FR2948354A1 - Production de silanes a partir d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux - Google Patents

Production de silanes a partir d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux Download PDF

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Abstract

Procédé de préparation d'un composé ou d'un mélange de composés de formule Si H dans laquelle n est un entier supérieur ou égal à 1 et inférieur ou égal à 3, comprenant une étape a) de réaction d'au moins un siliciure ou alliage de silicium sous forme de poudre de formule M M Si dans laquelle M est un métal réducteur, M un métal alcalin ou alcalino-terreux, x, y et z varient de 0 à 1, z étant différent de 0 et la somme x+y différente de 0, avec de l'acide chlorhydrique préalablement dissous dans un solvant aprotique de type éther.

Description

La présente invention concerne la production des hydrures de silicium ou silanes à partir d'alliages de silicium ou de siliciures.
Certains silanes et plus particulièrement le monosilane, ou tétrahydrure de silicium (SiH4) sont utilisés comme vecteur de silicium dans des techniques de dépôts de silicium amorphe, silicium polycristallin, silicium nanocristallin ou microcristallin aussi appelé nano ou micromorphe, de silice, de nitrure de silicium, ou autre composé de silicium par exemple dans des techniques de dépôt en phase vapeur. Les dépôts en couche mince de silicium amorphe, et silicium microcristallin obtenu à partir de silane, permettent de fabriquer des piles solaires. On peut également obtenir des revêtements résistants à la corrosion par les acides, par craquage de silane et fabrication de composés tels que le carbure de silicium. Enfin, le silane est susceptible de s'additionner sur les liaisons simples ou multiples des hydrocarbures insaturés pour donner des organosilanes. Le marché du monosilane va connaître une très forte expansion à la fois pour la fabrication des semiconducteurs intégrés et la fabrication des piles solaires (photovoltaïques) couches mince ou cristalline, les composants semiconducteurs et la fabrication d'écrans plats. Plusieurs types de procédés décrits ci-dessous ont été utilisés jusqu'à maintenant. Tout d'abord la réduction de SiCI4 par LiH dans un bain de KCl/LiCI à des températures entre 450°C et 550°C est connue. Le rendement de la réaction est intéressant mais le procédé repose, d'une part, sur la disponibilité de LiH alors que les ressources de lithium sont très limitées et d'autre part sur la possibilité de recycler le lithium métal par électrolyse. Le milieu réactionnel est très corrosif et met en oeuvre des matériaux particuliers. Ce procédé a été utilisé pour produire des petites quantités de silane. La réduction de SiF4 par NaAIH4 en milieu solvants organiques est un autre exemple. Ce procédé n'est industriellement viable que lorsqu'il existe du SiF4, sous-produit d'une autre production chimique et du sodium pour fabriquer 2948354 -2- l'hydrure d'aluminium sodium. Ce procédé n'est pas facilement utilisable, notamment pour ces deux raisons. Une autre réaction connue est l'attaque acide en milieu NH3 liquide d'un alliage stoechiométrique Mg2Si. Le bilan de la réaction est le suivant : 5 Mg2Si + 4 HCI - SiH4 + 2 MgCl2 NH3 liq. Ce procédé est réalisé à température proche de la température ambiante à pression atmosphérique. Le siliciure de magnésium (Mg2Si) a été abondamment testé en milieu aqueux et ammoniac. Bien que suffisamment acceptable pour 10 conduire à des unités de productions industrielles, le procédé présente les inconvénients majeurs suivants : • Le siliciure de magnésium industriel du fait de la volatilité du magnésium ne contient que 70% à 80 % du composé stoechiométrique. Les conditions de fabrication du composé stoechiométrique en font un produit trop cher pour 15 cette industrie. • En parallèle de la production du monosilane par cette voie, beaucoup de silanes supérieurs dont des polychlorosilanes, des siloxanes et des gommes