IT1263771B - Circuito di emissione dati di un dispositivo di memoria a semiconduttore - Google Patents

Circuito di emissione dati di un dispositivo di memoria a semiconduttore

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IT1263771B
IT1263771B ITMI930073A ITMI930073A IT1263771B IT 1263771 B IT1263771 B IT 1263771B IT MI930073 A ITMI930073 A IT MI930073A IT MI930073 A ITMI930073 A IT MI930073A IT 1263771 B IT1263771 B IT 1263771B
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Italy
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elevation
enabling
switching means
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Young-Rae Kim
Yun-Sang Lee
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

Circuito di emissione dati di un dispositivo di memoria a semiconduttore con transistor di elevazione e riduzione per emettere dati attraverso un'operazione di commutazione complementare, comprendente mezzi di precarica per precaricare una coppia di segnali di dati letti da una cella di memoria avente un dato livello di tensione in una prima modalità di funzionamento, mezzi di commutazione per collegare il segnale di uscita dei mezzi di precarico amplificati alle porte dei transistor di elevazione e riduzione, ed un circuito di abilitazione per collegare il segnale di uscita dei mezzi di commutazione alle porte dei transistor di elevazione e riduzione in una seconda modalità di funzionamento. I mezzi di commutazione sono un circuito di cambiamento di livello per controllare i transistor di elevazione e riduzione, i quali sono elementi di pilotaggio di uscita di dati, impiegando una sorgente di tensione costante per fornire un innalzamento di tensione Vpp aumentato oltre il livello Vcc di tensione di sorgente di un circuito integrato prima dell'abilitazione del circuito integrato. La prima e la seconda modalità di funzionamento rappresentano rispettivamente la disabilitazione e l'abilitazione del circuito di emissione dati all'emissione di dati.
ITMI930073A 1992-01-30 1993-01-19 Circuito di emissione dati di un dispositivo di memoria a semiconduttore IT1263771B (it)

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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9417265D0 (en) * 1994-08-26 1994-10-19 Inmos Ltd Controlling capacitive load
US5546338A (en) * 1994-08-26 1996-08-13 Townsend And Townsend Khourie And Crew Fast voltage equilibration of differential data lines
JP3672968B2 (ja) * 1995-05-29 2005-07-20 株式会社ルネサステクノロジ ブースト回路
KR0172380B1 (ko) * 1995-06-17 1999-03-30 김광호 반도체 메모리장치의 데이터 출력버퍼
JPH10241360A (ja) * 1997-02-24 1998-09-11 Kawasaki Steel Corp 半導体記憶装置
JP2002501654A (ja) * 1997-05-30 2002-01-15 ミクロン テクノロジー,インコーポレイテッド 256Megダイナミックランダムアクセスメモリ
US5940333A (en) * 1998-07-08 1999-08-17 Advanced Micro Devices, Inc. Recursive voltage boosting technique
JP2000040369A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US6141263A (en) * 1999-03-01 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Circuit and method for a high data transfer rate output driver
US6256235B1 (en) * 2000-06-23 2001-07-03 Micron Technology, Inc. Adjustable driver pre-equalization for memory subsystems
KR100764428B1 (ko) * 2000-08-30 2007-10-05 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 전압발생장치
KR20030053594A (ko) * 2001-12-22 2003-07-02 삼성전자주식회사 커플링 효과를 감쇄시킬 수 있는 데이터 출력방법 및출력회로
KR100486263B1 (ko) * 2002-09-19 2005-05-03 삼성전자주식회사 Sdr/ddr 겸용 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로
KR100499405B1 (ko) * 2002-11-25 2005-07-05 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력버퍼 제어회로
KR100670682B1 (ko) * 2005-02-04 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자에서의 데이터 출력 회로 및 방법
KR100736039B1 (ko) 2005-08-04 2007-07-06 삼성전자주식회사 사용자의 시청 등급을 기초로 프로그램 등급 및 시청량을표시하는 디스플레이 장치 및 그 방법
US7818135B2 (en) * 2008-05-30 2010-10-19 Agere Systems Inc. Optimum timing of write and read clock paths

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6196587A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 Toshiba Corp センスアンプ回路
JPS61110399A (ja) * 1984-11-05 1986-05-28 Toshiba Corp ダイナミツクメモリのデ−タ出力回路
JPH0612632B2 (ja) * 1987-02-27 1994-02-16 日本電気株式会社 メモリ回路
JPH01192081A (ja) * 1988-01-27 1989-08-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH01300493A (ja) * 1988-05-27 1989-12-04 Ricoh Co Ltd 記憶装置
KR910008101B1 (ko) * 1988-12-30 1991-10-07 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 소자의 피드백형 데이타 출력 회로
JPH035992A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US4963766A (en) * 1989-06-28 1990-10-16 Digital Equipment Corporation Low-voltage CMOS output buffer
US4991140A (en) * 1990-01-04 1991-02-05 Motorola, Inc. Integrated circuit memory with improved di/dt control
KR930003929B1 (ko) * 1990-08-09 1993-05-15 삼성전자 주식회사 데이타 출력버퍼

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GB9300855D0 (en) 1993-03-10
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KR930017021A (ko) 1993-08-30
FR2687003A1 (fr) 1993-08-06

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