DE69204400T2 - Dünne Filmbeschichtungen, hergestellt unter Verwendung von plasmaaktivierter chemischer Dampfphasen-Abscheidung von fluorierten Cyclosiloxanen. - Google Patents
Dünne Filmbeschichtungen, hergestellt unter Verwendung von plasmaaktivierter chemischer Dampfphasen-Abscheidung von fluorierten Cyclosiloxanen.Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 19
- -1 fluorinated cyclic siloxane Chemical class 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- URZHQOCYXDNFGN-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethyl-2,4,6-tris(3,3,3-trifluoropropyl)-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical group FC(F)(F)CC[Si]1(C)O[Si](C)(CCC(F)(F)F)O[Si](C)(CCC(F)(F)F)O1 URZHQOCYXDNFGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002656 O–Si–O Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000006120 scratch resistant coating Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N Nitrogen dioxide Chemical compound O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-NJFSPNSNSA-N oxygen-18 atom Chemical compound [18O] QVGXLLKOCUKJST-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000825 pharmaceutical preparation Substances 0.000 description 1
- 229940127557 pharmaceutical product Drugs 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Beschichtungen, die durch Abscheidung von dünnen Filmen erzeugt werden, die durch Plasma-induzierte Abscheidung aus Chemikaliendämpfen von flüchtigen fluorierten cyclischen Siloxanen mit der Struktur [RR'SiO]x , in der R einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen bedeutet, R' einen fluorierten Kohlenwasserstoffrest mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen bezeichnet, dessen Kohlenstoffatome in alphaund beta-Stellung in bezug auf das Siliciumatom Wasserstoffatome tragen, und in der x für 3 oder 4 steht. Diese besonderen Beschichtungen sind wegen ihrer Schutz- und Isoliereigenschaften nützlich.
- Die vorliegende Erfindung betrifft Beschichtungen, die durch Abscheidung von dünnen Filmen erzeugt werden, die durch Abscheidung aus Chemikaliendämpfen von flüchtigen fluorierten cyclischen Siloxanen mit der Struktur [RR'SiO]x entstehen, in der R einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen bedeutet, R' einen fluorierten Kohlenwasserstoffrest mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen bezeichnet, dessen Kohlenstoffatome in alphaund beta-Stellung in bezug auf das Siliciumatom Wasserstoffatome tragen, und in der x für 3 oder 4 steht. Das Verfahren besteht darin, daß man Siloxandämpfe in eine Abscheidekammer einführt, in der sich das zu beschichtende Substrat befindet; die Reaktion des Dampfes wird dann durch Plasma induziert, das durch Radiofrequenzen (RF) [elektrisches Feld] angeregt wird. Die so erzeugten besonderen Beschichtungen haben nützliche physikalische Eigenschaften.
- Die Plasma-aktivierte Abscheidung aus Chemikaliendämpfen zu dünnen Filmen unter Verwendung von Gasen oder chemischen Dämpfen ist eine auf dem Gebiet der Filmbildung oder Beschichtung von verschiedenen Substraten gut bekannte Technik. Zahlreiche Chemikaliendämpfe sind bekannt, die sich für die Herstellung von verschiedenen Filmen nach dieser Technik eignen. Beispielsweise können dünne, Silicium und Kohlenstoff enthaltende Filme mittels Plasma-aktivierter Abscheidung aus Chemikaliendämpfen aus Gemischen von Silan (SiH ) und Methan oder Silan und Ethylen und ebenso aus Gemischen von Tetramethylsilan und Argon hergestellt werden. In ähnlicher Weise ist die Herstellung von Filmen vom Siliciumoxid-Typ aus Silanen, z.B. SiH&sub4;, H&sub2;SiCl&sub2;) im Gemisch mit einem oxidierenden Gas (z.B. Luft, Sauerstoff, Ozon, NO&sub2; usw.) bekannt.
- Was jedoch noch nicht bekannt war ist, daß flüchtige fluorierte cyclische Siloxane als gasförmige Quellen für die Plasma-aktivierte Abscheidung aus Chemikaliendämpfen zur Erzeugung von Silicium enthaltenden Filmen von Fluorpolymeren verwendet werden können.