de silicones sont fabriqués, rendant le bilan de matière en monosilane peu intéressant et induisant des difficultés importantes de 20 gestion du procédé. Ce procédé n'est pas satisfaisant à cause de la difficulté du pilotage du procédé et de la mise en oeuvre d'ammoniac liquide très réglementée. Une autre réaction connue est la dismutation du SiHCI3 sur des résines comportant des groupes aminés greffés ou autres. Le procédé complet se décrit 25 ainsi : a) 4 Si métal. + 12 HCI - 4 SiHCI3 + 4 H2 (température comprise entre environ 300°C et environ 1000°C) b) 4 SiHCI3 F- SiH4 + 3 SiCl4 (température proche de l'ambiante) c) 3 SiCl4 + 3 H2 -) 3 SiHCI3 + 3 HCI (température d'environ 1000°C), 30 soit le bilan réactionnel suivant: 4 Si métal + 9 HCI ) SiH4 + 3 SiHCI3 + H2 Une variante de la réaction ci-dessus se décrit ainsi : a) 4 Si métal + 16 HCI -) 4 SiCl4 + 8 H2 (température comprise entre environ 1000°C et environ 1100°C) 2948354 -3- b) 4 SiCI4 + 4 H2 - 4 SiHCI3 + 4 HCI (température d'environ 1000°C) 4 SiHCI3 - SiH4 + 3 SiCI4, soit le bilan réactionnel suivant: 4 Si métal + 12 HCI SiH4 + 3 SiCI4 + 4 H2 5 Ce procédé demande des hautes températures dans un milieu extrêmement corrosif et consomme beaucoup d'énergie (environ 50 kWh/kg pour l'étape b)). Pour atteindre le maximum de rendement, l'étape b) requière de nombreuses boucles de recirculation de mélanges de chlorosilanes. Outre la mise 10 en oeuvre de produits extrêmement corrosifs, toxiques et inflammables, un tel type de procédé est très couteux en énergie et présente beaucoup de risques industriels. La génération de monosilane et silanes supérieurs a été décrite dans le Handbook of Inorganic Chemistry Gmelin Si-Silicon, en faisant réagir en phase 15 aqueuse, des siliciures et alliages de silicium en milieu acide ou basique. Dans les demandes de brevet EP146456 et WO2006/041272, la synthèse du monosilane en phase aqueuse en faisant tomber une poudre de Alx Siy Gaz, x, y et z représentant les pourcentages respectivement d'aluminium, de silicium et de calcium, dans une solution de HCI, est décrite. La composition des gaz produits 20 était environ 80% de monosilane, 10% de disilane et 5% de trisilane ainsi que des traces de disiloxane. Ce type de procédé présente l'inconvénient de la manipulation et du stockage de HCI pur ou fortement concentré. Des sous-produits issus d'une telle réaction sont produits en grande quantité et sont néfastes pour l'environnement (en particulier des chlorures). Un autre 25 inconvénient d'un tel procédé est la formation en abondance d'une mousse dans le milieu réactionnel, ce qui diminue le rendement de la réaction et nécessite la présence d'un anti-moussant. Une telle réaction est très exothermique et des températures supérieures à 100°C sont assez vite atteintes si la vitesse d'introduction de la poudre d'alliage n'est pas considérablement réduite. 30 Tous ces travaux décrits ci-dessus ne garantissent pas les conditions nécessaires à la réalisation d'un procédé rentable pour un développement industriel. La mise au point de procédés impliquant des conditions de réaction moins difficiles et ou permettant d'être utilisés pour des petites et moyennes unités 2948354 -4- dans la quasi-totalité des environnements et à proximité de l'usage du monosilane est un enjeu majeur pour les industries citées plus haut. Il a été trouvé un procédé simple, utilisant des matières premières peu coûteuses et produisant des hydrures de silicium avec un rendement industriel et 5 ne présentant pas tous les inconvénients vus ci-dessus. Un but de la présente invention est de pallier tout ou partie des inconvénients de l'art antérieur relevés ci-dessus. L'objet de l'invention décrite ci-après est de proposer des optimisations supplémentaires du procédé partant des alliages AISiCa en réduisant au maximum les inconvénients mentionnés ci- 10 dessus. A cette fin, l'invention a pour objet un procédé de préparation d'un composé ou d'un mélange de composés