DE4236430C1 - Schaltstufe in Stromschaltertechnik - Google Patents
Schaltstufe in StromschaltertechnikInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltstufe mit einer Dif
ferenzverstärkeranordnung, mit einem ersten Bipolartran
sistor, der in Emitterfolgerschaltung mit einem Ausgang der
Differenzverstärkeranordnung verbunden ist und dessen Emit
ter mit einem Ausgang der Schaltstufe verbunden ist, mit ei
ner Stromquelle, die zwischen den Ausgang der Schaltstufe
und einen Anschluß für ein Versorgungspotential geschaltet
ist, mit einem weiteren Bipolartransistor in Emitterfolger
schaltung, der mit dem Ausgang der Differenzverstärkeranord
nung verbunden ist, wobei der Emitter des ersten Bipolar
transistors mit einem ersten Eingang einer Vergleichsein
richtung und der Emitter des weiteren Bipolartransistors mit
einem zweiten Eingang der Vergleichseinrichtung verbunden
ist, wobei die Stromquelle eine steuerbare Stromquelle mit
einem Steuereingang ist, der mit einem Ausgang der Ver
gleichseinrichtung verbunden ist, und wobei die steuerbare
Stromquelle durch die Vergleichseinrichtung derart gesteuert
wird, daß ein hoher Strom von der Stromquelle eingeprägt
wird, wenn das Potential des Emitters des ersten Bipolar
transistors höher ist als das Potential des Emitters des
weiteren Bipolartransistors und daß anderenfalls ein nied
riger Strom eingeprägt wird.
Eine solche Schaltstufe ist aus der EP O3 67 612 A2 bekannt
und in Fig. 1 durch ein Prinzipschaltbild dargestellt. Bei
der bekannten Schaltstufe ist die Vergleichseinrichtung
durch einen Differenzverstärker gegeben, der mit zwei Tran
sistoren gebildet ist, deren Emitter über eine Stromquelle
mit Bezugspotential verbunden sind. Die steuerbare Strom
quelle ist zweistufig aufgebaut.
Aus der EP 0 438 953 A1 ist ebenfalls eine Schaltstufe mit
einem Differenzverstärker, zwei Bipolartransistoren und ei
ner Vergleichsschaltung, die eine Stromquelle ansteuert und
durch eine Stromspiegelschaltung gegeben ist, bekannt. Bei
dieser Schaltstufe werden allerdings die beiden Bipolartran
sistoren von Differenzverstärkerausgängen unterschiedlicher
Polarität angesteuert.
Auch die JP 2-231 814 (A) aus Patent Abstracts of Japan,
1990, Vol. 14, Nr. 541, E-1007, offenbart eine Schaltstufe
mit einem Differenzverstärker, zwei Bipolartransistoren und
einer Vergleichsschaltung, die eine Stromquelle ansteuert.
Die dortige Vergleichsschaltung ist mit einem zweistufen
Stromschalter gebildet. Auch dort werden die Bipolartran
sistoren jeweils von einem verschiedenen Ausgang des Dif
ferenzverstärkers angesteuert.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, weitere Schaltungsanord
nungen für eine Vergleichseinrichtung anzugeben.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Vergleichsein
richtung eine Stromspiegelschaltung mit einem Eingangszweig
und einem Ausgangszweig enthält, daß der Eingangszweig und
der Ausgangszweig jeweils einen ersten und einen zweiten An
schluß aufweisen, daß der erste Anschluß des Eingangszweigs
der zweite Eingang der Vergleichseinrichtung und der erste
Anschluß des Ausgangszweigs der erste Eingang der Ver
gleichseinrichtung ist, daß der Eingangszweig mit der Se
rienschaltung aus einem ersten Widerstand und einer in
Durchlaßrichtung gepolten Diode gebildet ist, daß der Aus
gangszweig mit der Serienschaltung aus einem zweiten Wider
stand und einem Transistor gebildet ist, dessen Basis mit
der Anode der Diode und dessen Kollektor mit dem Ausgang der
Vergleichseinrichtung verbunden ist, und daß die Katode der
Diode und der Emitter des Transistors die zweiten Anschlüsse
der Vergleichseinrichtung bilden und mit dem Anschluß für
das Versorgungspotential verbunden sind oder daß die
Vergleichseinrichtung einen Bipolartransistor enthält,
dessen Basis und dessen Emitter über je einen Widerstand mit
dem Anschluß für das Versorgungspotential verbunden sind,
daß die Basis des Bipolartransistors mit dem zweiten Eingang
der Vergleichseinrichtung verbunden ist und daß der Kollek
tor des Bipolartransistors über einen Widerstand mit dem
ersten Eingang der Vergleichseinrichtung verbunden ist.
