DE3600169C2

DE3600169C2 -

Info

Publication number: DE3600169C2
Application number: DE3600169A
Authority: DE
Inventors: Hideo Kato; Masaaki Yokohama Kanagawa Jp Matsushima; Keiko Machida Tokio/Tokyo Jp Matsuda; Hirofumi Yokohama Kanagawa Jp Shibata
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-01-07
Filing date: 1986-01-07
Publication date: 1990-07-26
Also published as: US4837123A; DE3600169A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Lithographiemaske und auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung, die zur Übertragung eines Abdeckungsmusters auf eine mit einem lichtempfindli chen Material beschichtete Scheibe bei der Herstellung von Halbleitern geeignet ist.

Die Röntgenstrahlenlithographie hat eine Anzahl von Eigen schaften, die denen der Lithographie mit sichtbarem Licht oder mit UV-Strahlen, die früher auf der Grundlage von geradliniger Ausbreitungscharakteristik, Inkohärenz und ge ringer Strahlungsbeugung verwendet wurde, überlegen sind und zieht als wirkungsvolles Mittel zur Submikronli thographie Aufmerksamkeit auf sich.

Während die Röntgenstrahlenlithographie eine Anzahl von über legenen Merkmalen im Vergleich zur Lithographie mit sicht barem Licht oder mit UV-Strahlen hat, bringt sie Nachteile mit sich wie ungenügende Leistung der Röntgenstrahlen quelle, geringe Empfindlichkeit des Decklacks, Schwierig keit im Abgleich und in der Wahl des Absorbermaterials und des Bearbeitungsverfahrens, wobei die Produktivität gering ist und die Kosten hoch sind, was die praktische Anwendung hinauszögerte.

In bezug auf die zu verwendende Maske in der Röntgenstrah lenlithographie, der Lithographie mit sichtbarem Licht oder mit UV-Strahlen sind u. a. Glasplatten und Quarz platten als Träger für das Absorbermaterial verwen det worden (nämlich ein lichtdurchlässiges Teil). In der Röntgenstrahlenlithographie jedoch beträgt die Wellenlänge des Strahls die verwendet werden kann 0,1 bis 20 nm. Die bisher verwendeten Glas- oder Quarzplatten absorbieren größtenteils den Strahl in diesem Wellenbereich der Rönt genstrahlen und auch die Dicke muß in einer Stärke von 1 bis 2 mm hergestellt werden, wobei Röntgenstrahlen nicht genügend durchgelassen werden können und diese ungeeignet als Material für den Träger des Absorbermaterials sind, das in der Röntgenstrahlenlithographie verwendet werden soll.

Durchlässigkeit für Röntgenstrahlen hängt im allgemeinen von der Dichte des Materials ab und deshalb werden gerade anorganische oder organische Stoffe mit niedriger Dichte als Stoff für das Halterungsteil des Maskenmaterials untersucht, das in der Röntgenstrahlenlithographie verwen det werden soll. Solche Materialien können z. B. anorgani sche Stoffe wie einfache Stoffe aus Beryllium (Be), Titan (Ti), Silicium (Si) und Bor (B) und ihre Verbindungen oder organische Verbindungen wie Polyimid, Polyamid, Poly ester und Poly-p-xylylen einschließen.

Aus der EP-OS 0 097 764 ist eine Röntgenstrahlen-Litho graphiemaske bekannt, bei der als Trägerschicht für das Absorbermaterial Silicium, mit Bor dotiertes Silicium, Bornitrid, Siliciumnitrid, Siliciumdioxid, Beryllium, Siliciumcarbid, Wolframcarbid, Siliciumoxynitrid, Alu miniumoxid und Polymere wie Polyimid, vorgesehen sind. Diese bekannten Materialien werden jedoch im Stand der Technik als nicht vollständig befriedigend angesehen, so daß als Trägerschicht hydrierter amorpher Kohlenstoff mit einem optischen Bandabstand von wenigstens 1 eV verwen det wird.

In der Literaturstelle Solid State Technology, September 1984, Seiten 192 bis 199 werden Röntgenstrahlen-Litho graphiemasken in einem Übersichtsartikel beschrieben, wobei neben den vorstehend erwähnten Materialien Borcarbid, Borphosphid, Siliciumcarbid und Titan aufgeführt sind, die als Trägerschicht für das Absorbermaterial verwendet werden können. Die Trägerschicht kann hierbei als Einzel schicht und auch als Doppelschicht ausgebildet sein, wobei Kombinationen von BN : N/Polyimid, Si/Polyimid und Ti/Polyimid erwähnt sind. Die Trägerschicht kann auch als Dreifach schicht vorliegen, wobei beispielhaft BN : H/Si- BN : H/BN : N, SiN/SiO₂/SiN und SiN/Si_xO_yN_z/SiN aufgeführt sind.

Für die praktische Verwendung dieser Stoffe als Material für den Träger des Absorbermaterials zur Verwendung in der Röntgenstrahllithographie ist es erforderlich, sie als dünne Schichten anzufertigen, um die Menge der durchge lassenen Röntgenstrahlen so weit wie möglich zu vergrößern, und zwar in einer Dicke von einigen Mikrons oder weniger im Falle eines anorganischen Stoffes und einigen 10 Mikrons oder weniger im Falle eines organischen Stoffes. Aus diesem Grund wird für die Bildung z. B. eines Trägers für das Absorbermaterial, das eine dünne Schicht eines anorganischen Stoffes oder einer zusammengesetzten Schicht davon umfaßt, ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem eine dünne Schicht aus Si₃N₄, SiO₂, BN oder SiC auf eine Siliciumscheibe, die eine hervorragende Ebenheit besitzt, durch Dampfab scheidung aufgebracht wird und danach die Siliciumscheibe durch Ätzen entfernt wird.

Auf der anderen Seite wird als Absorbermaterial (nämlich das Röntgenstrahlen absorbierende Material) zur Verwendung in der Röntgenstrahlenlithographie, das auf dem Träger des Absorbermaterials wie vorsehend beschrieben gehalten wird, vorzugsweise eine dünne Schicht aus einem Material mit hoher Dichte verwendet, wie Gold, Platin, Wolfram, Tantal, Kupfer oder Nickel, vorzugsweise eine dünne Schicht mit einer Dicke von 0,5 bis 1 µ. Eine solche Maske kann z. B. hergestellt werden, indem man eine dünne Schicht aus vorstehendem Material mit hoher Dichte auf dem vor stehenden Träger für das Absorbermaterial gleichmäßig bildet, dann darauf einen Decklack aufbringt, und ein gewünschtes Zeichenmuster auf dem Decklack durch Elektro nenstrahl oder Licht durchführt und es danach durch Ätzen in ein gewünschtes Muster formt.

In der Röntgenstrahllithographie nach dem Stand der Technik war, wie vorstehend beschrieben, die Durchlässigkeit der Röntgenstrahlen durch den Träger für das Absorbermaterial gering und deshalb ist es erforderlich, daß der Träger für das Absorbermaterial deutlich dünner hergestellt wird, um eine genügende Anzahl von durchgelassenen Röntgenstrahlen zu erhalten, wobei dies das Problem mit sich bringt, daß es nur schwierig hergestellt werden kann.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Lithographiemaske zur Verfügung zu stellen, bei der die Trägerschicht für das Absorbermaterial eine gute Durchlässigkeit für Röntgen strahlen und sichtbares Licht aufweist, wobei eine Verzer rung des auf die Trägerschicht vorgesehenen Absorber materials vermieden und die Herstellung der Maske in einfacher Weise durchgeführt werden kann.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unter ansprüchen aufgeführt.

Die Lithographiemaske gemäß der Erfindung weist mindestens eine aus der Dampfphase abgeschiedene Trägerschicht aus einem Aluminiumnitridoxid für das Absorbermaterial auf, wobei der Absorbermaterialträger von einem Halterahmen im Randbereich getragen wird.

Das Verfahren zur Herstellung der Lithographiemaske umfaßt die folgenden Schritte:

a) Bildung eines das Absorbermaterial haltenden Trägers auf einem Substrat;
b) Aufkleben eines ringförmigen Halterahmens auf dem Träger,
c) Entfernen des Substrats von dem das Absorbermate rial haltenden Träger im Bereich des Absorbermusters und
d) Aufbringen des Absorbermaterials in Form eines Dünn films auf den Träger und Ausbilden eines Absorptionsmusters.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1(a) bis (h), Fig. 2(a) bis (h), Fig. 3(a) bis (h), Fig. 4(a) bis (h) und Fig. 5(a) bis (h) sind schematische, zentrale Längsschnittansichten, die jeweils die Schritte zur Herstellung eines Beispiels der Lithographiemaske nach der Erfindung zeigen.

Fig. 6(a) bis (f) ist eine schematische, zentrale Längs schnittansicht, die die Schritte eines Beispiels des Ver fahrens zur Herstellung der Litho graphiemaske der Erfindung zeigt.

Fig. 7(a) ist eine schematische, zentrale Längsschnittan sicht, die ein Beispiel der Lithogra phiemaske nach der Erfindung zeigt und Fig. 7(b) ist eine schematische Aufsicht des ringförmigen Halterahmens der Lithographiemaske.

Fig. 8(a) bis (g) ist eine schematische, zentrale Längs schnittansicht, die die Herstellungsschritte eines Bei spiels der Lithographiemaske nach der Er findung zeigt.

Fig. 9 ist eine schematische, zentrale Längsschnittan sicht, die ein Beispiel der Lithogra phiemasken nach der Erfindung zeigt.

Fig. 10(a) ist eine schematische, zentrale Längsschnittan sicht, die ein Beispiel der Lithogra phiemaske nach der Erfindung zeigt und Fig. 10(b) ist eine schematische Aufsicht des ringförmigen Halterahmens der Lithographiemaske.

Fig. 11 ist eine schematische, zentrale Längsschnittan sicht, die ein Beispiel der Lithogra phiemaske nach der Erfindung zeigt.

Zur Erfüllung der vorstehenden Aufgabe gemäß der Erfin dung wird eine Trägerschicht aus Aluminiumnitridoxid, das Aluminium, Stickstoff und Sauer stoff enthält als grundlegender Bestandteil der Litho graphiemaske verwendet. Das Aluminiumnitridoxid, auch Aluminiumoxynitrid genannt, hat spezielle Eigenschaften wie hohe Röntgenstrahlendurchlässigkeit und Durchlässigkeit für sichtbares Licht (ungefähr ¹/₁₀ der optischen Dichte durch 1 µm Dicke), kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient (3 bis 4 × 10^-6/°C), hoher Wärmeleitfähigkeitskoeffizient und gute Filmbildungseigenschaft und sie ist deshalb gut als Trägerschicht für das Absorbermaterial der Lithographiemaske.

Gemäß der Erfindung bezieht sich der Ausdruck "Schicht" oder "Aluminiumnitridoxid" auf eine Schicht oder eine Substanz, die Aluminium und Stickstoff als Hauptbestandteile und Sauerstoff als Zusatz enthalten oder auf eine Schicht oder eine Substanz, die Aluminium, Stickstoff und Sauerstoff als Hauptbestandteile enthalten.

