DE3921844A1 - Vorrichtung zur behandlung von halbleiterwafern - Google Patents
Vorrichtung zur behandlung von halbleiterwafernInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung
von Halbleiterwafern, insbesondere unter Verwendung eines
Plasmas, das durch Elektronenzyklotronresonanz erzeugt wird.
Bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie z. B.
Transistoren und integrierten Schaltungen, werden Halbleiter
substrate oder Halbleiterwafer verschiedenen Behandlungen
unterzogen, wie z. B. einer Dünnschichtbildung, Ätzen,
Oxidieren und Dotieren. In jüngerer Zeit sind Vorrichtungen
zur Behandlung von Wafern unter Verwendung eines Plasmas,
das durch Elektronenzyklotronresonanz (ECR) erzeugt wird,
entwickelt worden, welche eine Reihe von Vorteilen gegenüber
herkömmlichen, mit chemischer Dampfabscheidung arbeitenden
Einrichtungen bieten, einschließlich einer niedrigen Betriebs
temperatur und hoher Qualität bei der Durchführung der
Behandlung.
In der JP-OS 56-1 55 535 und der US-PS 3 15 730 sind grundlegende
Aufbauten von Vorrichtungen zur Behandlung von Halbleiter
wafern unter Verwendung von Plasma angegeben, das durch
Elektronenzyklotronresonanz erzeugt wird. Diese mit ECR-Plasma
arbeitenden Vorrichtungen zur Behandlung von Wafern weisen
im allgemeinen eine Waferbehandlungskammer und eine Plasma
erzeugungskammer auf, die an die Waferbehandlungskammer an
grenzt.
Mikrowellen mit einer Frequenz von 2,45 GHz, die von einer
Mikrowellenquelle erzeugt werden, werden durch einen Wellen
leiter oder Hohlleiter in die Plasmaerzeugungskammern einge
leitet, und eine elektromagnetische Spule in Solenoidform,
welche die Plasmaerzeugungskammer umgibt, erzeugt ein Magnet
feld mit einer Flußdichte, die der Mikrowellenfrequenz ent
spricht, so daß in der Plasmaerzeugungskammer eine Elektronen
zyklotronresonanz hervorgerufen wird.
Die Elektronen in der Plasmaerzeugungskammer, welche somit
die Mikrowellenenergie absorbieren, werden in einer schrauben
förmigen oder helixförmigen Bahn beschleunigt; die Kollisionen
dieser sich schnell bewegenden Elektronen erzeugen ein Plasma
des Gases in der Plasmaerzeugungskammer, welches sich längs
der Ausbreitungslinien des Magnetfeldes, das von der Spule
in Solenoidform in der Waferbehandlungskammer erzeugt wird,
sich zu dem Halbleiterwafer hin ausbreitet. Auf diese Weise
wird eine Behandlung des Wafers, beispielsweise eine Dünn
schichtbildung oder ein Ätzen seiner Oberfläche durchgeführt.
Welche Art von Gas bei dem Prozeß verwendet wird, wie groß
der Gasdruck ist, und welches Leistungsniveau die Mikrowellen
quelle hat, wird entsprechend der Art der Behandlung bestimmt,
die bei dem Wafer durchgeführt wird.
Die herkömmlichen, mit ECR-Plasma arbeitenden Vorrichtungen
zur Behandlung von Wafern haben jedoch die nachstehend ange
gebenen Nachteile. Die oben erwähnten Vorrichtungen verwenden
eine Mikrowelle bei einer Frequenz von 2,45 GHz, wobei die
Flußdichte des Magnetfeldes, die in der Plasmaerzeugungskammer
gebildet wird, auf 875 G reguliert wird, um eine Elektronen
zyklotronresonanz in Zusammenwirkung mit der Mikrowelle zu
erzeugen.
Der Larmor-Radius von sich schraubenförmig bewegenden
Elektronen, also der Krümmungsradius der Projektion der
schraubenförmigen Bahnen der Elektronen in einer Ebene
senkrecht zur Richtung des Magnetfeldes, hängt von solchen
Faktoren ab, wie z. B. der Elektronentemperatur und dem
Gaszustand. Er ist jedoch proportional zur Geschwindigkeit
der Elektronen und umgekehrt porportional zur Zyklotron
frequenz:
Nimmt man somit an, daß die Mikrowellenfrequenz 2,45 GHz
beträgt und daß die Elektronentemperatur 100 000 K ausmacht,
so beträgt der Larmor-Radius von Elektronen, die sich auf
schraubenförmigen Bahnen in der Plasmaerzeugungskammer in
Elektronenzyklotronresonanz bewegen, etwa 0,1 mm. Dieser
Larmor-Radius von Elektronen ist extrem klein im Vergleich
mit dem Radius von Halbleiterwafern und den Abmessungen der
Plasmaerzeugungskammer, die üblicherweise größer als 1 cm sind.