Eine erfindungsgemäße Schaltstufe hat den Vorteil, daß der
von der steuerbaren Stromquelle eingeprägte Strom nur dann
hoch ist, wenn er zum Umladen der Lastkapazität benötigt
wird. Sonst ist der Strom niedrig. Die Stromquelle kann der
art dimensioniert werden, daß die negative Schaltflanke ge
maß den Geschwindigkeitsanforderungen genügend steil ist,
wobei trotzdem die Verlustleistung niedrig bleibt.
Die Ausführung der Vergleichseinrichtung als Stromspiegel
schaltung hat den Vorteil, daß der Ausgangspegel weitgehend
unbeeinflußt von Schwankungen der Versorgungsspannung ist.
Die steuerbare Stromquelle kann als Bipolartransistor ausge
führt werden. Mittels mindestens einer Diode, die zwischen
den Emitter und den Anschluß für das Versorgungspotential
geschaltet ist, wird die Basis-Emitter-Spannung des Bipolar
transistors reduziert. Dies hat den Vorteil, daß der Bipo
lartransistor für eine geringere Spannungsbelastung dimen
sioniert werden kann.
Es ist vorteilhaft, zwischen den Anschluß für das Versor
gungspotential und den entsprechenden Versorgungsanschlüssen
der Vergleichseinrichtung mindestens eine Diode zu schalten,
da dadurch die durch die Vergleichseinrichtung fliegende
Ströme geringer bzw. bei gleichen Strömen die Widerstände
kleiner dimensioniert werden können.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der in den Figuren dar
gestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild einer bekannten Schaltstufe,
Fig. 2 eine erste Ausführungsform des Ausgangsteils einer
erfindungsgemäßen Schaltstufe und
Fig. 3 eine zweite Ausführungsform des Ausgangsteils einer
erfindungsgemäßen Schaltstufe.
Die Schaltstufe der Fig. 1 enthält eine eine Logikfunktion
aus führende Differenzverstärkeranordnung, der eine Ausgangs
stufe zum Treiben der Lastkapazitäten nachgeschaltet ist.
Die Differenzverstärkeranordnung enthält zwei emittergekop
pelte Bipolartransistoren 1, 2, deren Emitter über eine
Stromquelle 3 mit einem Anschluß für ein negatives Versor
gungspotential VEE verbunden sind. Die Kollektoren der Tran
sistoren 1, 2 sind an einen Anschluß für ein positives Ver
sorgungspotential VCC gelegt. In den Kollektorkreis des
Transistors 2 ist ein Arbeitswiderstand 4 geschaltet. Die
Basis des Transistors 1 wird von einem Eingangssignal ge
steuert, die Basis des Transistors 2 von einem Referenz
signal. Der Ausgang 14 der Differenzverstärkeranordnung ist
der kollektorseitige Anschluß des Widerstands 4. Dieser ist
mit den Basisanschlüssen zweier Bipolartransistoren 5, 6
verbunden. Die Transistoren 5, 6 sind bezüglich des Ausgangs
der Differenzverstärkeranordnung in Emitterfolgerschaltung
geschaltet. Der Emitter des Bipolartransistors 6 ist mit ei
nem Ausgang 10 der Schaltstufe verbunden. Mit dem Ausgang 10
verbundene weitere Schaltungen und Verbindungsleitungen wir
ken im wesentlichen als kapazitive Last 9. Der Ausgang 10
ist über eine steuerbare Stromquelle 8 mit dem Potential VEE
verbunden. Die steuerbare Stromquelle 8 weist einen Steuer
eingang 11 auf, der mit dem Ausgang einer Vergleichseinrich
tung 7 verbunden ist. Die Eingänge 12, 13 der Vergleichsein
richtung 7 sind mit dem belasteten Emitter des Transistors 6
bzw. dem unbelasteten Emitter des Transistors 5 verbunden.
