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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines
Halbleiterwafers bzw. einer Halbleiterscheibe, der (die) eine große Anzahl
von rechteckigen bzw. rechtwinkeligen Bereichen aufweist, die durch
Straßen
definiert werden, die in einer Gitterform auf seiner (ihrer) vorderen
Oberfläche
angeordnet sind bzw. werden, und Halbleiterschaltungen in den entsprechenden
rechteckigen Bereichen aufweist, und ein Substrat, das in diesem
Bearbeitungsverfahren verwendet wird.
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Beschreibung
des Standes der Technik
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Wie
den Fachleuten auf dem Gebiet bekannt ist, wird in der Produktion
einer Halbleitervorrichtung eine große Anzahl von rechteckigen
Bereichen durch Straßen
definiert, die in einer Gitterform in der vorderen Oberfläche eines
Halbleiterwafers angeordnet sind, und eine Halbleiterschaltung ist
in jedem der rechteckigen Bereiche ausgebildet. Die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers wird geschliffen, um seine Dicke zu verringern,
und der Halbleiterwafer wird entlang den Straßen geschnitten, um die rechteckigen
Bereiche voneinander zu trennen, wodurch Halbleiterchips ausgebildet
werden.
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Im
allgemeinen werden Schleifmittel auf die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers angewandt bzw. aufgebracht, um seine Dicke auf
einen vorbestimmten Wert zu verringern, und dann werden Schneidmittel
auf die vordere Oberfläche
des Halbleiterwafers angewandt, um ihn entlang der Straßen zu schneiden,
wodurch die rechteckigen Bereiche voneinander getrennt werden. Wenn
der Halbleiterwafer entlang der Straßen zu schneiden ist, wird
er auf einem Rahmen, der eine Montageöffnung in seinem zentralen
Abschnitt aufweist, durch ein Montageklebeband so montiert bzw.
festgelegt, daß die rechteckigen
Bereiche, die durch ein Schneiden getrennt werden als eine Einheit
getragen oder gewaschen werden können.
Spezifischer wird das Montageklebeband an dem Rahmen auf eine derartige Weise
angeklebt, daß es
sich über
die Montageöffnung
erstreckt und es an der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers in der Montageöffnung
geklebt ist, wodurch der Halbleiterwafer am Rahmen montiert bzw.
festgelegt ist. Danach werden die getrennten rechteckigen Bereiche,
d.h. Halbleiterchips aufgenommen und zu einer vorbestimmten Stelle
getragen.
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Heutzutage
werden Schneidmittel zuerst auf die vordere Oberfläche des
Halbleiterwafers angewandt, um Nuten bzw. Rillen auszubilden, die
eine vorbestimmte Tiefe entlang der Straßen aufweisen, und dann werden
Schleifmittel auf die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers angewandt, um die Dicke des Halbleiterwafers so
zu verringern, daß die rechteckigen
Bereiche voneinander aufgrund der Existenz bzw. des Vorhandenseins
der obigen Nuten getrennt werden können. In diesem Fall wird ebenfalls,
wenn die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers zu schleifen ist, er auf einem Rahmen, der eine
Montageöffnung
in seinem zentralen Abschnitt aufweist, durch ein Montageklebeband
so montiert bzw. festgelegt, daß die
getrennten rechteckigen Bereiche als eine Einheit getragen und gewaschen
werden können.
Spezifischer wird das Montageklebeband am Rahmen auf eine derartige
Weise festgelegt bzw. angeklebt, daß es sich über die Montageöffnung des
Rahmens erstreckt und an der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers in
der Montageöffnung
geklebt ist, wodurch der Halbleiterwafer an dem Rahmen montiert
ist. Danach werden die getrennten rechteckigen Bereiche, d.h., Halbleiterchips
aufgenommen und zu einer vorbestimmten Stelle befördert bzw.
getragen.
