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Hintergrund der Erfindung
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1. Gebiet der Erfindung
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Diese
Erfindung bezieht sich auf einen Leistungsverstärker mit Gegentaktbetrieb für den Einsatz
in tragbaren Telefonen, usw.
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2. Verwandte
Technik der Erfindung
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Der
Aufbau eines Gegentakt-Leistungsverstärkers, der bisher auf ein und
demselben Halbleiterchip implementiert war, kann in dem Blockdiagramm
von 5 gezeigt werden. Unter Bezug auf 5 wird
ein Eingabesignal von einem Eingabeanschluss 51 durch eine
Symmetriergliedschaltung an der Eingabeseite 52 in zwei
Signale geteilt, wobei jedes die gleiche Leistung und eine Phasendifferenz
von 180 Grad zueinander besitzt. Für eines der geteilten Signale
passt eine erste Eingabe-Anpassungsschaltung 53 Impedanz
an und das Signal wird über
einen ersten Transistor 54 verstärkt. Danach passt eine erste
Ausgabe-Anpassungsschaltung 55 Impedanz für das Signal
an und darauf wird das Signal in einen der beiden Eingänge einer
Symmetriergliedschaltung an der Ausgabeseite 56 eingegeben.
Auf dieselbe Art passt eine zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 57 Impedanz
für das
andere der geteilten Signale an und das Signal wird über einen
zweiten Transistor 58 verstärkt. Danach passt eine zweite
Ausgabe-Anpassungsschaltung 59 Impedanz für das Signal an
und das Signal wird in den anderen Eingang der Symmetriergliedschaltung
an der Ausgabeseite 56 eingegeben.
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Die
Symmetriergliedschaltung an der Ausgabeseite 56 stellt
eine Phasendifferenz von 180 Grad zwischen dem Eingang der ersten
Ausgabe-Anpassungsschaltung 55 und dem der zweiten Ausgabe-Anpassungsschaltung 59 her,
so dass die beiden Eingänge
in Phase kombiniert sind und ein kombiniertes Signal von einem Ausgabeanschluss 60 ausgegeben
wird.
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Ein
Gegentakt-Leistungsverstärker
mit einem Aufbau wie in 5 gezeigt hat jedoch das Problem, dass
sich der Wirkungsgrad bei einem niedrigen Ausgabepegel verringert.
Das bedeutet, dass ein Verstärker generell
das Merkmal eines hohen Wirkungsgrads bei ma ximalem Ausgabepegel
besitzt und es deshalb problematisch ist, dass beide Verstärker 54 und 58 einen
niedrigen Wirkungsgrad bei einem niedrigeren Ausgabepegel besitzen.
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Übersicht über die
Erfindung
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Unter
Berücksichtigung
dieser Probleme eines herkömmlichen
Leistungsverstärkers
ist es ein Ziel der Erfindung, einen Leistungsverstärker zur
Verfügung
zu stellen, in dem einer der Verstärker, der einen Gegentaktbetrieb
bei einem hohen Ausgabepegel ausführt, abgeschaltet wird, um
den Wirkungsgrad bei einem niedrigen Ausgabepegel zu erhöhen, und
der eine Verringerung des Verlusts und einen Anstieg an Leistungsgewinn
ermöglicht,
wenn der Leistungsverstärker
auf ein und demselben Halbleiterchip gebildet wird.
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Die
Erfindung nach Anspruch 1 stellt einen Leistungsverstärker zur
Verfügung,
der umfasst: einen Eingabeanschluss zum Eingeben eines Signals,
eine Eingabesignal-Teileinrichtung
zum Teilen des Eingabesignals in zwei Signale, die beide die gleiche
Leistung und eine Phasendifferenz von 180 Grad zueinander besitzen,
sowie zum Ausgeben dieser beiden Signale, eine erste Signal-An-Aus-Wähleinrichtung
zum Schalten von Leitung/Nichtleitung eines der Ausgabesignale an
der Signal-An-Aus-Wähleinrichtung,
eine erste Verstärkungseinrichtung,
die eine Ausgabe-Anpassungsschaltung
zum Verstärken
des Signals aus der ersten Signal-An-Aus-Wähleinrichtung
besitzt, eine zweite Signal-An-Aus-Wähleinrichtung zum Schalten
von Leitung/Nichtleitung des Signals, das von der ersten Verstärkungseinrichtung
ausgegeben wird, eine zweite Verstärkungseinrichtung, die eine
Ausgabe-Anpassungsschaltung zum Verstärken des anderen Ausgabesignals aus
der Eingabesignal-Teileinrichtung besitzt, eine Ausgabesignal-Kombiniereinrichtung
zum Herstellen einer Phasendifferenz von 180 Grad zwischen dem Ausgang
der zweiten Signal-An-Aus-Wähleinrichtung
und dem Ausgang der zweiten Verstärkungseinrichtung und zum Kombinieren
dieser, einen Ausgabeanschluss zum Ausgeben des kombinierten Signals
und eine Vorspann-An-Aus-Einrichtung
zum An- und Ausschalten von wenigstens der ersten Verstärkungseinrichtung,
wobei, wenn der Ausgabepegel hoch ist, die erste und zweite Signal-An-Aus-Wähleinrichtung angeschaltet
werden und zur gleichen Zeit die erste und zweite Verstärkungseinrichtung über die
Vorspann-An-Aus-Einrichtung angeschaltet werden, so dass ein Gegentaktbetrieb
ausgeführt
wird, und wenn der Ausgabepegel niedrig ist, die erste und zweite
Signal-An-Aus-Wähleinrichtung
ausgeschaltet wird und die erste Verstär kungseinrichtung über die
Vorspann-An-Aus-Einrichtung ausgeschaltet wird und die zweite Verstärkungseinrichtung
einen Eintaktbetrieb ausführt.
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Die
Erfindung nach Anspruch 2 stellt eine Eingabesignal-Teileinrichtung
zur Verfügung,
die im Aufbau der Erfindung eingeschlossen ist und die eine aktive
Symmetriergliedschaltung umfasst, die einen ersten FET einschließt, dessen
Source geerdet ist, sowie einen zweiten FET, dessen Gate geerdet
ist, und einen Schaltkreis, der Impedanz schalten kann. Das Gate
des ersten FET ist mit der Source des zweiten FET über den Schaltkreis
gekoppelt. Dieser Aufbau ermöglicht
den An- und Aus-Betrieb des zweiten FET, um die Funktion der ersten
Signal-An-Aus-Wähleinrichtung
zu implementieren, die mit der Eingabesignal-Teileinrichtung verbunden
ist. Dadurch kann der Aufbau der Schaltung einfach gehalten werden.