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Beschichtungen auf einem Substrat. Das Verfahren besteht in der Einführung einer genügenden Menge Dampf, der ein fluoriertes cyclisches Siloxan mit der Struktur [RR'SiO]x enthält, in der R einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen bedeutet, R' einen fluorierten Kohlenwasserstoffrest mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen bezeichnet, dessen Kohlenstoffatome in alpha- und beta-Stellung in bezug auf das Siliciumatom Wasserstoffatome tragen, und in der x für 3 oder 4 steht, in eine Abscheidekammer, die das Substrat enthält. Die Zersetzungsreaktion des Dampfes in der Kammer wird dann durch die Wirkung einer Plasmaentladung induziert, die durch Radiofrequenzen (RF) in der Kammer angeregt wird.
- Die vorliegende Erfindung betrifft auch die besonderen Beschichtungen, die nach dem zuvor beschriebenen Verfahren erzeugt werden.
- Die vorliegende Erfindung gründet sich auf die Entdekkung, daß aus Dämpfen fluorierter cyclischer Siloxane besondere Beschichtungen erzeugt werden können. Die Beschichtungen werden auf den Substraten erzeugt, wenn eine durch Radiofrequenzen angeregte Plasmaentladung die Reaktion des Siloxandampfes induziert, der wiederum den abgeschiedenen Polymerfilm auf der Oberfläche des Substrats bildet. Die Chemikaliendämpfe oder die als Ausgangsstoffe dienenden Gase, die in dem vorliegenden Verfahren verwendet werden, bestehen aus fluorierten cyclischen Siloxanen. Die Ausgangsgase sind insbesondere fluorierte cyclische Siloxane mit der Struktur [RR'SiO]x, in der R ein Kohlenwasserstoff mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen bedeutet, R' einen fluorierten Kohlenwasserstoffrest mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen bezeichnet, dessen Kohlenstoffatome in alpha- und beta-Stellung in bezug auf das Siliciumatom Wasserstoffatome tragen, und in der x für 3 oder 4 steht. Zu den Beispielen für diese Materialien zählen 2,4,6- Tri(3,3,3-trifluorpropyl)-2,4,6-trimethylcyclotrisiloxan und 2,4,6-Tri(3,3,4,4,5,6,6,6-nonafluorhexyl)-2,4,6-trimethylcyclotrisiloxan. Das bevorzugte Siloxan zur Verwendung für diese Erfindung ist 2,4,6-Tri(3,3,3trifluorpropyl)-2,4,6-trimethylcyclotrisiloxan. Diese Siloxane und Verfahren zu deren Herstellung sind gut bekannt, und viele Siloxane sind im Handel erhältlich.
- Die erwähnten Siloxane werden in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung als Dämpfe verwendet. Diese Dämpfe werden ganz allgemein erhalten, indem man die Siloxane auf eine Temperatur erhitzt, die gewöhnlich zwischen etwa 50 und 200ºC liegt. Die so erhaltenen Dämpfe werden dann im allgemeinen mit anderen Gasen verdünnt, z.B. mit inerten Trägergasen (wie Argon, Helium, usw.) oder anderen Gasen, die die Zusammensetzung des dünnen Films modifizieren können. Als eine Alternative kann ein Trägergas, wie Argon oder Helium, mit den Dämpfen des auf eine Temperatur von etwa 50 bis 200ºC erhitzten flüssigen Siloxans gesättigt werden.
- Der Gesamtdruck des in die Abscheidekammer eingeführten Gases sollte auf eine Höhe geregelt werden, die die Plasmaentladung fördert und eine vernünftige Abscheiderate der Beschichtung ergibt. Die Drücke können innerhalb eines weiten Bereichs variiert werden, je nach der für das Plasma verwendeten speziellen Frequenz. Im allgemeinen ergibt ein Gesamtdruck von 1,33 bis etwa 1.333 Pa (0.01 bis etwa 10 Torr) günstige Bedingungen für das Abscheideverfahren. Gesamtdrücke von 6,67 bis etwa 133,3 Pa werden bevorzugt; ein Gesamtdruck von etwa 13,3 Pa ist gegenüber den anderen Drücken vorteilhaft.