Die das Absorbermaterial haltende dünne Schicht kann entweder eine Schicht aus einer einzigen Schicht des Aluminiumnitridoxids oder eine Schicht aus einer laminierten Schicht aus einer Schicht des Aluminiumnitridoxids und einer Schicht aus einem organischen Material und/oder einer Schicht aus einem anderen anorganischen Material als dem Aluminiumnitridoxid sein.

Im Falle der Verwendung einer laminierten Schicht aus einem Aluminiumnitridoxid und einer Schicht aus einem organischen Material als die das Absorbermaterial haltende Trägerschicht der Lithographiemaske kann die Trägerschicht angefertigt werden, so daß seine Eigenschaften durch das organische Material bestimmt sind, zusätzlich zu den Eigenschaften des Aluminiumnitrid oxids, wie vorstehend beschrieben. Spezieller hat die das Absorbermaterial haltende Trägerschicht zusätzlich zu dem Effekt, der durch eine einzelne Schicht von Aluminiumnitridoxid bestimmt ist, die Effekte größerer Festigkeit und wesentliche Spannungsfreiheit.

Als organisches Material, das die vorstehende laminierte Schicht gemäß der Erfindung bildet ist es möglich, jene zu verwenden, die wenigstens Filmbildungscharakteristik und die Fähigkeit Röntgenstrahlen durchzulassen besitzen. Solche organischen Materialien sind hier ohne Zwecke bekannt und können beispielsweise Poly imid, Polyamid, Polyester, Poly-p-xylylen sein. Darunter ist Polyimid wegen seiner gesamten Wirkungsweise wie Hitze beständigkeit, Stoßfestigkeit, Durchlässigkeitsfähigkeit gegenüber sichtbarem Licht besonders vorzuziehen.

Im Falle der Verwendung einer laminierten Schicht aus einem Aluminiumnitridoxid und einer zusätzlichen Schicht aus einem anderen für diese Zwecke bekannten anorganischen Material kann man einen das Absorbermaterial haltenden Träger erhalten, der die Eigenschaften des anorganischen Materials zusätzlich zu den Eigenschaften des Aluminiumnitridoxids, wie vorstehend beschrieben, besitzt. Das bedeutet, daß solch ein das Absorbermaterial haltender Träger auch ausgezeichnete Lichtdurchlässigkeit und Wärmeleitfähigkeit ebenso wie relativ große Festigkeit und chemische Widerstandsfähig keit besitzt. Auch werden die spezielln Eigenschaften wie größere Festigkeit und wesentliche Spannungsfreiheit hin zugefügt, wenn eine Schicht eines organischen Materials dazu laminiert wird.

Gemäß der Erfindung können als anorganische Materialien, die die vorstehend laminierte Trägerschicht bilden, jene verwen det werden, die zumindest Filmbildungseigenschaft und Durchlässigkeitsfähigkeit für Röntgenstrahlen besitzen. Solche Materialien können z. B. Aluminiumnitrid, Borni trid, Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid und Titan einschließen. Besonders Aluminiumnitrid hat spezielle Eigenschaften, wie hohe Durchlässigkeit für Röntgenstrah len und sichtbares Licht, kleinen Wärmeausdehnungskoeffi zienten, großen Wärmeleitfähigkeitskoeffizienten und gute Filmbildungseigenschaft, und deshalb wird es als anorgani sches Material bevorzugt. Wenn Bornitrid, das ausgezeich net bezüglich der chemischen Widerstandsfähigkeit ist, als Schutzschicht für das Aluminiumnitridoxid laminiert wird, kann man eine laminierte Schicht erhalten, die sehr herausragend in den Filmeigenschaften ist, wie Durchlässigkeitsfähig keit für Röntgenstrahlen, Lichtdurchlässigkeitsfähigkeit, Wärmeleitfähigkeit, elektrische Leitfähigkeit und chemische Widerstandsfähigkeit.

Die laminierte Schicht, die die vorstehende das Absorbermate rial haltende Trägerschicht bildet, kann aus zwei Schichten einer Aluminiumnitridoxid-Schicht und einer Schicht eines organi schen Materials oder alternativ aus drei oder mehr Schich ten, die im ganzen zwei oder mehr Schichten mit mindestens einer Schicht aus einem Aluminiumnitridoxid besitzen und aus einer Schicht aus organischem Material bestehen.

Die laminierte Schicht, die die vorstehende das Absorbermate rial haltende Trägerschicht bildet, kann aus zwei Schichten aus einer Aluminiumnitridoxid-Schicht und einer Schicht eines anor ganischen Materials, das sich von dem Aluminiumnitridoxid unterscheidet, bestehen, oder sie besteht alternativ aus drei oder mehr Schichten, die im ganzen zwei oder mehr Schichten mit mindestens einer aus einer Aluminiumnitridoxid- Schicht besitzen und aus einer Schicht eines anorganischen Mate rials, das sich von dem Aluminiumnitridoxid unterschei det.

Ferner kann die laminierte Schicht, die die obenstehende das Absorbermaterial haltende Trägerschicht bildet auch aus drei oder mehr Schichten mit mindestens einer aus einer Aluminium nitridoxid-Schicht, mit mindestens einer aus einer Schicht aus einem anorganischen Material, das sich von dem Aluminiumnitrid oxid unterscheidet, und mit mindestens einer aus einer Schicht aus einem organischen Material bestehen.

Die Dicke des das Absorbermaterial haltenden Trägers ist gemäß der Erfindung nicht besonders begrenzt, aber sie kann in einer geeigneten Dicke gefertigt werden, z. B. vorteilhafterweise ungefähr 2 bis 20 µm.

Der ringförmige Halterahmen in der Lithographiemaske der Erfindung umfaßt z. B. Sili cium, Glas, Quarz, Phosphorbronze, Messing, Nickel und rost freien Stahl.

Als Absorbermaterial kann ein dünner Film mit einer Dicke von ungefähr 0,5 bis 1 µm, der aus Gold, Platin, Nickel, Palladium, Rhodium, Indium, Wolfram, Tantal und Kupfer besteht, verwendet werden.

Die Lithographiemaske gemäß der Erfindung kann nach dem Herstellungsverfahren nach dem Stand der Technik hergestellt werden z. B. durch Bildung einer das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht der eine Aluminium nitridoxid-Schicht als einen grundlegenden Bestandteil auf einer Siliciumscheibe umfaßt, durch Bildung eines Absorptionsmusters darauf und dann Ätzen seines zentralen Teils von der Rückseite der Siliciumscheibe, wodurch die gewünschten Ziele hinreichend erreicht werden können. Im Rahmen der Erfindung wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Lithographiemaske zur Verfügung ge stellt, deren Herstellungsschritte einfach, schnell und mit guter Ausbeute verlaufen.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Maskenstruktur für die Lithographie umfaßt die folgenden Schritte:

- Bildung eines das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht aus Aluminiumnitridoxid auf einem Substrat,
- Aufkleben eines ringförmigen Halterahmens auf diese Trägerschicht und
- Entfernung des Substrats von dem das Absorbermaterial haltenden Trägers im Bereich des Absorbermusters und
- Aufbringen des Absorbermaterials in Form eines Dämm films auf den Träger und Ausbilden eines Absorptionsmusters.

Die Lithographiemaske gemäß der Erfindung kann ihre gewünschten Ziele hinreichend erfüllen, indem sie eine Form annimmt, in der die das Absorbermaterial haltende Trägerschicht mit einer Aluminiumnitridoxid-Schicht als grundlegendem Bestandteil auf der obersten, ebenen Abschlußfläche des ringförmigen Halterahmens haftet; ferner wird eine Lithographiemaske zur Verfügung gestellt, wobei zusätzlich die Ebenheit der das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht weiter verbes sert ist.

Die Lithographiemaske der Erfindung nach dieser Ausführungsform besitzt eine das Absorbermate rial haltende Trägerschicht, die eine Aluminiumnitridoxid- Schicht und einen ringförmigen Halterahmen, der den Absorbermaterialträger im Randbereich hält, wobei die das Absorbermaterial haltende Träger schicht an einer tieferen Position als der obersten ebenen Abschlußfläche an dem ringförmigen Halterahmen haftet.

Die Erfindung wird nun mit Bezug auf die Zeichnungen näher beschrieben. Im nachstehenden wird der Ausdruck "Aluminiumnitridoxid-Schicht" durch die Bezeichnung "Al-N-O-Schicht" abgekürzt.

Beispiel 17

Fig. 1(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels einer Lithographiemaske gemäß der Erfindung zeigen.

Wie in Fig. 1(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten (2) mit einer Dicke von 1 µm an beiden Oberflächen einer kreisförmigen Siliciumscheibe (1) mit einem Durchmesser von 10 cm gebildet.

Als nächstes wurde, wie in Fig. 1(b) gezeigt, mit Hilfe einer Ionenplattierungsvorrichtung vom Typ mit heißem Elektronenstoß eine Al-N-O-Schicht (3) mit einer Dicke von 3 µm mit einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von 1,0 nm/sec auf einer Seite der Siliciumoxidschichten gemäß des Ionenplattierungsverfahrens gebildet unter Verwendung eines Aluminiumtargets, einer Gasatmosphäre mit einem Volumenverhältnis von Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauer stoff (O₂) = 1 : 3 : 0,1, einer Entladungsleistung von 40 W, einer Beschleunigungsspannung von 600 V, einem Gasdruck von 26,6 mPa und einer Substrattemperatur von 80°C.

Als nächstes wurde, wie in Fig. 1(c) gezeigt, eine teerar tige Farbschicht (4) zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht (3) gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 1(d) gezeigt, der kreisförmige Zentralteil des Siliciumoxidschicht (2), die auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zweck auszufüh ren, daß die Siliciumoxidschicht (2) in Form eines Ringes übrig bleibt, wurde eine Schicht (5) Apiezonwachs zum Schutze an diesem Teil gebildet, und die Wachsschicht (6) wurde nach Beseitigung des zentralen Teiles der Siliciumoxidschicht (2) entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 1(e) gezeigt, ein elektrolytisches Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm²) in einer wäßrigen 3%igen Fluorwasserstoffsäurelösung ausgeführt, um den kreisförmi gen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (1), die auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfernen.

Danach wurde die Siliciumoxidschicht (2) wie in Fig. 1(f) gezeigt, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluo rid und Fluorwasserstoffsäure auf dem ungeschützten Teil entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 1(g) gezeigt, die Oberfläche eines Ringrahmens (6), (innerer Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm) mit einer Art Epoxykleber (7) beschichtet und die vorste hende Siliciumscheibe (1) wurde an die mit dem Kleber beschichtete Oberfläche auf der Seite, die derjenigen auf der die Al-N-O-Schicht (3) gebildet wurde, gegenüber liegt, angeklebt.

Danach wurde wie in Fig. 1(h) gezeigt, die teerartige Farbschicht (4) mit Aceton entfernt.

