DE3211769C2 - Photoleitender Detektor - Google Patents
Photoleitender DetektorInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 13
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 10
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 208000035859 Drug effect increased Diseases 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004958 nuclear spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14669—Infrared imagers
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
Die Erfindung betrifft einen photoleitenden Detektor, d. h. eine
Vorrichtung aus photoleitendem Halbleitermaterial mit einer
Eingangselektrode und einer Ausgangselektrode. Eine
derartige Vorrichtung kann auch einen oder mehrere zusätzliche
Kontakte, beispielsweise einen Spannungskontakt oder
Spannungskontakte, aufweisen, um die Strahlungserfassung
zu erleichtern.
Zahlreiche derzeit verwendete Photodetektoren benutzen
Cadmiumquecksilbertellurid (CMT) für das photoleitende
Halbleitermaterial und haben Kontakte aus Gold, Indium
oder Aluminium (vgl. beispielsweise GB-PS 1 488 258 =
US-PS 3 995 159). Gewöhnlich haben Photodetektoren eine
geradlinige Geometrie, d. h., das Halbleitermaterial ist
in quadratischer oder rechteckiger Form vorgesehen, und
die Kontakte sind an den Enden des Materials angeordnet
und jeweils mit einer senkrechten geradkantigen Grenze
zwischen dem Metall und dem Halbleitermaterial strukturiert.
Einige Detektoren, insbesondere solche, die in integrierten
Anordnungen enthalten sind, können mit Kontakten versehen
werden, die nicht aus Metall, sondern aus einem stark dotierten
Halbleitermaterial bestehen, d. h., ein Kontakt
kann an der Zwischenfläche zwischen leicht dotierten oder
eigenleitendem photoleitendem Material und Bereichen eines
stark dotierten leitenden Materials gebildet werden, so
daß sog. "Leicht-Stark" (l-h)-Kontakte entstehen.
Infrarot-Photodetektoren aus CMT-Material, insbesondere
dem nunmehr verfügbaren CMT-Material von hoher Reinheit,
haben die Eigenschaft einer langen Überschuß-Ladungsträger-
(d. h. Phototräger-)Lebensdauer. Die typische Volumen-
Lebensdauer liegt zwischen 1 und 4 µs (8 bis 14 µm Bandbreite
eines empfindlichen CMT-Materials) und zwischen
10 und 20 µs (3 bis 5 µm Bandbreite eines empfindlichen
CMT-Materials). Dies macht Detektoren insbesondere für
Speicher- und Ansammlungseffekte empfänglich. Die Vorrichtungen
würden ohne Speichereffekte gewöhnlich in einem
"ausgeschwemmten" Zustand betrieben, in dem die effektive
Überschuß-Minoritätsträger-Lebensdauer durch die Transitzeit
der Minoritätsträger durch die Vorrichtung bestimmt
wird, die viel kleiner als die Volumen-Lebensdauer ist,
so daß die verzögerte Rekombination der Überschuß-Ladungsträger
am Kontakt, d. h. die Speicherung, zu einer gesteigerten
effektiven Lebensdauer führt (die Erscheinung
der Ladungsträgerspeicherung oder -ansammlung in Halbleitern
wurde zuerst durch Low ("Proc. Phys. Soc.", London, B68, Seite
310 (1955)) beschrieben, wobei die Theorie durch Gunn
("Journal Electronics & Control" 4, Seite 17 (1958)) entwickelt wurde).
Die Ladungsträgerspeicherung hat zwei Konsequenzen für
die Eigenschaften des Detektors. Zunächst nimmt die Ausgangs-Detektorempfindlichkeit
(definiert als Spannung oder Ersatzspannung)
entsprechend einem Strahlungsfluß von 1 W auf
den Detektor oder bei Strukturen mit drei Leitern (vgl.
beispielsweise GB-PS 1 488 258) entsprechend einem Strahlungsfluß
von 1 W je Detektorbreite im Quadrat zu. Dies
folgt daraus, daß die durch die Überschuß-Ladungsträger im
Detektor verbrachte Zeit zunimmt, d. h., die Ausschwemmzeit
ist verlängert. An zweiter Stelle wird jedoch der
Frequenzgang des Detektors verschlechtert. Für den in der
GB-PS 1 488 258 beschriebenen Detektor zeigt sich dies als
eine Herabsetzung der durch den Detektor gebotenen räumlichen
Auflösung.
