１，１２とされている。こ
れらの外部リード１１，１２は、それぞれがクランプ状
に屈曲されて、先端側が樹脂パッケージの底面４５と同
等高さ位置において所定長さ水平に延びる水平部１１
ａ，２１ａとされている。
型の半導体装置の一例を図２７および図２８に示す。こ
の半導体装置Ｙは、金属板を打ち抜き形成することによ
って得らるフレームから製造された、いわゆるフレーム
タイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成されたも
のである。具体的には、それぞれの一端部１ａ，２ａど
うしが対峙するようにして一対のリード端子１，２が設
けられており、一方のリード端子１の一端部１ａには半
導体チップ３（発光素子）が実装されており、この発光
素子３の上面３０と他方のリード端子２の一端部２ａと
がワイヤＷを介して電気的に導通されている。そして、
発光素子３およびワイヤＷを封入するようにして、かつ
発光素子３の直上が半球状の凸レンズ４６となるように
してエポキシ樹脂などによって透明な樹脂パッケージ４
が形成されている。このような発光ダイオードＹでは、
各リード端子１，２のうちの樹脂パッケージ４に封入さ
れた部位がそれぞれ内部リード１０，２０とされてお
り、各端子リード１，２のうちの樹脂パッケージ４から
延出する部位が外部リード１１，１２とされている。こ
れらの外部リード１１，１２は、それぞれがクランプ状
に屈曲されて、先端側が樹脂パッケージの底面４５と同
等高さ位置において所定長さ水平に延びる水平部１１
ａ，２１ａとされている。
【０００３】このように構成された発光ダイオードＹ
は、適宜の回路基板５などに面実装されて各種の光源、
たとえば光センサの発光部などとして使用される。上記
発光ダイオードＹを回路基板５に実装する場合には、い
わゆるハンダリフローの手法が一般的に採用されてい
る。このハンダリフローの手法では、各外部リード１
１，２１の水平部１１ａ，２１ａの裏面側または回路基
板５の端子パッド５０にクリームハンダを予め塗布して
おき、各水平部１１ａ，２１ａと上記端子パッド５０と
を対応させて発光ダイオードＹを上記回路基板５に載置
した状態でリフロー炉に搬入することによって発光ダイ
オードＹが回路基板５に実装される。このリフロー炉で
は、ハンダペーストが２００℃程度にまで加熱されて再
溶融させられるが、発光ダイオードＹが実装された回路
基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させ
れば上記発光ダイオードＹが上記回路基板５に実装固定
される。
は、適宜の回路基板５などに面実装されて各種の光源、
たとえば光センサの発光部などとして使用される。上記
発光ダイオードＹを回路基板５に実装する場合には、い
わゆるハンダリフローの手法が一般的に採用されてい
る。このハンダリフローの手法では、各外部リード１
１，２１の水平部１１ａ，２１ａの裏面側または回路基
板５の端子パッド５０にクリームハンダを予め塗布して
おき、各水平部１１ａ，２１ａと上記端子パッド５０と
を対応させて発光ダイオードＹを上記回路基板５に載置
した状態でリフロー炉に搬入することによって発光ダイ
オードＹが回路基板５に実装される。このリフロー炉で
は、ハンダペーストが２００℃程度にまで加熱されて再
溶融させられるが、発光ダイオードＹが実装された回路
基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させ
れば上記発光ダイオードＹが上記回路基板５に実装固定
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た発光ダイオードＹでは、これを回路基板５に実装する
際の実装面が各外部リード１１，２１の水平部１１ａ，
２１ｂのみであるため、実装状態における発光ダイオー
ドＹから発せられる光の向きが一義的に定められてしま
う。すなわち、上記発光素子３の上面３０が発光面とさ
れている場合には、回路基板５の上方に向けて光を発す
るようにしか発光ダイオードＹを実装することができ
ず、回路基板５と平行に光を発するように発光ダイオー
ドＹを実装することはできない。したがって、回路基板
５と平行に光を発するようにするためには、発光面が外
部リード１１，２１の水平部１１ａ，２１ａ（回路基板
５）に対して垂直状とされた別の発光ダイオードが必要
となる。このように、従来の発光ダイオードＹにおいて
は、光を発すべき方向に応じて発光ダイオードを使い分
ける必要があり不便である。このような不具合は、半導
体チップ３として受光素子が採用されてフォトダイオー
ドやフォトトランジスタとして構成された半導体装置に
おいても同様に生じうる。
た発光ダイオードＹでは、これを回路基板５に実装する
際の実装面が各外部リード１１，２１の水平部１１ａ，
２１ｂのみであるため、実装状態における発光ダイオー
ドＹから発せられる光の向きが一義的に定められてしま
う。すなわち、上記発光素子３の上面３０が発光面とさ
れている場合には、回路基板５の上方に向けて光を発す
るようにしか発光ダイオードＹを実装することができ
ず、回路基板５と平行に光を発するように発光ダイオー
ドＹを実装することはできない。したがって、回路基板
５と平行に光を発するようにするためには、発光面が外
部リード１１，２１の水平部１１ａ，２１ａ（回路基板
５）に対して垂直状とされた別の発光ダイオードが必要
となる。このように、従来の発光ダイオードＹにおいて
は、光を発すべき方向に応じて発光ダイオードを使い分
ける必要があり不便である。このような不具合は、半導
体チップ３として受光素子が採用されてフォトダイオー
ドやフォトトランジスタとして構成された半導体装置に
おいても同様に生じうる。
【０００５】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、回路基板などに半導体装置を実装
する場合における半導体装置の実装向きの選択の自由度
を高めることをその課題としている。
されたものであって、回路基板などに半導体装置を実装
する場合における半導体装置の実装向きの選択の自由度
を高めることをその課題としている。
【０００６】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００７】すなわち、本願発明の第１の側面により提
供される半導体装置は、半導体チップが搭載される第１
の内部リードと、上記半導体チップとワイヤを介して導
通接続される第２の内部リードと、上記半導体チップ、
ワイヤ、第１内部リードおよび第２の内部リードを封入
するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態
に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リード
に連続するとともに上記樹脂パッケージの第１の側面側
に形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リー
ドに連続するとともに上記第１の側面側に形成された第
２の外部リードと、を備えた半導体装置であって、上記
第１の外部リードおよび第２の外部リードは、それらの
基端部が上記第１の側面に沿うようになされているとと
もに、上記第１の側面からさらに連続する各外部リード
が上記樹脂パッケージの底面に沿うようになされている
ことを特徴としている。なお、半導体チップとしては、
発光素子または受光素子などが好適に採用され、上記半
導体装置が発光ダイオード、フォトダイオードあるいは
フォトトランジスタなどとして構成される。
供される半導体装置は、半導体チップが搭載される第１
の内部リードと、上記半導体チップとワイヤを介して導
通接続される第２の内部リードと、上記半導体チップ、
ワイヤ、第１内部リードおよび第２の内部リードを封入
するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態
に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リード
に連続するとともに上記樹脂パッケージの第１の側面側
に形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リー
ドに連続するとともに上記第１の側面側に形成された第
２の外部リードと、を備えた半導体装置であって、上記
第１の外部リードおよび第２の外部リードは、それらの
基端部が上記第１の側面に沿うようになされているとと
もに、上記第１の側面からさらに連続する各外部リード
が上記樹脂パッケージの底面に沿うようになされている
ことを特徴としている。なお、半導体チップとしては、
発光素子または受光素子などが好適に採用され、上記半
導体装置が発光ダイオード、フォトダイオードあるいは
フォトトランジスタなどとして構成される。
【０００８】上記構成では、上記樹脂パッケージの第１
の側面に、第１の外部リードおよび第２の外部リードの
それぞれの基端部が沿うようになされて、これらの基端
部がそれぞれ面実装用の外部端子部とされている。第１
の外部リードは、半導体チップが実装された第１の内部
リードに連続するものであり、第２の外部リードは半導
体チップとワイヤを介して導通接続される第２の内部リ
ードに連続するものであるから、上記第１の側面にはア
ノード（陽極端子）およびカソード（陰極端子）がそれ
ぞれ形成されていることになる。しかも、樹脂パッケー
ジの底面にも第１の外部リードおよび第２の外部リード
のそれぞれが形成されていることから、上記底面にもア
ノードおよびカソードがそれぞれ形成されていることに
なる。このように、上記構成の半導体装置では、アノー
ドおよびカソードの対が上記樹脂パッケージの第１の側
面および第２の側面にそれぞれ形成されている。このた
め、上記構成の半導体装置では、上記第１の側面を回路
基板などの実装対象に対する実装面として上記半導体装
置を実装することがでるとともに、底面をも実装面とす
ることができ、半導体装置を実装する際における実装向
きの選択の自由度が高められている。したがって、半導
体装置の種類や回路基板などにおける配置に応じて実装
面を使い分けることができる。
の側面に、第１の外部リードおよび第２の外部リードの
それぞれの基端部が沿うようになされて、これらの基端
部がそれぞれ面実装用の外部端子部とされている。第１
の外部リードは、半導体チップが実装された第１の内部
リードに連続するものであり、第２の外部リードは半導
体チップとワイヤを介して導通接続される第２の内部リ
ードに連続するものであるから、上記第１の側面にはア
ノード（陽極端子）およびカソード（陰極端子）がそれ
ぞれ形成されていることになる。しかも、樹脂パッケー
ジの底面にも第１の外部リードおよび第２の外部リード
のそれぞれが形成されていることから、上記底面にもア
ノードおよびカソードがそれぞれ形成されていることに
なる。このように、上記構成の半導体装置では、アノー
ドおよびカソードの対が上記樹脂パッケージの第１の側
面および第２の側面にそれぞれ形成されている。このた
め、上記構成の半導体装置では、上記第１の側面を回路
基板などの実装対象に対する実装面として上記半導体装
置を実装することがでるとともに、底面をも実装面とす
ることができ、半導体装置を実装する際における実装向
きの選択の自由度が高められている。したがって、半導
体装置の種類や回路基板などにおける配置に応じて実装
面を使い分けることができる。
【０００９】たとえば、発光ダイオード（ＬＥＤ）とし
て構成された半導体装置では、上記半導体チップ（発光
素子）の上面が発光面とされている場合を考えれば、樹
脂パッケージの第１の側面を実装面とすれば発光面が回
路基板などの実装対象に対して起立状とされ、回路基板
などの表面に対して平行に光を発するようにすることが
できる。一方、上記樹脂パッケージの底面を実装面とす
れば、発光面が回路基板などの実装対象の表面に対して
平行となり、回路基板などの表面に対して垂直に光を発
するようにすることができる。もちろん、フォトダイオ
ードとして構成された半導体装置においては、実装面を
適宜選択すれば、実装対象となる回路基板などに対して
平行に進行してくる光を受光するようにも、回路基板な
どに向けて垂直に進行してくる光を受光するようにも構
成することができる。
て構成された半導体装置では、上記半導体チップ（発光
素子）の上面が発光面とされている場合を考えれば、樹
脂パッケージの第１の側面を実装面とすれば発光面が回
路基板などの実装対象に対して起立状とされ、回路基板
などの表面に対して平行に光を発するようにすることが
できる。一方、上記樹脂パッケージの底面を実装面とす
れば、発光面が回路基板などの実装対象の表面に対して
平行となり、回路基板などの表面に対して垂直に光を発
するようにすることができる。もちろん、フォトダイオ
ードとして構成された半導体装置においては、実装面を
適宜選択すれば、実装対象となる回路基板などに対して
平行に進行してくる光を受光するようにも、回路基板な
どに向けて垂直に進行してくる光を受光するようにも構
成することができる。
【００１０】このように、上記半導体装置では、回路基