Die Vergleichseinrichtung 7 ist derart aufgebaut, daß sie
nur dann an ihrem Ausgang ein Signal erzeugt, mittels dem in
der Stromquelle 8 ein hoher Strom einstellbar ist, wenn der
Emitter des Transistors 5 auf niedrigerem Potential liegt
als der Emitter des Transistors 6. In den sonstigen Be
triebszuständen, wenn also die Emitterpotentiale der Tran
sistoren 5, 6 etwa gleich sind oder Emitter des Transistors
5 ein höheres Potential aufweist als der Emitter des Tran
sistors 6, erzeugt die Vergleichseinrichtung 7 ein Signal,
mittels dem in der Stromquelle 8 ein niedriger Strom ein
stellbar ist. Im folgenden wird die Funktionsweise der
Schaltstufe bei einem Umschaltvorgang von einem H- auf einen
L-Pegel am Ausgang 10 betrachtet: Das Emitterpotential des
Transistors 5 folgt weitgehend unverzögert dem Kollektorpo
tential des Transistors 2, da der Emitter des Transistors 5
nicht durch die Ausgangslast kapazitiv belastet ist. Das
Emitterpotential des Transistors 6 folgt aufgrund der Kapa
zität 9 vorerst zeitverzögert dem Kollektorpotential des
Transistors 2. Durch diese Potentialdifferenz an den Eingän
gen der Vergleichseinrichtung 7 wird an deren Ausgang ein
Signal erzeugt, durch das die Stromquelle 8 derart gesteuert
wird, daß ein hoher Strom fließt. Dadurch wird die Kapazität
9 aufgeladen, wodurch das Emitterpotential des Transistors 6
absinkt und die Potentialdifferenz an den Eingängen der Ver
gleichseinrichtung 7 abnimmt. Daraufhin wird der Strom der
Stromquelle 8 wieder niedrig gesteuert. Beim umgekehrten
Schaltvorgang, also bei einem Übergang von einem L- zu einem
H-Pegel ist die Potentialdifferenz an den Eingängen der Ver
gleichseinrichtung 7 derart, daß der Strom der Stromquelle 8
niedrig eingestellt ist. Der Strom zum Entladen der Lastka
pazität 9 fließt hier über die Kollektor-Emitter-Strecke des
Transistors 6.
Diese Schaltstufe hat den Vorteil, daß der Strom der Strom
quelle 8 nur dann hoch ist, wenn der zum Laden der Kapazität
9 benötigte Strom über die Stromquelle 8 zum Anschluß für
das Versorgungspotential VEE fließt, also beim Umschalten
von H nach L. Damit kann bei vertretbarer Verlustleistung
die negative Flanke relativ steil eingestellt werden. Bei
einer solchen Schaltungsstufe wird eine hohe Arbeitsge
schwindigkeit bei niedriger Verlustleistung ermöglicht.
Eine erfindungsgemäße Ausführungsform der Vergleichseinrich
tung 7 und der Stromquelle 8 sind in der Fig. 2 gezeigt.
Die Vergleichseinrichtung 7 enthält eine Stromspiegelschal
tung mit einem Eingangszweig und einem Ausgangszweig: Diese
sind jeweils an einem ersten Anschluß mit dem Emitter des
Transistors 5 bzw. dem Emitter des Transistors 6 verbunden.