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Die
Erfindung nach Anspruch 3 stellt eine Ausgabesignal-Kombiniereinrichtung
zur Verfügung,
die im Aufbau der Erfindung eingeschlossen ist und die eine aktive
Symmetriergliedschaltung umfasst, die einen ersten FET einschließt, dessen
Source geerdet ist, und einen zweiten FET, dessen Gate geerdet ist,
sowie einen Schaltkreis, der Impedanz schalten kann. Das Gate des
ersten FET ist mit der Source des zweiten FET über den Schaltkreis gekoppelt.
Dieser Aufbau ermöglicht
den An- und Aus-Betrieb des zweiten FET, um die Funktion der zweiten
Signal-An-Aus-Wähleinrichtung
zum implementieren, die mit der Ausgabesignal-Kombiniereinrichtung
verbunden ist. Dadurch kann der Aufbau der Schaltung einfach gehalten
werden.
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Die
Erfindung nach Anspruch 4 stellt in der Erfindung, die in den Ansprüchen 2 und
3 beschrieben ist, den Aufbau der aktiven Symmetriergliedschaltung
zur Verfügung,
die eine Vorspann-Steuerschaltung des ersten FET einschließt und Impedanz
auf Basis der Differenz der Impedanz schaltet, die sich aus der
Impedanz, die über
die Vorspann-Steuerschaltung
geändert
wurde, ergibt. Dadurch kann dieser Aufbau den Schaltkreis ersetzen
und so der Aufbau der Schaltung einfach gehalten werden.
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Die
Erfindung nach Anspruch 5 stellt in der Erfindung, die in den Ansprüchen 2 und
3 beschrieben ist, den Aufbau der aktiven Symmetriergliedschaltung
zur Verfügung,
die Impedanz auf Basis der Differenz zwischen der Impedanz, wenn
der zweite FET angeschaltet ist, und der Impedanz, wenn der zweite
FET ausgeschaltet ist, schaltet. Dadurch kann dieser Aufbau den
Schaltkreis ersetzen und so der Aufbau der Schaltung einfach gehalten
werden.
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Die
Erfindungen nach den Ansprüchen
6 bis 10 legen die Aufbauten offen, um jeden der Aufbauten nach
den Ansprüchen
1 bis 5 auf ein und demselben Halbleiterchip zu implementieren.
Der Aufbau nach Anspruch 10 implementiert alle Komponenten der Erfindung
auf ein und demselben Halbleiterchip. Diese Aufbauten ermöglichen
eine Verringerung der Abstände
zwischen den Einzelteilen, das Verhindern der Bildung unnötiger Induktanz
und Kapazitanz, einen stabilen Betrieb der Schaltung und eine Verringerung
der Anzahl an Bauteilen. Insbesondere ist die Erfindung geeignet
zur Massenproduktion von Produkten unter gleicher Bedingung. Des
Weiteren werden im Aufbau nach Anspruch 7 die Komponenten der Erfindung
mit Ausnahme der Ausgabesignal-Kombiniereinrichtung auf ein und
demselben Halbleiterchip gebildet. Dieser Aufbau kann den Verlust
in der Ausgabesignal-Kombiniereinrichtung verhindern, der entstehen
wird, wenn alle Komponenten auf ein und demselben Halbleiterchip
ausgebildet werden, und kann so eine Verringerung an Leistungsgewinn verhindern.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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1 stellt
ein Blockdiagramm eines Leistungsverstärkers der Ausführungsform
1 nach der vorliegenden Erfindung dar;
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2 ist
ein spezifischeres Schaltdiagramm der obigen Ausführungsform
1;
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3 ist
ein spezifischeres Schaltdiagramm, das ein Beispiel der aktiven
Symmetriergliedschaltung und des Schaltkreises zur Impedanzänderung
in einem Leistungsverstärker
der Ausführungsform
2 nach der vorliegenden Erfindung darstellt;
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4 ist
ein spezifischeres Schaltdiagramm, das ein anderes Beispiel als
das aus 3 in der obigen Ausführungsform
2 darstellt; und
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5 ist
ein Blockdiagramm eines herkömmlichen
Leistungsverstärkers. Beschreibung
der Symbole
| 1,51 | Eingabeanschluss |
| 2,52 | Symmetriergliedschaltung
der Eingabeseite |
| 3 | Erster
Schaltkreis |
| 5,54 | Erster
Transistor |
| 7 | Zweiter
Schaltkreis |
| 8,56 | Symmetriergliedschaltung
der Ausgabeseite |
| 10,58 | Zweiter
Transistor |
| 12,60 | Ausgabeanschluss |
| 13 | Erster
Vorspann-Schaltkreis |
| 14 | Zweiter
Vorspann-Schaltkreis |
| 31 | Aktive
Symmetriergliedschaltung |
| 32,33 | Schaltkreis
zur Impedanzänderung |
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Bevorzugte
Ausführungsformen
der Erfindung
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Im
Folgenden wird die vorliegende Erfindung auf Basis der Zeichnungen
erklärt,
die die Ausführungsformen
der Erfindung darstellen.