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Um
sehr kleine und leichtgewichtige bzw. leichte Halbleiterchips auszubilden,
ist es heutzutage oft erwünscht,
daß die
rückwärtige Oberfläche des Halbleiterwafers
geschliffen wird, um seine Dicke sehr, beispielsweise auf 150 μm oder weniger,
besonders 50 μm
oder weniger, zu verringern. Wenn die Dicke eines Siliziumhalbleiterwafers
stark verringert wird, wird beispielsweise die Steifigkeit des Halbleiterwafers
sehr niedrig, wodurch es schwierig gemacht wird, den Halbleiterwafer
zu schleifen, ohne ihn zu beschädigen,
und den geschliffenen Halbleiterwafer bei einer vorbestimmten Geschwindigkeit
zu tragen. Um zu verhindern, daß der
Halbleiterwafer durch ein Schleifen beschädigt wird, kann der Halbleiterwafer
geschliffen werden, indem die Schleifmittel auf die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers in einem Zustand angewandt werden, wobei ein Schutzsubstrat
oder Schutzklebeband auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers geklebt
ist. Wenn das Schutzsubstrat oder das Schutzklebeband auf der vorderen
Oberfläche
des Halbleiterwafers geklebt ist, muß jedoch auf den Halbleiterwafer
direkt von seiner vorderen Oberfläche zugegriffen werden, um
Behandlungsschritte nach dem Schritt eines Schleifens der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers auszu führen,
beispielsweise ein Schneiden entlang der Straßen, Aufnehmen der getrennten rechteckigen
Bereiche und dgl. Jedoch wird dieser Zugang durch das Schutzsubstrat
oder das Schutzklebeband unterbrochen bzw. gehindert.
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EP-A-0981156
offenbart ein Verfahren eines Bearbeitens eines Halbleiterwafers,
umfassend einen Montageschritt eines Montierens bzw. Festlegens
des Halbleiterwafers auf einem Substrat, einen Schleifschritt eines
Schleifens der rückwärtigen Oberflächen des
Halbleiterwafers, einen Transfer- bzw. Übertragungsschritt eines Klebens
bzw. Anhaftens der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers auf ein Montageklebeband und einen Behandlungsschritt
eines Zugreifens auf den Halbleiterwafer, der auf einem Rahmen montiert
bzw. festgelegt ist.
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EP-A-0
977 254 offenbart ein Substrat für
einen Halbleiterwafer, welcher aus einem Laminat ausgebildet ist,
das aus einer Schicht, die eine relativ hohe Steifigkeit aufweist,
und einer Schicht besteht, die eine relativ niedrige Steifigkeit
aufweist.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Es
ist deshalb das Ziel bzw. der Gegenstand der vorliegenden Erfindung,
ein neues und verbessertes Verfahren eines Bearbeitens eines Halbleiterwafers
bereitzustellen, welches ermöglicht,
daß die rückwärtige Oberfläche eines
Halbleiterwafers geschliffen wird, ohne ihn zu beschädigen, der
Halbleiterwafer völlig
mühelos,
wie erforderlich, getragen wird, und darüber hinaus auf die vordere
Oberfläche des
Halbleiterwafers frei bzw. uneingeschränkt zugreifbar ist, nachdem
die rückwärtige Oberfläche des Halbleiterwafers
ge schliffen ist, selbst wenn die Dicke des Halbleiterwafers durch
ein Schleifen der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers sehr zu verringern ist.
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Die
Erfinder der vorliegenden Erfindung haben intensive Studien durchgeführt und
haben als ein Ergebnis gefunden, daß das obige Ziel erreicht werden
kann, indem die vordere Oberfläche
eines Halbleiterwafers auf einem Substrat befestigt bzw. angeklebt
wird, um den Halbleiterwafer auf dem Substrat vor dem Schritt eines
Schleifens der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers zu montieren, und ein Transfer- bzw. Übertragungsschritt
eines Montierens des Halbleiterwafers auf einem Rahmen, der eine
Montageöffnung
in seinem zentralen Abschnitt aufweist, durch ein Montageklebeband
ausgeführt wird,
das an die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers befestigt bzw. angeklebt ist, und das Substrat
von der vorderen Oberfläche
des Halbleiterwafers zwischen einem Schleifschritt und einem nachfolgenden
Behandlungsschritt eines Zugreifens auf den Halbleiterwafer von
seiner vorderen Oberfläche
entfernt wird, um (eine) vorbestimmte Behandlung(en) auszuführen.