de formule SinH2n+2 dans laquelle n est un entier supérieur ou égal à 1 et inférieur ou égal à 3, comprenant une étape a) de réaction d'au moins un siliciure ou alliage de silicium sous forme de poudre de formule 15 M'XM2ySi, dans laquelle M' est un métal réducteur, M2 un métal alcalin ou alcalino-terreux, x, y et z varient de 0 à 1, z étant différent de 0 et la somme x+y différente de 0, avec de l'acide chlorhydrique préalablement dissous dans un solvant aprotique de type éther. Les métaux réducteurs sont par exemple Al, B, Ga, ln. Les métaux alcalins sont par exemple Li, Na, K, Cs. Les métaux alcalino-terreux 20 sont par exemple Mg, Ca, Sr, Ba. Par ailleurs, des modes de réalisation de l'invention peuvent comporter l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : - Dans le procédé tel que défini ci-dessus, ledit solvant aprotique est le tétrahydrofurane (THF). 25 - Le procédé ci-dessus est caractérisé en ce que M' est l'aluminium et M2 est le calcium ou le magnésium. - Le procédé ci-dessus est caractérisé en ce que l'alliage de silicium a pour formule CaAI2Si2. - Le procédé ci-dessus est caractérisé en ce que la solution de 30 tétrahydrofurane contenant l'acide chlorhydrique est injectée de façon à éliminer en permanence de la surface du siliciure ou alliage de silicium, les chlorures formés au cours de la réaction de l'étape a). 2948354 -5- - Le procédé ci-dessus est caractérisé en ce que l'étape a) est conduite à une température comprise entre 20°C et 130°C et à une pression comprise entre 1 bar et 10 bars. - Le procédé ci-dessus est caractérisé en ce que la granulométrie de l'alliage 5 de silicium est comprise entre 0,2 mm et 0,9 mm et de préférence entre 0,2 mm et 0,5 mm. - Le procédé ci-dessus comprend en outre une étape de recyclage dudit solvant aprotique non utilisé lors de l'étape a), par chauffage de ce dernier à une température supérieure à 170°C. 10 - Le procédé ci-dessus comprend les étapes : a') Mélange d'acide chlorhydrique avec un éther couronne tel que le tétrahydrofurane ; b') Mélange entre ledit alliage de silicium et le mélange issu de l'étape a') ; c') Distillation fractionnée à une pression proche de la pression ambiante 15 destinée à séparer le monosilane des silanes supérieurs et autres composés volatils. La présente invention a également pour objet une unité sur site, de mise en oeuvre du procédé de fabrication de silanes tel que défini ci-dessus comprenant : - au moins un réacteur équipé de moyens d'introduction de l'alliage de 20 silicium en poudre et de moyens d'introduction d'une solution de l'éther couronne, tel que le tétrahydrofurane, contenant de l'acide chlorhydrique; - un circuit d'épuration comprenant une colonne de fractionnement pour séparer les silanes et une colonne de double distillation pour récupérer le monosilane pur et/ou un mélange de silane et de disilane; 25 - au moins un moyen de recyclage destiné à recycler dans le réacteur l'éther couronne tel que le tétrahydrofurane non utilisé lors de la réaction entre ledit alliage de silicium et l'acide chlorhydrique préalablement dissous dans de l'éther couronne, tel que le tétrahydrofurane. L'alliage de silicium est choisi parmi CaAI2Si2, Sio,5Mg, Sio,5Ca, AISiCa, 30 CaSi, Cao,5Si, MgSi, AISiNa, AISiMg, SiNa, AISiLi, SiK, Cao55AISio333 et Cao,5AISio,75, ou un mélange de ceux-ci, de préférence Sio,5Mg, AISiNa, SiNa, Sio,25Li, Sio,25Na, Sio225K, ou SiK. D'autres alliages de silicium qui conviennent pour la présente invention sont les alliages de type ferosilicium, par exemple FeSi, FeSiMg, FeSiCa. -6- De préférence, l'alliage mis en oeuvre dans le procédé objet de la présente invention est la composition CaAI2Si2 qui est la phase la plus active donnant les meilleurs rendements. Par silanes supérieurs on comprend les composés de formules SinH2n+2, n 2 dont le disilane, trisilane ou tétrasilane. Les alliages ou siliciures employés dans la mise en oeuvre du procédé selon l'invention sont des alliages ou