DE69406321T2 - Verfahren und Vorrichtung vom Typ Czochralski zur Herstellung von Halbleitereinkristallen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung vom Typ Czochralski zur Herstellung von Halbleitereinkristallen

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Description

    Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Czochralski-Zucht-Halbleitereinkristalls
  • Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen eines nach dem Czochralski-(CZ)-Verfahren gezüchteten Halbitereinkristalls, und insbesondere auf ein CZ-Halbleitereinkristallzuchtsystem des Typs mit einem Gasrektifizierrohr und einem Positionssensor zum Erfassen der Position oder des Pegeis der Schmelzenoberfläche in einem Tiegel.
  • Das Czochralski-(CZ)-Verfahren ist bekannt als Halbleitereinkristallzuchtverfahren, bei dem ein Einkristallbarren gezüchtet wird durch Ziehen aus der in einem Tiegel enthaltenen Schmelze aus Halbleitermaterial. Bei einer zum Ausführen des CZ-Verfahrens verwendeten Vorrichtung wird zur Steuerung der Konzentration eines Dotierstoffs und von Verunreinigungen, etwa Sauerstoff und Kohlenstoff, im Zuchtkristall der Tiegel mit einer Veränderung der Menge der Schmelze in dem Tiegel angehoben, um die Schmelzenoberfläche während des gesamten Kristallzuchtprozesses auf einem konstanten Pegel zu halten. Insbesondere bei einer CZ-Einkristallzuchtvorrichtung des Typs mit einem Gasrektifizierrohr müssen das untere Ende des Gasrektifizierrohres und die Schmelzenoberfläche in einer konstanten Lagebeziehung gehalten werden.
  • Dementsprechend sind eine genaue Erfassung und Messung der Position oder des Pegels der Schmelzenoberfäche erforderlich, um eine präzise Steuerung des Dotierstoffs und der Verunreinigungskonzentrationen in dem gezüchteten Kristall zu erzielen. Im Fall der das Gasrektifizierrohr verwendenden Vorrichtung muß der Abstand oder Zwischenraum zwischen dem unteren Ende des Gasrektifizierrohres und der Schmezenoberfläche genau erfaßt und gemessen werden.
  • Fig. 3 zeigt diagrammartig einen mit einer konventionellen CZ- Halbleitereinkristallzuchtvorrichtung 40 verbundenen Positionssensor zum Erfassen der Position der Schmelzenoberfläche. Der konventionelle Positionssensor ist so aufgebaut, daß ein von einer Lichtquelle 42 ausgestrahlter Lichtstrahl durch ein erstes Sichtfenster 46 an einer Kammer 44 tritt und auf die Oberfläche einer in einem Quarztiegel C enthaltenen Schmelze M trifft. Das von der Schmelzenoberfläche reflektierte Reflexionslicht breitet sich aus durch ein zweites Sichtfenster 48 und wird von einem lichtempfindlichen Element 50 empfangen. Das lichtempfindliche Element 50 erfaßt die Position der Schmelzenoberfläche abhängig von der Position des empfangenen Reflexionslichts, welche Position bei einer Veränderung der Position der Schmelzenoberfläche variiert.
  • Der Positionssensor mit dem vorstehenden Aufbau kann jedoch nicht richtig arbeiten, wenn in der Kammer ein wachsender Einkristall oder ein Gasrektifizierrohr anwesend ist. Dies liegt daran, daß wegen der die Lichtausbreitung blockierenden Anwesenheit eines Hindernisses (das heißt des wachsenden Einkristalls oder des Gasrektifizierrohrs) der Lichtstrahl nicht die Schmelzenoberfläche erreichen kann oder das Reflexionslicht nicht das lichtempfindliche Element erreichen kann. Der konventionelle Positionssensor kann nur zur Messung der Position der Schmelzenoberfläche verwendet werden.
  • Während des Kristallzuchtprozesses führt das Gasrektifizierrohr eine thermische Ausdehnung und Kontraktion aus, und die Stärke der thermischen Ausdehnung und Kontraktion variiert in komplizierter Weise. Als Folge dieser thermischen Ausdehnung und Kontraktion des Gasrektifizierrohres variiert auch der Abstand zwischen dem unteren Ende des Gasrektifizierrohres und der Schmelzenoberfläche.
