DE69030710T2 - Kryogene Leistungshalbleitervorrichtung - Google Patents
Kryogene LeistungshalbleitervorrichtungInfo
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Description
- Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-Leistungsvorrichtungen und insbesondere auf neuartige Festkörper-Halbleiter-Leistungsvorrichtungen, wie beispielsweise Metalloxid-Halbleiter Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs), statische Induktionstransistoren (SITs) für einen Betrieb bei kryogenen Temperaturen, wie beispielsweise in einem Bad von Flüssigstickstoff und ähnlichen Kühlmitteln.
- In vielen Leistungserzeugungs-anwendungsfällen haben Festkörper-Vorrichtungen Vakuumröhren ersetzt. Aufgrund der extrem hohen Leistungsdichte, die in dem sehr kleinen Volumen der meisten Festkörper-Leistungsvorrichtungen auftritt (wie beispielsweise in dem Kanal von einem MOSFET), kann die Betriebssicherheit und Lebensdauer der Vorrichtung verkleinert sein. Es ist zwar allgemein bekannt, den Leistungsverbrauch der Vorrichtung zu minimieren, indem geschaltete oder andere hocheffiziente Methodiken verwendet werden, es ist aber häufig schwierig, für eine schnelle Abfuhr der innerhalb der Vorrichtung erzeugten wärmeenergie zu sorgen, wie beispielsweise durch den Verbrauch des Schaltstroms in dem Einschalt-Widerstand (on-resistance) von einem Leistungs-MOSFET. Während ein gutes thermisches Design erforderlich ist, muß für eine Maximierung der thermischen Leitfähigkeit des Halbleitermaterials und dem Substrat, auf dem das Chip der Vorrichtung angebracht ist, gesorgt werden. Eine Leistungs-Vorrichtung, die für einen Betrieb bei kryogenen Temperaturen angebracht und gepackt ist, um für eine extrem hohe Effizienz und eine sehr kleine Größe zu sorgen, ist deshalb höchst erwünscht.
- Der Artikel "On-Resistance, Thermal Resistance and Reverse Recovery Time of Power MOSFETS bei 77K", 0. Mueller, Cryogenics, Band 29, Nr. 10, Oktober 1989, Seiten 1006-1014, beschreibt einen Leistungs-MOSFET, der auf einer Wärmesenke angebracht und in flüssigen Stickstoff eingetaucht ist.
- Eine Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist durch den Anspruch 1 angegeben.
- Gemäß einen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist bei einer Festkörper-Halbleiter-Leistungsvorrichtung, die für kryogene Anwendungen optimiert ist, der tatsächliche Vorrichtungstyp auf einem Substrat aus einem Material mit sehr hoher thermischer Leitfähigkeit angebracht, das in einem Bad aus einem kryogenen Strömungsmittel (Fluid) angeordnet ist. Das Substrat kann aus Berylliumoxid, Berylhum, Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Diamant gebildet sein. Die Vorrichtung kann ein MOS- FET oder SIT sein.
- Ein gegenwärtig bevorzugtes Ausführungsbeispiel hat ein Substrat, das in einer vertikalen Ebene angeordnet ist, so daß, wenn eine von beiden oder beide von der Chipbefestigungsfläche und der rückseitigen Substratoberfläche in einem Bad in der kryogenen Kühlflüssigkeit angeordnet sind, der Aufbau einer eine kleine thermische Leitfähigkeit aufweisenden Dampfgrenz schicht zwischen der kryogenen Flüssigkeit und der das Chip tragenden Wärmesenke verhindert ist.
- Ein besseres Verständnis der Erfindung wird beim Lesen der folgenden erläuternden Beschreibung deutlich, wenn sie in Verbindung mit den zugeordneten zeichnungen betrachtet wird, in denen:
- Figur 1 eine Seitenansicht von einer grundlegenden, Kryogen-gekühlten Halbleiter-Leistungsvorrichtung ist, die der Anmelderin bekannt ist;
- Figur 2 ein Kurvenbild ist, das die thermische Leitfähigkeit von einer Anzahl von Materialien in bezug auf einen Bereich von Kryogen- und Raumtemperaturen darstellt;
- Figur 3 ein Seitenschnitt von einer gegenwärtig bevorzugten Befestigungseinrichtung für eine kryogene Halbleiter Leistungsvorrichtung ist; und
- Figur 4 eine schematische Darstellung von einem Ersatzschaltbild von einem MOSFET ist und bei einer Betrachtung erfindungsgemäßer Aspekte nützlich ist.