siliciures servant également à piloter le moussage et la désoxygénation des laitiers en fonderies d'acier. Ce sont des produits industriels à bas coût et facilement produits. Un des avantages du procédé objet de l'invention est de pouvoir mener les réactions dans les conditions proches des conditions ambiantes (température et pression) dans des matériels courants dans l'industrie chimique minérale tels que des réacteurs en verre armé par exemple. Les procédés mettant en jeu ces alliages ou siliciures peuvent permettre de produire le silane dans des unités de petites et moyennes tailles au plus proche des marchés. Quels que soient les alliages et siliciures disponibles et les contraintes d'exploitation et d'environnement, la même unité peut être utilisée en ajustant les paramètres de fonctionnement. Dans tous les cas, les sous-produits sont des produits minéraux valorisables ou réutilisables. Il a également été découvert que la granulométrie de la poudre d'alliage a une influence sur la cinétique de la réaction et en conséquence sur le rendement de la réaction. La cinétique croit lorsque la taille des particules diminue. La formation de mousses au cours de la réaction constitue le facteur limitant la taille des particules. Toutes conditions égales par ailleurs, lorsque la taille des particules est divisée par 10, la quantité de silane produite dans le même temps est multipliée par environ 15. Le procédé selon l'invention présente également l'avantage que la proportion de monosilane formé par rapport aux silanes produits lors de la réaction est au moins égale à 60%, ce qui est important compte tenu du fait que le silane recherché pour les applications visées par la présente invention est surtout le monosilane. Selon un mode préféré de la présente invention, l'alliage mis en oeuvre est CaAI2Si2. Les inventeurs ont constaté que de manière surprenante et inattendue, il s'agissait de l'alliage procurant les meilleurs résultats.
SiH4 1 kg HCI 4,56 kg AICI3 4,17 kg CaCl2 1,74 kg SiH4 1 kg HCI 4,56 kg MgCl2 5,94 kg On voit que les deux voies conduisent à des balances de matières équivalentes.
15 Selon un mode particulier, la présente invention porte sur une réaction d'alliage d'aluminium contenant au moins 90% de CaAI2Si2 et moins de 10% de CaSi2 en poids. Le procédé objet de la présente invention met en oeuvre un solvant aprotique de type éther et préférentiellement le tétrahydrofurane (THF). D'autres 20 solvants sont envisageables, par exemple, le diéthyléther, le diméthyléther, le diglyme (di(2-méthoxyéthyl)ether), ou le triglyme. Un tel solvant a pour avantage d'éviter la formation de siloxanes et hydroxydes de silicium. Dans un exemple de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, l'acide 25 chlorhydrique (HCI) est d'abord dissous dans un solvant tel que le THF afin de former un milieu réactionnel homogène. Le THF dissous en grande quantité les chlorures des métaux alcalinoterreux et aluminium grâce à sa fonction d'éther couronne et l'acide HCI dissous dans du THF réagit très rapidement avec les métaux pour former les 30 chlorures correspondants qui se dissolvent en même temps dans le THF. Grâce à cette activité renforcée de l'acide HCI pour les métaux, la réaction s'orientera préférentiellement vers la production de chlorures métalliques (comme AICI3) au lieu de la production concurrente de chlorosilanes. -7- L'équation théorique de production de monosilane s'écrit comme suit : CaAI2Si2 + 8 HCI - 2 SiH4 + 2 AICI3 + CaCl2 Soit pour un rendement de 100 % : A titre de comparaison, l'équation à partir de Mg2Si donne : Mg2Si + 4 HCI - SiH4 + 2 MgCl2 10 Soit pour un rendement de 100 % : 2948354 -8- Selon un mode préféré du procédé selon l'invention, la solution de THF contenant le HCI sera injectée de façon à laver en permanence la surface de l'alliage afin d'aboutir à la réaction quasi-complète du milieu solide et en proportion telle qu'il n'y aura pas d'excès de HCI non réagi présent dans le milieu.