Aus "Revue de Physique Appliqu´e", Band 12 (1977), Seiten
303-310 ist ein photoleitender Detektor bekannt, der eine
halbkugelförmige Eingangselektrode und eine im Bereich des
Mittelpunkts der Halbkugel liegende Ausgangselektrode aufweist,
wodurch eine Konzentration des elektrischen Feldes im
Bereich der Ausgangselektrode bewirkt wird. Dieser Detektor
dient der Energieauflösung in der Kernspektroskopie.
Die Erfindung soll eine gute oder hohe Empfindlichkeit
als Ergebnis einer Speicherung ohne die Gefahr eines verschlechterten
Frequenzganges oder räumlicher Auflösung
liefern. Es hat sich gezeigt, daß die Speicherungszeit für
Ladungsträger in unmittelbarer Nähe der Ausgangselektrode,
d. h. des Kontaktes, zu dem die Photoladungsträger strömen,
merklich verringert werden kann, sofern das Ansteuerfeld
unmittelbar neben der Ausgangselektrode erhöht wird. Die
Empfindlichkeit bleibt hoch, da die gespeicherten photoerzeugten
Ladungsträger trotz ihrer verringerten Speicherungszeit
die Leitfähigkeit in einer Region eines erhöhten
(elektrischen) Feldes modulieren. Die Basis der unten beschriebenen
Detektorstrukturen liegt in der Verwendung
des Speicherungseffektes in Kontaktbereichsgeometrien,
so daß das lokale elektrische Feld hoch ist, wodurch der
Vorteil einer erhöhten Empfindlichkeit ohne die Gefahr eines
merklich herabgesetzten Frequenzganges oder einer räumlichen
Auflösung gewonnen wird.
Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den photoleitenden
Detektor gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen
der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Vorzugsweise ist die Ausgangselektrode lagemäßig bezüglich
der Seiten des photoleitenden Halbleitermaterials so angeordnet,
daß das elektrische Feld symmetrisch konzentriert
wird. Diese Anordnung macht die Transitzeitstreuung der
auf die Ausgangselektrode einfallenden Photoladungsträger
möglichst klein.
Wenn der Detektor aus n-leitendem Material besteht, ist
die Ausgangselektrode negativ vorgespannt, und wenn dagegen
der Detektor aus p-leitendem Material besteht, ist
die Ausgangselektrode positiv vorgespannt.
Der Detektor kann auch
eine geformte Ausgangselektrode und einen gestalteten
Ausgangsbereich besitzen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher
erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Photodetektor
mit einer geformten Ausgangselektrode,
Fig. 2 eine Draufsicht eines anderen, lediglich
teilweise gezeigten Photodetektors, der
mit einer geformten Ausgangselelektrode
versehen ist und eine unterschiedliche
Auslesegeometrie hat,
Fig. 3 eine Draufsicht eines lediglich teilweise
gezeigten anderen Photodetektors, der mit
zwei Schlitzen in der Nähe der Ausgangselektrode
versehen ist,
Fig. 4 eine Draufsicht eines anderen, lediglich
teilweise gezeigten Photodetektors, dessen
Ausgangselektrode profiliert ist, und
Fig. 5 eine Draufsicht einer Photodetektoranordnung,
die mit mehreren geformten Ausgangselektroden
versehen ist.