Beide Zweige sind an einem zweiten Anschluß gekoppelt und an
das Versorgungspotential VEE gelegt. Der Eingangszweig ent
hält eine Diode 21, die der Basis-Emitter-Strecke eines Bi
polartransistors 22 parallel geschaltet ist. Ein Widerstand
23 ist zwischen der Diode 21 und dem Emitter des Transistors
5 angeordnet. Ein weiterer Widerstand 24 ist zwischen den
Kollektor des Transistors 22 und den Emitter des Transistors
6 geschaltet. Der Kollektor des Transistors dient als Aus
gang der Vergleichseinrichtung 7. Er ist mit dem Steuerein
gang der Stromquelle 8 verbunden, die als Bipolartransistor
20 ausgeführt ist. Der Kollektor des Bipolartransistors 20
ist mit dem Ausgang 10 der Schaltstufe, der Emitter mit dem
Versorgungspotential VEE verbunden.
Die gekoppelten zweiten Anschlüsse der Ein- und Ausgangs
zweige der Stromspiegelschaltung sind mit dem Emitter des
Stromquellentransistors 20 gekoppelt, wobei sie über zwei
Dioden 25 mit dem Anschluß für das Versorgungspotential VEE
verbunden sind. Die Dioden 25 bewirken, daß der Transistor
20 und die Elemente der Vergleichseinrichtung 7 für eine ge
ringere Arbeitsspannung ausgelegt werden können.
Bei dem für die Wirkungsweise der Vergleichseinrichtung 7
interessierenden Umschaltvorgang von H nach L sinkt das
Emitterpotential des unbelasteten Transistors 5 relativ
schnell ab. Der Spannungsabfall am Widerstand 23 wird ver
ringert, so daß der Strom im Eingangszweig 21, 23 der Strom
spiegelschaltung abnimmt. Der niedrigere Strom - gespiegelt
in den Ausgangszweig 22, 24 - erzeugt am Widerstand 24 einen
geringeren Stromabfall. Außerdem liegt das Emitterpotential
des belasteten Emitters des Transistors 6 noch weitgehend
auf H. Dies hat zur Folge, daß das Basispotential des Tran
sistors 20 hoch ist und der Transistor 20 leitet. Die Kapa
zität 90 wird nun über den Transistor 20 geladen. Das Emit
terpotential des Transistors 6 sinkt auf L, wodurch bei ent
sprechender Dimensionierung der Bauelemente der Transistor
20 hochohmig wird.
Bei Schwankungen des Versorgungspotentials VEE bleibt das
Verhältnis der Ströme des Eingangszweiges und des Ausgangs
zweiges der Stromspiegelschaltung gleich. Versorgungsspan
nungsschwankungen werden nicht an den Ausgang 10 weitergege
ben.
Die Fig. 3 enthält eine weitere erfindungsgemäße Ausfüh
rungsform für die Vergleichseinrichtung 7. Die gesteuerte
Stromquelle ist als Bipolartransistor 20 realisiert, dessen
Emitter über zwei Dioden 36, 37 mit dem Anschluß für das
Versorgungspotential VEE verbunden ist. Die Vergleichsein
richtung 7 weist einen ersten Strompfad auf, der einen Wi
derstand 30 enthält, der mit einem Anschluß mit dem Versor
gungspotential VEE und mit einem anderen Anschluß über zwei
Dioden 35 mit dem Emitter des Transistors 5 verbunden ist.
Ein zweiter Strompfad enthält die Kollektor-Emitter-Strecke
eines Bipolartransistors 32, dessen Basis mit dem anderen
Anschluß des Widerstandes 30 verbunden ist. Der Emitter des
Bipolartransistors 32 ist über einen Widerstand 31 an das
Versorgungspotential VEE gelegt. Der Widerstand 31 kann -
wie in der Fig. 3 dargestellt - über die Diode 37 mit dem
Anschluß für das Versorgungspotential VEE verbunden sein.
Der Kollektor des Bipolartransistors 32 dient als Ausgang
der Vergleichseinrichtung 7. Er ist über einen Widerstand 33
und eine Diode 34 mit dem Emitter des Transistors 6 verbun
den.
Bei dem interessierenden Umschaltvorgang von H nach L wird
die Spannung am Widerstand 30 verringert, wodurch der Wider
stand der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 32 zu
nimmt und der Strom verringert wird. Dies hat zur Folge, daß
der Spannungsabfall am Widerstand 33 geringer wird und somit
das Kollektorpotential des Transistors 32 ansteigt. Der
Stromquellentransistor 20 leitet dann stark. Dadurch wird
die Kapazität 9 aufgeladen. Mit Absinken des Potentials am
Ausgang 10 wird der Stromquellentransistor 20 hochohmig.
Die Dioden 34, . . . , 37 dienen der Potentialverschiebung, so
daß die Bauelemente für geringere Arbeitsspannungen dimen
sioniert werden können. Es ist prinzipiell möglich, die Di
ode 34 und eine der Dioden 35 zu entfernen. Andererseits
können zwischen den Widerständen 30, 31 und dem Anschluß für
das Versorgungspotential VEE weitere Dioden eingefügt wer
den.
Claims (8)
1. Schaltstufe
mit einer Differenzverstärkeranordnung,
mit einem ersten Bipolartransistor (6), der in Emitterfol gerschaltung mit einem Ausgang (14) der Differenzverstärker anordnung verbunden ist und dessen Emitter mit einem Ausgang (10) der Schaltstufe verbunden ist,
mit einer Stromquelle (8), die zwischen den Ausgang (10) der Schaltstufe und einen Anschluß für ein Versorgungspotential (VEE) geschaltet ist,
mit einem weiteren Bipolartransistor (5) in Emitterfolger schaltung, der mit dem Ausgang der Differenzverstärkeranord nung verbunden ist,
wobei der Emitter des ersten Bipolartransistors (6) mit ei nem ersten Eingang (12) einer Vergleichseinrichtung (7) und der Emitter des weiteren Bipolartransistors (5) mit einem zweiten Eingang (13) der Vergleichseinrichtung (7) verbunden ist,
wobei die Stromquelle (8) eine steuerbare Stromquelle mit einem Steuereingang (11) ist, der mit einem Ausgang der Ver gleichseinrichtung (7) verbunden ist,
und wobei die steuerbare Stromquelle (8) durch die Ver gleichseinrichtung (7) derart gesteuert wird, daß ein hoher Strom von der Stromquelle (8) eingeprägt wird, wenn das Po tential des Emitters des ersten Bipolartransistors (6) höher ist als das Potential des Emitters des weiteren Bipolartran sistors (5) und daß anderenfalls ein niedriger Strom einge prägt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichseinrichtung (7) eine Stromspiegelschaltung mit einem Eingangszweig und einem Ausgangszweig enthält, daß der Eingangszweig und der Ausgangszweig jeweils einen ersten und einen zweiten Anschluß aufweisen,
daß der erste Anschluß des Eingangszweigs der zweite Eingang (13) der Vergleichseinrichtung (7) und der erste Anschluß des Ausgangszweigs der erste Eingang (12) der Vergleichsein richtung (7) ist,
daß der Eingangszweig mit der Serienschaltung aus einem ersten Widerstand (23) und einer in Durchlaßrichtung gepol ten Diode (21) gebildet ist, daß der Ausgangszweig mit der Serienschaltung aus einem zweiten Widerstand (24) und einem Transistor (22) gebildet ist, dessen Basis mit der Anode der Diode (21) und dessen Kollektor mit dem Ausgang der Vergleichseinrichtung (7) ver bunden ist,
und daß die Katode der Diode (21) und der Emitter des Tran sistors die zweiten Anschlüsse der Vergleichseinrichtung (7) bilden und mit dem Anschluß für das Versorgungspotential (VEE) verbunden sind.
mit einem ersten Bipolartransistor (6), der in Emitterfol gerschaltung mit einem Ausgang (14) der Differenzverstärker anordnung verbunden ist und dessen Emitter mit einem Ausgang (10) der Schaltstufe verbunden ist,
mit einer Stromquelle (8), die zwischen den Ausgang (10) der Schaltstufe und einen Anschluß für ein Versorgungspotential (VEE) geschaltet ist,
mit einem weiteren Bipolartransistor (5) in Emitterfolger schaltung, der mit dem Ausgang der Differenzverstärkeranord nung verbunden ist,
wobei der Emitter des ersten Bipolartransistors (6) mit ei nem ersten Eingang (12) einer Vergleichseinrichtung (7) und der Emitter des weiteren Bipolartransistors (5) mit einem zweiten Eingang (13) der Vergleichseinrichtung (7) verbunden ist,
wobei die Stromquelle (8) eine steuerbare Stromquelle mit einem Steuereingang (11) ist, der mit einem Ausgang der Ver gleichseinrichtung (7) verbunden ist,
und wobei die steuerbare Stromquelle (8) durch die Ver gleichseinrichtung (7) derart gesteuert wird, daß ein hoher Strom von der Stromquelle (8) eingeprägt wird, wenn das Po tential des Emitters des ersten Bipolartransistors (6) höher ist als das Potential des Emitters des weiteren Bipolartran sistors (5) und daß anderenfalls ein niedriger Strom einge prägt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichseinrichtung (7) eine Stromspiegelschaltung mit einem Eingangszweig und einem Ausgangszweig enthält, daß der Eingangszweig und der Ausgangszweig jeweils einen ersten und einen zweiten Anschluß aufweisen,
daß der erste Anschluß des Eingangszweigs der zweite Eingang (13) der Vergleichseinrichtung (7) und der erste Anschluß des Ausgangszweigs der erste Eingang (12) der Vergleichsein richtung (7) ist,
daß der Eingangszweig mit der Serienschaltung aus einem ersten Widerstand (23) und einer in Durchlaßrichtung gepol ten Diode (21) gebildet ist, daß der Ausgangszweig mit der Serienschaltung aus einem zweiten Widerstand (24) und einem Transistor (22) gebildet ist, dessen Basis mit der Anode der Diode (21) und dessen Kollektor mit dem Ausgang der Vergleichseinrichtung (7) ver bunden ist,
und daß die Katode der Diode (21) und der Emitter des Tran sistors die zweiten Anschlüsse der Vergleichseinrichtung (7) bilden und mit dem Anschluß für das Versorgungspotential (VEE) verbunden sind.
2. Schaltstufe nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die
zweiten Anschlüsse des Eingangs- und des Ausgangszweiges der
Stromspiegelschaltung über mindestens eine Diode (25) mit
dem Anschluß für das Versorgungspotential (VEE) verbunden
sind.
3. Schaltstufe
mit einer Differenzverstärkeranordnung,
mit einem ersten Bipolartransistor (6), der in Emitterfol gerschaltung mit einem Ausgang (14) der Differenzverstärker anordnung verbunden ist und dessen Emitter mit einem Ausgang (10) der Schaltstufe verbunden ist,
mit einer Stromquelle (8), die zwischen den Ausgang (10) der Schaltstufe und einen Anschluß für ein Versorgungspotential (VEE) geschaltet ist,
mit einem weiteren Bipolartransistor (5) in Emitterfolger schaltung, der mit dem Ausgang (14) der Differenzverstärker anordnung verbunden ist,
wobei der Emitter des ersten Bipolartransistors (6) mit ei nem ersten Eingang (12) einer Vergleichereinrichtung (7) und der Emitter des weiteren Bipolartransistors (5) mit einem zweiten Eingang (13) der Vergleichseinrichtung (7) verbunden ist,
wobei die Stromquelle (8) eine steuerbare Stromquelle mit einem Steuereingang (11) ist, der mit einem Ausgang der Ver gleichseinrichtung (7) verbunden ist,
und wobei die steuerbare Stromquelle (8) durch die Ver gleichseinrichtung (7) derart gesteuert wird, daß ein hoher Strom von der Stromquelle (8) eingeprägt wird, wenn das Po tential des Emitters des ersten Bipolartransistors (6) höher ist als das Potential des Emitters des weiteren Bipolartran sistors (5) und daß anderenfalls ein niedriger Strom einge prägt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Ver gleichseinrichtung (7) einen Bipolartransistor (32) enthält, dessen Basis und dessen Emitter über je einen Widerstand (30 bzw. 31) mit dem Anschluß für das Versorgungspotential (VEE) verbunden sind, daß die Basis des Bipolartransistors (32) mit dem zweiten Eingang (13) der Vergleichseinrichtung (7) verbunden ist und daß der Kollektor des Bipolartransistors (32) über einen Widerstand (33) mit dem ersten Eingang (12) der Vergleichseinrichtung (7) verbunden ist.
mit einem ersten Bipolartransistor (6), der in Emitterfol gerschaltung mit einem Ausgang (14) der Differenzverstärker anordnung verbunden ist und dessen Emitter mit einem Ausgang (10) der Schaltstufe verbunden ist,
mit einer Stromquelle (8), die zwischen den Ausgang (10) der Schaltstufe und einen Anschluß für ein Versorgungspotential (VEE) geschaltet ist,
mit einem weiteren Bipolartransistor (5) in Emitterfolger schaltung, der mit dem Ausgang (14) der Differenzverstärker anordnung verbunden ist,
wobei der Emitter des ersten Bipolartransistors (6) mit ei nem ersten Eingang (12) einer Vergleichereinrichtung (7) und der Emitter des weiteren Bipolartransistors (5) mit einem zweiten Eingang (13) der Vergleichseinrichtung (7) verbunden ist,
wobei die Stromquelle (8) eine steuerbare Stromquelle mit einem Steuereingang (11) ist, der mit einem Ausgang der Ver gleichseinrichtung (7) verbunden ist,
und wobei die steuerbare Stromquelle (8) durch die Ver gleichseinrichtung (7) derart gesteuert wird, daß ein hoher Strom von der Stromquelle (8) eingeprägt wird, wenn das Po tential des Emitters des ersten Bipolartransistors (6) höher ist als das Potential des Emitters des weiteren Bipolartran sistors (5) und daß anderenfalls ein niedriger Strom einge prägt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Ver gleichseinrichtung (7) einen Bipolartransistor (32) enthält, dessen Basis und dessen Emitter über je einen Widerstand (30 bzw. 31) mit dem Anschluß für das Versorgungspotential (VEE) verbunden sind, daß die Basis des Bipolartransistors (32) mit dem zweiten Eingang (13) der Vergleichseinrichtung (7) verbunden ist und daß der Kollektor des Bipolartransistors (32) über einen Widerstand (33) mit dem ersten Eingang (12) der Vergleichseinrichtung (7) verbunden ist.
4. Schaltstufe nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
die Basis des Bipolartransistors (32) der Vergleichseinrich
tung (7) und den zweiten Eingang (13) der Vergleichseinrich
tung (7) mindestens eine Diode (35) geschaltet ist.
5. Schaltstufe nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
die Basis des Bipolartransistors (32) der Vergleichseinrich
tung (7) und den zweiten Eingang (13) der Vergleichseinrich
tung (7) zwei Dioden (35) geschaltet sind und daß zwischen
den kollektorseitigen Widerstand (33) des Bipolartransistors
(32) der Vergleichseinrichtung (7) und den ersten Eingang
(12) der Vergleichseinrichtung (7) eine Diode geschaltet
ist.
6. Schaltstufe nach einem der Ansprüche 3 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
den emitterseitigen Widerstand (31) des Bipolartransistors
(32) der Vergleichseinrichtung (7) und den Anschluß für das
Versorgungspotential (VEE) eine Diode (37) geschaltet ist.
7. Schaltstufe nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die
steuerbare Stromquelle (8) einen Bipolartransistor (20) ent
hält, dessen Kollektor mit dem Ausgang (10) der Schaltstufe
und dessen Emitter mit dem Anschluß für das Versorgungspo
tential (VEE) verbunden ist, und daß die Basis des Bipolar
transistors (20) der Steuereingang (11) der steuerbaren
Stromquelle (8) ist.
8. Schaltstufe nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
den Emitter des Bipolartransistors (20) der gesteuerten
Stromquelle (8) und den Anschluß für das Versorgungspoten
tial (VEE) mindestens eine Diode (25; 36, 37) geschaltet
ist.
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