5 Il est connu que lors de la production de silane à partir de Mg2Si, telle que décrite ci-dessus, la réaction de HCI en milieu aqueux ou ammoniac liquide s'accompagne de la formation de silanes supérieurs allant jusqu'à des gommes de silicones très visqueuses et inflammables. Ceci s'explique par le fait que la liaison Si-H est très labile avec un caractère ionique prononcé (Si+ -- H-). Les chlorures dont MgCl2, CaCl2, AICI3, catalysent facilement la polymérisation linéaire ou ramifiée pour donner des chaînes du types H-(SiH2)n-H. Au cours de la mise en oeuvre d'un mode particulier du procédé objet de la présente invention, la solution HCI dans THF lave la poudre d'alliage de façon à dissoudre les chlorures en permanence. Ainsi les silanes désirés sont séparés des chlorures immédiatement après leur formation. En outre, en restant à une température largement inférieure à 200°C, les risques de formation de chlorosilanes par réaction entre les silanes légers et HCI sont très faibles. D'autres particularités et avantages apparaîtront à la lecture de la description ci-après, faite en référence à la figure 1. - La figure 1 représente un schéma d'une installation servant à mettre en oeuvre le procédé selon l'invention. L'unité de production 1 comporte au moins trois parties contenant un réacteur 2, un système d'épuration 3 et un système de recyclage 4 du solvant issu du réacteur 2. La réaction de production de silanes a lieu dans un réacteur 2 muni d'un moyen de mélange 40 tel qu'un racleur ou un malaxeur. Le réacteur 2 est rempli à l'aide d'un alliage de silicium, tel que le CaAl2Si2, issu d'une source 5 d'une part et d'autre part, depuis une source 6, d'une solution contenant un acide, tel que HCI par exemple, préalablement mélangé à un solvant aprotique de type éther, tel que le THF. Les proportions du mélange étant choisies préalablement à la réaction, par l'utilisateur dans le but d'obtenir le rendement le meilleur possible compte tenu des problèmes à résoudre identifiés plus haut. Le réacteur 2 peut par exemple être solidaire d'un couvercle amovible par le haut fixé par des arceaux. Le 2948354 -9- couvercle dispose d'une ouverture étanche permettant de connecter une trémie 7 étanche. De préférence, le réacteur est entouré d'une gaine d'isolation thermique. Au voisinage du réacteur 2, un moyen 7 d'écoulement de l'alliage de silicium est présent. Un tel moyen d'écoulement est par exemple une trémie 7 5 initialement remplie d'un alliage de silicium sous forme de poudre de formule M'XM2ySiZ dans laquelle M' est un métal réducteur, M2 un métal alcalin ou alcalino-terreux, x, y et z variant de 0 à 1, z étant différent de O. De préférence, l'alliage est le CaAI2Si2. Par exemple, la trémie 7 comporte une vis sans fin et un boyau de constriction permettant d'isoler la trémie 7 du réacteur 2. La conception de la 10 trémie 7 est par exemple similaire aux trémies utilisées pour verser le carbure de calcium dans les réacteurs d'acétylène. L'alliage est amené dans des fûts semblables aux fûts utilisés pour transporter le carbure de calcium dans les unités de production d'acétylène. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, au-dessus du 15 couvercle du réacteur 2, sont disposées deux vannes étanches, de gaz, d'isolement en série comportant entre les deux, un piquage latéral permettant de purger le réacteur 2 avant déconnection. Un dispositif 8 analogue équipe la sortie du fond du réacteur 2 pour évacuer les liquides. Le fond du réacteur 2 est obturé par un moyen 9, par exemple un dôme, évitant aux produits liquides de stagner 20 dans le canal de fond. Ce dôme se soulève en actionnant la vanne 8 de fond. Les liquides sont envoyés vers un système de cristalliseur 10 via une conduite 11. Afin de récupérer les silanes désirés, les produits issus du réacteur 2 qui ne sont pas envoyés vers le système cristalliseur 10 sont dirigés vers un système d'épuration 3 par une conduite 12. Ledit système d'épuration 3 comporte au moins 25 une colonne de fractionnement présente pour séparer les silanes des autres produits présents et enfin une colonne de double distillation servant à récupérer le monosilane pur, utilisé ensuite pour les applications désirées. Il est également prévu, un système de fractionnement apte à délivrer un mélange silane / disilane. En effet, l'utilisation d'un mélange contenant environ 80% de silane et 30 environ 20% de disilane peut être envisagée dans des techniques de dépôts de silicium. Ainsi, selon un mode particulier, l'invention a pour objet un procédé et une unité de production permettant de produire en continu des mélanges de silanes gazeux dont les mélanges monosilane/disilane. Ces mélanges sont utilisables 2948354 -10- directement