Fig. 1 zeigt einen Photodetektor 101 mit einer Streifenleitung
103 aus n-leitendem Cadmiumquecksilbertellurid-
Material mit einer Länge von etwa 700 µm und einer Breite
(w) von etwa 62,5 µm. Die Elektronendichte liegt zwischen
5×10¹⁴ und 1×10¹⁵ cm-3. Das Material hat die Zusammensetzung
Cd0,2Hg0,8Te und ist auf Infrarotstrahlung im Bandbereich
des Spektrums von 8 bis 14 µm empfindlich. Bei
Kältetemperaturen von etwa 80°K zeichnet es sich durch eine
Phototräger-Volumenlebensdauer zwischen 1 und 4 µs aus,
wenn es in einer Stickstofftemperatur-Kälteabschirmung
(F-3) liegt. Der Streifen 103 ist auf einem Saphir-Isoliersubstrat
(nicht gezeigt) aufgebracht und in seine Form durch
Ionenstrahlfräsen einer größeren CMT-Scheibe gestaltet.
Gold-Metallkontakte 105 und 107 sind an jedem Ende des
Streifens 103 durch Aufdampfen des Metalls hergestellt,
um einen Film über der Oberfläche des Streifens 103 zu
bilden, und diese werden photolithographisch strukturiert.
An einem Ende des Streifens 103 ist das Material gegabelt,
was einen Spannungskontaktsockel 109 liefert. Dieser Sockel
109 hat einen Gold-Metallkontakt 111 auf seiner Oberseite.
Dieser wird auch während des photolithographischen Aufdampf-
und Ätzprozesses gebildet. Der Gabelungskanal-Schlitz 113
zwischen dem Sockel 109 und dem Endbereich des Detektorstreifens
103 wird durch Ionenstrahlfräsen gebildet und ist
ungefähr 12 µm breit. Am gegabelten Ende des Streifens 103
wird der Gold-Metallkontakt 107, die Ausgangselektrode,
geformt, um eine lokale Verzerrung des elektrischen Feldes
im Streifen 103 hervorzurufen, nämlich eines Feldes, das
erzeugt wird, wenn eine Vorspannung an den beiden Elektroden
105 und 107 liegt. Die Ausgangselektrode 107 hat, wie dargestellt
ist, eine hervorgehobene Längserstreckung, d. h.,
sie erstreckt sich vom gegabelten Ende des Streifens in
die Richtung der Eingangselektrode 105. Sie liegt in der
Form eines Metallfingers vor, der etwa 50 µm lang und
15 µm breit (d) ist sowie zwischen den Seiten des Endbereichs
des Streifens 107 zentriert wird. Der Fingerkontakt
107 hat eine glatte Kontur und keine scharfen Kanten.
Dies gewährleistet eine regelmäßige Verzerrung des elektrischen
Feldes, und außerdem ist der Fingerkontakt besser
reproduzierbar, da jedenfalls scharfkantige Metallmuster
schwierig herzustellen sind.
Für diese Geometrie des Detektors wird das Feld E am Kontakt
geschätzt auf:
E ≈ (W/d) E₀ ≈ 120 V · cm-1
wobie E₀, nämlich das Feld im Hauptteil der Vorrichtung,
bei etwa 30 V·cm-1 unter typischen Betriebsbedingungen
liegt. Dieses Feld wird etwa vierfach konzentriert.
Der Frequenzgang für diesen Detektor kann aus der Rekombinationsgeschwindigkeit
S für den Kontakt, insbesondere
1000 cm·s-1 bis 500 cm·s-1 berechnet werden. Wenn eine auf
den Detektor einfallende Strahlungslinie betrachtet wird,
dann fällt der durch diese Strahlung erzeugte Ausgangsimpuls
auf 1/e seines Wertes in einer Zeit T ab:
T ≈ 0,7 × 10-7 s (S = 1000 cm s-1)
T ≈ 1,2 × 10-7 s (S = 500 cm s-1)
T ≈ 1,2 × 10-7 s (S = 500 cm s-1)
Dies setzt voraus, daß die einzige Quelle für eine Impulsverbreiterung
die Ladungsträgerspeicherung ist. (Tatsächlich
wird im vorliegenden Fall die Verbreiterung dann
durch thermische Diffusion der Ladungsträger beherrscht.)