板などの実装対象に平行となる光を発し、あるいは平行
な光を受光できる半導体装置や、垂直光を発光でき、あ
るいは受光できる半導体装置を種類などに応じて使い分
ける必要がなく、便利である。
板などの実装対象に平行となる光を発し、あるいは平行
な光を受光できる半導体装置や、垂直光を発光でき、あ
るいは受光できる半導体装置を種類などに応じて使い分
ける必要がなく、便利である。
【００１１】好ましい実施の形態においては、上記第１
の内部リードに連続し、かつ上記第１の側面に対向する
第２の側面側に形成された第３の外部リードと、上記第
２の内部リードに連続し、かつ上記第２の側面側に形成
された第４の外部リードと、をさらに有し、上記第３の
外部リードおよび第４の外部リードは、それぞれの基端
部が上記第２の側面に沿うようになされているととも
に、上記第２の側面からさらに連続する各外部リードが
上記底面に沿うようになされている。
の内部リードに連続し、かつ上記第１の側面に対向する
第２の側面側に形成された第３の外部リードと、上記第
２の内部リードに連続し、かつ上記第２の側面側に形成
された第４の外部リードと、をさらに有し、上記第３の
外部リードおよび第４の外部リードは、それぞれの基端
部が上記第２の側面に沿うようになされているととも
に、上記第２の側面からさらに連続する各外部リードが
上記底面に沿うようになされている。
【００１２】上記構成では、上記樹脂パッケージの第２
の側面に、第３および第４の外部リードがそれぞれ形成
されている。第３の外部リードは、第１の内部リードに
連続するものであり、第４の外部リードは、第２の内部
リードに連続するものであるから、上記第２の側面にも
アノードおよびカソードの対が形成されている。このた
め、上記構成では、上記第２の側面をも実装面とするこ
とができ、半導体装置を回路基板などに実装する際の実
装向きの選択の自由度がさらに高められる。
の側面に、第３および第４の外部リードがそれぞれ形成
されている。第３の外部リードは、第１の内部リードに
連続するものであり、第４の外部リードは、第２の内部
リードに連続するものであるから、上記第２の側面にも
アノードおよびカソードの対が形成されている。このた
め、上記構成では、上記第２の側面をも実装面とするこ
とができ、半導体装置を回路基板などに実装する際の実
装向きの選択の自由度がさらに高められる。
【００１３】また、樹脂パッケージの底面においては、
第１の内部リードと導通する第１および第３の外部リー
ド、および第２の内部リードと導通する第２および第４
の外部リードがそれぞれ形成され、計４個の外部リード
が形成されている。このため、樹脂パッケージの底面を
実装面とすれば、実装対象との接続箇所が４ヵ所とな
り、実装対象に対して良好に確実かつ良好に実装するこ
とができる。しかも、各外部リードを樹脂パッケージの
底面における四隅部またはその近傍にそれぞれ離散的に
形成すれば、上記半導体装置を実装する際に使用されハ
ンダペーストの再溶融時におけるセルフアライメント効
果を期待でき、上記半導体装置の実装精度を向上させる
ことができる。
第１の内部リードと導通する第１および第３の外部リー
ド、および第２の内部リードと導通する第２および第４
の外部リードがそれぞれ形成され、計４個の外部リード
が形成されている。このため、樹脂パッケージの底面を
実装面とすれば、実装対象との接続箇所が４ヵ所とな
り、実装対象に対して良好に確実かつ良好に実装するこ
とができる。しかも、各外部リードを樹脂パッケージの
底面における四隅部またはその近傍にそれぞれ離散的に
形成すれば、上記半導体装置を実装する際に使用されハ
ンダペーストの再溶融時におけるセルフアライメント効
果を期待でき、上記半導体装置の実装精度を向上させる
ことができる。
【００１４】好ましい実施の形態においてはさらに、上
記第１の外部リードおよび第３の外部リードの先端部
は、上記底面から上記第１の側面および第２の側面のそ
れぞれに繋がる第３の側面側にまで連続して、この第３
の側面に沿うようにしてそれぞれ形成されており、上記
第２の外部リードおよび第４の外部リードの先端部は、
上記第３の側面に対向する第４の側面側にまで連続し
て、この第４の側面に沿うようにしてそれぞれ形成され
ている。
記第１の外部リードおよび第３の外部リードの先端部
は、上記底面から上記第１の側面および第２の側面のそ
れぞれに繋がる第３の側面側にまで連続して、この第３
の側面に沿うようにしてそれぞれ形成されており、上記
第２の外部リードおよび第４の外部リードの先端部は、
上記第３の側面に対向する第４の側面側にまで連続し
て、この第４の側面に沿うようにしてそれぞれ形成され
ている。
【００１５】上記構成では、第１外部リードが上記樹脂
パッケージの第１の側面、底面および第３の側面に連続
して形成されているために、樹脂パッケージの底面側の
角部が第１の外部リードによって囲まれており、同様に
して、第２の外部リードないし第３の外部リードによっ
て樹脂パッケージの底面側のその他の角部が囲まれてい
る。このように、上記構成の半導体装置では、上記半導
体装置の底面側の角部が各外部リードによって囲まれて
補強されることになる。樹脂パッケージにおける角部
は、半導体装置を取り扱う際に他の部材など干渉して欠
けやすい部位であるが、このようにして樹脂パッケージ
の角部が補強されていれば、樹脂パッケージが欠けにく
いといった利点が得られる。
パッケージの第１の側面、底面および第３の側面に連続
して形成されているために、樹脂パッケージの底面側の
角部が第１の外部リードによって囲まれており、同様に
して、第２の外部リードないし第３の外部リードによっ
て樹脂パッケージの底面側のその他の角部が囲まれてい
る。このように、上記構成の半導体装置では、上記半導
体装置の底面側の角部が各外部リードによって囲まれて
補強されることになる。樹脂パッケージにおける角部
は、半導体装置を取り扱う際に他の部材など干渉して欠
けやすい部位であるが、このようにして樹脂パッケージ
の角部が補強されていれば、樹脂パッケージが欠けにく
いといった利点が得られる。
【００１６】好ましい実施の形態においてはまた、上記
第１の外部リードおよび第２の外部リードは、それぞれ
２つの先端部を有する分岐状とされており、それぞれの
外部リードの一方の先端部は上記底面に沿うようになさ
れているとともに、他方の先端部は上記第１の側面の両
側端縁からそれぞれ突出するようにして上記第１の側面
と略同一平面において広がっている。
第１の外部リードおよび第２の外部リードは、それぞれ
２つの先端部を有する分岐状とされており、それぞれの
外部リードの一方の先端部は上記底面に沿うようになさ
れているとともに、他方の先端部は上記第１の側面の両
側端縁からそれぞれ突出するようにして上記第１の側面
と略同一平面において広がっている。
【００１７】上記構成においても、アノードおよびカソ
ードの対が樹脂パッケージの第１の側面および底面にそ
れぞれ形成されているために、上記第１の側面および底
面のそれぞれを実装面とすることができるのはいうまで
もない。また、上記構成では、上記第１の側面側を実装
面とする場合には、第１の側面と略同一平面において広
がる第１および第２の外部リードのそれぞれの他方の先
端部が回路基板などの実装対象物と接続される。これら
他方の先端部は、第１の側面の側端縁から突出して形成
されているために、これによって樹脂パッケージの全長
よりも半導体装置の全長のほうが長くなされている。し
たがって、樹脂パッケージの側面や底面に沿うようにし
て外部リードが形成された半導体装置と比較すれば、樹
脂パッケージから各外部リードの他方の先端部を突出し
て形成されている場合のほうがより安定して回路基板な
どに実装されることになる。しかも、半導体装置の実装
にはハンダリフローの手法が一般的に採用されるが、外
部リードにおける接続領域の一部が樹脂パッケージから
突出状とされた構成では、突出した部分の上面にまで再
溶融したハンダペーストが乗り上げ、この状態でハンダ
が固化して半導体装置が回路基板などに実装されるた
め、より強固な接続状態を達成することができる。
ードの対が樹脂パッケージの第１の側面および底面にそ
れぞれ形成されているために、上記第１の側面および底
面のそれぞれを実装面とすることができるのはいうまで
もない。また、上記構成では、上記第１の側面側を実装
面とする場合には、第１の側面と略同一平面において広
がる第１および第２の外部リードのそれぞれの他方の先
端部が回路基板などの実装対象物と接続される。これら
他方の先端部は、第１の側面の側端縁から突出して形成
されているために、これによって樹脂パッケージの全長
よりも半導体装置の全長のほうが長くなされている。し
たがって、樹脂パッケージの側面や底面に沿うようにし
て外部リードが形成された半導体装置と比較すれば、樹
脂パッケージから各外部リードの他方の先端部を突出し
て形成されている場合のほうがより安定して回路基板な
どに実装されることになる。しかも、半導体装置の実装
にはハンダリフローの手法が一般的に採用されるが、外
部リードにおける接続領域の一部が樹脂パッケージから
突出状とされた構成では、突出した部分の上面にまで再
溶融したハンダペーストが乗り上げ、この状態でハンダ
が固化して半導体装置が回路基板などに実装されるた
め、より強固な接続状態を達成することができる。
【００１８】また、上記第３の外部リードおよび第４の
外部リードを、それぞれ２つの先端部を有する分岐状と
し、それぞれの外部リードの一方の先端部を上記樹脂パ
ッケージの底面に沿うようにするとともに、他方の先端
部が上記第２の側面の両側端縁からそれぞれ突出するよ
うにして上記第２の側面と略同一平面において広がるよ
うに構成してもよい。この構成でも、上記樹脂パッケー
ジの第２の側面側を実装面とする場合に、より強固に半
導体装置を回路基板などに実装することができるといっ
た利点が得られる。
外部リードを、それぞれ２つの先端部を有する分岐状と
し、それぞれの外部リードの一方の先端部を上記樹脂パ
ッケージの底面に沿うようにするとともに、他方の先端
部が上記第２の側面の両側端縁からそれぞれ突出するよ
うにして上記第２の側面と略同一平面において広がるよ
うに構成してもよい。この構成でも、上記樹脂パッケー
ジの第２の側面側を実装面とする場合に、より強固に半
導体装置を回路基板などに実装することができるといっ
た利点が得られる。
【００１９】好ましい実施の形態においてはまた、上記
第１の外部リードないし第４の外部リードは、それぞれ
２つの先端部を有する分岐状とされているとともに、そ
れぞれの外部リードの一方の先端部が上記底面に沿うよ
うになされており、かつ、上記第１の外部リードおよび
第３の外部リードの他方の先端部が上記第１の側面およ
び第２の側面のそれぞれに繋がる第３の側面に沿うよう
になされているとともに、上記第２の外部リードおよび
第４の外部リードの他方の先端部が上記第３の側面に対
向する第４の側面に沿うようになされている。
第１の外部リードないし第４の外部リードは、それぞれ
２つの先端部を有する分岐状とされているとともに、そ
れぞれの外部リードの一方の先端部が上記底面に沿うよ
うになされており、かつ、上記第１の外部リードおよび
第３の外部リードの他方の先端部が上記第１の側面およ
び第２の側面のそれぞれに繋がる第３の側面に沿うよう
になされているとともに、上記第２の外部リードおよび
第４の外部リードの他方の先端部が上記第３の側面に対
向する第４の側面に沿うようになされている。
【００２０】上記構成においても、上記樹脂パッケージ
底面における四隅部が各外部リードによって囲まれた恰
好とされており、上記四隅部が補強されることになる。
底面における四隅部が各外部リードによって囲まれた恰
好とされており、上記四隅部が補強されることになる。
【００２１】本願発明の第２の側面により提供される半
導体装置は、半導体チップが搭載される第１の内部リー
ドと、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続され
る第２の内部リードと、上記半導体チップ、ワイヤ、第
１の内部リードおよび第２の内部リードを封入するよう
にして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成さ
れた樹脂パッケージと、上記第１の内部リードに連続す
るとともに上記樹脂パッケージの第１の側面側に形成さ
れた第１の外部リードと、上記第２の内部リードに連続
するとともに上記第１の側面に対向する第２の側面側に
形成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置で
あって、上記第１の外部リードは、その基端部が上記第
１の側面に沿うようになされているとともに、上記第１
の側面からさらに連続して上記樹脂パッケージの底面、
および上記第１の側面および第２の側面のそれぞれに連
続する第３の側面に沿うようになされており、上記第２
の外部リードは、その基端部が上記第２の側面に沿うよ
うになされているとともに、上記第２の側面からさらに
連続して上記樹脂パッケージの底面および上記第３の側
面に沿うようになされていることを特徴としている。な
お、半導体チップとしては、発光素子または受光素子な