pour la fabrication des piles solaires en couches minces. Le procédé permet de produire des mélanges de composition typique 80% de monosilane et 20% de disilane en volume. La poudre du composé (l'alliage de silicium, par exemple CaAI2Si2) est 5 introduite dans le réacteur 2 en continu par la trémie 7. Le réacteur 2 est constitué d'un premier fond légèrement tronconique 13 constitué d'un média filtrant métallique 15 sur lequel est ajouté un média filtrant organique 14, par exemple un papier filtre, dont le but est de retenir les particules n'ayant pas réagi. Le fond tronconique 13 contient en son milieu un trou obturé par une bonde amovible 10 mécaniquement de l'extérieur. Le réacteur 2 renferme également un racleur 40 dont la fonction est de brasser la poudre du composé. De l'acide, par exemple l'acide chlorhydrique (HCI), gazeux est injecté par des diffuseurs 16 au-dessus du niveau maximum 17 prévu pour le niveau de solide contenu dans le fond tronconique. Le solvant aprotique, tel que le THF, 15 liquide provient du ou des condenseurs 18 surmontant le réacteur 2. Le THF gazeux provenant du ou des cristallisateurs 10 est injecté dans le réacteur 2, sous les condenseurs 18. Dans un exemple de mise en oeuvre particulier de la présente invention, par le dispositif ici décrit, la poudre du composé alliage injectée par la trémie 7, rencontre d'abord une atmosphère composée de THF gazeux, de HCI 20 gazeux, puis un liquide contenant le mélange THF-HCI. Le composé alliage commence donc, avant de rencontrer le fond tronconique, au contact du HCI et THF gazeux, par former des silanes évacués vers le système d'épuration 3 via la conduite 19. Les chlorures, comme AICI3 ou CaCl2 issus de la réaction entre l'alliage et le HCI dissous dans le solvant, sont eux-mêmes dissous par le THF 25 présent dans le fond tronconique 13, puis évacués via la conduite 11 et le système d'évacuation des liquides 8. Ces produits liquides (CaCl2, AICI3, THF....) atteignent ensuite le système de cristalliseur(s) 10. Une fois que la solution de THF contenant les chlorures (CaCl2 et AICI3) a traversé la couche de composé alliage reposant sur le fond tronconique 13, ladite solution est dirigée vers un ou plusieurs 30 cristallisateurs 10 fonctionnant à plus de 170°C pour évaporer le THF et précipiter les chlorures solides. Ces chlorures peuvent être soit extraits en l'état pour être recyclés, soit dissous dans de l'eau pour faire une saumure transportée vers des unités de recyclage. Grâce au flux liquide s'écoulant à l'aide du THF provenant des condenseurs 18, les vapeurs de HCI n'ayant pas réagi et les poussières du 2948354 -11- composé alliage sont piégées et entraînées vers le fond tronconique 13 où se trouve une couche du composé alliage n'ayant pas encore réagi. Le flux liquide de THF-HCI traverse cette couche en réagissant avec le composé alliage tandis que le THF dissous les chlorures préalablement formés. De préférence, le procédé est 5 régulé de façon à ce que le débit de THF circulant dans le réacteur 2 soit 4 à 5 fois le débit de HCI en masse. Les conditions générales de la réaction sont comprises de préférence, pour la pression entre 1 bar et 10 bars, et pour la température entre 50°C et 130°C. Un avantage du THF est de dissoudre les polymères silicones qui pourraient se former lors de la réaction. Ainsi, le THF est recyclé par 10 chauffage de la solution après réaction au moins à 170°C. En outre, le THF peut dissoudre les polymères silicones qui pourraient se déposer sur les parois froides du système.

Claims (10)

  1. REVENDICATIONS1. Procédé de préparation d'un composé ou d'un mélange de composés de formule SinH2n+2 dans laquelle n est un entier supérieur ou égal à 1 et inférieur ou égal à 3, comprenant une étape a) de réaction d'au moins un siliciure ou alliage de silicium sous forme de poudre de formule M'XM2ySiZ dans laquelle M' est un métal réducteur, M2 un métal alcalin ou alcalino-terreux, x, y et z varient de 0 à 1, z étant différent de 0 et la somme x+y différente de 0, avec de l'acide chlorhydrique préalablement dissous dans un solvant aprotique de type éther.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit solvant aprotique est le tétrahydrofurane (THF).
  3. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que M' est l'aluminium et M2 est le calcium ou le magnésium.
  4. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'alliage de 20 silicium a pour formule CaAl2Si2.
  5. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la solution de tétrahydrofurane contenant l'acide chlorhydrique est injectée de façon à éliminer en permanence de la surface du siliciure ou alliage de silicium, 25 les chlorures formés au cours de la réaction de l'étape a).
