DE3638682A1 - Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik - Google Patents
Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnikInfo
- Publication number
- DE3638682A1 DE3638682A1 DE19863638682 DE3638682A DE3638682A1 DE 3638682 A1 DE3638682 A1 DE 3638682A1 DE 19863638682 DE19863638682 DE 19863638682 DE 3638682 A DE3638682 A DE 3638682A DE 3638682 A1 DE3638682 A1 DE 3638682A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- spectrometer
- electrode
- lens
- objective
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 4
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 26
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
- H01J2237/057—Energy or mass filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24585—Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Spektrometerobjektiv für Korpuskular
strahlmeßgeräte nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein solches Spektrometerobjektiv ist aus der Veröffentlichung
von E. Plies "A new objective lens with in-lens spectrometer
for electrom beam testing", Proc. XIth Int. Cong. on Electron
Microscopy, Kyoto, 31. 08.-07. 09. 86, Seiten 625-626 bekannt.
Dieses Spektrometerobjektiv, das im wesentlichen aus einer
kurzbrennweitigen magnetischen Objektivlinse, einer innerhalb
der Objektivlinse angeordneten Ablenkeinheit und einem elektro
statischen Gegenfeldspektrometer besteht, bildet die Komponente
der elektronenoptischen Säule eines Elektronenstrahlmeßgerätes,
mit der sowohl die von einer Hochstromelektronenquelle emittier
ten Primärelektronen als auch die auf einer Probe ausgelösten
Sekundärelektronen in einen auf der optischen Achse des Systems
liegenden Punkt fokussiert werden. Der Fokus der auf hohe
kinetische Energien beschleunigten Sekundärelektronen liegt
hierbei im Zentrum eines kugelsymmetrischen Gegenfeldes, das
man in einem oberhalb der Objektivlinse angeordneten Spektro
meterteil mit Hilfe eines entsprechend ausgebildeten Elektro
denpaares erzeugt. Um eine gute Fokussierung der Sekundärelek
tronen zu gewährleisten ist man gezwungen, die unmittelbar
oberhalb der Probe angeordnete Absaugelektrode auf ein hohes
positives Potential zu legen. Hohe Absaugfelder (E ≈ 1 bis
2 kV/mm) im Bereich der Probe sollten aber insbesondere bei der
Überprüfung der Funktionsweise mikroelektronischer Bauelemente
vermieden werden. Darüber hinaus wirken sich Störungen der Homo
genität des Absaugfeldes, wie sie insbesondere bei stark
strukturierten Proben auftreten, ungünstig auf die Ortsauf
lösung (≈ Durchmesser der Elektronensonde auf der Probe) des
Elektronenstrahlmeßgerätes aus.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Spektrometerob
jektiv der eingangs genannten Art anzugeben, dessen Abbildungs
eigenschaften nicht von der Struktur der untersuchten Probe be
einflußt wird. Außerdem sollen Schädigungen der Probe durch
hohe Absaugfelder vermieden werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Spektrometerob
jektiv der eingangs genannten Art gelöst, welches die kenn
zeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 aufweist.
Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil besteht insbesondere
darin, daß auch stark strukturierte Proben, insbesondere hoch
integrierte Schaltungen auf Halbleiterwafern, in einem Korpus
kularstrahlmeßgerät mi hoher Ortsauflösung untersucht werden
können.
Die Ansprüche 2 bis 15 sind auf bevorzugte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen der Erfindung gerichtet.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen
erläutert. Dabei zeigen die
Fig. 1 bis 3 erfindungsgemäße Spektrometerob
jektive.
Das in den Fig. 1 und 2 schematisch dargestellte Spektrometer
objektiv besteht im wesentlichen aus einer kurzbrennweitigen,
weitgehend asymmetrischen Objektivlinse OL, einem innerhalb der
Magnetlinse OL symmetrisch zur optischen Achse OA angeordneten
einstufigen Ablenksystem DS und einem elektrostatischen Gegen
feldspektrometer, das eine Elektrodenanordnung SG, G 1 zur Be
schleunigung der auf einer Probe IC, vorzugsweise in der inte
grierten Schaltung, ausgelösten Sekundärelektronen SE und ein
ein kugelsymmetrisches Gegenfeld erzeugendes Elektrodenpaar K 1/
K 2 aufweist. Das aus Objektivlinse OL, Ablenkeinheit DS und
Spektrometer bestehende System bildet die Komponente der elek
tronenoptischen Säule des in Fig. 1 schematisch dargestell
ten Elektronenstrahlmeßgerätes, mit der die von einem Strahler
zeuger G emittierten Primärelektronen PE fokussiert und abge
lenkt und die auf der Probe IC ausgelösten Sekundärelektronen
SE in einen auf der optischen Achse OA liegenden Punkt ZS ab
gebildet werden. Zur Erzeugung einer feinen Elektronensonde mit
einem Strahlquerschnitt im Submikrometerbereich (d PE ≈ 0,1 µm)
bildet man die Elektronenquelle Q oder deren durch Kondensor
linsen KL erzeugtes Zwischenbild ZP mit Hilfe des Spektrometer
objektivs verkleinert auf die in unmittelbarer Nähe der hinte
ren Brennebene der Magnetlinse OL angeordnete Probe IC ab. Die
Positionierung des Primärelektronenstrahles PE auf einem nicht
näher bezeichneten Punkt der Probe IC, bzw. dessen zeilen
förmige Ablenkung erfolgt mit Hilfe der Ablenkeinheit DS.
Zum Nachweis der am Auftreffpunkt der Primärelektronen PE aus
gelösten und in einem großen Raumwinkelbereich emittierten
niederenergetischen Sekundärlektronen (E SE < 50 eV) werden diese
von der Probe IC abgesaugt und in einen homogenen elektrischen
Feld in Richtung der Objektivlinse OL auf kinetische Energien
zwischen etwa 1 und 5 keV beschleunigt. Erfindungsgemäß besteht
die Elektrodenanordnung zum Absaugen und Beschleunigen der
Sekundärelektronen SE aus einer im Strahlengang unmittelbar
oberhalb der Probe IC angeordneten ebenen Elektrode SG und einer
im Bereich des unteren Polschuhes der Objektivlinse OL ange
ordneten Gitterelektrode G 1, die vorzugsweise auf hohem posi
tiven Potential V E von etwa 1 bis 5 kV liegt. Wird die isoliert
am unteren Polschuh oder innerhalb des Polschuhspaltes ge
halterte Elektrode SG mit einem zwischen dem Probenpotential
(normalerweise Erdpotential) und dem Potential V E der Elektrode
G 1 liegenden Potential V SG , insbesondere mit einem Potential
zwischen 0 und 100 Volt beaufschlagt, kann man erreichen, daß
die Feldstärke im Bereich der Probe IC unterhalb eines kriti
schen Wertes bleibt. Außerdem ist sichergestellt, das Uneben
heiten der Probenoberfläche keinen Einfluß auf die Homogenität
des zwischen den Elektroden SG und G 1 aufgebauten elektrischen
Feldes haben. Die untere Elektrode SG ist hierbei vorzugsweise
als Gitter ausgebildet und weist einen durch Isolatoren IS vom
unteren Polschuh der Objektivlinse OL getrennten ringförmigen
Halterungsteil auf, der mit einer variablen Spannungsquelle
leitend verbunden ist. Anstelle der Gitterelektrode G 1 kann
selbstverständlich auch eine Lochblende verwendet werden. Die
beschleunigten Sekundärelektronen SE durchlaufen die Gitter
elektrode G 1 und gelangen in das Magnetfeld der Objektivlinse
OL zwischen den Polschuhen, in dem sie in einen auf der
optischen Achse OA liegenden Punkt ZS fokussiert werden. Die
Lage dieses Fokussierungspunktes ZS, der als reelles Zwischen
bild der unterhalb der Probe IC liegenden virtuellen Quelle
(kleinster Kaustikquerschnitt aller virtuellen Sekundärelek
tronenbahnen unterhalb der Probe IC) der Sekundärelektronen SE
zu interpretieren ist, wird hierbei von der Höhe des an der
Gitterelektrode G 1 anliegenden Potentials V E und der von der
Primärelektronenenergie abhängigen Magnetfeldstärke im Polschuh
spalt bestimmt. Eine gute Fokussierung der Sekundärelektronen
SE im Feld der Objektivlinse OL ist erst durch deren Be
schleunigung auf hohe kinetische Energien (E SE = 1 bis 5 KeV)
gewährleistet, da nur dann die Bildweiten der am Meßpunkt mit
unterschiedlichen Energien (O < E O < 50 eV) emittierten Sekundär
elektronen SE nahezu gleich sind. Da die Primärelektronen PE
die Objektivlinse OL bei hohen Beschleunigungspotentialen V E
ebenfalls mit hoher Energie durchlaufen, wird auch der nach
teilige Einfluß des Boersch-Effektes (Coulomb-Wechselwirkung
der Elektronen im Primärstrahl) auf den Sondendurchmesser in
diesem Teil des elektronenoptischen Strahlengangs reduziert.
Die Abbremsung und die Energieanalyse der Sekundärelektronen SE
erfolgt innerhalb, oder wie in Fig. 1 und 2 dargestellt, ober
halb der Objektivlinse OL in einem kugelsymmetrischen elektri
schen Gegenfeld, daß man im Raumbereich zwischen zwei nahezu
halbkugelförmigen, auf unterschiedlichem Potential V E bzw. V G
liegenden Gitterelektroden K 1 und K 2 aufbaut. Während die
untere Gitterelektrode K 1 auf dem Potential V E der Elektrode
G 1 liegt, wird die obere Gitterelektrode K 2 üblicherweise mit
Potentialen zwischen etwa -15 Volt und +15 Volt beaufschlagt.
Oberhalb der das Gegenfeld aufbauenden Elektrodenanordnung K 1,
K 2 kann noch eine in den Fig. 1 und 2 nicht dargestellte Ab
schirmelektrode vorgesehen sein, deren Potential vorzugsweise
gleich dem Potential V G der Elektrode K 2 gewählt wird.
Um Lamordrehungen der Sekundärelektronen SE innerhalb der Ob
jektivlinse OL zu vermeiden, sollte der Sekundärelektronen
fokus ZS genügend weit oberhalb der Polschuhe und der Ablenk
einheit DS liegen. Die Fokussierung der Sekundärelektronen in
einen oberhalb der Ablenkeinheit DS liegenden Punkt ZS der opti
schen Achse OA ist hierbei um so besser möglich, je kleiner die
Energie der Primärelektronen PE und je höher das die Sekundär
elektronen SE beschleunigende Potential V E der Elektrode G 1 ge
wählt wird. Um Störungen der Bahnbewegung der Sekundärelektro
nen SE durch elektrische Felder innerhalb der Objektivlinse OL
zu vermeiden, ist die Gitterelektrode K 1 über einen konzen
trisch zur optischen Achse OA angeordneten Hohlzylinder HZ
leitend mit der Elektrode G 1 verbunden.
Ein vom Emissionswinkel unabhängiger Nachweis der Sekundär
elektronen SE ist nur dann gewährleistet, wenn deren Bahnen
parallel zu den Feldlinien des elektrischen Gegenfeldes und
damit senkrecht zur Oberfläche der Elektroden K 1 und K 2
verlaufen. Diese Bedingung ist für den Zentralstrahl der Sekun
därelektronenkeule immer dann erfüllt, wenn der gemeinsame
Mittelpunkt der Gitterelektroden K 1 und K 2 auf der optischen
Achse OA in der Mitte M des Ablenksystems DS liegt. Da die
Sekundärelektronenkeule beim Rastern des Primärstrahls um
diesen Punkt gekippt wird, ist ein orts- und winkelunabhängiger
Nachweis der in Richtung der Symmetrieachse der Keule emittier
ten Sekundärelektronen SE in einem oder mehreren symmetrisch
zur optischen Achse OA angeordneten Detektoren DT ge
währleistet. Bei Verwendung einer symmetrischen Detektoranord
nung kann oberhalb der Gitterelektroden K 1 und K 2 noch ein auf
negativem Potential liegende Elektrode AE zum Ablenken der in
Richtung der optischen Achse OA emittierten Sekundärelektronen
SE vorgesehen sein.
Das in Fig. 3 dargestellte Spektrometerobjektiv besteht im
wesentlichen aus einer kurzbrennweitigen Objektivlinse OL,
einer innerhalb der Objektivlinse OL symmetrisch zur optischen
Achse OA angeordneten Ablenkeinheit DS und einem elektro
statischen Gegenfeldspektrometer, das die aus Fig. 1 und 2
bekannte Elektrodenanordnung SG/G 1 zum Absaugen und Beschleuni
gen der Sekundärelektronen SE und eine ein kugelsymmetrisches
Gegenfeld erzeugende Elektrodenanordnung K 1/K 2 aufweist. Das
aus Objektivlinse OL, Ablenkeinheit DS und Gegenfeldspektro
meter bestehende System bildet die Komponente der elektronen
optischen Säüle eines Elektronenstrahlmeßgerätes, mit der die
von einer Hochstromelektronenquelle emittierten Primärelek
tronen PE fokussiert und abgelenkt und die auf der Probe IC
ausgelösten Sekundärelektronen SE vorzugsweise in das auf der
optischen Achse OA liegende Zentrum ZS des kugelsymmetrischen
Gegenfeldes fokussiert werden. Dieses Gegenfeld wird mit Hilfe
der in einem Gehäuse GH oberhalb der Objektivlinse OL ange
ordneten Gitterelektroden K 1 und K 2 erzeugt, die jeweils Teile
der Oberfläche konzentrischer Kugeln mit unterschiedlichen
Radien R 1 bzw. R 2 (R₁ ≈ 30 mm, R 2 ≈ 34 mm) bilden. Da der das
Zentrum des Gegenfeldes definierende Mittelpunkt ZS der den
Gitterelektroden K 1 und K 2 zugeordneten Kugeln sehr weit ober
halb der vorzugsweise aus magnetischen und elektrischen Ablenk
elementen MD bzw. ED bestehenden Ablenkeinheit DS und des Pol
schuhspaltes liegt, werden Lamordrehungen der Sekundärelek
tronen SE nach dem Durchlaufen des Zwischenbildes ZS vermieden.
Zur Erzeugung eines von elektrischen Feldern freien Raumes im
Bereich der Sekundärelektronenfokus ZS ist innerhalb des von
einem ringförmigen Sekundärelektronendetektor DT abgeschlossenen
Gehäuses GH, in dem sich außer den Elektroden K 1 und K 2 noch
ein Abschirmgitter BG und eine Channelplate CP oder ein Halb
leiterdetektor zum Nachweis der Sekundärelektronen SE befinden,
ein aus drei Teilen bestehender, symmetrisch zur optischen
Achse OA angeordneter Hohlzylinder HZ vorgesehen. Während der
obere Teil dieses sich im Bereich der Objektivlinse OL ver
jüngenden Hohlzylinders HZ leitend mit dem auf einem Potential
V E liegenden Elektrode K 1 verbunden ist, wird dessen unterer
Teil probenseitig von der ebenfalls auf dem Potential V E
zwischen etwa 0,5 und 5 kV, insbesondere 2 kV liegenden Elek
trode G 1 abgeschlossen. Der von dem magnetischen Ablenkelement
MD umgebene mittlere Zylinderteil ist hierbei wie in dem be
kannten Spektrometerobjektiv nach E. Plies als elektrostatischer
Achtpolablenker ED ausgebildet, dessen Einzelelektroden zum Ab
lenken des Primärstrahles mit einem weiteren Potential V X be
aufschlagt werden. Auf den Stigmator ST zur Kompensation des
axialen Astigmatismus kann verzichtet werden, wenn man die
Elektroden des Achtpolablenkers ED mit geeigneten Zusatzspan
nungen belegt.
Um Ablenkungen der Sekundärelektronen SE zu vermeiden, sind die
mit Hilfe der Ablenkeinheit DS erzeugten homogenen elektrischen
und magnetischen Feldern nach Art eines Wien'schen Filters
räumlich so zueinander orientiert, daß deren Feldvektoren senk
recht aufeinander und jeweils senkrecht auf dem Geschwindig
keitsvektor der Sekundärelektronen SE stehen. Die Feldstärken E
bzw. B sind hierbei so aufeinander abgestimmt, das die auf
die Sekundärelektronen SE wirkende Lorenzkraft verschwindet
(d. h. es muß gelten E/B = v SE , wobei v SE die mittlere Ge
schwindigkeit der Sekundärelektronen SE im Bereich der Ablenk
einheit DS bezeichnet).
Spektrometerobjektive besitzen aufgrund des dem fokussierenden
Magnetfeld der Objektivlinse überlagerten elektrischen Ver
zögerungsfeldes deutlich kleinere Farb- und Öffnungsfehler
konstanten als magnetische Einzellinsen. Da die Abbildungs
eigenschaften solcher Systeme im wesentlichen von der Homo
genität und der Stärke des Verzögerungsfeldes bestimmt wird,
konnte die theoretisch mögliche Auflösungsgrenze (Strahl
durchmesser auf der Probe) infolge der an der Probenober
fläche vorhandenen Feldverzerrung in konventionellen Spektro
meterobjektiven nicht erreicht werden. Erst mit der erfin
dungsgemäßen Entkopplung des Verzögerungsfeldes von der je
weiligen Probe kommen die verbesserten Abbildungseigenschaften
dieser elektrostatisch-magnetischen Linse uneingeschränkt zur
Geltung.
Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf die in den
Fig. 1 bis 3 dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. So ist
es beispielsweise möglich, die das kugelsymmetrische Gegen
feld erzeugende Elektrodenanordnung K 1, K 2 und ggf. auch das
Detektorsystem vollständig innerhalb der Objektivlinse
OL anzuordnen.
Die Fig. 2 und 3 betreffen Spektrometerobjektive mit inte
griertem Ablenksystem DS. Dieses Ablenksystem DS kann selbst
verständlich auch in konventioneller Weise im Korpuskular
strahlengang oberhalb der Objektivlinse OL angeordnet werden.
Hierbei muß man allerdings in Kauf nehmen, daß sich mit der
Verlängerung des Strahlenganges auch der nachteilige Einfluß
des Boersch-Effektes auf den Sondendurchmesser vergrößert.
Anstelle der kugelsymmetrischen Elektroden K 1, K 2 kann auch
ein ebenes Elektrodenpaar zur Erzeugung des Gegenfeldes ver
wendet werden. Ein vom Emissionswinkel unabhängiger Nachweis
der Sekundärelektronen SE ist mit einer solchen Anordnung
allerdings nicht mehr möglich.
Claims (15)
1. Spektrometerobjektiv für Korpuskularstrahlmeßgeräte mit
einer Objektivlinse (OL) und einem Gegenfeldspektrometer
die eine korpuskularoptische Einheit zur Fokussierung eines
primären Korpuskularstrahls (PE) bilden, wobei das Gegen
feldspektrometer eine auf einem ersten Potential (V E ) lie
gende Elektrodenanordnung (G 1) zur Beschleunigung der auf
einer Probe (IC) ausgelösten Sekundärkorpuskeln (SE) in
Richtung der Objektivlinse (OL) und eine zweite Elektroden
anordnung (K 1, K 2) zum Aufbau einer die Sekundärkorpuskeln
(SE) abbremsenden Potentialbarriere (V G ) aufweist, dadurch
gekennzeichnet, daß der ersten Elektrodenan
ordnung (G 1) eine im Korpuskularstrahlengang unmittelbar
oberhalb der Probe (IC) angeordnete, auf einem zweiten
Potential (V SG ) liegende Elektrode (SG) vorgelagert ist.
2. Spektrometerobjektiv nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Elektrode (SG) und die Probe
(IC) auf dem gleichen Potential liegen.
3. Spektrometerobjektiv nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Elektrode (SG) mit
einem Potential (V SG ) zwischen 0 und 100 Volt beaufschlagt
ist.
4. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode
(SG) am unteren Polschuh der Objektivlinse (OL) gehaltert
ist.
5. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da
durch gekennzeichnet, daß die Elektrode
(SG) im Polschuhspalt gehaltert ist.
6. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß die Elektrode
(SG) einen ringförmigen Halterungsteil aufweist.
7. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
gekennzeichnet durch ein Gitter als Elektrode
(SG).
8. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
gekennzeichnet durch eine Blende als
Elektrode (SG).
9. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß die zweite
Elektrodenanordnung (K 1, K 2) oberhalb der Objektivlinse (OL)
angeordnet ist.
10. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß die zweite
Elektrodenanordnung (K 1, K 2) innerhalb der Objektivlinse
(OL) angeordnet ist.
11. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die zweite
Elektrodenanordnung (K 1, K 2) eine erste (K 1) und eine
zweite Elektrode (K 2) aufweist, daß die erste Elektrode (K 1)
Teil der Oberfläche einer ersten Kugel mit einem ersten
Radius (R 1) ist, daß die zweite Elektrode (K 2) Teil der Ober
fläche einer zweiten Kugel mit einem zweiten Radius (R 2) ist,
wobei die Mittelpunkte der ersten und der zweiten Kugel in
einem auf der optischen Achse (OA) der Objektivlinse (OL)
liegenden Punkt (ZS) zusammenfallen und daß die erste und
die zweite Elektrode (K 1, K 2) derart mit Potentialen (V E ,
V G ) beaufschlagt sind, daß sich im Raumbereich zwischen
diesen Elektroden ein kugelsymmetrisches Gegenfeld aufbaut.
12. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß das Zentrum
(ZS) des kugelsymmetrischen Gegenfeldes in einem von
elektrischen Feldern freien Raum liegt.
13. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
gekennzeichnet durch ein in die Objektivlinse
(OL) integriertes und oberhalb des ersten Elektrodenanord
nung (G 1) angeordnetes Ablenksystem (DS).
14. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß das Zentrum
(ZS) des kugelsymmetrischen Gegenfeldes im Mittelpunkt (M)
des Ablenksystems (DS) liegt.
15. Spektrometerobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß das Ablenk
system (DS, MD, ED) nach Art eines Wien'schen Filters aus
gebildet ist.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863638682 DE3638682A1 (de) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik |
EP87116416A EP0267555B1 (de) | 1986-11-13 | 1987-11-06 | Spektrometerobjektiv für Korpuskularstrahlmessgeräte und Verfahren zur Untersuchung von Proben. |
DE3752020T DE3752020D1 (de) | 1986-11-13 | 1987-11-06 | Spektrometerobjektiv für Korpuskularstrahlmessgeräte und Verfahren zur Untersuchung von Proben. |
JP62286409A JP2701034B2 (ja) | 1986-11-13 | 1987-11-11 | 粒子線測定装置のスペクトロメータ対物レンズ |
US07/120,133 US4812651A (en) | 1986-11-13 | 1987-11-13 | Spectrometer objective for particle beam measuring instruments |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863638682 DE3638682A1 (de) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3638682A1 true DE3638682A1 (de) | 1988-05-19 |
Family
ID=6313810
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863638682 Withdrawn DE3638682A1 (de) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik |
DE3752020T Expired - Lifetime DE3752020D1 (de) | 1986-11-13 | 1987-11-06 | Spektrometerobjektiv für Korpuskularstrahlmessgeräte und Verfahren zur Untersuchung von Proben. |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3752020T Expired - Lifetime DE3752020D1 (de) | 1986-11-13 | 1987-11-06 | Spektrometerobjektiv für Korpuskularstrahlmessgeräte und Verfahren zur Untersuchung von Proben. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4812651A (de) |
EP (1) | EP0267555B1 (de) |
JP (1) | JP2701034B2 (de) |
DE (2) | DE3638682A1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19845329C2 (de) * | 1998-03-10 | 2001-09-27 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
US6590210B1 (en) | 1998-03-10 | 2003-07-08 | Erik Essers | Scanning electron microscope |
US6949744B2 (en) | 2003-04-17 | 2005-09-27 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Electron microscopy system, electron microscopy method and focusing system for charged particles |
DE102013006535A1 (de) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Raster-Partikelstrahlmikroskop mit energiefilterndem Detektorsystem |
DE102015210893A1 (de) * | 2015-06-15 | 2016-12-15 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Analyseeinrichtung zur Analyse der Energie geladener Teilchen und Teilchenstrahlgerät mit einer Analyseeinrichtung |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6452370A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Hitachi Ltd | Potential measuring apparatus |
JP2765851B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1998-06-18 | 株式会社日立製作所 | 電子検出器及びこれを用いた電子線装置 |
US4943769A (en) * | 1989-03-21 | 1990-07-24 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for opens/shorts testing of capacitively coupled networks in substrates using electron beams |
US4983830A (en) * | 1989-06-29 | 1991-01-08 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam apparatus having charged particle energy filter |
DE4027062A1 (de) * | 1990-08-27 | 1992-04-23 | Integrated Circuit Testing | Verfahren und anordnung zum testen und reparieren einer integrierten schaltung |
JP3148353B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
US5444243A (en) * | 1993-09-01 | 1995-08-22 | Hitachi, Ltd. | Wien filter apparatus with hyperbolic surfaces |
JPH07161329A (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置 |
JP3291880B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2002-06-17 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
US5614833A (en) * | 1994-10-25 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Objective lens with large field deflection system and homogeneous large area secondary electron extraction field |
JP3372138B2 (ja) * | 1995-06-26 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
EP0821393B1 (de) * | 1996-07-25 | 1999-06-16 | ACT Advanced Circuit Testing Gesellschaft für Testsystementwicklung mbH | Detektor-Objektivlinse |
GB9719417D0 (en) * | 1997-09-13 | 1997-11-12 | Univ York | Electron microscope |
EP0968517B1 (de) * | 1997-12-23 | 2003-09-03 | Fei Company | Rasterelektronenmikroskop mit elektrostatischem objektiv und elektrische abtastvorrichtung |
US6661008B2 (en) * | 1998-06-22 | 2003-12-09 | Nikon Corporation | Electron-optical system and inspection method using the same |
EP1022766B1 (de) * | 1998-11-30 | 2004-02-04 | Advantest Corporation | Teilchenstrahlgerät |
EP1052679B1 (de) * | 1999-05-06 | 2006-11-08 | Advantest Corporation | Korpuskularstrahlgerät |
EP1100112A1 (de) * | 1999-11-12 | 2001-05-16 | Advantest Corporation | Spektrometerobjektiv für ein Teilchenstrahlenergie-Mess-System |
EP1139091B1 (de) * | 2000-03-27 | 2009-08-19 | ELLCIE Maintenance GmbH | Elektronenspektrometer mit Ablenkeinheit |
US6847038B2 (en) * | 2002-07-15 | 2005-01-25 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
EP1271603B1 (de) * | 2000-03-31 | 2009-08-12 | Hitachi, Ltd. | Abtast-elektronenmikroskop |
US6407388B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-06-18 | Advantest Corp. | Corpuscular beam device |
US20050026436A1 (en) * | 2000-12-21 | 2005-02-03 | Hogan Timothy J. | Method for improving ash rate uniformity in photoresist ashing process equipment |
JP2004516631A (ja) * | 2000-12-22 | 2004-06-03 | フェイ カンパニ | 特に半導体ウェーハ用の粒子光学検査装置 |
EP1288996B1 (de) * | 2001-09-04 | 2006-03-22 | Advantest Corporation | Teilchenstrahlgerät |
DE10301579A1 (de) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung |
JP4519567B2 (ja) | 2004-08-11 | 2010-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法 |
EP1703538B1 (de) * | 2005-03-17 | 2008-11-12 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Teilchenstrahlgerät für hohe räumliche Auflösung und verschiedene für perspektivische Abbildungsmethoden |
GB0700754D0 (en) * | 2007-01-15 | 2007-02-21 | Oxford Instr Analytical Ltd | Charged particle analyser and method |
US8759764B2 (en) * | 2012-06-29 | 2014-06-24 | Fei Company | On-axis detector for charged particle beam system |
DE112018007343B4 (de) | 2018-04-26 | 2023-11-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Mit einem strahl geladener teilchen arbeitende vorrichtung |
US10964522B2 (en) * | 2018-06-06 | 2021-03-30 | Kla Corporation | High resolution electron energy analyzer |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1447983A (en) * | 1973-01-10 | 1976-09-02 | Nat Res Dev | Detector for electron microscopes |
JPS5772073A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Fujitsu Ltd | Voltage measuring device |
JPS57133358A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Fujitsu Ltd | Measuring device for voltage by electron beam |
DE3138929A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verbessertes sekundaerelektronen-spektrometer fuer die potentialmessung an einer probe mit einer elektronensonde |
EP0113746B1 (de) * | 1982-07-16 | 1988-01-07 | Lintech Instruments Limited | Elektrodensystem für ein gegenfeldspektrometer eines elektronenstrahl-spannungsmessgerätes |
GB8327737D0 (en) * | 1983-10-17 | 1983-11-16 | Texas Instruments Ltd | Electron detector |
JPS60130044A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPS60254741A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ムによる電圧測定装置 |
EP0178431B1 (de) * | 1984-09-18 | 1990-02-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für HalbleiterprÀ¼ftechnik mbH | Gegenfeld-Spektrometer für die Elektronenstrahl-Messtechnik |
FR2575597B1 (fr) * | 1984-12-28 | 1987-03-20 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Appareil pour la micro-analyse ionique a tres haute resolution d'un echantillon solide |
US4675524A (en) * | 1985-03-11 | 1987-06-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Scanning particle microscope with diminished boersch effect |
-
1986
- 1986-11-13 DE DE19863638682 patent/DE3638682A1/de not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-11-06 DE DE3752020T patent/DE3752020D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-06 EP EP87116416A patent/EP0267555B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-11 JP JP62286409A patent/JP2701034B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-13 US US07/120,133 patent/US4812651A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19845329C2 (de) * | 1998-03-10 | 2001-09-27 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
US6590210B1 (en) | 1998-03-10 | 2003-07-08 | Erik Essers | Scanning electron microscope |
US6949744B2 (en) | 2003-04-17 | 2005-09-27 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Electron microscopy system, electron microscopy method and focusing system for charged particles |
DE102013006535A1 (de) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Raster-Partikelstrahlmikroskop mit energiefilterndem Detektorsystem |
US9653255B2 (en) | 2013-04-15 | 2017-05-16 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Scanning particle microscope having an energy selective detector system |
DE102015210893A1 (de) * | 2015-06-15 | 2016-12-15 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Analyseeinrichtung zur Analyse der Energie geladener Teilchen und Teilchenstrahlgerät mit einer Analyseeinrichtung |
DE102015210893B4 (de) | 2015-06-15 | 2019-05-09 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Analyseeinrichtung zur Analyse der Energie geladener Teilchen und Teilchenstrahlgerät mit einer Analyseeinrichtung |
US10665423B2 (en) | 2015-06-15 | 2020-05-26 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Analyzing energy of charged particles |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0267555A2 (de) | 1988-05-18 |
DE3752020D1 (de) | 1997-03-27 |
JP2701034B2 (ja) | 1998-01-21 |
US4812651A (en) | 1989-03-14 |
EP0267555B1 (de) | 1997-02-12 |
EP0267555A3 (de) | 1989-10-25 |
JPS63146336A (ja) | 1988-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0267555B1 (de) | Spektrometerobjektiv für Korpuskularstrahlmessgeräte und Verfahren zur Untersuchung von Proben. | |
EP0333018B1 (de) | Objektivlinse zur Fokussierung geladener Teilchen | |
EP0281743B1 (de) | Detektorobjectiv für Rastermikroskope | |
EP0205184B1 (de) | Abberrationsarmes Spektrometer-Objektiv hoher Sekundärelektronen-Akzeptanz | |
EP0461442B1 (de) | Teilchenstrahlgerät | |
EP0274622B1 (de) | Detektoranordnung mit einem Detektorobjektiv für Korpuskularstrahlgeräte | |
US4649316A (en) | Ion beam species filter and blanker | |
US7435956B2 (en) | Apparatus and method for inspection and testing of flat panel display substrates | |
EP0893816B1 (de) | Korpuskularstrahlgerät | |
EP0242602A2 (de) | Elektrostatisch-magnetische-Linse für Korpuskularstrahlgeräte | |
DE3532781A1 (de) | Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet | |
EP0205185B1 (de) | Spektrometer-Objektiv für die Elektronenstrahl-Messtechnik | |
EP0379865B1 (de) | Verfahren zur Untersuchung einer Probe in einem Korpuskularstrahlgerät | |
DE60105199T2 (de) | Sem mit einem sekundärelektronendetektor mit einer zentralelektrode | |
EP0194570A2 (de) | Raster-Korpuskularmikroskop mit verringertem Boersch-Effekt | |
EP0236807A2 (de) | Spektrometerobjektiv für die Korpuskularstrahl-Messtechnik | |
DE112018006761B4 (de) | Einen strahl geladener teilchen anwendende vorrichtung | |
EP0348785A2 (de) | Elektronenstrahlmessgerät | |
DE3703028A1 (de) | Rastermikroskop | |
DE69606515T2 (de) | Elektrostatisch-magnetische Linsenanordnung | |
DE112018007343B4 (de) | Mit einem strahl geladener teilchen arbeitende vorrichtung | |
EP0086431A2 (de) | Korpuskularstrahlerzeugendes System und Verfahren zu seinem Betrieb | |
US5089699A (en) | Secondary charged particle analyzing apparatus and secondary charged particle extracting section | |
DE4236273A1 (en) | Lens for focussing electrons for specimen inspection - has field generated by coils and cone-shaped electrode set into entry section | |
EP0254128A2 (de) | Verfahren und Anordnung zur aufladungsfreien Untersuchung einer Probe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8130 | Withdrawal | ||
8165 | Unexamined publication of following application revoked |