どが好適に採用され、上記半導体装置が発光ダイオー
ド、フォトダイオードあるいはフォトトランジスタなど
として構成される。
導体装置は、半導体チップが搭載される第１の内部リー
ドと、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続され
る第２の内部リードと、上記半導体チップ、ワイヤ、第
１の内部リードおよび第２の内部リードを封入するよう
にして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成さ
れた樹脂パッケージと、上記第１の内部リードに連続す
るとともに上記樹脂パッケージの第１の側面側に形成さ
れた第１の外部リードと、上記第２の内部リードに連続
するとともに上記第１の側面に対向する第２の側面側に
形成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置で
あって、上記第１の外部リードは、その基端部が上記第
１の側面に沿うようになされているとともに、上記第１
の側面からさらに連続して上記樹脂パッケージの底面、
および上記第１の側面および第２の側面のそれぞれに連
続する第３の側面に沿うようになされており、上記第２
の外部リードは、その基端部が上記第２の側面に沿うよ
うになされているとともに、上記第２の側面からさらに
連続して上記樹脂パッケージの底面および上記第３の側
面に沿うようになされていることを特徴としている。な
お、半導体チップとしては、発光素子または受光素子な
どが好適に採用され、上記半導体装置が発光ダイオー
ド、フォトダイオードあるいはフォトトランジスタなど
として構成される。
【００２２】上記構成では、上記樹脂パッケージの底面
に、第１の外部リードの一部および第２の外部リードの
一部が沿うようになされて、それぞれの部分が面実装用
の外部端子部とされている。第１の外部リードは、半導
体チップが実装された第１の内部リードに連続するもの
であり、第２の外部リードは半導体チップとワイヤを介
して導通接続される第２の内部リードに連続するもので
あるから、上記第１の側面にはアノードおよびカソード
がそれぞれ形成されていることになる。しかも、樹脂パ
ッケージの第３の側面にも第１の外部リードおよび第２
の外部リードのそれぞれが形成されていることから、上
記第３の側面にもアノードおよびカソードがそれぞれ形
成されていることになる。このように、上記構成の半導
体装置では、アノードおよびカソードの対が上記樹脂パ
ッケージの底面および第３の側面に形成されている。こ
のため、上記半導体装置では、上記底面側を回路基板な
どの実装対象に対する実装面として上記半導体装置を実
装することがでるとともに、第３の側面側をも実装面と
することができ、半導体装置を実装する際における実装
向きの選択の自由度が高められている。したがって、半
導体装置の種類や回路基板などにおける配置に応じて実
装面を使い分けることができる。
に、第１の外部リードの一部および第２の外部リードの
一部が沿うようになされて、それぞれの部分が面実装用
の外部端子部とされている。第１の外部リードは、半導
体チップが実装された第１の内部リードに連続するもの
であり、第２の外部リードは半導体チップとワイヤを介
して導通接続される第２の内部リードに連続するもので
あるから、上記第１の側面にはアノードおよびカソード
がそれぞれ形成されていることになる。しかも、樹脂パ
ッケージの第３の側面にも第１の外部リードおよび第２
の外部リードのそれぞれが形成されていることから、上
記第３の側面にもアノードおよびカソードがそれぞれ形
成されていることになる。このように、上記構成の半導
体装置では、アノードおよびカソードの対が上記樹脂パ
ッケージの底面および第３の側面に形成されている。こ
のため、上記半導体装置では、上記底面側を回路基板な
どの実装対象に対する実装面として上記半導体装置を実
装することがでるとともに、第３の側面側をも実装面と
することができ、半導体装置を実装する際における実装
向きの選択の自由度が高められている。したがって、半
導体装置の種類や回路基板などにおける配置に応じて実
装面を使い分けることができる。
【００２３】なお、第１の外部リードを樹脂パッケージ
の第１の側面、底面、および第３の側面に沿うように
し、第２の外部リードを第２の側面、底面、および第３
の側面に沿うようにする構成としては、次の構成を採用
することができる。すなわち、上記第１の外部リードお
よび第２の外部リードを、上記樹脂パッケージの底面か
らさらに連続して上記第３の側面に沿うようにしてもよ
く、また上記第１の外部リードおよび第２の外部リード
を、それぞれ２つの先端部を有する分岐状とし、それぞ
れの外部リードの一方の先端部を上記樹脂パッケージの
底面に沿うようにするとともに、他方の先端部のそれぞ
れを上記第３の側面に沿うようにしてもよい。
の第１の側面、底面、および第３の側面に沿うように
し、第２の外部リードを第２の側面、底面、および第３
の側面に沿うようにする構成としては、次の構成を採用
することができる。すなわち、上記第１の外部リードお
よび第２の外部リードを、上記樹脂パッケージの底面か
らさらに連続して上記第３の側面に沿うようにしてもよ
く、また上記第１の外部リードおよび第２の外部リード
を、それぞれ２つの先端部を有する分岐状とし、それぞ
れの外部リードの一方の先端部を上記樹脂パッケージの
底面に沿うようにするとともに、他方の先端部のそれぞ
れを上記第３の側面に沿うようにしてもよい。
【００２４】好ましい実施の形態においては、上記第１
の内部リードに連続するとともにその基端部が上記第１
の側面に沿うようになされた第３の外部リードと、上記
第２の内部リードに連続するとともにその基端部が上記
第２の側面に沿うようになされた第４の外部リードと、
をさらに有し、かつ、上記第３の外部リードは、上記第
１の側面から連続して上記底面および上記第３の側面に
対向する第４の側面に沿うようになされており、上記第
４の外部リードは、上記第２の側面から連続して上記底
面および第４の側面に沿うようなされている。
の内部リードに連続するとともにその基端部が上記第１
の側面に沿うようになされた第３の外部リードと、上記
第２の内部リードに連続するとともにその基端部が上記
第２の側面に沿うようになされた第４の外部リードと、
をさらに有し、かつ、上記第３の外部リードは、上記第
１の側面から連続して上記底面および上記第３の側面に
対向する第４の側面に沿うようになされており、上記第
４の外部リードは、上記第２の側面から連続して上記底
面および第４の側面に沿うようなされている。
【００２５】上記構成では、樹脂パッケージの底面にお
いては、第１の内部リードと導通する第１および第３の
外部リード、および第２の内部リードと導通する第２お
よび第４の外部リードがそれぞれ形成され、計４個の外
部リードが形成されている。このため、樹脂パッケージ
の底面を実装面とすれば、実装対象との接続箇所が４ヵ
所となり、実装対象に対して良好に確実かつ良好に実装
することができる。しかも、各外部リードを樹脂パッケ
ージの底面における四隅部またはその近傍にそれぞれ離
散的に形成すれば、上記半導体装置を実装する際に使用
されハンダペーストの再溶融時におけるセルフアライメ
ント効果を期待でき、上記半導体装置の実装精度を向上
させることができる。
いては、第１の内部リードと導通する第１および第３の
外部リード、および第２の内部リードと導通する第２お
よび第４の外部リードがそれぞれ形成され、計４個の外
部リードが形成されている。このため、樹脂パッケージ
の底面を実装面とすれば、実装対象との接続箇所が４ヵ
所となり、実装対象に対して良好に確実かつ良好に実装
することができる。しかも、各外部リードを樹脂パッケ
ージの底面における四隅部またはその近傍にそれぞれ離
散的に形成すれば、上記半導体装置を実装する際に使用
されハンダペーストの再溶融時におけるセルフアライメ
ント効果を期待でき、上記半導体装置の実装精度を向上
させることができる。
【００２６】なお、上記第３および第４の外部リードの
構成としては、次の構成を採用することができる。すな
わち、上記第３の外部リードおよび第４の外部リード
を、上記樹脂パッケージの底面からさらに連続させて上
記第４の側面に沿うようにしてもよく、また上記第３の
外部リードおよび第４の外部リードを、それぞれ２つの
先端部を有する分岐状とし、それぞれの外部リードの一
方の先端部を上記樹脂パッケージの底面に沿うようにす
るとともに、他方の先端部のそれぞれを上記第４の側面
に沿うようにしてもよい。
構成としては、次の構成を採用することができる。すな
わち、上記第３の外部リードおよび第４の外部リード
を、上記樹脂パッケージの底面からさらに連続させて上
記第４の側面に沿うようにしてもよく、また上記第３の
外部リードおよび第４の外部リードを、それぞれ２つの
先端部を有する分岐状とし、それぞれの外部リードの一
方の先端部を上記樹脂パッケージの底面に沿うようにす
るとともに、他方の先端部のそれぞれを上記第４の側面
に沿うようにしてもよい。
【００２７】上記したいずれの構成においても、樹脂パ
ッケージの底面および第３の側面に加えて、第４の側面
にもアノードおよびカソードの対が形成されている。こ
のため、第４の側面をも実装面とすることができ、実装
面の選択の自由度がさらに高められる。しかも、上記樹
脂パッケージ底面における四隅部が各外部リードによっ
て囲まれた恰好とされており、上記四隅部が補強されて
いる。
ッケージの底面および第３の側面に加えて、第４の側面
にもアノードおよびカソードの対が形成されている。こ
のため、第４の側面をも実装面とすることができ、実装
面の選択の自由度がさらに高められる。しかも、上記樹
脂パッケージ底面における四隅部が各外部リードによっ
て囲まれた恰好とされており、上記四隅部が補強されて
いる。
【００２８】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。図１は、本
願発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一例を表す
全体斜視図、図２は、図１のII−II線に沿う断面図、図
３は、図１の半導体装置の平面透視図、図４は、図１の
半導体装置の底面図である。なお、これらの図におい
て、従来例の半導体装置を説明するために参照した図面
に表された部材および要素などと同等なものには同一の
符号を付してある。
形態を、図面を参照して具体的に説明する。図１は、本
願発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一例を表す
全体斜視図、図２は、図１のII−II線に沿う断面図、図
３は、図１の半導体装置の平面透視図、図４は、図１の
半導体装置の底面図である。なお、これらの図におい
て、従来例の半導体装置を説明するために参照した図面
に表された部材および要素などと同等なものには同一の
符号を付してある。
【００３０】図１および図２に示すように、上記半導体
装置Ｘは、金属板を打ち抜き形成するなどして得らるリ
ードフレームから製造された、いわゆるフレームタイプ
の半導体装置Ｘとして構成されたものであり、本実施形
態では発光ダイオードとして構成された半導体装置Ｘに
ついて説明する。具体的には、上記半導体装置Ｘは、半
導体チップとしての発光素子３が実装される第１リード
端子１と、上記発光素子３の上面３０とワイヤＷを介し
て電気的に導通される第２のリード端子２と、上記発光
素子３およびワイヤＷを封入するようにして直方体状に
形成された樹脂パッケージ４と、を備えて大略構成され
ている。
装置Ｘは、金属板を打ち抜き形成するなどして得らるリ
ードフレームから製造された、いわゆるフレームタイプ
の半導体装置Ｘとして構成されたものであり、本実施形
態では発光ダイオードとして構成された半導体装置Ｘに
ついて説明する。具体的には、上記半導体装置Ｘは、半
導体チップとしての発光素子３が実装される第１リード
端子１と、上記発光素子３の上面３０とワイヤＷを介し
て電気的に導通される第２のリード端子２と、上記発光
素子３およびワイヤＷを封入するようにして直方体状に
形成された樹脂パッケージ４と、を備えて大略構成され
ている。
【００３１】図１ないし図４に良く表れているように、
上記第１のリード端子１は、上記樹脂パッケージ４内に
封入された第１の内部リード１０と、上記樹脂パッケー
ジ４の外部において屈曲形成された第１および第３の外
部リード１１，１２とを有している。
上記第１のリード端子１は、上記樹脂パッケージ４内に
封入された第１の内部リード１０と、上記樹脂パッケー
ジ４の外部において屈曲形成された第１および第３の外
部リード１１，１２とを有している。
【００３２】上記第１の内部リード１０は、上記樹脂パ
ッケージ４の第１の側面４１と第２の側面４２の間にお
いて上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に延
びる内部リード本体部１０ａを有しており、この内部リ
ード本体部１０ａの中央部から上記樹脂パッケージ４の
中心側に突出するようにして上記発光素子３が実装され