  6. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'étape a) est conduite à une température comprise entre 20°C et 130°C et à une pression comprise entre 1 bar et 10 bars.
  7. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la granulométrie de l'alliage de silicium est comprise entre 0,2 mm et 0,9 mm et de préférence entre 0,2 mm et 0,5 mm. 30 2948354 -13-
  8. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, comprenant en outre une étape de recyclage dudit solvant aprotique non utilisé lors de l'étape a), par chauffage de ce dernier à une température supérieure à 170°C. 5
  9. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, comprenant les étapes : a') Mélange d'acide chlorhydrique avec un éther couronne tel que le tétrahydrofurane ; b') Mélange entre ledit alliage de silicium et le mélange issu de l'étape a') ; 10 c') Distillation fractionnée à une pression proche de la pression ambiante destinée à séparer le monosilane des silanes supérieurs et autres composés volatils.
  10. 10. Unité sur site (1), de mise en oeuvre du procédé de fabrication de 15 silanes selon l'une des revendications 1 à 9, comprenant : - au moins un réacteur (2) équipé de moyens (5, 7) d'introduction de l'alliage de silicium en poudre et de moyens (6, 16) d'introduction d'une solution de l'éther couronne, tel que le tétrahydrofurane, contenant de l'acide chlorhydrique; - un circuit d'épuration (3) comprenant une colonne de fractionnement pour séparer les silanes et une colonne de double distillation pour récupérer le monosilane pur et/ou un mélange de silane et de disilane; - au moins un moyen de recyclage (4) destiné à recycler dans le réacteur (2), le tétrahydrofurane non utilisé lors de la réaction entre ledit alliage de silicium et l'acide chlorhydrique préalablement dissous dans de l'éther couronne, tel que le tétrahydrofurane.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2977579B1 (fr) * 2011-07-08 2015-10-16 Air Liquide Electronics Sys Procede de preparation de monosilane electrochimiquement assiste
FR2989075B1 (fr) * 2012-04-06 2014-05-16 Air Liquide Production de silanes a partir d'alliages de silicium de formule caxmgysiz
FR2989074B1 (fr) * 2012-04-06 2014-09-26 Air Liquide Procede de production de germane et de silane
FR2989073B1 (fr) * 2012-04-06 2014-07-04 Air Liquide Production de silanes a partir d'alliages fluidises de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux
FR2989076B1 (fr) * 2012-04-06 2014-05-16 Air Liquide Production de silanes a partir de cacl2 et d'alliages de silicium et de metaux alcalino-terreux ou siliciures de metaux alcalino-terreux
JP6280515B2 (ja) * 2015-03-31 2018-02-14 信越化学工業株式会社 炭素被膜形成装置、炭素被膜形成方法、リチウムイオン電池用負極材の製造方法、及びリチウムイオン電池の製造方法
CN109626379A (zh) * 2017-10-09 2019-04-16 烟台万华电子材料有限公司 合金化复合物与氯化铵在液氨中反应生产硅烷类产品的方法及设备
US10752507B2 (en) * 2018-10-11 2020-08-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Process for producing liquid polysilanes and isomer enriched higher silanes
CN115849384B (zh) * 2022-11-30 2023-11-07 华陆工程科技有限责任公司 一种多晶硅高沸物的裂解处理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4610859A (en) * 1983-12-29 1986-09-09 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Process for producing silicon hydrides
US4698218A (en) * 1983-12-19 1987-10-06 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process and the apparatus for the production of silicon hydrides

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006041272A1 (fr) 2004-10-12 2006-04-20 The Ministry Of Education And Sciences Of Republic Kazakhstan Republican State Enterprise 'center Of Chemical-Technological Researches' Procede de production de silane

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4698218A (en) * 1983-12-19 1987-10-06 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process and the apparatus for the production of silicon hydrides
US4610859A (en) * 1983-12-29 1986-09-09 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Process for producing silicon hydrides

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MUKASHEV B N ET AL: "A metallurgical route to produce upgraded silicon and monosilane", SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL, vol. 93, no. 10, 5 July 2009 (2009-07-05), pages 1785 - 1791, XP026459894, ISSN: 0927-0248, [retrieved on 20090705] *

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