- Die Menge des in die Abscheidekammer mit der Plasmaentladung eingeführten Chemikaliendampfes sollte ausreichend sein, um einen Partialdruck aufzubauen, der den zuvor beschriebenen Vakuumbedingungen entspricht. Folglich sollte die Menge der eingeführten Dämpfe so geregelt werden, daß ein Gesamtdruck in der Kammer im Bereich von 1,33 bis 1.333 Pa eingestellt wird; Drücke von 6,67 bis 133,3 Pa werden bevorzugt. Das Verfahren kann unter statischen Bedingungen durchgeführt werden, aber im allgemeinen wird die kontinuierliche Einführung einer geregelten Dampfmenge in einen Teil der Kammer bevorzugt, wobei in einem anderen Teil der Kammer ein Vakuum erzeugt wird, das einen Dampfstrom durch die Zone der Plasmaentladung bewirkt. Eine Dampfmenge, die für die Einstellung eines Dampf drucks von etwa 1,33 bis 1.333 Pa in der Kammer ausreicht, wird kontinuierlich zugeführt, während Trägergase, gasförmige Produkte oder andere modifizierte Gase mit einer entsprechenden Geschwindigkeit kontinuierlich aus der Kammer abgezogen werden.
- Der in die Kammer eingeführte Dampf wird dann einer Plasmaentladung durch RF unterworfen. Diese Entladung wird im allgemeinen mit Hilfe eines Wechselstromgenerators erzeugt, der Radiofrequenzen zwischen etwa 1 und 100 MHz erzeugt, mit einer Ausgangsleistung zwischen 1 und 1.000 Watt. Besonders bevorzugt werden Plasmabedingungen, die mit einer Radiofrequenz zwischen etwa 13,56 und 27 MHz erzeugt werden, wobei die Leistung zwischen etwa 20 und 200 Watt beträgt.
- Die Temperatur des Substrats in der Kammer wird im allgemeinen geregelt, um die Abscheidung des Films zu fördern. Im allgemeinen wendet man Temperaturen im Bereich von Raumtemperatur bis zu etwa 300ºC an.
- Die Abscheidekammer kann auch modifiziert werden, ohne daß die vorliegende Erfindung dadurch berührt wird. Beispielsweise können die Siloxandämpfe der Plasmaentladung an einer Stelle ausgesetzt werden, die von dem Substrat weit entfernt ist, und die Reaktionsprodukte können danach auf das Substrat geleitet werden. In analoger Weise kann die Geometrie der Entladung die Konfiguration eines Dioden- oder Triodenreaktors aufweisen und/oder das Substrat kann unter einer negativen Polarisierung gehalten werden, die durch RF (als "Vorspannung" ["Bias voltage"] verstanden) induziert und während der Abscheidung aufrechterhalten wird. Eine solche negative Polarisierung ("Vorspannung") kann zwischen 0 und -100 Volt (minus 100 Volt) variieren.
- Der Charakter und die Eigenschaften der nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung abgeschiedenen Beschichtungen können innerhalb eines weiten Bereiches variieren. Beispielsweise können die Beschichtungen modifiziert werden, indem man die Bedingungen, wie die Temperatur des Substrats, die Spannung der dem Substrat erteilten negativen Polarisierung, die angewandte Leistung, das zugeführte Gas, die Geometrie der Entladung usw., verändert. Die beigefügten Beispiele geben eine Reihe dieser Abscheidebedingungen wieder.
- Die entstehenden Beschichtungen können in mannigfacher Stärke erzeugt werden, die im Bereich von etwa 0,02 bis zu 2 Mikrometer liegt.
- Filme oder Beschichtungen, die nach der Erfindung erzeugt werden, enthalten Kohlenstoff, Silicium, Sauerstoff, Wasserstoff und Fluor in den folgenden ungefähren Atomprozentsätzen (bestimmt durch Röntgenfotoelektronenspektrographie (XPS)):
- Kohlenstoff 30-60 %
- Silicium 10-25 %
- Sauerstoff 10-35 %
- Fluor 10-36,5 %
- Weiterhin enthalten die Beschichtungen auch Wasserstoff (wie aus den C-H-Signalen der Infrarotspektralanalyse (FTIR-Typ) bestätigt wird), der jedoch nicht mittels XPS quantifiziert werden kann. Besonders bemerkenswert ist die Tatsache, daß die Infrarotspektralanalyse (FTIR) keine in der Beschichtung vorhandene SI-F- oder Si-H-Signale anzeigt.