Wenn der Detektor in einem Abtast-Abbildungssystem (vgl.
GB-PS 1 488 258) verwendet wird, entspricht diese Verbreiterung
des Ansprechens einer Einschränkung der räumlichen
Auflösung. Für eine Bildabtastgeschwindigkeit von
130 m/s beträgt somit in einem typischen Wert die berechnete
Auflösung:
8 µm für S = 1000 cm · s-1 und
14 µm für S = 500 cm · s-1
14 µm für S = 500 cm · s-1
Diese Grenze der räumlichen Auflösung ist unbedeutend
im Vergleich mit derjenigen, die für thermische Diffusion
typisch ist, welche in der beschriebenen Vorrichtung bei
etwa 50 µm liegt.
Die Ansprechempfindlichkeit R des Detektors wird durch den
Speicherungseffekt gesteigert. Der Beitrag des Speicherungseffekts
wird lediglich geschätzt zu:
mit
D = Ladungsträger-Diffusionskoeffizient,
E = Feldstärke am Kontakt,
N = Elektronendichte im Gleichgewicht, und
Φs = Photonenfluß entsprechend 1 W/Breite² einer Signalstrahlung (Wellenlänge von 11 µm).
D = Ladungsträger-Diffusionskoeffizient,
E = Feldstärke am Kontakt,
N = Elektronendichte im Gleichgewicht, und
Φs = Photonenfluß entsprechend 1 W/Breite² einer Signalstrahlung (Wellenlänge von 11 µm).
Mit typischen Werten für die Lebensdauer τ≈2 µs, Detektordicke
t=8 µm, Quantenwirkungsgrad η=1, Rekombinationsgeschwindigkeit
S=1000 cm · s-1, N=1×10¹⁵ cm-3,
E=120 V cm-1 ergibt sich:
RACC (11 µm) ≈ 1,3 × 10⁶ VW-1
Diese Ansprechempfindlichkeit ist um einen Faktor 6 größer
als diejenige, die mit einer herkömmlichen Ausgangselektrode
erzielt wird.
Der Detektor 201, dessen Endteil in Fig. 2 dargestellt ist,
hat einen abgewandelten Auslesebereich am Ende des photoleitenden
Streifens 203. Wie im Beispiel von Fig. 1 hat er
einen länglichen Kontaktfinger 207, der die Ausgangselektrode
liefert. Jedoch ist ein Spannungskontakt 211 neben
diesem Finger 207 vorgesehen. In dem nächst der Spitze
des Kontaktfingers 207 liegenden Bereich entspricht der
Spannungskontakt der Kontur eines "ungestörten" Spannungsäquipotentials
(d. h. einem Äquipotential, das für den Detektor
ohne den vorliegenden Spannungskontakt berechnet ist).
In diesem Fall ist der Feldverlauf in der Nähe der Ausgangselektrode
207 dann relativ ungestört.
Der in Fig. 3 gezeigte Dekoder 301 hat einen alternativen
Aufbau. Der Streifen 303 ist in der Nähe der Ausgangselektrode
307 gestaltet. Ein Teil des photoleitenden Halbleitermaterials
wurde durch Ionenstrahlfräsen oder -ätzen entfernt,
um zwei entgegengesetzte Schlitze 315 und 317 zu erzeugen.
Die Breite des Detektorstreifens 303 ist so begrenzt,
und wenn eine Vorspannung an den Elektroden liegt, wird das
Feld in der unmittelbaren Nähe der Ausgangselektrode verzerrt.
Die Breite der Einschnürung beträgt etwa 10 µm. Die Schlitze
315 und 317 haben die gleiche Länge und Breite und dienen
zu einer symmetrischen Verzerrung des elektrischen Feldes.