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D.h.,
gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Bearbeiten
eines Halbleiterwafers bzw. einer Halbleiterscheibe bereitgestellt,
der (die) eine große
Anzahl von rechteckigen Bereichen aufweist, die durch Straßen definiert
sind bzw. werden, die in einer Gitterform auf seiner (ihrer) vorderen
Oberfläche
angeordnet sind bzw. werden, und eine Halbleiterschaltung in den
entsprechenden rechteckigen Bereichen aufweist, umfassend:
einen
Montageschritt eines Montierens bzw. Festlegens des Halbleiterwafers
auf einem Substrat durch ein Kleben der vorderen Oberfläche des
Halbleiterwafers auf das Substrat;
einen Schleifschritt eines
Adsorbierens der vorderen Oberfläche
des Halbleiterwafers auf Ansaug- bzw. Einspannmittel durch das Substrat
und eines Schleifens der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers durch ein Anwenden bzw. Aufbringen von Schleifmitteln
auf die rückwärtige Oberfläche des Halbleiterwafers,
um die Dicke des Halbleiterwafers zu reduzieren;
einen Transfer-
bzw. Übertragungsschritt
eines Montierens eines Montageklebebands auf einem Rahmen, der eine
Montageöffnung
in seinem zentralen Abschnitt aufweist, in einer derartigen Weise,
daß es sich über die
Montageöffnung
erstreckt, eines Klebens der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers auf das Montageklebeband, um den Halbleiterwafer
in der Montageöffnung
des Rahmens festzulegen, und eines Entfernens des Substrats von
der vorderen Oberfläche
des Halbleiterwafers, nachdem oder bevor die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers auf das Montageklebeband geklebt wird; und
einen
Behandlungsschritt eines Ergreifens des Halbleiterwafers bzw. eines
Zugreifens auf diesen, der auf dem Rahmen festgelegt wird, von seiner
vorderen Oberfläche
und eines Ausführens
einer vorbestimmten Behandlung.
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Im Übertragungsschritt
wird das Substrat vorzugsweise von der vorderen Oberfläche des
Halbleiterwafers entfernt, nachdem die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers auf das Montageklebeband geklebt wurde. Das Substrat
ist bzw. wird aus einem Laminat gebildet, das aus einer Mehrzahl
von Schichten bzw. Lagen besteht. Das Laminat besteht aus einer
Schicht, die eine relativ hohe Steifigkeit besitzt, und einer Schicht,
die eine relativ niedrige Steifigkeit besitzt, wobei die vordere
Oberfläche
des Halbleiterwafers auf die Seite der Schicht mit niedriger Steifigkeit
geklebt wird. Wenn das Substrat von der vorderen Oberfläche des
Halbleiterwafers zu entfernen ist, wird die Schicht hoher Steifigkeit
zuerst entfernt, und dann die Schicht niedriger Steifigkeit entfernt.
Es ist insbesondere bevorzugt, daß das Substrat mehrere laminierte
Schichten hoher Steifigkeit umfaßt. Die Schichten hoher Steifigkeit
können jeweils
ein Polyethylenterephthalat-Blatt oder -Film sein und die Schicht
niedriger Steifigkeit kann ein Polyolefin-Blatt oder -Film sein.
Das Substrat ist größer als
der Halbleiterwafer und der Umfang des Substrats ragt vorzugsweise
1 bis 2 mm über
den Umfang des Halbleiterwafers vor. In einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist der Behandlungsschritt ein Schneidschritt
zum Schneiden des Halbleiterwafers entlang der Straßen durch
ein Adsorbieren der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers auf Ansaug- bzw. Einspannmittel durch das Montageklebeband
und ein Aufbringen bzw. Anwenden von Schneidmitteln auf den Halbleiterwafer von
seiner vorderen Oberfläche.
In einer anderen bevorzugten Ausführungsform sind bzw. werden
Nuten bzw. Rillen, die eine vorbestimmte Tiefe aufweisen, entlang
der Straßen
von der vorderen Oberfläche
des Halbleiterwafers gebildet, um auf dem Substrat montiert bzw.
festgelegt zu werden, und wenn der Halbleiterwafer in dem Schleifschritt
geschliffen wird, wird der Halbleiterwafer in eine große Anzahl
von rechteckigen Bereichen getrennt, und der Behandlungsschritt
ist ein Aufnahmeschritt zum Aufnehmen der individuell getrennten
rechteckigen Bereiche. Im Schleifschritt kann die Dicke des Halbleiterwafers
auf 150 μm
oder weniger reduziert werden.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines typischen Beispiels eines Halbleiterwafers,
an welchem das Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung
angewandt wird;
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2 ist
eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem
der Halbleiterwafer auf einem Substrat im Montageschritt des Bearbeitungsverfahrens
der vorliegenden Erfindung montiert wird;
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3 ist
eine Seitenansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem der Halbleiterwafer
auf dem Substrat im Montageschritt des Bearbeitungsverfahrens der
vorliegenden Erfindung montiert wird;
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4 ist
eine schematische Seitenansicht, die den Schleifschritt im Bearbeitungsverfahren
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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5(a) und 5(b) sind
schematische Querschnittsansichten, die den Übertragungsschritt im Bearbeitungsverfahren
der vorliegenden Erfindung zeigen;
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6 ist
eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem
der Halbleiterwafer auf einem Rahmen durch ein Montageklebeband montiert
wird, nach dem Übertragungsschritt
im Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung; und
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7 ist
eine schematische Querschnittsansicht, die den Schneidschritt (Behandlungsschritt)
im Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigt.