  • Wie zuvor erwähnt sollte dieser Abstand vorzugsweise konstant gehalten werden während des Kristallzuchtprozesses, wobei anderenfalls die Kristalleigenschaften des wachsenden Kristalls, insbesondere die Dotierstoffkonzentrationen und Verunreinigungen, etwa Sauerstoff und Kohlenstoff, unregelmäßig und instabil werden.
  • In Anbetracht der vorstehenden Nachteile des Standes der Technik strebt die Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung an, die einen CZ-Halbleitereinkristall mit besserer Gleichmäßigkeit der Kristalleigenschaften, etwa der Konzentration von Dotierstoffen und Verunreinigungen einschließlich Sauerstoff und Kohlenstoff, durch Erfassen des Abstandes zwischen der Schmelzenoberfläche und dem unteren Ende eines Gasrektifizierrohres in einer Kammer zum Konstanthalten dieses Abstandes während des gesamten Kristallzuchtprozesses erzeugen können.
  • Um die vorstehenden Aufgaben zu lösen, sieht die Erfindung vor eine Vorrichtung zum Erzeugen eines nach dem Czochralski-Verfahren gezüchteten Halbleitereinkristalls des Typs mit einem Gasrektifizierrohr mit kreisförmig zylindrischer Form oder einer sich nach unten verjüngenden Konfiguration, und zwar konzentrisch mit einem Tiegel und unmittelbar über der Oberfläche einer Schmelze in dem Tiegel angeordnet, um einen gezüchteten Einkristall zu umgeben, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung ferner aufweist einen an einem unteren Ende des Gasrektifizierrohres angeordneten und einen Referenzpunkt definierenden Referenzreflektor, ein erstes und ein zweites optisches System, die über dem Referenreflektor angeordnet sind, zum Verändern der Ausbreitungsrichtung des Lichts aus der Horizontalen in die Vertikale und umgekehrt, einen aus einer ersten Lichtquelle zum Ausstrahlen eines Lichtstrahls in einer ersten horizontalen Richtung auf das erste optische System zu einem ersten lichtempfindlichen Element, das von der Schmelzenoberfläche in dem Tiegel reflektiertes Reflexionslicht empfängt, aufgebauten ersten Positionssensor, einen aus einer zweiten Lichtquelle zum Ausstrahlen eines Lichtstrahls in einer zweiten horizontalen Richtung auf das zweite optische System zu und einem zweiten lichtempfindlichen Element, das von dem Referenzreflektor reflektiertes Reflexionslicht empfängt, aufgebauten zweiten Positionssensor, wobei der von der ersten Lichtquelle des ersten Positionssensors ausgestrahlte Lichtstrahl in einem kleinen Winkel zu der Vertikalen auf die Schmelzenoberfläche trifft, um eine Erfassung der Schmelzenoberfläche zu ermöglichen, und der von der zweiten Lichtquelle des zweiten Positionssensors ausgestrahlte Lichtstrahl in einem kleinen Winkel zu der Vertikalen aufden Referenzreflektor trifft, um eine Erfassung des Referenzpunkts zu ermöglichen.
  • Durch die Verwendung eines einzelnen bewegbaren Positionssensors kann der erste oder der zweite Positionssensor und das entsprechende erste oder zweite optische System weggelassen werden. Der bewegbare Positionssensor kann eine Lichtquelle, etwa ein Laser, beinhalten, die einen Lichtstrahl (Laserstrahl) selektiv auf die Schmelzenoberfläche und den Referenzreflektor abstrahlt, und ein lichtempfindliches Element, das von der Schmelzenoberfläche reflektiertes Reflexionslicht und von dem Referenzreflektor reflektiertes Reflexionslicht empfängt. Wenn in diesem Fall die Lichtempfangsfläche des lichtempfindlichen Elements ausreichend groß ist und die Lichtquelle bewegbar oder schwenkbar ausgeführt ist, um den Winkel der Abstrahlung des Lichtstrahls zu verändem, kann das gleiche Ergebnis wie oben beschrieben erzielt werden ohne Bewegung des ganzen Positionssensors. Ein beliebiger anderer Mechanismus oder Aufbau kann für einen bewegbaren Positionssensor verwendet werden, unter der Voraussetzung daß ein von einer einzelnen Lichtquelle abgestrahlter Lichtstrahl selektiv auf die Schmelzenoberfläche in dem Tiegel und den Referenzreflektor trifft und von der Schmelzenoberfläche reflektiertes Reflexionslicht und von dem Referenzreflektor reflektiertes Reflexionslicht von einem einzigen lichtempfindlichen Element empfangen werden.
  • Wenn die Schmelzenoberfläche und der Referenzpunkt durch die erfindungsgemäße Vorrichtung erfaßt werden sollen, breitet sich ein Lichtstrahl durch das optische System (zum Beispiel ein Prisma) zu der Schmelzenoberfläche mit einem kleinen zwischen dem Lichtstrahl und der Vertikalen (das heißt dem senkrechten Einfall) gebildeten Einfallswinkel aus. Zumindest ein Teil des Lichtstrahls wird von der Schmelzenoberfläche reflektiert, und von der Schmelzenoberfläche reflektiertes Reflexionslicht breitet sich zu dem optischen System in einem dem Einfallswinkel gleichen Reflexionswinkel aus. Das Reflexionsucht wird dann von dem lichtempfindlichen Element erfaßt. Da der optische Weg des Einfallslichts (Lichtstrahls) gegenüber der Vertikalen leicht angewinkelt oder geneigt ist, variiert der Projektionspunkt des Reflexionslichts auf dem lichtempfindlichen Element mit einer Veränderung des Pegels der Schmelzenoberfläche. Unter Verwendung dieses Phänomens kann der Pegel der Schmelzenoberfläche erfaßt werden.
  • Wenn im Gegensatz dazu der Lichtstrahl entlang einem vertikalen optischen Weg auf die Schmelzenoberfläche projiziert wird, breitet sich von der Schmelzenoberfläche reflektiertes Reflexionslicht entlang dem gleichen vertikalen optischen Weg wie der Einfallslichtstrahl aus. Der so angeordnete optische Weg ist bezüglich der Erfassung der Schmelzenoberfläche nicht für die erfindungsgemäße Vorrichtung geeignet.
  • Es ist daher wichtig, daß zur Ermöglichung der Schmelzenpegeerfassung der die Schmelzenoberfläche treffende Lichtstrahl mit der vertikalen Achse (das heißt dem senkrechten Einfall) einen gewissen Einfallswinkel bildet. Damit breitet sich von der Schmelzenoberfläche reflektiertes Reflexionslicht entlang einem anderen optischen Weg als der Lichtstrahl (des Einfallslichts) aus.
  • Bei einem mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung ausgeführten CZ- Halbleitereinkristallzuchtverfahren kann die relative Lage zwischen der Schmelzenoberfläche und dem durch den Reflektor definierten Referenzpunkt während des Zuchtprozesses frei eingestellt werden.
  • Erfindungsgemäß ist unter Verwendung eines engen Innenraums in einem oberen Bereich der CZ-Halbleitereinkristallzuchtvorrichtung ein einen Referenzpunkt definierender Referenzreflektor an dem unteren Ende eines Gasrektifizierrohres angeordnet, und zumindest ein optisches System ist über dem Referenzpunkt angeordnet zur Veränderung der Ausbreitungsrichtung des Lichts von der Vertikalen in die Horizontale und umgekehrt. Zumindest eine optische Positionserfassungseinrichtung oder ein Sensor ist außerhalb der Kammer der Vorrichtung angeordnet und in der horizontalen Richtung mit dem optischen System ausgerichtet. Der optische Positionssensor strahlt selektiv einen Lichtstrahl auf die Schmelzenoberfläche und den Referenzreflektor und empfängt von der Schmelzenoberfläche reflektiertes Reflexionslicht und von dem Referenzreflektorpunkt reflektiertes Reflexionslicht, um den Pegel der Schmelzenoberfläche und den Pegel des Referenzpunkts zu erfassen zur Steuerung des Abstands zwischen der Schmelzenoberfläche und dem unteren Ende des Gasrektifizierrohres.
  • Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung werden dem Fachmann anhand der detaillierten Beschreibung und Zeichnungen deutlich, wobei bevorzugte und die Erfindungsprinzipien darstellende Ausführungsbeispiele als illustrierende Beispiele gezeigt sind.
  • Fig. 1 ist eine diagrammartige Ansicht eines Hauptteils einer CZ- Halbleitereinkristallzuchtvorrichtung nach einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel;
  • Fig. 2 ist eine Fig. 1 ähnliche Ansicht, zeigt jedoch ein anderes erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel; und
  • Fig. 3 ist eine diagrammartige Ansicht eines in einer konventionellen CZ- Halbleitereinkristallzuchtvorrichtung enthaltenen optischen Erfassungssystems zur Erfassung des Pegels der Schmelzenoberfläche.
  • In Fig. 1 ist eine erfindungsgemäße Vorrichtung 10 zur Herstellung eines nach dem CZ-Verfahren gezüchteten Haibleitereinkristalls gezeigt.
  • Die Vorrichtung 10 beinhaltet einen Quarztiegel C zum darin Halten einer Schmelze M aus Halbleitermaterial, etwa Silizium, und ein mit dem Tiegel konzentrisches Gasrektifizierrohr P, das unmittelbar über der Schmelzenoberfläche 24 angeordnet ist, um einen aus der Schmelze M gezogenen Halbleitereinkristall einzuschließen oder zu umgeben. Das Gasrektifizierrohr P hat eine kreisförmige zylindrische Form oder einen sich nach unten verjüngenden Aufbau. An einem unteren Ende (Vorderende) des Gasrektifizierrohres P ist ein Referenzreflektor 12 angeordnet und definiert einen Referenzpunkt 26.
  • Eine mit 14 bezeichnete erste Positionserfassungseinrichtung oder ein Sensor ist außerhalb einer Kammer (nicht bezeichnet) der Vorrichtung 10 angeordnet. Der erste Positionssensor 14 ist aufgebaut aus einer ersten Lichtquelle und einem ersten lichtempfindlichen Element, die beide nicht gezeigt sind. Die Ziffer 16 bezeichnet ein erstes den optischen Weg veränderndes optisches System, etwa ein Prisma, das innerhalb der Kammer angeordnet und in der horizontalen Richtung mit dem ersten Positionssensor 14 ausgerichtet ist, um die Richtung der Lichtausbreitung von der Horizontalen in die Vertikale und umgekehrt zu verändern. Das erste den optischen Weg verändernde optische System 16 (im folgenden der Kürze halber als "erstes optisches System" bezeichnet) ist über dem Referenzreflektor 12 angeordnet, wird jedoch außerhalb einer vertikalen Ausrichtung mit dem Referenzpunkt 26 gehalten.
  • Genauso ist ein zweiter Positionssensor 18 außerhalb der Kammer der Vorrichtung 10 angeordnet und beinhaltet eine zweite Lichtquelle und ein zweites lichtempfindliches Element, die beide nicht gezeigt sind. Ein mit 20 bezeichnetes zweites den optischen Weg veränderndes optisches System beinhaltet zum Beispiel ein Prisma und ist in horizontaler Ausrichtung mit dem zweiten Positionssensor 18 innerhalb der Kammer angeordnet, um die Richtung der Lichtausbreitung von der Horizontalen in die Vertikale und umgekehrt zu verändern. Das zweite den optischen Weg verändernde optische System 20 (im folgenden der Kürze halber als "zweites optisches System" bezeichnet) ist direkt über dem durch den Referenzreflektor 12 definierten Referenzpunkt 26 angeordnet.
  • Eine mit 22 bezeichnete Arithmetik- und Logikeinheit ist elektrisch mit dem ersten Positionssensor 14 und dem zweiten Positionssensor 18 verbunden, um den Pegel der Schmelzenoberfläche 24, den Pegel des Referenzpunkts 26 und den Abstand zwischen der Schmelzenoberfläche 24 und dem Referenzpunkt 26 (das heißt dem unteren Ende des Gasrektifizierrohres P) entsprechend von dem ersten und dem zweiten Positionssensor 14, 18 zugeführten Daten zu berechnen.
  • Die Ziffer 28 bezeichnet ein an der Vorrichtung 10 an einem oberen Bereich der Kammer vorgesehenes Sichtfenster. Von der ersten bzw. der zweiten Lichtquelle ausgestrahlte Lichtstrahlen breiten sich durch das Sichtfenster 28 in die Kammer aus, und aus der Kammer zurückreflektiertes Reflexionslicht breitet sich durch das Sichtfenster 28 zu dem ersten bzw. dem zweiten lichtempfindlichen Element aus.
  • Die Vorrichtung 10 mit dem vorstehenden Aufbau funktioniert wie folgt.
  • Die erste Lichtquelle des ersten Positionssensors 14 strahlt einen Lichtstrahl, etwa einen Laserstrahl, in einer horizontalen Richtung auf das erste optische System (Prisma) hin aus, wo der Laserstrahl vertikal nach unten auf die Schmelzenoberfläche 24 zu gerichtet wird. Zumindest ein Teil des Lichtstrahls wird von der Schmelzenoberfläche 24 reflektiert, und von der Schmelzenoberfläche 24 reflektiertes Reflexionslicht breitet sich zurück in einer Richtung vertikal aufwärts zu dem ersten optischen System 16 aus, wo das Reflexionslicht seine Ausbreitungsrichtung von der Vertikalen in die Horizontale verändert. Das Reflexionslicht wird schließlich von dem ersten lichtempfindlichen Element des ersten Positionssensors 14 empfangen. Der erste Positionssensor 14 führt die erfaßten Daten der Arithmetik- und Logikeinheit 22 zu.
  • Entsprechend strahlt die zweite Lichtquelle des zweiten Positionssensors 18 einen Lichtstrahl, etwa einen Laserstrahl, in einer horizontalen Richtung auf das zweite optische System (Prisma) 20 hin aus, wo der Laserstrahl vertikal nach unten auf den Referenzreflektor 12 zu gerichtet wird. Der Lichtstrahl wird von dem Reflektor 12 reflektiert, und von dem Referenzpunkt 26 reflektiertes Reflexionslicht breitet sich in einer Richtung vertikal nach oben auf das zweite optische System 20 zu zurück aus, wo das Reflexionslicht seine Ausbreitungsrichtung von der Vertikalen in die Horizontale verändert. Danach wird das Reflexionsucht von dem zweiten lichtempfindlichen Element des zweiten Positionssensors 18 empfangen, der wiederum die erfaßten Daten der Arithmetikund Logikeinheit 22 zuführt.
  • In der Arithmetik- und Logikeinheit 22 werden die erfaßten Daten bezüglich des Pegels der Schmelzenoberfläche 24 und die erfaßten Daten bezüglich des Referenzpunkts 26 einer arithmetischen Operation oder Berechnung unterworfen, um den Abstand zwischen der Schmelzenoberfläche 24 und dem Referenzpunkt 26 (das heißt dem unteren Ende des Gasrektifizierrohres P) zu bestimmen. Der so ermittelte Abstand wird zur Steuerung der relativen Lage zwischen der Schmelzenoberfläche 24 und dem unteren Ende des Gasrektifizierrohres P verwendet.
  • Bei dem soeben beschriebenen Ausführungsbeispiel sind der optische Weg jedes der Lichtstrahlen (Einfallslicht) und der optische Weg des entsprechenden Reflexionslichts als sich in einer Richtung vertikal nach unten bzw. in einer Richtung vertikal nach oben erstreckend beschrieben. Dies dient nur der Veranschaulichung. Wie zuvor erwähnt, ist die Erfassung der Schmelzenoberfläche zum Beispiel nicht in dem Zustand erreichbar, daß das Einfallslicht und das Reflexionslicht sich entlang dem gleichen optischen Weg ausbreiten. Es ist daher erforderlich, den Lichtstrahl auf die Schmelzenoberfläche zu richten, und zwar zum Beispiel in solcher Weise, daß der Lichtstrahl mit der vertikalen Achse (senkrechter Einfall) eine kleinen Einfallswinkel bildet.
  • Der bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel verwendete erste und der zweite Positionssensor 14 und 18 sind stationär oder von festgelegter Position. Diese stationären Positionssensoren 14, 18 können durch einen einzigen bewegbaren Positionssensor ersetzt werden, der ausgelegt ist zur Erfassung sowohl der Daten bezüglich der Schmelzenoberfläche 24 als auch der Daten bezüglich des Referenzpunkts 26.
  • Ein solcher beweglicher Positionssensor ist beispielhaft in Fig. 2 gezeigt. Der mit 30 bezeichnete bewegliche Positionssensor ist außerhalb der Kammer der Vorrichtung 1 angeordnet und beinhaltet eine Lichtquelle 32 und ein licbtempfindliches Element 34. Ein den optischen Weg veränderndes optisches System 36 ist über dem Referenzreflektor 12 innerhalb der Kammer und in horizontaler Richtung mit dem Positionssensor 30 ausgerichtet angeordnet. Das den optischen Weg verändernde optische System 36 (im folgenden der Kürze halber als "optisches System" bezeichnet) beinhaltet zum Beispiel ein Pentaprisma und verändert durch Reflexion die Ausbreitungsrichtung des Lichts von der Horizontalen in die Vertikale und umgekehrt.
  • Eine mit 38 bezeichnete Arithmetik- und Logikeinheit ist elektrisch mit dem Positionssensor 30 verbunden und berechnet den Pegel der Schmelzenoberfläche 24, den Pegel des durch den Referenzreflektor 12 definierten Referenzpunkt 26 und den Abstand zwischen der Schmelzenoberfläche 24 und dem Referenzpunkt 26 (das heißt des unteren Endes des Gasrektifizierrohres P) entsprechend von dem Positionssensor 30 zugeführten erfaßten Daten. In Fig. 2 bezeichnen den in Fig. 1 gezeigten gleiche Bezugsziffern gleiche oder entsprechende Teile.
  • Die Funktion der in Fig. 2 gezeigten Vorrichtung wird im folgenden beschrieben.
  • Zunächst wird der Positionssensor 30 in eine durch die durchgezogenen Linien bezeichnete Position gesetzt. Dann strahlt die Lichtquelle 32 einen Lichtstrahl, etwa einen Laserstrahl, in horizontaler Richtung auf das optische System (Pentaprisma) 36 zu aus, wo der Lichtstrahl seine Ausbreitungsrichtung von der horizontalen Richtung in eine Richtung vertikal nach unten verändert. Der Lichtstrahl trifft dann auf eine obere Oberfläche (das heißt den Referenzpunkt 26) des Referenzreflektors 12. Von dem Referenzreflektor 12 reflektiertes Reflexionslicht breitet sich in einer Richtung vertikal nach oben aus und trifft auf das optische System 36, wo das Reflexionslicht seine Ausbreitungsrichtung von der Richtung vertikal nach oben in eine horizontale Richtung ändert. Dann trifft das Reflexionslicht auf einen vor dem lichtempfindlichen Element 34 angeordneten Spiegel 39. Der Spiegel 39 reflektiert das Reflexionslicht auf das lichtempfindliche Element 34 des Positionssensors 30 zu. Damit werden Daten bezüglich des Referenzpunkts 26 erfaßt. Die erfaßten Daten bezüglich des Referenzpunkts 26 werden daraufhin von dem Positionssensor 30 der Arithmetik- und Logikeinheit 38 zugeführt.
  • Dann wird der Positionssensor 30 als Ganzes nach unten verschoben, bis die Lichtquelle 32 ihre in gestrichelten Linien gezeigte untere Position einnimmt. Obwohl nicht besonders dargestellt, nimmt das lichtempfindliche Element 34 auch seine untere Position ein. Die Lichtquelle 32 strahlt wieder einen Lichtstrahl (Laserstrahl) in einer horizontalen Richtung auf das optische System (Pentaprisma) 36 zu ab, welches den Lichtstrahl durch Reflexion in eine Richtung vertikal nach unten richtet. Dann trifft der Lichtstrahl auf die Schmelzenoberfläche 24, und von der Schmelzenoberfläche 24 reflektiertes Reflexionslicht breitet sich in einer Richtung vertikal nach oben zurück zu dem optischen System (Pentaprisma) 36 aus, wo das Reflexionslicht in eine horizontale Richtung auf den Spiegel 39 zu gerichtet wird. Das Reflexionslicht wird dann wiederum von dem Spiegel 39 reflektiert und schließlich von dem lichtempfindlichen Element 34 des Positionssensors 30 empfangen. Damit werden Daten bezüglich der Schmelzenoberfläche erfaßt. Die erfaßten Daten werden dann von dem Positionssensor 30 zu der Arithmetik- und Logikeinheit 38 geführt. Die Arithmetik- und Logikeinheit 38 berechnet den Pegel des Referenzpunkts 26, den Pegel der Schmelzenoberfläche 24 und den Abstand zwischen dem Referenzpunkt 26 (das heißt dem unteren Ende des Gasrektifizierrohres P) und der Schmelzenoberfläche 24 entsprechend den von dem Positionssensor 30 zugeführten erfaßten Daten. Die Begriffe "Richtung nach vertikal unten" und "Richtung nach vertikal oben", die zur Bezeichnung der Ausbreitungsrichtung des Lichts benutzt wurden, sollten als nur zum Zweck der Veranschaulichung verwendet betrachtet werden. Genauer gesagt bildet, wie in Fig. 2 gezeigt, das Einfallslicht (das heißt der auf die Schmelzenoberfläche 24 oder den Referenzreflektor 12 treffende Lichtstrahl) mit der vertikalen Achse (das heißt dem senkrechten Einfall) einen kleinen Einfallswinkel, und das von der Schmelzenoberfläche 24 oder dem Referenzreflektor 12 reflektierte Reflexionslicht bildet mit der vertikalen Achse einen kleinen Reflexionswinkel, der dem Einfallswinkel gleich ist. Der zuvor erwähnte Positionssensor 30 ist als Ganzes vertikal beweglich, so daß die Lichtquelle 32 und das lichtempfindliche Element 34 gleichzeitig in vertikaler Richtung verschoben werden. Alternativ kann die Lichtquelle 32 vertikal beweglich sein, während das lichtempfindliche Element 34 festgelegt oder stationär ist.
  • Wie oben beschrieben kann mit der Erfindung, auch wenn in der Kammer ein Gasrektifizierrohr gleichzeitig, und während ein Einkristall durch Ziehen aus der Schmelze gezüchtet wird, anwesend ist, der Abstand zwischen dem Gasrektifizierrohr und der Schmelzenoberfläche gemessen werden. Im Fall einer thermischen Ausdehnung und Kontraktion des Gasrektifizierrohres während der Kristallzucht wird der Betrag der thermischen Verformung des Gasrektifizierrohres entsprechend den durch den/die Positionssensor(en) erfaßten Daten kompensiert mit dem Ergebnis, daß der Abstand zwischen dem Gasrektifizierrohr und der Schmelzenoberfläche während des gesamten Kristallzuchtprozesses konstant gehalten werden kann. Dementsprechend hat der resultierende Einkristall eine verbesserte Gleichmäßigkeit der Kristalleigenschaften, und insbesondere ist die Konzentration von Dotierstoffen und Verunreinigungen, etwa Wasserstoff und Kohlenstoff, sehr stabil und homogen.

Claims (6)

1. Vorrichtung (10) zum Erzeugen eines nach dem Czochralski-Verfahren gezüchteten Halbleitereinkristalls (S) des Typs mit einem Gasrektifizierrohr (P) mit kreisförmig zylindrischer Form oder einer sich nach unten verjüngenden Konfiguration, und zwar konzentrisch mit einem Tiegel (C) und unmittelbar über der Oberfläche (24) einer Schmelze (M) in dem Tiegel (C) angeordnet, um einen gezüchteten Einkristall (S) zu umgeben, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (10) ferner aufweist einen an einem unteren Ende des Gasrektifizierrohres (P) angeordneten und einen Referenzpunkt (26) definierenden Referenzreflektor (12), ein erstes und ein zweites optisches System (16, 20), die über dem Referenzreflektor (12) angeordnet sind, zum Verändern der Ausbreitungsrichtung des Lichts aus der Horizontalen in die Vertikale und umgekehrt, einen aus einer ersten Lichtquelle zum Ausstrahlen eines Lichtstrahls in einer ersten horizontalen Richtung auf das erste optische System (16) zu und einem ersten lichtempfindlichen Element, das von der Schmelzenoberfläche (24) in dem Tiegel (C) reflektiertes Reflexionslicht empfängt, aufgebauten ersten Positionssensor (14), einen aus einer zweiten Lichtquelle zum Ausstrahlen eines Lichtstrahls in einer zweiten horizontalen Richtung auf das zweite optische System (20) zu und einem zweiten lichtempfindlichen Element, das von dem Referenzreflektor (12) reflektiertes Reflexionslicht empfängt, aufgebauten zweiten Positionssensor (18), wobei der von der ersten Lichtquelle des ersten Positionssensors (14) ausgestrahlte Lichtstrahl in einem kleinen Winkel zu der Vertikalen auf die Schmelzenoberfläche (24) trifft, um eine Erfassung der Schmelzenoberfläche (24) zu ermöglichen, und der von der zweiten Lichtquelle des zweiten Positionssensors (18) ausgestrahlte Lichtstrahl in einem kleinen Winkel zu der Vertikalen auf den Referenzreflektor (12) trifft, um eine Erfassung des Referenzpunkts (26) zu ermöglichen.
2. Vorrichtung (10) zum Erzeugen eines nach dem Czochralski-Verfahren gezüchteten Halbleitereinkristalls (S) des Typs mit einem Gasrektifizierrohr (P) mit kreisförmig zylindrischer Form oder einer sich nach unten verjüngenden Konfiguration, und zwar konzentrisch mit einem Tiegel (C) und unmittelbar über der Oberfläche (24) einer Schmelze (M) in dem Tiegel (C) angeordnet, um einen gezüchteten Einkristall (S) zu umgeben, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (10) ferner aufweist einen an einem unteren Ende des Gasrektifizierrohres (P) angeordneten und einen Referenzpunkt (26) definierenden Referenzreflektor (12), ein optisches System (36), das über dem Referenzreflektor (12) angeordnet ist, zum Verändern der Ausbreitungsrichtung des Lichts aus der Horizontalen in die Vertikale und umgekehrt, einen aus einer Lichtquelle (32) zum Ausstrahlen eines Lichtstrahls in einer horizontalen Richtung auf das optische System (36) zu und einem aufgebauten Positionssensor (30) lichtempfindlichen Element (34), das einen reflektierten Teil des Lichtstrahls empfängt, wobei der Positionssensor (30) beweglich ist, so daß der von der Lichtquelle (32) abgestrahlte Lichtstrahl selektiv auf die Schmelzenoberfläche (24) in dem Tiegel (C) und den Referenzreflektor (12) trifft und von der Schmelzenoberfläche (24) reflektiertes Reflexionslicht und von dem Referenzreflektor (12) reflektiertes Reflexionslicht von dem lichtempfindlichen Element (34) empfangen werden, wobei der von der Lichtquelle (32) abgestrahlte Lichtstrahl auf die Schmelzenoberfläche (24) bzw. auf den Referenzpunkt (26) in einem kleinen Winkel zu der Vertikalen trifft, um eine Erfassung der Schmelzenoberfläche (24) und des Referenzpunkts (26) zu ermöglichen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der der selektiv auf die Schmelzenoberfläche (24) und den Referenzreflektor (12) treffende Lichtstrahl mit der Vertikalen einen kleinen Einfallswinkel bildet, um die Erfassung der Schmelzenoberfläche (24) und des Referenzpunkts (26) zu ermöglichen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei der Positionssensor (30) als Ganzes vertikal beweglich ist, so daß die Lichtquelle (32) und das lichtempfindliche Element (34) gleichzeitig in vertikaler Richtung verschoben werden.
5. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, bei der die Lichtquelle (32) vertikal beweglich ist und das lichtempfindliche Element (34) stationär ist.
6. Verfahren zum Erzeugen eines mit der Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche gezüchteten Halbleitereinkristalls, dadurch gekennzeichnet, daß die relative Lage zwischen der Schmelzenoberfläche (24) und dem durch den Referenzreflektor (12) definierten Referenzpunkt (25) einstellbar ist, um den Abstand zwischen der Schmelzenoberfläche (24) und dem Gasrektifizierrohr (P) während des gesamten Kristallzuchtprozesses konstant zu halten.
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