Somit wurde eine Lithographiemaske er halten, die eine Al-N-O-Schicht (3) besitzt, die mit einem Ringrahmen (6) und einer Silicium scheibe (1) befestigt ist.

Beispiel 2

In den Schritten des Beispiels 1 wurde nach Bildung der Al-N-O-Schicht eine Schicht eines lichtempfindlichen Decklackes in einer Dicke von 1,2 µm durch Wirbelbeschich tung gebildet.

Danach wurde, nachdem der Decklack unter Verwendung einer Quarz-Chrom-Maske mit ferner UV-Strahlung abgedruckt wurde, eine vorgeschriebene Behandlung durchgeführt, um ein Decklackmuster zu erhalten, das den Negativtyp zu der Maske darstellt.

Danach wurde mit Hilfe einer Elektronenstrahldampfabschei dungsvorrichtung Tantal (Ta) in einer Dicke von 0,5 µm durch Dampf abgeschieden.

Danach wurde der Decklack mit einer Abtragevorrichtung entfernt und man erhielt ein Tantal-Absorptionsmuster nach dem Abtragungsverfahren.

Danach wurde eine teerartige Farbschicht auf der Al-N-O- Schicht ähnlich dem Beispiel 1 gebildet.

Indem man danach die gleichen Schritte wie in Beispiel 1 befolgte erhielt man eine Maskenstruktur zur Lithographie, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht am Aluminiumnitridoxid und ein Tantal-Absorptionsmu ster umfaßt, die mit einem Ringrahmen und einr Siliciumscheibe befestigt sind.

Beispiel 3

In Beispiel 1 wurden außer der Bildung der Al-N-O- Schicht nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Verwen dung eines Aluminiumnitrid (AlN)-Targets, einer Gasmi schung von Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 1 : 0,5, einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer Entla dungsleistung von 150 W, und einer Schichtbildungsgeschwin digkeit von 1,5 nm/min, die gleichen Schritte des Beispiels 1 wiederholt, um eine Lithographiemaske zu erhalten.

Beispiel 4

In Beispiel 1 wurden außer der Bildung Al-N-O-Schicht nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Verwen dung eines Aluminiumoxidnitrid (7 Al₃O₇ : 3 AlN)-Targets, einer Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1, einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer Entladungsleitung von 200 W und einer Filmbildungsgeschwindigkeit von 1,0 nm/min die gleichen Schritte des Beispiels 1 zur Gewinnung einer Lithographiemaske wiederholt.

Beispiel 5

Fig. 2(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels der Lithographiemaske gemäß der Er findung zeigen.

Wie in Fig. 2(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten (12) mit einer Dicke von 1 µm an beiden Oberflächen einer kreisförmigen Siliciumscheibe (11) mit einem Durchmesser von 10 cm gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 2(b) gezeigt, nachdem PIQ-Flüs sigkeit (Polyimid-Vorläufer) durch Wirbelbeschichtung auf der Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der Siliciumscheibe (11) aufgetragen worden war, die Beschichtung bei 50 bis 350°C vier Stunden lang ausgehärtet, wobei sich ein Polyimidschicht (13) mit einer Dicke von 2 µm bildete.

Danach wurde wie in Fig. 2(c) gezeigt, mit Hilfe einer Ionenplattierungsvorrichtung vom Typ mit heißem Elektro nenstoß eine Al-N-O-Schicht (14) mit einer Dicke von 2 µm bei einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von 1,0 nm/sec auf der Polyimidschicht (13) gebildet, wobei ein Aluminium (Al)- Target, eine Gasatmosphäre mit einem Volumenverhältnis von Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 3 : 0,1, eine Entladungsleistung von 40 W, eine Beschleunigungs spannung von 600 V, ein Gasdruck von 40,0 mPa und eine Substrattemperatur von 80°C verwendet wurde.

Danach wurde wie in Fig. 2(d) gezeigt, eine teerartige Farbschicht (19) zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht (14) gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 2(e) gezeigt, der kreisförmige zentrale Teil der Siliciumoxidschicht (12), der auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zwecke auszu führen, daß die Siliciumoxidschicht (12) in Form eines Ringes übrig bleibt, wurde eine Schicht Apiezonwachs (16) zum Schutze an diesem Teil gebildet und die Wachsschicht (16) wurde nach Beseitigung des zentralen Teils der Siliciumoxidschicht entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 2(f) gezeigt, elektrolytisches Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm²) in einer 3%igen wäßrigen Fluorwasserstoffsäurelösung durchgeführt, um den kreisför migen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (11) der auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfer nen.

Danach wurde die Siliciumoxidschicht wie in Fig. 2(g) ge zeigt, unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoffsäure auf dem ungeschützten Teil ent fernt.

Danach wurde wie in Fig. 2(h) gezeigt, eine Oberfläche eines Ringrahmens (17), (innerer Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm) mit einer Art Epoxykleber (18) beschichtet, und die vor stehende Siliciumscheibe (11) wurde an die mit dem Kleber beschichtete Oberfläche auf der Seite angeklebt, die der jenigen gegenüberliegt, auf der die Polyimidschicht (13) und die Al-N-O-Schicht (14) gebildet wurden, gefolgt von der Entfernung der teerartigen Farbschicht (19).

Somit erhielt man eine Lithogra phiemaske, die ein Laminat aus einer Polyimidschicht (13) und einer Al-N-O-Schicht (14) besitzt, das mit einem Ringrahmen (17) und einer Siliciumschei be (11) befestigt ist.

Die das Absorbermaterial haltende Trägerschicht der eine Zu sammensetzung aus Polyimidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, den man in diesem Beispiel erhielt, besaß eine besonders gute Festigkeit.

Beispiel 6

Es wurden außer der Bildung einer Polyesterschicht mit einer Dicke von 2 µm gemäß des Dampfabscheidungsverfahrens auf der Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der Silicium scheibe (11) anstelle der Polyimidschicht (13) die gleichen Schritte wie in Beispiel 5 wiederholt.

Somit erhält man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus einer Polyesterschicht und einer Al-N-O- Schicht besitzt, das mit einem Ringrah men und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu sammensetzung aus Polyesterschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, den man in diesem Beispiel erhielt, besaß eine besonders gute Festigkeit.

Beispiel 7

Es wurden außer der Bildung einer Poly-p-xylylenschicht mit einer Dicke von 2 µm gemäß des Dampfabscheidungsver fahrens auf der Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der Siliciumscheibe (11) anstelle der Polyimidschicht (13) die gleichen Schritte des Beispiels 5 wiederholt.

Somit erhielt man eine Maskenstruktur zur Lithographie, die ein Laminat aus einer Poly-p-xylylenschicht und einer Al- N-O-Schicht besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Poly-p- xylylenschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit.

Beispiel 8

In den Schritten des Beispiels 5 wurde nach Bildung der Polyimidschicht (13) und der Al-N-O-Schicht (14) eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Decklack CMS (chlor methyliertes Polystyrol) auf der Al-N-O-Schicht gebildet.

Danach wurde, nachdem eine Bildzeichnung eines Absorptionsmu sters mit Hilfe einer Elektronenstrahlbildzeichnungsvor richtung ausgeführt worden war, eine vorgeschriebene Be handlung zur Gewinnung eines Decklackmusters durchgeführt.

Danach wurde Nickel (Ni) in einer Dicke von 0,5 µm auf dem vorstehenden Decklackmuster mit Hilfe eines Elektronen strahldampfabscheidungsgerätes mit Dampf abgeschieden.

Danach wurde der Decklack mit einer Beseitigungsvorrich tung zur Gewinnung eines Nickelabsorptionsmusters entfernt.

Danach wurde eine teerartige Farbschicht zum Schutz auf der Al-N-O-Schicht, die ein Nickelabsorptionsmuster be sitzt, gebildet.

Indem man darauf die gleichen Schritte wie in Beispiel 5 befolgte, erhielt man eine Lithogra phiemaske, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht in Form eines Laminats aus einer Polyimidschicht und einer Al-N-O-Schicht und ein Nickelabsorptionsmuster umfaßt, wobei der Aufbau mit einem Ringrahmen und einer Silicium scheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Polyimid schicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Fe stigkeit.

Beispiel 9

In den Schritten des Beispiels 6 wurde nach Bildung der Polyesterschicht und der Al-N-O-Schicht eine Schicht eines lichtempfindlichen Decklackes CMS auf der Al-N-O- Schicht gebildet.

Indem man darauf die gleichen Schritte wie in Beispiel 8 befolgte, erhielt man eine Lithogra phiemaske, die eine das Maskenmaterial haltende Trägerschicht in Form eines Laminats aus einer Polyesterschicht und einer Al-N-O-Schicht und ein Nickelabsorptionsmuster umfaßt und mit einem Ringrahmen und einer Silicium scheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Polyester schicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Fe stigkeit.

Beispiel 10

In den Schritten des Beispiels 7 wurde nach Bildung der Poly-p-xylylenschicht und der Al-N-O-Schicht eine Schicht eines lichtempfindlichen Schutzlackes CMS auf der Al-N-O-Schicht gebildet.

Indem man darauf die gleichen Schritte des Beispiels 8 befolgte, erhielt man eine Litho graphiemaske, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht in Form eines Laminats aus einer Poly-p-xylylenschicht und einer Al-N-O-Schicht und ein Nickelabsorptionsmuster umfaßt und mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Poly-p- xylylenschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit.

Beispiel 11

Fig. 3(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels der Lithographiemaske gemäß der Erfindung zeigen.

Wie in Fig. 3(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten (12) mit einer Dicke von 1 µm auf beiden Oberflächen einer kreisförmigen Siliciumscheibe (11) mit einem Durchmesser von 10 cm gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 3(b) gezeigt, nachdem PIQ-Flüs sigkeit (Polyimid-Vorläufer) mittels Wirbelbeschichtung auf der Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der Silici umscheibe (11) aufgetragen worden war, die Beschichtung bei 50 bis 350°C vier Stunden lang ausgehärtet, wobei sich eine Polyimidschicht (13) mit einer Dicke von 2 µm bildete.

Danach wurde wie in Fig. 3(c) gezeigt, gemäß dem Reaktiv- Sputtering-Verfahren eine Al-N-O-Schicht (14) mit einer Dicke von 1 µm mit einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,5 nm/min auf der Polyimidschicht (13) gebildet, wobei ein Aluminiumnitrid (AlN)-Target, eine Gasatmo sphäre mit einem Volumenverhältnis von Argon (Ar) : Stick stoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 1 : 0,5, einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer Entladungsleistung von 150 W und einer Substrattemperatur von 80°C verwendet wurden.

Danach wurde wie in Fig. 3(d) gezeigt, eine Polyimidschicht (15) mit einer Dicke von 2 µm ähnlich wie vorstehend beschrieben, auf der Al-N-O-Schicht (14) gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 3(e) gezeigt, der kreisförmige, zentrale Teil der Siliciumoxidschicht (12), der auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zwecke auszu führen, daß die Siliciumoxidschicht (12) in Form eines Ringes übrig bleibt, wurde eine Schicht Apiezonwachs (16) zum Schutze an diesem Teil gebildet, und die Wachsschicht (16) wurde nach Beseitigung des zentralen Teils der Siliciumoxidschicht (12) entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 3(f) gezeigt, elektrolytisches Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm²) in einer wäßrigen 3%igen Fluorwasserstoffsäurelösung ausgeführt, um den kreisförmi gen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (11), die auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfer nen.