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Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
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Bevorzugte
Ausführungsformen
des Halbleiterwafer-Bearbeitungsverfahrens und des im Verfahren
der vorliegenden Erfindung verwendeten Substrats werden im Detail
unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt
ein typisches Beispiel eines Halbleiterwafers, an welchem das Bearbeitungsverfahren
der vorliegenden Erfindung angewandt werden kann. Der illustrierte
Halbleiterwafer 2 weist eine Form bzw. Gestalt wie eine
Scheibe auf, die einen linearen Rand 4, genannt "Orientierungsabflachung", in einem Teil seines
Umfangs aufweist, und weist eine große Anzahl von rechteckigen
bzw. rechtwinkeligen Bereichen 8 auf, die durch Straßen oder
Linien 6 definiert sind, die in einer Gitterform in seiner
vorderen Oberfläche
angeordnet sind. Eine Halbleiterschaltung ist in jedem der rechteckigen
Bereiche ausgebildet.
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Ein
Montageschritt wird im Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung
ausgeführt.
In diesem Montageschritt wird, wie dies in 2 und 3 gezeigt
ist, der Halbleiterwafer 2 auf einem Substrat 10 montiert
bzw. angeordnet, indem die vordere Oberfläche des Halbleiterwafers 2 auf
das Substrat 10 geklebt bzw. festgelegt wird. Das Substrat 10 kann eine
scheibenartige Form oder eine Form ähnlich in der Form zu dem Halbleiterwafer 2 aufweisen,
wobei ein linearer Rand dem linearen Rand bzw. der linearen Kante 4 des
Halbleiterwafers entspricht.
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Vorzugsweise
ist das Substrat 10 etwas größer als der Halbleiterwafer 2 und
der Umfang des Substrats 10 ragt über den Umfang des Halbleiterwafers 2 vor.
Die Länge
des Vorsprungs bzw. Fortsatzes des Substrats 10 über den
Umfang des Halbleiterwafers 2 ist ungefähr 1 bis 2 mm. Wenn das Substrat 10 eine
scheibenartige Form bzw. Gestalt aufweist und der Halbleiterwafer 2 den
linearen Rand 4 aufweist, ragt der Umfang des Substrats 10 1
bis 2 mm über den
Umfang des Halbleiterwafers 2 in einem Abschnitt, ausgenommen
den linearen Rand 4, vor und die Länge des Vorsprungs des Um fangs
des Substrats 10 in einem Abschnitt entsprechend dem linearen
Rand 4 ist vorzugsweise größer als 1 bis 2 mm (in dieser
Beschreibung bedeutet die Länge
des Vorsprungs des Umfangs des Substrats 10 die Länge des
Vorsprungs des Umfangs des Substrats 10, ausgenommen einen
Abschnitt, der dem linearen Rand des Halbleiterwafers 2 entspricht,
wenn der Halbleiterwafer 2 den linearen Rand 4 aufweist).
Bei der Bearbeitung des Halbleiterwafers 2 wird eine Mehrzahl von
Halbleiterwafern 2 in einer Kassette gehalten, die nicht
gezeigt ist. Spezifischer werden die Halbleiterwafer 2 in
einer Mehrzahl von Lagerungsnuten bzw. Speicherrillen gelagert,
die an regelmäßigen Intervallen
bzw. Abständen
in einer vertikalen Richtung in der Seitenwand der Kassette ausgebildet
sind und in den meisten Fällen
getragen sind. Wenn der Halbleiterwafer 2 sehr dünn ist (beispielsweise
50 μm oder
weniger) und der Rand bzw. die Kante des Halbleiterwafers 2 in
Kontakt mit der Bodenfläche
oder dgl. der Lagerungsnut kommt, besitzt der Halbleiterwafer 2 eine
häufige
Möglichkeit,
beschädigt
zu werden. Deshalb wird, wenn der Umfang des Substrats 10, das
den Halbleiterwafer 2 festlegt, über den Umfang des Halbleiterwafers 2 vorragt,
der direkte Kontakt des Umfangs des Halbleiterwafers 2 mit
dem Boden und dgl. der Lagerungsnut ohne Fehler verhindert, wodurch
die Beschädigung
des Halbleiterwafers 2 vermieden wird. Wenn das Substrat 10 übermäßig groß ist und
sein Umfang zu viel vorragt, kann jedoch das Substrat 10,
das den Halbleiterwafer 2 festlegt, nicht in der Lagerungsnut
der Kassette gelagert werden, die eine Standardgröße aufweist.
Weiterhin wird, wenn das Substrat 10 etwas größer ist
als der Halbleiterwafer 2 und der Umfang des Substrats 10 über den
Umfang des Halbleiterwafers 2 vorragt, gemäß der Erfahrung
der Erfinder die Möglichkeit
eines Produzierens von Abfall bzw. Spänen um den Umfang des Halbleiterwafers 2 zum Zeitpunkt
eines Schleifens der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers 2, wie dies später beschrieben wird, sehr verringert
und die Tätigkeit
bzw. der Vorgang eines Entfernens des Halbleiterwafers 2 vom
Substrat 10, wie dies später beschrieben wird, wird
beträchtlich leicht,
obwohl der Grund für
diese nicht klargemacht ist.
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Das
Substrat 10 wird aus einem Laminat gebildet, das aus einer
Mehrzahl von Schichten besteht, insbesondere einem Laminat, das
aus einer Schicht zusammengesetzt ist, die eine relativ niedrige
Steifigkeit aufweist, und einer Schicht, die eine relativ hohe Steifigkeit
aufweist, und der Halbleiterwafer 2 wird auf die Seite
der Schicht mit niedriger Steifigkeit geklebt. Besonders bevorzugt
umfaßt
die Schicht hoher Steifigkeit eine Mehrzahl von Schichten. In der
illustrierten Ausführungsform
ist das Substrat 10 ein Laminat, das aus einer Schicht 12 niedriger
Steifigkeit an der obersten Position und drei Schichten 14 hoher Steifigkeit
besteht, die unter der Schicht 12 niedriger Steifigkeit
liegen. Die Schicht 12 niedriger Steifigkeit kann ein Polyolefin-Blatt
oder -Film sein und die Schichten 14 hoher Steifigkeit
können
ein Polyethylenterephthalat-Blatt oder -Film sein. Die Schicht 12 niedriger
Steifigkeit und die drei Schichten 14 hoher Steifigkeit
sind durch einen Klebstoff zusammengeklebt. Der Klebstoff ist vorteilhafterweise
ein durch Ultraviolett aushärtender
Klebstoff, welcher durch ein Aussetzen an ultraviolette Strahlung
ausgehärtet wird,
um seine Klebrigkeit bzw. sein Haftvermögen zu verlieren oder zu verringern,
oder ein durch Wärme bzw.
Hitze aushärtender
Klebstoff, welcher durch ein Erwärmen
bzw. Erhitzen ausgehärtet
wird, um seine Klebrigkeit bzw. sein Haftvermögen zu verlieren oder zu verringern.
Ein Klebstoff, für
welchen der durch Ultraviolett aushärtende oder durch Wärme aushärtende Klebstoff
vorteilhafterweise verwendet wird, wird auch auf die obere Oberfläche der
Schicht 12 niedriger Steifigkeit angewandt und somit wird
die vordere Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 an die obere Oberfläche der
Schicht 12 niedriger Steifigkeit durch den Klebstoff geklebt.
Somit ist der Halbleiterwafer 2 am Substrat 10 in
einem Zustand festgelegt, daß seine vordere
Oberfläche
nach unten gerichtet ist, d.h. seine rückwärtige Oberfläche nach
oben gerichtet ist.
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Anschließend wird
ein Schleifschritt ausgeführt.
Unter Bezugnahme auf 4 werden Ansaug- bzw. Einspannmittel 16,
enthaltend eine poröse
Einspannplatte, in diesem Schleifschritt verwendet. Diese Einspannmittel 16 weisen
einen etwas größeren Außendurchmesser
als den Außendurchmesser
des Substrats 10 auf, und das Substrat 10 und
der Halbleiterwafer 2, der am Substrat 10 montiert
bzw. festgelegt ist, werden auf den Einspannmitteln 16 plaziert.
Die Einspannmittel 16 sind mit einer Vakuumquelle verbunden,
um die vordere Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 auf den Einspannmitteln 16 durch das
Substrat 10 zu absorbieren. Die Schleifmittel 18 werden
auf die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 angewandt, um ihn zu schleifen, um so seine
Dicke auf einen vorbestimmten Wert zu verringern. Die Schleifmittel 18 sind
ein ringförmiges Schleifwerkzeug,
das ein Schleifstück
aufweist, das Diamantteilchen an seiner unteren Oberfläche bzw. Unterseite
enthält.
Beim Schleifen der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 werden die Einspannmittel 16,
die den Halbleiterwafer 2 halten, um ihre zentrale bzw.
Mittelachse gedreht, und die Schleifmittel 18 werden auch
um ihre Mittelachse gedreht, und die Schleifmittel 18 werden
gegen die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 gepreßt bzw. gedrückt. In
diesem Schleifschritt ist es, da der Halbleiterwafer 2 mit
dem Substrat 10 verstärkt
ist, das auf die vordere Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 geklebt ist, möglich, den Halbleiterwafer 2 auf
eine Dicke von beispielsweise 150 μm oder weniger, insbesondere
50 μm oder
weniger zu schleifen, ohne ein Problem, wie beispielsweise eine
Beschädigung
am Halbleiterwafer 2, zu verursachen. Das Schleifen der
rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers 2, wie oben beschrieben, kann vorteilhafterweise
beispielsweise unter Verwendung eines Schleifers ausgeführt werden,
der unter der Handelsbezeichnung "DFG841" durch Disco Co., Ltd., vertrieben wird.
Wenn der obige Schleifer verwendet wird, kann eine Mehrzahl von
Halbleiterwafer 2, die auf den Substraten 10 montiert
bzw. festgelegt sind, in einer Kassette (nicht gezeigt), die an
sich bekannt ist, in regelmäßigen Intervallen
in der vertikalen Richtung gehalten werden, um zu dem Schleifer
zugeführt zu
werden.
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In
dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung ist es wichtig,
einen Transfer- bzw. Übertragungsschritt
nachfolgend auf den Schleifschritt auszuführen. In dem in 5(a) und 5(b) gezeigten Übertragungsschritt
wird der Halbleiterwafer 2 zuerst an einem Rahmen 22 durch
ein Montageklebeband 20 montiert bzw. festgelegt. Der Rahmen 22 ist
ein ringförmiges
Glied, das aus einem geeigneten synthetischen bzw. Kunstharz oder
Metall hergestellt werden kann, und weist eine ringförmige Montageöffnung 24 in
seinem zentralen Abschnitt auf. Das Montageklebeband 20 kann
aus einem geeigneten Kunstharzblatt oder -film gebildet sein, und
ein Klebstoff, für
welchen ein durch Ultraviolett aushärtender Klebstoff oder ein
durch Wärme
bzw. Hitze aushärtender
Klebstoff vorteilhafterweise verwendet wird, wird auf seiner einen
Seite angebracht, d.h. auf seiner Unterseite, so daß das Montageklebeband 20 auf einer
Seite geklebt werden kann, d.h. auf der Oberseite des Rahmens 22 durch
den Klebstoff. Wie in 5(a) gezeigt,
wird der Rahmen 22, an welchem das Montageklebeband 20 angeklebt
ist, nach unten in Richtung zum Halbleiterwafer 2 gebracht,
der auf einem Tisch 26 angeordnet ist (dieser Tisch 26 kann durch
die Einspannmittel 16, wie in 4 gezeigt, oder
durch ein Support- bzw. Abstützglied
gesondert von den Einspannmitteln 16 gebildet sein), so
daß der
Halbleiterwafer 2 in der Montageöffnung 24 des Rahmens 22 positioniert
ist. Die untere Oberfläche des
Montageklebebands 20 wird dann auf die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 geklebt. Danach werden das Substrat 10,
der Halbleiterwafer 2, der Rahmen 22 und das Montageklebeband 20, die
in der erwähnten
Reihenfolge vom Boden bis zur höchsten
Stelle positioniert sind, mit der Oberseite nach unten gedreht,
so daß das
Montageklebeband 20, der Rahmen 22, der Halbleiterwafer 2 und
das Substrat 10 in dieser Reihenfolge vom Boden bis zur obersten
Stelle angeordnet sind, und diese Anordnung wird auf einem geeigneten
Tisch 28 plaziert. Das Substrat 10 wird einer
ultravioletten Strahlung ausgesetzt oder erwärmt bzw. erhitzt, um den Klebstoff,
der zwischen dem Substrat 10 und der Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 vorhanden ist, und den Klebstoff, der
zwischen benachbarten Schichten des Substrats 10 vorhanden
ist, auszuhärten,
um ihre Klebrigkeit bzw. ihr Haftvermögen zu verlieren oder zu verringern.
Dann wird ein Ende von jeder der Schichten, die das Substrat 10 bilden,
d.h. die Schicht 12 niedriger Steifigkeit und die drei
Schichten 14 hoher Steifigkeit in Richtung zum anderen
Ende eines nach dem anderen gezogen, um sie in der Reihenfolge des
Vorrangs bzw. Auftretens zu entfernen. Mit anderen Worten wird im
Zustand von 5(b) die oberste Schicht 14 hoher
Steifigkeit zuerst abgeschert bzw. abgeschält, gefolgt von der zweiten Schicht 14 hoher
Steifigkeit, der dritten Schicht 14 hoher Steifigkeit und
der Schicht 12 niedriger Steifigkeit, wodurch das Substrat 10 von
der vorderen Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 entfernt wird. Dementsprechend wird
der Halbleiterwafer 2 von einem Zustand, in dem er am Substrat 10 montiert
bzw. festgelegt ist, wobei seine vordere Oberfläche am Substrat 10 geklebt
ist, zu einem Zustand geändert, in
dem er auf dem Rahmen 22 montiert bzw. festgelegt ist,
wobei seine rückwärtige Oberfläche am Montageklebeband 20 geklebt
ist. 6 zeigt den Halbleiterwafer 2, welcher
auf dem Rahmen 22 durch das Montageklebeband 20 montiert
bzw. festgelegt ist, in einem Zustand, in dem seine vordere Oberfläche nach
oben gerichtet ist.
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Übrigens
sollten die folgenden Tatsachen für das Substrat 10 erwähnt bzw.
angemerkt werden, das in der illustrierten Ausführungsform verwendet wird.
D.h., das Substrat 10 ist ein Laminat, das aus der Schicht 12 niedriger
Steifigkeit und den Schichten 14 hoher Steifigkeit besteht.
Deshalb weist, selbst wenn die Schicht 14 hoher Steifigkeit
eine relativ niedrige Steifigkeit aufweist, das Laminat insgesamt eine
beachtlich hohe Steifigkeit auf. Die Schicht 12 niedriger
Steifigkeit dient als ein "Puffer"-Material, um die
Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 vor äußerer Kraft zu schützen. Daher
kann, selbst wenn der Halbleiterwafer 2 in der in 4 gezeigten
Art geschliffen wird, bis seine Dicke 150 μm oder weniger, insbesondere
50 μm oder
weniger wird, er ganz gut geschliffen werden, ohne beschädigt zu
werden, da er gänzlich mit
dem Substrat 10 verstärkt
ist. Andererseits wird, um das Substrat 10 von der vorderen
Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 zu entfernen, das gesamte Substrat 10 nicht
zu einer Zeit bzw. gleichzeitig entfernt, sondern die drei Schichten 14 hoher
Steifigkeit werden eine nach der anderen entfernt, und dann wird die
Schicht 12 niedriger Steifigkeit entfernt, wie dies oben
beschrieben ist. Demgemäß kann,
wenn das Substrat 10 von der vorderen Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 entfernt wird, die Erzeugung einer übermäßigen Beanspruchung
bzw. Spannung im Halbleiterwafer 2 vermieden werden. Außerdem fungiert, wenn
die Schichten 14 hoher Steifigkeit, die eine relativ hohe
Steifigkeit aufweisen, entfernt werden, die Schicht 12 niedriger
Steifigkeit, die zwischen der Schicht 14 hoher Steifigkeit
und der vorderen Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 vorhanden ist, als ein sogenanntes
Puffermaterial, um eine Beanspruchung bzw. Spannung zu verringern,
die im Halbleiterwafer 2 erzeugt wird. Somit kann das Substrat 10 von
der vorderen Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 ohne die Möglichkeit eines Beschädigens des
Halbleiterwafers 2 durch ein Erzeugen übermäßiger Beanspruchung bzw. Spannung
im Halbleiterwafer 2 entfernt werden. Wenn das Substrat 10,
das eine beachtlich hohe Steifigkeit aufweist, als Ganzes von der vorderen
Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 zu einer Zeit zu entfernen ist,
gibt es jedoch eine Möglichkeit, daß der Halbleiterwafer 2 durch
eine beträchtliche Beanspruchung
bzw. Belastung beschädigt
werden kann, die im Halbleiterwafer 2 erzeugt wird.
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Nach
einer Fertigstellung des obigen Übertragungsschritts
wird ein Behandlungsschritt ausgeführt, indem auf den Halbleiterwafer 2 von
seiner vorderen Oberfläche
zugegriffen wird, um eine vorbestimmte Behandlung auszuführen. In
der illustrierten Ausführungsform
wird, wie dies in 7 gezeigt ist, die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 auf Einspannmittel 30 durch
das Montageklebeband 20 ab sorbiert, und Schneidmittel 32 werden
auf die vordere Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 angewandt, um den Halbleiterwafer 2 entlang
der Straßen 6 zu
schneiden. Die Einspannmittel 30 umfassen eine poröse Ansaug-
bzw. Einspannplatte, welche mit einer Vakuumquelle verbunden ist,
um die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 durch das Montageklebeband 20 anzuziehen.
Die Schneidmittel 32 können
vorteilhafterweise durch eine dünne, scheibenartige
Klinge gebildet sein, die durch ein Binden von Schleifkörnern aus
Diamant mit einem geeigneten Bindemittel ausgebildet sein kann.
Durch ein Bewegen der Einspannmittel 30 und der Schneidmittel 32 entlang
der Straßen 6 relativ
zueinander, während
die Schneidmittel 32 um ihre Mittelachse bei einer hohen
Geschwindigkeit bzw. Drehzahl gedreht werden, wird der Halbleiterwafer 2 entlang
der Straßen 6 geschnitten,
um die rechteckigen Bereiche 8 voneinander zu trennen.
Das Montageklebeband 20 wird ungeschnitten gelassen und
daher werden, selbst wenn die rechteckigen Bereiche 8 voneinander
getrennt werden, sie noch auf dem Montageklebeband 20 auf
ihren rückwärtigen Oberflächen geklebt
verbleiben und auf dem Rahmen 22 gehalten gelassen. Nachdem
der Schneidschritt ausgeführt wird,
werden die abgetrennten rechteckigen Bereiche 8 gewaschen,
individuell bzw. einzeln aufgenommen und zu einer vorbestimmten
Stelle getragen. Das Schneiden des Halbleiterwafers 2,
wie oben beschrieben, kann vorteilhafterweise durch eine Schneidmaschine
ausgeführt
werden (die auch "Dicer" bzw. "Zerteileinrichtung" genannt ist), die
durch Disco Co., Ltd. unter der Handelsbezeichnung DFD641 vertrieben
wird. Selbst wenn diese Type von Schneidmaschine verwendet wird,
kann eine Mehrzahl von Halbleiterwafern 2, die auf den
Rahmen 22 durch die Montageklebebänder 20 montiert bzw.
festgelegt sind und in einer an sich bekannten Kassette (nicht gezeigt)
in regelmäßigen In tervallen
in vertikaler Richtung gelagert bzw. gespeichert sind, der Schneidmaschine
zugeführt
werden.
-
In
der illustrierten Ausführungsform
wird, nachdem die Dicke des Halbleiterwafers 2 auf einen vorbestimmten
Wert durch ein Schleifen der rückwärtigen Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 verringert worden ist, der Halbleiterwafer 2 entlang
der Straßen 6 geschnitten.
Optional bzw. fakultativ können
vor dem in 4 gezeigten Schleifschritt Rillen
bzw. Nuten, die eine vorbestimmte Tiefe aufweisen, in der vorderen
Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 entlang der Straßen 6 eingeschnitten
werden (die Nuten können
durch einen Schneidschritt ähnlich
dem unter Bezugnahme auf 7 erklärten Schneidschritt eingeschnitten
werden). In diesem Fall wird, wenn die rückwärtige Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 geschliffen wird, um seine Dicke in
dem in 4 gezeigten Schleifschritt zu verringern, der
Halbleiterwafer 2 in rechteckige Bereiche 8 aufgrund
der Existenz der obigen Nuten getrennt, und die getrennten rechteckigen
Bereiche 8 bleiben am Substrat 10 montiert gelassen.
Wenn der unter Bezugnahme auf 5(a) und 5(b) erklärte Übertragungsschritt ausgeführt wird,
wird ein Zustand geschaffen, in welchem die einzeln getrennten rechteckigen
Bereiche 8 jeweils am Rahmen 22 durch das Montageklebeband 20 montiert
bzw. festgelegt sind. In diesem Fall kann ein an sich bekannter
Aufnahmeschritt zum individuellen Aufnehmen der individuell abgetrennten
rechteckigen Bereiche 8 und zum Befördern bzw. Tragen zu einer
vorbestimmten Stelle (beispielsweise einem Tisch zum Montieren der
rechteckigen Bereiche 8) als der Behandlungsschritt verwendet
werden, der nach dem Übertragungsschritt
auszuführen
ist.