Die Ladungsträger, die zum Kontakt 307 von einem Bereich
des Streifens 303 driften, wo das Feld ausreichend gleichmäßig
ist, beispielsweise von der in Fig. 3 gezeigten Linie
X-X, kommen an der Elektrode 307 mit einer Streuung der
Ankunftszeiten an. Die eingeführte Symmetrie gewährleistet,
daß diese Streuung minimal ist. Die Schlitze 315 und 317
grenzen an die Elektrode 307 an. Sie können jedoch von der
Elektrode 307 versetzt sein, jedoch sollte jeglicher Abstand
klein im Vergleich mit der Breite der Einschnürung d sein,
da sonst das Betriebsverhalten beeinträchtigt wird.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in Fig. 4 gezeigt.
Der Detektor 401 ist am En des Streifens 403 profiliert
oder strukturiert. Die Breite des Streifens 403 ändert
sich graduell oder schrittweise mit der Annäherung an die
Ausgangselektrode 407. Die Strukturierung oder Profilierung
ist symmetrisch, um die Streuung der Ladungsträger-Transitzeit
möglichst klein zu machen.
Eine diskrete Detektoranordnung mit schneller und hoher
Ansprechempfindlichkeit ist in Fig. 5 gezeigt. Dieser Detektor
501 umfaßt eine Scheibe 503 aus CMT-Material oder
einem anderen n-leitenden photoleitenden Material. Eine gemeinsame
Eingangselektrodenmetallisierung 505 ist am Ende
der Scheibe vorgesehen. Verschiedene Ausgangselektroden
507 - drei Ausgangselektroden sind gezeigt - werden am anderen
Ende der Scheibe 503 vorgesehen. Jede der Elektroden
507 ist als ein Metallfinger mit einer Breite (d) von etwa
10 µm und mit einem Mitten-Mitten-Abstand zwischen benachbarten
Fingern von etwa 50 µm gestaltet. Dieser Abstand ist
etwa mit der doppelten, durch die Lebensdauer begrenzten
Diffusionsstreuung der Ladungsträger in CMT (Material mit
einer Bandbreite von 8 bis 14 µm) vergleichbar. Der Detektor
501 ist so wirksam in drei Spuren mit jeweils einer
Breite von 50 µm (W) geteilt. Jedoch können diese Spuren
gegebenenfalls hergestellt werden, indem Schlitze 513 zwischen
den Kontakten 507 eingeführt werden.
Für diesen Detektor 501 wird die Ansprechempfindlichkeit
aufgrund der Speicherung geschätzt:
wobei R₀ die durch Ausschwemmen begrenzte Ansprechempfindlichkeit
eines herkömmlichen Detektors ist;
R₀ ≈ (2EλµpNt)-1
wobei Eλ die Photonenenergie und µp die Löcherbeweglichkeit
bedeuten.
Werte sind in der folgenden Tabelle gegeben:
Die in den obigen Beispielen beschriebenen Detektoren können
in Abbildungsanwendungen eingesetzt werden. In üblicher
Weise können sie gekühlt werden und jeweils einzeln oder
in einer Anordnung in der Bildebene einer geschirmten
optischen Einheit vorgesehen sein. Ein durch diese Einheit
fokussiertes Bild kann entweder statisch oder abgetastet
sein, wobei die Einheit im letzteren Fall Drehspiegel oder
Klappenspiegel oder beides hat, um das Bild über jedem
Detektor abzutasten.
Mittels Detektoren mit zwei Kontakten kann die Signalinformation
durch Messen des Vorstromes (bei konstanter Vorspannung)
oder durch Messen der Spannung zwischen den
Elektroden (bei konstantem Vorstrom) abgeleitet werden.
Detektoren einschließlich zusätzlich eines oder mehrerer
Spannungskontakte können ebenfalls benutzt werden, wobei
die Spannung zwischen den Spannungskontakten oder einem
Spannungskontakt und der Ausgangselektrode (bei konstantem
Vorstrom) gemessen wird.