Danach wurde die Siliciumoxidschicht (12) wie in Fig. 3(g) gezeigt, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluo rid und Fluorwasserstoffsäure auf dem ungeschützten Teil entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 3(h) gezeigt, eine Oberfläche eines Ringrahmens (17), (innerer Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm) mit einer Art Epoxykleber (18) beschichtet und die vorste hende Siliciumscheibe (11) wurde an die mit dem Kleber beschichtete Oberfläche auf der Seite angeklebt, die der jenigen auf der die Polyimidschichten (13, 15) und die Al-N- O-Schicht gebildet wurden, gegenüberliegt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus Polyimidschichten (13, 15) und eine Al-N-O-Schicht (14) besitzt und mit einem Ringrahmen (17) und einer Siliciumscheibe (11) befe stigt ist.

Beispiel 12

Außer der Bildung von Polyesterschichten mit einer Dicke von 2 µm gemäß des Dampfabscheidungsverfahrens auf der Silici umoxidschicht (12) auf einer Seite der Siliciumscheibe (11) anstelle der Polyimidschichten (13, 15) wurden die gleichen Schritte des Beispiels 11 wiederholt.

Somit erhielt man eine Lithographienmaske, die ein Laminat aus Polyesterschichten und einer Al-N-O- Schicht besitzt, und mit einem Ringrah men und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Polyester schicht : Al-N-O-Schicht : Polyesterschicht besitzt, besaß beson ders gute Festigkeit und chemische Widerstandsfähigkeit.

Beispiel 13

Außer der Bildung von Poly-p-xylylenschichten mit einer Dicke von 2 µm gemäß des Dampfabscheidungsverfahrens auf der Siliciumoxidschicht (12) auf einer Seite der Siliciumscheibe (11) anstelle der Polyimidschichten (13, 15) wurden die gleichen Schritte des Beispiels 11 wiederholt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus Poly-p-xylylenschichten und einer Al-N-O- Schicht besitzt, und mit einem Ring rahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Poly-p- xylylenschicht : Al-N-O-Schicht : Poly-p-xylylenschicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit und chemische Widerstands fähigkeit.

Beispiel 14

In den Schritten des Beispiels 11 wurde nach Bildung der Polyimidschichten (13, 15) und der Al-N-O-Schicht (14) eine Schicht eines Decklacks vom Positivtyp mittels Wirbelbe schichtung in einer Dicke von 1 µm auf der Polyimidschicht (15) gebildet.

Danach wurde, nachdem der Decklack unter Verwendung einer Quarzmaske mit ferner UV-Strahlung aufgedruckt worden war, eine vorgeschriebene Behandlung zur Gewinnung eines Decklackmusters, das den Negativtyp zur Maske darstellt, durchgeführt.

Danach wurde mittels einer Elektronenstrahldampfabschei dungsvorrichtung Tantal (Ta) in einer Dicke von 0,5 µm mit Dampf abgeschieden.

Danach wurde der Decklack mit einer Beseitigungsvorrich tung entfernt, und man erhielt ein Tantalabsorptionsmuster gemäß des Abtragungsverfahrens.

Danach wurde ferner eine teerartige Farbschicht zum Schutz in einer Dicke von 2 µm auf der Polyimidschicht (15) gebil det.

Indem man darauf die gleichen Schritte des Beispiels 11 befolgte, erhielt man eine Lithogra phiemaske, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht aus einem Al-N-O-Schicht und Polyimidschichten und ein Tantalabsorptionsmuster umfaßt, wobei der Aufbau mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt sind.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Polyimid schicht : Al-N-O-Schicht : Polyimidschicht besitzt, besaß beson ders gute Festigkeit.

Beispiel 15

Es wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 11 ein Laminat aus fünf Schichten Polyimidschicht (1 µm Dicke), einer Al-N-O-Schicht (1 µm Dicke), einer Polyimidschicht (3 µm Dicke), einer Al-N-O-Schicht (1 µm Dicke) und einer Polyimidschicht (1 µm Dicke) auf der Siliciumscheibe gebildet.

Indem man danach die gleichen Schritte des Beispiels 11 befolgte, wurden die kreisförmigen, zentralen Teile der Siliciumscheibe und der Siliciumoxidschicht und ferner der Polyimidschichten an den ungeschützten Teilen mit einem hydra zinartigen Lösungsmittel entfernt, gefolgt von der Aufklebung eines Ringrahmens ähnlich Beispiel 11.

Somit erhielt man eine Lithogra phiemaske, die ein Laminat aus drei Schichten einer Al-N-O- Schicht (1 µm Dicke), einer Polyimidschicht (3 µm Dicke) und einer Al-N-O-Schicht (1 µm Dicke) besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der die Zusammensetzung aus Al-N-O-Sy stemschicht : Polyimidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Wärmeabfuhr.

Beispiel 16

Außer der Bildung von Polyesterschichten gemäß des Dampfab scheidungsverfahrens anstelle von Polyimidschichten wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 15 wiederholt. Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus drei Schichten einer Al-N-O-Systemschicht, einer Polyesterschicht und einer Al-N-O-Schicht besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Silicium scheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der die Zusammensetzung aus Al-N-O-Sy stemschicht : Polyesterschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Wärmeabfuhr.

Beispiel 17

Außer der Bildung von Poly-p-xylylenschichten gemäß des Dampfabscheidungsverfahrens anstelle von Polyimidschichten wurden die gleichen Schritte des Beispiels 15 wiederholt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus drei Schichten einer Al-N-O-Schicht, einer Poly-p-xylylenschicht und einer Al-N-O-Schicht besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der die Zusammensetzung aus Al-N-O- Schicht : Poly-p-xylylenschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Wärmeabfuhr.

Beispiel 18

In Beispiel 5 wurden außer der Bildung der Al-N-O-Schicht gemäß dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Ver wendung eines Aluminiumnitrid (AlN)-Targets, einer Gasatmosphäre aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 1 : 0,5, einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer Entladungsleistung von 150 W und einer Schichtbildungsge schwindigkeit von 1,5 nm/min die gleichen Schritte wie in Beispiel 5 zur Gewinnung einer Litho graphiemaske wiederholt.

Beispiel 19

In Beispiel 5 wurden außer der Bildung der Al-N-O-Schicht gemäß dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Ver wendung eines Aluminiumoxidnitrid (7 Al₃O₇ : 3 AlN)-Targets, einer Gasatmosphäre aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1, einem Gasdruck von 666,5 mPa, einer Entladungs leistung von 200 W und einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von 1,0 nm/min die gleichen Schritte wie in Beispiel 5 zur Gewinnung einer Lithographiemaske wieder holt.

Beispiel 20

Fig. 4(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels der Lithographiemaske gemäß der Erfindung zeigen.

Wie in Fig. 4(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten (22) mit einer Dicke von 1 µm auf beiden Oberflächen einer kreisförmigen Siliciumscheibe (21) mit einem Durchmesser von 10 cm gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 4(b) gezeigt, gemäß dem Plasma- CVD-Verfahren auf der Siliciumoxidschicht (22) auf einer Seite der Siliciumscheibe (21) eine Siliciumnitridschicht (23) mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet und dann wurde eine Al- N-O-Schicht (24) mit Hilfe einer Ionenplattierungsvor richtung vom Typ mit heißem Elektronenstoß gebildet, wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 3 : 0,1, ein Gasdruck von 40,0 mPa Torr, eine Entladungsleistung von 40 W, eine Beschleunigungsspannung von 600 V, eine Substrat temperatur von 80°C und eine Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,0 nm/sec verwendet wurden.

Danach wurde wie in Fig. 4(c) gezeigt, eine teerartige Farbschicht (26) zum Schutz auf der Al-N-O-Schicht (24) gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 4(d) gezeigt, der kreisförmige, zentrale Teil der Siliciumoxidschicht (22), die auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung einer Mischung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zweck auszufüh ren, daß die Siliciumoxidschicht (22) in Form eines Ringes übrig bleibt, wurde eine Schicht Apiezonwachs (27) zum Schutz an diesem Teil gebildet, und die Wachsschicht (27) wurde nach Beseitigung des zentralen Teils der Siliciumoxidschicht entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 4(e) gezeigt, elektrolytisches Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm²) in einer wäßrigen 3%igen Fluorwasserstoffsäurelösung ausgeführt um den kreisförmi gen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (21), die auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfer nen.

Danach wurde die Siliciumdioxidschicht (22) wie in Fig. 4(f) gezeigt, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluo rid und Fluorwasserstoffsäure an dem ungeschützten Teil entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 4(g) gezeigt, eine Oberfläche eines Ringrahmens (28), (innerer Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm) mit einer Art Epoxykleber (29) beschichtet und die vorste hende Siliciumscheibe (21) wurde an die mit dem Kleber beschichtete Oberfläche auf der Seite angeklebt, die der jenigen gegenüberliegt, auf der die Siliciumnitridschicht und die Al-N-O-Schicht (24) gebildet wurden.

Danach wurde wie in Fig. 4(h) gezeigt, die teerartige Farbschicht mit Aceton entfernt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus einer Siliciumnitridschicht (23) und einer Al-N-O-Schicht (24) besitzt, das mit einem Ringrahmen (28) und einer Siliciumschei be (21) befestigt ist. Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zusammen setzung aus Siliciumnitridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Lichtdurchlässigkeit.

Beispiel 21

Nach Bildung einer Siliciumoxidschicht mit einer Dicke von 0,5 µm auf einer Oberfläche einer kreisförmigen Silicium scheibe mit einem Durchmesser von 10 cm gemäß des CVD- Verfahrens, wurde eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von 1 µm auf der Siliciumoxidschicht in der gleichen Weise wie in Beispiel 20 gebildet.

Danach wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 20 eine teerartige Farbschicht zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht gebildet.

Danach wurde ähnlich Beispiel 20 der kreisförmige, zentra le Teil der Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von 7,5 cm durch Ätzen mittels elektrischen Feldes entfernt. Um diesen Arbeitsvorgang auszuführen, so daß die Silicium scheibe in Form eines Ringes übrig bleibt, wurde eine teerartige Farbschicht zum Schutze dieses Teils gebildet und die teerartige Farbschicht wurde nach Beseitigung des zentralen Teils der Siliciumscheibe entfernt.

Danach wurde ein Ringrahmen an der Oberfläche angeklebt, die derjenigen Seite gegenüberliegt, auf der die Silicium oxidschicht und die Al-N-O-Schicht gebildet wurden, ge folgt von der Entfernung der teerartigen Farbschicht auf der Aluminiumnitridoxid-Schicht.