- Diese Beschichtungen haben viele wünschenswerte Eigenschaften, wie hohe Härte, sehr geringe Porosität, gute Haftung auf den Substraten, hohen Brechungsindex, Hydrophobität, gute Isoliereigenschaften, Transparenz und keine Färbung. Beispielsweise beträgt die Härte dieser auf einem Glassubstrat abgeschiedenen Beschichtungen, gemessen durch den Bleistifttest nach ASTM D3633, 2B bis 9H; die Härte der auf einem Siliciumwafer abgeschiedenen Beschichtungen betrug 2H bis 4H (die im H-Bereich klassifizierten Filme sind sehr kratzfest). In ähnlicher Weise betrug die Hydrophobizität, gemessen durch den Kontaktwinkel eines nicht gleitfähigen Wassertropfens, der sich auf einem mit dem Film beschichteten Glassubstrat befand, zwischen 75º und 95º. Der Film hatte auch gute dielektrische Eigenschaften, mit einer spezifischen elektrischen Leitfähigkeit zwischen etwa 0,7 x 10&supmin;&sup9; und etwa 17 x 10&supmin;&sup9; Ohm&supmin;¹ x cm&supmin;¹ bei Abscheidung auf einem Glassubstrat. Schließlich betrug der Brechungsindex der Beschichtungen, gemessen im sichtbaren Bereich auf einem Glassubstrat, zwischen etwa 1,80 und 2,0.
- Wenn diese Eigenschaften in den Beschichtungen nach der vorliegenden Erfindung gleichzeitig vorliegen, eignen sie sich zur Beschichtung verschiedener Arten von Substraten, wie Siliciumwafern, Gläsern, Keramiken, Metallen und polymeren Materialien. Beispielsweise gestatten die Transparenz und die hohe Härte der Filme ihre Verwendung als kratzfeste Beschichtungen auf einer großen Zahl von Kunststoffmaterialien, wie Polycarbonat, Polymethylmethacrylat, Polyethylen, Polypropylen, Polyethylenterephthalat sowie auf einigen Legierungen und Gemischen dieser Stoffe, wenn sie zu flächigen Gebilden, Laminaten oder Platten geformt oder extrudiert sind, die als Gläser oder Schirme aus einem organischen Polymeren verwendet werden. Entsprechend sind die Beschichtungen für die Verbesserung der Abdichteigenschaften von Materialien für die Verpakkung von Nahrungsmitteln und pharmazeutischen Produkten geeignet, wenn sie hydrophob, transparent und farblos sind. Wenn die Beschichtungen hydrophob, transparent sowie farblos sind und einen hohen Brechungsindex und hohe Härte zeigen, eignen sie sich für isolierende Gläser, beispielsweise für Fassaden von Gebäuden. Wenn die Beschichtungen transparent sowie farblos sind und einen hohen Brechungsindex und eine hohe Härte aufweisen, eignen sie sich als kratzfeste Beschichtungen für optische Linsen aus Kunststoff oder aus weichen Mineralgläsern mit hohem Brechungsindex. Schließlich macht die Kombination der guten Eigenschaften hinsichtlich elektrischer Isolierung, Hydrophobität und hoher Haftung die Beschichtungen als isolierende Schutzschichten für mikroelektronische Vorrichtungen geeignet.
- Die folgenden nichtlimitierenden Beispiele werden gegeben, damit der Fachmann auf diesem Gebiet die Erfindung leicht verstehen kann.
- Ein Substrat aus poliertem Glas wurde auf die geerdete Elektrode eines diodenförmigen Plasmareaktors gelegt und mit einem Radiofrequenzgenerator von 13,56 MHz verbunden. 2,4,6-Tri(3,3,3-trifluorpropyl)-2,4,6-trimethylcyclotrisiloxan wurde auf 50ºC erhitzt und in den Reaktor eingeführt, wobei es durch einen Argonstrom mit einer Geschwindigkeit von 6 cm³/Min. transportiert wurde. Die Temperatur des Substrats wurde auf 30ºC und der Druck im Reaktor auf 13,33 Pa gehalten. Die Plasmaentladung wurde mit 50 Watt begonnen, und die Stärke des Films wurde mittels Laserinterferenzmessung ständig beobachtet. Nach 15 Min. wurde die Stromzufuhr unterbrochen.