Claims (7)
1. Photoleitender Detektor (101, 201, 301, 401) mit einem
streifenförmigen Detektorelement (103, 203, 303, 403) aus n-
oder p-leitendem Halbleitermaterial, Eingangs- (105) und Ausgangsvorspannungskontakten
(107, 207, 307, 407), die zur Bildung
einer Vorspannungsstrombahn im Detektorelement (103,
203, 303, 403) angeordnet und längs dazu gerichtet sind,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Detektor (101, 201, 301, 401) zur Vorspannungsfeldkonzentration
zum Ausgangsvorspannungskontakt (107, 207, 307, 407)
hin eine bezüglich der Detektorelementstreifenbreite (w) verringerte
Querausdehnung (d) des Ausgangsvorspannungskontakts
(107, 207, 407) und/oder eine Einschnürung (315, 317) des Detektorelements
(303, 403) angrenzend an den Ausgangsvorspannungskontakt
(307, 407) aufweist.
2. Detektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Ausgangsvorspannungskontakt als Finger (107, 207)
ausgebildet ist, der sich auf der Detektorelementoberfläche
zum Eingangsvorspannungskontakt (105) hin erstreckt.
3. Detektor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Detektorelement (103, 203) zu den Rändern des Fingers
(107, 207) parallele Längsseiten hat.
4. Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß das Detektorelement (103) einen Schlitz (113) aufweist,
der den Ausgangsvorspannungskontakt (107) von einem Spannungskontakt
(111) trennt.
5. Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Spannungskontakt (211) auf der Detektorelementoberfläche
längs einer Bahn angeordnet ist, die einem Äquipotential
bezüglich des Ausgangsvorspannungskontakts (207) in Abwesenheit
des Spannungskontakts (211) entsprechen würde.
6. Detektoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet,
daß die Detektoranordnung (501) eine Mehrzahl gleicher Ausgangsvorspannungskontakte
(507) aufweist, die entsprechende
Vorspannungsstrombahnen definieren und an denen jeweils die
Vorspannungsfeldkonzentration auftritt.
7. Detektoranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß sie Schlitze (513) zum Abgrenzen der Vorspannungskonzentration
zu den entsprechenden Ausgangsvorspannungskontakten
(507) aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8109928 | 1981-03-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3211769A1 DE3211769A1 (de) | 1982-12-16 |
DE3211769C2 true DE3211769C2 (de) | 1996-05-09 |
Family
ID=10520772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823211769 Expired - Lifetime DE3211769C2 (de) | 1981-03-30 | 1982-03-30 | Photoleitender Detektor |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57175224A (de) |
DE (1) | DE3211769C2 (de) |
FR (1) | FR2502846B1 (de) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1488258A (en) * | 1974-11-27 | 1977-10-12 | Secr Defence | Thermal radiation imaging devices and systems |
DE2702571C3 (de) * | 1977-01-22 | 1982-02-04 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Kontaktstruktur für ein Vielfach- Halbleiterbauelement |
GB2007909B (en) * | 1977-11-04 | 1982-02-10 | Secr Defence | Method and apparatus for parallel-in to serial-out conversion |
JPS5491196A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Toshiba Corp | Production of photoconductive array-shaped infrared detector |
GB2019649B (en) * | 1978-04-25 | 1982-05-06 | Secr Defence | Imaging device and systems |
JPS55158682A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive cell and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-03-25 FR FR8205109A patent/FR2502846B1/fr not_active Expired
- 1982-03-29 JP JP57050886A patent/JPS57175224A/ja active Granted
- 1982-03-30 DE DE19823211769 patent/DE3211769C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57175224A (en) | 1982-10-28 |
DE3211769A1 (de) | 1982-12-16 |
FR2502846A1 (fr) | 1982-10-01 |
FR2502846B1 (fr) | 1986-08-01 |
JPH059945B2 (de) | 1993-02-08 |
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