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(Ausführungsform 1)
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1 ist
ein Blockdiagramm eines Leistungsverstärkers der Ausführungsform
1 nach der vorliegenden Erfindung. Unter Bezug auf 1 umfasst
ein Leistungsverstärker
der vorliegenden Ausführungsform
einen Eingabeanschluss 1 zum Eingeben eines Signals, eine
Symmetrierschaltung der Eingabeseite 2, die als Eingabesignal-Teileinrichtung
wirkt, mit zwei Ausgängen
zum Teilen des Eingabesignals in zwei Signale, die die gleiche elektrische
Leistung und eine Phasendifferenz von 180 Grad zueinander besitzen,
eine erste Eingabe-Anpassungsschaltung 4 zum Bilden einer
ersten Verstärkungseinrichtung,
einen ersten Transistor 5, eine erste Ausgabe-Anpassungsschaltung 6,
eine zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9 zum Bilden einer zweiten
Verstärkungseinrichtung,
einen zweiten Transistor 10, eine zweite Ausgabe-Anpassungsschaltung 11, einen
ersten Vorspann-Schaltkreis 13 und einen zweiten Vorspann-Schaltkreis 14 einer
Vorspann-Ein-Aus-Einrichtung, die unabhängig jede Vorspannung des ersten
und zweiten Transistors 5 und 10 an- und ausschalten
kann, einen ersten Schaltkreis 3 und einen zweiten Schaltkreis 7,
die als erste und zweite Signal-An-Aus-Wähleinrichtung zum Schalten
zwischen Leitung und Nichtleitung eines Signals wirken, eine Symmetriergliedschaltung
der Ausgabeseite 8 einer Ausgabesignal-Kombiniereinrichtung
mit zwei Eingängen zum
Herstellen einer Phasendifferenz von 180 Grad zwischen den beiden
Eingabesignalen und zum Kombinieren dieser, und einen Ausgabeanschluss 12 zum
Ausgeben eines Signals.
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Der
Eingabeanschluss 1 ist mit dem Eingang der Symmetriergliedschaltung
der Eingabeseite 2 verbunden. Einer der Ausgänge der
Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2 ist mit der
ersten Eingabe-Anpassungsschaltung 4 über den ersten Schaltkreis 3 gekoppelt.
Der Ausgang der ersten Eingabe-Anpassungsschaltung 4 ist
mit dem ersten Transistor 5 verbunden. Der Ausgang des
ersten Transistors 5 ist mit dem zweiten Schaltkreis 7 über die
erste Ausgabe-Anpassungsschaltung 6 gekoppelt. Der Ausgang
des zweiten Schaltkreises 7 ist mit einem der beiden Eingänge der
Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 verbunden. Auch
der andere Ausgang der Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2 ist
mit dem zweiten Transistor 10 über die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9 gekoppelt.
Der Ausgang des zweiten Transistors 10 ist mit dem anderen
Eingang der Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 über die
zweite Ausgabe-Anpassungsschaltung 11 gekoppelt. Der Ausgang
der Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 ist mit
dem Ausgabeanschluss 12 verbunden.
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Als
nächstes
wird der Betrieb eines Leistungsverstärkers der Ausführungsform 1,
die oben beschrieben wurde, unter Bezug auf die Zeichnungen erklärt.
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Für das ausgegebene
Signal wird angenommen, dass ein Signal A eines höheren Ausgabepegels
beispielsweise eine Eingabeleistung von 10–20 dBm besitzt und ein Signal
B mit demselben Frequenzband wie Signal A eine Eingabeleistung von
0–10 dBm
besitzt.
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Zunächst wird,
wenn das Signal A verstärkt
wird, ein Eingabesignal mit einem Eingabe-Leistungspegel von 10–20 dBm
vom Eingabeanschluss 1 über
die Symmetrierglied schaltung der Eingabeseite 2 in zwei
Signale geteilt, von denen jedes die gleiche Leistung und eine Phasendifferenz
von 180 Grad zueinander besitzt, und eines der beiden geteilten
Signale wird in den ersten Schaltkreis 3 eingegeben. Da
sich in diesem Fall der erste Schaltkreis 3 in einem An-Zustand
(Leitungszustand) befindet, läuft
das Signal durch den ersten Schaltkreis 3. Nachdem für das Signal
Impedanz über
die erste Eingabe-Anpassungsschaltung 4 angepasst wurde, die
Impedanz für
das Signal A anpassen kann, wird das Signal A in den ersten Transistor 5 eingegeben.
Da sich in diesem Fall der erste Vorspann-Schaltkreis 13 in
einem An-Zustand befindet, wird das Signal über den ersten Transistor 5 verstärkt. Nach
dem Verfahren wird für
das Signal, das von dem ersten Transistor 5 ausgegeben
wurde, über
die erste Ausgabe-Anpassungsschaltung 6, die für das Signal
A Impedanz anpassen kann, Impedanz angepasst, und das Signal wird
in den zweiten Schaltkreis 7 eingegeben. Da sich in diesem Fall
der zweite Schaltkreis 7 in einem An-Zustand (Leitungszustand)
befindet, läuft
das Signal durch den zweiten Schaltkreis 7 und wird in
einen der beiden Eingänge
der Symmetriergliedschaltung 8 der Ausgangsseite eingegeben.
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Des
Weiteren wird, bezogen auf das andere der Signale, die über die
Symmetriergliedschaltung der Eingangsseite 2 geteilt wurden,
Impedanz für
das Signal über
die zweite Eingangs-Anpassungsschaltung 9 angepasst, die
Impedanz für
das Signal A anpassen kann. Danach wird das Signal in den zweiten
Transistor 10 eingeben, der im Wesentlichen dieselben Eigenschaften
wie der erste Transistor 5 aufweist. Da sich in diesem Fall
der zweite Vorspann-Schaltkreis 14 in einem An-Zustand
befindet, wird das Signal über
den zweiten Transistor 10 verstärkt. Für die Ausgabe vom Transistor 10 wird über die
zweite Ausgabe-Anpassungsschaltung 11, die Impedanz für das Signal
A anpassen kann, Impedanz angepasst und danach wird das Signal in
den anderen Eingang der Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 eingegeben.
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Diese
beiden Signale, die auf diesem Weg in die beiden Eingänge der
Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 eingegeben
werden, wobei sie eine Phasendifferenz von 180 Grad zueinander besitzen,
werden darin in derselben Phase kombiniert und an den Ausgabeanschluss 12 ausgegeben.
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Auf
der anderen Seite wird, wenn das Signal B mit einem niedrigeren
Ausgabepegel verstärkt
wird, ein Eingabesignal mit einem Eingabe-Leistungspegel von 0–10 dBm
vom Eingabeanschluss 1 über
die Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2 in zwei
Signale geteilt, die jedes gleiche Leistung und eine Phasendifferenz
von 180 Grad zueinan der besitzen. Obwohl eines der beiden geteilten
Signale in den ersten Schaltkreis 3 eingegeben wird, befindet
sich der erste Schaltkreis 3 in diesem Fall in einem Aus-Zustand
(Nichtleitungszustand) und deshalb wird das Signal blockiert.