Somit erhielt man eine Lithogra phiemaske, die ein Laminat aus einer Siliciumoxidschicht und einer Al-N-O-Schicht besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Silicium oxidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Lichtdurchlässigkeit.

Beispiel 22

In den Schritten des Beispiels 20 wurde nach der Bildung der Siliciumnitridschicht (23) und der Al-N-O-Schicht (24) eine teerartige Farbschicht zum Schutz auf der Al-N-O- Schicht (24) gebildet.

Danach wurden gemäß des gleichen Arbeitsganges wie in Beispiel 20 der vorbestimmte Teil der Siliciumoxidschicht und der kreisförmige, zentrale Teil der Siliciumscheibe (21) entfernt.

Danach wurde die teerartige Farbschicht mit Aceton ent fernt.

Danach wurde die Al-N-O-Schicht (24) mit einem licht empfindlichen Decklack beschichtet.

Danach wurde, nachdem das Decklackmuster mittels verklei nerter Abbildung des Absorptionsmusters unter Verwendung einer Abstufungsvorrichtung abgedruckt worden war die vorge schriebene Behandlung zur Gewinnung eines Decklackmusters durchgeführt.

Danach wurde eine Tantal (Ta)-Schicht in einer Dicke von 0,5 µm auf das vorstehende Decklackmuster durch Dampfab scheidung gebildet.

Danach wurde der Decklack zur Gewinnung eines Tantalabsorptions musters mit Aceton entfernt.

Danach wurde der Ringrahmen in der gleichen Weise wie in Beispiel 20 angeklebt, was eine Litho graphiemaske ergab, die eine das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht in Form eines Laminats aus einer Siliciumni tridschicht und einer Al-N-O-Schicht und ein Tantalabsorptions muster umfaßt, wobei der Aufbau mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Siliciumni tridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Lichtdurchlässigkeit.

Beispiel 23

In den Schritten des Beispiels 21 wurde nach Bildung der Siliciumoxidschicht und der Al-N-O-Schicht eine teerar tige Farbschicht zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht (24) gebildet.

Danach wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 22 wiederholt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die eine das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht in Form eines Laminats aus einer Siliciumoxidschicht und einer Al-N-O-Schicht und ein Tantalabsorptionsmuster umfaßt, wobei der Aufbau mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Silicium oxidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Lichtdurchlässigkeit.

Beispiel 24

Fig. 5(a) bis (h) sind schematische, zentrale Schnittan sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels der Lithographiemaske gemäß der Erfindung zeigen.

Wie in Fig. 5(a) gezeigt, wurden Siliciumoxidschichten (22) mit einer Dicke von 1 µm auf beiden Oberflächen einer kreisförmigen Siliciumscheibe (21) mit einem Durchmesser von 10 cm gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 5(b) gezeigt, gemäß dem Plasma- CVD-Verfahren auf der Siliciumoxidschicht (22) auf einer Seite der Siliciumscheibe (21) eine Siliciumnitridschicht (23) mit einer Dicke von 0,5 µm gebildet und dann wurde eine Al- N-O-Schicht (24) gemäß dem Reaktiv-Sputtering-Verfah ren gebildet, wobei ein Aluminiumnitrid (AlN)-Target, eine Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 1 : 0,5, ein Gasdruck von 666,5 mPa, eine Entladungsleistung von 150 W und eine Filmbildungsge schwindigkeit von ungefähr 1,5 nm/min verwendet wurde und ferner wurde eine Siliciumnitridschicht (25) mit einer Dicke von 0,5 µm gemäß der Plasma-CVD-Verfahren darauf gebil det.

Danach wurde wie in Fig. 5(c) gezeigt, eine teerartige Farbschicht (26) zum Schutze auf der Siliciumnitridschicht (25) gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 5(d) gezeigt, der kreisförmige, zentrale Teil der Siliciumoxidschicht (22), der auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoff säure entfernt. Um diese Behandlung zu dem Zwecke auszu führen, daß die Siliciumoxidschicht (22) in Form eines Ringes übrig bleibt, wurde eine Schicht Apiezonwachs (27) zum Schutz auf diesem Teil gebildet und die Wachsschicht (27) wurde nach Beseitigung des zentralen Teils der Siliciumoxidschicht entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 5(e) gezeigt, elektrolytisches Ätzen (Stromdichte 0,2 A/dm²) in einer wäßrigen 3%igen Fluorwasserstoffsäurelösung ausgeführt, um den kreisförmi gen, zentralen Teil der Siliciumscheibe (21), die auf einem Durchmesser von 7,5 cm ungeschützt ist, zu entfer nen.

Danach wurde die Siliciumoxidschicht (22) wie in Fig. 5(f) gezeigt, unter Verwendung einer Mischung aus Ammoniumfluo rid und Fluorwasserstoffsäure an dem ungeschützten Teil entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 5(g) gezeigt, eine Oberfläche eines Ringrahmens (28), (innerer Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm) mit einer Art Epoxykleber (29) beschichtet und die vorste hende Siliciumscheibe (21) wurde an die mit dem Kleber beschichtete Oberfläche auf der Seite angeklebt, die der jenigen gegenüberliegt, auf der die Siliciumnitridschichten (23, 25) und die Al-N-O-Schicht (24) gebildet wurden.

Danach wurde wie in Fig. 5(h) gezeigt, die teerartige Farbschicht (26) mit Aceton entfernt.

Somit erhielt man eine Lithograhiemaske, die ein Laminat aus Siliciumnitridschichten (23, 24) und einer Al-N-O-Schicht (24) besitzt, das mit einem Ringrahmen (28) und einer Siliciumschei be (21) befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Siliciumni tridschicht : Al-N-O-Schicht : Siliciumnitridschicht besitzt, besaß besonders gute Lichtdurchlässigkeit.

Beispiel 25

Es wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 21 ausge führt, außer daß nach Bildung der Al-N-O-Schicht unter Bildung einer teerartigen Farbschicht zum Schutze auf der Siliciumoxidschicht, ferner eine Siliciumoxidschicht in einer Dicke von 0,5 µm gemäß des CVD-Verfahrens gebildet wurde.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Silicium oxidschicht : Al-N-O-Schicht : Siliciumoxidschicht besitzt, das mit einem Ringrahmen (28) und einer Siliciumscheibe (21) befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Silicium oxidschicht : Al-N-O-Schicht : Siliciumoxidschicht besitzt, besaß besonders gute Lichtdurchlässigkeit.

Beispiel 26

Es wurden die gleichen Schritte des Beispiels 20 wieder holt, außer daß eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von 1 µm in der gleichen Weise wie in Beispiel 20 vor der Bildung der Siliciumnitridschicht (23) gebildet wurde.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Al-N-O- Schicht : Siliciumnitridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Silicium scheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Al-N-O- Schicht : Siliciumnitridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Wärmeabfuhr.

Beispiel 27

Es wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 21 durchgeführt, außer daß eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von 1 µm in der gleichen Weise wie in Beispiel 21 vor der Bildung der Siliciumoxidschicht (23) gebildet wurde.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Al-N-O- Schicht : Siliciumoxidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Silicium scheibe befestigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Al-N-O- Systemschicht : Siliciumoxidschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß besonders gute Wärmeabfuhr.

Beispiel 28

In den Schritten des Beispiels 24 wurde nach Bildung der Siliciumnitridschichten (23, 25) und der Al-N-O-Schicht (24) eine teerartige Farbschicht zum Schutz auf der Sili ciumnitridschicht (25) gebildet.

Danach wurde ähnlich dem Beispiel 24 der vorbestimmte Teil der Siliciumoxidschicht (22) und der kreisförmige, zentrale Teil der Siliciumscheibe (21) entfernt.

Danach wurde die teerartige Farbschicht mit Aceton ent fernt.

Danach wurde eine Schicht eines lichtempfindlichen Deck lacks in einer Dicke von 1,2 µm mittels Wirbelbeschichtung auf der Siliciumnitridschicht (25) gebildet.

Danach wurde, nachdem der Decklack unter Verwendung einer Quarz-Chrommaske mit ferner UV-Strahlung abgedruckt worden war, eine vorgeschriebene Behandlung zur Gewinnung eines Decklackmusters, das dem Negativtyp zur Maske entspricht, ausgeführt.

Danach wurde Tantal (Ta) mit Hilfe einer Elektronenstrahl dampfabscheidungsvorrichtung mit einer Dicke von 0,5 µm mit Dampf abgeschieden.

Danach wurde der Decklack mit einer Beseitigungsvorrich tung entfernt und man erhielt ein Tantalabsorptionsmuster gemäß des Abtragungsverfahrens.

Danach wurde ein Ringrahmen in der gleichen Weise wie in Beispiel 24 angeklebt, was eine Litho graphiemaske ergab, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht mit einer Zusammensetzung aus Siliciumnitridschichten und einer Al- N-O-Schicht und ein Tantalabsorptionsmuster umfaßt, wobei der Aufbau mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu sammensetzung aus Siliciumnitridschicht : Al-N-O-Schicht : Si liciumnitridschicht besitzt, besaß besonders gute Lichtdurch lässigkeit.

Beispiel 29

Nachdem Siliciumoxidschichten auf beiden Oberflächen der Sili ciumscheibe, ähnlich dem Beispiel 24 gebildet wurden, wurde eine Al-N-O-Schicht auf ihrer einen Oberfläche in der gleichen Weise wie in Beispiel 24 gebildet.

Danach wurde eine teerartige Farbschicht zum Schutze auf der Al-N-O-Schicht gebildet.

Danach wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 24 der vorbestimmte Teil der Siliciumoxidschicht (22) und der kreisförmige, zentrale Teil der Siliciumscheibe (21) ent fernt.

Danach wurde die teerartige Farbschicht mit Aceton ent fernt.

Danach wurde mit Hilfe einer Widerstandsheizvorrichtung zur Dampfabscheidung eine Chrom (Cr)-Schicht mit einer Dicke von 300 nm gleichmäßig auf der Al-N-O-Schicht gebildet und dann ein Gold (Au)-Film mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig darauf gebildet.

Danach wurde der Goldfilm gleichmäßig in einer Dicke von 0,5 µm mit einem lichtempfindlichen Decklack beschichtet.

Danach wurden, nachdem der Decklack unter Verwendung von ferner UV-Strahlung mit einer Vorlagemaske, die in engem Kontakt mit dem Decklack stand, aufgedruckt worden war, vorgeschriebene Behandlungen zur Gewinnung eines Decklack musters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske darstellt, durchgeführt.

Danach wurde das Ätzen des Goldfilms unter Verwendung eines Jod (I₂)-haltigen Ätzmittels zur Gewinnung eines Goldabsorptionsmusters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske dar stellt, durchgeführt.

Danach wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 24 ein Ringrahmen angeklebt, was eine Litho graphiemaske, die eine das Absorbermaterial haltende Trägerschicht in Form eines Laminats aus einer Al-N-O- Schicht und einer Chromschicht und ein Goldabsorptionsmuster umfaßt.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger, der eine Zusammensetzung aus Al-N-O- Schicht : Chromschicht besitzt, besaß besonders gute Rönt genstrahlendurchlässigkeit.

Beispiel 30

Es wurden die gleichen Schritte des Beispiels 21 durchge führt, außer daß ferner PIQ-Flüssigkeit (Polyimidvorläu fer) auf der Al-N-O- Schicht mittels Wirbelbeschichtung aufgetragen wurde und danach die Beschichtung bei 50 bis 350°C vier Stunden lang zur Bildung einer Polyimidschicht mit einer Dicke von 2 µm ausgehärtet wurde.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Siliciumoxidschicht : Al-N-O-Schicht : Polyimidschicht besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu sammensetzung aus Siliciumoxidschicht : Al-N-O-Schicht : Poly imidschicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit.

Beispiel 31

Durch Wiederholen des Verfahrens des Beispiels 30, außer daß die Reihenfolge der Bildung der Siliciumoxidschicht und der Bildung der Al-N-O-Schicht umgekehrt wurde, er hielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Al-N-O-Schicht : Siliciumoxidschicht : Polyimidschicht besitzt.

Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu sammensetzung aus Al-N-O-Schicht : Siliciumoxidschicht : Poly imidschicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit.

Beispiel 32

Durch Wiederholen des Verfahrens des Beispiels 30, außer daß die Reihenfolge der Bildung der Al-N-O-Schicht unter Bildung der Polyimidschicht umgekehrt wurde, erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat mit einer Zusammensetzung aus Siliciumoxidschicht : Polyimid schicht : Al-N-O-Schicht besitzt, das mit einem Ringrahmen und einer Siliciumscheibe befestigt ist.

Der das Absorbermaterial haltende Träger, der eine Zu sammensetzung aus Siliciumoxidschicht : Polyimidschicht : Al-N-O- Schicht besitzt, besaß besonders gute Festigkeit.

Beispiel 33

Es wurden im Beispiel 20, außer der Bildung der Al-N-O- Schicht nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Verwendung eines Aluminiumnitrid (AlN)-Targets, einer Gasatmosphäre aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 1 : 0,5, eines Gasdrucks von 666,5 mPa, einer Entladungsleistung von 150 W und einer Schichtbildungsge schwindigkeit von 1,5 nm/min, die gleichen Schritte wie in Beispiel 20 zur Gewinnung einer Litho graphiemaske wiederholt.

Beispiel 34

Es wurden in Beispiel 20 außer der Bildung der Al-N-O- Schicht nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Verwendung eines Aluminiumoxidnitrid (7 Al₃O₇ : 3 AlN)-Targets, einer Gasatmosphäre aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : 1 : 1, eines Gasdrucks von 666,5 mPa, einer Entla dungsleistung von 200 W und einer Schichtbildungsgeschwindig keit von ungefähr 1,0 nm/min, die gleichen Schritte wie in Beispiel 20 zur Gewinnung einer Litho graphiemaske wiederholt.

Beispiel 35

Es wurden in Beispiel 20, außer der Durchführung des Schrittes zur Bildung einer Aluminiumnitridschicht (4) mit einer Dicke von 0,5 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfah ren unter Verwendung eines Aluminium (Al)-Targets, einer Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1, eines Gasdrucks von 1066 mPa, einer Entladungslei stung von 200 W anstelle des Schritts zur Bildung der Siliciumnitridschicht die gleichen Schritte wie in Beispiel 20 zur Gewinnung einer Lithographiemaske durchgeführt.

Die in diesem Beispiel erhaltene Litho graphiemaske, die eine Zusammensetzung aus Aluminiumnitrid schicht : Al-N-O-Schicht besitzt, besaß gute Gesamtleistun gen wie Röntgenstrahlendurchlässigkeit, Durchlässigkeit für sichtbares Licht, Wärmeleitfähigkeit und Filmbildungsei genschaft.

Beispiel 36

In Beispiel 35 wurde nach dem Schritt der Bildung der Aluminiumnitridschicht der Schritt der Bildung einer Poly imidschicht mit einer Dicke von 2 µm durch Auftragen von PIQ-Flüssigkeit (Polyimidvorläufer) mittels Wirbelbeschichtung durchgeführt und dann wurde die Beschichtung bei 50 bis 350°C vier Stunden lang ausgehärtet.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die eine Zusammensetzung aus Polyimidschicht : Aluminiumnitrid schicht : Al-N-O-Schicht besitzt. Die in diesem Beispiel erhaltene Lithographiemaske besaß besonders gute Festigkeit und chemische Widerstandsfähigkeit.

Beispiel 37

In Beispiel 35 wurde nach dem Schritt der Bildung der Aluminiumnitridschicht der Schritt der Bildung einer Borni tridschicht mit einer Dicke von 0,5 µm nach dem Reaktiv- Sputtering-Verfahren durchgeführt.

Somit wurde eine Lithographiemaske erhalten, die eine Zusammensetzung aus Bornitrid : Aluminiumnitrid : Al- N-O-Schicht besitzt. Die in diesem Beispiel erhaltene Lithographiemaske besaß besonders gute Rönt genstrahlendurchlässigkeit und Durchlässigkeit für sicht bares Licht.

Beispiel 38

Fig. 6(a) bis (f) sind schematische, zentrale Schnittan sichten, die die Schritte zur Herstellung eines Beispiels der Lithographiemaske gemäß der Erfindung zeigen.

Wie in Fig. 6(a) gezeigt, wurde nachdem PIQ-Flüssigkeit (Polyimidvorläufer) mittels Wirbelbeschichtung auf einer Seite der Silicium scheibe (31) aufgebracht worden war, die Beschichtung bei 50 bis 350°C vier Stunden lang zur Bildung einer Polyimid schicht (32) mit einer Dicke von 1,5 µm ausgehärtet.

Danach wurde wie in Fig. 6(b) gezeigt, mit einer Ionen plattierungsvorrichtung vom Typ mit heißem Elektronenstoß eine Al-N-O-Schicht (33) mit einer Dicke von 4 µm mit einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,0 nm/sec auf der Polyimidschicht (32) gebildet, wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasatmosphäre mit einem Volumenver hältnis von Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 3 : 0,1, einer Entladungsleistung von 400 W, einer Be schleunigungsspannung von 600 V, einem Gasdruck von 40,0 mPa und eine Substrattemperatur von 80°C verwendet wurden.

Danach wurde wie in Fig. 6(c) gezeigt, eine Oberfläche eines Ringrahmens (34), (innerer Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm) mit einer Art Epoxykleber (35) beschichtet und an der mit dem Kleber (35) beschichteten Oberfläche mit der Oberflä che der vorstehenden Al-N-O-Schicht (33) angeklebt.

Danach wurden wie in Fig. 6(d) gezeigt, entlang des äuße ren Umkreises des Ringrahmens (34) Schnitte auf der Al-N-O- Schicht (33) und der Polyimidschicht (32) gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 6(e) gezeigt, die Siliciumscheibe (31) durch Anwendung von Beschallung in einer wäßrigen Lösung, die ein oberflächenaktives Mittel (Natriumalkyl benzolsulfonat) enthält, getrennt und entfernt.

Danach wurde wie in Fig. 6(f) gezeigt, die Polyimidschicht (32) mit einem hydrazinartigen Lösungsmittel entfernt. Während der Behandlung mit dem Lösungsmittel wurde zum Schutz der Al-N-O-Schicht (33) die Al-N-O-Schicht (33) mit einer teerartigen Farbe beschichtet und die teer artige Farbschicht wurde nach Beseitigung der Polyimid schicht (32) mit Aceton entfernt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die eine Al-N-O-Schicht (33) umfaßt, die auf einem Ringrahmen (34) befestigt ist.

Beispiel 39

Es wurde auf der Al-N-O-Systemschicht (33) der in Beispiel 38 erhaltenen Lithographiemaske ein Gold (Au)- Film mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig mittels einer Widerstandsheizvorrichtung zur Dampfabscheidung gebildet.

Danach wurde der Goldfilm gleichmäßig mit einem lichtemp findlichen Decklack in einer Dicke von 0,5 µm beschichtet.

Danach wurden, nachdem der Decklack unter Verwendung fer ner UV-Strahlung mit einer Vorlagemaske, die in engem Kontakt mit dem Decklack stand, aufgedruckt worden war, vorgeschriebene Behandlungen durchgeführt, wobei sich ein Decklackmuster ergab, das den Positivtyp zur Vorlagemaske darstellt.

Danach wurde das Ätzen des Goldfilmes unter Verwendung eines Jod (I₂)-haltigen Goldätzmittels zur Gewinnung eines Goldabsorptionsmusters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske dar stellt, durchgeführt.

Danach wurde der Decklack mit einem ketonartigen Lösungs mittel entfernt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die eine Al-N-O-Schicht mit einem darauf gebildeten Goldabsorptionsmuster besitzt, die auf einem Ringrahmen befestigt ist.

Beispiel 40

Es wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 38 wieder holt, außer das die Polyimidschicht (32) nicht entfernt wurde.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus einer Polyimidschicht und einer Al-N-O-Schicht besitzt, das auf einem Ringrahmen befestigt ist.

Beispiel 41

In den Schritten des Beispiels 38 wurde nach Bildung der Al-N-O-Schicht (33) ein Gold (Au)-Film mit einer Dicke von 0,5 µm gleichmäßig mittels einer Widerstandsheizvor richtung zur Dampfabscheidung gebildet.

Danach wurde der Goldfilm mit einem lichtempfindlichen Decklack gleichmäßig in einer Dicke von 0,5 µm beschichtet.

Danach wurden, nachdem der Decklack unter Verwendung von ferner UV-Strahlung mit einer Vorlagemaske, die in engem Kontakt mit dem Decklack stand, aufgedruckt worden war, vorgeschriebene Behandlungen durchgeführt, wobei sich ein Decklackmuster ergab, das den Positivtyp zur Vorlagemaske darstellt.

Danach wurde das Ätzen des Goldfilmes unter Verwendung eines Jod (I₂)-artigen Goldätzmittels zur Gewinnung eines Goldabsorptionsmusters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske dar stellt, ausgeführt.

Danach wurde, nachdem der Decklack mit einem ketonartigen Lösungsmittel entfernt worden war, eine Oberfläche eines Ringrahmens, (innerer Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm) mit einer Art Epoxyharz beschichtet und mit der Al-N-O- Schichtoberfläche, die mit dem obenstehenden Goldabsorptionsmuster in der gleichen Weise wie in Beispiel 38 befestigt ist, an der mit dem Kleber beschichteten Ober fläche angeklebt.

Danach wurden ähnlich wie in Beispiel 38 beschrieben, auf der Al-N-O-Schicht und der Polyimidschicht Schnitte ent lang des äußeren Umkreises des Ringrahmens gebildet, der der Beschallung in einer wäßrigen Lösung, die ein oberflä chenaktives Mittel (Natriumalkylbenzolsulfonat) enthält, unterworfen wurde, wobei die Siliciumscheibe getrennt und entfernt wurde.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske die ein Laminat aus einer Polyimidschicht und einer Al-N-O- Schicht mit einem darauf gebildeten Goldabsorptionsmuster besitzt, das auf einem Ringrahmen befestigt ist.

Beispiel 42

Es wurden auf beiden Oberflächen einer kreisförmigen Sili ciumscheibe, mit 10 cm Durchmesser Siliciumoxidschichten mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Danach wurde auf die Siliciumoxidschicht auf einer Seite der Siliciumscheibe eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von 1 µm mit einer Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,5 nm/min nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren gebildet, wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 1 : 0,5, ein Gasdruck von 666,5 mPa und eine Entladungsleistung von 150 W verwendet wurden, gefolgt von der Bildung einer Bornitridschicht mit einer Dicke von 2 µm auf der Al-N-O- Schicht nach dem gleichen Sputtering-Verfahren, außer daß ein Bornitridtarget verwendet wurde.

Danach wurde durch Ankleben eines Ringrahmens in der glei chen Weise wie in Beispiel 38 und danach der Wiederholung der gleichen Schritte wie in Beispiel 38 die Silicium scheibe, die mit der Siliciumoxidschicht verbunden ist, ge trennt und entfernt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus einer Al-N-O-Schicht und einer Bornitridschicht umfaßt, das auf einem Ringrahmen befestigt ist.

Beispiel 43

In den Schritten des Beispiels 42 wurden, außer daß nach der Bildung der Bornitridschicht ferner eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von 1 µm nach dem Reaktiv-Sputtering- Verfahren gebildet wurde, die gleichen Schritte des Bei spiels 42 wiederholt.

Somit erhielt man eine Röntgenstrahlen lithographiemaske, die ein Laminat umfaßt, das eine Zusammen setzung aus Al-N-O-Schicht : Bornitridschicht : Al-N-O-Schicht besitzt, das auf einem Ringrahmen befestigt ist.

Beispiel 44

Auf beiden Oberflächen einer kreisförmigen Siliciumscheibe mit 10 cm Durchmesser wurden Siliciumoxidschichten mit einer Dicke von 1 µm gebildet.

Danach wurde auf der Siliciumoxidschicht auf einer Seite der Siliciumscheibe eine Al-N-O-Schicht mit einer Dicke von 1 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren gebildet, wobei ein Aluminiumoxidnitrid (7 Al₃O₇ : 3 AlN)-Target, eine Gas mischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1, ein Gasdruck von 666,5 mPa, eine Entladungsleistung von 200 W und eine Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,0 nm/min verwendet wurden.

Danach wurde eine Aluminiumnitridschicht mit einer Dicke von 0,5 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren gebildet, wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1, ein Gasdruck von 1066 mPa und eine Entladungsleistung von 200 W verwendet wurden.

Danach wurde durch Ankleben eines Ringrahmens in der glei chen Weise wie in Beispiel 38 und nach der Durchführung der gleichen Schritte wie in Beispiel 38 die Silicium scheibe, die mit der Siliciumoxidschicht befestigt war, ge trennt und entfernt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske die ein Laminat aus einer Al-N-O-Schicht und einer Aluminiumnitridschicht umfaßt, das auf einem Ringrahmen befe stigt ist.

Der in diesem Beispiel erhaltene, das Absorbermaterial hal tende Träger besaß gute Gesamtwirkungsweisen wie Röntgenstrahlendurchlässig keit, Durchlässigkeit für sichtbares Licht, Wärmeleitfä higkeit und Filmbildungseigenschaft.

Die Lithographiemasken der Erfindung, die nach dem Verfahren zur Herstellung der Lithographiemaske der Erfindung, wie vorstehend in den Beispie len 38 bis 44 beschrieben, hergestellt wurden, haben fer ner zusätzlich zu den Effekten, die durch Verwendung des Al-N-O-Materials als Bestandteil des das Absorbermate rial haltenden Träger entstanden sind, die Effekte, daß die Herstellungsschritte einfach und schnell sind und daß die Ausbeute hoch ist.

Beispiel 45

Fig. 7(a) ist eine schematische, zentrale Längsschnittan sicht, die ein Beispiel der Lithogra phiemaske nach der Erfindung zeigt und Fig. 7(b) ist eine schematische Aufsicht eines Ringrahmens dieser Lithographiemaske. In Fig. 7 ist (42) ein das Absorbermaterial haltender Träger und wird in seinem Randbereich auf der oberen Endoberfläche des Ringrah mens (43) unterstützt.

Der vorstehende das Absorbermaterial haltende Träger (42) kann eine einzelne Schicht eines Al-N-O-Mate rials oder alternativ ein Laminat aus einem Al-N-O- Material mit anderen anorganischen und/oder organischen Materialien umfassen.

In der Lithographiemaske dieses Beispiels wurde die oberste, ebene Endoberfläche (43 a) des Ringrah mens (43) nicht mit einem Kleber zum Ankleben des das Absorbermaterial haltenden Trägers beschichtet, sondern mit einem Kleber (44) nur an der abgeschrägten Fläche (43 b), die die Außenseite der obersten, ebenen Endoberflä che (43 a) in einem Winkel von R kreuzt, beschichtet. Der Winkel R ist nicht besonders begrenzt, wenn sichergestellt ist, daß er einen Wert besitzt, der 0° übertrifft, aber vorzugsweise 5 bis 90°, noch besser 5 bis 60°, optimal 5 bis 30° beträgt.

Es können als vorstehender Kleber (44) z. B. auch lösungs mittelartige Kleber (butadienartige, synthetische Gummi kleber, chloroprenartige, synthetische Gummikleber usw.), nichtlösungsmittelartige Kleber (epoxyartige Kleber, cya noacrylatartige Kleber usw.) verwendet werden.

Fig. 8(a) bis (g) zeigt wie in Fig. 7 gezeigt, die Her stellungsschritte eines Beispiels der Lithographiemaske nach der Erfindung.

Wie in Fig. 8(a) gezeigt, wurde der abgeschrägte Teil eines Ringrahmens (43), (innerer Durchmesser 7,5 cm, äußerer Durchmesser 9 cm, Dicke 5 mm der eine abgeschrägte Oberfläche außerhalb der obersten, ebenen Endoberfläche, die die ebene Endoberfläche in einem Winkel von 15° kreuzt, bildet) mit einer Art Epoxyharz (44) beschichtet und es wurde eine Polyimidschicht (42-1) (Dicke 7 µm), die isotrop gestreckt wurde, angeklebt und mit dem Epoxykleber (44) auf dem Ringrahmen (43) befestigt und die aus dem Ringrahmen (43) austretende Polyimidschicht (42-1) wurde abgeschnitten.

Danach wurde wie in Fig. 8(b) gezeigt, eine Al-N-O-Schicht (42-2) mit einer Dicke von 3 µm mittels einer Ionen plattierungsvorrichtung vom Typ mit heißem Elektronenstoß gebildet, wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gas mischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 3 : 0,1, ein Gasdruck von 40,0 mPa und eine Entla dungsleistung von 400 W und eine Schichtbildungsgeschwindig keit von ungefähr 1,0 nm/sec verwendet wurden.

Danach wurde in Fig. 8(c) gezeigt, auf der Al-N-O-Schicht (42-2) gleichmäßig ein Gold (Au)-Film (41′) mit einer Dicke von 0,5 µm mit einer Widerstandsheizvorrichtung zur Dampfabscheidung gebildet.

Danach wurde wie in Fig. 8(d) gezeigt, der Goldfilm (41′) gleichmäßig mit einem lichtempfindlichen Decklack (45) in einer Dicke von 0,5 µm beschichtet.

Danach wurde wie in Fig. 8(e) gezeigt, nachdem der Deck lack unter Verwendung von ferner UV-Strahlung mit einer Vorlagemaske, die in engem Kontakt mit dem Decklack stand, aufgedruckt worden war, vorgeschriebene Behandlungen durchgeführt, wobei sich ein Decklackmuster ergab, daß den Positivtyp zu der Vorlagemaske darstellt.

Danach wurde wie in Fig. 8(f) gezeigt, das Ätzen des Goldfilms (41′) unter Verwendung eines Jod (I₂)-artigen Goldätzmittels zur Gewinnung eines Goldabsorptionsmusters, das den Positivtyp zur Vorlagemaske darstellt, durchgeführt.

Danach wurde der Decklack zur Gewinnung eines Absorptionsmu sters (41), das einen Goldfilm umfaßt, mit einem ketonar tigen Lösungsmittel entfernt. Somit wurde wie in Fig. 8(g) gezeigt, eine Lithographiemaske zur Ver fügung gestellt, die ein Laminat aus einer Polyimidschicht (42-1) und einer Al-N-O-Schicht (42-2) als die das Absorbermaterial haltende Trägerschicht mit einem Absorptions muster (41) besitzt, das auf dem das Absorbermaterial haltenden Träger gebildet wurde.

Beispiel 46

In den Schritten des Beispiels 45 wurde nach Bildung der Al-N-O-Schicht (42-2), außer daß ferner der unge schützte Teil der Polyimidschicht (42-1) in einem Sauer stoffplasma gemäß des reaktiven Ionenätzverfahrens ent fernt wurde und dann der Goldfilm (41′) auf der Al-N-O- Schicht (42-2) gebildet wurde, die gleichen Schritte wie in Beispiel 45 wiederholt.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die eine Al-N-O-Schicht als die das Absorbermaterial haltenden Trägerschicht umfaßt und ein Absorptionsmuster besitzt, das auf dem das Absorbermaterial haltenden Träger ge bildet wurde.

Beispiel 47

In Beispiel 45 wurde nachdem die aus dem Ringrahmen aus tretende Polyimidschicht abgeschnitten worden war, eine Al-N-O- Schicht mit einer Dicke von 1 µm nach dem Reaktiv- Sputtering-Verfahren auf der Polyimidschicht gebildet, wobei ein Aluminium (Al)-Target, eine Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) : Sauerstoff (O₂) = 1 : 1 : 0,5, ein Gasdruck von 666,5 mPa, eine Entladungsleistung von 150 W und eine Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,5 nm/min verwendet wurden.

Danach wurde eine Bornitridschicht mit einer Dicke von 2 µm auf der Al-N-O-Schicht nach dem gleichen Sputtering- Verfahren gebildet, außer daß eine Bornitridschicht verwendet wurde.

Danach wurde ein Goldabsorptionsmuster in der gleichen Weise wie in Beispiel 45 zur Gewinnung einer Lithographiemaske gebildet, die ein Laminat aus der Polyimid schicht der Al-N-O-Schicht und der Bornitridschicht als den das Absorbermaterial haltenden Träger umfaßt.

Beispiel 48

In Beispiel 45 wurde, nachdem die aus dem Maskenrahmen austretende Polyimidschicht abgeschnitten worden war, eine Al- N-O-Schicht mit einer Dicke von 1 µm nach dem Reaktiv- Sputtering-Verfahren auf der Polyimidschicht gebildet, wobei ein Aluminiumoxidnitrid (7 Al₃O₇ : 3 AlN)-Target, eine Gas mischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1, ein Gasdruck von 666,5 mPa eine Entladungsleistung von 200 W und eine Schichtbildungsgeschwindigkeit von ungefähr 1,0 nm/min verwendet wurden.

Danach wurde eine Aluminiumnitridschicht mit einer Dicke von 0,5 µm nach dem Reaktiv-Sputtering-Verfahren unter Verwen dung eines Aluminium (Al)-Target, einer Gasmischung aus Argon (Ar) : Stickstoff (N₂) = 1 : 1, eines Gasdrucks von 1066 mPa und einer Entladungsleistung von 200 W gebildet.

Danach wurden die gleichen Schritte wie in Beispiel 45 durchgeführt, außer daß der ungeschützte Teil der Poly imidschicht nach dem reaktiven Ionenätzverfahren in einem Sauerstoffplasma entfernt wurde und dann ein Goldabsorptionsmu ster auf der Aluminiumnitridschicht gebildet wurde.

Somit erhielt man eine Lithographiemaske, die ein Laminat aus einer Al-N-O-Schicht und einer Aluminiumnitridschicht als den das Absorbermaterial haltenden Träger umfaßt und ein Absorptionsmuster besitzt, das auf dem das Absorbermaterial haltenden Träger gebildet wurde.

Der das Absorbermaterial haltende Träger, gemäß diesem Beispiel besaß besonders guße Gesamtwirkungsweisen wie Röntgenstrahlen durchlässigkeit, Durchlässigkeit für sichtbares Licht, Wärmeleitfähigkeit und Filmbildungseigenschaft.

Beispiel 49

Fig. 9 ist eine schematische, zentrale Längsschnittan sicht, die ein Beispiel der Lithogra phiemaske nach der Erfindung zeigt.

Auf der Al-N-O-Schicht (42-2) wurde ferner auf der oberen, abgeschrägten Fläche (43 b) des Ringrahmens (43) der in Beispiel 47 erhaltenen Lithogra phiemaske ein Druckring (50) mit einem Kleber (49) angeklebt, wie in Fig. 9 gezeigt. Die angeklebte Grenzfläche zwischen dem Druckring (50) und der Al-N-O-Schicht (42-2) wird parallel zur oberen, abgeschrägten Fläche (43 b) des Ring rahmens (43) gebildet.

In der Lithographiemaske dieses Beispiels kann der das Absorbermaterial haltende Träger mit Unter stützung durch Anwendung von Druck zwischen dem Ringrahmen (43) und dem Druckring (50) fester auf dem Ringrahmen (43) gehalten werden.

In den vorstehenden Beispielen wird außerhalb der ober sten, ebenen Endoberfläche (43 a) des Ringrahmens (43) eine abgeschrägte Fläche (43 b) gebildet, die die oberste, ebene Endoberfläche (43 a) in einem bestimmten Winkel kreuzt und das Kleben wurde an der abgeschrägten Fläche (43 b) ausge führt, aber die Ausführungsformen der Lithographiemaske der Erfindung sind nicht darauf beschränkt.

Fig. 10(a) ist eine schematische, zentrale Längsschnittan sicht, die ein Beispiel der Lithogra phiemaske nach der Erfindung zur Erläuterung einer weiteren Form des Ringrahmens (43) zeigt und Fig. 10(b) ist eine schematische Aufsicht des Ringrahmens (43). Hier wird eine abgeschrägte Fläche (43 b) außerhalb der obersten, ebenen Endoberfläche (43 a) des Ringrahmens (43) gebildet, die eng mit der obersten, ebenen Endoberfläche (43 a) verbunden ist und das Kleben wurde an der abgeschrägten Oberfläche (43 b) durchgeführt.

Fig. 11 ist eine schematische, zentrale Längsschnittan sicht, die ein Beispiel der Lithogra phiemaske nach der Erfindung zur Erläuterung einer weiteren Form des Ringrahmens (43) zeigt. Hier wird außerhalb der obersten, ebenen Endoberfläche (43 a) eine Ebene (43 b) gebildet, die die oberste, ebene Endoberfläche (43 a) rechtwinklig kreuzt, ferner wird außerhalb der Fläche (43 b) in einer tieferen Position, als der der obersten, ebenen Endoberfläche (43 a) eine Fläche (43 c) gebildet und das Ankleben wird an der Fläche (43 c) durchgeführt.

Die Lithographiemasken können wie in den vorstehenden Beispielen 45 bis 49 beschrieben, zusätzlich zu den Effekten, die durch Verwendung von Al-N-O-Schichten als Bestandteil des das Absorbermaterial haltenden Trägers entstanden sind, ferner die Ebenheit des das Absorbermaterial haltenden Trägers verbessern, wobei sie den Effekt haben, weiter verbesserte Lithographie durchzuführen.

Gemäß der Erfindung hat Aluminiumnitridoxid, die wie vorstehend beschrieben, als der grundlegende Bestandteil des das Maskenmaterial haltenden Trägers verwendet wird, spezifische Merkmale wie hohe Röntgenstrahlendurch lässigkeit und Durchlässigkeit für sichtbares Licht (unge fähr ¹/₁₀ der optischen Dichte durch 1 µm Dicke), kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten (3 bis 4 × 10^-6/°C), hohen Wärmeleitfähigkeitskoeffizienten und gute Schichtbildungsei genschaft und deshalb können die folgenden Effekte erhal ten werden:

1. Die Herstellung eines das Absorbermaterial haltenden Trägers kann leicht und hervorragend durchgeführt werden, weil die hohe Röntgenstrahlendurchlässigkeit durch Aluminiumnitridoxid es einer relativ großen Anzahl von Röntgenstrahlen ermöglichen kann, durchzutreten, sogar wenn die Schichtdicke relativ dicker hergestellt wird.
2. Gute Schichtbildungseigenschaft des Aluminiumnitridoxids ermöglicht die Herstellung eines das Absorbermaterial hal tenden Trägers, der aus einer sehr dünnen Schicht besteht, wobei die Anzahl der durchgelassenen Röntgenstrah len zur Verbesserung des Belichtungsdurchsatzes in der Lithogra phie vergrößert werden kann.
3. Hohe Durchlässigkeit für sichtbares Licht durch das Aluminium nitridoxid ermöglicht leichten und genauen Ab gleich durch visuelle Beobachtung unter Verwendung von sichtbarem Licht in der Lithographie.
4. Da der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminiumnitrid oxid ungefähr den gleichen Wert besitzt, wie der des Drucksubstrats aus einer Siliciumscheibe (2 bis 3 × 10^-
6/°C) wird die Belichtung in der Lithographie mit hoher Genauigkeit ermöglicht.
5. Hohe Wärmeleitfähigkeit von Aluminiumnitridoxid kann Temperaturerhöhung durch Bestrahlung mit Röntgenstrahlen verhindern; dieser Effekt ist bei Vakuumbelichtung besonders groß.
6. Im Falle der Verwendung eines Laminats aus einer Schicht von Aluminiumnitridoxid und einer Schicht aus einem organischen Material als den das Absorbermaterial haltenden Träger kann man wie vorstehend beschrieben einen das Absorbermaterial haltenden Träger erhalten, der zusätzlich zu den Eigenschaften von Aluminiumnitrid oxid die Eigenschaften des organischen Materials besitzt. Das heißt, ein solcher das Absorbermaterial haltender Träger hat auch zusätzlich zu dem Effekt, der durch den das Mas kenmaterial haltenden Träger, der aus einer einzelnen Schicht von Aluminiumnitridoxid besteht, bestimmt wird, die Effekte von größerer Festigkeit und wesentlicher Span nungsfreiheit.
7. Im Falle der Verwendung eines Laminats aus einer Schicht von Aluminiumnitridoxid und einer Schicht eines anorganischen Materials, das sich von der vorstehenden Substanz unterscheidet, als den das Absorbermaterial halten den Träger kann man wie vorstehend beschrieben einen das Absorbermaterial haltenden Träger erhalten, der zusätzlich zu den Eigenschaften der vorstehenden Substanz die Eigenschaften des anorganischen Materials besitzt. Das heißt, daß ein solcher das Absorbermaterial haltender Träger auch ausgezeichnete Lichtdurchlässigkeit und Wärme leitfähigkeit genauso wie relativ große Festigkeit und chemische Widerstandsfähigkeit besitzt. Auch wenn ferner eine Schicht eines organischen Materials laminiert wird, werden die spezifischen Merkmale wie größere Festigkeit und wesentliche Spannungsfreiheit hinzugefügt.
8. Da die Aluminiumnitridoxid-Schicht die Eigenschaften von sehr hervorragender chemischer Stabilität, Witterungsbeständi keit und Haltbarkeit zusätzlich zu den Eigenschaften, die auch durch Aluminiumnitrid bestimmt sind, wie hohe Rönt genstrahlendurchlässigkeit und Durchlässigkeit für sicht bares Licht, kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient, hoher Wärmeleitfähigkeitskoeffizient und gute Filmbildungseigen schaft besitzt, wird er mehr als Aluminiumnitrid für den das Absorbermaterial haltenden Träger der Lithographiemaske bevorzugt.

Claims

1. Lithographiemaske mit mindestens einer anorganischen, aus der Dampfphase abgeschiedenen Trägerschicht für das Absorbermaterial, wobei der Absorbermaterialträger von einem Halterahmen im Randbereich getragen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest eine Trägerschicht aus einem Aluminiumnitridoxid besteht.

2. Lithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnt, daß der das Absorbermaterial haltende Träger zusätzlich eine Schicht aus einem für diese Zwecke bekannten organischen Material aufweist.

3. Lithographiemaske nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß das organische Material aus der Gruppe Polyimid, Polyamid, Polyester und Poly-y-xylylen ausgewählt ist.

4. Lithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der das Absorbermaterial haltende Träger zusätzlich eine Schicht aus einem für diese Zwecke bekannten anorganischen Material aufweist.

5. Lithographiemaske nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß das anorganische Material aus der Gruppe Bornitrid, Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumcarbid und Titan ausgewählt ist.

6. Lithographiemaske nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der das Absorbermaterial haltende Träger zusätzlich sowohl eine Schicht aus organischem Material als auch eine Schicht aus anorganischem Material auf weist, wobei das organische Material aus einer Substanz gemäß Anspruch 3 und das anorganische Material aus einer Substanz gemäß Anspruch 5 besteht.

7. Lithographiemaske nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Absorbermaterial aus einem Stoff aus der Gruppe Gold, Platin, Nickel, Palladium, Rhodium, Indium, Wolfram, Tantal und Kupfer besteht.

8. Verfahren zur Herstellung einer Lithographiemaske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) Bildung eines das Absorbermaterial haltenden Trägers auf einem Substrat,
b) Aufkleben eines ringförmigen Halterahmens auf dem Träger,
c) Entfernen des Substrates von dem das Absorbermaterial haltenden Trägers im Bereich des Absorbermusters und
d) Aufbringen des Absorbermaterials in Form eines Dünnfilms auf den Träger und Ausbilden eines Absorptionsmusters.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat von dem Träger durch Ultraschalleinwirkung in einem Lösungsmittel entfernt wird.