- Die 1 um starke Beschichtung hatte die folgenden Eigenschaften:
- - der Kontaktwinkel eines nichtgleitfähigen Wassertropfens auf dem Film betrug 91º;
- - die durch den "Bleistifttest" nach ASTM D 3363 gemessene Härte entsprach der Klassifizierung 2B;
- - die elektrische Leitfähigkeit betrug 1,7 x 10&supmin;&sup9; Ohm&supmin;¹ x cm&supmin;¹ ; und
- - der Brechungsindex, bestimmt nach dem Verfahren von Manifacier-Gaslot, betrug 1,95 bei 630 nm (25ºC) (siehe Journal Physics, E: Scientific Instruments, 9, 1002, 1976).
- Ein Substrat aus poliertem Glas wurde in denselben Reaktor verbracht, und die Bedingungen waren dieselben wie im Beispiel 1, außer daß der Reaktor eine Trioden-Konfiguration aufwies. Das Substrat wurde auf die 3. Elektrode gelegt, mit dem Radiofrequenzgenerator verbunden und auf 30ºC gehalten, wobei eine Polarisationsspannung von -50 Volt angelegt wurde. Nach 16 Min. wurde die Stromzufuhr unterbrochen.
- Die entstandene Beschichtung, 1,6 um stark, hatte die folgenden Eigenschaften:
- - die "Bleistifthärte", gemessen nach ASTM D3363, entsprach der Klassifizierung 6H;
- - die elektrische Leitfähigkeit betrug 4 x 10&supmin;&sup9; Ohm&supmin;¹ x cm&supmin;¹; und
- - der Brechungsindex, bestimmt nach dem Verfahren von Manifacier-Gaslot, betrug 1,93 bei 630 nm (25ºC).
- Ein Ausschnitt eines Siliciumwafers wurde in denselben Plasmareaktor wie im Beispiel 2 gebracht, und es herrschten dieselben Bedingungen wie in Beispiel 2, außer daß eine "Vorspannung" von -40 Volt an das auf 30ºC gehaltene Substrat angelegt wurde. Nach 10 Min. wurde die Stromzufuhr unterbrochen.
- Die entstandene Beschichtung, 1,1 um stark, hatte die folgenden Eigenschaften:
- - Die Härte, gemessen durch den Bleistifttest nach ASTM D3363, entsprach der Klassifizierung 4H;
- - der Kontaktwinkel eines nichtgleitfähigen Wassertropfens auf dem Film war 89º;
- - die Analyse der Beschichtung mittels Röntgenfotoelektronenspektroskopie (XPS) ergab die folgenden Atomprozentsätze der Elemente:
- Kohlenstoff 31 %
- Sauerstoff 22 %
- Fluor 31 %
- Silicium 16 %
- Weiterhin zeigte die XPS-Analyse eine Netzstruktur. Die FTIR-Analyse der Beschichtung ergab eine Bande bei 3.000 cm&supmin;¹, die eine C-H-Gruppe anzeigte, eine Bande von 1.000 bis 1.150 cm&supmin;¹, die die Struktur O-Si-O anzeigte, eine Bande bei 1.210 cm&supmin;¹, die eine C-F-Bindung anzeigte, sowie die Abwesenheit von Banden mit 2100 bis 2150 cm&supmin;¹, die Si-H-Bindungen angezeigt hätten. Die Spektralanalyse ergab keinerlei Si-F-Bindungen.
- Ein Substrat wurde in demselben Reaktor wie im Beispiel 2 angeordnet, und die Bedingungen waren dieselben wie in Beispiel 2, außer daß die Temperatur des Substrats auf 200ºC gehalten wurde und die "Vorspannung" -50 Volt betrug. Nach 15 Min. wurde die Stromzufuhr unterbrochen.