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Auch
für das
andere der geteilten Signale passt die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9,
die Impedanz für
das Signal B anpassen kann, Impedanz an. Danach wird das Signal über den
zweiten Transistor 10 verstärkt, der im Wesentlichen dieselben
Eigenschaften wie der erste Transistor 5 aufweist. Nachdem
für den
Ausgang von Transistor 5 über die zweite Ausgabe-Anpassungsschaltung 11,
die für
das Signal B Impedanz anpassen kann, Impedanz angepasst wurde, wird
das Signal in den Eingang der Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 eingegeben.
Das Signal, das in die Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 eingegeben
wurde, wird an den Ausgabeanschluss 12 ausgegeben, ohne
dass ein Lecken an der ersten Ausgabe-Anpassungsschaltung 6 stattfindet,
weil sich der zweite Schaltkreis 7 in diesem Fall in einem
Aus-Zustand (Nichtleitungszustand) befindet. Des Weiteren ist es
in diesem Fall wichtig, dass sich der erste Vorspann-Schaltkreis 13 in
einem Aus-Zustand befindet und sich der zweite Vorspann-Schaltkreis 14 in
einen An-Zustand befindet.
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Auf
diese Weise greifen als Antwort auf den Eingabe-Leistungspegel der
erste Schaltkreis 3 und der zweite Schaltkreis 7 der
ersten und zweiten Signal-An-Aus-Wähleinrichtung
ineinander, um an- und auszuschalten, um so zwischen dem Blockieren
und Durchlassen eines der Signale umzuschalten. Dadurch wirkt im Fall
eines hohen Ausgabepegels die Schaltung so, dass sie das Signal
als ein Gegentakt-Leistungsverstärker verstärkt, und
im Fall eines niedrigen Ausgabepegels verstärkt die Schaltung das Signal
als ein Eintakt-Leistungsverstärker.
Deshalb kann der Wirkungsgrad bei einem niedrigen Ausgabepegel erhöht werden.
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2 ist
ein spezifischeres Schaltdiagramm des Blockdiagramms aus 1.
In 2 sind dieselben Bezugszeichen denselben Einzelteilen
wie in 1 zugeordnet und eine Beschreibung dieser wird
weggelassen. Es wird angenommen, dass die Anpassungsschaltung aus
Spulen und Kapazitoren besteht.
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Die
Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2 umfasst die
Spulen L1, L2a und L2b. Der Eingabeanschluss 1 ist mit
einem Ende der Spule L1 verbunden und das andere Ende der Spule
L1 ist mit der Erde verbunden. Die Spulen L2a und L2b sind in Serie
geschaltet und die Verbindung ist mit der Erde verbunden, so dass
zwischen den Spulen L2a und L2b sowie der Spule L1 ein Transformator
gebildet wird. Ein anderes Ende der Spule L2a ist mit dem Eingang
des ersten Schaltkreises 3 verbunden und ein anderes Ende
der Spule L2b ist mit dem Eingang der zweiten Eingabe-Anpassungsschaltung 9 verbunden.
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Der
erste Schaltkreis 3 umfasst einen Transistor TR1, einen
Kapazitor C1 und einen Widerstand R1. Die Source des Transistors
TR1 ist mit der Erde verbunden. Das Gate des Transistors TR1 wird
von einer Spannung Vg1 durch einen Kapazitor C1 umgangen und mit
der Vorspann-Spannung über
den Widerstand R1 gekoppelt. Der Auslass des Transistors TR1 ist
mit der Verbindung zwischen dem Ausgang der Symmetriergliedschaltung
der Eingabeseite 2 und dem Eingang der ersten Eingabe-Anpassungsschaltung 4 verbunden.
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Für den ersten
Transistor 5 ist die Source des Transistors TR2 mit der
Erde verbunden. Das Gate des Transistors TR2 ist mit dem Ausgang
der ersten Eingabe-Anpassungsschaltung 4 verbunden,
wird von einer Spannung Vg2 durch einen Kapazitor C2 umgangen und
mit der Vorspann-Spannung über
eine Spule L3 gekoppelt. Des weiteren wird der Auslass des Transistors
TR2 von einer Spannung Vd1 durch einen Kapazitor C3 über den
ersten Vorspann-Schaltkreis 13 umgangen, mit der Vorspann-Spannung über eine
Spule L3 gekoppelt und mit der ersten Ausgabe-Anpassungsschaltung 6 verbunden.
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Der
erste Vorspann-Schaltkreis 13 umfasst einen Transistor
TR5, einen Kapazitor C7 und einen Widerstand R3. Die Source und
der Auslass des Transistors TR5 sind in Serie zwischen die Auslass-Spannung Vd1
für den
ersten Transistor 5 und die Spule L4 geschaltet. Das Gate
des Transistors TR5 wird von einer Spannung Vg5 durch einen Kapazitor
C7 umgangen und mit der Vorspann-Spannung über einen Widerstand R3 gekoppelt.
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Für den zweiten
Transistor 10 besitzt der Transistor TR3 eine Source, die
mit der Erde verbunden ist, und ein Gate, das mit dem Ausgang der
zweiten Eingabe-Anpassungsschaltung 9 verbunden
ist, das von einer Spannung Vg3 durch einen Kapazitor C4 umgangen
wird und mit der Vorspann-Spannung über eine Spule L5 gekoppelt
ist. Der Auslass des Transistors TR3 wird von einer Spannung Vd2
durch einen Kapazitor C4 über den
zweiten Vorspann-Schaltkreis 14 umgangen, mit der Vorspann- Spannung über eine
Spule L6 gekoppelt und mit dem Eingang der zweiten Ausgabe-Anpassungsschaltung 11 verbunden.
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Der
zweite Vorspann-Schaltkreis 14 umfasst einen Transistor
TR6, einen Kapazitor C8 und einen Widerstand R4. Die Source und
der Auslass des Transistors TR6 sind in Reihe zwischen die Auslass-Spannung Vd2
für den
zweiten Transistor 10 und die Spule L6 geschaltet, und
das Gate des Transistors TR6 wird von einer Spannung Vg6 durch einen
Kapazitor C8 umgangen und mit der Vorspann-Spannung über den
Widerstand R4 gekoppelt.