- Es wird zunächst auf Figur 1 Bezug genommen; eine kryogen kühlbare Halbleiter-Leistungsvorrichtung 10 enthält ein Wärmesenkenteil 11, das eine erste Oberfläche 11a, auf der ein Festkörper-Halbleiter-Leistungsvorrichtungschip 12 angebracht ist, und eine zweite Oberfläche lib aufweist, die auf einem thermisch leitfähigen tragenden Teil 14 aus Kupfer oder einem ähnlichen Material angebracht sein kann, um den Halbleiterchip 12 und das tragende, thermisch leitfähige Teil 11 in einem Bad 15 von einer kryogenen Flüssigkeit, wie beispielsweise flüssigem Stickstoff (LN&sub2;), bei einer Temperatur von 77K zu halten. In einer Vorrichtung für eine Verwendung bei Raumtemperatur wird das Teil 11 aus einem elektrisch isolierenden Material bestehen, wie beispielsweise Berylliumoxid (BeO). Die Wärmesenkendicke T ist so klein wie möglich gemacht relativ zu der Dicke des Teils 14, da die thermische Leitfähigkeit θ von dem Berylliumoxid kleiner ist als die thermische Leitfähigkeit von dem Material des Teils 14 (beispielsweise Cu). Bei kryogenen Temperaturen (beispielsweise 77K) jedoch wird T viel größer gewählt, da θBeO größer ist als als θCu Vorteilhaf terweise ist die Vorrichtung 10 in einer vertikalen Ebene angeordnet, d.h. beide Oberflächen 11a und 11b sind vertikal angeordnet, so daß sich irgendein Dampf, der von der umgebenden kryogenen flüssigen Masse 15 thermisch bewegt wird, sich nicht um die Vorrichtung 10 herum sammelt und eine eine kleine thermische Leitfähigkeit aufweisende Dampfgrenzschicht zwischen der Vorrichtung 10 und dem umgebenden Kühlmittel 15 bildet.
- Es ist allgemein bekannt, daß die thermische Leitfähigkeit von einigen Substratmaterialien, wie beispielsweise Aluminiumoxid, Diamant oder Berylliumoxid, die Tendenz hat, bei kryogenen Temperaturen anzusteigen, und in der Tat kann sie nahe der Temperatur (d.h. 77K) von flüssigem Stickstoff ihren Spitzenwert haben. Die thermische Leitfähigkeit von Leitern, wie beispielsweise Kupfer und Aluminium und auch gewisse Festkörpervorrichtungen bildende Halbleitermaterialien (wie beispielsweise Silicium oder Germanium) steigt an, wenn die Temperaturen gut in den kryogenen Bereich abgesenkt werden. Versuche mit MOSFET- und SIT (statischer Induktions-Transistor)-Vorrichtungen haben gezeigt, daß sich viele wichtige elektronische Eigenschaften in den kryogenen Temperaturbereichen dramatisch verbessern. Beispielsweise nimmt der Einschaltwiderstand von Hochspannungs(200-1000V)-MOSFETs um einen Faktor zwischen etwa 10 und etwa 30 bei Flüssigstickstoff-Temperaturen in bezug auf Raumtemperatur (z.B. 290K) ab. Die Schaltzeit und deshalb der Schalt-Leistungsverlust wird kleiner, da der Effekt von parasitären Kapazitäten mit der Temperatur abnimmt. Deshalb wird die Geschwindigkeit größer, wie auch der Gegenwirkleitwert (Transkonduktanz), die Verstärkung und der maximale Strom, aufgrund der erhöhten Elektronenbeweglichkeit. Alle diese Änderungen haben eine billigere Vorrichtung zur Handhabung der gleichen Leistungspegel zur Folge.