るダイボンディングパッド１０ｂが形成されている。
ッケージ４の第１の側面４１と第２の側面４２の間にお
いて上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に延
びる内部リード本体部１０ａを有しており、この内部リ
ード本体部１０ａの中央部から上記樹脂パッケージ４の
中心側に突出するようにして上記発光素子３が実装され
るダイボンディングパッド１０ｂが形成されている。
【００３３】上記第１および第３の外部リード１１，１
２は、上記第１の内部リード１０の両端部からそれぞれ
連続して形成されており、第１および第３の外部リード
１１，１２の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の
側面４１および第２の側面４２にそれぞれ沿うようして
下方に延びる第１外部端子部１１ａ，１２ａとされてい
る。そして、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底
面４５にまで上記第１および第３の外部リードが形成さ
れてそれぞれ第２外部端子部１１ｂ，１２ｂとされてお
り、第１および第３の外部リード１１，１２の先端部
は、上記樹脂パッケージ４の第３の側面４３に沿うよう
にして上方に延びる第３外部端子部１１ｃ，１２ｃとさ
れている。すなわち、上記第１および第３の外部リード
１１，１２によって、上記樹脂パッケージ４の底面４５
側の角部のうちの２つが囲まれた恰好とされている。
２は、上記第１の内部リード１０の両端部からそれぞれ
連続して形成されており、第１および第３の外部リード
１１，１２の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の
側面４１および第２の側面４２にそれぞれ沿うようして
下方に延びる第１外部端子部１１ａ，１２ａとされてい
る。そして、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底
面４５にまで上記第１および第３の外部リードが形成さ
れてそれぞれ第２外部端子部１１ｂ，１２ｂとされてお
り、第１および第３の外部リード１１，１２の先端部
は、上記樹脂パッケージ４の第３の側面４３に沿うよう
にして上方に延びる第３外部端子部１１ｃ，１２ｃとさ
れている。すなわち、上記第１および第３の外部リード
１１，１２によって、上記樹脂パッケージ４の底面４５
側の角部のうちの２つが囲まれた恰好とされている。
【００３４】図１ないし図４に良く表れているように、
上記第２の端子リード２は、上記樹脂パッケージ４内に
封入された第２の内部リード２０と、上記樹脂パッケー
ジ４の外部において屈曲形成された第２および第４の外
部リード２１，２２とを有している。
上記第２の端子リード２は、上記樹脂パッケージ４内に
封入された第２の内部リード２０と、上記樹脂パッケー
ジ４の外部において屈曲形成された第２および第４の外
部リード２１，２２とを有している。
【００３５】上記第２の内部リード２０は、上記樹脂パ
ッケージ４の第１の側面４１および第２の側面４２間に
おいて上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に
延びるようにして形成されている。上記したように、上
記第２の内部リード２０の中央部は、ワイヤＷを介して
上記発光素子３の上面３０と繋げられている。このワイ
ヤＷは、たとえば金などによって構成されている。
ッケージ４の第１の側面４１および第２の側面４２間に
おいて上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に
延びるようにして形成されている。上記したように、上
記第２の内部リード２０の中央部は、ワイヤＷを介して
上記発光素子３の上面３０と繋げられている。このワイ
ヤＷは、たとえば金などによって構成されている。
【００３６】上記第２および第４の外部リード２１，２
２は、上記第２の内部リード２０の両端部から連続して
形成されており、第２および第４の外部リード２１，２
２の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１
および第２の側面４２にそれぞれ沿うようして下方に延
びる第１外部端子部２１ａ，２２ａとされている。そし
て、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底面４５お
よび第３の側面４３に沿うようにして第２外部端子部２
１ｂ，２２ｂおよび第３外部端子部２１ｃ，２２ｃがそ
れぞれ形成されている。このように、上記第２および第
４の外部リード２１，２２によって、上記樹脂パッケー
ジ４の底面側の角部のうちの残りの２つが囲まれた恰好
とされており、結局、上記各外部リード１１，…によっ
て上記樹脂パッケージ４における底面４５側の各角部が
実質的に保護されている。
２は、上記第２の内部リード２０の両端部から連続して
形成されており、第２および第４の外部リード２１，２
２の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１
および第２の側面４２にそれぞれ沿うようして下方に延
びる第１外部端子部２１ａ，２２ａとされている。そし
て、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底面４５お
よび第３の側面４３に沿うようにして第２外部端子部２
１ｂ，２２ｂおよび第３外部端子部２１ｃ，２２ｃがそ
れぞれ形成されている。このように、上記第２および第
４の外部リード２１，２２によって、上記樹脂パッケー
ジ４の底面側の角部のうちの残りの２つが囲まれた恰好
とされており、結局、上記各外部リード１１，…によっ
て上記樹脂パッケージ４における底面４５側の各角部が
実質的に保護されている。
【００３７】上記樹脂パッケージ４は、後述する金型成
形などによって形成されており、上方に突出する半球状
の集光レンズ部４６を有しているが、全体形状としては
直方体状とされている。上記集光レンズ部４６は、発光
素子３から発せられた光が四方に拡散しないようにする
ために設けられたものである。
形などによって形成されており、上方に突出する半球状
の集光レンズ部４６を有しているが、全体形状としては
直方体状とされている。上記集光レンズ部４６は、発光
素子３から発せられた光が四方に拡散しないようにする
ために設けられたものである。
【００３８】このように構成された半導体装置Ｘでは、
図１に良く表れているように、上記樹脂パッケージ４の
第１の側面４１には、第１の内部リード１０に導通する
第１の外部リード１１の第１外部端子部１１ａが形成さ
れているとともに、第２の内部リード２０に導通する第
２の外部リード２１の第１外部端子部２１ａが形成され
ている。すなわち、上記第１の側面４１には、アノード
およびカソードの対が形成されており、第１の側面を回
路基板などの実装対象に対する実装面とすることができ
る。また、図３および図４に良く表れているように、上
記樹脂パッケージ４の第２の側面４２にも、第１および
第２の内部リード１０，２０のそれぞれと導通する第３
の外部リード１２の第１外部端子部１２ａおよび第４の
外部リード２２の第１外部端子部２２ａがそれぞれ形成
されているため、第２の側面を実装面とすることができ
る。さらに、図４に良く表れているように、上記樹脂パ
ッケージ４の底面４５には、上記第１および第３の外部
リード１１，１２の第２外部端子部１１ｂ，１２ｂがそ
れぞれ形成されているとともに、上記第２および第４の
外部リード２１，２２の第２外部端子部２１ｂ，２２ｂ
がそれぞれ形成されているため、底面４５をも実装面と
することができる。
図１に良く表れているように、上記樹脂パッケージ４の
第１の側面４１には、第１の内部リード１０に導通する
第１の外部リード１１の第１外部端子部１１ａが形成さ
れているとともに、第２の内部リード２０に導通する第
２の外部リード２１の第１外部端子部２１ａが形成され
ている。すなわち、上記第１の側面４１には、アノード
およびカソードの対が形成されており、第１の側面を回
路基板などの実装対象に対する実装面とすることができ
る。また、図３および図４に良く表れているように、上
記樹脂パッケージ４の第２の側面４２にも、第１および
第２の内部リード１０，２０のそれぞれと導通する第３
の外部リード１２の第１外部端子部１２ａおよび第４の
外部リード２２の第１外部端子部２２ａがそれぞれ形成
されているため、第２の側面を実装面とすることができ
る。さらに、図４に良く表れているように、上記樹脂パ
ッケージ４の底面４５には、上記第１および第３の外部
リード１１，１２の第２外部端子部１１ｂ，１２ｂがそ
れぞれ形成されているとともに、上記第２および第４の
外部リード２１，２２の第２外部端子部２１ｂ，２２ｂ
がそれぞれ形成されているため、底面４５をも実装面と
することができる。
【００３９】次に、上記構成の半導体装置Ｘの製造方法
について図５ないし図１１を参照しつつ簡単に説明する
が、便宜上、この製造方法に使用されるリードフレーム
６について図５を参照しつつ先に説明する。なお、図５
は、上記半導体装置の製造に用いられるリードフレーム
の平面図、図６は、ワイヤボンディング工程を説明する
ための図、図７は、樹脂パッケージング工程を説明する
ための断面図、図８は、上記半導体装置の外部リードを
フォーミングしていない中間品の状態を表す全体斜視
図、図９ないし図１１は、外部リードのフォーミング工
程を説明するための図である。
について図５ないし図１１を参照しつつ簡単に説明する
が、便宜上、この製造方法に使用されるリードフレーム
６について図５を参照しつつ先に説明する。なお、図５
は、上記半導体装置の製造に用いられるリードフレーム
の平面図、図６は、ワイヤボンディング工程を説明する
ための図、図７は、樹脂パッケージング工程を説明する
ための断面図、図８は、上記半導体装置の外部リードを
フォーミングしていない中間品の状態を表す全体斜視
図、図９ないし図１１は、外部リードのフォーミング工
程を説明するための図である。
【００４０】上記リードフレーム６は、銅や鉄などの金
属板を打ち抜くなどして得られるものであり、図５に示
すように平行に延びる一対のサイドフレーム６０，６０
を有している。これらのサイドフレーム６０，６０を掛
け渡すようにして２つのクロスフレーム６１ａ，６１ｂ
からなるクロスフレーム対６１が等間隔毎に形成されて
おり、各クロスフレーム対６１を構成するクロスフレー
ム６１ａ，６１ｂは上記各サイドフレーム６０，６０よ
りの部位においてサポートフレーム６２，６２によって
連結されている。また、各クロスフレーム対６１の一方
のクロスフレーム６１ａは、隣合うクロスフレーム対６
１の他方のクロスフレーム６１ｂと２つのタイバー６
３，６３によってそれぞれ連結されている。上記クロス
フレーム対６１および上記各サポートフレーム６２，６
２によって囲まれる矩形領域には、一方のクロスフレー
ム６１ａ側から他方のクロスフレーム６１ｂ側に突出す
るようにして上記半導体装置Ｘの構成部分となるべきダ
イボンディングパッド１０ｂが打ち抜き形成されてい
る。
属板を打ち抜くなどして得られるものであり、図５に示
すように平行に延びる一対のサイドフレーム６０，６０
を有している。これらのサイドフレーム６０，６０を掛
け渡すようにして２つのクロスフレーム６１ａ，６１ｂ
からなるクロスフレーム対６１が等間隔毎に形成されて
おり、各クロスフレーム対６１を構成するクロスフレー
ム６１ａ，６１ｂは上記各サイドフレーム６０，６０よ
りの部位においてサポートフレーム６２，６２によって
連結されている。また、各クロスフレーム対６１の一方
のクロスフレーム６１ａは、隣合うクロスフレーム対６
１の他方のクロスフレーム６１ｂと２つのタイバー６
３，６３によってそれぞれ連結されている。上記クロス
フレーム対６１および上記各サポートフレーム６２，６
２によって囲まれる矩形領域には、一方のクロスフレー
ム６１ａ側から他方のクロスフレーム６１ｂ側に突出す
るようにして上記半導体装置Ｘの構成部分となるべきダ
イボンディングパッド１０ｂが打ち抜き形成されてい
る。
【００４１】このように構成されたリードフレーム６に
おいては、まず、図５において上記ダイボンディングパ
ッド１０ｂにおける２点鎖線で囲んだ領域Ｈに半導体チ
ップ３が実装される。上記したように上記半導体装置Ｘ
が発光ダイオードとして構成される場合には、半導体チ
ップ３としては発光ダイオードチップなどの発光素子が
使用されるが、上記半導体装置Ｘがフォトダイオードと
して構成される場合には上記半導体チップ３としてはフ
ォトダイオードチップなどの受光素子などが使用され
る。もちろん、用途に応じて例示した以外の半導体チッ
プを適宜実装してもよい。
おいては、まず、図５において上記ダイボンディングパ
ッド１０ｂにおける２点鎖線で囲んだ領域Ｈに半導体チ
ップ３が実装される。上記したように上記半導体装置Ｘ
が発光ダイオードとして構成される場合には、半導体チ
ップ３としては発光ダイオードチップなどの発光素子が
使用されるが、上記半導体装置Ｘがフォトダイオードと
して構成される場合には上記半導体チップ３としてはフ
ォトダイオードチップなどの受光素子などが使用され
る。もちろん、用途に応じて例示した以外の半導体チッ
プを適宜実装してもよい。
【００４２】次いで、上記半導体チップ３の上面３０と
他方のクロスフレーム６１ｂとをワイヤＷによって接続
する。このワイヤＷによる接続は、上記半導体チップ３
の上面３０について行われるファーストボンディングと
他方のクロスフレーム６１ｂについて行われるセカンド
ボンディングとからなる。
他方のクロスフレーム６１ｂとをワイヤＷによって接続
する。このワイヤＷによる接続は、上記半導体チップ３
の上面３０について行われるファーストボンディングと
他方のクロスフレーム６１ｂについて行われるセカンド
ボンディングとからなる。
【００４３】図６に示すように、ファーストボンディン
グは、キャピラリ７の先端部からワイヤＷの先端部を突
出させておき、この部位を溶融させてボール状とし、こ
れを上記半導体チップ３の上面３０に圧着することによ
って行われる。セカンドボンディングは、上記キャピラ
リ７の先端部からワイヤＷを引き出しつつ他方のクロス
フレーム６１ｂの所定領域（ワイヤボンディング領域）
にまで上記キャピラリ７を移動させ、ワイヤＷを圧着す
ることによって行われる。なお、ワイヤボンディングを
行うのに際して、上記リードフレーム６を支持台８など
によって加熱してもよく、また超音波を供給しつつワイ
ヤボンディングを行ってもよい。
グは、キャピラリ７の先端部からワイヤＷの先端部を突
出させておき、この部位を溶融させてボール状とし、こ
れを上記半導体チップ３の上面３０に圧着することによ
って行われる。セカンドボンディングは、上記キャピラ
リ７の先端部からワイヤＷを引き出しつつ他方のクロス
フレーム６１ｂの所定領域（ワイヤボンディング領域）
にまで上記キャピラリ７を移動させ、ワイヤＷを圧着す
ることによって行われる。なお、ワイヤボンディングを
行うのに際して、上記リードフレーム６を支持台８など
によって加熱してもよく、また超音波を供給しつつワイ
ヤボンディングを行ってもよい。
【００４４】続いて、所定の金型を用いて図５に示した
上記リードフレーム６における仮想線で囲まれた領域Ｐ
に樹脂パッケージ４を形成する、この工程はたとえば以
下のようにして行われる。すなわち、図７に示すよう
に、まず、上下の各金型９Ａ，９Ｂによって形成される
キャビティ空間９０内に上記半導体チップ３を収容した
状態で上記リードフレーム６の所定領域を挟持するよう
にして金型の型締めする。そして、上記キャビティ空間
９０に溶融したエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入
し、注入樹脂が硬化した後に金型９Ａ，９Ｂを型開きす
ることによって樹脂パッケージ４が形成される。このと
き、集光レンズ部４６も同時に形成される。
上記リードフレーム６における仮想線で囲まれた領域Ｐ
に樹脂パッケージ４を形成する、この工程はたとえば以
下のようにして行われる。すなわち、図７に示すよう
に、まず、上下の各金型９Ａ，９Ｂによって形成される
キャビティ空間９０内に上記半導体チップ３を収容した
状態で上記リードフレーム６の所定領域を挟持するよう
にして金型の型締めする。そして、上記キャビティ空間
９０に溶融したエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入
し、注入樹脂が硬化した後に金型９Ａ，９Ｂを型開きす
ることによって樹脂パッケージ４が形成される。このと
き、集光レンズ部４６も同時に形成される。
【００４５】上記半導体装置Ｘが発光ダイオードとして
構成される場合には、上記樹脂パッケージ４を形成する
材料としては透明性の高い樹脂、たとえばエポキシ樹脂
などが好適に採用される。もちろん、半導体チップ３と
してフォトダイオードチップやフォトトランジスタチッ
プなどの受光素子を採用する場合にも、上記樹脂パッケ
ージ４を形成する材料としては、透明性の高いエポキシ
樹脂などが好適に採用されるが、発光や受光を行う半導
体装置Ｘとは異なる半導体装置として構成する場合に
は、必ずしも透明性の高い樹脂によって上記樹脂パッケ
ージ４を形成する必要はなく、上記集光レンズ部４６を
設ける必要もない。また、受光素子３として赤外光を選
択的に受光するように構成されたものを使用する場合に
は、上記樹脂パッケージ４としては透明のものでもよい
が、他の波長の光（ノイズ）による影響を排除して受光
感度を高めるべく赤外光を選択的を透過させる黒色の樹
脂を使用するのが好ましい。
構成される場合には、上記樹脂パッケージ４を形成する
材料としては透明性の高い樹脂、たとえばエポキシ樹脂
などが好適に採用される。もちろん、半導体チップ３と
してフォトダイオードチップやフォトトランジスタチッ
プなどの受光素子を採用する場合にも、上記樹脂パッケ
ージ４を形成する材料としては、透明性の高いエポキシ
樹脂などが好適に採用されるが、発光や受光を行う半導
体装置Ｘとは異なる半導体装置として構成する場合に
は、必ずしも透明性の高い樹脂によって上記樹脂パッケ
ージ４を形成する必要はなく、上記集光レンズ部４６を
設ける必要もない。また、受光素子３として赤外光を選
択的に受光するように構成されたものを使用する場合に
は、上記樹脂パッケージ４としては透明のものでもよい
が、他の波長の光（ノイズ）による影響を排除して受光
感度を高めるべく赤外光を選択的を透過させる黒色の樹
脂を使用するのが好ましい。
【００４６】このようにして樹脂パッケージ４が形成さ
れた後に、リードフレーム６における一点鎖線で示した
ラインに沿って切断することによって、図８に示すよう
な半導体装置の中間品Ｘ′が得られる。この中間品Ｘ′
は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１および第２
の側面４２から外部リード１１，１２，２１，２２とな
るべき部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａがそれぞれ
Ｌ字状に突出したような形状をなしており、上記各Ｌ字
状の部位１１Ａ，…が折り曲げられて図１に示したよう
な半導体装置Ｘとされる。
れた後に、リードフレーム６における一点鎖線で示した
ラインに沿って切断することによって、図８に示すよう
な半導体装置の中間品Ｘ′が得られる。この中間品Ｘ′
は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１および第２
の側面４２から外部リード１１，１２，２１，２２とな
るべき部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａがそれぞれ
Ｌ字状に突出したような形状をなしており、上記各Ｌ字
状の部位１１Ａ，…が折り曲げられて図１に示したよう
な半導体装置Ｘとされる。
【００４７】具体的には、まず、図９に示すように、上
記各Ｌ字状の部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを下
方に折り曲げて、これらの各部位１１Ａ，１２Ａ，２１
Ａ，２２Ａの基端部が上記樹脂パッケージ４の第１およ
び第２の側面４１，４２に沿うようにする。これによ
り、各外部リード１１，１２，２１，２２の第１外部端
子部１１ａ，１２ａ，２１ａ，２２ａが形成される。
記各Ｌ字状の部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを下
方に折り曲げて、これらの各部位１１Ａ，１２Ａ，２１
Ａ，２２Ａの基端部が上記樹脂パッケージ４の第１およ
び第２の側面４１，４２に沿うようにする。これによ
り、各外部リード１１，１２，２１，２２の第１外部端
子部１１ａ，１２ａ，２１ａ，２２ａが形成される。
【００４８】次に、図１０に示すように、上記各部位１
１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを上記樹脂パッケージ４
の底面４５に沿うようにしてさらに折り曲げて、各外部
リード１１，１２，２１，２２の第２外部端子部１１
ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂを形成する。このとき、各
部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先端部は、平面
視において上記樹脂パッケージ４の側方にはみ出したよ
うな恰好とされている。
１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを上記樹脂パッケージ４
の底面４５に沿うようにしてさらに折り曲げて、各外部
リード１１，１２，２１，２２の第２外部端子部１１
ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂを形成する。このとき、各
部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先端部は、平面
視において上記樹脂パッケージ４の側方にはみ出したよ
うな恰好とされている。
【００４９】続いて、図１１に示すように、上記樹脂パ
ッケージ４からはみ出した各部位１１Ａ，１２Ａ，２１
Ａ，２２Ａの先端部を上方に向けて折り曲げて上記第３
または第４の側面４３，４４に沿うようにする。これに
より、上記各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先
端部が上記各外部リード１１，１２，２１，２２の第３
外部端子部１１ｂ，１２ｃ，２１ｃ，２２ｃとされ、図
１に示したような半導体装置Ｘとされる。
ッケージ４からはみ出した各部位１１Ａ，１２Ａ，２１
Ａ，２２Ａの先端部を上方に向けて折り曲げて上記第３
または第４の側面４３，４４に沿うようにする。これに
より、上記各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先
端部が上記各外部リード１１，１２，２１，２２の第３
外部端子部１１ｂ，１２ｃ，２１ｃ，２２ｃとされ、図
１に示したような半導体装置Ｘとされる。
【００５０】このようにして製造された半導体装置Ｘ
は、回路基板などに実装されて使用されるが、上記半導
体チップ３として発光素子が採用された半導体装置Ｘで
は、この半導体装置Ｘを各種の光源、たとえば光センサ
の発光部として使用することができる。上記半導体チッ
プでは、適宜の実装面（本実施形態では、樹脂パッケー
ジ４の第１の側面４１、第２の側面４２、および底面４
５のいずれか）を選択することによって、回路基板など
の実装対象に垂直に光を発するような実装状態と、実装
対象に対して平行に光を発するような実装状態とを選択
することができるようになる。たとえば、発光ダイオー
ドとして構成された半導体装置Ｘにおいて、発光素子３
の上面３０が発光面となされている場合には、図１２に
示すように、上記樹脂パッケージ４の底面４５を実装面
とすれば、実装対象５に垂直に光を発するように構成す
ることができ、第１または第２の側面４１，４２を実装
面とすれば実装対象に対して平行に光を発するように構
成することができる。なお、上記半導体チップ３として
受光素子を用いた場合には、光センサの受光部などとし
て使用することができる。
は、回路基板などに実装されて使用されるが、上記半導
体チップ３として発光素子が採用された半導体装置Ｘで
は、この半導体装置Ｘを各種の光源、たとえば光センサ
の発光部として使用することができる。上記半導体チッ
プでは、適宜の実装面（本実施形態では、樹脂パッケー
ジ４の第１の側面４１、第２の側面４２、および底面４
５のいずれか）を選択することによって、回路基板など
の実装対象に垂直に光を発するような実装状態と、実装
対象に対して平行に光を発するような実装状態とを選択
することができるようになる。たとえば、発光ダイオー
ドとして構成された半導体装置Ｘにおいて、発光素子３
の上面３０が発光面となされている場合には、図１２に
示すように、上記樹脂パッケージ４の底面４５を実装面
とすれば、実装対象５に垂直に光を発するように構成す
ることができ、第１または第２の側面４１，４２を実装
面とすれば実装対象に対して平行に光を発するように構
成することができる。なお、上記半導体チップ３として
受光素子を用いた場合には、光センサの受光部などとし
て使用することができる。
【００５１】なお、上記半導体装置Ｘの実装には、たと
えばハンダリフローの手法が好適に採用される。このハ
ンダリフローの手法では、予め上記半導体装置Ｘの各外
部リード１１，…の表面に、あるいは回路基板などの実
装対象５に形成された端子パッド５０，５０の表面にク
リームハンダを塗布しておき、上記外部リード１１，１
２，２１，２２と上記端子パッド５０，５０とを対応さ
せて半導体装置Ｘを上記回路基板５に載置した状態でリ
フロー炉に搬入することによって発光ダイオードＸが回
路基板５に実装される。このリフロー炉では、ハンダペ
ーストが２００℃程度にまで加熱されて再溶融させられ
るが、発光ダイオードＸが実装された回路基板５をリフ
ロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させれば上記発光
ダイオードＸが上記回路基板５に実装固定される。
えばハンダリフローの手法が好適に採用される。このハ
ンダリフローの手法では、予め上記半導体装置Ｘの各外
部リード１１，…の表面に、あるいは回路基板などの実
装対象５に形成された端子パッド５０，５０の表面にク
リームハンダを塗布しておき、上記外部リード１１，１
２，２１，２２と上記端子パッド５０，５０とを対応さ
せて半導体装置Ｘを上記回路基板５に載置した状態でリ
フロー炉に搬入することによって発光ダイオードＸが回
路基板５に実装される。このリフロー炉では、ハンダペ
ーストが２００℃程度にまで加熱されて再溶融させられ
るが、発光ダイオードＸが実装された回路基板５をリフ
ロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させれば上記発光
ダイオードＸが上記回路基板５に実装固定される。
【００５２】次に、本願発明の第２の実施形態に係る半
導体装置について図１３ないし図１５を参照しつつ説明
する。なお、図１３は上記半導体装置の全体斜視図、図
１４は上記半導体装置を実装対象物（回路基板など）に
実装した状態を表す側面図、図１５は図１４のXV−XV線
に沿う断面図である。また、これらの図において、本願
発明の第１の実施形態に係る半導体装置を説明するため
に参照した図面に表されていた部材および要素などと同
等なものには同一の符号を付してあり、第１の実施形態
と共通な構成についての詳細な説明はここでは省略する
ものとする。
導体装置について図１３ないし図１５を参照しつつ説明
する。なお、図１３は上記半導体装置の全体斜視図、図
１４は上記半導体装置を実装対象物（回路基板など）に
実装した状態を表す側面図、図１５は図１４のXV−XV線
に沿う断面図である。また、これらの図において、本願
発明の第１の実施形態に係る半導体装置を説明するため
に参照した図面に表されていた部材および要素などと同
等なものには同一の符号を付してあり、第１の実施形態
と共通な構成についての詳細な説明はここでは省略する
ものとする。
【００５３】本実施形態の半導体装置Ｘ１の基本的な構
成は、図１３に示すように上述した第１の実施形態の半
導体装置Ｘと略同様である。本実施形態の半導体装置Ｘ
１が第１の実施形態の半導体装置Ｘと大きく異なる点
は、第１ないし第４の外部リード１１，１２，２１，２
２の構成である。すなわち、各外部リード１１，１２，
２１，２２が、２つの先端部を有する分岐状とされてい
る。そして、各外部リード１１，１２，２１，２２の一
方の先端部の折り曲げられてそれぞれが樹脂パッケージ
４の底面４５に沿うようになされて第２外部端子部１１
ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂとされている。一方、それ
ぞれの他方の先端部は折り曲げられていない。第１およ
び第３の外部リード１１，２１の他方の先端部は、第１
の側面４１と略同一平面において広がるとともに、それ
ぞれ第１の側面４１の両側縁から突出しており、第２お
よび第４の外部リード１２，２２の他方の先端部は、第
２の側面４２と略同一平面において広がるとともに、そ
れぞれ第２の側面４２の両側縁から突出している。
成は、図１３に示すように上述した第１の実施形態の半
導体装置Ｘと略同様である。本実施形態の半導体装置Ｘ
１が第１の実施形態の半導体装置Ｘと大きく異なる点
は、第１ないし第４の外部リード１１，１２，２１，２
２の構成である。すなわち、各外部リード１１，１２，
２１，２２が、２つの先端部を有する分岐状とされてい
る。そして、各外部リード１１，１２，２１，２２の一
方の先端部の折り曲げられてそれぞれが樹脂パッケージ
４の底面４５に沿うようになされて第２外部端子部１１
ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂとされている。一方、それ
ぞれの他方の先端部は折り曲げられていない。第１およ
び第３の外部リード１１，２１の他方の先端部は、第１
の側面４１と略同一平面において広がるとともに、それ
ぞれ第１の側面４１の両側縁から突出しており、第２お
よび第４の外部リード１２，２２の他方の先端部は、第
２の側面４２と略同一平面において広がるとともに、そ
れぞれ第２の側面４２の両側縁から突出している。
【００５４】このように構成された半導体装置Ｘ１で
は、第１の側面４１および第２の側面４２のそれぞれに
陽極端子（アノード）および陰極端子（カソード）の対
が１組形成されており、底面４５にはアノードおよびカ
ソードの対が２組形成されている。したがって、上記半
導体装置Ｘ１では、第１の側面４１、第２の側面４２お
よび底面４５のそれぞれを実装面として回路基板などの
実装対象物に実装することができる。
は、第１の側面４１および第２の側面４２のそれぞれに
陽極端子（アノード）および陰極端子（カソード）の対
が１組形成されており、底面４５にはアノードおよびカ
ソードの対が２組形成されている。したがって、上記半
導体装置Ｘ１では、第１の側面４１、第２の側面４２お
よび底面４５のそれぞれを実装面として回路基板などの
実装対象物に実装することができる。
【００５５】第１または第２の側面４１，４２を実装面
として回路基板に実装した例を図１４に示すが、この場
合には、第１および第２の外部リード１１，２１、また
は第３および第４の外部リード１２，２２のそれぞれの
第１外部端子部１１ａ，２１ａ（１２ａ，２２ａ）が回
路基板５と接続される。これらの第１外部端子部１１
ａ，２１ａ，１２ａ，２２ａは、それぞれ第１または第
２の側面４１，４２の側縁から突出して設けられている
ことから、これによって樹脂パッケージ４の全長よりも
半導体装置Ｘ１の全長のほうが長くなされている。した
がって、樹脂パッケージ４の側面４１，…や底面４５に
沿うようにして外部リード１１，…が形成された第１の
実施形態の半導体装置Ｘと比較すれば、樹脂パッケージ
４から各外部リード１１，…の他方の先端部が突出して
形成されている場合のほうがより安定して回路基板５な
どに実装されることになる。
として回路基板に実装した例を図１４に示すが、この場
合には、第１および第２の外部リード１１，２１、また
は第３および第４の外部リード１２，２２のそれぞれの
第１外部端子部１１ａ，２１ａ（１２ａ，２２ａ）が回
路基板５と接続される。これらの第１外部端子部１１
ａ，２１ａ，１２ａ，２２ａは、それぞれ第１または第
２の側面４１，４２の側縁から突出して設けられている
ことから、これによって樹脂パッケージ４の全長よりも
半導体装置Ｘ１の全長のほうが長くなされている。した
がって、樹脂パッケージ４の側面４１，…や底面４５に
沿うようにして外部リード１１，…が形成された第１の
実施形態の半導体装置Ｘと比較すれば、樹脂パッケージ
４から各外部リード１１，…の他方の先端部が突出して
形成されている場合のほうがより安定して回路基板５な
どに実装されることになる。
【００５６】回路基板５への半導体装置Ｘ１の実装に
は、ハンダリフローの手法が一般的に採用される。この
方法では、たとえば回路基板の接続用端子部５０にクリ
ームハンダを予め塗布した状態で半導体装置Ｘ１を載置
し、ハンダを再溶融・固化させることによって半導体装
置Ｘ１が実装される。このため、外部リード４１，…に
おける接続領域の一部が樹脂パッケージ４から突出状と
された構成では、図１５に示したように突出した部分の
上面にまで再溶融したハンダＨａが乗り上げる。そし
て、この状態でハンダＨａが固化して半導体装置Ｘ１が
回路基板５などに実装されるため、より強固な接続状態
を達成することができる。また、上記構成の半導体装置
Ｘ１では、各外部リード１１，…の第２外部端子部１１
ａ，…が底面の四隅部に離散的に形成されているため
に、底面４５を実装面とする場合には回路基板５との接
続箇所が４ヵ所となるためにより安定した状態で半導体
装置Ｘ１を実装でき、またセルフアライメント効果を発
揮させて精度良く半導体装置Ｘ１を実装することができ
る。
は、ハンダリフローの手法が一般的に採用される。この
方法では、たとえば回路基板の接続用端子部５０にクリ
ームハンダを予め塗布した状態で半導体装置Ｘ１を載置
し、ハンダを再溶融・固化させることによって半導体装
置Ｘ１が実装される。このため、外部リード４１，…に
おける接続領域の一部が樹脂パッケージ４から突出状と
された構成では、図１５に示したように突出した部分の
上面にまで再溶融したハンダＨａが乗り上げる。そし
て、この状態でハンダＨａが固化して半導体装置Ｘ１が
回路基板５などに実装されるため、より強固な接続状態
を達成することができる。また、上記構成の半導体装置
Ｘ１では、各外部リード１１，…の第２外部端子部１１
ａ，…が底面の四隅部に離散的に形成されているため
に、底面４５を実装面とする場合には回路基板５との接
続箇所が４ヵ所となるためにより安定した状態で半導体
装置Ｘ１を実装でき、またセルフアライメント効果を発
揮させて精度良く半導体装置Ｘ１を実装することができ
る。
【００５７】なお、本実施形態では、各外部リード１
１，…が２つの先端部を有する分岐状とされ、それぞれ
の外部リード１１，…の他方の先端部が折り曲げられず
に第１または第２の側面４１，４２の側縁から突出した
形態の半導体装置Ｘ１について説明したが、各外部リー
ド１１，…の他方の先端部が折り曲げられた構成のもの
も本願発明の適用範囲である。すなわち、図１６に示し
たように各外部リード１１，…が分岐状とされた構成に
おいて、他方の先端部が折り曲げられて第３または第４
の側面４３，４４に沿うようになされた構成であっても
よい。この構成では、樹脂パッケージ４の底面４５にお
ける四隅部が各外部リード１１，…によって囲まれて補
強されるといった効果が得られる。
１，…が２つの先端部を有する分岐状とされ、それぞれ
の外部リード１１，…の他方の先端部が折り曲げられず
に第１または第２の側面４１，４２の側縁から突出した
形態の半導体装置Ｘ１について説明したが、各外部リー
ド１１，…の他方の先端部が折り曲げられた構成のもの
も本願発明の適用範囲である。すなわち、図１６に示し
たように各外部リード１１，…が分岐状とされた構成に
おいて、他方の先端部が折り曲げられて第３または第４
の側面４３，４４に沿うようになされた構成であっても
よい。この構成では、樹脂パッケージ４の底面４５にお
ける四隅部が各外部リード１１，…によって囲まれて補
強されるといった効果が得られる。
【００５８】次に、本願発明の第３の実施形態に係る半
導体装置について図１７および図１８を参照しつつ説明
する。なお、図１７は、上記半導体装置の全体斜視図、
図１８は、上記半導体装置の透視平面図である。また、
これらの図においては、本願発明の第１の実施形態に係
る半導体装置を説明するために参照した図面に表されて
いた部材および要素などと同等なものには同一の符号を
付してあり、第１の実施形態と共通な構成ついての詳細
な説明はここでは省略するものとする。
導体装置について図１７および図１８を参照しつつ説明
する。なお、図１７は、上記半導体装置の全体斜視図、
図１８は、上記半導体装置の透視平面図である。また、
これらの図においては、本願発明の第１の実施形態に係
る半導体装置を説明するために参照した図面に表されて
いた部材および要素などと同等なものには同一の符号を
付してあり、第１の実施形態と共通な構成ついての詳細
な説明はここでは省略するものとする。
【００５９】本実施形態の半導体装置Ｘ２は、外部リー
ド１１，１２が２つとされている点において上述した第
１または第２の実施形態とは異なっている。各外部リー
ド１１，２１は、第１および第２の内部リード１０，２
０からそれぞれ連続して樹脂パッケージ４の第１の側面
４１側に形成されている。そして、各外部リード１１，
２１のそれぞれの基端部が第１の側面４１および底面４
５に沿うようになされている。すなわち、各外部リード
１１，２１における第１の側面４１に沿う部分がそれぞ
れ第１外部端子部１１ａ，２１ａとされているととも
に、底面４５に沿う部分がそれぞれ第２外部端子部１１
ｂ，２１ｂとされている。第１の外部リード１１の先端
部はさらに折り曲げられて第３の側面に沿うようになさ
れて第３外部端子部１１ｃとされ、第２の外部リード２
１の先端部もさらに折り曲げられて第４の側面４４に沿
うようになされて第３外部端子部２１ｃとされている。
ド１１，１２が２つとされている点において上述した第
１または第２の実施形態とは異なっている。各外部リー
ド１１，２１は、第１および第２の内部リード１０，２
０からそれぞれ連続して樹脂パッケージ４の第１の側面
４１側に形成されている。そして、各外部リード１１，
２１のそれぞれの基端部が第１の側面４１および底面４
５に沿うようになされている。すなわち、各外部リード
１１，２１における第１の側面４１に沿う部分がそれぞ
れ第１外部端子部１１ａ，２１ａとされているととも
に、底面４５に沿う部分がそれぞれ第２外部端子部１１
ｂ，２１ｂとされている。第１の外部リード１１の先端
部はさらに折り曲げられて第３の側面に沿うようになさ
れて第３外部端子部１１ｃとされ、第２の外部リード２
１の先端部もさらに折り曲げられて第４の側面４４に沿
うようになされて第３外部端子部２１ｃとされている。
【００６０】このような構成では、第１の側面４１およ
び底面４５のそれぞれにアノードおよびカソードの対が
形成されているために、第１の側面および底面４５のそ
れぞれを実装面とすることができる。また、各外部リー
ド１１，２１の先端部がそれぞれ第３または第４の側面
４３，４４に沿うようになされており、これによって樹
脂パッケージ４の底面４５における２つの角部が囲まれ
るような恰好とされて補強されている。
び底面４５のそれぞれにアノードおよびカソードの対が
形成されているために、第１の側面および底面４５のそ
れぞれを実装面とすることができる。また、各外部リー
ド１１，２１の先端部がそれぞれ第３または第４の側面
４３，４４に沿うようになされており、これによって樹
脂パッケージ４の底面４５における２つの角部が囲まれ
るような恰好とされて補強されている。
【００６１】もちろん、外部リード１１，２１が２つと
された半導体装置Ｘ２において、各外部リード１１，２
１が２つの先端部を有する分岐状としてもよい。すなわ
ち、図１９に示したように、各外部リード１１，２１の
一方の先端部のそれぞれが折り曲げられて底面４５に沿
うようになされ、他方の先端部のそれぞれが折り曲げら
れずに第１の側面４１の両側縁から突出したような構成
であってもよい。また、図２０に示したように、各外部
リード１１，２１の他方の先端部も折り曲げられ、それ
ぞれが第３または第４の側面４３，４４に沿うようにな
された構成であってもよい。
された半導体装置Ｘ２において、各外部リード１１，２
１が２つの先端部を有する分岐状としてもよい。すなわ
ち、図１９に示したように、各外部リード１１，２１の
一方の先端部のそれぞれが折り曲げられて底面４５に沿
うようになされ、他方の先端部のそれぞれが折り曲げら
れずに第１の側面４１の両側縁から突出したような構成
であってもよい。また、図２０に示したように、各外部
リード１１，２１の他方の先端部も折り曲げられ、それ
ぞれが第３または第４の側面４３，４４に沿うようにな
された構成であってもよい。
【００６２】次に、本願発明の第４の実施形態に係る半
導体装置について図２１および図２２を参照しつつ説明
する。なお、図２１は、上記半導体装置の全体斜視図、
図２２は、上記半導体装置の平面透視図である。また、
これらの図においては、本願発明の第１の実施形態に係
る半導体装置を説明するために参照した図面に表されて
いた部材および要素などと同等なものには同一の符号を
付してあり、第１の実施形態と共通な構成ついての詳細
な説明はここでは省略するものとする。
導体装置について図２１および図２２を参照しつつ説明
する。なお、図２１は、上記半導体装置の全体斜視図、
図２２は、上記半導体装置の平面透視図である。また、
これらの図においては、本願発明の第１の実施形態に係
る半導体装置を説明するために参照した図面に表されて
いた部材および要素などと同等なものには同一の符号を
付してあり、第１の実施形態と共通な構成ついての詳細
な説明はここでは省略するものとする。
【００６３】本実施形態の半導体装置Ｘ３は、コの字状
に形成された第１の内部リード１０に連続する２つの外
部リード１１，１２が樹脂パッケージ４の第１の側面４
１側に形成され、同じくコの字状とされた第２の内部リ
ード２０に連続する２つの外部リード２１，２２が第２
の側面４２側に形成されている点において上述した各実
施形態とは異なっている。第１および第３の外部リード
１１，１２のそれぞれの基端部は、第１の側面４１およ
び底面４５に沿うようになされており、第１の外部リー
ド１１の先端部は折り曲げられて第３の側面４３に沿う
ようになされ、第３の外部リード１２の先端部も折り曲
げられて第４の側面４４に沿うようになされている。一
方、第２および第４の外部リード２１，２２は、第２の
側面４２および底面４５に沿うようになされており、第
２の外部リード２１の先端部は折り曲げられて第３の側
面４３に沿うようになされ、第４の外部リード２２の先
端部も折り曲げられて第４の側面４４に沿うようになさ
れている。
に形成された第１の内部リード１０に連続する２つの外
部リード１１，１２が樹脂パッケージ４の第１の側面４
１側に形成され、同じくコの字状とされた第２の内部リ
ード２０に連続する２つの外部リード２１，２２が第２
の側面４２側に形成されている点において上述した各実
施形態とは異なっている。第１および第３の外部リード
１１，１２のそれぞれの基端部は、第１の側面４１およ
び底面４５に沿うようになされており、第１の外部リー
ド１１の先端部は折り曲げられて第３の側面４３に沿う
ようになされ、第３の外部リード１２の先端部も折り曲
げられて第４の側面４４に沿うようになされている。一
方、第２および第４の外部リード２１，２２は、第２の
側面４２および底面４５に沿うようになされており、第
２の外部リード２１の先端部は折り曲げられて第３の側
面４３に沿うようになされ、第４の外部リード２２の先
端部も折り曲げられて第４の側面４４に沿うようになさ
れている。
【００６４】このような構成では、樹脂パッケージ４の
底面４５にアノードおよびカソードの対が２組形成さ
れ、第３および第４の側面４３，４４にはアノードおよ
びカソードの対が１組ずつ形成されている。このため、
本実施形態の半導体装置Ｘ３では、樹脂パッケージ４の
底面４５、および第３および第４の側面４３，４４を実
装面とすることができる。しかも、各外部リード１１，
…によって樹脂パッケージ４の底面４５における四隅部
がそれぞれ囲まれた恰好とされおり、これによって上記
四隅部が補強されている。
底面４５にアノードおよびカソードの対が２組形成さ
れ、第３および第４の側面４３，４４にはアノードおよ
びカソードの対が１組ずつ形成されている。このため、
本実施形態の半導体装置Ｘ３では、樹脂パッケージ４の
底面４５、および第３および第４の側面４３，４４を実
装面とすることができる。しかも、各外部リード１１，
…によって樹脂パッケージ４の底面４５における四隅部
がそれぞれ囲まれた恰好とされおり、これによって上記
四隅部が補強されている。
【００６５】もちろん、本実施形態のように第１の外部
リード１１および第２の外部リード２１が互いに対向す
る第１の側面４１および第２の側面４２のそれぞれの側
に形成された構成の半導体装置Ｘ３においても、上述し
た各実施形態と同様にして種々に設計変更可能である。
すなわち、図２３に示したように第１ないし第４の外部
リード１１，…を、それぞれ２つの先端部を有する分岐
状に構成し、各先端部を側面４１，…または底面４５に
沿うようにしてもよい。また、図２４および図２５に示
したように、２つの外部リード１１，２１を有し、各外
部リード１１，２１が互いに対向する第１の側面４１側
および第２の側面４２側にそれぞれ形成された構成の半
導体装置Ｘ３において本願発明の技術思想を適用しても
よく、また図２６に示したように、２つの外部リード１
１，２１を有する半導体装置Ｘ３において、各外部リー
ド１１，２１が２つの先端部を有する分岐状としてもよ
い。
リード１１および第２の外部リード２１が互いに対向す
る第１の側面４１および第２の側面４２のそれぞれの側
に形成された構成の半導体装置Ｘ３においても、上述し
た各実施形態と同様にして種々に設計変更可能である。
すなわち、図２３に示したように第１ないし第４の外部
リード１１，…を、それぞれ２つの先端部を有する分岐
状に構成し、各先端部を側面４１，…または底面４５に
沿うようにしてもよい。また、図２４および図２５に示
したように、２つの外部リード１１，２１を有し、各外
部リード１１，２１が互いに対向する第１の側面４１側
および第２の側面４２側にそれぞれ形成された構成の半
導体装置Ｘ３において本願発明の技術思想を適用しても
よく、また図２６に示したように、２つの外部リード１
１，２１を有する半導体装置Ｘ３において、各外部リー
ド１１，２１が２つの先端部を有する分岐状としてもよ
い。
【図１】本願発明の第１の実施形態に係る半導体装置の
一例を表す全体斜視図である。
一例を表す全体斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】上記半導体装置の平面透視図である。
【図４】上記半導体装置の底面図である。
【図５】上記半導体装置の製造に用いられるリードフレ
ームの平面図である。
ームの平面図である。
【図６】ワイヤボンディング工程を説明するための図で
ある。
ある。
【図７】樹脂パッケージング工程を説明するための断面
図である。
図である。
【図８】上記半導体装置の外部リードをフォーミングし
ていない中間品の状態を表す全体斜視図である。
ていない中間品の状態を表す全体斜視図である。
【図９】図８の半導体装置の外部リードとなるべき部位
を下方に折り曲げた状態を表す全体斜視図である。
を下方に折り曲げた状態を表す全体斜視図である。
【図１０】図９の半導体装置の外部リードとなるべき部
位をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図で
ある。
位をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図で
ある。
【図１１】図１０の半導体装置の外部リードとなるべき
をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図であ
る。
をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図であ
る。
【図１２】図１の半導体装置を回路基板に実装した状態
を表す側面図である。
を表す側面図である。
【図１３】本願発明の第２の実施形態に係る半導体装置
の一例を表す全体斜視図である。
の一例を表す全体斜視図である。
【図１４】図１３の半導体装置を実装対象物（回路基板
など）に実装した状態を表す側面図である。
など）に実装した状態を表す側面図である。
【図１５】図１４のXV−XV線に沿う断面図である。
【図１６】図１３の半導体装置の変形例を表す全体斜視
図である。
図である。
【図１７】本願発明の第３の実施形態に係る半導体装置
の一例を表す全体斜視図である。
の一例を表す全体斜視図である。
【図１８】図１７の半導体装置の平面透視図である。
【図１９】図１７の半導体装置の変形例を表す全体斜視
図である。
図である。
【図２０】図１７の半導体装置の他の変形例を表す全体
斜視図である。
斜視図である。
【図２１】本願発明の第４の実施形態に係る半導体装置
の一例を表す全体斜視図である。
の一例を表す全体斜視図である。
【図２２】図２１の半導体装置の平面透視図である。
【図２３】図２１の半導体装置の変形例を表す全体斜視
図である。
図である。
【図２４】図２１の半導体装置の他の変形例を表す全体
斜視図である。
斜視図である。
【図２５】図２４の半導体装置の透視平面図である。
【図２６】図２１の半導体装置のさらに他の変形例を表
す全体斜視図である。
す全体斜視図である。
【図２７】従来の半導体装置の一例を表す全体斜視図で
ある。
ある。
【図２８】従来例の半導体装置の断面図である。
Ｘ，Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３ 半導体装置 ３ 半導体チップ（発光素子） ４ 樹脂パッケージ １０ 第１の内部リード １１ 第１の外部リード １２ 第３の外部リード ２０ 第２の内部リード ２１ 第２の外部リード ２２ 第４の外部リード ４１ 第１の側面（樹脂パッケージの） ４２ 第２の側面（樹脂パッケージの） ４３ 第３の側面（樹脂パッケージの） ４４ 第４の側面（樹脂パッケージの） ４５ 底面（樹脂パッケージの） Ｗ ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 慎一 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA38 DA25 DA41 DC23 5F088 AA07 BA16 JA12 JA18
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体チップが搭載される第１の内部リ
ードと、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続さ
れる第２の内部リードと、上記半導体チップ、ワイヤ、
第１内部リードおよび第２の内部リードを封入するよう
にして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成さ
れた樹脂パッケージと、上記第１の内部リードに連続す
るとともに上記樹脂パッケージの第１の側面側に形成さ
れた第１の外部リードと、上記第２の内部リードに連続
するとともに上記第１の側面側に形成された第２の外部
リードと、を備えた半導体装置であって、 上記第１の外部リードおよび第２の外部リードは、それ
らの基端部が上記第１の側面に沿うようになされている
とともに、上記第１の側面からさらに連続する各外部リ
ードが上記樹脂パッケージの底面に沿うようになされて
いることを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項２】 上記第１の内部リードに連続し、かつ上
記第１の側面に対向する第２の側面側に形成された第３
の外部リードと、上記第２の内部リードに連続し、かつ
上記第２の側面側に形成された第４の外部リードと、を
さらに有し、 上記第３の外部リードおよび第４の外部リードは、それ
ぞれの基端部が上記第２の側面に沿うようになされてい
るとともに、上記第２の側面からさらに連続する各外部
リードが上記底面に沿うようになされている、請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記第１の外部リードおよび第３の外部
リードの先端部は、上記底面から上記第１の側面および
第２の側面のそれぞれに繋がる第３の側面側にまで連続
して、この第３の側面に沿うようにしてそれぞれ形成さ
れており、上記第２の外部リードおよび第４の外部リー
ドの先端部は、上記底面から上記第３の側面に対向する
第４の側面側にまで連続して、この第４の側面に沿うよ
うにしてそれぞれ形成されている、請求項２に記載の半
導体装置。 - 【請求項４】 上記第１の外部リードおよび第２の外部
リードは、それぞれ２つの先端部を有する分岐状とされ
ており、それぞれの外部リードの一方の先端部は上記底
面に沿うようになされているとともに、他方の先端部は
上記第１の側面の両側端縁からそれぞれ突出するように
して上記第１の側面と略同一平面において広がってい
る、請求項１または２に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 上記第３の外部リードおよび第４の外部
リードは、それぞれ２つの先端部を有する分岐状とされ
ており、それぞれの外部リードの一方の先端部が上記樹
脂パッケージの底面に沿うようになされているととも
に、他方の先端部が上記第２の側面の両側端縁からそれ
ぞれ突出するようにして上記第２の側面と略同一平面に
おいて広がっている、請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 上記第１の外部リードないし第４の外部
リードは、それぞれ２つの先端部を有する分岐状とされ
ているとともに、それぞれの外部リードの一方の先端部
が上記底面に沿うようになされており、かつ、 上記第１の外部リードおよび第３の外部リードの他方の
先端部が上記第１の側面および第２の側面のそれぞれに
繋がる第３の側面に沿うようになされているとともに、
上記第２の外部リードおよび第４の外部リードの他方の
先端部が上記第３の側面に対向する第４の側面に沿うよ
うになされている、請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項７】 半導体チップが搭載される第１の内部リ
ードと、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続さ
れる第２の内部リードと、上記半導体チップ、ワイヤ、
第１の内部リードおよび第２の内部リードを封入するよ
うにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成
された樹脂パッケージと、上記第１の内部リードに連続
するとともに上記樹脂パッケージの第１の側面側に形成
された第１の外部リードと、上記第２の内部リードに連
続するとともに上記第１の側面に対向する第２の側面側
に形成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置
であって、 上記第１の外部リードは、その基端部が上記第１の側面
に沿うようになされているとともに、上記第１の側面か
らさらに連続して上記樹脂パッケージの底面、および上
記第１の側面および第２の側面のそれぞれに連続する第
３の側面に沿うようになされており、 上記第２の外部リードは、その基端部が上記第２の側面
に沿うようになされているとともに、上記第２の側面か
らさらに連続して上記樹脂パッケージの底面および上記
第３の側面に沿うようになされていることを特徴とす
る、半導体装置。 - 【請求項８】 上記第１の外部リードおよび第２の外部
リードは、上記樹脂パッケージの底面からさらに連続し
て上記第３の側面に沿うようになされている、請求項７
に記載の半導体装置。 - 【請求項９】 上記第１の外部リードおよび第２の外部
リードは、それぞれ２つの先端部を有する分岐状とされ
ており、かつ、 それぞれの外部リードの一方の先端部が上記樹脂パッケ
ージの底面に沿うようになされているとともに、他方の
先端部のそれぞれが上記第３の側面に沿うようになされ
ている、請求項７に記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 上記第１の内部リードに連続するとと
もにその基端部が上記第１の側面に沿うようになされた
第３の外部リードと、上記第２の内部リードに連続する
とともにその基端部が上記第２の側面に沿うようになさ
れた第４の外部リードと、をさらに有し、かつ、 上記第３の外部リードは、上記第１の側面からさらに連
続して上記底面および上記第３の側面に対向する第４の
側面に沿うようになされており、 上記第４の外部リードは、上記第２の側面からさらに連
続して上記底面および第４の側面に沿うようになされて
いる、請求項７ないし９のいずれかに記載の半導体装
置。 - 【請求項１１】 上記第３の外部リードおよび第４の外
部リードは、上記樹脂パッケージの底面からさらに連続
して上記第４の側面に沿うようにしてなされている、請
求項１０に記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 上記第３の外部リードおよび第４の外
部リードは、それぞれ２つの先端部を有する分岐状とさ
れており、かつ、 それぞれの外部リードの一方の先端部が上記樹脂パッケ
ージの底面に沿うようになされているとともに、他方の
先端部のそれぞれが上記第４の側面に沿うようになされ
ている、請求項１０に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 上記半導体チップは、発光素子または
受光素子である、請求項１ないし１２のいずれかに記載
の半導体装置。
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217349A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2007096325A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射線放出構成エレメント |
| JP2008198807A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Nichia Corp | 半導体装置 |
| JP2008235826A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
| JP2008258530A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009021473A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009021472A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009141370A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
| JP2010003743A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2013135226A (ja) * | 2011-12-24 | 2013-07-08 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオード |
| GB2498347A (en) * | 2012-01-10 | 2013-07-17 | Design Led Products Ltd | A lighting panel with side mounted top emitting LEDs |
| KR101380386B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2014-04-02 | 서울반도체 주식회사 | 고신뢰성을 갖는 발광 다이오드 패키지 |
| JP2014209602A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP24602398A patent/JP4028101B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4494654B2 (ja) * | 2001-01-17 | 2010-06-30 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2002217349A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2007096325A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射線放出構成エレメント |
| JP2008198807A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Nichia Corp | 半導体装置 |
| JP2008235826A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
| JP4689637B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
| US7812364B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| JP2008258530A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009021473A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009021472A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| KR101380386B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2014-04-02 | 서울반도체 주식회사 | 고신뢰성을 갖는 발광 다이오드 패키지 |
| JP2009141370A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
| US8138517B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-03-20 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode package |
| JP2010003743A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2013135226A (ja) * | 2011-12-24 | 2013-07-08 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオード |
| US8633507B2 (en) | 2011-12-24 | 2014-01-21 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | LED with versatile mounting ways |
| TWI462345B (zh) * | 2011-12-24 | 2014-11-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體 |
| GB2498347A (en) * | 2012-01-10 | 2013-07-17 | Design Led Products Ltd | A lighting panel with side mounted top emitting LEDs |
| JP2014209602A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US10153415B2 (en) | 2013-03-29 | 2018-12-11 | Nichia Corporation | Light emitting device having dual sealing resins |
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| Publication number | Publication date |
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