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Der
zweite Schaltkreis 7 umfasst einen Transistor TR4, einen
Kapazitor C6 und einen Widerstand R2. Die Source des Transistors
TR4 ist mit der Erde verbunden. Das Gate des Transistors TR4 wird
von einer Spannung Vg4 durch einen Kapazitor C6 umgangen und mit
der Vorspann-Spannung über
den Widerstand R2 gekoppelt. Der Auslass des Transistors TR4 ist
mit der Verbindung zwischen dem Eingang der Symmetriergliedschaltung
der Ausgabeseite 8 und dem Ausgang der ersten Ausgabe-Anpassungsschaltung 6 verbunden.
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Die
Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 umfasst die
Spulen L7a, L7b und L8. Ein Ende der Spule L7a ist mit der Verbindung
zwischen dem Ausgang der ersten Ausgabe-Anpassungsschaltung 6 und dem
Auslass des Transistors TR4 verbunden. Ein Ende der Spule L7b ist
mit dem Ausgang der zweiten Ausgabe-Anpassungsschaltung 11 verbunden.
Ein anderes Ende der Spulen L7a und L7b ist in Reihe miteinander verbunden
und ihre Verbindung ist geerdet. Die Spule L8 liegt so, dass sie
mit dem Spulen L7a und L7b gekoppelt werden kann. Ein Ende der Spule
L8 ist mit dem Ausgabeanschluss 12 verbunden und das andere Ende
mit der Erde verbunden.
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Als
nächstes
wird der Betrieb des Leistungsverstärkers, der wie oben beschrieben
aufgebaut ist, unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
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Zunächst greifen,
wenn das Signal A verstärkt
wird, der erste Schaltkreis 3 und der zweite Schaltkreis 7 so
ineinander, dass sie sich in einem Leitungszustand befinden. Der
erste Vorspann-Schaltkreis 13 und der zweite Vorspann-Schaltkreis 14 wirken
unabhängig
voneinander so, dass sie sich in einem Leitungszustand befinden.
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In
diesem Zustand wird ein Eingabesignal vom Eingabeanschluss 1 über die
Spule L1 der Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2 in
zwei Signale auf L2a und L2b geteilt, die beide die gleiche elektrische Leistung
besitzen. Das bedeutet, dass das Signal auf L2a in der gleichen
Phase wie das Eingabesignal ist und das Signal auf L2b in der entgegengesetzten
Phase zum Eingabesignal ist.
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Das
Signal, das von der Spule L2a in den ersten Schaltkreis 3 eingegeben
wird, leckt nicht in den Transistor TR1, sondern läuft durch
den ersten Schaltkreis 3, weil der erste Schaltkreis 3 so
gesteuert wird, dass er in diesem Fall den Transistor TR1 über die
Spannung Vg1 in einen Nichtleitungszustand bringt. Die erste Eingabe-Anpassungsschaltung 4 passt
für das
Signal Impedanz an. Danach wird das Signal in den ersten Transistor 5 eingegeben,
der den Transistor TR2 umfasst. Weil der Transistor TR5 so gesteuert
wird, dass er sich in diesem Fall durch eine Spannung Vg5 in einem
Leitungszustand befindet, befindet sich der erste Vorspann-Schaltkreis 13 in
einem An-Zustand
und so wird das Signal über
den ersten Transistor 5 verstärkt. Danach, nachdem die erste
Ausgabe-Anpassungsschaltung 6 für das Signal Impedanz angepasst
hat, wird das Signal in den zweiten Schaltkreis 7 eingegeben.
Weil der zweite Schaltkreis 7 so gesteuert wird, dass er
in diesem Fall den Transistor TR4 über die Spannung Vg4 in einen
Nichtleitungszustand bringt, leckt das Signal nicht durch den Transistor
TR4 und läuft
durch den zweiten Schaltkreis 7. Danach wird das Signal
in die Spule L7a der Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 eingegeben.
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Auf
der anderen Seite, was das Signal betrifft, das von der Spule L2b
in die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9 eingegeben
wird, passt die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9 Impedanz
für das
Signal an. Danach wird das Signal in den zweiten Transistor 10 eingegeben,
der den Transistor TR3 umfasst. Weil der Transistor TR6 in diesem
Fall über
die Spannung Vg6 so gesteuert wird, dass er sich in einem Leitungszustand
befindet, befindet sich der zweite Vorspann-Schaltkreis 14 in
einem An-Zustand
und so wird das Signal über
den zweiten Transistor 10 verstärkt. Danach, nachdem die zweite
Ausgabe-Anpassungsschaltung 11 für das Signal Impedanz angepasst
hat, wird das Signal in die Spule L7b der Symmetriergliedschaltung
der Ausgabeseite 8 eingegeben.
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Was
die Signale betrifft, die in die Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 eingegeben
werden, wird das Signal auf der Spule L7a in derselben Phase an
die Spule L8 ausgegeben und das Signal auf der Spule L7b wird in
der entgegengesetzten Phase an die Spule L8 ausgegeben. Da die Phasendifferenz
zwischen den Signalen 180 Grad betrug, als sie an der Symmetriergliedschaltung
der Eingabeseite 2 geteilt wurden, werden die jeweiligen
Signale auf der Spule L8 in derselben Phase kombiniert, damit sie
aus dem Ausgabeanschluss 12 ausgegeben werden können.
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Als
nächstes
greifen für
den Fall der Verstärkung
von Signal B der erste Schaltkreis 3 und der zweite Schaltkreis 7 ineinander,
damit sie sich in einem Nichtleitungszustand befinden. Der erste
Vorspann-Schaltkreis 13 befindet sich in einem Nichtleitungszustand
und der zweite Vorspann-Schaltkreis 14 befindet sich in einem
Leitungszustand.
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In
diesem Zustand wird das Eingabesignal aus dem Eingabeanschluss 1 über die
Spule L1 der Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2 in
zwei Signale auf L2a und L2b geteilt, von denen jedes die gleiche Leistung
besitzt. Das Signal auf L2a ist in derselben Phase wie das Eingabesignal
und das Signal auf L2b ist in der entgegengesetzten Phase zum Eingabesignal.
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Das
Signal, das von der Spule L2a in den ersten Schaltkreis 3 eingegeben
wurde, ist über
den Transistor TR1 mit der Erde gekoppelt und wird nicht in die
erste Eingabe-Anpassungsschaltung 4 eingegeben,
weil der erste Schaltkreis 3 so gesteuert wird, dass sich
der Transistor TR1 in diesem Fall über die Spannung Vg1 in einem
Leitungszustand befindet.
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Auf
der anderen Seite wird für
das Signal, das aus L2b in die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9 eingegeben
wurde, über
die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9 Impedanz
angepasst. Danach wird das Signal in den zweiten Transistor 10 eingegeben,
der den Transistor TR3 umfasst. Weil der Transistor TR6 so gesteuert
wird, dass er sich in diesem Fall über die Spannung Vg6 in einem
Leitungszustand befindet, befindet sich der zweite Vorspann-Schaltkreis 14 in
einem An-Zustand und so wird das Signal über den zweiten Transistor 10 verstärkt. Danach
wird, nachdem für
das Signal über
die zweite Ausgabe-Anpassungsschaltung 11 Impedanz angepasst
wurde, das Signal in die Spule L7b der Symmetriergliedschaltung
der Ausgabeseite 8 eingegeben.
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Weil
der zweite Schaltkreis 7 so gesteuert wird, dass er in
diesem Fall den Transistor TR4 über
eine Spannung Vg4 in einen Leitungszustand bringt, sind beide Enden
der Spule L7a der Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 mit
der Erde verbunden.
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Dadurch
wird das Signal, das in die Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 eingegeben
wurde, vom Ausgabeanschluss 12 über die Spule L8 ohne Lecken
in die Spule L7a ausgegeben. Es ist wichtig, dass kein Strom durch
den Transistor TR2, der den ersten Transistor 5 bildet,
fließt,
weil der Transistor TR5 so gesteuert wird, dass er sich in diesem
Fall über
die Spannung Vg5 in einem Nichtleitungszustand befindet, und deshalb
befindet sich der erste Vorspann-Schaltkreis 13 in einem
Aus-Zustand. Das ermöglicht,
dass ein Verstärker
im Fall eines höheren
Ausgabepegels einen Gegentaktbetrieb ausführt, um als Leistungsverstärker zu wirken,
der im Fall eines niedrigen Ausgabepegels einen Eintaktbetrieb ausführt, so
dass der Wirkungsgrad bei einem niedrigen Ausgabepegel verbessert
werden kann.
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Des
Weiteren können
die erste Eingabe-Anpassungsschaltung 4 und die zweite
Eingabe-Anpassungsschaltung 9 in der Ausführungsform
1, die oben beschrieben wurde, weggelassen werden, falls der Verlust
an Gewinn nicht berücksichtigt
wird.
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(Ausführungsform 2)
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3 ist
ein Blockdiagramm des Anteils der Eingabeseite eines Leistungsverstärkers der
Ausführungsform
2 nach der Erfindung. Das heißt, 3 der
Ausführungsform
2 der Erfindung zeigt einen Aufbau, der die Symmetriergliedschaltung
der Eingabeseite 2 und den ersten Schaltkreis 3 mittels
einer aktiven Symmetriergliedschaltung 31 und einem Schalter
zur Impedanzänderung 32 aus 1 und 2 der
oben beschriebenen Ausführungsform
1 implementiert.
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Unter
Bezug auf 3 umfasst die aktive Symmetriergliedschaltung 31 die
Transistoren TR31 bis TR33, die Spulen L31 bis L34, die Kapazitoren
C31 bis C39, den Widerstand R31 und die Spannungen Vg31 bis Vg33
sowie Vd31 bis Vd32. Die Source des Transistors TR31 ist mit der
Erde verbunden. Das Gate des Transistors TR31 ist mit der Source
des Transistors TR32 verbunden, mit der Vorspann-Spannung Vg31 über die
Spule L31 gekoppelt und wird von der Spannung Vg31 über den
Kapazitor C32 umgangen. Die Verbindung zwischen dem Gate und der
Spule L31 ist mit dem Eingabeanschluss 1 über den
Kopplungs-Kapazitor C31 gekoppelt und mit dem Schalter zur Impedanzänderung 32 verbunden.
Auch ist sein Auslass mit der Vorspann-Spannung Vd31 über die
Spule L32 gekoppelt und wird von der Spannung Vd31 über den
Kapazitor C35 umgangen. Ein Kopplungs-Kapazitor C36 ist mit dem
Auslass verbunden. Des Weiteren ist der Kopplungs-Kapazitor C36
beispielsweise mit der zweiten Eingabe-Anpassungsschaltung 9,
wie in 1 gezeigt, verbunden.
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Was
den Transistor TR32 betrifft, ist seine Source mit dem Gate von
Transistor TR31 verbunden. Das Gate des Transistors TR32 ist mit
der Vorspann-Spannung Vg32 über
die Spule L33 gekoppelt und wird von der Spannung Vg32 über den
Kapazitor C37 umgangen. Sein Auslass ist mit der Vorspann-Spannung
Vd32 über
die Spule L34 gekoppelt und wird von der Spannung Vd32 über den
Kapazitor C38 umgangen. Ein Kopplungs-Kapazitor C39 ist mit dem
Auslass verbunden. Des Weiteren ist der Kopplungs-Kapazitor C39
beispielsweise mit der ersten Eingabe-Anpassungsschaltung 4,
wie in 1 gezeigt, verbunden.
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Was
den Transistor TR33 betrifft, ist seine Source mit der Erde verbunden.
Sein Gate ist mit der Vorspann-Spannung Vg33 über den Widerstand R31 gekoppelt
und wird von der Spannung Vg33 über
den Kapazitor C33 umgangen. Auch ist sein Auslass mit dem Gate des
Transistors TR31 in der aktiven Symmetriergliedschaltung 31 verbunden.
Diese bilden den Schalter zur Impedanzänderung 32.
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Als
nächstes
wird der Betrieb eines Leistungsverstärkers der Ausführungsform
2, die oben beschrieben wurde, unter Bezug auf die Zeichnungen erklärt.
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Zunächst befindet
sich für
den Fall der Verstärkung
von Signal A der Schaltkreis zur Impedanzänderung 32 in einem
Aus-Zustand.
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In
diesem Zustand wird das Eingabesignal des Eingabeanschlusses 1 in
das Gate des Transistors TR31 und die Source des Transistors TR32 über den
Kopplungs-Kapazitor C31 eingegeben, ohne dass ein Lecken des Signals
durch den Transistor TR33 stattfindet. Das geschieht deshalb, weil
der Schaltkreis zur Impedanzänderung 32 so
gesteuert wird, dass er in diesem Fall den Transistor TR33 über die
Spannung Vg33 in einen Nichtleitungszustand bringt. In diesem Fall
werden die Spannungen Vg31, Vg32, Vd31 und Vd32 so gesteuert, dass
sie die beiden Transistoren TR31 und TR32 über eine Steuerungsschaltung
(die Steuerungsschaltung wird in 3 nicht
gezeigt) in einen An-Zustand
bringen. Das Signal, das in den Transistor TR31 eingegeben wurde,
wird in der entgegengesetzten Phase über den Kopplungs-Kapazitor
C36 ausgegeben, weil die Source des Transistors TR31 geerdet ist.
Das Signal, das in den Transistor TR32 eingegeben wurde, wird in
derselben Phase über
den Kopplungs-Kapazitor C39 ausgegeben, weil sein Gate mit der Erde
verbunden ist. In diesem Fall ist es wichtig, die Anpassungsschaltung
so aufzubauen, dass die Transistoren TR31 und TR32 denselben Leistungsgewinn
haben können.
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Als
nächstes
befindet sich, wenn das Signal B verstärkt wird, der Schaltkreis zur
Impedanzänderung 32 in
einem An-Zustand.
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In
diesem Zustand wird ein Eingabesignal des Eingabeanschlusses 1 über den
Kopplungs-Kapazitor C31 in das Gate des Transistors TR31 eingegeben,
der über
die Spannung Vg31 und Vd31 so gesteuert wird, dass er sich ein einem
An-Zustand befindet. Da der Schaltkreis zur Impedanzänderung 32 so
gesteuert wird, dass er in diesem Fall den Transistor TR33 über die
Spannung Vg33 in einen Leitungszustand bringt, wird über den
Kapazitor C34 die Impedanz des Transistors TR31 geändert. Zu
diesem Zeitpunkt wird der Transistor TR32 über die Spannung Vd32 so gesteuert,
dass er sich in einem Aus-Zustand befindet, und deshalb leckt das
Signal nicht in den Transistor TR32. Da die Impedanz jedoch in einem
An-Zustand und in einem Aus-Zustand des Transistors TR32 unterschiedlich
ist, behält
der Schaltkreis zur Impedanzänderung 32 die
Anpassungsbedingung. Dies ermöglicht,
dass im Aus-Zustand des Transistors TR32 dieselbe Impedanz beibehalten wird
wie in dem An-Zustand des Transistors TR32. Daher wird das Signal,
das in das Gate des Transistors TR31 eingegeben wurde, in der entgegengesetzten
Phase über
den Kopplungs-Kapazitor C36 ausgegeben.
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Es
ist wichtig, dass in diesem Fall die Spannung Vd32 für den Transistor
TR32 in Verriegelung mit dem Betrieb des zweiten Schaltkreises 7 an-
und ausgeschaltet wird. Auf diese Weise kann, indem ein An-Aus-Schalter
des Transistors TR32 in der aktiven Symmetriergliedschaltung 31 anstelle
des ersten Schaltkreises 3 benutzt wird, der Aufbau der
Schaltung zusätzlich
zum Betrieb und der Auswirkung der Ausführungsform 1 einfach gehalten
werden kann.
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Auf
der anderen Seite wurde in der Ausführungsform 2, die oben beschrieben
wurde, ein Verfahren zum Implementieren der Symmetrergliedschaltung
der Eingabeseite 2 und des ersten Schaltkreises 3 mittels der
aktiven Symmetriergliedschaltung 31 und des Schaltkreises
zur Impedanzänderung 32 gezeigt.
Es ist natürlich
erlaubt, die Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 und
den zweiten Schaltkreis 7 mittels einer aktiven Symmetriergliedschaltung
und einem Schaltkreis zur Impedanzänderung zu implementieren,
indem dasselbe Verfahren verwendet wird.
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Des
Weiteren ist es möglich,
die Impedanz der Vorspannschaltung für den Transistor TR31 in der
aktiven Symmetriergliedschaltung 31 in Antwort auf den
An-Aus-Schalter des Transistors TR32 anstelle des Schaltkreises
zur Impedanzänderung
zu ändern.
Dieses Verfahren ermöglicht
es, dass der Aufbau der Schaltung einfacher gehalten werden kann.
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Weiterhin
kann, wie für
einen Schaltkreis zur Impedanzänderung 33 aus 4 gezeigt,
der Schaltkreis zur Impedanzänderung
so gestaltet sein, dass er den Transistor TR32 als eine Komponente
der aktiven Symmetriergliedschaltung 31 enthält. Dadurch,
dass Impedanz in Abhängigkeit
von der Differenz zwischen der Impedanz, wenn der Transistor TR32
angeschaltet ist, und der Impedanz, wenn der Transistor TR32 ausgeschaltet
ist, geändert
wird, kann der Aufbau des Schaltkreises zur Impedanzänderung
einfach gehalten werden.
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(Ausführungsform 3)
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Als
nächstes
wird als Ausführungsform
3 der Erfindung erklärt,
wie die Schaltung aus Ausführungsform
1, die oben beschrieben wurde, auf einem Chip eingebaut werden kann.
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Alle
Blöcke,
die in 1 gezeigt sind, das heißt, der Bereich, der von den
gestrichelten Linien 16 umgeben wird, wird auf ein und
demselben Halbleiterchip implementiert. Ein solcher Aufbau verringert
den Abstand zwischen den jeweiligen Teilen, um zu verhindern, dass
unnötige
Induktanz und Kapazitanz entsteht, und stabilisiert den Betrieb
der Schaltung und verringert die Anzahl an Bauteilen. Er ist insbesondere
geeignet für
Massenproduktion von Produkten, die derselben Bedingung unterliegen.
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Des
Weiteren wird, um verschiedene äußere Bedingungen
für den
Ausgabeanschluss 12 zu erfüllen, eine externe Komponente
für die
Symmetriergliedschaltung der Ausgabeseite 8 verwendet.
Dadurch, dass auf ein und demselben Leiterchip der Bereich implementiert
wird, der in 1 von der gestrichelten Linie 17 umgeben
ist, das heißt,
der Anteil, der die Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2,
den ersten Schaltkreis 3, die erste Eingabe-Anpassungsschaltung 4,
den ersten Transistor 5, die erste Ausgabe-Anpassungsschaltung 6,
den zweiten Schaltkreis 7, die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9,
den zweiten Transistor 10 und die zweite Ausgabe-Anpassungsschaltung 11 einschließt, kann
der Verlust, der dadurch entsteht, dass die Symmetriergliedschaltung
der Ausgabeseite 8 auf demselben Halbleiterchip implementiert
wird, vermieden werden, und eine Verringerung an Leistungsgewinn
kann verhindert werden. Zudem ist anzunehmen, dass der Anstieg an
Vielseitigkeit in vielen Modellen einen großen Bereich an Anwendungsmöglichkeiten
finden wird.
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Gleichermaßen steigt
dadurch, dass auf ein und demselben Halbleiterchip der Bereich implementiert ist,
der in 1 von einer gestrichelten Linie 18 umgeben
ist, das heißt,
die Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2, der erste
Schaltkreis 3, die erste Eingabe-Anpassungsschaltung 4,
der erste Transistor 5, die erste Ausgabe-Anpassungsschaltung 6,
die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9, der zweite Transistor 10 und
die zweite Ausgabe-Anpassungsschaltung 11, die Vielseitigkeit
noch weiter, und es ist anzunehmen, dass der Bereich an Anwendungsmöglichkeiten
sich in vielen Modellen verbreitert.
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Auch
steigt gleichermaßen
dadurch, dass auf ein und demselben Halbleiterchip der Bereich implementiert
ist, der in 1 von einer gestrichelten Linie 19 umgeben
wird, das heißt,
der Anteil, der die Symmetriergliedschaltung der Eingabeseite 2,
den ersten Schaltkreis 3, die erste Eingabe-Anpassungsschaltung 4, den
ersten Transistor 5, die zweite Eingabe-Anpassungsschaltung 9 und
den zweiten Transistor 10 einschließt, die Vielseitigkeit noch
weiter steigt und es ist anzunehmen, dass der Bereich an Anwendungsmöglichkeiten sich
auch in vielen Modellen verbreitert. Sogar für Fälle, in denen Hitze, die durch
eine große
Ausgabeleistung der Transistoren verursacht wird, eine Auswirkung
auf andere Komponenten hat, ist dies geeignet.
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Im Übrigen wurden
hier Erklärungen
zu Fällen
gegeben, in denen jeder Anteil, der von der jeweiligen gestrichelten
Linie umgeben ist, zwischen dem Eingabeanschluss 1 und
dem Ausgabeanschluss 12 auf ein und demselben Halbleiterchip
ausgebildet ist. Es ist jedoch kein Problem, die Schaltungsebenen
vor dem Eingabeanschluss 1, wie oben beschrieben, oder
die Schaltungen, die sich dem Ausgabeanschluss 12 anschließen, oder
den Vorspann-Schalter für
jeden Transistor einschließlich
mindestens der Anteile, die oben beschrieben wurden, auf ein und
demselben Halbleiterchip einzubauen.
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Es
ist auch unnötig,
zu erwähnen,
dass die Implementierung eingebauter Schaltungen der Ausführungsform
3, wie oben beschrieben, auf die Ausführungsform 2 angewendet werden
kann.
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Des
Weiteren sind die Zahlenwerte der Eingangsleistung, die in den Ausführungsformen
dargestellt werden, nur Beispiele und deshalb ist die Eingangleistung
nicht auf diese Werte beschränkt.
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Weiterhin
können
Einzelheiten der Aufbauten der Schaltung in jeder der Ausführungsformen,
die oben beschrieben wurden, willkürlich verändert oder mit anderen Schaltungen ähnlicher
Wirkung ersetzt werden, und die Einzelheiten können innerhalb des Umfangs
der Ansprüche
geändert
werden und sind nicht beschränkt
auf die dargestellten Aufbauten der Schaltung.
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Des
Weiteren wurden in allen oben beschriebenen Ausführungsformen die ersten und
zweiten Transistoren so hergestellt, dass sie über die An-Aus-Steuerung gesteuert
werden können,
aber es ist erlaubt, ohne darauf beschränkt zu sein, nur den ersten
Transistor so herzustellen, dass er über eine An-Aus-Steuerung gesteuert
werden kann.
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Wie
aus der obigen Beschreibung offensichtlich ist, erlaubt der Aufbau
der Leistungsverstärkers
nach Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung einen Gegentaktbetrieb
bei einem hohen Ausgabepegel und einen Eintaktbetrieb bei einem
niedrigen Ausgabepegel. Dadurch kann der Wirkungsgrad bei einem
niedrigen Ausgabepegel verbessert werden.
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Weiterhin
erlaubt der Aufbau nach den Ansprüchen 2 und 3 die Implementierung
der ersten oder zweiten Signal-An-Aus-Wähleinrichtung mittels des An-Aus-Schalters
des zweiten FET in der aktiven Symmetriergliedschaltung. Dadurch
kann der Aufbau der Schaltung einfach gehalten werden.
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Des
Weiteren erlauben die Aufbauten nach den Ansprüchen 4 und 5, dass der Aufbau
des Schaltkreises zur Impedanzänderung
aus Anspruch 2 oder 3 einfacher gehalten oder weggelassen werden
kann. Dadurch kann die Anzahl der Bauteile verringert werden.
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Weiterhin
erlaubt jede der Aufbauten nach den Ansprüchen 6 bis 10 den Einbau aller
oder eines Teils der Komponenten auf ein und demselben Halbleiterchip.
Dadurch wird der Abstand zwischen den jeweiligen Bauteilen verringert
und es wird verhindert, dass unnötige
Induktanz und Kapazitanz entstehen, und es wird ein stabiler Betrieb
der Schaltung erreicht. Auch kann die Anzahl der Bauteile verringert
werden. Dieses Verfahren ist geeignet für die Massenproduktion von
Produkten mit derselben Bedingung.
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Des
Weiteren integriert der Aufbau nach Anspruch 7 den Aufbau der Schaltungen
mit Ausnahme einer Vorspann-An-Aus-Einrichtung und einer Ausgangssignal-Kombiniereinrichtung
auf ein und demselben Halbleiterchip. Das kann den Verlust verhindern,
den die Ausgangssignal-Kombiniereinrichtung beim Einbau aller Komponenten
auf ein und demselben Halbleiterchip verursachen wird, und dadurch
kann es eine Verringerung an Leistungsgewinn verhindern.