- In Figur 3 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, bei dem ein im allgemeinen L-förmiges Substratteil 11' aus einem eine hohe thermische Leitfähigkeit aufweisenden, aber elektrisch isolierenden Material, wie beispielsweise Aluminiumnitrid, Berylliumoxid, eine erste Oberfläche 11'a aufweist, die in einem ausgeschnittenen Ausschnitt 11'b und ähnlichem sein kann, auf der das Leistungsvorrichtungschip 12 angebracht ist. Die Aussparung 11'b ist auf einem Schenkelabschnitt 11'c des Substrats ausgebildet, der auch einen Basisabschnitt 11'd aufweist, der sich in rechten Winkeln zu dem Schenkelabschnitt 11'c erstreckt, so daß eine Oberfläche 11'e gegen ein Isolierteil 16 angebracht sein kann. Befestigungsmittel 18, wie beispielsweise eine isolierte Schraube und ähnliches, können zum Befestigen des Substrates 11' an dem Teil 16 verwendet sein; vorteilhafterweise kann das Teil 16 vertikal angeordnet sein, und der Abschnitt 11'd ist ein Mittel, um das Chip 12/Substrat 11'c so anzuordnen, daß sich keine Dampfgrenzschicht zwischen dem Kühlmittel und dem Substrat aufbauen kann. Alternativ kann das Teil 11' aus einem elektrisch und thermisch leitenden Material, wie beispielsweise Beryllium, hergestellt sein, wobei das Teil 16 aus einem elektrisch isolierenden Material ist; ein Stück von dem Teil (d.h. Schenkel 11'c) kann aus einem elektrisch leitenden Material (Be) sein, und ein anderes Stück (Abschnitt 11'd) kann aus einem isolierenden Material (BeO) sein. Elektrische Verbindungen von dem Vorrichtungschip 12 zu jedem von wenigstens einem leitfähigen Leiter 20 konnen durch bekannte Mittel hergestellt sein, wie beispielsweise Verbindungsdrähte 20a und ähnliches. Auf Wunsch kann ein Abdeckteil 22 über dem Halbleiterchip 12 angeordnet sein, um für einen zusätzlichen Schutz für diesen zu sorgen. Bei der Benutzung steht ein kryogenes Mittel, wie beispielsweise flüssiger Stickstoff (LN&sub2;), mit wenigstens dem Substrat 11' in Kontakt, um thermische Verbrauchsenergie von der Vorrichtung 12 durch das eine hohe thermische Leitfähigkeit aufweisende Material des tragenden Substrats abzuführen.
- Wie bereits ausgeführt wurde, kann der Chip 12 ein MOS FET oder ein SIT sein. Figur 4 ist eine schematische Darstellung von einer Ersatzschaltung von einem MOSFET. zusätzlich zu einer idealen Vorrichtung 12' mit einer Eingangskapazität Cin, einem Eingangswiderstand Rin und einer Gate-Drain-Kapazität Cga gibt es auch einen parasitären bipolaren Transistor der seinen eigenen parasitären Basis-Emitter-Widerstand Rp und in Reihe geschaltete Drain-Kapazitäten Cd1 und Cd2 hat. Eine kryogene Kühlung verkleinert den unerwunschten Effekt von allen parasitären Elementen und vergrößert auch die Geschwindigkeit und das maximale Stromhandhabungsvermögen der Vorrichtung 12'.
Claims (14)
1. Vorrichtung zur Verwendung in einer Kryogen-
Umgebung, enthaltend:
eine Halbleiter-Leistungschipvorrichtung (12);
ein Substrat (11') mit einer ersten Oberfläche (11 a),
auf der der Chip angebracht ist, wobei das Substrat von
einer Masse aus Kryogenfluid im wesentlichen umgeben ist;
wobei das Substrat aus einem elektrisch isolierenden,
aber thermisch leitfähigen Material besteht, das bei
Kryogen-Temperaturen eine größere thermische Leitfähigkeit
besitzt als bei Raumtemperatur;
wobei das Substrat eine Dicke aufweist, die für eine
optimale Ableitung der vom Chip erzeugten Wärme bei
Kryogen-Temperaturen gewählt ist, wobei die Dicke größer als
die Substrat-Dicke ist, die für eine optimale
Wärmeableitung für den Betrieb der Vorrichtung bei Raumtemperatur
gewählt ist;
ein Strukturteil (16), das in der Masse des
Kryogenfluids im wesentlichen parallel zu dem Substrat abgeordnet
ist; und
eine Einrichtung zum Vergrößern der Wärmeableitung des
Substrats,die einen Basisabschnitt (11'd) aufweist, der
zwischen dem Substrat und dem Strukturteil verbunden ist
zur Beabstandung einer zweiten Oberfläche des Substrats von
dem Strukturteil, wobei der Basisabschnitt wirksam ist,
damit die zweite Oberfläche des Substrats dem Kryogenfluid
ausgesetzt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Substrat
eine Aussparung (11'b) in der ersten Oberfläche aufweist
zum Halten des Chips; und
eine Einrichtung (22) eine Schutzabdeckung für den
Chip ausbildet.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die
ersten und zweiten Oberflächen gegenüberliegende Oberflächen
sind.
4. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
wobei das Substrat L-förmig ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei
das Substrat durch den Basisabschnitt in der Kryogenmasse
orientiert ist, um die Sammlung von Trenndarnpf benachbart
zur Oberfläche zu minimieren.
6. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
wobei das Substratmaterial aus der aus Beryllum,
Berylliumoxid, Aluminiumoxid, Diamant und Aluminiumnitrid
bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
7. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
wobei der Chip aus einem Material hergestellt ist, das aus
der aus Silicium und Galliumarsenid bestehenden Gruppe
ausgewählt ist.
8. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
wobei das Kryogenfluid flüssiger Stickstoff ist.
9. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
wobei das Strukturteil elektrisch isolierend ist.
10. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
wobei der Basisabschnitt elektrisch isolierend ist.
11. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
wobei der Chip ein statischer Induktionstransistor (SIT)
ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der SIT in
einem Germanium-Chip hergestellt ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
wobei der Chip ein Feldeffekt-Transistor (FET) ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der FET ein
Metalloxid-Halbleiter-FET (MOSFET) ist.
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Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5323293A (en) * | 1992-12-18 | 1994-06-21 | International Business Machines Corporation | Arrangement for placing central processors and memory in a cryo cooled chamber |
| DE4320803C2 (de) * | 1993-06-23 | 2001-06-28 | Inst Luft & Kaeltetechnik Ggmbh | Lageunabhängiges Sensor-Kühlsystem |
| DE4332156A1 (de) * | 1993-09-22 | 1995-03-30 | Inst Luft Kaeltetech Gem Gmbh | Einrichtung zur autarken Kühlung hochtemperatursupraleitender Bauteile, vorzugsweise Sensoren |
| US5625548A (en) * | 1994-08-10 | 1997-04-29 | American Superconductor Corporation | Control circuit for cryogenically-cooled power electronics employed in power conversion systems |
| US6163064A (en) * | 1996-08-16 | 2000-12-19 | American Superconductor Corporation | Apparatus for improved operation of MOSFET devices in cryogenic environments |
| US6172550B1 (en) * | 1996-08-16 | 2001-01-09 | American Superconducting Corporation | Cryogenically-cooled switching circuit |
| US6798083B2 (en) * | 2000-03-15 | 2004-09-28 | Otward M. Mueller | Cryogenic power conversion for fuel cell systems especially for vehicles |
| JP3813098B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2006-08-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
| US11917794B2 (en) * | 2020-10-30 | 2024-02-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Separating temperature domains in cooled systems |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL191525C (nl) * | 1977-02-02 | 1995-08-21 | Shinkokai Zaidan Hojin Handot | Halfgeleiderinrichting omvattende een stroomkanaalgebied van een eerste geleidingstype dat wordt omsloten door een van een stuurelektrode voorzien stuurgebied van het tweede geleidingstype. |
| JPS53127272A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction transistor |
| US4472727A (en) * | 1983-08-12 | 1984-09-18 | At&T Bell Laboratories | Carrier freezeout field-effect device |
| JPS62216255A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 浸漬沸騰冷却モジユ−ル |
| JPH0797615B2 (ja) * | 1986-08-20 | 1995-10-18 | 株式会社東芝 | 超低温冷却用容器 |
| US4734820A (en) * | 1987-04-16 | 1988-03-29 | Ncr Corporation | Cryogenic packaging scheme |
| JPS63289974A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Hitachi Ltd | 低温保冷装置 |
| US4965659A (en) * | 1987-06-30 | 1990-10-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Member for a semiconductor structure |
| JPS6439047A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-09 | Agency Ind Science Techn | Semiconductor device |
| JP2681288B2 (ja) * | 1988-11-02 | 1997-11-26 | 富士通株式会社 | 超伝導素子用パッケージ |
-
1989
- 1989-10-31 US US07/429,532 patent/US5126830A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-19 CA CA002021606A patent/CA2021606A1/en not_active Abandoned
- 1990-10-17 IL IL96051A patent/IL96051A/xx not_active IP Right Cessation
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| IL96051A0 (en) | 1991-07-18 |
| EP0426371B1 (de) | 1997-05-14 |
| DE69030710D1 (de) | 1997-06-19 |
| JPH03184364A (ja) | 1991-08-12 |
| CA2021606A1 (en) | 1991-05-01 |
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