Somit besteht die Tendenz, daß die Dichte der Plasmaerzeugung
in der Plasmaerzeugungskammer räumlich ungleichmäßig ist.
Infolgedessen wird die Anzahl von reaktionsfähigen Ionen,
welche die Oberfläche des Halbleiterwafers in der Wafer
behandlungskammer erreichen, ebenfalls ungleichmäßig, was
die Gleichmäßigkeit der Behandlung von Halbleiterwafern er
heblich beeinträchtigt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Vorrichtung zur
Behandlung von Halbleiterwafern unter Verwendung eines durch
Elektronenzyklotronresonanz erzeugten Plasmas anzugeben, bei
der die Gleichmäßigkeit der Behandlung der Waferoberfläche
verbessert wird und bei der es sich um eine Vorrichtung mit
vergleichsweise einfachem und nicht kostspieligem Aufwand
handelt.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung in zufriedenstellender
Weise gelöst.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die Frequenz der
Mikrowellen, die der Plasmaerzeugungskammer zugeführt werden,
nicht höher als 2 GHz und nicht kleiner als 100 MHz. Somit
wird ein hoher Wert des Larmor-Radius von Elektronen, die
sich in der Plasmaerzeugungskammer in Elektronzyklotron
resonanz bewegen, in einem praktisch durchführbaren und
brauchbaren Bereich realisiert. Damit wird die Dichte der
Plasmaerzeugung in der Plasmaerzeugungskammer gleichmäßig,
und die Gleichmäßigkeit und Homogenität der Oberflächen
behandlung beim Waferbehandlungsprozeß wird verbessert.
Die Gleichmäßigkeit der Behandlung kann weiter verbessert
werden, indem man den Larmor-Radius weiter vergrößert,
vorausgesetzt, daß er mit den Abmessungen der Vorrichtung
und des Wafers kompatibel ist. Somit wird bevorzugt, daß
die Frequenz der Mikrowelle, die an die Plasmaerzeugungskammer
angelegt wird, nicht größer als 1,0 GHz ist. Vorzugsweise
ist sie nicht größer als 0,5 GHz.
Die Erfindung wird nachstehend, auch hinsichtlich auch
weiterer Merkmale und Vorteile, anhand der Beschreibung
von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die
beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen
zeigen in
Fig. 1 eine schematische Seitenansicht im Schnitt einer
Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterwafern
unter Verwendung eines Plasmas, das durch
Elektronenzyklotronresonanz erzeugt wird, gemäß
einer Ausführungsform der Erfindung; und in
Fig. 2 die Zusammenhänge zwischen der Frequenz der
Mikrowellen und dem Larmor-Radius von Elektronen,
die sich auf schraubenförmigen Bahnen in der
Plasmaerzeugungskammer bewegen, sowie zwischen
der Frequenz der Mikrowellen und der Gleichmäßig
keit der Wafern behandeln.
Eine erste Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf Fig. 1
der Zeichnungen näher erläutert. Die in Fig. 1 dargestellte,
mit ECR-Plasma arbeitende Waferbehandlungsvorrichtung weist
eine zylindrische Waferbehandlungskammer 1 auf, auf deren
Boden ein Trägertisch 8 für einen Halbleiterwafer 9 angeordnet
ist. Eine zylindrische Plasmaerzeugungskammer 2 ist koaxial
an der Oberseite der Waferbehandlungskammer 1 vorgesehen,
wobei der zylindrische Raum in der Plasmaerzeugungskammer 2
eine nach oben vorstehende Fortsetzung des zylindrischen
Raumes in der Waferbehandlungskammer 1 bildet. Eine Mikro
wellenquelle 3, z. B. ein Magnetron erzeugt Mikrowellen
mit einer Frequenz von nicht mehr als 2 GHz und nicht weniger
als 100 MHz.
Die Mikrowellenquelle 3 kann von der Bauart mit variabler
oder fester Frequenz sein; in beiden Fällen wird die Frequenz
der Mikrowellen, die von der Mikrowellenquelle 3 erzeugt
werden, so gewählt, daß die Frequenz einen geeigneten Wert
hat, und zwar auf der Basis der Abmessungen der beiden
Kammern 1 und 2 und des Wafers 9, oder auf der Basis der
Geschwindigkeit der Elektronen in der Plasmaerzeugungskammer 2,
so daß der Larmor-Radius der Elektronen, die sich in
schraubenförmigen Bahnen in Elektronenzyklotronresonanz in
der Plasmaerzeugungskammer 2 bewegen, optimal ist.
Die Mikrowellenquelle 3 ist an die Plasmaerzeugungskammer 2
über einen Wellenleiter oder Hohlleiter 4 sowie eine Quartz
platte 2 a angeschlossen, die eine Trennwand zwischen dem
Hohlleiter 4 und der Plasmaerzeugungskammer 2 bildet. Alter
nativ dazu kann die Mikrowellenquelle 3 an die Plasmaer
zeugungskammer 2 über ein Koaxialkabel angeschlossen sein,
und zwar in solchen Fällen, wo die Frequenz der Mikrowellen,
die von der Mikrowellenquelle 3 erzeugt werden, ausreichend
niedrig ist, um seine Verwendung als Übertragungsleitung
der Mikrowellen zu gewährleisten. Eine elektromagnetische
Spule 5 in Solenoidform umgibt die Plasmaerzeugungskammer 2,
um ein Magnetfeld in der Plasmaerzeugungskammer 2 und der
Waferbehandlungskammer 1 zu erzeugen, wie es nachstehend
im einzelnen erläutert ist. Die Flußdichte des Magnetfeldes
in der Plasmaerzeugungskammer 2 wird auf einen Wert reguliert,
bei dem die Elektronenzyklotronresonanz in Zusammenwirkung
mit den Mikrowellen hervorgerufen wird.
Eine Gaseinlaßöffnung 6 ist in der Decke der Plasmaerzeugungs
kammer 2 ausgebildet, und eine Gasauslaßöffnung 7 ist im
Boden der Waferbehandlungskammer 1 ausgebildet.
Die Behandlung eines Wafers, beispielsweise das Ätzen von
Polysilizium, wird folgendermaßen durchgeführt.
Nachdem das in der Waferbehandlungskammer 1 und der Plasma
erzeugungskammer 2 befindliche Gas sorgfältig durch die
Gasauslaßöffnung 7 abgesaugt worden ist, wird zunächst ein
reaktionsfähiges Gas, wie z. B. Cl2 durch die Einlaßöffnung 6
eingeleitet, wobei ein Teil des Gases durch die Auslaßöffnung
7 abgesaugt wird, um den Druck in der Waferbehandlungskammer
1 und der Plasmaerzeugungskammer 2 auf einem vorgegebenen
Wert zu halten. Dann wird die Mikrowellenquelle 3 erregt, damit
sie Mikrowellen mit einer Frequenz von 0,5 GHz über den Hohl
leiter 4 der Plasmaerzeugungskammer 2 zuführt. Gleichzeitig
wird die Spule 5 erregt, um in der Plasmaerzeugungskammer 2
sowie der Waferbehandlungskammer 1 ein Magnetfeld zu erzeugen.
Die Flußdichte des Magnetfeldes in der Plasmaerzeugungskammer
2 wird auf 179 G einreguliert, so daß eine Elektronenzyklotron
resonanz erzeugt wird, und die Elektronen in der Plasmaer
zeugungskammer 2 werden in schraubenförmigen Bahnen beschleunigt,
wobei sie die Energie der Mikrowellen bei der Elektronenzyklo
tronresonanz absorbieren.
Somit wird durch die Kollisionen der Elektronen hoher Ge
schwindigkeit ein dichtes Plasma von Cl2 in der Plasmaer
zeugungskammer 2 gebildet. Das von der Spule 5 erzeugte Magnet
feld breitet sich von der Plasmaerzeugungskammer 2 zu dem
Halbleiterwafer-Trägertisch 8 hin aus.
Somit wird das in der Plasmaerzeugungskammer 2 erzeugte
Gasplasma längs der Linien der von der Spule 5 erzeugten
Magnetkraft in der Waferbehandlungskammer 1 weitertranspor
tiert, und zwar zu dem Wafer 9 auf dem Trägertisch 8.
Infolgedessen wird auf der Oberfläche des Wafers 9 ein
Ätzvorgang des Polysiliziums durchgeführt.
Dank der Optimierung des Larmor-Radius der Elektronen in
Elektronenzyklotronresonanz wird das Plasma mit einer
zeugt. Somit wird die Menge der reaktionsfähigen Ionen,
die an der Oberfläche des Wafers 9 ankommen, über die
Gesamtoberfläche des Wafers 9 gleichmäßig und homogen
gemacht, was zu einer höheren Gleichmäßigkeit der Behand
lung führt.
Die Parameter der Vorrichtung gemäß Fig. 1 sind folgende:
Durchmesser der Plasmaerzeugungskammer 2: 300 mm
Durchmesser des Wafers 9: 150 mm
Frequenz der Mikrowellenquelle 3: 0,5 GHz
Ausgangsleistung der Mikrowellenquelle 3: 600 W
Flußdichte des Magnetfeldes in der Plasmaerzeugungskammer 2: 179 G
Gasdruck: 1 mTorr
Larmor-Radius der Elektronen: 0,6 mm
(unter der Annahme, daß die kinetische Energie der Elektronen 10 eV beträgt).
Durchmesser des Wafers 9: 150 mm
Frequenz der Mikrowellenquelle 3: 0,5 GHz
Ausgangsleistung der Mikrowellenquelle 3: 600 W
Flußdichte des Magnetfeldes in der Plasmaerzeugungskammer 2: 179 G
Gasdruck: 1 mTorr
Larmor-Radius der Elektronen: 0,6 mm
(unter der Annahme, daß die kinetische Energie der Elektronen 10 eV beträgt).
Wie oben erwähnt, wird die Frequenz der Mikrowellen, die
von der Mikrowellenquelle 3 erzeugt werden, gemäß der
Erfindung so gewählt, daß sie einen Wert hat, bei dem der
Larmor-Radius der Elektronen, die sich in schraubenförmigen
Bahnen in Elektronenzyklotronresonanz in der Plasmaerzeugungs
kammer 2 bewegen, optimiert worden ist, um die Gleichmäßigkeit
der Behandlung des Wafers 9 zu verbessern.
Fig. 2 zeigt, mit einer ausgezogenen Linie, den Zusammenhang
zwischen der Mikrowellenfrequenz f und dem Larmor-Radius R
von Elektronen für einen Fall, wo die kinetische Energie
der Elektronen 10 eV beträgt. Die gestrichelte Linie in Fig. 2
zeigt den Zusammenhang zwischen der Mikrowellenfrequenz f
und einer Gleichmäßigkeitszahl U der Waferbehandlung über
dessen Oberfläche, wobei die Gleichmäßigkeitszahl U in Prozent
wie folgt ausgedrückt wird:
U = (1-((Lmax-Lmin)/(Lmax + Lmin)) × 100%,
wobei
Lmax = maximale Ätztiefe oder Schichtdicke der Oberfläche des Wafers und
Lmin = minimale Ätztiefe oder Schichtdicke.
Lmax = maximale Ätztiefe oder Schichtdicke der Oberfläche des Wafers und
Lmin = minimale Ätztiefe oder Schichtdicke.
Ein Wert von 100% für U gibt die vollständige Gleichmäßigkeit
der Behandlung wieder.
Wie sich aus Fig. 2 ergibt, nimmt die Gleichmäßigkeitszahl U,
die 85% bei einer herkömmlichen Mikrowellenfrequenz von
2,45 GHz beträgt, auf über 86% zu, wenn die Mikrowellenfrequenz
f auf einen Wert unter 2,0 GHz abnimmt. Wenn die
Mikrowellenfrequenz f unter 1,0 GHz liegt, geht die Gleichmäßigkeitszahl
U auf einen Wert von über 92% hinauf. Wenn
die Mikrowellenfrequenz f noch unter 0,5 GHz liegt, überschreitet
die Gleichmäßigkeitszahl U sogar einen Wert von 97%.
Bei der untersten Grenzfrequenz von 100 MHz steigt die
Gleichmäßigkeitszahl U auf einen sehr hohen Wert von 99%
an. Der Larmor-Radius R der Elektronen bei der Mikrowellenfrequenz
von 100 MHz beträgt andererseits 2,4 mm, was
praktisch den niedrigsten Wert der Mikrowellenfrequenz f
begrenzt, der in der erfindungsgemäßen Vorrichtung Anwendung
finden kann.
Claims (6)
1. Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterwafern unter
Verwendung eines durch Elektronenzyklotronresonanz erzeugten
Plasmas, umfassend
- - eine erste Kammer (1), in der eine Trägereinrichtung zur Halterung eines Halbleiterwafers (9) untergebracht ist,
- - eine zweite Kammer (2), die an die erste Kammer (1) angrenzt und mit dieser in Verbindung steht,
- - eine Gaszuführungseinrichtung (6) zur Einleitung eines Gases in die zweite Kammer (2), und
- - eine Mikrowellenquelle (3, 4), die an die zweite Kammer
(2) angeschlossen ist, um Mikrowellen in die zweite
Kammer (2) einzuleiten,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Mikrowellenquelle (3, 4) Mikrowellen in einem Frequenzbereich zwischen nicht mehr als 2 GHz und nicht weniger als 100 MHz liefert und zuführt,
und daß eine elektromagnetische Einrichtung (5) die zweite Kammer (2) umgibt, um ein Magnetfeld in der ersten und der zweiten Kammer (1, 2) zu bilden, wobei die elektromagnetische Einrichtung (5) in der zweiten Kammer (2) ein Magnetfeld mit einer magnetischen Flußdichte bildet, das eine Elektronen zyklotronresonanz in der zweiten Kammer (2) erzeugt, so daß ein Plasma des Gases in der zweiten Kammer (2) erzeugt wird, wobei die elektromagnetische Einrichtung (5) in der ersten Kammer (1) ein Magnetfeld bildet, das sich in einer Richtung von der zweiten Kammer (2) zu der Trägereinrichtung (8) hin ausbreitet, so daß dadurch das in der zweiten Kammer (2) erzeugte Plasma zu dem von der Trägereinrichtung (8) getragenen Halbleiterwafer (9) hin transportiert wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Mikrowellenquelle (3, 4) Mikrowellen mit einer
Frequenz von nicht mehr als 1,0 GHz erzeugt und den beiden
Kammern (1, 2) zuführt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Mikrowellenquelle (3, 4) Mikrowellen mit einer
Frequenz von nicht mehr als 0,5 GHz erzeugt und den
Kammern (1, 2) zuführt.
4. Verfahren zur Behandlung von Halbleiterwafern unter
Verwendung eines durch Elektronenzyklotronresonanz erzeugten
Plasmas, wobei in einer ersten Kammer eine Trägereinrichtung
zur Halterung eines Halbleiterwafers untergebracht wird, in
einer zweiten Kammer, die in die erste Kammer übergeht,
Gas eingeleitet wird, in welchem mit einer Mikrowellenquelle
und einem von außen angelegten Magnetfeld ein Plasma des
Gases erzeugt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Plasma mit Mikrowellen erzeugt wird, die in einem Frequenzbereich zwischen 100 MHz und 2 HHz liegen,
und daß das so erzeugte Plasma mit dem von außen angelegten Magnetfeld in Richtung des zu behandelnden Halbleiterwafers beschleunigt wird.
daß das Plasma mit Mikrowellen erzeugt wird, die in einem Frequenzbereich zwischen 100 MHz und 2 HHz liegen,
und daß das so erzeugte Plasma mit dem von außen angelegten Magnetfeld in Richtung des zu behandelnden Halbleiterwafers beschleunigt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß mit einer Frequenz von nicht mehr als 1,0 GHz gearbeitet
wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß mit einer Frequenz von nicht mehr als 0,5 GHz gearbeitet
wird.
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---|---|---|---|
JP63165812A JPH0216731A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | プラズマ反応装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3921844A1 true DE3921844A1 (de) | 1990-01-11 |
DE3921844C2 DE3921844C2 (de) | 1993-06-09 |
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Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4915979A (de) |
JP (1) | JPH0216731A (de) |
DE (1) | DE3921844A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19829760A1 (de) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | Inst Oberflaechenmodifizierung | Koaxialer Mikrowellenapplikator zur Erzeugung eines Plasmas mit automatischer oder manueller Anpassung |
WO2004039132A2 (fr) * | 2002-10-18 | 2004-05-06 | Valery Viktorovich Koshkin | Procede destine au traitement de surface par micro-ondes et par le plasma a vide utilisant la resonance electronique cyclotronique |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6784033B1 (en) | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
US5780313A (en) | 1985-02-14 | 1998-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
US5146138A (en) * | 1988-04-05 | 1992-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processor |
US5196670A (en) * | 1989-10-03 | 1993-03-23 | University Of Cincinnati | Magnetic plasma producing device with adjustable resonance plane |
US5300460A (en) * | 1989-10-03 | 1994-04-05 | Applied Materials, Inc. | UHF/VHF plasma for use in forming integrated circuit structures on semiconductor wafers |
DE4010663C2 (de) * | 1990-04-03 | 1998-07-23 | Leybold Ag | Vorrichtung und Verfahren zur plasmagestützten Beschichtung von Werkstücken |
US5455081A (en) * | 1990-09-25 | 1995-10-03 | Nippon Steel Corporation | Process for coating diamond-like carbon film and coated thin strip |
US5189446A (en) * | 1991-05-17 | 1993-02-23 | International Business Machines Corporation | Plasma wafer processing tool having closed electron cyclotron resonance |
US5849136A (en) * | 1991-10-11 | 1998-12-15 | Applied Materials, Inc. | High frequency semiconductor wafer processing apparatus and method |
US5759922A (en) * | 1993-08-25 | 1998-06-02 | Micron Technology, Inc. | Control of etch profiles during extended overetch |
US5451259A (en) * | 1994-02-17 | 1995-09-19 | Krogh; Ole D. | ECR plasma source for remote processing |
JP3080867B2 (ja) | 1995-09-25 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | Soi基板の製造方法 |
US6161498A (en) * | 1995-09-14 | 2000-12-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device and a method of plasma process |
RU2216818C1 (ru) * | 2003-01-28 | 2003-11-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб" | Эцр-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур, способ обработки полупроводниковых структур, способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (варианты), полупроводниковый прибор или интегральная схема (варианты) |
US20130273798A1 (en) | 2010-10-14 | 2013-10-17 | Toagosei Co., Ltd. | Anti-allergen agent |
WO2020012704A1 (ja) * | 2019-03-06 | 2020-01-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ecr高さモニタ |
US20220319809A1 (en) * | 2019-12-23 | 2022-10-06 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
US4438368A (en) * | 1980-11-05 | 1984-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma treating apparatus |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5615535A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-14 | Nec Kyushu Ltd | Ion source chamber |
JPS6029295B2 (ja) * | 1979-08-16 | 1985-07-10 | 舜平 山崎 | 非単結晶被膜形成法 |
CA1159012A (en) * | 1980-05-02 | 1983-12-20 | Seitaro Matsuo | Plasma deposition apparatus |
KR890004881B1 (ko) * | 1983-10-19 | 1989-11-30 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리 방법 및 그 장치 |
JP2660244B2 (ja) * | 1986-12-16 | 1997-10-08 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 表面処理方法 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP63165812A patent/JPH0216731A/ja active Pending
- 1988-12-02 US US07/279,016 patent/US4915979A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-03 DE DE3921844A patent/DE3921844A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
US4438368A (en) * | 1980-11-05 | 1984-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma treating apparatus |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z.: J. Vac. Technol. B 4, 1986, Nr. 3, S. 696-700 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19829760A1 (de) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | Inst Oberflaechenmodifizierung | Koaxialer Mikrowellenapplikator zur Erzeugung eines Plasmas mit automatischer oder manueller Anpassung |
DE19829760B4 (de) * | 1998-07-03 | 2006-10-12 | Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Koaxialer Mikrowellenapplikator zur Erzeugung eines Plasmas mit automatischer oder manueller Anpassung |
WO2004039132A2 (fr) * | 2002-10-18 | 2004-05-06 | Valery Viktorovich Koshkin | Procede destine au traitement de surface par micro-ondes et par le plasma a vide utilisant la resonance electronique cyclotronique |
WO2004039132A3 (fr) * | 2002-10-18 | 2004-07-01 | Valery Viktorovich Koshkin | Procede destine au traitement de surface par micro-ondes et par le plasma a vide utilisant la resonance electronique cyclotronique |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3921844C2 (de) | 1993-06-09 |
JPH0216731A (ja) | 1990-01-19 |
US4915979A (en) | 1990-04-10 |
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