- Die entstandene Beschichtung, 1,0 um stark, hatte die folgenden Eigenschaften:
- - die durch den "Bleistifttest" nach ASTM D 3363 gemessene Härte entsprach der Bleistiftklassifizierung 9H;
- - der Brechungsindex, bestimmt nach dem Verfahren von Manifacier-Gaslot, betrug 1,91 bei 630 nm (25ºC);
- - der Kontaktwinkel eines nichtgleitfähigen Wassertropfens auf dem Film war 77º.
- Ein Ausschnitt eines Siliciumwafers wurde in demselben Plasmareaktor wie im Beispiel 2 angeordnet, und die Bedingungen waren dieselben wie in Beispiel 2, außer daß eine "Vorspannung" von -60 Volt an das auf 30º C gehaltene Substrat angelegt wurde. Nach 10 Min. wurde die Stromzufuhr unterbrochen.
- Die entstandene Beschichtung, 1,5 um stark, hatte die folgenden Eigenschaften:
- - die Härte, durch den "Bleistifttest" nach ASTM D 3363 gemessen, entsprach der Bleistiftklassifizierung 4H;
- - der Kontaktwinkel eines nichtgleitfähigen Wassertropfens auf dem Film war 82º;
- - die Analyse durch Röntgenfotoelektronenspektroskopie (XPS) der Beschichtung ergab die folgenden Atomprozentsätze der Elemente:
- Kohlenstoff 42 %
- Sauerstoff 18 %
- Fluor 25 %
- Silicium 15 %
- Die FTIR-Analyse der Beschichtung zeigte eine Bande bei 3.000 cm&supmin;¹, die eine C-H-Bindung anzeigte, eine Bande von 1.000 bis 1.150 cm&supmin;¹, die eine O-Si-O-Gruppierung anzeigte, eine Bande bei 1.210 cm&supmin;¹, die eine C-F-Bindung anzeigte, und die Abwesenheit von Banden im Bereich von 2100 bis 2150 cm&supmin;¹, die Si-H-Bindungen angezeigt hätten.
- Ein Substrat aus poliertem Glas wurde in denselben Plasmareaktor wie im Beispiel 2 gelegt, und es herrschten dieselben Bedingungen wie im Beispiel 2, außer daß die Temperatur des Substrats auf 80ºC gehalten wurde und die "Vorspannung" -100 Volt betrug. Nach 9 Min. wurde die Stromzufuhr unterbrochen.
- Die entstandene Beschichtung, 0,76 um stark, hatte die folgenden Eigenschaften:
- - die Härte, gemessen durch den "Bleistifttest" nach ASTM D3363, entsprach der Bleistiftklassifizierung 5H;
- - der Kontaktwinkel eines nichtgleitfähigen Wassertropfens auf dem Film war 88º; und
- - die elektrische Leitfähigkeit betrug 4 x 10&supmin;&sup9; Ohm&supmin;¹ x cm&supmin;¹.
Claims (10)
1. Verfahren zur Erzeugung einer Beschichtung auf einem
Substrat, das darin besteht, daß man
eine genügende Menge Dampf in eine Abscheidekammer
einführt, die das Substrat enthält; wobei der Dampf ein
fluoriertes cyclisches Siloxan mit der Struktur [RR'SiO]x
enthält, in der R einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 6
Kohlenstoffatomen bedeutet, R' einen fluorierten
Kohlenwasserstoffrest mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen bezeichnet,
dessen Kohlenstoffatome in alpha- und beta-Stellung in bezug
auf das Siliciumatom Wasserstoffatome tragen, und x für 3
oder 4 steht; und
die Reaktion des Dampfes in der Kammer durch die
Wirkung einer Plasmaentladung durch Radiofrequenz induziert, um
die Abscheidung der Beschichtung auf dem Substrat zu
bewirken.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Frequenz der
Plasmaentladung in einem Bereich von etwa 1 bis 100 MHz
liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Frequenz der
Plasmaentladung zwischen etwa 13,56 und 27 MHz liegt.
4. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die
Temperatur des Substrats in einem Bereich von Raumtemperatur
bis 300ºC liegt.
5. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der
Dampf
2,4,6-Tri(3,3,3-trifluorpropyl)-2,4,6-trimethylcyclotrisiloxan ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das 2,4,6-Tri(3,3,3-
trifluorpropyl)-2,4,6-trimethylcyclotrisiloxan mit einem
inerten Transportgas verdünnt ist.
7. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der
Druck in der Abscheidekammer von 1,33 bis etwa 1.333 kPa
beträgt.
8. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das
Substrat ausgewählt ist aus einer Gruppe, bestehend aus
Siliciumwafern, mikroelektronischen Vorrichtungen, Gläsern,
keramischen Materialien, Metallen und polymeren Materialien.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die polymeren
Materialien ausgewählt sind aus einer Gruppe, bestehend aus
Polycarbonat, Polymethylmethacrylat, Polyethylen,
Polypropylen und Polyethylenterephthalat.
10. Substrat, beschichtet nach dem Verfahren eines jeden
der vorhergehenden Ansprüche.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITMI912018A IT1255257B (it) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | Rivestimenti con pellicole sottili realizzati mediante il deposito di vapore migliorato con plasma di silossani ciclici fluorati |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69204400D1 DE69204400D1 (de) | 1995-10-05 |
| DE69204400T2 true DE69204400T2 (de) | 1996-04-04 |
Family
ID=11360395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69204400T Expired - Fee Related DE69204400T2 (de) | 1991-07-22 | 1992-07-16 | Dünne Filmbeschichtungen, hergestellt unter Verwendung von plasmaaktivierter chemischer Dampfphasen-Abscheidung von fluorierten Cyclosiloxanen. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0528540B1 (de) |
| JP (1) | JPH05202478A (de) |
| CA (1) | CA2074331A1 (de) |
| DE (1) | DE69204400T2 (de) |
| IT (1) | IT1255257B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7662726B2 (en) | 2007-09-13 | 2010-02-16 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device having a gas-phase deposited insulation layer |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5846649A (en) * | 1994-03-03 | 1998-12-08 | Monsanto Company | Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses |
| US5618619A (en) * | 1994-03-03 | 1997-04-08 | Monsanto Company | Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates |
| US5560800A (en) * | 1994-08-31 | 1996-10-01 | Mobil Oil Corporation | Protective coating for pressure-activated adhesives |
| SG81281A1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Ltd | Plasma thin-film deposition method |
| US6541367B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
| TWI273090B (en) | 2002-09-09 | 2007-02-11 | Mitsui Chemicals Inc | Method for modifying porous film, modified porous film and use of same |
| US6905773B2 (en) | 2002-10-22 | 2005-06-14 | Schlage Lock Company | Corrosion-resistant coatings and methods of manufacturing the same |
| FR2847346B1 (fr) * | 2002-11-15 | 2005-02-18 | Essilor Int | Procede d'obtention d'un marquage sur une lentille ophtalmique a basse energie de surface |
| CN100446193C (zh) | 2004-02-13 | 2008-12-24 | 松下电器产业株式会社 | 有机无机混合绝缘膜的形成方法 |
| JP2020518107A (ja) | 2017-04-26 | 2020-06-18 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． | 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス |
| US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105637A (ja) * | 1982-12-09 | 1984-06-19 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPH0765003B2 (ja) * | 1986-09-10 | 1995-07-12 | 株式会社資生堂 | 表面処理粉末 |
| JPH01124805A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリマークラッド石英光ファイバおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-22 IT ITMI912018A patent/IT1255257B/it active IP Right Grant
-
1992
- 1992-07-16 DE DE69204400T patent/DE69204400T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-16 EP EP92306545A patent/EP0528540B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-21 CA CA002074331A patent/CA2074331A1/en not_active Abandoned
- 1992-07-21 JP JP4194166A patent/JPH05202478A/ja not_active Withdrawn
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| US7662726B2 (en) | 2007-09-13 | 2010-02-16 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device having a gas-phase deposited insulation layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1255257B (it) | 1995-10-20 |
| EP0528540B1 (de) | 1995-08-30 |
| EP0528540A3 (en) | 1993-08-04 |
| DE69204400D1 (de) | 1995-10-05 |
| ITMI912018A1 (it) | 1993-01-22 |
| ITMI912018A0 (it) | 1991-07-22 |
| JPH05202478A (ja) | 1993-08-10 |
| EP0528540A2 (de) | 1993-02-24 |
| CA2074331A1 (en) | 1993-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |